JP4790451B2 - 基板処理装置 - Google Patents
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Description
本発明は、所謂ローラコンベアによって基板を搬送するとともに、搬送中の基板上に、エッチング液や剥離液などの処理液を供給して、当該基板上面を処理する基板処理装置に関する。
従来、上述した基板処理装置として、例えば、特開２００３−９２２８４号公報に開示されるものが知られている。図１０に示すように、この基板処理装置１００は、受け入れ部１１０，液よけ部１２０，エッチング部１３０，水洗部１４０，移載装置１５０，スピンドライヤ１６０，移載装置１７０及び取り出し部１８０を平面視コの字状に配置して構成され、搬送装置１９０によって受け入れ部１１０に搬入された基板Ｋは、以後、順次、液よけ部１２０，エッチング部１３０，水洗部１４０，移載装置１５０，スピンドライヤ１６０，移載装置１７０，取り出し部１８０を経由することによって所定の処理が行われ、処理後の基板Ｋが搬送装置１９０によって取り出し部１８０から取り出され系外に排出される。
湿式の処理部であるエッチング部１３０は、図１１に示すように、基板Ｋを水平方向に搬送する多数の搬送ローラ１３１を備えており、基板Ｋの搬送ライン上方には、基板Ｋの表面にエッチング液を供給するためのスリットノズル１３３が入口部に、シャワーユニット１３４がその下流側にそれぞれ設けられている。また、出口部には、基板Ｋの表面からエッチング液を除去するためのスリット状のエアノズル１３６が配設されている。
斯くして、このエッチング部１３０では、搬送ローラ１３１によって搬送される基板Ｋが、液よけ部１２０から当該エッチング部１３０内に進入すると、まず、スリットノズル１３３から吐出される膜状のエッチング液が当該基板Ｋの表面に供給され、ついで、シャワーユニット１３４の下方を通過する際に、当該シャワーユニット１３４から吐出されるエッチング液が供給され、これらのエッチング液によって基板Ｋの表面が処理される。
尚、このエッチング部１３０では、搬送ローラ１３１の下方にもシャワーユニット１３８が設けられており、このシャワーユニット１３８から基板Ｋの裏面にもエッチング液が供給されるようになっている。
特開２００３−９２２８４号公報
上述した特開２００３−９２２８４号公報には開示されていないが、このエッチング部１３０における具体的な処理手順としては、基板Ｋの搬送方向先端部がエッチング部１３０に進入したとき、適宜検出手段によりこれを検出して、前記スリットノズル１３３からエッチング液を吐出させ、当該スリットノズル１３３から吐出される膜状のエッチング液を基板Ｋの表面に供給して塗布する。これにより、基板Ｋ表面のエッチング処理が開始される。
そして、スリットノズル１３３から吐出されるエッチング液が塗布されつつ基板Ｋが搬送方向に搬送され、その全てがエッチング部１３０内に搬入されると、エッチング液が基板Ｋの全表面に塗布された状態になる。ついで、この位置にある基板Ｋを別の検出手段によって検出し、検出後、基板Ｋを搬送しつつ、予め設定された処理時間だけ、シャワーユニット１３４からエッチング液を吐出させて基板Ｋの表面に供給し、当該基板Ｋの表面を更にエッチングする。そして、このようにしてエッチング処理を行った後、基板Ｋを出口部からその下流側に排出する。その際、スリット状のエアノズル１３６から噴出される空気流によって、基板Ｋ上のエッチング液が除去される。
尚、シャワーユニット１３４からエッチング液を吐出させて処理を行う際の基板Ｋの動作は、搬送方向下流側に向け、所定の搬送速度で所定距離だけ一様に搬送する順搬送動作と、所定距離の間で搬送方向前後に往復動させる往復動作との２方式があり、従来、処理の内容に応じて、２方式の内から１つの方式が選択的に採用され実施されている。
ところで、上述したように、基板Ｋ表面のエッチングは、当該基板Ｋがエッチング部１３０に進入して、スリットノズル１３３から吐出されるエッチング液が、当該基板Ｋ上に塗布されときから開始され、エッチング部１３０から排出される際に、エアノズル１３６から噴出される空気流によってエッチング液が除去されるまでの間、継続される。
したがって、連続的に搬送される基板Ｋに対して、均一に安定したエッチング処理を行うには、基板Ｋがエッチング部１３０内に搬入されてから排出されるまでの時間、即ち処理時間を各基板Ｋ間で一定にする必要がある。
ところが、上述した従来の装置では、シャワーユニット１３４を用いたエッチング処理については、その処理時間を厳密に制御しているものの、スリットノズル１３３を用いたエッチング処理については、その処理時間を何ら制御しておらず、何らかの原因で、エッチング部１３０内に基板Ｋを搬入する時間が長くなると、スリットノズル１３３を用いたエッチング時間が、標準として設定された時間（基準時間）よりも長くなり、この結果全体のエッチング時間が長くなって、目的としたエッチングの進行度合いよりもよりエッチングが進行するという問題があった。
