TWI601191B - 溼式製程設備 - Google Patents

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TWI601191B TW105131446A TW105131446A TWI601191B TW I601191 B TWI601191 B TW I601191B TW 105131446 A TW105131446 A TW 105131446A TW 105131446 A TW105131446 A TW 105131446A TW I601191 B TWI601191 B TW I601191B
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呂峻杰
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Description

溼式製程設備
本發明關於一種溼式製程設備，尤指一種可對基板進行雙面製程的溼式製程設備。
一般而言，業界多採用溼式製程來對觸控面板的玻璃基板進行加工，溼式製程例如為將玻璃基板經過蝕刻製程進行圖案化的蝕刻或是經過清先製程進行表面清洗等。當玻璃基板在進行上述的溼式製程時，多利用滾輪同時對玻璃基板的板體及從板體延伸的側邊部進行固定與輸送，且利用上噴頭對玻璃基板的上表面噴灑處理液以及利用下噴頭對玻璃基板的下表面噴灑處理液，藉此便可對玻璃基板的上下表面進行溼式製程。然而，當上噴頭與下噴頭分別對玻璃基板噴灑處理液時，所噴灑的處理液容易自玻璃基板的上表面及下表面流失，尤其是玻璃基板的下表面，常因重力作用而使噴灑於下表面的處理液離開玻璃基板的下表面，導致噴灑於下表面的處理液未有足夠的反應時間而影響溼式製程的進行。
因此，本發明提供一種可對基板上下雙面進行有效製程的溼式製程設備，以解決上述問題。
為了達成上述目的，本發明揭露一種溼式製程設備，可用以對一基板進行雙面製程，該基板具有一上表面及一下表面，該下表面相反於該上表面，該溼式製程設備包含一腔體、一輸送機構、一噴灑模組、複數個液浮載板以及一盛盤，該腔體內形成有用以容置該基板的一腔室，該輸送機構對應該基板的一側邊部並用以輸送該基板，該噴灑模組設置於該腔室內並用以對該基板的該上表面噴灑一處理液，該複數個液浮載板設置於該噴灑模組下方並用以對該基板的該下表面噴射該處理液，該盛盤設置於該複數個液浮載板周圍，該盛盤盛裝該處理液，使盛裝於該盛盤之該處理液漫淹該基板的該上表面。
根據本發明其中之一實施方式，該溼式製程設備另包含一升降機構，耦接於該盛盤，該升降機構用以驅動該盛盤至一作用位置，使盛裝於該盛盤之該處理液可漫淹該基板的該上表面。
根據本發明其中之一實施方式，該輸送機構包含複數個導輪組，沿一輸送方向排列設置，該複數個導輪組對應該基板的該側邊部並用以驅動該基板沿該輸送方向或沿相反於該輸送方向之一回復方向移動。
根據本發明其中之一實施方式，各導輪組包含一上滾輪以及一下滾輪，該上滾輪可轉動地抵接該基板的該上表面，該下滾輪可轉動地抵接該基板的該下表面。
根據本發明其中之一實施方式，該腔體形成有連通該腔室的一入口，且該基板經由該入口進入該腔體。
根據本發明其中之一實施方式，該腔體另形成有連通該腔室的一出口，且該基板經由該出口離開該腔體。
根據本發明其中之一實施方式，該溼式製程設備另包含一入口閘門以及一出口閘門，該入口閘門樞接於該腔體鄰近該入口處並用以關蓋該入口，該出口閘門樞接於該腔體鄰近該出口處並用以關蓋該出口。
根據本發明其中之一實施方式，該溼式製程設備另包含一水路模組以及一水路供液泵，該水路模組耦接於該複數個液浮載板，該處理液經由該水路模組由該複數個液浮載板噴出，該水路供液泵連接於該水路模組，該水路供液泵用以供給該處理液至該水路模組。
