TW201308444A - 用於處理基板表面的葉片模組 - Google Patents

Abstract

本發明提供用於處理基板表面的葉片模組，其實現緊湊簡潔設備的配置，所述葉片模組能夠有效地移除形成於基板表面(具體來說矽膜表面)上的氧化矽膜，從而提高基板表面的均勻度，且實現對清洗率的精確控制。所述葉片模組包含流體提供模組，所述流體提供模組在長度方向上朝所述基板提供選自由蝕刻流體和水組成的群組中的至少一者；噴氣模組，其中噴氣噴嘴佈置在所述長度方向上，並朝基板噴射流體切割空氣；以及框架，其固定流體提供模組的兩個相對端以及噴氣模組的兩個相對端，以將流體提供模組和噴氣模組裝配在一起。

Description

用於處理基板表面的葉片模組 【相關專利申請案的交叉參考】

本申請案主張2011年8月9日在韓國知識產權局申請的第10-2011-0079136號韓國專利申請案的權益，所述申請案的揭示內容以全文引用的方式併入本文中。

本發明涉及用於處理基板表面的葉片模組，且更具體來說涉及用於處理基板的表面的葉片模組，其能夠提供蝕刻流體(etching fluid)以及流體切割空氣(fluid-cutting air)。

在用於形成有機發光顯示裝置或液晶顯示裝置的基板上形成包含多個薄膜電晶體(TFT)的驅動裝置。

為形成所述驅動裝置，會在基板上形成矽膜(如多晶矽膜)。

然而，氧化矽膜會自然地形成於多晶矽膜的表面上。

形成於多晶矽膜表面上的所述氧化矽膜會影響由多晶矽膜形成的電子裝置的特性，且可能在製造過程中成為污染源(如顆粒)。因此，有必要移除氧化矽膜。

此外，通過經由結晶製程(如ELA)使非晶矽膜結晶而形成多晶矽膜。這裏，由於多晶矽膜具有較高的表面粗糙度，因此有必要提高多晶矽膜的表面均勻度。

由於上述原因，有必要對上面形成有矽膜的基板的表面進行處理。這裏，由於表面處理設備必須具有提供表面處理流體的各種類型的噴嘴，因此表面處理設備的配置變得複雜。

韓國專利早期公開公報第2007-0097715號揭示用於經由噴淋噴嘴(shower nozzle)和噴灑噴嘴(spray nozzle)噴射清洗流體，以及通過使用氣壓在高壓下經由噴灑噴嘴噴射相同清洗流體，以提高清洗基板的效率的技術特徵。然而，用於增加清洗流體噴灑時的壓力以提高清洗效率的技術特徵並不適用於表面處理設備的緊湊配置以及對清洗速度的精確控制。

本發明提供用於處理基板表面的葉片模組，所述葉片模組能夠有效移除形成於基板表面(具體來說，矽膜表面)上的氧化矽膜，從而提高基板表面的均勻度，以及實現對清洗率(cleaning ratio)的精確控制。

本發明還提供用於處理基板表面的葉片模組，所述葉片模組實現對緊湊簡潔設備的配置。

根據本發明的一方面，提供一種葉片模組，其用於處理基板表面，所述葉片模組包含流體提供模組，所述流體提供模組在長度方向上朝基板提供選自由蝕刻流體和水組成的群組中的至少一者；噴氣模組，其中噴氣噴嘴佈置在長度方向上，並朝基板噴射流體切割空氣；以及框架，其固定流體提供模組的兩個相對端以及噴氣模組的兩個相對端，以將流體提供模組和噴氣模組裝配在一起。

流體提供模組可包含多個流體供給孔，其形成於長度方向上；以及流體提供噴嘴，其朝基板形成，其中可在流體供給孔與流體提供噴嘴之間形成多級通道。

葉片模組可進一步包含多個第一供給管，其分別附接到流體供給孔；以及第二供給管，其使第一供給管互連。

流體提供模組可包含儲存單元，其中可儲存蝕刻流體或水，且蝕刻流體或水在所述儲存單元上方流動；以及引導單元，其可連接到儲存單元，以在朝基板的方向上引導儲存單元上方滿而溢出的蝕刻流體或水。

流體提供模組進一步可包含通過部分打開儲存單元的頂部表面而形成的以傳輸蝕刻流體或水的傳輸縫。

流體提供模組可進一步包含多個引導槽，其形成於儲存單元的頂部表面上，連接到傳輸縫，且在儲存單元的橫向方向上向外延伸。

儲存單元可包含下部儲存單元，其包含用於蝕刻流體或水的入口，並連接到引導單元；上部儲存單元，其與下部儲存單元連通，且包含形成於上部儲存單元的頂部表面上的傳輸縫；以及狹窄通道，其插入下部儲存單元與上部儲存單元之間，使下部儲存單元與上部儲存單元互連，以允許下部儲存單元和上部儲存單元相互連通，且形成為比下部儲存單元和上部儲存單元窄。

