TW201308500A

TW201308500A - 具有緻密結構之基底表面處理系統以及基底表面處理方法

Info

Publication number: TW201308500A
Application number: TW101128278A
Authority: TW
Inventors: Kil-Soo An; Seung-Il Chang
Original assignee: Mmtech Co Ltd
Priority date: 2011-08-05
Filing date: 2012-08-06
Publication date: 2013-02-16
Also published as: CN102915940A

Abstract

本發明提供一種具有緻密結構之基底表面處理系統及一種基底表面處理方法。系統包括：第一處理腔室，在第一端部處包括入口且沿平行於地面的方向延伸；第二處理腔室，沿垂直於地面的方向延伸，第一處理腔室的第二端部在第二處理腔室的第一端部處附接至第二處理腔室的上部；第三處理腔室，沿平行於地面的方向延伸，位於第一處理腔室的下方，並在第一端部處具有出口，其中位於第二處理腔室的第一端部處的第二處理腔室的下部在第三處理腔室的第二端部處附接至第三處理腔室；第一水平傳送單元，安裝於第一處理腔室中並沿第一方向朝第二處理腔室水平地傳送基底；第二水平傳送單元，安裝於第二處理腔室中並水平地傳送所述基底；垂直傳送單元，安裝於第二處理腔室中，與第二水平傳送單元相組合，並沿垂直方向向上及向下移動第二水平傳送單元；第三水平傳送單元，安裝於第三處理腔室中並沿與第一方向相對的第二方向水平地傳送自第二處理腔室排出的基底；以及處理模組，安裝於第一處理腔室至第三處理腔室至少其中之一中並處理所述基底的表面。

Description

具有緻密結構之基底表面處理系統以及基底表面處理方法

【相關專利申請案交叉參考】

本申請案主張在2011年8月5號向韓國知識產權局提出申請的韓國專利申請案第10-2011-0078203號、在2011年10月31號向韓國知識產權局提出申請的韓國專利申請案第10-2011-0112500號、及在2011年12月22號向韓國知識產權局提出申請的韓國專利申請案第10-2011-0140401號的優先權，這些專利申請案所揭露的內容完整結合於本說明書中。

本發明是有關於一種基底表面處理系統及一種基底表面處理方法，且特別是有關於一種具有緻密結構之基底表面處理系統及一種基底表面處理方法。

在用於形成有機發光顯示元件或液晶顯示元件的基底上形成有包括多個薄膜電晶體(thin-film transistor，TFT)的驅動元件。

為形成此種驅動元件，在基底上形成矽膜，例如多晶矽膜。多晶矽膜是通過以結晶製程(例如ELA)使非晶矽膜結晶而形成。多晶矽膜被圖案化，以用作TFT的主動層(active layer)。

然而，在非晶矽膜及/或多晶矽膜的表面上天然地形成有氧化矽膜。

氧化矽膜可不利地影響結晶製程。此外，氧化矽膜可影響TFT的特性，並可在製造過程中成為污染源(例如微粒源)。因此，需要在結晶製程之前及/或之後移除氧化矽膜。

而且，由於在結晶製程中形成的多晶矽膜具有高的表面粗糙度，因而需要改善多晶矽膜的表面均勻度。

由於這些原因，需要通過對矽膜進行蝕刻來處理上面形成有矽膜的基底表面。

日本專利特許公開案第2004-006618揭露一種用於在基底旋轉的同時向基底噴灑(spray)蝕刻劑的傳統基底蝕刻裝置。然而，儘管在基底旋轉的同時向基底噴灑蝕刻劑的方法適用於小型基底(例如第4代基底(730*460 mm)或更小的基底)，然而難以將該方法用於大型基底(例如第5.5代基底(1,300*1,500 mm)或更大的基底)。原因在於，難以使大的基底旋轉，且即使可使大的基底旋轉，旋轉速度也會降低至600 RPM或以下，因而在蝕刻之後，可能會在基底上形成汙跡。此外，基底的中心部及邊緣部會被不均勻地蝕刻，且由於蝕刻劑撞擊蝕刻腔室的內壁並被彈回至基底上，會在基底上形成汙跡。

為解決上述問題，可將基底表面處理系統排列成直列式(inline)系統。然而，在此種情形中，基底表面處理系統可能會具有過大的長度。如此一來，便需要更大的空間來安裝基底表面處理系統。

韓國專利特許公報第2007-0048036號揭露一種具有雙層式結構的系統，所述雙層式結構包括上層及下層。在所揭露的系統中，將用於進行相同操作的兩個層進行垂直疊置，以增大所要處理的基底的數量。然而，所揭露的系統提供對於單一製程而言具有直線路徑(straight line path)的直列式系統(inline system)，因而基底表面處理系統的總體長度未得到減小。

本發明提供一種在安裝時無空間限制的具有緻密結構之基底表面處理系統、以及一種基底表面處理方法。

根據本發明的一個方面，提供一種基底表面處理系統，包括：第一處理腔室，在第一端部處包括入口且沿平行於地面的方向延伸；第二處理腔室，沿垂直於地面的方向延伸，其中所述第一處理腔室的第二端部在所述第二處理腔室的第一端部處附接至所述第二處理腔室的上部；第三處理腔室，沿平行於地面的方向延伸，位於所述第一處理腔室的下方，並在第一端部處具有出口，其中位於所述第二處理腔室的所述第一端部處的所述第二處理腔室的下部在所述第三處理腔室的第二端部處附接至所述第三處理腔室；第一水平傳送單元，安裝於所述第一處理腔室中並沿第一方向朝所述第二處理腔室水平地傳送基底；第二水平傳送單元，安裝於所述第二處理腔室中並水平地傳送所述基底；垂直傳送單元，安裝於所述第二處理腔室中，與所述第二水平傳送單元相組合，並沿垂直方向向上及向下移動所述第二水平傳送單元；第三水平傳送單元，安裝於所述第三處理腔室中並沿與所述第一方向相對的第二方向水平地傳送自所述第二處理腔室排出的所述基底；以及處理模組，安裝於所述第一處理腔室至所述第三處理腔室至少其中之一中並處理所述基底的表面。

所述基底表面處理系統可進一步包括預潤濕單元，所述預潤濕單元設置於所述第一處理腔室中並預潤濕所述基底的表面。

所述基底表面處理系統可進一步包括以下至少其中之一：沖洗單元，設置於所述第三處理腔室中並沖洗所述基底的表面；以及乾燥單元，設置於所述第三處理腔室中並乾燥所述基底的表面。

