JP5544000B2 - 基板表面処理システム - Google Patents

Description

本発明は、基板表面処理システム及び基板表面処理方法に係り、さらに詳細には、コンパクトな基板表面処理システム及び基板表面処理方法に関する。

有機発光表示装置又は液晶表示装置を形成するための基板には、複数の薄膜トランジスタを含んだ駆動素子が形成される。
このために、前記基板には、ポリシリコン膜のようなシリコン膜が形成される。前記ポリシリコン膜は、非晶質シリコン膜をＥＬＡ（excimer laser annealing）などの結晶化工程を介して形成する。このポリシリコン膜をパターニングし、前記薄膜トランジスタのアクティブ層として使う。

ところで、前記非晶質シリコン膜及び／又はポリシリコン膜は、自然状態で、表面にシリコン酸化膜を有する。
前記シリコン酸化膜は、結晶化工程に悪影響を及ぼすことがある。また、薄膜トランジスタの特性に影響を及ぼし、工程中、パーティクルなどの汚染源として作用することがある。従って、前記結晶化工程前後及び／又は後に、前記シリコン酸化膜を除去しなければならない。
また、結晶化工程を経て形成されたポリシリコン膜は、表面粗度が粗いから、その表面をエッチングして表面均一度を高める必要もある。
かような理由によって、前記シリコン膜が形成されている基板の表面に対して、前記シリコン膜をエッチングするための表面処理をしなければならない。

特許文献１には、従来の基板エッチング装備を開示しているが、基板を回転させつつ、エッチング液を基板に噴射する方式が開示されている。ところで、かような方式は、例えば、４世代（７３０×４６０ｍｍ）までの小型基板サイズでは適切であったが、５．５世代（１，３００×１，５００ｍｍ）以上の大型基板では、使用が困難である。それは、大型基板は回転させにくく、たとえ回転をさせることができるとしても、回転速度が６００ＲＰＭ以下に低下しつつ、エッチング後にムラが生じる。また、中心部とエッジとのエッチング偏差が生じ、チャンバの内壁に液がぶつかり、基板にさらに飛び散るから基板にムラが発生するという問題がある。
これを改善するために、表面処理のためのシステムをインライン形態で配したりするが、その場合、工程を遂行するシステムが過度に長く形成されもする。これは、システムを設置する空間を多く占めることになるという問題が生じる。

特許文献２の場合、上側と下側とにわたって、２層構造にシステムを構成したものであるが、これは、同一の作動過程を示す工程を、上側と下側とに等しく配置させ、処理物量を増大させようとしたものである。しかし、１つの処理工程だけを見れば、結局、単一の直線上の経路を示すインライン・システムであると見ることができ、システム全体の長さは変化せずに、そのまま維持されたのである。

特開２００４−００６６１８号公報 大韓民国公開特許公報第２００７−００４８０３６号

前記のような従来技術の問題及び／又は限界を克服するためのものであり、本発明は、さらにコンパクトな構造を有し、設置空間上の制約を受けない基板表面処理システム及び基板表面処理方法を提供するところに目的がある。

前記のような目的を果たすために、本発明は、地面に対して水平方向に延び、両端に第１端部及び第２端部をそれぞれ含む第１処理室と、地面に対して水平方向に延び、前記第１処理室と並行に配置され、両端に第３端部及び第４端部をそれぞれ含む第２処理室と、両端に互いに対向した第５端部及び第６端部をそれぞれ含み、前記第５端部は、前記第２端部及び前記第４端部と一体化され、前記第１処理室及び前記第２処理室とそれぞれ連通された第３処理室と、前記第１処理室に設置され、地面に平行な第１方向に前記第１端部から前記第２端部まで基板を移送する第１水平移動部と、前記第２処理室に設置され、地面に平行で前記第１方向の反対方向である第２方向に前記基板を移送する第２水平移動部と、前記第３処理室に設置され、前記基板の移送方向を、前記第１方向から前記第２方向に、又は前記第２方向から前記第１方向に転換させる方向転換部と、前記第１処理室乃至前記第３処理室のうち少なくとも１つの一部に設置され、前記基板の表面に、少なくとも１種の処理液を噴射する第１湿式処理モジュールと、を備える基板表面処理システムを提供する。

本発明の他の特徴によれば、前記第１端部及び前記第３端部は、互いに並行して延び、前記第２端部及び前記第４端部は、互いに並行して延び、前記第１端部及び前記第３端部に、それぞれ第１ゲート及び第２ゲートが設置されてもよい。
本発明のさらに他の特徴によれば、前記第１湿式処理モジュールは、前記第１処理室乃至前記第３処理室のうちのいずれか一つに配置され、前記第１湿式処理モジュールが設置されていない他の処理室には、前記基板の表面を乾燥させた状態で乾式処理するために、乾式処理モジュールが配置されることができる。
本発明のさらに他の特徴によれば、前記第１湿式処理モジュールは、前記第１処理室乃至前記第３処理室のうちのいずれか一つに配置され、前記第１湿式処理モジュールが設置されていない他の処理室の少なくとも一つには、前記基板の表面を湿式処理する第２湿式処理モジュールが配置されることができる。

本発明のさらに他の特徴によれば、前記第１湿式処理モジュールは、前記第３処理室の前記第５端部のうち、前記第２端部と一体化された部分に隣接して配置されることができる。
本発明のさらに他の特徴によれば、前記第１湿式処理モジュールは、前記第３処理室の前記第５端部のうち、前記第４端部と一体化結合された部分に隣接して配置されることができる。
本発明のさらに他の特徴によれば、前記第１湿式処理モジュールは、前記第３処理室の前記第２端部に隣接した部分に配置されることができる。
本発明のさらに他の特徴によれば、前記第１湿式処理モジュールは、前記第３処理室の前記第４端部に隣接した部分に配置されることができる。

本発明のさらに他の特徴によれば、前記第１湿式処理モジュールは、前記方向転換部に連動するように設置されることができる。
本発明のさらに他の特徴によれば、前記第２処理室は、前記第１処理室の下部に配置されることができる。
本発明のさらに他の特徴によれば、前記第１処理室は、前記第２処理室の下部に配置されることができる。
本発明のさらに他の特徴によれば、前記第１処理室乃至前記第３処理室のうち少なくとも一つに配置され、前記基板を地面に対して傾くように傾斜させる傾斜駆動部をさらに含むことができる。

本発明のさらに他の特徴によれば、前記第１湿式処理モジュールは、一体に結合された液噴射モジュール及び空気噴射モジュールを含み、前記液噴射モジュールは、前記処理液を前記基板の前記表面に向けて噴射するように設置され、前記空気噴射モジュールは、前記基板の前記表面に向けて液切り空気を噴射するように設置されることができる。
本発明のさらに他の特徴によれば、前記第１湿式処理モジュールは、複数の噴霧ノズルを具備した液噴射モジュールを含むことができる。

