KR20130078968A - 균일한 처리액 분사 구조를 갖는 기판 처리 장치 - Google Patents

Abstract

본 발명은, 균일한 처리액의 분사 구조를 갖는 것으로, 피처리 기판이 유입되어 처리되는 공정실과, 상기 기판의 하면을 지지하고 상기 기판에 요동을 가하도록 구비된 지지대와, 상기 지지대의 상부에 위치하고 상기 기판의 상면을 향하여 처리액을 분사하는 기판 처리 유닛과, 상기 지지대의 하부에 위치하고 상기 처리액을 수용하도록 구비된 쉴드를 포함하는 기판 처리 장치에 관한 것이다.

Description

균일한 처리액 분사 구조를 갖는 기판 처리 장치{Treating apparatus for a substrate having a structure being possible to spray liquid uniformly}

본 발명은 기판 처리 장치에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 균일한 처리액 분사 구조를 갖는 기판 처리 장치에 관한 것이다.

유기 발광 표시 장치 또는 액정 표시 장치를 형성하기 위한 기판에는 복수의 박막 트랜지스터를 포함한 구동 소자들이 형성된다.

이를 위해 상기 기판에는 폴리 실리콘막과 같은 실리콘막이 형성된다. 상기 폴리 실리콘막은 비정질 실리콘막을 ELA 등의 결정화 공정을 거쳐 형성한다. 이 폴리 실리콘막을 패터닝해 상기 박막 트랜지스터의 액티브층으로 사용한다.

그런데 상기 비정질 실리콘막 및/또는 폴리 실리콘막은 자연 상태에서 표면에 실리콘 산화막을 갖는다.

상기 실리콘 산화막은 결정화 공정에 악영향을 미칠 수 있다. 또, 박막 트랜지스터의 특성에 영향을 미치고, 공정 중 파티클 등의 오염원으로 작용할 수 있다. 따라서, 상기 결정화 공정 전후 및/또는 후에 상기 실리콘 산화막을 제거하지 않으면 안 된다.

또한 결정화 공정을 거쳐 형성된 폴리 실리콘막은 표면 러프니스가 거칠기 때문에 그 표면을 에칭해 표면 균일도를 높일 필요도 있다.

이러한 이유로 인해 상기 실리콘막이 형성되어 있는 기판의 표면에 대하여 상기 실리콘막을 에칭하기 위한 표면처리를 해야 하며, 이 표면처리를 위한 처리액의 분사는 기판 전체 면적에 걸쳐 균일하게 분산되도록 할 필요가 있다. 그렇지 않을 경우, 처리액으로 인한 식각율 차이가 발생하고, 이로 인해 얼룩이 나타날 수 있기 때문이다.

한편, 유기 발광 표시 장치 또는 액정 표시 장치와 같은 평판 표시 장치는 공정 효율 및 고객 수요에 맞춰 점차 대면적 기판을 공정에 사용하고 있다. 이러한 대면적 기판을 공정에 투입할 경우 전술한 처리액의 균일한 분포는 더욱 중요한 요인이 된다. 뿐만 아니라, 기판의 표면을 처리함에 있어서 기판의 핸들링성도 대면적의 경우 현저히 떨어지게 된다.

선행기술문헌 1은 종래의 기판 에칭 장비를 개시한 것인 데, 기판을 회전시키면서 에칭액을 기판에 분사하는 방식이다. 그런데 이러한 방식은 예컨대 4세대(730* 460mm)까지의 소형 기판 사이즈에서는 적절했으나, 5.5세대(1,300*1,500mm) 이상 대형 기판에서는 사용이 어렵다. 이는 대형 기판은 회전시키기가 어려우며, 설사 회전을 시킬 수 있다고 하더라도 회전속도가 600RPM이하로 저하하면서 에칭 후 얼룩이 발생된다. 또, 중심부와 모서리간의 에칭 편차가 발생하며, 챔버의 내벽에 액이 부딪혀 기판으로 다시 튀기 때문에 기판에 얼룩이 발생하는 문제가 있다. 또한 이 기술의 경우 대면적 기판에 대한 핸들링성의 문제 및 에칭액의 균일 분포 문제에 대해서는 전혀 고려하고 있지 않다.