所述基底表面處理系統可進一步包括風扇過濾單元，所述風扇過濾單元安裝於所述第一處理腔室至所述第三處理腔室至少其中之一中。

所述處理模組可位於所述第三處理腔室中。

所述基底表面處理系統可進一步包括傾斜驅動單元，所述傾斜驅動單元與所述第一水平傳送單元至所述第三水平傳送單元至少其中之一的至少一部分相組合，並使所述第一水平傳送單元至所述第三水平傳送單元的至少所述其中之一的至少所述部分傾斜。

所述第一水平傳送單元或所述第三水平傳送單元可包括多個第一驅動輥及多個第二驅動輥，所述多個第一驅動輥可被定位成相較所述多個第二驅動輥更靠近所述入口或所述出口，且所述多個第一驅動輥的直徑可大於所述多個第二驅動輥的直徑。

所述第二水平傳送單元可包括多個驅動輥。

所述處理模組可包括流體噴射模組及空氣噴射模組，所述流體噴射模組及所述空氣噴射模組被整合為單一單元，所述流體噴射模組可朝所述基底噴射至少一種類型的蝕刻劑，所述至少一種類型的蝕刻劑能夠蝕刻所述基底的所述表面上的矽膜，且所述空氣噴射模組可向所述基底的所述表面噴射流體切割(fluid-cutting)空氣。

所述流體噴射模組及所述空氣噴射模組可被設置成同時操作。

所述處理模組可包括多個噴灑噴嘴(spraying nozzle)。

所述基底及所述處理模組至少其中之一可被設置成沿所述基底的縱向線性地移動。

根據本發明的另一方面，提供一種基底表面處理方法，包括：第一水平傳送，用於沿第一方向水平地傳送基底；向下垂直傳送，用於沿垂直方向降下所述基底；第二水平傳送，用於沿與所述第一方向相對的第二方向水平地傳送所述基底；以及表面處理，用於在所述第一水平傳送、所述向下垂直傳送、以及所述第二水平傳送至少其中之一期間，或在所述第一水平傳送、所述向下垂直傳送、以及所述第二水平傳送其中至少兩者之間處理所述基底的表面。

所述第一水平傳送可包括預潤濕所述基底的表面。

所述第二水平傳送可包括沖洗所述基底的表面與乾燥所述基底的表面中的至少一項。

所述表面處理可在所述向下垂直傳送與所述第二水平傳送之間執行。

所述第一水平傳送、所述向下垂直傳送、以及所述第二水平傳送至少其中之一可包括使所述基底相對於地面傾斜。

所述使所述基底傾斜可包括使所述基底傾斜成使所述基底的表面相對於與所述第一方向或所述第二方向垂直的方向傾斜。

所述表面處理可包括將至少一種類型的蝕刻劑與流體切割空氣至少其中之一提供至所述基底的表面，所述至少一種類型的蝕刻劑能夠蝕刻所述基底的表面上的矽膜。

在所述表面處理期間可同時提供所述蝕刻劑及所述流體切割空氣。

以下，將通過參照附圖解釋本發明的優選實施例來詳細說明本發明。

圖1是根據本發明一實施例的基底表面處理系統100的示意圖。

如圖1所示，基底表面處理系統100包括第一處理腔室110、第二處理腔室120及第三處理腔室130。

第一處理腔室110附接至第二處理腔室120的側壁 123的上部，並被形成為沿平行於地面的方向延伸。第一處理腔室110的第一端部處形成有入口111，且基底10是由單獨的傳送機器人(圖中未顯示)經由入口111而引入至第一處理腔室110中。

第二處理腔室120沿垂直於地面的方向延伸，且第二處理腔室120的第一端部附接至第一處理腔室110的第二端部。

第二處理腔室120的側壁123中形成有基底入口121及基底出口122。此處，基底入口121形成於基底出口122的上方。基底入口121及基底出口122設置於沿垂直於地面的方向延伸的線上並沿平行於地面的方向延伸，且分別用於將基底10載送至第二處理腔室120中及將基底10載送出第二處理腔室120。可省略側壁123、基底入口121、及基底出口122，並可僅設置側壁123的一部分。

第三處理腔室130沿平行於地面的方向延伸並設置於第一處理腔室110的下方。第三處理腔室130的第一端部處形成有出口131，且第三處理腔室130的第二端部附接至第二處理腔室120的第一端部。第三處理腔室130與基底出口122連通。

在第三處理腔室130的出口131外，設置有用於在表面處理之後將基底10載送出基底表面處理系統100的傳送機器人(圖中未顯示)。

在第一處理腔室110中設置有用於沿第一方向X1朝第二處理腔室120水平地傳送基底10的第一水平傳送單元 141。

在第三處理腔室130中設置有用於沿第二方向X2(即，與第一方向X1相對的方向)水平地傳送基底10的第三水平傳送單元143。

在第二處理腔室120中設置有用於沿第一方向X1及第二方向X2水平地傳送基底10的第二水平傳送單元142，其中垂直傳送單元150與第二水平傳送單元142相組合，以沿垂直方向向上及向下移動第二水平傳送單元142。

當第二水平傳送單元142向上移動至對應於基底入口121的位置時，第二水平傳送單元142沿第一方向X1(其在圖1中為自左向右的方向)水平地移動基底10，且當第二水平傳送單元142向下移動至對應於基底出口122的位置時，第二水平傳送單元142沿第二方向X2(其在圖1中為自右向左的方向)移動基底10。

第一水平傳送單元141包括多個第一驅動輥144及多個第二驅動輥145。

第一驅動輥144被定位成相較第二驅動輥145更靠近入口111。如圖2A及圖2B所示，第一驅動輥144的直徑d₁大於第二驅動輥145的直徑d₂。

由於第一驅動輥144被設置成相對靠近入口111，因而可相對迅速地經由入口111載送基底10，因此，可迅速地將基底10載送至第一處理腔室110中。

由於第二驅動輥145是在正在對基底10執行特定處理的同時傳送基底10，因此，為精確地控制基底10的傳送速度，第二驅動輥145可被形成為小於第一驅動輥144。

第三水平傳送單元143可包括所述多個第一驅動輥144及所述多個第二驅動輥145。如上所述，第一驅動輥144的直徑d₁大於第二驅動輥145的直徑d₂。

由於第一驅動輥144被設置成相對靠近出口131，因而可相對迅速地經由出口131載送出基底10，因此，可迅速地將基底10載送出第三處理腔室130。

如上所述，由於第二驅動輥145是在正在對基底10執行特定處理的同時傳送基底10，因此，為精確地控制基底10的傳送速度，第二驅動輥145可被形成為小於第一驅動輥144。

第二水平傳送單元142可包括所述多個第二驅動輥145，所述多個第二驅動輥145具有相對小的直徑，使得第二水平傳送單元142可在第二處理腔室120中精確地移動基底10。

