JP5562211B2 - 炭化珪素半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Description
図1〜図3は、実施の形態1に係る半導体装置の製造方法を説明するための図であり、P型の炭化珪素(SiC)層上にオーミック接続する電極の形成工程を示している。以下、これらの図に基づき、本実施の形態の半導体装置の製造方法を説明する。
実施の形態1では電極材料としてAl−Ti合金11を使用したが、本発明における電極材料は、AlおよびTiを含有し、P型SiC層10との反応により当該P型SiC層10とのオーミックコンタクトを成す合金を形成可能なものであればよい。
実施の形態3では、本発明が適用される半導体装置の具体的な構成例を示す。図6はその一例であり、PiN(positive-intrinsic-negative)ダイオードの構成を示している。
Claims (7)
- P型のSiC層上にAlおよびTiを含む電極材料を堆積する工程と、
前記電極材料上に保護膜を形成する工程と、
前記電極材料および前記SiC層にAlの融点を超える温度の熱処理を施すことで、前記電極材料を前記SiC層と反応させて合金化する工程と、
前記熱処理よりも後に、ウェットエッチング処理、逆スパッタ法、または、Arミリング法により前記保護膜を除去する工程とを備え、
前記保護膜は、前記熱処理において前記電極材料からのAlの蒸発・飛散を防止するものである
ことを特徴とする炭化珪素半導体装置の製造方法。 - 前記電極材料を堆積する工程と前記保護膜を形成する工程とを、前記電極材料を大気に晒すことなく連続して行う
請求項1記載の炭化珪素半導体装置の製造方法。 - 前記電極材料は、Al−Ti合金である
請求項1または請求項2に記載の炭化珪素半導体装置の製造方法。 - 前記電極材料は、Al層とTi層とが積層して成るAl/Ti積層構造である
請求項1または請求項2に記載の炭化珪素半導体装置の製造方法。 - 前記電極材料におけるAlおよびTiの含有量は、質量比でAlよりもTiが少ない
請求項1から請求項4のいずれか一項に記載の炭化珪素半導体装置の製造方法。 - 前記保護膜は、金属窒化物、金属ホウ化物、金属酸化物のいずれかである
請求項1から請求項5のいずれか一項に記載の炭化珪素半導体装置の製造方法。 - 前記保護膜は、TiN、TaN、ZrN、AlN、BN、CrN、NbN、TiC、WC、VC、TaC、NbC、TiB、WB 2 、ZrB、AlO、TiO 2 、CoO、TaO、NiOのいずれかである
請求項6記載の炭化珪素半導体装置の製造方法。
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