本発明はまた、前述の目的を果たすために、基板を第１方向に水平移動させる第１水平移動工程と、前記基板を前記第１方向から前記第１方向と反対方向である第２方向に水平移動されるように前記基板の移動方向を転換させる方向転換工程と、前記基板を前記第２方向に水平移動させる第２水平移動工程と、前記第１水平移動工程、前記方向転換工程及び前記第２水平移動工程のうちの少なくとも１つの工程の間、前記基板の上に対して、少なくとも１種の処理液を噴射する第１湿式処理工程と、を含む基板表面処理方法を提供する。

本発明の他の特徴によれば、前記第１湿式処理工程は、前記第１水平移動工程、前記方向転換工程及び前記第２水平移動工程のうちの１つの工程で遂行され、前記第１湿式処理工程が遂行されない他の工程では、前記基板の表面を乾燥させた状態で乾式処理する乾式処理工程が遂行されてもよい。

本発明のさらに他の特徴によれば、前記第１湿式処理工程は、前記第１水平移動工程、前記方向転換工程及び前記第２水平移動工程のうちの１つの工程で遂行され、前記第１湿式処理工程が遂行されない他の工程では、前記基板の表面を湿式で処理する第２湿式処理工程が遂行されてもよい。

本発明のさらに他の特徴によれば、前記方向転換工程は、前記基板を垂直方向に上昇させることを含んでもよい。
本発明のさらに他の特徴によれば、前記方向転換工程は、前記基板を垂直方向に下降させることを含んでもよい。
本発明のさらに他の特徴によれば、前記第１水平移動工程、前記方向転換工程及び前記第２水平移動工程のうち少なくとも１つの工程は、前記基板を地面に対して傾くように傾斜させることを含んでもよい。

本発明のさらに他の特徴によれば、前記基板の傾斜は、前記基板の前記表面が前記第１方向又は前記第２方向に垂直な方向に対して傾くように、基板を傾斜させることを含んでもよい。
本発明のさらに他の特徴によれば、前記第１湿式処理工程は、前記処理液及び液切り空気のうち少なくとも一つを前記基板の前記表面に提供することを含んでもよい。
本発明のさらに他の特徴によれば、前記エッチング液の提供及び液切り空気の提供が同時に行われる。

本発明によれば、２層構造を有する基板の表面処理システムを具現することにより、システムをさらにコンパクトに構成することができ、装備が設置される空間の制約性を低減させることができる。
また、大面積基板への適用がさらに有用になる。
また、第１液及び第２液によって、ポリシリコン膜表面の洗浄と共に、シリコン酸化膜をエッチングすることができ、シリコン酸化膜がエッチングされた後のポリシリコン膜表面の平滑度がさらに向上する。

また、第１液及び第２液を異なる時間帯で提供することにより、エッチング液である第１液及び第２液のエッチング程度を調節することができる。
そして、他種のエッチング液である第１液及び第２液の間に第３液を提供することにより、緩衝機能を介してエッチング程度の精密な制御が可能になり、第１液と第２液との混合によって、所望のエッチング率が異なる問題、及びこれによる量産性低下を防止することができる。

本発明は、また液切り空気の提供又は傾斜工程を介して、第１液乃至第３液のうち少なくとも一つを基板の表面から除去することにより、基板表面で、第１液乃至第３液のうち少なくとも２つの液体が混じらないようにし、当初所望のようなエッチング精度を得ることができる。
本発明は、大型基板に対する適用がさらに有用である。

本発明の一実施形態による基板表面処理システムの構成を概略的に図示した構成図である。 本発明の他の一実施形態による基板表面処理システムの構成を概略的に図示した構成図である。 本発明のさらに他の一実施形態による基板表面処理システムの構成を概略的に図示した構成図である。 本発明のさらに他の一実施形態による基板表面処理システムの構成を概略的に図示した構成図である。 本発明のさらに他の一実施形態による基板表面処理システムの構成を概略的に図示した構成図である。 本発明のさらに他の一実施形態による基板表面処理システムの構成を概略的に図示した構成図である。 本発明のさらに他の一実施形態による基板表面処理システムの構成を概略的に図示した構成図である。 本発明のさらに他の一実施形態による基板表面処理システムの構成を概略的に図示した構成図である。 本発明のさらに他の一実施形態による基板表面処理システムの構成を概略的に図示した構成図である。 本発明のさらに他の一実施形態による基板表面処理システムの構成を概略的に図示した構成図である。 本発明のさらに他の一実施形態による基板表面処理システムの構成を概略的に図示した構成図である。 本発明の第１湿式処理モジュールの一例を図示した構成図である。 本発明の噴射モジュールの一例を図示した断面図である。 本発明の第１湿式処理モジュールの他の一例を図示した構成図である。 本発明の噴霧ノズルの一例を図示した部分斜視図である。 本発明の第１湿式処理モジュールのさらに他の一例を図示した構成図である。 本発明の第１湿式処理モジュールのさらに他の一例を図示した構成図である。 本発明の傾斜駆動部の一例を図示した部分斜視図である。 図１８の傾斜駆動部の作用によって、基板が傾斜される状態を図示した概略構成図である。

以下、添付された図面を参照しつつ、本発明の実施形態について、さらに詳細に説明する。

図１は、本発明の一実施形態による基板表面処理システムの構成を概略的に図示した構成図である。図１から分かるように、本発明の一実施形態による基板表面処理システムは、第１処理室１と、第２処理室２と、第３処理室３と、を含む。
前記第１処理室１は、地面に対して水平方向に延長されたチャンバの形態に具備され、両端に第１端部１１及び第２端部１２をそれぞれ具備する。
前記第１端部１１には、第１ゲート１４が設置されており、第１ゲート１４を介して基板１０が、別途の搬送ロボット（図示せず）によって、第１処理室１内に投入される。第２端部１２には、第１連通路１５が具備され、第３処理室３と連通される。

前記第１処理室１には、基板１０を地面に水平な第１方向Ｘ１に移送する第１水平移動部４が設置されている。前記第１方向Ｘ１は、製１端部１１から第２端部１２に向かう方向になる。本発明の一実施形態によれば、前記第１水平移動部４は、複数の第１駆動ローラ４１を含んでもよいが、必ずしもこれに限定されるものではなく、基板１０を第１方向Ｘ１に線形移送させることができる多様な線形移動手段になりもする。