在上述實施例中，設置於第一水平傳送單元141至第三水平傳送單元143中的第二驅動輥145可具有相同的直徑。然而，本發明並非僅限於此，而且第一水平傳送單元141至第三水平傳送單元143可包括具有不同直徑的第二驅動輥。

在第一處理腔室110中，可將載入區151及預潤濕區152以所述次序設置於入口111與第二處理腔室120之間。在第一水平傳送單元141中，第一驅動輥144位於載入區151中，而第二驅動輥145則位於預潤濕區152中。

在載入區151中設置有第一等離子體供應單元161，以用於對經由入口111而載送的基底10的表面執行等離子體處理。

還可在預潤濕區152中設置第二等離子體供應單元162，因此，基底10的表面在第二處理腔室120中處理之前將被充分地活化。

並非必需同時設置第一等離子體供應單元161及第二等離子體供應單元162兩者，而是也可僅設置第一等離子體供應單元161或第二等離子體供應單元162。

在預潤濕區152中設置有預潤濕單元163，以用於通過將去離子(deionized water，DI)水噴灑至基底10的表面上來預潤濕基底10的表面。

為使第三處理腔室130接收到基底10，第二處理腔室120使自第一處理腔室110接收到的基底10的移動方向反向。因此，第二處理腔室120用作方向轉換區。此外，在第二處理腔室120中設置有表面處理區153。

在第三處理腔室130中，沖洗區154、乾燥區155、以及卸載區156以所述次序設置於第二處理腔室120與出口131之間。在第三水平傳送單元143中，第一驅動輥144位於卸載區156中，而第二驅動輥145則設置於沖洗區154及乾燥區155中。

在沖洗區154中，依序設置有第一沖洗單元164及第二沖洗單元165。第一沖洗單元164及第二沖洗單元165將去離子水噴灑至被載送出表面處理區153的基底10的表面上，使得基底10的表面上不殘留蝕刻劑。

在第一沖洗單元164與第二沖洗單元165之間還設置有水噴射單元166，以經由高壓水注來清潔基底10的表面。

並非必需設置第一沖洗單元164、第二沖洗單元165、及水噴射單元166中的全部，而是第一沖洗單元164、第二沖洗單元165、及水噴射單元166至少其中之一便足夠。

如圖1所示，第一沖洗單元164、第二沖洗單元165、及水噴射單元166可設置於基底10的上方及下方。因此，可通過同時將去離子水提供至基底10的頂面及底面來清潔基底10。

乾燥單元167可設置於乾燥區155中。

如圖3所示，乾燥單元167包括具有線型形狀並噴射空氣的噴嘴單元167a，其中噴嘴單元167a可被設置成相對於基底10的水平移動方向傾斜。因此，噴嘴單元167a自基底10的一端部沿對角線方向將空氣噴射至基底10的相對端部。當噴嘴單元167a自基底10的端部開始噴射空氣並在基底10的對角線方向上的相對端部結束噴射空氣時，可更有效地自基底10的表面移除水分。如圖1所示，乾燥單元167可設置於基底10的上方及下方。雖然在上述實施例中，乾燥單元167的噴嘴單元167a是固定的且基底10沿水平方向移動，但本發明並非僅限於此，而是噴嘴單元167a也可沿基底10的水平移動方向移動。

第一處理腔室110上設置有第一風扇過濾單元114。第一風扇過濾單元114排出第一處理腔室110內的空氣，以使第一處理腔室110的內部保持清潔並防止微粒附著至基底10的表面。

第二處理腔室120上設置有第二風扇過濾單元124，且第三處理腔室130上設置有第三風扇過濾單元134。第二風扇過濾單元124移除第二處理腔室120內的微粒，而第三風扇過濾單元134則移除第三處理腔室130內的微粒。

同時，如圖4所示，第二處理腔室120中的第二水平傳送單元142包括框架146。框架146包括沿第一方向X1延伸且相互平行的第一框架146a及第二框架146b、以及沿與第一方向X1垂直的方向Y延伸且相互平行的第三框架146c及第四框架146d。第一框架146a至第四框架146d組合形成矩形形狀。位於第一方向X1的一端處的第三框架146c被定位成低於其他各框架，以易於載入基底。

如圖4及圖5所示，多個支撐杆147以相等間距設置於第一框架146a及第二框架146b上。所述多個第二驅動輥145以預定間距設置於每一支撐杆147上。每一支撐杆147的兩個相對端部分別嵌入於第一框架146a及第二框架146b中。每一支撐杆147的兩個相對端部處設置有齒輪149a。在第一框架146a及第二框架146b中設置有斜齒輪(helical gear)149b，其中斜齒輪149b是由一單獨的驅動單元(圖中未顯示)帶動旋轉。雖然圖5顯示在第一框架146a及第二框架146b兩者中均設置有斜齒輪149b，但本發明並非僅限於此，也可僅於第一框架146a及第二框架146b其中之一中設置斜齒輪149b。當驅動單元帶動斜齒輪149b 旋轉時，所述多個支撐杆147會接收到旋轉力並旋轉，因此，所述多個第二驅動輥145將同時旋轉。

如圖4所示，垂直傳送單元150附接至框架146的底面。垂直傳送單元150包括用於沿垂直方向向上及向下移動框架146的單元(例如，氣缸單元)。

如圖4所示，在框架146下方設置有位置調整單元171。位置調整單元171包括向上突出的多個銷172，並可通過單獨的垂直驅動單元(圖中未顯示)而沿垂直方向向上及向下移動。

例如，如果移動至第二水平傳送單元142上方位置的基底10未水平對齊，則位置調整單元171可向上移動，以使銷172直接向上推動基底10並支撐基底10。如此一來，便可使基底10水平對齊。此處，銷172可向上移動以穿過各支撐杆147之間的空間並向上推動基底10。

同時，工作流體(work fluid，或冷卻水)自上方傾注至斜齒輪149b，以冷卻斜齒輪149b並移除由於磨損而產生的微粒。

如圖5所示，工作流體排放單元190設置於第一框架146a及第二框架146b的底面處。

工作流體排放單元190包括排放連接器191、排放管192、及導管(guide)194。

排放連接器191連接至形成於第一框架146a中的孔，並包括通孔(via hole)，工作流體可經由所述通孔而流至排放管192中。排放連接器191可被構造成當排放管 192旋轉時，排放連接器191將圍繞附接至第一框架146a及第二框架146b的部分而旋轉。