儲存單元可形成為具有矩形橫截面，且儲存單元進一步可包含開口，所述開口形成為完全打開儲存單元的頂部表面。

流體提供單元可進一步包含緩衝分區，所述緩衝分區在水平方向上佈置於儲存單元內部。

緩衝分區可進一步包含多個緩衝傳輸孔。

儲存單元可連接到流體供給管，且緩衝分區可佈置在連接流體供給管處的上方。

引導單元可形成為錐形。

噴氣模組可以傾斜位置安裝在框架，並在傾斜方向上朝基板噴射流體切割空氣。

框架可包含一對第一框架，其分別附接到噴氣模組的兩個相對端，並包含角度調節縫；以及一對第二框架，所述對第一框架分別附接到所述對第二框架。

第二框架可包含附接部分，第一框架附接到所述連接部分；以及支撐部分，其與附接部分分離，其中所述支撐部分可附接到使所述對第二框架互連的支撐框架。

流體提供模組可包含第一流體提供模組，其朝基板提供蝕刻流體；以及第二流體提供模組，其朝基板提供水。

框架可包含第三框架，其使第一流體提供模組與第二流體提供模組互連。

葉片模組可進一步包含多個第三供給管，其在噴氣模組的長度方向上附接到噴氣模組；以及第四供給管，其使所述多個第三供給管互連。

通過參考附圖詳細描述本發明的示範性實施例，本發明的以上及其它特徵和優勢將變得更加明顯，

在下文中，將通過參考附圖闡釋本發明的較佳實施例來詳細描述本發明。

圖1是根據本發明一實施例的基板表面處理設備的示意圖。

參看圖1，根據本實施例的基板表面處理設備包含室20和安裝在室20內的葉片模組30。

在室20內部，多個滾筒21佈置在水平方向上。滾筒21連接到單獨的驅動源，使得在所述驅動源上供應的基板10可在水平方向上傳送。

用於支撐基板10的支撐底座22佈置在滾筒21下方。

支撐底座22包含多個支撐銷222，所述支撐銷222佈置在滾筒21之間。當驅動杆221在垂直方向上移動時，支撐銷222佈置在驅動杆221上，以在滾筒21之間傳遞，推動基板10向上並支撐基板10。彈性部件223佈置在支撐銷222的前端部分處，以防止支撐銷222使基板10報廢，且防止基板10滑動。驅動杆221連接到單獨的驅動裝置(未圖示)，且經佈置以在垂直方向上移動。

然而，在本發明中，支撐底座22並不限於圖1中所示的實施例，且可應用各種類型的結構中的任一者，只要支撐底座22能夠使基板10固定和/或對準即可。支撐底座22可與地面平行佈置。然而，本發明並不限於此。舉例來說，可佈置單獨的傾斜單元(未圖示)以使基板10相對於地面傾斜。傾斜單元可使支撐底座22旋轉，以相對於地面垂直佈置基板10，或在基板10與地面之間形成銳角。這裏，支撐底座22可為各種類型的結構中的任一者，只要當基板10傾斜時，支撐底座22能夠使基板10固定即可。此外，基板10可能不一定由支撐底座22固定並支撐。舉例來說，當正處理基板10時，基板10可佈置在滾筒21上。

葉片模組30安裝在基板10上方，且可通過驅動塊41和引導器42在水平方向上作往復運動。驅動塊41和引導器42可形成線性電動機系統。

葉片模組30佈置成具有對應於基板10的至少一個寬度的長度，以便在基板10的所有區域上供應預定流體。

驅動塊41沿引導器42作往復運動，且因此基板10的表面由葉片模組30所噴射的流體和流體切割空氣來處理。

當基板10固定在圖1的基板表面處理設備中時，葉片模組30作往復運動，並向基板10的表面供應預定流體和/或流體切割空氣。然而，本發明並不限於此，且當葉片模組30固定時，基板10可移動。

圖2是根據本發明一實施例的包含葉片模組30的基板表面處理設備的示意圖。

如圖2中所示，安裝在室中的基板表面處理設備包含葉片模組30、控制單元70、第一到第三儲存庫35到55，以及空氣箱65。

根據本發明的待處理基板10可為各種類型(具體來說用於顯示裝置)的基板中的任一者，且包含底座基板11、矽膜12以及氧化矽膜13。

底座基板11可為玻璃基板、塑膠基板或金屬基板。雖然未圖示，但由有機材料和/或無機材料形成的絕緣層可進一步佈置在基板10的表面上。

可通過在底座基板11的表面上形成非晶矽膜來獲得矽膜12。可通過在後面的操作中使矽膜12結晶來使其變成多晶矽膜；舉例來說，可採用鐳射結晶製程(如ELA)。然而，本發明並不限於此，且可採用各種類型的結晶製程中的任一者。舉例來說，通過使矽膜12結晶而獲得的多晶矽膜可用作顯示裝置的薄膜電晶體(TFT)的主動層。舉例來說，在圖案化並摻雜後，非晶矽膜也可用作TFT的主動層。

氧化矽膜13形成於矽膜12的表面上。在此項技術中，當氧或氮與矽膜12的表面結合時，氧化矽膜13為自然形成的氧化層，且氧化矽膜13的厚度通常為約5 到約1000 。

基板10並不限於其中矽膜12形成於底座基板11上(如上所述)的基板，且可採用包含矽膜的各種類型的基板(例如，包含矽膜的矽晶片)中的任一者。

葉片模組30為用於選擇性地向基板10的表面提供第一到第三流體的單元，且更具體來說，為用於選擇性地向形成於矽膜12的表面上的氧化矽膜13的表面提供第一到第三流體的單元。

第一流體儲存在第一儲存庫35中，且含有用於蝕刻形成於矽膜12的表面上的氧化矽膜13的溶液。根據本發明的一實施例，第一流體可含有臭氧溶液。第一流體相對於氧化矽膜13的蝕刻率低於下文所述第二流體的蝕刻率。這裏，第一流體可充當用於清洗基板10的表面上的有機材料的清洗流體。因此，第一流體可用中性清洗劑或鹼性清洗劑代替。