1: 일본공개특허공보 특개2004-006618호

상기와 같은 종래기술의 문제 및/또는 한계를 극복하기 위한 것으로, 본 발명은, 균일한 처리액의 분사 구조를 갖는 기판 처리 장치를 제공하는 데에 목적이 있다.

상기와 같은 목적을 달성하기 위하여, 본 발명은, 피처리 기판이 유입되어 처리되는 공정실과, 상기 기판의 하면을 지지하고 상기 기판에 요동을 가하도록 구비된 지지대와, 상기 지지대의 상부에 위치하고 상기 기판의 상면을 향하여 처리액을 분사하는 기판 처리 유닛과, 상기 지지대의 하부에 위치하고 상기 처리액을 수용하도록 구비된 쉴드를 포함하는 기판 처리 장치를 제공한다.

본 발명의 다른 특징에 의하면, 상기 지지대는 복수의 구동 롤을 포함할 수 있다.

본 발명의 또 다른 특징에 의하면, 상기 기판 처리 유닛은 복수의 분무 노즐을 포함하고, 상기 지지대에 의한 상기 기판의 요동 거리는 상기 분무 노즐들의 피치 이상일 수 있다.

본 발명의 또 다른 특징에 의하면, 상기 기판 처리 유닛은, 상기 지지대의 상부에 위치하고 상기 기판의 상면을 향하여 액절 공기를 분사하는 공기 분사 모듈을 더 포함할 수 있다.

본 발명의 또 다른 특징에 의하면, 상기 공기 분사 모듈은 상기 기판의 길이방향을 따라 왕복운동하도록 구비될 수 있다.

본 발명의 또 다른 특징에 의하면, 상기 지지대는 상기 기판을 지면에 대하여 경사지도록 틸팅시키도록 구비될 수 있다.

본 발명의 또 다른 특징에 의하면, 상기 쉴드는 적어도 하나의 토출구를 가질 수 있다.

상기한 바와 같은 본 발명에 따르면, 핸들링성이 떨어지는 대면적 기판에의 적용이 더욱 유용해질 수 있다.

또, 기판의 요동만으로 기판 표면에 처리액이 균일하게 분포되도록 함으로써, 설비 전체 구조를 보다 간단하게 구성할 수 있다.

또한, 처리액의 배출 시에도 여러 종류의 처리액이 혼합되어 배출되는 것을 방지할 수 있어, 환경 오염을 줄일 수 있고, 처리액의 재활용율도 높일 수 있다.

그리고 기판 표면에서 서로 다른 종류의 처리액 간 혼합을 방지함으로써 정확한 식각율을 유지할 수 있다.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치의 구성을 개략적으로 도시한 구성도,
도 2는 도 1의 기판 처리 유닛의 일 예를 도시한 구성도,
도 3은 제1분무 노즐의 일 예를 도시한 사시도,
도 4는 처리액의 분무 형태를 도시한 도면,
도 5는 도 1의 기판 처리 유닛의 다른 일 예를 도시한 구성도,
도 6은 도 1의 기판 처리 유닛의 또 다른 일 예를 도시한 구성도,
도 7은 지지대의 일 예를 도시한 사시도,
도 8은 도 7의 지지대의 작동에 의한 기판의 틸팅 상태를 도시한 도면,
도 9는 도 1의 기판 처리 유닛의 또 다른 일 예를 도시한 구성도,
도 10은 도 1의 기판 처리 유닛의 또 다른 일 예를 도시한 구성도.

이하, 첨부된 도면을 참조로 본 발명의 실시예들에 대하여 보다 상세히 설명한다.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치의 구성을 개략적으로 도시한 구성도이다.

도 1에서 볼 수 있듯이, 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치는 공정실(20)과, 상기 공정실(20) 내에 배치되는 지지대(21)와, 상기 지지대(21)의 상부에 위치하는 기판 처리 유닛(30)과, 상기 지지대(21)의 하부에 위치하는 쉴드(22)를 포함한다.

상기 공정실(20)은 피처리 기판(10)이 유입되어 처리되는 공간을 제공하며, 도면에 도시되지는 않았지만 기판(10)이 유입되는 유입구와 토출되는 토출구를 구비한다. 상기 공정실(20)은 진공으로 유지되지 않으며, 상압 처리될 수 있다.