排放連接器191所附接至的第一框架146a及第二框架146b可被設計成高於排放連接器191，以使工作流體可流至排放連接器191中。

排放管192具有管狀形狀，工作流體可向下流入至排放管192中。排放管192的第一端部(頂端)連接至排放連接器191，而排放管192的第二端部(底端)位於導管194處。

排放管192的底端可沿導管194移動並將工作流體排出至導管194。為實現排放管192底端的平滑移動，可在排放管192的底端處設置滾輪193。

如圖4及圖5所示，在工作流體排放單元190中，當垂直傳送單元150向上及向下移動框架146時，排放管192的底端會沿導管194向左及向右移動，因此，第一框架146a及第二框架146b中的工作流體可流經排放管192，隨後被排出至導管194，並被存儲於單獨的工作流體貯存器(圖中未顯示)中。

因此，可防止工作流體溢流至第一框架146a及第二框架146b外，因而可防止第二處理腔室120的內部被工作流體污染。

此外，可通過即時地排放第一框架146a及第二框架146b內的工作流體來防止第一框架146a及第二框架146b中的工作流體增加，因此可防止工作流體被引入至用於驅動斜齒輪149b的驅動單元中。

通過經由排放管192及導管194來排放工作流體，可將工作流體順利地排出第二處理腔室120。

雖然圖5顯示工作流體排放單元190連接至第一框架146a及第二框架146b兩者，但本發明並非僅限於此。如果斜齒輪149b僅安裝於第一框架146a與第二框架146b其中之一中，則工作流體排放單元190可連接至第一框架146a與第二框架146b中的對應者。

此外，如圖5所示，如果工作流體排放單元190連接至第一框架146a及第二框架146b兩者，則需要以互不干涉的方式設置兩個排放管192。因此，在此種情形中，需要在排放管192下方分別設置兩個導管194。

接下來，將闡述安裝於表面處理區153中的基底表面處理裝置。

如圖6所示，安裝於表面處理區153中的基底表面處理裝置包括處理模組180、控制單元70、第一貯存器35至第三貯存器55。

在根據本發明進行處理之前，基底10可為特別適用於顯示裝置的各種類型基底中的任一種，並可包括基座基底(base substrate)11、矽膜12、及氧化矽膜13。

基座基底11可為玻璃基底、塑膠基底、或金屬基底。雖然圖中未顯示，但基座基底11的表面上還可設置有包含有機材料及/或無機材料的絕緣膜。

可通過在基座基底11的表面上形成非晶矽膜來獲得矽膜12。隨後，矽膜12可經由結晶製程而變成多晶矽膜。所述結晶製程可為鐳射結晶製程(例如ELA)。然而，本發明並非僅限於此，而是可採用各種結晶製程中的任一種。例如，可使用通過使矽膜12結晶而得到的多晶矽膜作為顯示裝置的TFT的主動層。此外，非晶矽膜在被圖案化及摻雜之後可用作TFT的主動層。

氧化矽膜13形成於矽膜12的表面上。氧化矽膜13是當矽膜12的表面與空氣中的氧氣或氮氣複合時所自然形成的氧化膜，且其通常被形成為具有約5 Å至約1000 Å的厚度。

基底10並非僅限於上述其中矽膜12形成於基座基底11上的基底，而是可為各種類型基底中的任一種(例如，包括矽膜的矽晶圓)。

處理模組180被設置成選擇性地將第一流體至第三流體提供至基底10的表面，更具體而言，用於選擇性地將第一流體至第三流體提供至形成於矽膜12的表面上的氧化矽膜13的表面。

第一流體存儲於第一貯存器35中，並可包括用於蝕刻形成於矽膜12表面上的氧化矽膜13的溶液。根據本發明的實施例，第一流體可為包含臭氧溶液的流體。由於第一流體與下文所述的第二流體相比對氧化矽膜13的蝕刻速率較低，因此第一流體可用作用於清除基底10表面上的有機材料的洗滌劑。因此，第一流體可為中性洗滌劑或鹼性洗滌劑。

第二流體存儲於第二貯存器45中，可蝕刻形成於矽膜12表面上的氧化矽膜13，具有與第一流體不同的成分，並包含與第一流體相比對氧化矽膜的蝕刻率較高的溶液。根據本發明的實施例，第二流體可包含氫氟酸或氟化銨(ammonium fluoride)溶液。

第三流體存儲於第三貯存器55中，並可在基底10的表面上稀釋第一流體與第二流體至少其中之一。根據本發明的實施例，第三流體可包含水(例如，去離子(DI)水)。第三流體可用作緩衝流體，以用於停止作為蝕刻劑的第一流體及第二流體對基底10表面的作用。

處理模組180包括流體噴灑單元，以用於將第一流體至第三流體均勻地散佈在基底10上。為實現此目的，處理模組180被設置成沿平行於基底10的縱向的直線來回地移動並將第一流體至第三流體提供至基底10的表面上。

處理模組180可被設計成具有選擇性地將第一流體至第三流體提供至處理模組180的附加功能。為實現此目的，可設置單獨的抽吸單元(圖中未顯示)以用於將第一流體至第三流體排出至處理模組180。

可在第一貯存器35至第三貯存器55與處理模組180之間夾置第一開啟/關閉閥36至第三開啟/關閉閥56。第一開啟/關閉閥36至第三開啟/關閉閥56可為電子閥，其連接至控制單元70且由控制單元70控制開啟及關閉。

同時，儘管圖6顯示設置有第一貯存器35至第三貯存器55中的全部，然而本發明並非僅限於此。儘管圖中未顯示，然而可僅設置第一貯存器35及第二貯存器45，且第一貯存器35及第二貯存器45可如下文所述在不同時刻將第一流體及第二流體提供至基底10的表面。如此一來，可移除氧化矽膜13並可使基底10的表面平坦化。

可按第一流體、第三流體、及第二流體的次序將第一流體至第三流體提供至基底10。在其中處理模組180來回移動的情形中，可按第一流體、第三流體、及第二流體、第三流體、及第一流體的次序來提供第一流體至第三流體。

提供第一流體至第三流體的順序可根據製程條件而異。例如，可按第二流體、第三流體、及第一流體的次序、按第一流體及第三流體的次序、或按第二流體及第三流體的次序來提供第一流體至第三流體。如上所述，在其中處理模組180來回移動的情形中，可按相反次序來進一步提供第一流體至第三流體。

此外，可按所述次序提供第一流體及第二流體，而不提供第三流體。如上所述，在其中處理模組180來回移動的情形中，可按相反的次序進一步提供第一流體及第二流體。

根據本發明，通過在不同時刻將第一流體及第二流體(其為具有不同蝕刻速率的蝕刻劑)提供至基底10，可清潔基底10的表面，並可同時有效地控制對氧化矽膜13的蝕刻。此外，可改善被移除氧化矽膜13後的矽膜12的表面的平坦性。