前記第２処理室２も、地面に対して水平方向に延長されたチャンバの形態に具備され、両端に、第３端部２１及び第４端部２２をそれぞれ具備する。
前記第３端部２１には、第２ゲート２４が設置されており、第２ゲート２４を介して基板１０は、第２処理室２の外側に吐出される。第４端部２２には、第２連通路２５が具備され、第３処理室３と連通される。

前記第２処理室２には、基板１０を地面に水平な第２方向Ｘ２に移送する第２水平移動部５が設置されている。前記第２方向Ｘ２は、前記第１方向Ｘ１の反対方向に、図１で見るとき、第４端部２２から第３端部２１に向かう方向になる。本発明の一実施形態によれば、前記第２水平移動部５は、複数の第２駆動ローラ５１を含んでもよいが、必ずしもこれに限定されるものではなく、基板１０を第２方向Ｘ２に線形移送させることができる多様な線形移動手段になりもする。

前記第３処理室３は、チャンバの形態に具備され、両端に互いに対向した第５端部３１及び第６端部３２をそれぞれ具備する。前記第５端部３１は、前記第１処理室１の第２端部１２、及び第２処理室２の第４端部２２と結合される。そして、前記第１連通路１５及び第２連通路２５を介して、それぞれ第１処理室１及び第２処理室２と連通される。

前記第３処理室３には、方向転換部６が設置される。前記方向転換部６は、基板１０の移送方向を前記第１方向Ｘ１から第２方向Ｘ２に転換させる。
前記方向転換部６は、複数の第３駆動ローラ６１を含み、前記基板１０を、第１方向Ｘ１及び／又は第２方向Ｘ２に水平移動させる。そして、前記方向転換部６は、垂直移動部６２を含み、前記第３駆動ローラ６１を垂直移動させる。

図１から分かるように、前記第３処理室３は、地面に対して垂直な方向に延長しており、前記第５端部３１及び第６端部３２は、それぞれ垂直な方向に延長されているチャンバの両側面を形成することになる。
かような本発明の一実施形態において、第１処理室１の第１端部１１と第２処理室２の第３端部２１は、互いに並んで延長されている。そして、第１処理室１の第２端部１２及び第２処理室２の第４端部２２も、互いに並んで延長されている。

そして、図１から分かるように、第１処理室１は、第２処理室２の上部に配置され、第３処理室３の第５端部３１の上側に連結され、第２処理室２は、製３処理室３の第５端部３１の下側に連結される。
しかし、本発明は、必ずしもこれに限定されるものではなく、図２から分かるように、第２処理室２が第１処理室１の上部に配置され、第３処理室３の第５端部３１の上側に連結され、第１処理室１は、第３処理室３の第５端部３１の下側に連結される。

一方、前記のような第１処理室１乃至第３処理室３のうち少なくとも１つの一部には、図３乃至図１１から分かるように、前記基板１０の表面に、少なくとも１種の処理液を噴射する第１湿式処理モジュール７が設置されてもよい。

図３による実施形態は、第１湿式処理モジュール７が、１処理室１に位置したものである。このとき、前記第１湿式処理モジュール７は、前記第１処理室１の第２端部１２に隣接して位置することができる。従って、第１連通路１５を介して、第１処理室１を抜け出る前の基板１０に対して、表面に処理液を噴射して湿式処理を実施することができる。しかし、必ずしもこれに限定されるものではなく、第１湿式処理モジュール７が、１処理室１の中央部に位置することもできる。

図４による実施形態は、第１湿式処理モジュール７が、２処理室２に位置したものである。このとき、前記第１湿式処理モジュール７は、前記第２処理室２の第４端部２２に隣接して位置することができる。従って、第２連通路２５を介して、第２処理室２に搬入されたか、あるいは搬入されている基板１０に対して、表面に処理液を噴射して湿式処理を実施することができる。しかし、必ずしもこれに限定されるものではなく、第１湿式処理モジュール７が、第２処理室２の中央部に位置することもできる。

図５による実施形態は、第１湿式処理モジュール７が、第３処理室３の上部左側に位置するが、従って、第５端部３１のうち、第２端部１２と結合された部分に隣接して位置する。これによって、前記第１湿式処理モジュール７は、第１連通路１５に隣接して位置することになり、第１連通路１５を介して、第３処理室３に搬入される基板１０に対して、処理液を噴射して湿式処理が可能になる。

図６による実施形態は、第１湿式処理モジュール７が、第３処理室３の上部中央に位置するが、従って、第３処理室３の第２端部１２に近い部分に位置する。これによって、前記第１湿式処理モジュール７は、第１連通路１５を介して、第３処理室３に搬入された後の基板１０に対して、処理液を噴射して湿式処理が可能になる。

図７による実施形態は、第１湿式処理モジュール７が、第３処理室３の下部中央に位置するが、従って、第３処理室３の第４端部２２に近い部分に位置する。これによって、前記第１湿式処理モジュール７は、基板１０が、第３処理室３の下部に下がった状態、すなわち、方向転換がなされた直後の基板１０に対して、処理液を噴射して湿式処理が可能になる。

図８による実施形態は、第１湿式処理モジュール７が、第３処理室３の下部左側に位置するが、従って、第５端部３１のうち、第４端部２２と結合された部分に隣接して位置する。これによって、前記第１湿式処理モジュール７は、第２連通路２５に隣接して位置することになり、第２連通路２５を介して、第３処理室３を抜け出ている基板１０に対して、処理液を噴射して湿式処理が可能になる。

図９による実施形態は、第１湿式処理モジュール７が、方向転換部６の駆動と連動するように具備されたものである。これによって、方向転換部６の垂直移動部６２の動作が進行されている最中、すなわち、基板１０が、第３処理室３内で、上部から下部に移送されている最中、又は下部から上部に移送されている最中に、基板１０に対して、処理液を噴射して湿式処理が可能になる。

図１０による実施形態は、第１処理室１に、図３のように、第１湿式処理モジュール７が設置され、第２処理室２に、第２湿式処理モジュール７’が設置されたものである。
前記第２湿式処理モジュール７’は、前記第１湿式処理モジュール７と同一の処理液を基板１０に提供することもでき、前記第１湿式処理モジュール７とは異なる処理液を基板１０に提供することもできる。また、前記第２湿式処理モジュール７’は、リンスユニットや予備加湿ユニットのように、基板１０の表面を湿式で処理するモジュールが使われもする。

図１０には、第１湿式処理モジュール７が、図３のように、第１処理室１に形成されたところを示したが、本発明は、必ずしもこれに限定されるものではなく、図４乃至図９による実施形態にも、第１処理室１乃至第３処理室３のうち、第１湿式処理モジュール７が設置された処理室を除いた残りの処理室のうち少なくとも一つには、基板１０の表面を湿式で処理する第２湿式処理モジュール７’が位置することができる。