根據本發明其中之一實施方式，該溼式製程設備另包含一液面感測器以及一控制單元，該液面感測器設置於該盛盤並用以感測盛裝於該盛盤之該處理液的一液面，該控制單元耦接於該液面感測器與該水路供液泵，該控制單元於該液面感測器感測到盛裝於該盛盤之該處理液的該液面時，控制該水路供液泵持續供給該處理液至該水路模組，或控制該水路供液泵停止供給該處理液至該水路模組。
根據本發明其中之一實施方式，該噴灑模組包含複數個水刀噴頭以及一噴灑供液泵，該複數個水刀噴頭設置於該複數個導輪組上方，該噴灑供液泵連接於該複數個水刀噴頭且耦接於該控制單元，該噴灑供液泵用以供給該處理液至該複數個水刀噴頭，其中該控制單元於該液面感測器感測到盛裝於該盛盤之該處理液的該液面時，另控制該噴灑供液泵持續供給該處理液至該複數個水刀噴頭，或另控制該噴灑供液泵停止供給該處理液至該複數個水刀噴頭。
根據本發明其中之一實施方式，該溼式製程設備另包含一液面感測器以及一控制單元，該液面感測器設置於該盛盤並用以感測盛裝於該盛盤之該處理液的一液面，該控制單元耦接於該液面感測器與該輸送機構，該控制單元於該液面感測器感測到盛裝於該盛盤之該處理液的該液面時，控制該輸送機構往復移動該基板。
根據本發明其中之一實施方式，該腔體形成有連通該腔室的一入口，該基板經由該入口進入該腔體，該噴灑模組包含一噴嘴，設置於該腔體鄰近該入口處，該噴嘴於該基板經由該入口進入該腔體時，朝該基板的該上表面噴灑該處理液。
根據本發明其中之一實施方式，該噴灑模組包含複數個水刀噴頭，設置於該複數個導輪組上方，該複數個水刀噴頭於該基板進入該腔體時，朝該基板的該上表面噴灑該處理液。
根據本發明其中之一實施方式，該盛盤用以盛裝該複數個液浮載板噴射且由該下表面滴落的該處理液與該噴灑模組所噴灑的該處理液的至少其中之一。
綜上所述，本發明除利用噴灑模組及液浮載板分別對基板的上表面及下表面施予處理液外，本發明另利用盛盤盛裝液浮載板噴射且由下表面滴落的處理液，使盛裝於盛盤之處理液可漫淹基板。如此一來，本發明便可利用盛盤，使漫淹基板的處理液能持續對基板的上表面及下表面進行雙面製程。有關本發明之前述及其他技術內容、特點與功效，在以下配合參考圖式之實施例的詳細說明中，將可清楚的呈現。
以下實施例中所提到的方向用語，例如：上、下、左、右、前或後等，僅是參考附加圖式的方向。因此，使用的方向用語是用來說明並非用來限制本發明。請參閱第1圖至第3圖，第1圖為本發明第一實施例一溼式製程設備1000的示意圖，第2圖為第1圖所示溼式製程設備1000沿剖面線X-X的剖面示意圖，第3圖為本發明第一實施例溼式製程設備1000的功能方塊示意圖。如第1圖至第3圖所示，溼式製程設備1000可用以對一基板1進行雙面製程，基板1具有一上表面10、相對於上表面10之一下表面11以及一側邊部12。於此實施例中，基板1可為一觸控面板的玻璃基板，而溼式製程設備1000可用以對該玻璃基板進行一溼式製程，該溼式製程例如可為將該玻璃基板經過蝕刻製程進行圖案化的蝕刻或是經過清先製程進行表面清洗等。
另外，溼式製程設備1000包含一腔體2、一輸送機構3、一噴灑模組4、複數個液浮載板5以及一盛盤6，腔體2內形成有一腔室20、一入口21以及一出口22，腔室20可用以容置基板1，入口21與出口22均連通於腔室20，且入口21與出口22位於腔體2的相對兩側壁上，基板1可經由入口21進入腔體2，使基板1能容置於腔室20內，基板1另可經由出口22離開腔體2。進一步地，溼式製程設備1000另包含一入口閘門8以及一出口閘門9，入口閘門8樞接於腔體2鄰近入口21處，出口閘門9樞接於腔體2鄰近出口22處。當基板1經由入口21進入腔體2的腔室20內後，入口閘門8相對腔體2樞轉以關蓋入口21，且出口閘門9相對腔體2樞轉以關蓋出口22，藉此入口閘門8與出口閘門9便可密封腔室20，使基板1能在腔室20進行該溼式製程；而當基板1完成該溼式製程後，入口閘門8相對腔體2樞轉以打開入口21，且出口閘門9相對腔體2樞轉以打開出口22，使完成該溼式製程的基板1能經由出口22離開腔體2，並使另一基板1經由入口21進入腔體2的腔室20內，使另一基板1能進行該溼式製程。