此外，通過將第三流體提供至基底10，殘留於基底 10的表面上的第一流體及/或第二流體可被第三流體清除，由此可防止由於殘留於基底10的表面上的第一流體與第二流體混合而產生不期望的蝕刻速率。因此，可精確地管理蝕刻速率，並可在大規模生產中改善基底10的表面的均勻度。

所述第一流體至第三流體的提供並非僅限於單次來回掃描，而是包括經由至少兩次來回掃描而選擇性地提供第一流體至第三流體中的至少兩種。

儘管圖6顯示其中由所述一個處理模組180選擇性地提供第一流體至第三流體的實施例，然而本發明並非僅限於此。

例如，在如圖7所示根據本發明另一實施例的基底表面處理裝置中，處理模組180包括第一處理模組181至第三處理模組183。第一處理模組181至第三處理模組183均被設置成流體噴灑模組。

第一處理模組181至第三處理模組183分別連接至第一貯存器35至第三貯存器55，且第一開啟/關閉閥36至第三開啟/關閉閥56分別設置於第一貯存器35至第三貯存器55與第一處理模組181至第三處理模組183之間。此處，第一處理模組181至第三處理模組183可被設置成互不干涉彼此的移動。

在此種情形中，可如參照圖6所述以各種次序中的任一次序來排出第一流體至第三流體。

同時，第一處理模組181至第三處理模組183可相互組合並一體地操作。

圖8顯示根據本發明另一實施例的處理模組180，其中處理模組180包括第一處理模組181及第二處理模組182。第一處理模組181及第二處理模組182中的每一者均連接至第一貯存器35至第三貯存器55中的兩者的不同組合。

在圖8所示的實施例中，第一處理模組181連接至第一貯存器35及第三貯存器55，而第二處理模組182則連接至第二貯存器45及第三貯存器55。因此，第三開啟/關閉閥56a及56b分別安裝於第三貯存器55與第一處理模組181之間及第三貯存器55與第二處理模組182之間。

在此種情形中，第一流體至第三流體可如圖6所示按各種順序中的任意順序噴出。此外，第一處理模組181及第二處理模組182可相互組合並一體地操作。

圖9顯示根據本發明另一實施例的基底表面處理裝置的配置，其中處理模組180包括流體噴灑模組180a及空氣噴射模組180b。

流體噴灑模組180a及空氣噴射模組180b二者均連接至控制單元70，且流體噴灑模組180a可為圖6至圖8所示的處理模組180。

空氣噴射模組180b被設置成向基底10的表面提供流體切割空氣，並可在與流體噴灑模組180a相同的方向上移動。流體噴灑模組180a及空氣噴射模組180b可被設置成分別由單獨的線性驅動單元在水平方向上驅動。

空氣噴射模組180b連接至空氣桶65。可在空氣噴射模組180b的內部或外部設置空氣泵(圖中未顯示)。此外，空氣噴射模組180b連接至控制單元70，以使控制單元70控制流體切割空氣的噴射。

在空氣噴射模組180b與空氣桶65之間進一步設置有第四開啟/關閉閥66，其中第四開啟/關閉閥66可連接至控制單元70，以使控制單元70可控制第四開啟/關閉閥66的開啟及關閉。

空氣噴射模組180b被設置成適用於噴射流體切割空氣的噴射噴嘴，並可為能夠噴射流體切割空氣簾(fluid cutting air curtain)的噴嘴。

流體切割空氣在一操作中被提供至基底10，並通過借助空氣壓力將第一流體至第三流體至少其中之一推離基底10的表面而移除殘留於基底10的表面上的所述第一流體至第三流體中的所述至少其中之一。如此一來，第一流體至第三流體便不會在基底10的表面上混合，並因而可防止第一流體及第二流體的濃度在基底10的表面上變成不期望的濃度。因此，通過使用流體切割空氣，可精確地控制第一流體及第二流體的蝕刻速度，並可容易地控制第三流體的緩衝作用。

儘管圖9僅顯示一個空氣噴射模組180b，然而本發明並非僅限於此。根據設計條件，可設置不同數量的空氣噴射模組180b中的任意數量來防止第一流體至第三流體中的至少兩者相混合。例如，如圖10所示，可圍繞流體噴灑模組180a設置兩個空氣噴射模組180b。

流體切割空氣可被噴射成與第一流體至第三流體至少其中之一重疊。此處，“被噴射成與...重疊”這一表達是指流體切割空氣是在第一流體至第三流體至少其中之一被噴灑於基底10並作用於基底10的同時噴射至基底10。根據本發明的實施例，空氣噴射模組180b是與流體噴灑模組180a同時進行操作，以在噴灑第一流體至第三流體至少其中之一的同時噴射流體切割空氣。

圖11顯示根據本發明一實施例的處理模組180。在圖11所示實施例中，第一處理模組181及第二處理模組182相組合而形成單一流體噴灑模組180a，且兩個空氣噴射模組180b圍繞流體噴灑模組180a設置。

流體噴灑模組180a包括第一處理模組181及第二處理模組182，其中第一處理模組181及第二處理模組182中的每一者均被形成為兩個面板狀構件的組合，在其中形成有流體噴灑孔184，並具有與其連接的流體供應管185。流體供應管185可連接至外部貯存器(圖中未顯示)。

第一流體及第三流體可由第一處理模組181選擇性地噴灑，而第二流體可由第二處理模組182噴灑。然而，本發明並非僅限於此。例如，第二流體及第三流體可由第一處理模組181選擇性地噴灑，而第一流體可由第二處理模組182噴灑。另一選擇為，第一流體及第二流體可由第一處理模組181選擇性地噴灑，而第三流體可由第二處理模組182噴灑。

空氣噴射模組180b也被形成為兩個面板狀構件的組合，其中空氣噴射模組180b具有空氣噴射孔186，且空氣供應管187連接至這些面板狀構件。空氣供應管187可連接至外部空氣桶(圖中未顯示)。

流體噴灑模組180a及空氣噴射模組180b具有在基底10的寬度方向上沿直線延伸的結構，並通過組合托架188進行固定。組合托架188被形成為能夠調整空氣噴射模組180b組合至組合托架188的角度，並因而可調整經過空氣噴射模組180b噴射流體切割空氣的角度。

由於如上所述的處理模組180可噴灑蝕刻劑、洗滌劑及流體並可作為單一模組而噴射切割空氣，因而設備的總體結構(更具體而言，第二處理腔室120的結構)可變得緻密。其原因在於，用於使處理模組180來回移動的線性電動機機構(linear motor mechanism)的尺寸顯著減小，並可簡化包括泵及閥在內的組件。