図１１による実施形態は、第３処理室３に、図７のように、第１湿式処理モジュール７が設置され、第１処理室１に、乾式処理モジュール８が設置されたものである。
前記乾式処理モジュール８は、プラズマ供給ユニットのように、基板１０の表面を乾式で処理するモジュールになりもする。

図１１には、第１湿式処理モジュール７が、図７のように、第３処理室３に形成されたところを示しているが、本発明は、必ずしもこれに限定されるものではなく、図３乃至図６、図８及び図９による実施形態でも、第１処理室１乃至第３処理室３のうち、第１湿式処理モジュール７が設置された処理室を除いた残りの処理室のうち少なくとも一つには、基板１０の表面を乾式で処理する乾式処理モジュール８が位置することができる。また、図１０でのように、第１湿式処理モジュール７が設置された処理室以外の他の処理室に、第２湿式処理モジュール７’が設置された場合にも、第２湿式処理モジュール７’が設置された処理室、又はそれ以外の他の処理室に、乾式処理モジュール８が設置されてもよい。

図１２は、前記第１湿式処理モジュール７の一例を図示したものである。
前記第１湿式処理モジュール７は、噴射モジュール７２と、制御部７０と、第１保存槽７１１，第２保存槽７１２及び第３保存槽７１３と、空気タンク７１４と、を含む。

本発明によって処理される前の前記基板１０は、特に、ディスプレイ用として使われる多種の基板を含んでもよいが、ベース基板１０１、シリコン膜１０２、シリコン酸化膜１０３を含む。
前記ベース基板１０１は、ガラス、プラスチック又はメタル基板を含んでもよいが、たとえ図面に図示していないにしても、表面に有機物及び／又は無機物による絶縁膜がさらに具備されてもよい。

前記シリコン膜１０２は、前記ベース基板１０１の表面に、非晶質シリコン膜を成膜させて得ることができる。かようなシリコン膜１０２は、後続工程で、結晶化工程を介してポリシリコン膜になりもする。結晶化工程は、ＥＬＡ（excimer laser annealing）のようなレーザ結晶化工程が使われもするが、必ずしもこれに限定されるものではなく、多様な結晶化工程が使われもする。前記シリコン膜１０２を結晶化して得られるポリシリコン膜は、ディスプレイの薄膜トランジスタの活性層などとして使われもする。もちろん、前記非晶質シリコン膜も、パターニングやドーピングなどを介して、薄膜トランジスタの活性層として使われもする。

前記シリコン酸化膜１０３は、前記シリコン膜１０２の表面に形成される。このシリコン酸化膜１０３は、シリコン膜１０２の表面が、空気中で、酸素又は窒素と結合して自然に形成された酸化膜であり、一般的に、５〜１,０００Å厚に形成される。
前記のような基板１０は、前述のように、ベース基板１０１上に、シリコン膜１０２が成膜された基板に限定されるものではなく、シリコン膜を含むシリコンウェーハなど、シリコン膜を含む多種の基板が適用されてもよいことは、言うまでもない。
前記噴射モジュール７２は、前記基板１０の表面に、第１液乃至第３液を選択的に提供するための液噴射モジュール７２ａと、基板１０の表面に液切り空気を提供するための空気噴射モジュール７２ｂと、を含む。

前記第１液は、第１保存槽７１１に保存されるが、シリコン膜１０２の表面に形成されたシリコン酸化膜１０３をエッチングすることができる成分の溶液を含む。本発明の望ましい一実施形態において、前記第１液は、オゾン溶液を含む溶液になりもする。前記第１液は、シリコン酸化膜１０３に対するエッチング率は、後述する第２液に比べて落ちるものを使うが、むしろ基板１０表面の有機物を洗浄する洗浄剤の機能を行うことができる。これにより、前記第１液は、中性又はアルカリ性の洗浄剤で代替可能である。

前記第２液は、第２保存槽７１２に保存されるが、シリコン膜１０２の表面に形成されたシリコン酸化膜１０３をエッチングすることができ、前記第１液とは異なる成分を有し、第１液よりシリコン酸化膜に対するエッチング率が高い溶液を使う。本発明の望ましい一実施形態において、前記第２液は、フッ酸又はフッ化アンモニウム溶液を含む溶液になりもする。

前記第３液は、第３保存槽７１３に保存されるが、前記基板１０の表面から、前記第１液及び第２液のうち少なくとも一つを希釈させることができ、本発明の望ましい一実施形態によれば、水を含んでもよく、この水は、脱イオン化された純水（ＤＩ water）を使うことが望ましい。前記第３液は、エッチング液である第１液及び第２液の基板１０表面での作用を止めるようにする緩衝水としての機能を行うことができる。

前記液噴射モジュール７２ａは、前記第１液乃至第３液をそれぞれ基板１０に押しなべて広がるように提供するが、このために、基板１０表面と所定距離離隔された状態で、基板１０の長手方向に沿って、一方向に線形往復動しつつ、基板１０の表面に、第１液乃至第３液を提供するように具備される。

前記液噴射モジュール７２ａには、前記第１液乃至第３液を、前記液噴射モジュール７２ａに選択的に供給するように、機能を兼ねるように設計されてもよい。このために、前記液噴射モジュール７２ａへの１液乃至第３液の吐出のための別途の手段（図示せず）が具備されてもよい。

第１保存槽７１１，第２保存槽７１２及び第３保存槽７１３と、液噴射モジュール７２ａとの間には、第１開閉バルブ７１５，第２開閉バルブ７１６及び第３開閉バルブ７１７が介在されて連結される。この第開閉バルブ７１５乃至第３開閉バルブ７１７は、それぞれ制御部７０に連結され、制御部７０によって開閉が制御される電子バルブが使われもする。

一方、図１２では、第１保存槽７１１，第２保存槽７１２及び第３保存槽７１３がいずれも具備されているが、本発明は、必ずしもこれに限定されるものではなく、たとえ図面に図示されていないにしても、第１保存槽７１１及び第２保存槽７１２だけが具備され、後述するように、第１液及び第２液を、互いに異なる時間帯で基板１０の表面に提供することにより、シリコン酸化膜１０３の除去と共に、基板平滑度を得ることができる。

基板１０に対して、第１液、第３液、及び第２液の順序で提供されてもよい。液噴射モジュール７２ａが往復動を行いつつ動作する場合には、第１液、第３液、第２液、第３液、及び第１液の順序で提供されるのである。

