CN206098361U - 湿式制程设备 - Google Patents

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Abstract

本实用新型公开了一种湿式制程设备,包含一腔体、一输送机构、一喷洒模块、多个液浮载板以及一盛盘,所述腔体内形成有用以容置一基板的一腔室,所述输送机构对应所述基板的一侧边部并用以输送所述基板,所述喷洒模块设置在所述腔室内并用以对所述基板的一上表面喷洒一处理液,所述多个液浮载板设置在所述喷洒模块下方并用以对所述基板的一下表面喷射所述处理液,所述盛盘设置在所述多个液浮载板周围,所述盛盘盛装所述处理液,使盛装在所述盛盘的所述处理液漫淹所述基板的所述上表面。

Description

湿式制程设备
技术领域
本实用新型涉及一种湿式制程设备,特别涉及一种可对基板进行双面制程的湿式制程设备。
背景技术
一般而言,业界多采用湿式制程来对触控面板的玻璃基板进行加工,湿式制程例如为将玻璃基板经过蚀刻制程进行图案化的蚀刻或是经过清先制程进行表面清洗等。当玻璃基板在进行上述的湿式制程时,多利用滚轮同时对玻璃基板的板体及从板体延伸的侧边部进行固定与输送,且利用上喷头对玻璃基板的上表面喷洒处理液以及利用下喷头对玻璃基板的下表面喷洒处理液,借此便可对玻璃基板的上下表面进行湿式制程。然而,当上喷头与下喷头分别对玻璃基板喷洒处理液时,所喷洒的处理液容易自玻璃基板的上表面及下表面流失,尤其是玻璃基板的下表面,常因重力作用而使喷洒在下表面的处理液离开玻璃基板的下表面,导致喷洒在下表面的处理液未有足够的反应时间而影响湿式制程的进行。
实用新型内容
因此,本实用新型提供一种可对基板上下双面进行有效制程的湿式制程设备,以解决上述问题。
为了达成上述目的,本实用新型揭露一种湿式制程设备,可用以对一基板进行双面制程,所述基板具有一上表面及一下表面,所述下表面相反于所述上表面,所述湿式制程设备包含一腔体、一输送机构、一喷洒模块、多个液浮载板以及一盛盘,所述腔体内形成有用以容置所述基板的一腔室,所述输送机构对应所述基板的一侧边部并用以输送所述基板,所述喷洒模块设置在所述腔室内并用以对所述基板的所述上表面喷洒一处理液,所述多个液浮载板设置在所述喷洒模块下方并用以对所述基板的所述下表面喷射所述处理液,所述盛盘设置在所述多个液浮载板周围,所述盛盘盛装所述处理液,使盛装在所述盛盘的所述处理液漫淹所述基板的所述上表面。
根据本实用新型其中之一实施方式,所述湿式制程设备还包含一升降机构,耦接于所述盛盘,所述升降机构用以驱动所述盛盘至一作用位置,使盛装在所述盛盘的所述处理液可漫淹所述基板的所述上表面。
根据本实用新型其中之一实施方式,所述输送机构包含多个导轮组,沿一输送方向排列设置,所述多个导轮组对应所述基板的所述侧边部并用以驱动所述基板沿所述输送方向或沿相反于所述输送方向的一回复方向移动。
根据本实用新型其中之一实施方式,各导轮组包含一上滚轮以及一下滚轮,所述上滚轮可转动地抵接所述基板的所述上表面,所述下滚轮可转动地抵接所述基板的所述下表面。
根据本实用新型其中之一实施方式,所述腔体形成有连通所述腔室的一入口,且所述基板通过所述入口进入所述腔体。
根据本实用新型其中之一实施方式,所述腔体还形成有连通所述腔室的一出口,且所述基板通过所述出口离开所述腔体。
根据本实用新型其中之一实施方式,所述湿式制程设备还包含一入口闸门以及一出口闸门,所述入口闸门枢接于所述腔体邻近所述入口处并用以关盖所述入口,所述出口闸门枢接于所述腔体邻近所述出口处并用以关盖所述出口。
根据本实用新型其中之一实施方式,所述湿式制程设备还包含一水路模块以及一水路供液泵,所述水路模块耦接于所述多个液浮载板,所述处理液通过所述水路模块由所述多个液浮载板喷出,所述水路供液泵连接于所述水路模块,所述水路供液泵用以供给所述处理液至所述水路模块。