도면에 도시하지는 않았지만, 상기 공정실(20) 상부에는 팬 필터 유닛이 설치되어 상기 공정실(20) 내부의 배기를 진행함으로써 공정실(20) 내부가 청정 상태로 유지되도록 하고 파티클이 기판(10) 표면에 부착되지 않도록 할 수 있다.

상기 공정실(20) 내부에는 기판(10)의 진행방향을 따라 지지대(21)가 배치된다. 상기 지지대(21)는 복수의 구동 롤(21a)들을 포함하며, 이 구동 롤(21a)들의 회전에 따라 기판(10)을 도 1에서 볼 때 좌우방향으로 이동시킨다. 따라서 지지대(21)는 기판(10)의 이송 뿐 아니라, 공정실(20) 내에서 기판(10)에 대한 요동도 수행한다. 도 1에 따른 실시예에서 상기 지지대(21)는 복수의 구동 롤(21a)을 포함하는 것으로 도시되어 있으나, 본 발명은 반드시 이에 한정되는 것은 아니고, 리니어 수단과 같이 기판(10)의 이송 및 요동을 수행할 수 있는 직선 이동 수단이 채택될 수도 있다.

상기 지지대(21)의 하부에는 쉴드(22)가 설치되어 있다. 이 쉴드(22)는 기판 처리 유닛(30)으로부터 낙하하는 처리액이 공정실(20) 바닥으로 낙하해 공정실(20) 바닥을 오염시키는 것을 방지하기 위한 것으로, 처리액이 일정 영역으로 모일 수 있도록 오목하게 형성된다.

상기 쉴드(22)의 바닥에는 적어도 하나의 토출구가 형성될 수 있는 데, 도 1에 도시된 본 발명의 일 실시예에 따르면 세개의 토출구(23a)(23b)(23c)가 형성되어 있다. 제1토출구(23a) 내지 제3토출구(23c)에는 도시하지는 않았지만 개폐 도어 및 밸브가 설치되어 있어 각각 서로 다른 종류의 처리액이 배출되도록 하여 처리액이 혼액되지 않도록 하여 배출된 처리액의 폐기 및 재활용이 용이하도록 한다.

상기 지지대(21)의 상부에는 기판 처리 유닛(30)이 위치한다.

도 2는 상기 기판 처리 유닛(30)의 일 예를 도시한 구성도이다.

상기 기판 처리 유닛(30)은 복수의 분무 노즐들(301)(302)(303)을 포함하며, 이 분무 노즐들(301)(302)(303)에 의해 처리액이 분사되는 액 분사 모듈(180)이 구현된다.

그리고 상기 기판 처리 유닛(30)은 제어부(70)와 제1저장조(35) 내지 제3저장조(55)를 포함한다.

본 발명에 의해 처리되기 전의 상기 기판(10)은 특히 디스플레이용으로 사용되는 다양한 종류의 기판을 포함할 수 있는 데, 베이스 기판(11), 실리콘막(12), 실리콘 산화막(13)을 포함할 수 있다.

상기 베이스 기판(11)은 글라스, 플라스틱 또는 메탈 기판을 포함할 수 있는 데, 비록 도면으로 도시하지는 않았지만 표면에 유기물 및/또는 무기물에 의한 절연막이 더 구비될 수 있다.

상기 실리콘막(12)은 상기 베이스 기판(11)의 표면에 비정질 실리콘막을 성막하여 얻을 수 있다. 이러한 실리콘막(12)은 후속 공정으로 결정화 공정을 통해 폴리 실리콘막으로 될 수 있다. 결정화 공정은 ELA와 같은 레이저 결정화 공정이 사용될 수 있는 데, 반드시 이에 한정되는 것은 아니며, 다양한 결정화 공정이 사용될 수 있다. 상기 실리콘막(12)을 결정화하여 얻어지는 폴리 실리콘막은 디스플레이의 박막 트랜지스터의 활성층 등으로 사용될 수 있다. 물론, 상기 비정질 실리콘막도 패터닝과 도핑 등을 통해 박막 트랜지스터의 활성층으로 사용될 수 있다.