かような第１液乃至第３液の提供順序は、工程条件によって変更可能であり、例えば、第２液、第３液及び第１液の順序で提供されたり、第１液及び第３液の順序又は第２液及び第３液の順序で提供されたりする。もちろん、この場合にも、液噴射モジュール７２ａが往復動を行いつつ動作する場合には、逆順の提供が繰り返されてもよい。

それだけではなく、第３液を提供せずに、第１液及び第２液の順序で提供してもよい。この場合にも、液噴射モジュール７２ａが往復動を行いつつ動作する場合には、逆順の提供が繰り返されてもよい。

本発明は、このように、エッチング率が互いに異なるエッチング液である第１液と第２液とを、互いに異なる時間帯で基板１０に提供することにより、基板１０表面の洗浄と同時に、シリコン酸化膜１０３のエッチング程度を効果的に制御することができ、また、シリコン酸化膜１０３が除去されたシリコン膜１０２表面の平滑度を向上させることができる。

また、前記第３液を基板１０に提供することにより、基板１０表面に残存している第１液及び／又は第２液を、第３液で洗浄する効果を有することになり、これによって、基板１０表面に残存する第１液と第２液とが混じり、所望のエッチング率を得ることができなくなる問題を、前もって防止することができる。これによって、正確なエッチング率管理が可能になって、量産工程に適用するときにも、品質の均一度を高めることができる。

前記のような第１液乃至第３液の提供は、１回往復スキャンに限定されずに、各液当たり少なくとも２回以上のスキャンで、第１液乃至第３液のうち少なくとも２つの液が選択的に提供される場合を含む。
図１２は、１つの液噴射モジュール７２ａを介して、第１液乃至第３液が選択的に提供される実施形態を示しているが、本発明は、必ずしもこれに限定されるのではない。

例えば、前記液噴射モジュール７２ａが、第１保存槽７１１乃至第３保存槽７１３とそれぞれ連結された、互いに独立して駆動する３つの液提供モジュールを含んでもよい。そして、これらは互いに結合されて一体で動作するように具備されてもよい。それだけではなく、前記液噴射モジュール７２ａは、互いに独立して駆動する２つの液提供モジュールを含んでもよいが、それぞれ前記第１保存槽７１１，第２保存槽７１２及び第３保存槽７１３のうちいずれか２つの保存槽と連結されるが、互いに異なる組み合わせをなすように連結される。

一方、前記液噴射モジュール７２ａの前方及び後方には、空気噴射モジュール７２ｂが設置される。空気噴射モジュール７２ｂも、制御部７０に連結される。

前記空気噴射モジュール７２ｂは、前記基板１０の表面に液切り空気を提供するためのものであり、液噴射モジュール７２ａと同じ方向に移動可能である。液噴射モジュール７２ａと空気噴射モジュール７２ｂは、それぞれ別個のリニア駆動手段によって、水平方向の駆動を行うように構成されてもよい。

前記空気噴射モジュール７２ｂは、空気タンク７１４と連結されている。前記空気噴射モジュール７２ｂ内に、又はその外部には、空気ポンプ（図示せず）が具備されている。そして、前記空気噴射モジュール７２ｂは、制御部７０に連結され、制御部７０の作用によって、液切り空気の噴射を断続する。

この空気噴射モジュール７２ｂと、空気タンク７１４との間には、第４開閉バルブ７１８がさらに連結されるが、この第４開閉バルブ７１８は、制御部７０に連結され、制御部７０によって開閉が制御される電子バルブであってもよい。
前記空気噴射モジュール７２ｂは、液切り空気を噴射するのに適した噴射ノズルでもって具備されるが、望ましくは、液切り用エアカーテンを噴射することができる形態のノズルが使われもする。

前記液切り空気は、その前段階で基板１０に提供され、基板１０の表面に残存する第１液乃至第３液のうち少なくとも一つを空気圧力によって押し出して除去するものであり、これによって、第１液乃至第３液は、基板１０の表面で互いに混じることがなくなり、これによって、特に、第１液及び第２液のようなエッチング液の濃度が、基板１０の表面の上で、本来意図した濃度と異なって変わることを防止することができる。従って、前記液切り空気によって、特に、第１液及び第２液のエッチング速度などを正確に制御することができ、第３液による緩衝作用も容易にコントロール可能になる。

図１２で、前記空気噴射モジュール７２ｂは、二つ具備されていると図示されているが、必ずしもこれに限定されるものではなく、機具設計条件などによって、多様な数に具備されるようにし、第１液乃至第３液のうち少なくとも二つが互いに混じることがないようにすることができる。例えば、液噴射モジュール７２ａを中心に、前方及び後方のうち、いずれか１ヵ所のみに空気噴射モジュール７２ｂが配置されてもよい。

前記液切り空気は、第１液乃至第３液のうち少なくとも一つと重畳されるように噴射されてもよい。このとき、前記重畳というのは、第１液乃至第３液のうち少なくとも一つが噴射されて基板１０に作用する間に、液切り空気が基板１０に噴射されることをいう。本発明の一実施形態によれば、前記空気噴射モジュール７２ｂは、前記液噴射モジュール７２ａと同時に作動させ、第１液乃至第３液のうち少なくとも一つが噴射される間に、液切り空気も噴射されるようにする。

図１３は、前述の噴射モジュール７２の一例を示したものである。図１３による実施形態は、第１液噴射モジュール７２１及び第２液噴射モジュール７２２が結合されて１つの液噴射モジュール７２ａを構成し、この液噴射モジュール７２ａを中心に、前方及び後方に、２つの空気噴射モジュール７２ｂが配置されたものである。

前記液噴射モジュール７２ａは、第１液噴射モジュール７２１と、第２液噴射モジュール７２２とを含むが、第１液噴射モジュール７２１と、第２液噴射モジュール７２２は、それぞれ２つの板状部材が互いに結合されて形成されたものであり、各内部に、液噴射用ホール７２３が形成されており、外部には、液供給用パイプ７２４が連結されている。液供給用パイプ７２４は、外部の保存槽（図示せず）に連結される。

前記第１液噴射モジュール７２１を介して、前述の第１液及び第３液が選択的に噴射されてもよく、前記第２液噴射モジュール７２２を介して、前述の第２液が噴射されてもよい。しかし、必ずしもこれらに限定されるものではなく、前記第１液噴射モジュール７２１を介して、前述の第２液及び第３液が選択的に噴射されてもよく、前記第２液噴射モジュール７２２を介して、前述の第１液が噴射されてもよい。また、前記第１液噴射モジュール７２１を介して、前述の第１液及び第２液が選択的に噴射されてもよく、前記第２液噴射モジュール７２２を介して、前述の第３液が噴射されてもよい。