儲存在第二儲存庫45中的第二流體可蝕刻形成於矽膜12的表面上的氧化矽膜13，所述第二流體的成分與第一流體的成分不同，且所述第二流體相對於氧化矽膜13的蝕刻率高於第一流體的蝕刻率。根據本發明的實施例，第二流體可含有氟溶液或氟化銨溶液。

第三流體儲存在第三儲存庫55中，且至少可稀釋基板10的表面上的第一流體和第二流體。根據本發明的一實施例，第三流體可能含有水，其中所述水可能為去離子純水(DI水)。第三流體可充當用於使基板10的表面上的第一流體和第二流體(其為蝕刻劑)的反應停止的緩衝流體。

葉片模組30以能夠使第一到第三流體中的每一者均勻散佈在基板10的整個表面上的方式向基板10的表面提供第一到第三流體。這裏，葉片模組30佈置為與基板10的表面相距預定距離，以在基板10的沿單面方向上移動，或在基板10沿表面方向上作往復運動，並向基板10的表面提供第一到第三流體。

葉片模組30可經設計以能夠選擇性地向葉片模組30供應第一到第三流體。因此，用於向葉片模組30噴射第一到第三流體的單獨的抽吸單元(未圖示)可包括在葉片模組30中。

第一儲存庫35和第三儲存庫55連接到第一流體提供模組311，而第二儲存庫45連接到第二流體提供模組312。第一開口側36可互連在第一儲存庫35與第一流體提供模組311之間。第二開口側46可互連在第二儲存庫45與第二流體提供模組312之間。第三開口側56可互連在第三儲存庫55與第一流體提供模組311之間。第一到第三開口側36到56可為連接到控制單元70且可在控制單元70的控制下打開或閉合的電子開口側。

第三儲存庫55僅連接到第一流體提供模組311。然而，本發明並不限於此，且第三儲存庫55還可連接到第二流體提供模組312，使得可經由第二流體提供模組312向基板10選擇性地提供第二流體和第三流體。

雖然圖2所示的實施例中僅展示第一流體提供模組311與第二流體提供模組312的組合，但本發明並不限於此。舉例來說，可採用單獨的第三流體提供模組，以經由單獨的流體提供模組向基板10分別提供第一到第三流體。或者，可僅採用一個流體提供模組，以經由單個流體提供模組向基板10提供第一到第三流體。即使僅採用一個流體提供模組，也可以選擇性地噴射第一到第三流體的方式來佈置第一到第三開口側36到56中的所有開口側。

以第一流體、第三流體且隨後第二流體的順序，相對於基板10提供第一到第三流體。如果葉片模組30作往復運動，那麼將以第一流體、第三流體、第二流體、第三流體且隨後第一流體的順序提供第一到第三流體。

可根據製程條件改變提供第一到第三流體的順序。舉例來說，可以第二流體、第三流體且隨後第一流體的順序、第一流體且隨後第三流體的順序或第二流體且隨後第三流體的順序提供第一到第三流體。然而，如果葉片模組30作往復運動，那麼另外可以如上所述相反的順序提供這些順序。

此外，可不提供第三流體，且可以第一流體且隨後第二流體的順序提供第一和第二流體。然而，如果葉片模組30作往復運動，那麼另外可以如上所述相反的順序提供第一和第二流體。

根據本發明的實施例，通過提供第一流體和第二流體(其為在不同時點處相對於基板10具有不同蝕刻率的蝕刻劑)，可清洗基板10的表面，且同時可有效控制氧化矽膜13的蝕刻程度。此外，可提高矽膜12表面的平面度(氧化矽膜13從所述矽膜12中移除)。

此外，通過向基板10提供第三流體，可利用第三流體清洗剩餘在基板10的表面上的第一流體和/或第二流體，且因此可防止產生由於剩餘在基板10的表面上的第一流體與第二流體的混合物而導致無法獲得所要蝕刻率的問題。因此，可精確管理蝕刻率，且因此可在大規模生產工藝中提高品質的均勻度。

第一到第三流體的提供並不限於單次往復式掃描，且可通過在至少兩次掃描內一次提供第一到第三流體中的至少兩者來提供第一到第三流體。

同時，第一噴氣模組321佈置在第一流體提供模組311的前端處，而第二噴氣模組322佈置在第二流體提供模組312的後端處。第一噴氣模組321和第二噴氣模組322兩者均連接到空氣箱65，且由控制單元70控制的第四開口側66a和66b分別插入在第一噴氣模組321與空氣箱65之間以及第二噴氣模組322與空氣箱65之間。第四開口側66a和66b可為連接到控制單元70且在控制單元70的控制下打開或閉合的電子開口側。

在提供第一到第三流體中的任一者的操作已執行後，向基板10提供流體切割空氣，且所述流體切割空氣通過利用氣壓推出第一到第三流體中的任一者來移除剩餘在基板10的表面上的第一到第三流體中的任一者。因此，第一到第三流體在基板10的表面上不混合，且因此可防止蝕刻劑(例如第一流體和第二流體)的濃度發生不想要的變化。因此，通過使用流體切割空氣，可精確控制第一流體和第二流體的蝕刻速度，且可很容易地控制第三流體的緩衝效應。在提供第一到第三流體中的任一者後或在提供第一到第三流體中的任一者時，可將所述流體切割空氣噴射到基板10上。