상기 실리콘 산화막(13)은 상기 실리콘막(12)의 표면에 형성된다. 이 실리콘 산화막(13)은 실리콘막(12)의 표면이 공기 중에서 산소 또는 질소와 결합하여 자연적으로 형성된 산화막으로, 일반적으로 5~1,000Å 두께로 형성된다.

상기와 같은 기판(10)은 전술한 바와 같이 베이스 기판(11) 상에 실리콘막(12)이 성막된 기판에 한정되는 것은 아니며, 실리콘막을 포함하는 실리콘 웨이퍼 등 실리콘막을 포함하는 다양한 종류의 기판이 적용될 수 있음은 물론이다.

상기 액 분사 모듈(180)은 상기 기판(10)의 표면에 제1액 내지 제3액을 선택적으로 제공하기 위한 것으로, 엄밀하게는 실리콘막(12)의 표면에 형성된 실리콘 산화막(13)의 표면에 제1액 내지 제3액을 선택적으로 제공하기 위한 것이다.

상기 제1액은 제1저장조(35)에 저장되는 데, 실리콘막(12)의 표면에 형성된 실리콘 산화막(13)을 에칭할 수 있는 성분의 용액을 포함한다. 본 발명의 바람직한 일 실시예에 있어, 상기 제1액은 오존 용액을 포함하는 용액이 될 수 있다. 상기 제1액은 실리콘 산화막(13)에 대한 에칭율은 후술하는 제2액에 비해 떨어지는 것을 사용하는 데, 오히려 기판(10) 표면의 유기물을 세정하는 세정제의 기능을 할 수 있다. 이로 인해, 상기 제1액은 중성 또는 알카리성 세정제로 대체 가능하다.

상기 제2액은 제2저장조(45)에 저장되는 데, 실리콘막(12)의 표면에 형성된 실리콘 산화막(13)을 에칭할 수 있고, 상기 제1액과는 다른 성분을 가지며, 제1액보다 실리콘 산화막에 대한 에칭율이 높은 용액을 사용한다. 본 발명의 바람직한 일 실시예에 있어, 상기 제2액은 불산 또는 불화 암모늄 용액을 포함하는 용액이 될 수 있다.

상기 제3액은 제3저장조(55)에 저장되는 데, 상기 기판(10)의 표면으로부터 상기 제1액 및 제2액 중 적어도 하나를 희석시킬 수 있는 것으로, 본 발명의 바람직한 일 실시예에 따르면 물을 포함할 수 있고, 이 물은 탈이온화된 순수(DI water)를 사용하는 것이 바람직하다. 상기 제3액은 에천트인 제1액 및 제2액의 기판(10) 표면에서의 작용을 멈추게 하는 완충수로서의 기능을 할 수 있다.

상기 액 분사 모듈(180)에는 상기 제1액 내지 제3액을 상기 액 분사 모듈(180)로 선택적으로 공급할 수 있도록 기능을 겸하도록 설계될 수 있다. 이를 위해 상기 액 분사 모듈(180)로 제1액 내지 제3액의 토출을 위한 별도의 펌프 수단(미도시)이 구비될 수 있다.

상기 액 분사 모듈(180)은 도 2에서 볼 수 있듯이, 복수의 제1분무 노즐들(301) 내지 제3분무 노즐들(303)을 포함한다. 그리고 제1저장조(35) 내지 제3저장조(55)가 각각 제1분무 노즐들(301) 내지 제3분무 노즐들(303)에 연결될 수 있다. 이 때, 제1분무 노즐들(301) 내지 제3분무 노즐들(303)은 상호 교대로 배치되는 것이 바람직하다.

제1저장조(35) 내지 제3저장조(55)와 제1분무 노즐들(301) 내지 제3분무 노즐들(303)의 사이에는 제1개폐변(36) 내지 제3개폐변(56)이 개재되어 연결될 수 있다. 이 제1개폐변(36) 내지 제3개폐변(56)은 각각 제어부(70)에 연결되어 제어부(70)에 의해 개폐가 제어되는 전자변이 사용될 수 있다.

도 3에는 상기 제1분무 노즐들(301) 내지 제3분무 노즐들(303) 중 하나의 제1분무 노즐(301)의 일 예를 도시하였다.

도 3에 도시된 본 발명의 일 실시예에 따른 제1분무 노즐(301)은 제1공급관(201)과, 상기 제1공급관(201)의 양단을 서로 연결하는 제2공급관(312)을 포함한다.