根据本实用新型其中之一实施方式,所述湿式制程设备还包含一液面传感器以及一控制单元,所述液面传感器设置在所述盛盘并用以感测盛装在所述盛盘的所述处理液的一液面,所述控制单元耦接于所述液面传感器与所述水路供液泵,所述控制单元在所述液面传感器感测到盛装在所述盛盘的所述处理液的所述液面时,控制所述水路供液泵持续供给所述处理液至所述水路模块,或控制所述水路供液泵停止供给所述处理液至所述水路模块。
根据本实用新型其中之一实施方式,所述喷洒模块包含多个水刀喷头以及一喷洒供液泵,所述多个水刀喷头设置在所述多个导轮组上方,所述喷洒供液泵连接于所述多个水刀喷头且耦接于所述控制单元,所述喷洒供液泵用以供给所述处理液至所述多个水刀喷头,其中所述控制单元在所述液面传感器感测到盛装在所述盛盘的所述处理液的所述液面时,还控制所述喷洒供液泵持续供给所述处理液至所述多个水刀喷头,或还控制所述喷洒供液泵停止供给所述处理液至所述多个水刀喷头。
根据本实用新型其中之一实施方式,所述湿式制程设备还包含一液面传感器以及一控制单元,所述液面传感器设置在所述盛盘并用以感测盛装在所述盛盘的所述处理液的一液面,所述控制单元耦接于所述液面传感器与所述输送机构,所述控制单元在所述液面传感器感测到盛装在所述盛盘的所述处理液的所述液面时,控制所述输送机构往复移动所述基板。
根据本实用新型其中之一实施方式,所述腔体形成有连通所述腔室的一入口,所述基板通过所述入口进入所述腔体,所述喷洒模块包含一喷嘴,设置在所述腔体邻近所述入口处,所述喷嘴在所述基板通过所述入口进入所述腔体时,朝所述基板的所述上表面喷洒所述处理液。
根据本实用新型其中之一实施方式,所述喷洒模块包含多个水刀喷头,设置在所述多个导轮组上方,所述多个水刀喷头在所述基板进入所述腔体时,朝所述基板的所述上表面喷洒所述处理液。
根据本实用新型其中之一实施方式,所述盛盘用以盛装所述多个液浮载板喷射且由所述下表面滴落的所述处理液与所述喷洒模块所喷洒的所述处理液的至少其中之一。
综上所述,本实用新型除利用喷洒模块及液浮载板分别对基板的上表面及下表面施予处理液外,本实用新型还利用盛盘盛装液浮载板喷射且由下表面滴落的处理液,使盛装在盛盘的处理液可漫淹基板。这样一来,本实用新型便可利用盛盘,使漫淹基板的处理液能持续对基板的上表面及下表面进行双面制程。有关本实用新型的前述及其他技术内容、特点与功效,在以下配合参考附图的实施例的详细说明中,将可清楚的呈现。
附图说明
图1为本实用新型第一实施例湿式制程设备的示意图。
图2为图1所示湿式制程设备沿剖面线X-X的剖面示意图。
图3为本实用新型第一实施例湿式制程设备的功能方块示意图。
图4为本实用新型第一实施例基板送入腔室内的示意图。
图5为本实用新型第一实施例盛盘位在作用位置的示意图。
图6为本实用新型第二实施例湿式制程设备的功能方块示意图。
图7为本实用新型第三实施例湿式制程设备的功能方块示意图。
其中,附图标记说明如下:
1000、1000'、1000”湿式制程设备
1 基板
10 上表面
11 下表面
12 侧边部
2 腔体
20 腔室
21 入口
22 出口
3 输送机构
30 导轮组
301 上滚轮
302 下滚轮
4 喷洒模块
40 水刀喷头
41 喷洒供液泵
42 喷嘴
5 液浮载板
6 盛盘
7 升降机构
8 入口闸门
9 出口闸门
A 水路模块
B 水路供液泵
C 液面传感器
D 控制单元
E 处理液
X1 输送方向
X2 回复方向
X-X 剖面线
具体实施方式