前記空気噴射モジュール７２ｂも、２つの板状部材が互いに結合されて形成されたものであり、それぞれ内部に、空気噴射用ホール７２５が形成されており、外部には、空気供給用パイプ７２６が連結されている。空気供給用パイプ７２６は、外部の空気タンク（図示せず）に連結される。

前記液噴射モジュール７２ａと、前記空気噴射モジュール７２ｂは、基板１０の幅方向に、直線上に延長された構造を有し、その両端で、結合ブラケット７２７によって固定されている。結合ブラケット７２７は、前記空気噴射モジュール７２ｂの結合角度を調節するようになっており、前記空気噴射モジュール７２ｂを介した液切り空気の噴射角度が調節されてもよい。

かような噴射モジュール７２は、単一モジュールによって、エッチング液、洗浄液及び液切り空気を噴射することができるから、装備全体、特に処理室の設備構造をコンパクトに構成することができる。これは、噴射モジュール７２を往復動させるリニアモータの設備が大幅に縮小され、同時に、ポンプ及びバルブ設備の構成も縮小させることができるからのである。

図１４は、第１湿式処理モジュール７の他の一実施形態を図示したものである。
図１４に図示された実施形態の噴射モジュール７２は、液噴射モジュール７２ａと、空気噴射モジュール７２ｂと、を含む。液噴射モジュール７２ａは、複数の噴霧ノズル７３を含む形態で構成されている。

前記噴霧ノズル７３は、基板１０の長手方向に沿って配置され、基板１０の全体面積にわたって、１回で第１液乃至第３液のうちいずれか一つを噴霧することができるように具備される。
この構造では、液噴射モジュール７２ａは、固定されてもよく、基板１０の全面にわたって、同時に液を噴射することができる。もちろん、このときには、第１液乃至第３液を選択的に、基板１０に噴射しなければならないのである。

そして、空気噴射モジュール７２ｂは、基板の表面に沿って動き、基板に液切り空気を噴射することができる。
前記噴霧ノズル７３が固定されている状態で、前記基板１０が、前後方に往復移動しつつ揺動することができる。このとき、基板１０の搖動距離は、噴霧ノズル７３間の間隔以上になり、これによって、基板１０の表面全体にわたって押しなべて液が噴射される。

図１５は、前記噴霧ノズル７３の一例を図示したものである。
図１５に図示された本発明の一実施形態による噴霧ノズル７３は、第１供給管７３１と、前記第１供給管７３１の両端を互いに連結する第２供給管７３２と、を含む。

前記第１供給管７３１の両端には、第１ブロック７３３が連結されている。そして、前記第２供給管７３２は、前記第１供給管７３１の長さに対応される長さに具備され、その両端にも、第２ブロック７３４が連結されている。
前記第１供給管７３１両端の第１ブロック７３３と、前記第２供給管７３２両端の第２ブロック７３４との間には、第３供給管７３５が連結されており、第１供給管７３１と第２供給管７３２とを互いに連結する。そして、第２ブロック７３４のうち一つに、第４供給管７３６が連結され、液が供給されるようにする。前記第４供給管７３６は、前記第１ブロック７３３のうち一つに連結されもする。この第４供給管７３６は、外部保存槽（図示せず）と連結される。

このように、第１供給管７３１の両端を、第２供給管７３２で互いに連結させることにより、第１供給管７３１には、その長手方向全体にわたって、比較的均一に液が供給され、これによって、各ノズル７３７から吐出される液の量に係わる偏差も減らすことができる。

一方、図１４では、すべての噴霧ノズル７３が、第１保存槽７１乃至第３保存槽７１３に、第１開閉バルブ７１５，第２開閉バルブ７１６及び第３開閉バルブ７１７を介在して連結されていると図示されているが、本発明は、必ずしもこれに限定されるものではなく、図１６から分かるように、第１保存槽７１１乃至第３保存槽７１３が、それぞれ第１噴霧ノズル７３ａ乃至第３噴霧ノズル７３ｃに連結される。このとき、第１噴霧ノズル７３ａ乃至第３噴霧ノズル７３ｃは、互いに交互に配置されることが望ましい。この場合には、基板１０の搖動距離は、第１噴霧ノズル７３ａ、第２噴霧ノズル７３ｂ又は第３噴霧ノズル７３ｃ間の間隔以上になる。

また、図面に図示されていないが、噴霧ノズル７３のうち一部は、第１保存槽７１１，第２保存槽７１２及び第３保存槽７１３のうちいずれか２つの保存槽に、他の一部は、第１保存槽７１１，第２保存槽７１２及び第３保存槽７１３のうち１つの保存槽に、それぞれ連結させることもできる。

前述の図１４及び図１６による実施形態は、複数列の噴霧ノズル７３を使った場合を示したが、図１７から分かるように、１列に具備され、第１保存槽７１１，第２保存槽７１２及び第３保存槽７１３にそれぞれ連結された第１噴霧ノズル７３ａ乃至第３噴霧ノズル７３ｃで具備されてもよい。このとき、第１噴霧ノズル７３ａ乃至第３噴霧ノズル７３ｃは、互いに交互に配置されることが望ましい。

かような構造では、基板１０の前後方向搖動の幅はさらに広くなり、少なくとも基板１０の長さ以上に搖動するようにし、基板１０表面全体にわたって、液が十分に供給されるようにすることができる。しかし、必ずしもこれに限定されるものではなく、この場合、噴射モジュール７２が、基板１０の長手方向に沿って往復線形運動を行うことができるのである。

図１７による実施形態は、１列に具備された第１噴霧ノズル７３ａ乃至第３噴霧ノズル７３ｃに、第１保存槽７１１，第２保存槽７１２及び第３保存槽７１３がそれぞれ第１開閉バルブ７１５，第２開閉バルブ７１６及び第３開閉バルブ７１７を介在して連結されたものであるが、本発明は、必ずしもこれに限定されるものではなく、単一の噴霧ノズルに、第１保存槽７１１，第２保存槽７１２及び第３保存槽７１３がそれぞれ開閉バルブを介在して連結されもする。この場合、開閉バルブの動作によって、単一の噴霧ノズルは、選択的に第１液乃至第３液のうちいずれか一つを噴霧する。

図１７に図示された実施形態は、空気噴射モジュールを具備していないが、この場合には、液噴射後に、基板１０を所定角度傾斜させることにより、表面の液を除去することができる。しかし、必ずしもこれに限定されるものではなく、図１７による実施形態から分かるように、空気噴射モジュールを利用し、液切り空気を基板１０の表面に噴射させることもできる。そして、反対に、図１２、図１４及び図１６による実施形態でも、空気噴射モジュールなしに、基板を傾斜させ、表面の液を除去することができる。