상기 제1공급관(201)의 양단에는 제1블록들(313)이 연결되어 있다. 그리고 상기 제2공급관(312)은 상기 제1공급관(201)의 길이에 대응되는 길이로 구비되고, 그 양단에도 제2블록들(314)이 연결되어 있다.

상기 제1공급관(201) 양단의 제1블록들(313)과 상기 제2공급관(312) 양단의 제2블록들(314) 사이에는 제3공급관(316)이 연결되어 있어, 제1공급관(201)과 제2공급관(312)을 서로 연결시켜 준다. 그리고 제2블록들(314) 중 하나에 제4공급관(317)이 연결되어 액이 공급되도록 한다. 상기 제4공급관(317)은 상기 제1블록(313) 중 하나에 연결될 수도 있다. 이 제4공급관(317)은 외부 저장조(미도시)와 연결될 수 있다.

이렇게 제1공급관(201)의 양단을 제2공급관(312)으로 서로 연결시킴으로 인해, 제1공급관(201)에는 그 길이 방향 전체에 걸쳐 비교적 균일하게 액이 공급될 수 있고, 이에 따라 각 노즐(320)들로부터 토출되는 액의 양에 대한 편차도 줄일 수 있다.

한편, 도 2에서는 제1저장조(35) 내지 제3저장조(55)가 모두 구비되어 있으나, 본 발명은 반드시 이에 한정되는 것은 아니며, 비록 도면으로 도시하지는 않았지만, 제1저장조(35) 및 제2저장조(45)만이 구비되어, 후술하는 바와 같이 제1액 및 제2액을 서로 다른 시간대에 기판(10)의 표면에 제공함으로써 실리콘 산화막(13)의 제거와 함께 기판 평활도를 얻을 수 있다.

기판(10)에 대하여 제1액, 제3액, 및 제2액의 순으로 제공될 수 있고, 제1액, 제3액, 제2액, 제3액, 및 제1액의 순으로 제공될 것이다.

이러한 제1액 내지 제3액의 제공순서는 공정 조건에 따라 변경 가능하며, 예컨대 제2액, 제3액, 및 제1액의 순으로 제공될 수도 있고, 제1액, 및 제3액의 순으로, 또는 제2액 및 제3액의 순으로 제공될 수도 있다. 물론 이 경우에도 한 번 더 반복될 수 있다.

뿐만 아니라, 제3액을 제공하지 않고 제1액 및 제2액의 순으로 제공될 수 있고, 또 반복될 수 있다.

본 발명은 이처럼 서로 에칭율이 다른 에천트인 제1액과 제2액을 서로 다른 시간대에 기판(10)에 제공함으로써 기판(10) 표면의 세정과 동시에 실리콘 산화막(13)의 에칭 정도를 효과적으로 제어할 수 있고, 또, 실리콘 산화막(13)이 제거된 실리콘막(12) 표면의 평활도를 향상시킬 수 있다.

또한, 상기 제3액을 기판(10)에 제공함으로써, 기판(10) 표면에 잔존해 있는 제1액 및/또는 제2액을 제3액으로 씻어주는 효과를 갖게 되며, 이에 따라 기판(10) 표면에 잔존하는 제1액과 제2액이 섞여 원하는 에칭율을 얻지 못하게 되는 문제를 사전에 방지할 수 있게 된다. 이에 따라 정확한 에칭율 관리가 가능해지며, 양산 공정에 적용 시에도 품질의 균일도를 높일 수 있게 된다.

한편 상기 기판 처리 유닛(30)은 공기 분사 모듈(181)을 더 포함할 수 있다. 상기 공기 분사 모듈(181)은 제어부(70)에 연결되어 제어부(70)에 의해 동작이 제어된다.

상기 공기 분사 모듈(181)은 상기 기판(10)의 표면에 액절 공기를 제공하기 위한 것으로, 기판(10)의 표면을 따라 기판(10)의 길이방향으로 왕복운동하도록 구비될 수 있다. 이를 위해 비록 도면으로 도시하지는 않았지만, 상기 공기 분사 모듈(181)은 리니어 구동수단에 의해 도 2에서 볼 때 수평 방향의 구동을 하도록 구성될 수 있다.