圖3是葉片模組30更詳細的局部透視圖。

圖3中所示的根據本發明的實施例的葉片模組30包含：流體提供模組310，所述流體提供模組310具有佈置在長度方向上的流體提供噴嘴，並向基板10提供至少一個蝕刻流體或水或蝕刻流體和水兩者；噴氣模組320，其具有佈置在長度方向上並朝基板10噴射流體切割空氣的噴氣噴嘴；以及框架31，其通過固定流體提供模組310的兩個相對端和噴氣模組320的兩個相對端來將流體提供模組310與噴氣模組320裝配在一起。

根據圖3中所示的實施例，流體提供模組310包含第一流體提供模組311和第二流體提供模組312，其中第一流體提供模組311的側表面和第二流體提供模組312的側表面彼此附接，且第一流體提供模組311的兩個相對端與第二流體提供模組312的兩個相對端是通過第三框架350固定。

如上所述，第一流體提供模組311可向基板10提供臭氧溶液和/或純水，而第二流體提供模組312可向基板提供蝕刻流體。或者，第一流體提供模組311可僅提供臭氧溶液，且第二流體提供模組312可提供蝕刻流體。或者，第一流體提供模組311可提供臭氧溶液，且第二流體提供模組312可僅提供水。第二流體提供模組312還可選擇性地提供蝕刻流體和水。第一流體提供模組311和第二流體提供模組312可連接到單獨的控制單元，以個別地操作第一流體提供模組311和第二流體提供模組312。

同時，根據圖3中所示的實施例，將流體提供模組310佈置為第一流體提供模組311和第二流體提供模組312的組合而設置。然而，本發明並不限於此。舉例來說，可進一步以可經由個別流體提供模組向基板分別提供第一到第三流體的方式佈置單獨的第三流體提供模組(未圖示)。

噴氣模組320還可包含第一噴氣模組321和第二噴氣模組322。可利用插入在第一噴氣模組321與第二噴氣模組322之間的流體提供模組310將第一噴氣模組321和第二噴氣模組322彼此分開佈置。

噴氣模組320安裝在處於傾斜位置的框架31上，並在傾斜方向上朝基板10噴射流體切割空氣。

框架31包含：若干對第一框架330，所述第一框架330分別附接到噴氣模組320的兩個相對端；一對第二框架340，所述第一框架330分別附接到所述第二框架340；以及一對第三框架350，其使第一流體提供模組311與第二流體提供模組312結合在一起，且所述第三框架350分別附接到第二框架340。

如圖4中所示，角度調節縫333形成於第一框架330中的每一者上。

一對第一框架330佈置在第一噴氣模組321和第二噴氣模組322中的每一者中。第一框架330經由上緊螺栓331和332分別附接到第一噴氣模組321的兩個相對端以及第二噴氣模組322兩個相對端，其中將上緊螺栓332上緊到第一框架330的角度調節縫333。角度調節縫333形成為具有弧形形狀，將上緊螺栓331固定地上緊到第一框架330的上部，且將其他上緊螺栓332沿角度調節縫333上緊到適當的位置。因此，第一噴氣模組321和第二噴氣模組322可以傾斜位置安裝在第一框架330上。在第一框架330中沿角度調節縫333形成柵格，以便設定第一噴氣模組321和第二噴氣模組322的傾斜角度。

第一框架330附接到第二框架340。垂直延伸的上緊縫343形成於第二框架340的附接部分341中，且若干對上緊螺栓344和345附接到上緊縫343，以便固定第一框架330的第一端。

第二框架340包含：附接部分341，第一框架330和第三框架350附接到所述附接接部分341；以及支撐部分342，其與附接部分341分離。支撐部分342附接到使所述對第二框架340互連的支撐框架360。在圖3中，支撐框架360可形成為在長度方向上的中空矩形板狀結構，其中第二框架340的支撐部分342佈置在支撐框架360上方，且第二框架340的附接部分341佈置在支撐框架360下方。支撐部分342可沿支撐框架360固定地附接到適當位置。

同時，多個第一供給管313在長度方向上佈置在流體提供模組310處，並供應蝕刻流體和/或水。此外，第二供給管314安裝在第一供給管313之間，並使第一供給管313互連。

因此，經由第二供給管314和第一供給管313向流體提供模組310供應從外部儲存庫(未圖示)供應的蝕刻流體和/或流體。

多個第三供給管323在長度方向上佈置在噴氣模組320處，並供應流體切割空氣。此外，第四供給管324安裝在第三供給管323之間，並使第三供給管323互連。

因此，經由第四供給管324和第三供給管323向噴氣模組320供應從外部空氣箱(未圖示)供應的流體切割空氣。

在以上實施例中，將流體提供模組310佈置為第一流體提供模組311與第二流體提供模組312的組合。然而，本發明並不限於此，且可僅佈置第一流體提供模組311，或僅佈置第二流體提供模組312。此外，雖然第一噴氣模組321和第二噴氣模組322分別佈置在噴氣模組320中的流體提供模組310的前端和後端，但本發明並不限於此，且可僅佈置第一噴氣模組321，或僅佈置第二噴氣模組322。

圖5展示第一噴氣模組321的橫截面。雖然圖5中僅展示第一噴氣模組321，但第二噴氣模組322也具有相同的結構。

如圖5中所示，可通過將第一板狀部件322a與第二板狀部件322b結合而形成第一噴氣模組321。

在第一噴氣模組321的側面形成多個供氣孔325。在第一噴氣模組321的側面沿長度方向以相等間隔形成多個供氣孔325。如圖3中所示，將上文所述的第三供給管323分別附接到供氣孔325。