圖12顯示根據本發明另一實施例的處理模組180，其中處理模組180可尤其用作流體噴灑模組。

根據圖12所示實施例的處理模組180包括第一供應管201及第二供應管202，第二供應管202的兩個相對端部與第一供應管201的兩個相對端部互連。

第一區塊203連接至第一供應管201的所述兩個相對端部。此外，第二供應管202被設置成具有與第一供應管201的長度相對應的長度，其中第二區塊204連接至第二供應管202的所述兩個相對端部。

第三供應管206分別互聯於連接至第一供應管201的所述兩個相對端部的第一區塊203與連接至第二供應管202的所述兩個相對端部的第二區塊204之間，以使第一供應管201與第二供應管202相互連接。此外，第四供應管207連接至其中一個第二區塊204，以供應流體。第四供應管207也可連接至其中一個第一區塊203。第四供應管207可連接至外部貯存器(圖中未顯示)。

通過將第一供應管201的所述兩個相對端部連接至第二供應管202，可沿長度方向相對均勻地向第一供應管201供應流體，並因而可使噴嘴210噴射流體時的流量變化減小。

根據圖11及12所示實施例的處理模組180可應用於圖6至圖10所示的實施例。

圖13顯示根據本發明另一實施例安裝於表面處理區153中的基底表面處理裝置。

根據圖13所示實施例的處理模組180包括流體噴灑模組180a及空氣噴射模組180b。處理模組180的流體噴灑模組180a包括多個噴灑噴嘴300。

噴灑噴嘴300沿基底10的長度方向設置，並被設置成一次向整個基底10噴灑第一流體至第三流體中的一種流體。圖12所示處理模組180的噴灑噴嘴300可排列成多個列。

在上述結構中，流體噴灑模組180a可以是固定的，且流體可一次噴灑到整個基底10上。在此種情形中，需要向基底10選擇性地噴灑第一流體至第三流體。

此外，空氣噴射模組180b可沿基底10的表面移動並向基底10噴射流體切割空氣。

在噴灑噴嘴300固定的同時，基底10可來回移動。此處，基底10的移動距離可等於或大於各噴灑噴嘴300之間的間距，因此流體可均勻地噴灑於基底10的表面上。

儘管圖13顯示所有噴灑噴嘴300均通過第一開啟/關閉閥36至第三開啟/關閉閥56而連接至第一貯存器35至第三貯存器55，然而本發明並非僅限於此。如圖14所示，第一貯存器35至第三貯存器55可分別連接至第一噴灑噴嘴301至第三噴灑噴嘴303。此處，第一噴灑噴嘴301至第三噴灑噴嘴303可交錯排列。在此種情形中，基底10移動的距離可等於或大於第一噴灑噴嘴301與第二噴灑噴嘴302之間的間距或者第二噴灑噴嘴302與第三噴灑噴嘴303之間的間距。

此外，儘管圖中未顯示，然而這些噴灑噴嘴300中的一部分可連接至第一貯存器35至第三貯存器55中的兩個，而這些噴灑噴嘴300中的另一部分可連接至第一貯存器35至第三貯存器55中的剩餘的一個。

此外，儘管在圖13及圖14所示的兩個實施例中均設置空氣噴射模組180b，然而本發明並非僅限於此。如圖15所示，即使沒有空氣噴射模組180b，也可簡單地通過使基底10傾斜一預定角度而移除在基底10的表面上殘留的流體。此處，傾斜角度可為5°。儘管圖15顯示其中省略空氣噴射模組180b的與圖14所示結構相對應的結構，然而本發明並非僅限於此。儘管圖中未顯示，然而在圖13所示實施例中也可省略空氣噴射模組180b。以下，將對傾斜系統進行詳細說明。

儘管在圖13所示實施例中將各噴灑噴嘴300設置成多個列，然而噴灑噴嘴300也可如圖16所示設置成單個列。圖12所示處理模組180的各噴灑噴嘴300可設置成單個列。

在所述結構中，基底10來回移動的距離增大。例如，基底10可來回移動一等於或大於基底10的長度的距離，以使流體可充分地供應於基底10的表面上。然而，本發明並非僅限於此，且在此種情形中，噴灑噴嘴300可在基底10的長度方向上線性地來回移動。

在圖16所示實施例中，第一貯存器35至第三貯存器55通過第一開啟/關閉閥36至第三開啟/關閉閥56而連接至排列成單個列的噴灑噴嘴300。然而，本發明並非僅限於此。如圖17所示，第一貯存器35至第三貯存器55可分別連接至排列成單個列的第一噴灑噴嘴301及第三噴灑噴嘴303。此處，第一噴灑噴嘴301至第三噴灑噴嘴303可交錯排列。

在圖16及圖17所示實施例中，可通過使基底10傾斜一預定角度而在無空氣噴射模組的情況下移除殘留於基底10的表面上的流體。然而，本發明並非僅限於此。如圖13及圖14所示的實施例中所示，空氣噴射模組180b可向基底10的表面噴射流體切割空氣。

如圖1所示的基底表面處理裝置如下文所述執行表面處理。

首先，由傳送機器人(圖中未顯示)通過入口111將基底10載送至第一處理腔室110中，基底10在被傳送經過載入區151及預潤濕區152時被預處理。

載入區151的第一驅動輥144使基底10沿第一方向X1(在圖1中為向右的方向)水平移動。此處，可由設置於載入區151中的第一等離子體供應單元161對基底10的表面進行等離子體處理。

接下來，由第一處理腔室110的第二驅動輥145使基底10在預潤濕區152中水平移動。

在預潤濕區152中，由第二等離子體供應單元162對基底10進行等離子體處理，並由預潤濕單元152潤濕基底10的表面。

隨著第二驅動輥145沿第一方向X1進一步移動基底10，基底10經過基底入口121並被載送至表面處理區153中，表面處理區153處於第二處理腔室120中。此處，在第二處理腔室120中，第二水平傳送單元142被提升至對應於基底入口121的位置，且基底10通過第二水平傳送單元142的第二驅動輥145而沿第一方向X1水平移動，並被設置於第二水平傳送單元142上。

接下來，由垂直傳送單元150向下移動第二水平傳送單元142。

在表面處理區153中，由處理模組180處理基底10的表面。處理模組180選擇性地提供第一流體至第三流體至基底10的表面。換句話說，處理模組180可向基底10的表面噴灑第一流體及/或第二流體與第三流體的適宜組合，其中第一流體及/或第二流體用於蝕刻基底10的表面上的氧化矽膜及/或矽膜。第一流體至第三流體的組合如上文所述。