特に、エッチング部１３０の前工程で高粘度の処理液を使用するような工程を採用した場合には、この前工程の搬送ローラ１３１が高粘度の処理液に曝されて、当該搬送ローラ１３１に処理液が付着するため、基板Ｋと搬送ローラ１３１との間にスリップを生じて、基板Ｋを搬入する時間にバラツキを生じ易く、上述した問題を生じ易い。
また、搬入時間が長くなることは、言い換えれば、基板処理を行うタクトタイムが長くなるということであり、基板の生産効率，生産能力が低下することに帰結する。
本発明は、以上の実情に鑑みなされたもので、基板の搬入時間に遅れが生じても、全体としてのエッチング時間を一定にして、基板間で均一なエッチングを行うことを可能とした基板処理装置の提供を、その目的とする。
上記課題を解決するための本発明は、複数の並設された搬送ローラを有し、該搬送ローラを軸中心に回転させることにより、該搬送ローラ上に載置された基板を搬送する搬送手段と、
前記搬送手段の搬送経路上に設定された処理領域を少なくとも囲むように設けられたカバー体と、
前記カバー体により囲まれた前記処理領域内において、前記搬送ローラの上方に配設された一次処理用の処理液を吐出するノズル及び二次処理用の処理液を吐出するノズルを有し、該各ノズルからそれぞれ処理液を吐出して、前記搬送手段により搬送される基板上に供給する処理液供給手段と、
前記基板の搬送方向先端部が前記処理領域内に進入した位置であり、且つ該基板に対して一次処理を開始する位置として設定された位置に前記基板が到達したことを検出する第１の検出手段と、
前記基板が前記処理領域内に完全に搬入された位置であり、且つ該基板に対して二次処理を開始する位置として設定された位置に前記基板が到達したことを検出する第２の検出手段と、
前記処理領域内における搬送方向下流端に設定された二次処理終了位置に前記基板が到達したことを検出する第３の検出手段と、
前記搬送手段を駆動して、前記処理領域より上流側の前記搬送ローラ上に載置された基板を予め設定された搬入速度で搬送方向下流側に向けて搬送し、基板の搬送方向先端部が処理領域内に進入したことが前記第１の検出手段によって検出されると、前記処理液供給手段のノズルから一次処理用の処理液を基板上に供給して一次処理を行い、ついで、基板が二次処理開始位置に到達したことが前記第２の検出手段によって検出されると、前記処理液供給手段のノズルから二次処理用の処理液を基板上に供給するとともに、前記搬送手段の搬送速度を、予め設定された二次処理用の搬送速度であって、二次処理時間として予め設定された時間で、前記二次処理開始位置から前記二次処理終了位置まで搬送される速度にして前記基板を搬送し、前記基板が二次処理終了位置に到達したことが第３の検出手段によって検出されると、前記搬送手段の搬送速度を予め設定された搬出速度にして、前記基板を処理領域の下流側に搬出させるように、前記搬送手段及び処理液供給手段の作動を制御するように構成された制御装置とを備えた基板処理装置において、
前記制御装置は、更に、前記基板が前記第１の検出手段によって検出されたときから、次に前記第２の検出手段によって検出されるまでの経過時間を搬入時間として計測し、該搬入時間が予め設定された基準搬入時間よりも長いときには、超過時間分だけ前記設定二次処理時間が短くなるような前記二次処理用の搬送速度を算出し、算出した二次処理用の搬送速度で前記基板が搬送されるように前記搬送手段の作動を制御するように構成された基板処理装置に係る。
前記搬送手段の搬送経路上に設定された処理領域を少なくとも囲むように設けられたカバー体と、
前記カバー体により囲まれた前記処理領域内において、前記搬送ローラの上方に配設された一次処理用の処理液を吐出するノズル及び二次処理用の処理液を吐出するノズルを有し、該各ノズルからそれぞれ処理液を吐出して、前記搬送手段により搬送される基板上に供給する処理液供給手段と、
前記基板の搬送方向先端部が前記処理領域内に進入した位置であり、且つ該基板に対して一次処理を開始する位置として設定された位置に前記基板が到達したことを検出する第１の検出手段と、
前記基板が前記処理領域内に完全に搬入された位置であり、且つ該基板に対して二次処理を開始する位置として設定された位置に前記基板が到達したことを検出する第２の検出手段と、
前記処理領域内における搬送方向下流端に設定された二次処理終了位置に前記基板が到達したことを検出する第３の検出手段と、