將噴氣噴嘴328佈置在第一噴氣模組321的底部。

在第一噴氣模組321內部，將多級通道從連接到供氣孔325的第一到第三氣道空間326a到326c連接到噴氣噴嘴328。如圖5中所示，供氣孔325和形成多級通道的第一到第三氣道空間326a到326c可在第二板狀部件322b內部形成，而第一板狀部件322a可形成為具有平坦表面。

圖6展示第一流體提供模組311的橫截面。雖然圖5中僅展示第一流體提供模組311，但第二流體提供模組312也具有相同的結構。

如圖6中所示，通過使兩個板狀部件(即，第三板狀部件311a和第四板狀部件311b)結合而形成第一流體提供模組311。雖然未圖示，但可在第三板狀部件311a與第四板狀部件311b之間佈置O形環，以防止流體漏出。

在第一流體提供模組311的側面形成多個流體供給孔315。在第一流體提供模組311的側面沿長度方向以相等間隔形成所述多個流體供給孔315。將上文所述的第一供給管313分別附接到流體供給孔315。

在第一流體提供模組311內部，界定多個通道空間(即第一到第七流體通道空間316a到316g)。由於佈置在第一到第三流體通道空間316a到316c之間的空間中的第一流體阻障317a、佈置在第三到第五流體通道空間316c到316e之間的空間中的第二流體阻障317b以及佈置在第五到第七流體通道空間316e到316g之間的空間中的第三流體阻障317c，第一流體提供模組311內部的流體通道形成Z字形多級通道。當所述多級通道形成時，即使注入到第一流體提供模組311中的流體含有雜質，所述雜質也可被過濾掉。此外，可精密地控制所提供流體的通量，且因此可向基板10提供精確量的流體。

這裏，第二流體通道空間316b、第四流體通道空間316d和第六流體通道空間316f(其中流體垂直滴落)形成為比第一流體通道空間316a、第三流體通道空間316c和第七流體通道空間316g(其中流體水平流動)窄。因此，滴落到第一流體提供模組311內的流體的速度可得到控制，且可防止所述流體中可能含有的雜質被釋放。此外，由於第一流體通道空間316a、第三流體通道空間316c和第七流體通道空間316g(其中流體水平流動)形成為足夠寬，因此可在其中儲存足量的流體。因此，可提供使流體在垂直通道中流動的足夠的流動壓力，且可儲存所述流體中可能含有的顆粒或雜質。

此外，第五流體通道空間316e(其為水平流體通道)形成為比其他水平流體通道(即第一流體通道空間316a、第三流體通道空間316c和第七流體通道空間316g)窄，使得可精確控制流速。

第七流體通道空間316g(其為最後一個水平流體通道)連接到沿垂直方向形成的流體提供噴嘴318。流體提供噴嘴318可形成為沿第一流體提供模組311的長度方向直線延伸。此外，第一到第七流體通道空間316a到316g還可形成為沿第一流體提供模組311的長度方向直線延伸。這裏，可根據流體供給孔315來界定第一流體通道空間316a連接到流體供給孔315的部分。

如上所述，考慮到所提供流體的速度，可以各種方式設計從流體供給孔315到流體提供噴嘴318的多級通道。

圖7是根據本發明另一實施例的葉片模組30的局部透視圖。

除第一流體提供模組311和第二流體提供模組312之外，圖7中所示的葉片模組30與根據圖3中所示實施例的葉片模組30類似。

流體供給管P在長度方向上佈置在流體提供模組310的兩個相對端處，並供應蝕刻流體和/或水。一個流體供給管P僅可佈置在流體提供模組310的一端處，或多個流體供給管P可在流體提供模組310的長度方向上以相等間隔佈置。從一個外部儲存庫或若干外部儲存庫(未圖示)經由流體供給管P向流體提供模組310供應蝕刻流體和/或水。

圖8是葉片模組30的第一流體提供模組311的截面圖，且圖9是葉片模組30的第一流體提供模組311的平面圖。雖然圖8中僅展示第一流體提供模組311，但第二流體提供模組312也可具有相同的配置，這將適用於下文所述的第一流體提供模組311的所有實施例。

如圖8中所示，第一流體提供模組311包含：儲存單元3111，其連接到流體供給管P並儲存蝕刻流體或水；以及引導單元3112，其引導儲存在儲存單元3111中的蝕刻流體或水流出儲存單元3111並流向基板10的表面。

引導單元3112以能夠使所儲存的蝕刻流體或水沿儲存單元3111的外圓周表面移動並自然地流向基板10的表面的方式連接到儲存單元3111(且更具體來說儲存單元3111的下部)，且從引導單元3112與儲存單元3111之間的連接向基板10延伸的部分可逐漸變細，如圖8中所示。

雖然圖8顯示引導單元3112和儲存單元3111形成單體，但本發明並不限於此，且引導單元3112可僅僅粘附到儲存單元3111。此外，可通過使板彎曲來形成引導單元3112。

通過打開儲存單元3111的頂部表面的預定部分來形成傳輸縫3113，使得滿而溢出儲存單元3111的所儲存蝕刻流體或水可流出儲存單元3111。

如圖9中所示，可在儲存單元3111的長度方向上形成傳輸縫3113。

可沿傳輸縫3113形成多個引導槽3114，以均勻地引導所儲存的蝕刻流體或水至引導單元3112。引導槽3114形成於儲存單元3111的頂部表面上，連接到傳輸縫3113並在儲存單元3111的橫向方向向外延伸。可以使所存儲的蝕刻流體或水可在垂直橫跨傳輸縫3113的方向上流動的方式來雕刻引導槽3114。因此，可沿儲存單元3111的主體部分的曲線自然地引導所儲存的蝕刻流體或水至引導單元3112。