前記のような噴射モジュール７２を具備した第１湿式処理モジュール７は、必ずしも単一の形態で具備される必要はなく、基板１０の進行方向に沿って、複数個が順次に位置し、多段で基板１０の表面に処理液を噴射し、多段湿式処理を行うようにすることもできる。このとき、噴射モジュール７２だけが複数個順次に位置することもでき、第１湿式処理モジュール７が複数個順次に位置することもできる。

前述の第１湿式処理モジュールは、第２湿式処理モジュールにも同一に適用されてもよいことは、言うまでもない。

図１８は、基板１０を傾斜させるための傾斜駆動部９の一例を図示したものである。
図１８から分かるように、傾斜駆動部９は、フレーム９０を具備する。前記フレーム９０は、第１方向Ｘ１に延長され、互いに並行に離隔された第１フレーム９０ａ及び第２フレーム９０ｂと、第１方向Ｘ１に垂直な方向Ｙに延長され、互いに平行に離隔された第３フレーム９０ｃ及び第４フレーム９０ｄと、を含む。前記第１フレーム９０ａ乃至第４フレーム９０ｄは、ほぼ四角形をなすように結合される。第１方向Ｘ１の一端に位置した第３フレーム９０ｃは、基板が搬入されやすいように、他のフレームより下に下がって位置する。

第１フレーム９０ａ及び第２フレーム９０ｂの上面には、基板の側面を支持する支持ローラ９３が設置される。そして、第１方向Ｘ１の他端に位置した第４フレーム９０ｄにも、その上面に支持ローラ９３が設置されてもよい。
前記第１フレーム９０ａ及び第２フレーム９０ｂには、図１８から分かるように、複数の支持棒９２が一定の間隔を置いて配置されている。各支持棒９２には、複数の駆動ロール９１が、所定間隔離隔されて設置されている。各支持棒９２の両端は、それぞれ第１フレーム９０ａ及び第２フレーム９０ｂに埋め込まれる。各支持棒９２の両端には、ギアが設置されている。前記第１フレーム９０ａ及び第２フレーム９０ｂのうち少なくとも一つには、ヘリカルギアが設置され、このヘリカルギアは、別途の駆動部（図示せず）によって回転される。駆動部によって、ヘリカルギアが回転するようになれば、この回転力を伝達され、複数の支持棒９２が回転するようになり、これによって、駆動ロール９１が同時に回転することになる。

前記フレーム９０の下面は、昇降部９４が結合される。前記昇降部９４は、フレーム９０を垂直方向に往復動させることができる装置が含まれるが、例えば、シリンダ装置が使われもする。
前記昇降部９４は、第１フレーム９０ａの下部に結合された１対の第１昇降部９４ａと、第２フレーム９０ｂの下部に結合された１対の第２昇降部９４ｂと、を含む。

傾斜は、第１昇降部９４ａと第２昇降部９４ｂとの収縮長を調節することによって可能になる。すなわち、第１昇降部９４ａが、第２昇降部９４ｂよりさらに多く縮小されれば、基板１０は、自然に図１９から分かるように、第１位置Ｐ１から第２位置Ｐ２になりもする。この場合、基板１０は、第１フレーム９０ａ上部の支持ローラ９３によって、それ以上下に下がらない。

前記のような傾斜駆動部９は、図１乃至図１１による本発明のすべての実施形態の処理室のうち少なくとも一部に搭載されてもよい。すなわち、第１水平移動部４のうち一部に、傾斜駆動部９を設置するか、あるいは第２水平移動部５のうち一部に傾斜駆動部９を設置することができる。そして、方向転換部６の少なくとも一部に、傾斜駆動部９を設置することができる。

このように、傾斜駆動部９によって、基板１０を傾斜させる場合、基板表面の残存液を除去するのみならず、基板１０が大面積基板である場合、そのハンドリング性をさらに高めることができる。基板を傾斜する場合、基板幅方向での装備サイズを縮小させることができ、装備設置空間をさらに小さくすることができ、傾斜角度θの調節を介して、大面積基板への適用時、基板に対するハンドリング性をさらに良好にすることができる。

基板１０を傾斜させた状態で、基板１０表面に純水などでリンスを行ったり、予備加湿を行う場合、基板１０表面の液が自然に除去され、後続工程の進行がさらに有利である。

第１湿式処理モジュール７に向けて、基板１０が移動するとき、基板１０を傾斜させて移動した後、さらに、基板１０を水平な状態である図１９の第１位置Ｐ１に修復させることができるが、このとき、基板１０下部に、複数の位置調整用ピンを配置させ、このピンの上に、基板が自然に載置されることにより、基板１０の位置を調節する作業なしに、すぐ基板表面に処理液を噴射する工程を遂行することができ、全体工程タクトタイムを短縮させることができる。

前述のような基板表面処理システムは、次の方法で基板表面処理を行う。
図３による実施形態を参照すれば、まず、搬送ロボット（図示せず）を利用し、第１ゲート１４を介して、上側に配置された第１処理室１に基板１０が投入され、第１処理室１で第１方向Ｘ１に水平移動される。このとき、第１処理室１には、図示していないが、予備加湿ゾーンが存在し、基板１０表面に対する純水を噴霧し、基板表面を予備加湿することができる。

図３による実施形態では、第１処理室１に、第１湿式処理モジュール７が存在するから、この第１湿式処理モジュール７によって基板１０表面に対する第１湿式処理工程が進められる。
次に、第１連通路１５を経て、第３処理室３に移動された基板１０は、方向転換モジュール６を介して、第２方向Ｘ２に水平移動可能なように方向が転換される。本発明の実施形態によれば、第３処理室３に移動された基板１０は、垂直移動部６２によって、下側に移動された後、第３駆動ローラ６１の動作によって、第２方向Ｘ２に進められる。

そして、基板１０は、第２連通路２５を経て、第２処理室２に移動される。第２処理室２でも、第２方向Ｘ２に移動され、第２ゲート２４を経て外側に吐き出される。外側には、搬送ロボット（図示せず）が待っていて、処理された基板を受け取る。

前記第１湿式処理工程は、図４による実施形態では、第２処理室２で、図５乃至図９による実施形態では、第３処理室３で進められるということは、言うまでもない。

そして、図１０で説明したように、前記第１水平移動工程、前記方向転換工程及び前記第２水平移動工程のうち、前記第１湿式処理工程が遂行されない工程では、前記第２湿式処理モジュール７’によって、基板１０の表面を湿式で処理する第２湿式処理工程が遂行されてもよい。