如第1圖至第3圖所示，輸送機構3對應基板1的側邊部12並沿一輸送方向X1或相反於輸送方向X1的一回復方向X2排列。進一步地，輸送機構3包含複數個導輪組30以及一導輪驅動機構(未繪示於圖中)，複數個導輪組30沿輸送方向X1排列設置且部分的導輪組30設置於腔體2的腔室20內，該導輪驅動機構可包含馬達、傳動齒輪、傳動皮帶、傳動桿等且耦接於複數個導輪組30，該導輪驅動機構可用以驅動導輪組30，使導輪組30能將基板1沿如第2圖所示的輸送方向X1移動，或導輪組30另能將基板1沿如第2圖所示的相反於輸送方向X1的回復方向X2移動。於此實施例中，各導輪組30包含一上滾輪301以及一下滾輪302，上滾輪301可轉動地抵接基板1的上表面10，且下滾輪302可轉動地抵接基板1的下表面11，藉此導輪組30便可平穩地將基板1沿輸送方向X1或沿相反於輸送方向X1的回復方向X2輸送。
此外，噴灑模組4設置於腔體2的腔室20內，噴灑模組4可用以對基板1的上表面10噴灑一處理液E。於此實施例中，噴灑模組4可包含複數個水刀噴頭40、一噴灑供液泵41以及一噴嘴42，複數個水刀噴頭40設置於複數個導輪組30上方，噴嘴42設置於腔體2鄰近入口21處，噴灑供液泵41連接於複數個水刀噴頭40及噴嘴42，噴灑供液泵41用以供給處理液E至複數個水刀噴頭40及噴嘴42，使噴嘴42能於基板1經由入口21進入腔體2時，朝基板1的上表面10噴灑處理液E，且使各水刀噴頭40能於基板1進入腔室20後，朝基板1的上表面10噴灑處理液E。值得一提的是，水刀噴頭40與噴嘴42可為一選擇性配置，即本發明溼式製程設備1000可選擇性配置有水刀噴頭40與噴嘴42的至少其中之一，端視實際情況而定。
如第1圖至第3圖所示，複數個液浮載板5設置於噴灑模組4下方，複數個液浮載板5可用以對基板1的下表面11噴射處理液E。此外，溼式製程設備1000可另包含一水路模組A以及一水路供液泵B，水路模組A耦接於複數個液浮載板5，水路供液泵B連接於水路模組A，且水路供液泵B用以供給處理液E至水路模組A，藉此處理液E便能經由水路模組A由複數個液浮載板5噴出。此外，盛盤6設置於複數個液浮載板5周圍並盛裝有處理液E。在實際應用中，盛裝於盛盤6內的處理液E可來自由複數個液浮載板5噴射至基板1的下表面11且由下表面11滴落的處理液E，或是來自噴灑模組4所噴灑的處理液E，即盛盤6可用以盛裝複數個液浮載板5噴射且由下表面11滴落的處理液E與噴灑模組4所噴灑的處理液E的至少其中之一。
除此之外，溼式製程設備1000可另包含一升降機構7、一液面感測器C以及一控制單元D，升降機構7耦接於盛盤6，並用以驅動盛盤6上升或下降。於此實施例中，升降機構7可包含有一馬達及一螺桿，但本發明不受此限。另外，液面感測器C設置於盛盤6並用以感測盛裝於盛盤6之處理液E的一液面，控制單元D耦接於液面感測器C與水路供液泵B。
請參閱第2圖至第5圖，第4圖為本發明第一實施例基板1送入腔室20內的示意圖，第5圖為本發明第一實施例盛盤6位於一作用位置的示意圖。如第2圖至第5圖所示，當欲使用溼式製程設備1000對基板1進行該溼式製程時，輸送機構3可將基板1沿輸送方向X1經由腔體2的入口21送入腔室20內，即基板1是由如第2圖所示的位置經由腔體2的入口21藉由輸送機構3輸送至如第4圖所示的位置，當基板1通過腔體2的入口21時，噴灑模組4的噴嘴42可對基板1的上表面10噴灑處理液E，且在基板1進入腔室20的過程中，噴灑模組4的水刀噴頭40也可對基板1的上表面10噴灑處理液E，藉此基板1便可在進入腔室20的過程中，分別被噴灑模組4的噴嘴42與水刀噴頭40噴灑處理液E，而使得基板1的上表面10佈滿處理液E。另一方面，在基板1進入腔室20的過程中，液浮載板5會對基板1的下表面11噴射處理液E，而由基板1的下表面11滴落的處理液E會由盛盤6盛接。