以下实施例中所提到的方向用语,例如:上、下、左、右、前或后等,仅是参考附加附图的方向。因此,使用的方向用语是用来说明并非用来限制本实用新型。请参阅图1至图3,图1为本实用新型第一实施例一湿式制程设备1000的示意图,图2为图1所示湿式制程设备1000沿剖面线X-X的剖面示意图,图3为本实用新型第一实施例湿式制程设备1000的功能方块示意图。如图1至图3所示,湿式制程设备1000可用以对一基板1进行双面制程,基板1具有一上表面10、相对于上表面10的一下表面11以及一侧边部12。在此实施例中,基板1可为一触控面板的玻璃基板,而湿式制程设备1000可用以对所述玻璃基板进行一湿式制程,所述湿式制程例如可为将所述玻璃基板经过蚀刻制程进行图案化的蚀刻或是经过清先制程进行表面清洗等。
另外,湿式制程设备1000包含一腔体2、一输送机构3、一喷洒模块4、多个液浮载板5以及一盛盘6,腔体2内形成有一腔室20、一入口21以及一出口22,腔室20可用以容置基板1,入口21与出口22均连通于腔室20,且入口21与出口22位在腔体2的相对两侧壁上,基板1可通过入口21进入腔体2,使基板1能容置在腔室20内,基板1还可通过出口22离开腔体2。进一步地,湿式制程设备1000还包含一入口闸门8以及一出口闸门9,入口闸门8枢接于腔体2邻近入口21处,出口闸门9枢接于腔体2邻近出口22处。当基板1通过入口21进入腔体2的腔室20内后,入口闸门8相对腔体2枢转以关盖入口21,且出口闸门9相对腔体2枢转以关盖出口22,借此入口闸门8与出口闸门9便可密封腔室20,使基板1能在腔室20进行所述湿式制程;而当基板1完成所述湿式制程后,入口闸门8相对腔体2枢转以打开入口21,且出口闸门9相对腔体2枢转以打开出口22,使完成所述湿式制程的基板1能通过出口22离开腔体2,并使另一基板1通过入口21进入腔体2的腔室20内,使另一基板1能进行所述湿式制程。
如图1至图3所示,输送机构3对应基板1的侧边部12并沿一输送方向X1或相反于输送方向X1的一回复方向X2排列。进一步地,输送机构3包含多个导轮组30以及一导轮驱动机构(未绘示在图中),多个导轮组30沿输送方向X1排列设置且部分的导轮组30设置在腔体2的腔室20内,所述导轮驱动机构可包含马达、传动齿轮、传动皮带、传动杆等且耦接于多个导轮组30,所述导轮驱动机构可用以驱动导轮组30,使导轮组30能将基板1沿如图2所示的输送方向X1移动,或导轮组30还能将基板1沿如图2所示的相反于输送方向X1的回复方向X2移动。在此实施例中,各导轮组30包含一上滚轮301以及一下滚轮302,上滚轮301可转动地抵接基板1的上表面10,且下滚轮302可转动地抵接基板1的下表面11,借此导轮组30便可平稳地将基板1沿输送方向X1或沿相反于输送方向X1的回复方向X2输送。
此外,喷洒模块4设置在腔体2的腔室20内,喷洒模块4可用以对基板1的上表面10喷洒一处理液E。在此实施例中,喷洒模块4可包含多个水刀喷头40、一喷洒供液泵41以及一喷嘴42,多个水刀喷头40设置在多个导轮组30上方,喷嘴42设置在腔体2邻近入口21处,喷洒供液泵41连接于多个水刀喷头40及喷嘴42,喷洒供液泵41用以供给处理液E至多个水刀喷头40及喷嘴42,使喷嘴42能在基板1通过入口21进入腔体2时,朝基板1的上表面10喷洒处理液E,且使各水刀喷头40能在基板1进入腔室20后,朝基板1的上表面10喷洒处理液E。值得一提的是,水刀喷头40与喷嘴42可为一选择性配置,即本实用新型湿式制程设备1000可选择性配置有水刀喷头40与喷嘴42的至少其中之一,端视实际情况而定。