前記搬送手段を駆動して、前記処理領域より上流側の前記搬送ローラ上に載置された基板を予め設定された搬入速度で搬送方向下流側に向けて搬送し、基板の搬送方向先端部が処理領域内に進入したことが前記第１の検出手段によって検出されると、前記処理液供給手段のノズルから一次処理用の処理液を基板上に供給して一次処理を行い、ついで、基板が二次処理開始位置に到達したことが前記第２の検出手段によって検出されると、前記処理液供給手段のノズルから二次処理用の処理液を基板上に供給するとともに、前記搬送手段の搬送速度を、予め設定された二次処理用の搬送速度であって、二次処理時間として予め設定された時間で、前記二次処理開始位置から前記二次処理終了位置まで搬送される速度にして前記基板を搬送し、前記基板が二次処理終了位置に到達したことが第３の検出手段によって検出されると、前記搬送手段の搬送速度を予め設定された搬出速度にして、前記基板を処理領域の下流側に搬出させるように、前記搬送手段及び処理液供給手段の作動を制御するように構成された制御装置とを備えた基板処理装置において、
前記制御装置は、更に、前記基板が前記第１の検出手段によって検出されたときから、次に前記第２の検出手段によって検出されるまでの経過時間を搬入時間として計測し、該搬入時間が予め設定された基準搬入時間よりも長いときには、超過時間分だけ前記設定二次処理時間が短くなるような前記二次処理用の搬送速度を算出し、算出した二次処理用の搬送速度で前記基板が搬送されるように前記搬送手段の作動を制御するように構成された基板処理装置に係る。
この基板処理装置によれば、処理領域より上流側の搬送ローラ上に載置された基板が、予め設定された搬入速度で搬送方向下流側に向けて搬送され、処理領域内に搬入される。そして、基板が処理領域内に進入したことが第１の検出手段によって検出されると、この基板上に一次処理用の処理液が供給されて一次処理が開始されるとともに、この第１の検出手段によって検出されたときから、次に第２の検出手段によって検出されるまでの経過時間が搬入時間として計測される。
そして、基板が二次処理開始位置に到達したことが第２の検出手段により検出されると、基板上に二次処理用の処理液が供給されて二次処理が開始されるとともに、計測した搬入時間が予め設定された基準搬入時間以内である場合には、予め設定された二次処理用の搬送速度であって、二次処理時間として予め定められた時間で二次処理開始位置から二次処理終了位置まで搬送される速度で基板が搬送され、一方、計測した搬入時間が基準搬入時間よりも長いときには、超過時間分だけ二次処理時間が短くなるような処理用の搬送速度が算出され、算出された搬送速度で基板が搬送される。
そして、第３の検出手段によって、基板が二次処理終了位置に到達したことが検出されると、予め設定された搬出速度で、処理領域の下流側に向けて基板が搬出される。
このように、この基板処理装置によれば、基板が処理領域内に進入し、処理液が当該基板上に供給されて一次処理が開始されてから、基板が処理領域内に完全に搬入され、次の二次処理が開始されるまでの間の基板搬入時間が計測され、この基板搬入時間が予め設定された基準搬入時間よりも長いときには、超過時間分だけ二次処理時間が短縮される。
したがって、基板搬入時間が基準搬入時間より超過した場合であっても、一次処理時間と二次処理時間とを合わせた全体の処理時間を、基準搬入時間内で搬入された基板と同じ処理時間にすることができ、各基板に対して均一な処理を行うことができる。また、全体の処理時間を一定にすることができるので、言い換えれば、基板処理のタクトタイムを一定にすることができるので、基板の生産効率や生産能力が低下するのを防ぐことができる。
また、本発明は、複数の並設された搬送ローラを有し、該搬送ローラを軸中心に回転させることにより、該搬送ローラ上に載置された基板を搬送する搬送手段と、
前記搬送手段の搬送経路上に設定された処理領域を少なくとも囲むように設けられたカバー体と、
前記カバー体により囲まれた前記処理領域内において、前記搬送ローラの上方に配設された一次処理用の処理液を吐出するノズル及び二次処理用の処理液を吐出するノズルを有し、該各ノズルからそれぞれ処理液を吐出して、前記搬送手段により搬送される基板上に供給する処理液供給手段と、
前記基板の搬送方向先端部が前記処理領域内に進入した位置であり、且つ該基板に対して一次処理を開始する位置として設定された位置に前記基板が到達したことを検出する第１の検出手段と、
前記基板が前記処理領域内に完全に搬入された位置であり、且つ該基板に対して二次処理を開始する位置として設定された位置に前記基板が到達したことを検出する第２の検出手段と、