當基板1藉由輸送機構3輸送至如第4圖所示的位置時，升降機構7可用以驅動盛盤6，使盛盤6由如第4圖所示之位置被抬升至如第5圖所示的該作用位置，此時盛裝於盛盤6之處理液E便可漫淹基板1的上表面10，即當升降機構7驅動盛盤6至該作用位置時，盛裝於盛盤6之處理液E係可漫淹基板1，使整個基板1被浸泡於盛裝於盛盤6之處理液E。如此一來，本發明便可利用盛盤6，使漫淹基板1的處理液E能持續對基板1的上表面10及下表面11進行雙面製程，並使處理液E能有足夠的時間對基板1的上表面10及下表面11進行反應。
值得一提的是，當盛盤6位於如第5圖所示之位置時，滴落於盛盤6內的處理液E會使盛裝於盛盤6之處理液E滿溢至盛盤6的邊緣，此時液面感測器C係可感測到盛裝於盛盤6之處理液E的該液位，進而發出一訊號至控制單元D，藉此控制單元D便可藉由該訊號控制水路供液泵B持續供給處理液E至水路模組A，使液浮載板5不斷地噴射處理液E，或是控制單元D也可藉由該訊號控制水路供液泵B停止供給處理液E至水路模組A，使液浮載板5不再噴射處理液E。至於採用上述何者設計，端視實際需求而定。
請參閱第5圖以及第6圖，第6圖為本發明第二實施例一溼式製程設備1000'的功能方塊示意圖。溼式製程設備1000'與上述溼式製程設備1000的主要不同處在於，溼式製程設備1000'的控制單元D可耦接於噴灑模組4的噴灑供液泵41。如此一來，當盛盤6位於如第5圖所示之位置且控制單元D接收來自液面感測器C所傳來的該訊號時，控制單元D可藉由該訊號控制噴灑供液泵41持續供給處理液E至水刀噴頭40，使水刀噴頭40不斷地噴灑處理液E，或是控制單元D也可藉由該訊號控制噴灑供液泵41停止供給處理液E至水刀噴頭40，使水刀噴頭40不再噴射處理液E。至於採用上述何者設計，端視實際需求而定。
請參閱第5圖以及第7圖，第7圖為本發明第三實施例一溼式製程設備1000''的功能方塊示意圖。溼式製程設備1000''與上述溼式製程設備1000的主要不同處在於，溼式製程設備1000''的控制單元D可耦接於輸送機構3。如此一來，當盛盤6位於如第5圖所示之位置且控制單元D接收來自液面感測器C所傳來的該訊號時，控制單元D可藉由該訊號控制輸送機構3往復移動基板1，使基板1能充分與盛裝於盛盤6之處理液E進行反應。   相較於先前技術，本發明除利用噴灑模組及液浮載板分別對基板的上表面及下表面施予處理液外，本發明另利用盛盤盛裝液浮載板噴射且由下表面滴落的處理液，使盛裝於盛盤之處理液可漫淹基板。如此一來，本發明便可利用盛盤，使漫淹基板的處理液能持續對基板的上表面及下表面進行雙面製程。以上所述僅為本發明之較佳實施例，凡依本發明申請專利範圍所做之均等變化與修飾，皆應屬本發明之涵蓋範圍。
1000、1000'、1000"‧‧‧溼式製程設備
1‧‧‧基板
10‧‧‧上表面
11‧‧‧下表面
12‧‧‧側邊部
2‧‧‧腔體
20‧‧‧腔室
21‧‧‧入口
22‧‧‧出口
3‧‧‧輸送機構
30‧‧‧導輪組
301‧‧‧上滾輪
302‧‧‧下滾輪
4‧‧‧噴灑模組
40‧‧‧水刀噴頭
41‧‧‧噴灑供液泵
42‧‧‧噴嘴
5‧‧‧液浮載板
6‧‧‧盛盤
7‧‧‧升降機構
8‧‧‧入口閘門
9‧‧‧出口閘門
A‧‧‧水路模組
B‧‧‧水路供液泵
C‧‧‧液面感測器
D‧‧‧控制單元
E‧‧‧處理液
X1‧‧‧輸送方向
X2‧‧‧回復方向
X-X‧‧‧剖面線