此處，在提供第一流體至第三流體的選擇性組合的同時，也可提供流體切割空氣至基底10。第一流體至第三流體與流體切割空氣的選擇性組合如上文所述。

在完成表面處理區153中的處理之後，第二水平傳送單元142沿與第一方向X1相對的第二方向X2傳送基底10，且基底10通過基底出口122而被載送出第二處理腔室120並被載送至第三處理腔室130的沖洗區154中。

當基底10被載送出第二處理腔室120時，基底10可經過由空氣噴射模組167所形成的空氣簾，以移除殘留於基底10的表面上的流體。

在第三處理腔室130中，第三水平傳送單元143沿第二方向X2進一步傳送基底10。

在沖洗區154中，將去離子水噴灑於基底10的表面上，由此對基底10的表面進行清潔。詳言之，第一沖洗單元164及第二沖洗單元165向被載送出第二處理腔室120的基底110的表面噴灑去離子水，以便不會有蝕刻劑殘留於基底10的表面上。設置於第一沖洗單元164與第二沖洗單元165之間的水噴射單元166通過以高壓向基底10的表面噴射水來清潔基底10的表面。

接下來，沿第二方向X2進一步移動基底10，以將基底10傳送至乾燥區155。在乾燥區155中，通過乾燥製程來移除基底10的表面上的水分。詳言之，乾燥單元167的噴嘴單元移動並移除基底10的表面上的水分。

接下來，基底10沿第二方向X2進一步移動，然後經過卸載區156，並通過出口131被排出。

當基底10被載送至系統100內時，第一處理腔室110上的第一風扇過濾單元114、第二處理腔室120上的第二風扇過濾單元124及第三處理腔室130上的第三風扇過濾單元134被同時地及/或依序地驅動，以使系統100的內部保持清潔並防止微粒附著至基底10的表面上。

根據本發明的基底表面處理系統及基底表面處理方法，對基底10的表面進行的處理是總體上以U形進行的。因此，與直列式系統相比，根據本發明的基底表面處理系統可具有明顯更緻密的結構，因此可減小基底表面處理系統的安裝所用的空間。

圖18顯示根據本發明另一實施例的基底表面處理系統。根據圖18所示實施例的基本配置相同於根據圖1所示實施例的配置。

然而，在本實施例中，表面處理區153不位於第二處理腔室120中，而是位於第三處理腔室130中。因此，第二處理腔室120僅用作方向轉換區，且被載送出第二處理腔室120的基底10沿第二方向X2傳送並依序經過表面處理區153、沖洗區154、乾燥區155及卸載區156。

圖19顯示根據本發明另一實施例的基底表面處理系統。根據圖19所示實施例的基本配置相同於根據圖1所示實施例的配置。

然而，在本實施例中，設置於第二處理腔室120中的垂直傳送單元150包括傾斜驅動單元。

在圖19中，基底10被載送至第二處理腔室120中。如圖20A所示，基底10沿第一方向X1水平移動。此處，基底10處於第一位置P1，在第一位置P1上，基底10的表面平行於地面。接著，隨著基底10垂直向下移動，傾斜驅動單元使基底10傾斜，以在基底10的表面與地面之間形成銳角θ。此處，基底10傾斜成在基底10的表面與方向Y之間形成銳角θ，其中方向Y是垂直於第一方向X1的方向。在基底10如上所述傾斜的第二位置P2上，基底10沿第二方向X2水平移動並被載送出第二處理腔室120。

圖21顯示安裝於第二處理腔室120中的第二水平傳送單元142及垂直傳送單元150。

如圖21所示，如在圖4所示實施例中一樣，第二水平傳送單元142包括框架146。然而，用於支撐基底10的側面的支撐滾輪148安裝於第一框架146a及第二框架146b的頂面上。此外，支撐滾輪148也安裝於第四框架146d的頂面上。

垂直傳送單元150包括附接至第一框架146a的底部的第一垂直傳送單元150a及附接至第二框架146b的底部的第二垂直傳送單元150b。

在如圖19所示實施例中一樣垂直傳送單元150也用作傾斜驅動單元的情形中，垂直傳送單元150可將基底10向下移動並同時使基底10傾斜，如圖20A所示。換句話說，若當垂直傳送單元150使基底10向下移動時第一垂直傳送單元150a的收縮大於第二垂直傳送單元150b，則基底10可自然地位於第二位置P2，如圖20A所示。在此種情形中，由於第一框架146a的頂面上的支撐滾輪148，基底10不會進一步向下移動。

在此種狀態下，若第二驅動輥145旋轉，則基底10沿第二方向X2水平運動，如圖20A所示。

如上所述用作傾斜驅動單元的垂直傳送單元150可進一步形成於第三水平傳送單元143的至少一部分中，如圖19所示。換句話說，可在表面處理區153及沖洗區154中在第三水平傳送單元143中安裝也用作傾斜驅動單元的垂直傳送單元。此外，也可在乾燥區155中安裝也用作傾斜驅動單元的垂直傳送單元。

在根據本發明另一實施例的基底表面處理系統中，在第一位置P1處被載送至第二處理腔室120中的基底10向下移動並同時傾斜，其傾斜至第二位置P2，並被載送出第二處理腔室120。

接下來，如圖20B所示，在第三處理腔室130中使基底10向回傾斜至第一位置P1。此處，如圖19所示，位置調整單元171設置於第三處理腔室130的表面處理區153的底部附近，因而可調整基底10的位置。位置調整單元171包括向上突出的多個銷172，並可通過單獨的垂直傳送單元(圖中未顯示)而沿垂直方向向上及向下移動。

位置調整單元171可穩定地支撐基底10，這是因為當基底10在表面處理區153中向回傾斜至第一位置P1時，銷172直接支撐基底10的底部。此處，基底10可僅通過自第二位置P2傾斜至第一位置P1而容置於銷172上，而無需向上及向下移動位置調整單元171。

當完成表面處理區153中的處理且基底10被傳送至沖洗區154時，基底10向回傾斜至第二位置P2，然後被水平地傳送至第二位置P2，並經過至少沖洗區154。

基底10可在乾燥區155中傾斜至第二位置P2。然而，本發明並非僅限於此，且基底100可向回傾斜至第一位置P1並被水平地傳送。

基底10在卸載區156中傾斜至第一位置P1，並可通過出口131被排出。

若基底10是大型基底，則如上所述使基底10傾斜會非常有效。

換句話說，若基底10是大型基底，則搬運基底10會頗為困難且流體可能會聚集於基底10的表面上。在基底10傾斜並被載送至表面處理區153中之後，當基底10向回傾斜至第一位置P1時，基底10被自然地容置於位置調整單元171的銷上，因而可立即執行基底表面處理製程而無需調整基底10的位置。如此一來，可縮短總的處理時間。此外，由於是在基底10傾斜至第二位置P2時對基底10執行例如沖洗製程等製程，因而洗滌劑會自然地流動至基底10的表面上，並因此可防止流體聚集於基底10的表面上。