根據本發明的另一實施例(如圖10中所示)，傳輸縫3113和引導槽3114可形成為單體，可在垂直於儲存單元3111的長度方向的方向上形成傳輸縫3113，且可在傳輸縫3113的兩個相對端處形成引導槽3114。

在儲存單元3111內部佈置形成為薄板的緩衝分區3115，且在緩衝分區3115中形成多個緩衝傳輸孔3116。通過使用緩衝分區3115可防止向儲存單元3111供應的蝕刻流體或水迅速增加，使得蝕刻流體或水的供應速度和通量可得到控制，並可獲得均勻流動的蝕刻流體或水。

緩衝傳輸孔3116可能僅為在厚度方向上穿透緩衝分區3115的孔，其中通過將緩衝傳輸孔3116形成為具有圓柱形橫截面形狀或楔形橫截面形狀，來更有效地控制蝕刻流體或水的流速。必要時，緩衝傳輸孔3116的橫截面形狀可為矩形、菱形、橢圓形等等中的任一者。

儲存單元3111可具有各種形狀中的任一者，只要蝕刻流體或水可均勻供應即可。舉例來說，為使蝕刻流體或水順暢流動，儲存單元3111的橫截面形狀可為橢圓形或圓形，儲存單元3111的上部可傾斜，或儲存單元3111的外圓周表面可具有曲率。

圖11是根據本發明另一實施例的第一流體提供模組311的截面圖。根據圖11中所示實施例的第一流體提供模組311可具有圖9或圖10中所示的水平形狀。

根據圖11中所示的實施例，儲存單元分成兩個儲存單元，且狹窄通道3117使兩個儲存單元互連。詳細地說，儲存單元包含上部儲存單元3111a和下部儲存單元3111b。下部儲存單元3111b和上部儲存單元3111a經連接以相互連通，其中上部儲存單元3111a和下部儲存單元3111b經由狹窄通道3117相互連接並相互連通，所述狹窄通道3117比上部儲存單元3111a和下部儲存單元3111b窄。

下部儲存單元3111b連接到流體供給管P，並儲存來自外部的蝕刻流體或水。在製程期間，蝕刻流體或水從下部儲存單元3111b的底部向上裝滿下部儲存單元3111b。

上部儲存單元3111a連接到下部儲存單元3111b的上部。上部儲存單元3111a經由狹窄通道3117與下部儲存單元3111b的上部連通，且當蝕刻流體或水從下部儲存單元3111b的底部向上裝滿下部儲存單元3111b並向上溢流時，儲存蝕刻流體或水。換句話說，當持續流入下部儲存單元3111b中的蝕刻流體或水的量增加時，蝕刻流體或水經由狹窄通道3117到達上部儲存單元3111a。到達上部儲存單元3111a的蝕刻流體或水滿而溢出上部儲存單元3111a的上部，且滿而溢出的蝕刻流體或水沿上部儲存單元3111a的表面和下部儲存單元3111b的表面向下流動。蝕刻流體或水沿引導單元3112向下流動並到達基板10的表面。

使下部儲存單元3111b與上部儲存單元3111a互連以允許下部儲存單元3111b和上部儲存單元3111a相互連通的狹窄通道3117形成圖11中所示的狹窄通道。狹窄通道3117防止滿而溢出下部儲存單元3111b的蝕刻流體迅速裝滿上部儲存單元3111a。換句話說，流入上部儲存單元3111a中的蝕刻流體或水慢慢裝滿上部儲存單元3111a的內部，且不斷地滿而溢出上部儲存單元3111a。

圖11中所示的狹窄通道3117為完全打開的狹窄通道。然而，必要時，可佈置形成有多個穿透孔的板(未圖示)以部分阻塞狹窄通道3117。在這種情況下，從下部儲存單元3111b流向上部儲存單元3111a的蝕刻流體或水可相對緩慢地流入，且因此蝕刻流體或水可均勻地流出上部儲存單元3111a。

在上部儲存單元3111a的表面上可形成傳輸縫3113和/或引導槽3114，使得蝕刻流體或水可滿而溢出。

根據圖11中所示的實施例，形成下部儲存單元3111b和上部儲存單元3111a，且狹窄通道3117使下部儲存單元3111b與上部儲存單元3111a互連。因此，可使從上部儲存單元3111a的頂部表面漏出的蝕刻流體或水的量保持恒定，且可防止蝕刻流體或水迅速洩漏。

因此，包含下部儲存單元3111b和上部儲存單元3111a的儲存單元可形成為具有較小的尺寸和較小的寬度，且因此可增加流體提供模組的數量。

同時，將緩衝分區3115安裝在下部儲存單元3111b處。然而，本發明並不限於此。緩衝分區3115可安裝在上部儲存單元3111a處，或安裝在下部儲存單元3111b和上部儲存單元3111a兩者處。

根據圖11所示的實施例，滿而溢出上部儲存單元3111a的蝕刻流體或水沿上部儲存單元3111a和下部儲存單元3111b流動，且經由引導單元3112提供給基板10。這裏，蝕刻流體或水必須沿包含上部儲存單元3111a和下部儲存單元3111b的彎曲結構流動。在製程期間，蝕刻流體或水可直接從上部儲存單元3111a的側面滴落到下部儲存單元3111b的側面，且因此引導單元3112處的通量可能不會得到均勻控制。因此，上部儲存單元3111a形成為與下部儲存單元3111b相比寬度較小，使得蝕刻流體或水可按規定順序沿上部儲存單元3111a和下部儲存單元3111b流動。