また、図１１で説明したように、前記第１水平移動工程、前記方向転換工程及び前記第２水平移動工程のうち、前記第１湿式処理工程が遂行されない工程では、前記乾式処理モジュール８によって、基板１０の表面を乾燥させた状態で処理する乾式処理工程が遂行されてもよい。

前述の方法は、図１でのように、第１処理室１が上部に配置され、第２処理室２が下部に配置された場合を示したが、本発明は、必ずしもこれに限定されるものではなく、図２から分かるように、第１処理室１が下部に配置され、第２処理室２が上部に配置された場合にも、同一に適用可能であるということは、言うまでもない。

このように、本発明の基板表面処理システム及び基板表面処理方法による場合、基板１０の表面処理が全体的に「コ」の字状に遂行され、インライン状にシステムが構成されるところに比べて、明らかにコンパクトにシステムを構成することができることになり、これによる設置空間も減らすことができる。

本発明は、添付された図面に図示された一実施形態を参照して説明したが、これは例示的なものに過ぎず、当技術分野で当業者であるならば、これらから多様な変形及び均等な他の実施形態が可能であるという点を理解することができるであろう。従って、本発明の真の保護範囲は、添付された特許請求の範囲によってのみ決まるものである。

本発明のコンパクトな基板表面処理システム及び基板表面処理方法は、例えば、ディスプレイ基板関連の技術分野に効果的に適用可能である。

１：第１処理室
１０：基板
１０１：ベース基板
１０２：シリコン膜
１０３：シリコン酸化膜
１１：第１端部
１２：第２端部
１４：第１ゲート
１５：第１連通路
２：第２処理室
２１：第３端部
２２：第４端部
２４：第２ゲート
２５：第２連通路
３：第３処理室
３１：第５端部
３２：第６端部
４：第１水平移動部
４１：第１駆動ローラ
５：第２水平移動部
５１：第２駆動ローラ
６：方向転換部
６１：第３駆動ローラ
６２：第４駆動ローラ
７：第１湿式処理モジュール
７’：第２湿式処理モジュール
７０：制御部
７１１：第１保存槽
７１２：第２保存槽
７１３：第３保存層
７１４：空気タンク
７１５：第１開閉バルブ
７１６：第２開閉バルブ
７１７：第３開閉バルブ
７１８：第４開閉バルブ
７２：噴射モジュール
７２ａ：液噴射モジュール
７２ｂ：空気噴射モジュール
７２１：第１液噴射モジュール
７２２：第２液噴射モジュール
７２３：液噴射用ホール
７２４：液供給用パイプ
７２５：空気噴射用ホール
７２６：空気噴射用パイプ
７２７：結合ブラケット
７３：噴霧ノズル
７３ａ：第１噴霧ノズル
７３ｂ：第２噴霧ノズル
７３ｃ：第３噴霧ノズル
７３１：第１供給管
７３２：第２供給管
７３３：第１ブロック
７３４：第２ブロック
７３５：第３供給管
７３６：第４供給管
７３７：ノズル
８：乾式処理モジュール
９：傾斜駆動部
９０：フレーム
９０ａ：第１フレーム
９０ｂ：第２フレーム
９０ｃ：第３フレーム
９０ｄ：第４フレーム
９１：駆動ロール
９２：支持棒
９３：支持ローラ
９４：昇降部
９４ａ：第１昇降部
９４ｂ：第２昇降部
Ｐ１：第１位置
Ｐ２：第２位置

Claims (9)

1. 地面に対して水平方向に延び、両端に第１端部及び第２端部をそれぞれ含む第１処理室と、
   地面に対して水平方向に延び、前記第１処理室と並行に配置され、両端に第３端部及び第４端部をそれぞれ含む第２処理室と、
   両端に互いに対向した第５端部及び第６端部をそれぞれ含み、前記第５端部は、前記第２端部及び前記第４端部と一体化され、前記第１処理室及び前記第２処理室とそれぞれ連通された第３処理室と、
   前記第１処理室に設置され、地面に平行な第１方向に前記第１端部から前記第２端部まで基板を移送する第１水平移動部と、
   前記第２処理室に設置され、地面に平行で前記第１方向の反対方向である第２方向に前記基板を移送する第２水平移動部と、
   前記第３処理室に設置され、複数の駆動ローラと該複数の駆動ローラを垂直移動する垂直移動部とを含み、前記基板の移送方向を、前記第１方向から前記第２方向に、又は前記第２方向から前記第１方向に転換させ、前記基板を垂直移動させる方向転換部と、
   前記第３処理室に設置され、前記基板の表面に、少なくとも１種の処理液を噴射する第１湿式処理モジュールと、
   を備え、
   前記第１湿式処理モジュールは、液噴射モジュールと、該液噴射モジュールを挟むように前記液噴射モジュールと一体に結合された一対の空気噴射モジュールとを含み、前記液噴射モジュールは、前記処理液を前記基板の前記表面に向けて噴射するように設置され、前記一対の空気噴射モジュールは、前記基板の前記表面に向けて液切り空気を噴射するように設置されることを特徴とする基板表面処理システム。
2. 前記第１湿式処理モジュールは、前記第３処理室の前記第５端部のうち、前記第２端部と一体化された部分に隣接して配置されることを特徴とする請求項１に記載の基板表面処理システム。
3. 前記第１湿式処理モジュールは、前記第３処理室の前記第５端部のうち、前記第４端部と一体化結合された部分に隣接して配置されることを特徴とする請求項１に記載の基板表面処理システム。
4. 前記第１湿式処理モジュールは、前記第３処理室の前記第２端部に隣接した部分に配置されることを特徴とする請求項１に記載の基板表面処理システム。
5. 前記第１湿式処理モジュールは、前記第３処理室の前記第４端部に隣接した部分に配置されることを特徴とする請求項１に記載の基板表面処理システム。
6. 前記第２処理室は、前記第１処理室の下部に配置されることを特徴とする請求項１乃至請求項５のいずれか１項に記載の基板表面処理システム。
7. 前記第１処理室は、前記第２処理室の下部に配置されることを特徴とする請求項１乃至請求項５のいずれか１項に記載の基板表面処理システム。
8. 前記第１処理室乃至前記第３処理室のうち少なくとも一つに配置され、前記基板を地面に対して傾くように傾斜させる傾斜駆動部をさらに含むことを特徴とする請求項１乃至請求項５のいずれか１項に記載の基板表面処理システム。
9. 前記第１湿式処理モジュールは、複数の噴霧ノズルを具備した液噴射モジュールを含むことを特徴とする請求項１乃至請求項５のいずれか１項に記載の基板表面処理システム。

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