儘管在上述各實施例中基底10僅在第二處理腔室120及第三處理腔室130中的一部分區中傾斜，然而本發明並非僅限於此，且基底10可在第一處理腔室110至第三處理腔室130中一直保持第二位置P2。

通過使基底保持傾斜，可減小設備在基底寬度方向上的尺寸，並由此可減小設備的安裝空間。此外，通過調整傾斜角度θ，可改善大型基底的搬運，且本發明可容易地應用於大型基底。

根據本發明的上述各實施例，基底表面處理系統可被實施成具有雙重堆疊結構，因此基底表面處理系統可變得相對緻密並且在安裝時的空間限制可減小。

此外，所述基底表面處理系統可相對更適用於處理大型基底。

此外，通過使用第一流體及第二流體，可在對多晶矽膜的表面進行清潔的同時對氧化矽膜進行蝕刻，且在蝕刻掉氧化矽膜之後，多晶矽膜的表面的平坦度可得到進一步提高。

此外，可通過在不同時刻提供第一流體及第二流體來控制由作為蝕刻劑的第一流體及第二流體所引起的蝕刻。此外，通過在作為不同類型蝕刻劑的第一流體與第二流體之間提供第三流體，可通過第三流體的緩衝功能而精確地控制蝕刻，因此可防止由於第一流體與第二流體混合而造成不期望的蝕刻速率以及因不期望的蝕刻速率而造成生產率降低。

此外，通過提供流體切割空氣而自基底表面移除第一流體至第三流體中的至少一者，可防止第一流體至第三流體中的至少兩種流體在基底表面上混合，由此可獲得最初所需的蝕刻精度。

儘管上文已參照本發明的實例性實施例而具體顯示及闡述了本發明，然而，所屬領域的一般技術人員將理解，可在不背離由權利要求書所界定的本發明精神及範圍的條件下對其作出形式及細節上的各種改動。

10‧‧‧基底

11‧‧‧基座基底

12‧‧‧矽膜

13‧‧‧氧化矽膜

35‧‧‧第一貯存器

36‧‧‧第一開啟/關閉閥

45‧‧‧第二貯存器

55‧‧‧第三貯存器

56‧‧‧第三開啟/關閉閥

56a‧‧‧第三開啟/關閉閥

56b‧‧‧第三開啟/關閉閥

65‧‧‧空氣桶

66‧‧‧第四開啟/關閉閥

70‧‧‧控制單元

100‧‧‧基底表面處理系統

110‧‧‧第一處理腔室

111‧‧‧入口

114‧‧‧第一風扇過濾單元

120‧‧‧第二處理腔室

121‧‧‧基底入口

122‧‧‧基底出口

123‧‧‧側壁

124‧‧‧第二風扇過濾單元

130‧‧‧第三處理腔室

131‧‧‧出口

134‧‧‧第三風扇過濾單元

141‧‧‧第一水平傳送單元

142‧‧‧第二水平傳送單元

143‧‧‧第三水平傳送單元

144‧‧‧第一驅動輥

145‧‧‧第二驅動輥

146‧‧‧框架

146a‧‧‧第一框架

146b‧‧‧第二框架

146c‧‧‧第三框架

146d‧‧‧第四框架

147‧‧‧支撐杆

148‧‧‧支撐滾輪

149a‧‧‧齒輪

149b‧‧‧斜齒輪

150‧‧‧垂直傳送單元

150a‧‧‧第一垂直傳送單元

150b‧‧‧第二垂直傳送單元

151‧‧‧載入區

152‧‧‧預潤濕區

153‧‧‧表面處理區

154‧‧‧沖洗區

155‧‧‧乾燥區

156‧‧‧卸載區

161‧‧‧第一等離子體供應單元

162‧‧‧第二等離子體供應單元

163‧‧‧預潤濕單元

164‧‧‧第一沖洗單元

165‧‧‧第二沖洗單元

166‧‧‧水噴射單元

167‧‧‧乾燥單元

167a‧‧‧噴嘴單元

168‧‧‧噴射模組

171‧‧‧位置調整單元

172‧‧‧銷

180‧‧‧處理模組

180a‧‧‧流體噴灑模組

180b‧‧‧空氣噴射模組

181‧‧‧第一處理模組

182‧‧‧第二處理模組

183‧‧‧第三處理模組

184‧‧‧流體噴灑孔

185‧‧‧流體供應管

186‧‧‧空氣噴射孔

187‧‧‧空氣供應管

188‧‧‧組合托架

190‧‧‧工作流體排放單元

191‧‧‧排放連接器

192‧‧‧排放管

193‧‧‧滾輪

194‧‧‧導管

201‧‧‧第一供應管

202‧‧‧第二供應管

203‧‧‧第一區塊

204‧‧‧第二區塊

206‧‧‧第三供應管

207‧‧‧第四供應管

210‧‧‧噴嘴

300‧‧‧噴灑噴嘴

301‧‧‧第一噴灑噴嘴

302‧‧‧第二噴灑噴嘴

303‧‧‧第三噴灑噴嘴

d₁‧‧‧直徑

d₂‧‧‧直徑

P1‧‧‧第一位置

P2‧‧‧第二位置

X1‧‧‧第一方向

X2‧‧‧第二方向

通過參照附圖詳細說明本發明的實例性實施例，本發明的上述及其他特徵及優點將變得更加一目了然。附圖中：圖1是根據本發明一實施例的基底表面處理系統的示意圖。

圖2A及圖2B分別是顯示第一驅動輥及第二驅動輥的圖。

圖3是圖1所示乾燥單元的平面圖。

圖4是顯示安裝於第一處理腔室中的第一水平傳送單元及垂直傳送單元的圖。

圖5是圖4所示第一水平傳送單元及工作流體排放單元的橫向剖視圖。

圖6至圖10是顯示根據本發明其他實施例的具有處理模組的基底表面處理系統的示意圖。

圖11顯示根據本發明一實施例的處理模組。

圖12顯示根據本發明另一實施例的處理模組。

圖13至圖17是根據本發明其他實施例的基底表面處理系統的示意圖。

圖18顯示根據本發明另一實施例的基底表面處理系統。

圖19顯示根據本發明另一實施例的基底表面處理系統。

圖20A及圖20B是顯示基底的傾斜的圖。

圖21是顯示根據本發明另一實施例的第二水平傳送單元的圖。