第1圖為本發明第一實施例溼式製程設備的示意圖。 第2圖為第1圖所示溼式製程設備沿剖面線X-X的剖面示意圖。 第3圖為本發明第一實施例溼式製程設備的功能方塊示意圖。 第4圖為本發明第一實施例基板送入腔室內的示意圖。 第5圖為本發明第一實施例盛盤位於作用位置的示意圖。 第6圖為本發明第二實施例溼式製程設備的功能方塊示意圖。 第7圖為本發明第三實施例溼式製程設備的功能方塊示意圖。
1000‧‧‧溼式製程設備
1‧‧‧基板
10‧‧‧上表面
11‧‧‧下表面
2‧‧‧腔體
20‧‧‧腔室
21‧‧‧入口
22‧‧‧出口
3‧‧‧輸送機構
30‧‧‧導輪組
301‧‧‧上滾輪
302‧‧‧下滾輪
4‧‧‧噴灑模組
40‧‧‧水刀噴頭
41‧‧‧噴灑供液泵
42‧‧‧噴嘴
5‧‧‧液浮載板
6‧‧‧盛盤
7‧‧‧升降機構
8‧‧‧入口閘門
9‧‧‧出口閘門
A‧‧‧水路模組
B‧‧‧水路供液泵
C‧‧‧液面感測器
E‧‧‧處理液
X1‧‧‧輸送方向
X2‧‧‧回復方向

Claims (12)

  1. 一種溼式製程設備，可用以對一基板進行雙面製程，該基板具有一上表面及一下表面，該下表面相反於該上表面，該溼式製程設備包含：一腔體，其內形成有一腔室，該腔室用以容置該基板；一輸送機構，對應該基板的一側邊部，該輸送機構用以輸送該基板；一噴灑模組，設置於該腔室內，該噴灑模組用以對該基板的該上表面噴灑一處理液；複數個液浮載板，設置於該噴灑模組下方，該複數個液浮載板用以對該基板的該下表面噴射該處理液；一盛盤，設置於該複數個液浮載板周圍，該盛盤盛裝該處理液，使盛裝於該盛盤之該處理液漫淹該基板的該上表面；一液面感測器，設置於該盛盤並用以感測盛裝於該盛盤之該處理液的一液面；以及一控制單元，耦接於該液面感測器與該輸送機構，該控制單元於該液面感測器感測到盛裝於該盛盤之該處理液的該液面時，控制該輸送機構往復移動該基板。
  2. 如請求項1所述之溼式製程設備，另包含：一升降機構，耦接於該盛盤，該升降機構用以驅動該盛盤至一作用位置，使盛裝於該盛盤之該處理液可漫淹該基板的該上表面。
  3. 如請求項1所述之溼式製程設備，其中該輸送機構包含：複數個導輪組，沿一輸送方向排列設置，該複數個導輪組對應該基板的該側邊部並用以驅動該基板沿該輸送方向或沿相反於該輸送方向之一回 復方向移動。
  4. 如請求項3所述之溼式製程設備，其中各導輪組包含：一上滾輪，可轉動地抵接該基板的該上表面；以及一下滾輪，可轉動地抵接該基板的該下表面。
  5. 如請求項1所述之溼式製程設備，其中該腔體形成有連通該腔室的一入口，且該基板經由該入口進入該腔體。
  6. 如請求項5所述之溼式製程設備，其中該腔體另形成有連通該腔室的一出口，且該基板經由該出口離開該腔體。
  7. 如請求項6所述之溼式製程設備，另包含：一入口閘門，樞接於該腔體鄰近該入口處，該入口閘門用以關蓋該入口；以及一出口閘門，樞接於該腔體鄰近該出口處，該出口閘門用以關蓋該出口。
  8. 如請求項1所述之溼式製程設備，另包含：一水路模組，耦接於該複數個液浮載板，該處理液經由該水路模組由該複數個液浮載板噴出；以及一水路供液泵，連接於該水路模組，該水路供液泵用以供給該處理液至該水路模組。
  9. 如請求項8所述之溼式製程設備，其中該噴灑模組包含：複數個水刀噴頭，設置於該輸送機構上方；以及一噴灑供液泵，連接於該複數個水刀噴頭且耦接於該控制單元，該噴灑供液泵用以供給該處理液至該複數個水刀噴頭，其中該控制單元於該液面感測器感測到盛裝於該盛盤之該處理液的該液面時，另控制該噴灑供液泵持續供給該處理液至該複數個水刀噴頭，或另控制該噴灑供液泵停止供給該處理液至該複數個水刀噴頭。
  10. 如請求項1所述之溼式製程設備，其中該腔體形成有連通該腔室的一入口，該基板經由該入口進入該腔體，該噴灑模組包含：一噴嘴，設置於該腔體鄰近該入口處，該噴嘴於該基板經由該入口進入該腔體時，朝該基板的該上表面噴灑該處理液。