如图1至图3所示,多个液浮载板5设置在喷洒模块4下方,多个液浮载板5可用以对基板1的下表面11喷射处理液E。此外,湿式制程设备1000可还包含一水路模块A以及一水路供液泵B,水路模块A耦接于多个液浮载板5,水路供液泵B连接于水路模块A,且水路供液泵B用以供给处理液E至水路模块A,借此处理液E便能通过水路模块A由多个液浮载板5喷出。此外,盛盘6设置在多个液浮载板5周围并盛装有处理液E。在实际应用中,盛装在盛盘6内的处理液E可来自由多个液浮载板5喷射至基板1的下表面11且由下表面11滴落的处理液E,或是来自喷洒模块4所喷洒的处理液E,即盛盘6可用以盛装多个液浮载板5喷射且由下表面11滴落的处理液E与喷洒模块4所喷洒的处理液E的至少其中之一。
除此之外,湿式制程设备1000可还包含一升降机构7、一液面传感器C以及一控制单元D,升降机构7耦接于盛盘6,并用以驱动盛盘6上升或下降。在此实施例中,升降机构7可包含有一马达及一螺杆,但本实用新型不受此限。另外,液面传感器C设置在盛盘6并用以感测盛装在盛盘6的处理液E的一液面,控制单元D耦接于液面传感器C与水路供液泵B。
请参阅图2至图5,图4为本实用新型第一实施例基板1送入腔室20内的示意图,图5为本实用新型第一实施例盛盘6位在一作用位置的示意图。如图2至图5所示,当欲使用湿式制程设备1000对基板1进行所述湿式制程时,输送机构3可将基板1沿输送方向X1通过腔体2的入口21送入腔室20内,即基板1是由如图2所示的位置通过腔体2的入口21借由输送机构3输送至如图4所示的位置,当基板1通过腔体2的入口21时,喷洒模块4的喷嘴42可对基板1的上表面10喷洒处理液E,且在基板1进入腔室20的过程中,喷洒模块4的水刀喷头40也可对基板1的上表面10喷洒处理液E,借此基板1便可在进入腔室20的过程中,分别被喷洒模块4的喷嘴42与水刀喷头40喷洒处理液E,而使得基板1的上表面10布满处理液E。另一方面,在基板1进入腔室20的过程中,液浮载板5会对基板1的下表面11喷射处理液E,而由基板1的下表面11滴落的处理液E会由盛盘6盛接。
当基板1借由输送机构3输送至如图4所示的位置时,升降机构7可用以驱动盛盘6,使盛盘6由如图4所示的位置被抬升至如图5所示的所述作用位置,此时盛装在盛盘6的处理液E便可漫淹基板1的上表面10,即当升降机构7驱动盛盘6至所述作用位置时,盛装在盛盘6的处理液E可漫淹基板1,使整个基板1被浸泡在盛装在盛盘6的处理液E。这样一来,本实用新型便可利用盛盘6,使漫淹基板1的处理液E能持续对基板1的上表面10及下表面11进行双面制程,并使处理液E能有足够的时间对基板1的上表面10及下表面11进行反应。
值得一提的是,当盛盘6位在如图5所示的位置时,滴落在盛盘6内的处理液E会使盛装在盛盘6的处理液E满溢至盛盘6的边缘,此时液面传感器C可感测到盛装在盛盘6的处理液E的所述液位,进而发出一信号至控制单元D,借此控制单元D便可借由所述信号控制水路供液泵B持续供给处理液E至水路模块A,使液浮载板5不断地喷射处理液E,或是控制单元D也可借由所述信号控制水路供液泵B停止供给处理液E至水路模块A,使液浮载板5不再喷射处理液E。至于采用上述何者设计,端视实际需求而定。
请参阅图5以及图6,图6为本实用新型第二实施例一湿式制程设备1000'的功能方块示意图。湿式制程设备1000'与上述湿式制程设备1000的主要不同处在,湿式制程设备1000'的控制单元D可耦接于喷洒模块4的喷洒供液泵41。这样一来,当盛盘6位在如图5所示的位置且控制单元D接收来自液面传感器C所传来的所述信号时,控制单元D可借由所述信号控制喷洒供液泵41持续供给处理液E至水刀喷头40,使水刀喷头40不断地喷洒处理液E,或是控制单元D也可借由所述信号控制喷洒供液泵41停止供给处理液E至水刀喷头40,使水刀喷头40不再喷射处理液E。至于采用上述何者设计,端视实际需求而定。