此外，如圖12中所示，可進一步在上部儲存單元3111a與下部儲存單元3111b之間佈置側向部件3118，使得蝕刻流體或水可經由側向部件3118自然地流向引導單元3112。

圖13是根據本發明另一實施例的第一流體提供模組311的截面圖。

根據圖13中所示的實施例，儲存單元3111形成為具有矩形橫截面，且進一步包括形成為完全打開儲存單元3111的頂部表面的開口3119。

在這種情況下，由於儲存單元3111的內部寬度恒定，因此裝滿儲存單元3111內部的蝕刻流體或水的通量和流速可保持恒定，且因此可使經由開口3119而滿而溢出儲存單元3111的蝕刻流體或水的通量和流速保持恒定。

因此，在根據本實施例的儲存單元3111中，裝滿蝕刻流體或水的儲存單元的寬度在整個儲存單元上恒定。換句話說，儲存單元3111的面對面的側面是形成為相互平行且是垂直的。因此，根據本實施例的儲存單元3111形成為具有矩形橫截面且頂部完全打開的立方形形狀。以使得蝕刻流體或水能夠均勻滿而溢出的方式完全打開儲存單元3111的頂部表面。

緩衝分區3115也安裝在儲存單元3111的內部，在所述儲存單元3111的上方連接有流體供給管P。不一定僅安裝一個緩衝分區3115(如圖13中所示)，且可從儲存單元3111的上部向儲存單元3111的下部安裝多個緩衝分區3115。

根據如上所述的本發明的實施例，基板表面處理設備可體現具有簡潔緊湊的結構。

由於很容易控制蝕刻率，因此可對基板表面進行更精確的處理。

可通過使用蝕刻劑同時清洗矽膜的表面且可蝕刻氧化矽膜，且可在氧化矽膜移除後進一步提高矽膜表面的平面度。

此外，可通過提供蝕刻劑、水或在不同的時點提供不同的蝕刻劑來控制蝕刻劑的蝕刻程度。

此外，可通過在提供每一蝕刻劑後提供水進行緩衝來精確控制蝕刻程度，且因此可防止產生由於第一流體和第二流體的混合物而導致無法獲得所要蝕刻率的問題，以及由於所述問題而導致大規模生產力的退化。

此外，根據本發明，通過提供流體切割空氣以防止蝕刻劑和水在基板的表面上混合而從基板表面移除蝕刻劑和水，且因此可獲得開始所要的蝕刻精密度。

可在同一室內提供蝕刻劑和水，且因此基板表面處理設備可具有更加緊湊的結構。

根據本發明，可經由單個噴嘴提供蝕刻劑和水。因此，基板表面處理設備可具有緊湊的結構，且基板表面處理設備的零件數量可減少。

此外，用於提供流體切割空氣的裝置以及用於提供流體的裝置可集成為單體，且因此基板表面處理設備可具有更加緊湊的結構。

雖然已參考本發明的示範性實施例特定展示和描述了本發明，但所屬領域的技術人員將理解，可在不脫離所附申請權利範圍界定的本發明的精神和範圍的情況下，對本發明的形式和細節作各種改變。