상기 공기 분사 모듈(181)은 공기 탱크(65)와 연결되어 있다. 상기 공기 분사 모듈(181) 내에 또는 그 외부에는 공기 펌프(미도시)가 구비되어 있을 수 있다. 그리고 상기 공기 분사 모듈(181)은 제어부(70)에 연결되어 제어부(70)의 작용에 의해 액절 공기의 분사를 단속한다.

이 공기 분사 모듈(181)과 공기 탱크(65)의 사이에는 제4개폐변(66)이 더 연결되는 데, 이 제4개폐변(66)은 제어부(70)에 연결되어 제어부(70)에 의해 개폐가 제어되는 전자변일 수 있다.

상기 공기 분사 모듈(181)은 액절 공기를 분사하기에 적합한 분사 노즐로 구비되는 데, 바람직하게는 액절용 에어 커튼을 분사할 수 있는 형태의 노즐이 사용될 수 있다.

상기 액절 공기는 그 전 단계 및/또는 후 단계에서 기판(10)에 제공되어 기판(10)의 표면에 잔존하는 제1액 내지 제3액 중 적어도 하나를 공기 압력에 의해 밀어내어 제거하는 것으로, 이에 따라 제1액 내지 제3액은 기판(10)의 표면에서 서로 섞이는 일이 없게 되고, 이에 따라 특히 제1액 및 제2액과 같은 에천트의 농도가 기판(10)의 표면 위에서 원래 의도한 농도와 달리 변하는 것을 방지할 수 있다. 따라서 상기 액절 공기에 의해 특히 제1액 및 제2액의 에칭 속도 등을 정확하게 제어할 수 있게 되고, 제3액에 의한 완충 작용도 용이하게 컨트롤 가능해진다.

한편, 본 발명에 있어서, 도 1에서 볼 수 있듯이, 상기와 같은 기판 처리 유닛(30)의 하부에 위치하는 지지대(21)가 기판(10)을 도 1에서 볼 때 좌우방향으로 요동시킨다.

상기 지지대(21)에 의한 기판(10)의 요동 거리는 분무 노즐의 피치에 의해 결정된다. 도 4는 분무 노즐들로부터 토출된 처리액에 의해 기판(10) 표면에 형성된 분무 형태(31)를 나타낸 것이다. 처리액에 의한 분무 형태(31)는 도 4에서 볼 수 있듯이 서로 중첩된 대략의 원형이 될 수 있는 데, 반드시 이에 한정되는 것은 아니고, 서로 중첩된 타원형이 될 수도 있다.

이 때 분무 노즐의 피치(P)는 원형인 각 분무 형태(31)의 중심간 거리가 된다. 결국 지지대(21)에 의해 기판(10)이 요동되어야 하는 거리는 이 분무 노즐의 피치(P) 이상이 되어야 한다. 그러면 기판(10)의 표면에는 처리액이 국부적으로 집중되는 일 없이 균일하게 분포될 수 있다. 이 때 분무 노즐의 피치(P)는 도 2에 따른 실시예에서는 제1분무 노즐들(301) 내지 제3분무 노즐들(303) 각각의 분무 노즐 피치에 대응된다.

한편, 도 2에 따른 실시예에서는 제1분무 노즐들(301) 내지 제3분무 노즐들(303)이 각각 제1저장조(35) 내지 제3저장조(55)에 연결된 것으로 도시하였으나, 본 발명은 반드시 이에 한정되는 것은 아니고, 도 5에서 볼 수 있듯이, 복수의 분무 노즐들(300)로서 액 분사 모듈(180)을 구성할 수 있다. 따라서 분무 노즐들(300)이 제1저장조(35) 내지 제3저장조(55)에 제1개폐변(36) 내지 제3개폐변(56)을 개재하여 연결된다.

상기 분무 노즐(300)들은 기판(10)의 길이방향을 따라 배치되며, 기판(10)의 전체 면적에 걸쳐 한 번에 제1액 내지 제3액 중 어느 하나를 분무할 수 있도록 구비된다.

이 때 기판(10)의 요동 거리는 분무 노즐들(300) 사이 간격 이상이 되도록 할 수 있고, 이에 따라 기판(10) 표면 전체에 걸쳐 고르게 액이 분사되도록 할 수 있다.