请参阅图5以及图7,图7为本实用新型第三实施例一湿式制程设备1000”的功能方块示意图。湿式制程设备1000”与上述湿式制程设备1000的主要不同处在,湿式制程设备1000”的控制单元D可耦接于输送机构3。这样一来,当盛盘6位在如图5所示的位置且控制单元D接收来自液面传感器C所传来的所述信号时,控制单元D可借由所述信号控制输送机构3往复移动基板1,使基板1能充分与盛装在盛盘6的处理液E进行反应。
相较现有技术,本实用新型除利用喷洒模块及液浮载板分别对基板的上表面及下表面施予处理液外,本实用新型还利用盛盘盛装液浮载板喷射且由下表面滴落的处理液,使盛装在盛盘的处理液可漫淹基板。这样一来,本实用新型便可利用盛盘,使漫淹基板的处理液能持续对基板的上表面及下表面进行双面制程。
以上所述仅为本实用新型的优选实施例而已,并不用于限制本实用新型,对于本领域的技术人员来说,本实用新型可以有各种更改和变化。凡在本实用新型的精神和原则之内,所作的任何修改、等同替换、改进等,均应包含在本实用新型的保护范围之内。

Claims (14)

1.一种湿式制程设备,可用以对一基板进行双面制程,所述基板具有一上表面及一下表面,所述下表面相反于所述上表面,其特征在于,所述湿式制程设备包含:
一腔体,其内形成有一腔室,所述腔室用以容置所述基板;
一输送机构,对应所述基板的一侧边部,所述输送机构用以输送所述基板;
一喷洒模块,设置在所述腔室内,所述喷洒模块用以对所述基板的所述上表面喷洒一处理液;
多个液浮载板,设置在所述喷洒模块下方,所述多个液浮载板用以对所述基板的所述下表面喷射所述处理液;以及
一盛盘,设置在所述多个液浮载板周围,所述盛盘盛装所述处理液,使盛装在所述盛盘的所述处理液漫淹所述基板的所述上表面。
2.如权利要求1所述的湿式制程设备,其特征在于,还包含:
一升降机构,耦接于所述盛盘,所述升降机构用以驱动所述盛盘至一作用位置,使盛装在所述盛盘的所述处理液可漫淹所述基板的所述上表面。
3.如权利要求1所述的湿式制程设备,其特征在于,所述输送机构包含:
多个导轮组,沿一输送方向排列设置,所述多个导轮组对应所述基板的所述侧边部并用以驱动所述基板沿所述输送方向或沿相反于所述输送方向的一回复方向移动。
4.如权利要求3所述的湿式制程设备,其特征在于,各导轮组包含:
一上滚轮,可转动地抵接所述基板的所述上表面;以及
一下滚轮,可转动地抵接所述基板的所述下表面。
5.如权利要求1所述的湿式制程设备,其特征在于,所述腔体形成有连通所述腔室的一入口,且所述基板通过所述入口进入所述腔体。
6.如权利要求5所述的湿式制程设备,其特征在于,所述腔体还形成有连通所述腔室的一出口,且所述基板通过所述出口离开所述腔体。
7.如权利要求6所述的湿式制程设备,其特征在于,还包含:
一入口闸门,枢接于所述腔体邻近所述入口处,所述入口闸门用以关盖所述入口;以及
一出口闸门,枢接于所述腔体邻近所述出口处,所述出口闸门用以关盖所述出口。
8.如权利要求1所述的湿式制程设备,其特征在于,还包含:
一水路模块,耦接于所述多个液浮载板,所述处理液通过所述水路模块由所述多个液浮载板喷出;以及
一水路供液泵,连接于所述水路模块,所述水路供液泵用以供给所述处理液至所述水路模块。
9.如权利要求8所述的湿式制程设备,其特征在于,还包含:
一液面传感器,设置在所述盛盘并用以感测盛装在所述盛盘的所述处理液的一液面;以及
一控制单元,耦接于所述液面传感器与所述水路供液泵,所述控制单元在所述液面传感器感测到盛装在所述盛盘的所述处理液的所述液面时,控制所述水路供液泵持续供给所述处理液至所述水路模块,或控制所述水路供液泵停止供给所述处理液至所述水路模块。
10.如权利要求9所述的湿式制程设备,其特征在于,所述喷洒模块包含:
多个水刀喷头,设置在所述多个导轮组上方;以及