10．．．基板

11．．．底座基板

12．．．矽膜

13．．．氧化矽膜

20．．．室

21．．．滾筒

22．．．支撐底座

30．．．葉片模組

31．．．框架

35．．．第一儲存庫

36．．．第一開口側

41．．．驅動塊

42．．．引導器

45．．．第二儲存庫

46．．．第二開口側

55．．．第三儲存庫

56．．．第三開口側

65．．．空氣箱

66a、66b．．．第四開口側

70．．．控制單元

221．．．驅動杆

222．．．支撐銷

223．．．彈性部件

310．．．流體提供模組

311．．．第一流體提供模組

311a．．．第三板狀部件

311b．．．第四板狀部件

312．．．第二流體提供模組

313．．．第一供給管

314．．．第二供給管

315．．．流體供給孔

316a．．．第一流體通道空間

316b．．．第二流體通道空間

316c．．．第三流體通道空間

316d．．．第四流體通道空間

316e．．．第五流體通道空間

316f．．．第六流體通道空間

316g．．．第七流體通道空間

317a．．．第一流體阻障

317b．．．第二流體阻障

317c．．．第三流體阻障

318．．．流體提供噴嘴

320．．．噴氣模組

321．．．第一噴氣模組

322．．．第二噴氣模組

322a．．．第一板狀部件

322b．．．第二板狀部件

323．．．第三供給管

324．．．第四供給管

325．．．供氣孔

326a．．．第一氣道空間

326b．．．第二氣道空間

326c．．．第三氣道空間

328．．．噴氣噴嘴

330．．．第一框架

333．．．角度調節縫

331、332、344、345．．．上緊螺栓

340．．．第二框架

341．．．附接部分

342．．．支撐部分

343．．．上緊縫

350．．．第三框架

360．．．支撐框架

3111．．．儲存單元

3111a．．．上部儲存單元

3111b．．．下部儲存單元

3112．．．引導單元

3113．．．傳輸縫

3114．．．引導槽

3115．．．緩衝分區

3116．．．緩衝傳輸孔

3117．．．狹窄通道

3118．．．側向部件

3119．．．開口

P．．．流體供給管

圖1是根據本發明一實施例的基板表面處理設備的示意圖。

圖2是根據本發明一實施例的包含葉片模組的基板表面處理設備的示意圖。

圖3是葉片模組的更詳細的局部透視圖。

圖4是展示圖1的第一框架與第二框架的組合的正視圖。

圖5展示圖1的第一噴氣模組的橫截面。

圖6展示圖1的第一流體提供模組的橫截面。

圖7是根據本發明另一實施例的葉片模組的局部透視圖。

圖8是圖7的第一流體提供模組的截面圖。

圖9是根據本發明一實施例的圖8的第一流體提供模組的傳輸縫和引導槽的平面圖。

圖10是根據本發明另一實施例的圖8的第一流體提供模組的傳輸縫和引導槽的平面圖。

圖11是根據本發明另一實施例的第一流體提供模組的截面圖。

圖12是根據本發明另一實施例的第一流體提供模組的截面圖。

圖13是根據本發明另一實施例的第一流體提供模組的截面圖。

10．．．基板

20．．．室

21．．．滾筒

22．．．支撐底座

30．．．葉片模組

41．．．驅動塊

42．．．引導器

221．．．驅動杆

222．．．支撐銷

223．．．彈性部件

Claims (18)

1. 一種葉片模組，用於處理基板的表面，所述葉片模組包括：流體提供模組，其在長度方向上朝所述基板提供選自由蝕刻流體和水組成的群中的至少一者；噴氣模組，其中噴氣噴嘴佈置在所述長度方向上，並朝所述基板噴射流體切割空氣；以及框架，其固定所述流體提供模組的兩個相對端以及所述噴氣模組的兩個相對端，以將所述流體提供模組與所述噴氣模組裝配在一起。
2. 如申請專利範圍第1項所述的葉片模組，其中所述流體提供模組包括：多個流體供給孔，其形成於所述長度方向上；以及流體提供噴嘴，其朝所述基板形成，其中在所述流體供給孔與所述流體提供噴嘴之間形成多級通道。
3. 如申請專利範圍第2項所述的葉片模組，其進一步包括：多個第一供給管，其分別附接到所述流體供給孔；以及第二供給管，其使所述第一供給管互連。
4. 如申請專利範圍第1項所述的葉片模組，其中所述流體提供模組包括：儲存單元，其中儲存有所述蝕刻流體或所述水，且所述蝕刻流體或所述水在所述儲存單元上流動；以及引導單元，其連接到所述儲存單元，以在朝所述基板的方向上引導所述儲存單元上滿而溢出的所述蝕刻流體或所述水。
5. 如申請專利範圍第4項所述的葉片模組，其中所述流體提供模組進一步包括通過部分打開所述儲存單元的頂部表面以傳輸所述蝕刻流體或所述水而形成的傳輸縫。
6. 如申請專利範圍第5項所述的葉片模組，其中所述流體提供模組進一步包括多個引導槽，其形成於所述儲存單元的所述頂部表面上，連接到所述傳輸縫，且在所述儲存單元的寬度方向上向外延伸。
7. 如申請專利範圍第5項所述的葉片模組，其中所述儲存單元包括：下部儲存單元，其包含供所述蝕刻流體或所述水的入口，並連接到所述引導單元；上部儲存單元，其與所述下部儲存單元連通，並包含形成於所述上部儲存單元的所述頂部表面上的所述傳輸縫；以及狹窄通道，其插入所述下部儲存單元與所述上部儲存單元之間，使所述下部儲存單元與所述上部儲存單元互連，以允許所述下部儲存單元與所述上部儲存單元相互連通，且形成為比所述下部儲存單元和所述上部儲存單元窄。
8. 如申請專利範圍第4項所述的葉片模組，其中所述儲存單元形成為具有矩形橫截面，且所述儲存單元進一步包括形成為完全打開所述儲存單元之所述頂部表面的開口。
9. 如申請專利範圍第4項所述的葉片模組，其中所述流體提供單元進一步包括緩衝分區，其在所述儲存單元內部佈置在水平方向上。
10. 如申請專利範圍第9項所述的葉片模組，其中所述緩衝分區進一步包括多個緩衝傳輸孔。
11. 如申請專利範圍第9項所述的葉片模組，其中所述儲存單元連接到流體供給管，且所述緩衝分區佈置在連接所述流體供給管處的上方。
12. 如申請專利範圍第4項所述的葉片模組，其中所述引導單元形成為錐形。
13. 如申請專利範圍第1到12項中任一項所述的葉片模組，其中所述噴氣模組以傾斜位置安裝到所述框架，並沿傾斜方向朝所述基板噴射流體切割空氣。
14. 如申請專利範圍第1到12項中任一項所述的葉片模組，其中所述框架包括：一對第一框架，其分別附接到所述噴氣模組的兩個相對端並包含角度調節縫；以及一對第二框架，所述一對第一框架分別附接到所述一對第二框架。
15. 如申請專利範圍第14項所述的葉片模組，其中所述第二框架包括：附接部分，所述第一框架附接到所述附接部分；以及支撐部分，其與所述附接部分分離，其中所述支撐部分附接到使所述一對第二框架互連的支撐框架。
16. 如申請專利範圍第1到12項中任一項所述的葉片模組，其中所述流體提供模組包括：第一流體提供模組，其朝所述基板提供所述蝕刻流體；以及第二流體提供模組，其朝所述基板提供所述水。
17. 如申請專利範圍第16項所述的葉片模組，其中所述框架包括使所述第一流體提供模組與所述第二流體提供模組互連的第三框架。
18. 如申請專利範圍第1到12項中任一項所述的葉片模組，其進一步包括：多個第三供給管，其在所述噴氣模組的所述長度方向上附接到所述噴氣模組；以及第四供給管，其使所述多個第三供給管互連。