또 도면으로 도시하지는 않았지만, 분무 노즐들(300) 중 일부는 제1저장조(35) 내지 제3저장조(55) 중 어느 두 개의 저장조에, 다른 일부는 제1저장조(35) 내지 제3저장조(55) 중 하나의 저장조에 각각 연결되도록 할 수도 있다.

한편, 도 2 및 도 5의 실시예들에서는 공기 분사 모듈(181)을 모두 구비하고 있으나, 본 발명은 반드시 이에 한정되는 것은 아니고, 도 6에서 볼 수 있듯이, 상기 공기 분사 모듈없이 기판(10)을 일정 각도 틸팅시켜 기울이는 것으로 기판(10) 표면의 액을 제거할 수 있다. 이 때, 틸팅 각도는 5°정도만 되어도 충분하다. 도 6은 도 2에 따른 실시예에서 공기 분사 모듈(181)이 없는 구조를 나타낸 것이나, 본 발명은 반드시 이에 한정되는 것은 아니고, 비록 도면으로 도시하지는 않았지만 도 5에 따른 실시예에서 공기 분사 모듈(181)이 없는 구조도 동일하게 적용 가능함은 물론이다.

이러한 틸팅을 위해 상기 지지대(21)는 도 7에서 볼 수 있듯이, 수평이동부(211) 및 수직 이동부(212)를 도시한 것이다.

상기 수평이동부(211)는 도 7에서 볼 수 있듯이, 프레임(213)을 구비한다. 상기 프레임(213)은 제1방향(X1)으로 연장되고 서로 평행하게 이격된 제1프레임(213a) 및 제2프레임(213b)과, 제1방향(X1)에 수직한 방향(Y)으로 연장되고 서로 평행하게 이격된 제3프레임(213c) 및 제4프레임(213d)을 포함한다. 상기 제1프레임(213a) 내지 제4프레임(213d)들은 대략 사각형을 이루도록 결합된다. 제1방향(X1)의 일단에 위치한 제3프레임(213c)은 기판이 유입되기 용이하도록 다른 프레임들보다 밑으로 내려져서 위치하는 데, 만일 기판이 반대편으로 이동하도록 할 경우에는 제4프레임(213d)도 제3프레임(213c)과 동일하게 형성한다.

제1프레임(213a) 및 제2프레임(213b)의 상면에는 기판의 측면을 지지하는 지지 롤러(215)들이 설치된다. 그리고 제1방향(X1)의 타단에 위치한 제4프레임(213d)에도 그 상면에 지지 롤러(215)들이 설치된다.

상기 제1프레임(213a) 및 제2프레임(213b)에는 도 7에서 볼 수 있듯이 복수의 지지봉(214)들이 일정한 간격을 두고 배치되어 있다. 각 지지봉(214)들에는 복수의 구동 롤(21a)들이 소정 간격 이격되어 설치되어 있다. 각 지지봉(214)들의 양단은 각각 제1프레임(213a) 및 제2프레임(213b)에 매립된다. 각 지지봉(214)들의 양단에는 기어(미도시)가 설치되어 있다. 상기 제1프레임(213a) 및 제2프레임(213b) 중 적어도 하나에는 헬리컬 기어가 설치되며, 이 헬리컬 기어는 별도의 구동부(미도시)에 의해 회전된다. 구동부에 의해 헬리컬 기어가 회전하게 되면 이 회전력을 전달받아 복수의 지지봉(214)들이 회전하게 되고 이에 따라 구동 롤(21a)들이 동시에 회전하게 된다.

상기 프레임(213)의 하면에는 도 7에서 볼 수 있듯이 수직이동부(212)가 결합된다. 상기 수직이동부(212)는 프레임(213)을 수직방향으로 왕복 운동시킬 수 있는 장치가 포함되는 데, 예컨대 실린더 장치가 사용될 수 있다.

상기 수직이동부(212)는 제1프레임(213a)의 하부에 결합된 제1수직이동부(212a)와 제2프레임(213b)의 하부에 결합된 제2수직이동부(212b)를 포함한다.