一喷洒供液泵,连接于所述多个水刀喷头且耦接于所述控制单元,所述喷洒供液泵用以供给所述处理液至所述多个水刀喷头,其中所述控制单元在所述液面传感器感测到盛装在所述盛盘的所述处理液的所述液面时,还控制所述喷洒供液泵持续供给所述处理液至所述多个水刀喷头,或还控制所述喷洒供液泵停止供给所述处理液至所述多个水刀喷头。
11.如权利要求1所述的湿式制程设备,其特征在于,还包含:
一液面传感器,设置在所述盛盘并用以感测盛装在所述盛盘的所述处理液的一液面;以及
一控制单元,耦接于所述液面传感器与所述输送机构,所述控制单元在所述液面传感器感测到盛装在所述盛盘的所述处理液的所述液面时,控制所述输送机构往复移动所述基板。
12.如权利要求1所述的湿式制程设备,其特征在于,所述腔体形成有连通所述腔室的一入口,所述基板通过所述入口进入所述腔体,所述喷洒模块包含:
一喷嘴,设置在所述腔体邻近所述入口处,所述喷嘴在所述基板通过所述入口进入所述腔体时,朝所述基板的所述上表面喷洒所述处理液。
13.如权利要求1所述的湿式制程设备,其特征在于,所述喷洒模块包含:
多个水刀喷头,设置在所述多个导轮组上方,所述多个水刀喷头在所述基板进入所述腔体时,朝所述基板的所述上表面喷洒所述处理液。
14.如权利要求1所述的湿式制程设备,其特征在于,所述盛盘用以盛装所述多个液浮载板喷射且由所述下表面滴落的所述处理液与所述喷洒模块所喷洒的所述处理液的至少其中之一。
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Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1195248C (zh) * 2001-11-13 2005-03-30 铼宝科技股份有限公司 有机电激发光的图素定义层的显影装置
JP2004214490A (ja) * 2003-01-07 2004-07-29 Tokyo Kakoki Kk 洗浄装置
JP2006019525A (ja) * 2004-07-01 2006-01-19 Future Vision:Kk 基板処理装置
JP4975169B1 (ja) * 2011-02-10 2012-07-11 株式会社Nsc ガラス基板の製造方法及びその装置
JP5798505B2 (ja) * 2011-04-27 2015-10-21 株式会社Screenホールディングス 基板処理装置および基板処理方法
TWM422745U (en) * 2011-05-18 2012-02-11 Gallant Prec Machining Co Ltd Substrate surface treating apparatus
TW201308500A (zh) * 2011-08-05 2013-02-16 Mmtech Co Ltd 具有緻密結構之基底表面處理系統以及基底表面處理方法
TWM486137U (zh) * 2014-03-12 2014-09-11 Ssa Wet Technology Co Ltd 表面處理設備
TWM528515U (zh) * 2016-06-02 2016-09-11 盟立自動化股份有限公司 溼式製程設備
TWI601191B (zh) * 2016-09-30 2017-10-01 盟立自動化股份有限公司 溼式製程設備
TWM538508U (zh) * 2016-09-30 2017-03-21 盟立自動化股份有限公司 溼式製程設備

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN107887296A (zh) * 2016-09-30 2018-04-06 盟立自动化股份有限公司 湿式制程设备

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