  11. 如請求項1所述之溼式製程設備，其中該噴灑模組包含：複數個水刀噴頭，設置於該輸送機構上方，該複數個水刀噴頭於該基板進入該腔體時，朝該基板的該上表面噴灑該處理液。
  12. 如請求項1所述之溼式製程設備，其中該盛盤用以盛裝該複數個液浮載板噴射且由該下表面滴落的該處理液與該噴灑模組所噴灑的該處理液的至少其中之一。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI601191B (zh) * 2016-09-30 2017-10-01 盟立自動化股份有限公司 溼式製程設備

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWM422745U (en) * 2011-05-18 2012-02-11 Gallant Prec Machining Co Ltd Substrate surface treating apparatus
TWM486137U (zh) * 2014-03-12 2014-09-11 Ssa Wet Technology Co Ltd 表面處理設備
TWM528515U (zh) * 2016-06-02 2016-09-11 盟立自動化股份有限公司 溼式製程設備
TWM538508U (zh) * 2016-09-30 2017-03-21 盟立自動化股份有限公司 溼式製程設備

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1195248C (zh) * 2001-11-13 2005-03-30 铼宝科技股份有限公司 有机电激发光的图素定义层的显影装置
JP2004214490A (ja) * 2003-01-07 2004-07-29 Tokyo Kakoki Kk 洗浄装置
JP2006019525A (ja) * 2004-07-01 2006-01-19 Future Vision:Kk 基板処理装置
JP4975169B1 (ja) * 2011-02-10 2012-07-11 株式会社Ｎｓｃ ガラス基板の製造方法及びその装置
JP5798505B2 (ja) * 2011-04-27 2015-10-21 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置および基板処理方法
TW201308500A (zh) * 2011-08-05 2013-02-16 Mmtech Co Ltd 具有緻密結構之基底表面處理系統以及基底表面處理方法
TWI601191B (zh) * 2016-09-30 2017-10-01 盟立自動化股份有限公司 溼式製程設備

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWM422745U (en) * 2011-05-18 2012-02-11 Gallant Prec Machining Co Ltd Substrate surface treating apparatus
TWM486137U (zh) * 2014-03-12 2014-09-11 Ssa Wet Technology Co Ltd 表面處理設備
TWM528515U (zh) * 2016-06-02 2016-09-11 盟立自動化股份有限公司 溼式製程設備
TWM538508U (zh) * 2016-09-30 2017-03-21 盟立自動化股份有限公司 溼式製程設備

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