틸팅 시에는 제1수직이동부(212a)가 제2수직이동부(212b)보다 많이 축소되도록 하거나 제2수직이동부(212b)가 제1수직이동부(212a)보다 많이 상승되도록 해, 기판(10)이 도 8에서 볼 수 있듯이, 수평 위치인 제1위치(P1)에서 틸팅 위치인 제2위치(P2)로 기울인다. 이 경우 기판(10)은 제1프레임(213a) 상부의 지지롤러(215)들에 의해 더 이상 밑으로 떨어지지 않게 된다.

한편, 전술한 도 5에 따른 실시예는 복수 열의 분무 노즐들(300)을 사용한 경우를 나타내었으나, 도 9에서 볼 수 있듯이, 일 열로 구비된 분무 노즐(300)을 사용하여 액 분사 모듈(180)을 구성할 수 있다. 상기 분무 노즐(300)은 도 3에 도시된 제1분무 노즐(301)과 동일하게 일 열로 배열되도록 할 수 있다.

이러한 구조에서는 기판(10)의 전후 방향 요동의 폭은 더 넓어지며, 적어도 기판(10)의 길이 이상으로 요동되도록 하여 기판(10) 표면 전체에 걸쳐 액이 충분히 공급되도록 할 수 있다. 그러나 반드시 이에 한정되는 것은 아니고, 이 경우 분무 노즐(300)이 기판(10)의 길이방향을 따라 왕복 선형 운동을 하도록 할 수 있다.

도 9에 따른 실시예는 일 열로 구비된 분무 노즐(300)에 제1저장조(35) 내지 제3저장조(55)가 제1개폐변(36) 내지 제3개폐변(56)을 개재하여 연결된 것이나, 본 발명은 반드시 이에 한정되는 것은 아니고, 도 10에서 볼 수 있듯이, 제1저장조(35) 내지 제3저장조(55)가 각각 일 열로 구비된 제1분무 노즐(301) 내지 제3분무 노즐(303)에 연결될 수 있다. 이 때, 제1분무 노즐(301) 내지 제3분무 노즐(303)은 상호 교대로 배치되는 것이 바람직하다.

도 9 및 도 10에 따른 실시예에서 상기 공기 분사 모듈없이 기판(10)을 일정 각도 틸팅시켜 기울이는 것으로 기판(10) 표면의 액을 제거할 수 있다. 그러나 반드시 이에 한정되는 것은 아니고, 도 2 및 도 5에 따른 실시예에서 볼 수 있듯이 공기 분사 모듈(181)을 이용해 액절 공기를 기판(10)의 표면에 분사토록 할 수 있다.

본 발명은 첨부된 도면에 도시된 일 실시예를 참고로 설명되었으나 이는 예시적인 것에 불과하며, 당해 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 타 실시예가 가능하다는 점을 이해할 수 있을 것이다. 따라서 본 발명의 진정한 보호 범위는 첨부된 청구 범위에 의해서만 정해져야 할 것이다.

Claims (7)

1. 피처리 기판이 유입되어 처리되는 공정실;
   상기 기판의 하면을 지지하고 상기 기판에 요동을 가하도록 구비된 지지대;
   상기 지지대의 상부에 위치하고 상기 기판의 상면을 향하여 처리액을 분사하는 기판 처리 유닛; 및
   상기 지지대의 하부에 위치하고 상기 처리액을 수용하도록 구비된 쉴드;를 포함하는 기판 처리 장치.
2. 제1항에 있어서,
   상기 지지대는 복수의 구동 롤을 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
3. 제1항에 있어서,
   상기 기판 처리 유닛은 복수의 분무 노즐을 포함하고, 상기 지지대에 의한 상기 기판의 요동 거리는 상기 분무 노즐들의 피치 이상인 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
4. 제1항에 있어서,
   상기 기판 처리 유닛은, 상기 지지대의 상부에 위치하고 상기 기판의 상면을 향하여 액절 공기를 분사하는 공기 분사 모듈을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
5. 제4항에 있어서,
   상기 공기 분사 모듈은 상기 기판의 길이방향을 따라 왕복운동하도록 구비된 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
6. 제1항에 있어서,
   상기 지지대는 상기 기판을 지면에 대하여 경사지도록 틸팅시키도록 구비된 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
7. 제1항에 있어서,
   상기 쉴드는 적어도 하나의 토출구를 갖는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.

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