前記搬送手段を駆動して、前記処理領域より上流側の前記搬送ローラ上に載置された基板を予め設定された搬入速度で搬送方向下流側に向けて搬送し、基板の搬送方向先端部が処理領域内に進入したことが前記第１の検出手段によって検出されると、前記処理液供給手段のノズルから一次処理用の処理液を基板上に供給して一次処理を行い、ついで、基板が二次処理開始位置に到達したことが前記第２の検出手段によって検出されると、前記処理液供給手段のノズルから二次処理用の処理液を基板上に供給し、且つ前記搬送手段の搬送速度を、予め設定された二次処理用の搬送速度であって、二次処理時間として予め設定された時間で、前記二次処理開始位置から前記処理領域内における搬送方向下流端に設定された二次処理終了位置まで搬送される速度にして前記基板を搬送するとともに、基板が前記第２の検出手段によって検出されたときからの経過時間を実処理時間として計測し、計測した実処理時間が前記設定二次処理時間となったとき、前記搬送手段の搬送速度を予め設定された搬出速度にして、前記基板を処理領域の下流側に搬出させるように、前記搬送手段及び処理液供給手段の作動を制御するように構成された制御装置とを備えた基板処理装置において、
前記制御装置は、更に、前記基板が前記第１の検出手段によって検出されたときから、次に前記第２の検出手段によって検出されるまでの経過時間を搬入時間として計測し、該搬入時間が予め設定された基準搬入時間よりも長いときには、超過時間分だけ前記設定二次処理時間が短くなるような前記二次処理用の搬送速度を算出し、算出した二次処理用の搬送速度で前記基板が搬送されるように前記搬送手段の作動を制御するように構成された基板処理装置に係る。
前記搬送手段の搬送経路上に設定された処理領域を少なくとも囲むように設けられたカバー体と、
前記カバー体により囲まれた前記処理領域内において、前記搬送ローラの上方に配設された一次処理用の処理液を吐出するノズル及び二次処理用の処理液を吐出するノズルを有し、該各ノズルからそれぞれ処理液を吐出して、前記搬送手段により搬送される基板上に供給する処理液供給手段と、
前記基板の搬送方向先端部が前記処理領域内に進入した位置であり、且つ該基板に対して一次処理を開始する位置として設定された位置に前記基板が到達したことを検出する第１の検出手段と、
前記基板が前記処理領域内に完全に搬入された位置であり、且つ該基板に対して二次処理を開始する位置として設定された位置に前記基板が到達したことを検出する第２の検出手段と、
前記搬送手段を駆動して、前記処理領域より上流側の前記搬送ローラ上に載置された基板を予め設定された搬入速度で搬送方向下流側に向けて搬送し、基板の搬送方向先端部が処理領域内に進入したことが前記第１の検出手段によって検出されると、前記処理液供給手段のノズルから一次処理用の処理液を基板上に供給して一次処理を行い、ついで、基板が二次処理開始位置に到達したことが前記第２の検出手段によって検出されると、前記処理液供給手段のノズルから二次処理用の処理液を基板上に供給し、且つ前記搬送手段の搬送速度を、予め設定された二次処理用の搬送速度であって、二次処理時間として予め設定された時間で、前記二次処理開始位置から前記処理領域内における搬送方向下流端に設定された二次処理終了位置まで搬送される速度にして前記基板を搬送するとともに、基板が前記第２の検出手段によって検出されたときからの経過時間を実処理時間として計測し、計測した実処理時間が前記設定二次処理時間となったとき、前記搬送手段の搬送速度を予め設定された搬出速度にして、前記基板を処理領域の下流側に搬出させるように、前記搬送手段及び処理液供給手段の作動を制御するように構成された制御装置とを備えた基板処理装置において、
前記制御装置は、更に、前記基板が前記第１の検出手段によって検出されたときから、次に前記第２の検出手段によって検出されるまでの経過時間を搬入時間として計測し、該搬入時間が予め設定された基準搬入時間よりも長いときには、超過時間分だけ前記設定二次処理時間が短くなるような前記二次処理用の搬送速度を算出し、算出した二次処理用の搬送速度で前記基板が搬送されるように前記搬送手段の作動を制御するように構成された基板処理装置に係る。
この基板処理装置によれば、処理領域より上流側の搬送ローラ上に載置された基板が、予め設定された搬入速度で搬送方向下流側に向けて搬送され、処理領域内に搬入される。そして、基板が処理領域内に進入したことが第１の検出手段によって検出されると、この基板上に一次処理用の処理液が供給されて一次処理が開始されるとともに、この第１の検出手段によって検出されたときから、次に第２の検出手段によって検出されるまでの経過時間が搬入時間として計測される。
そして、基板が二次処理開始位置に到達したことが第２の検出手段により検出されると、基板上に二次処理用の処理液が供給されて二次処理が開始されるとともに、計測した搬入時間が予め設定された基準搬入時間以内である場合には、予め設定された二次処理用の搬送速度であって、二次処理時間として予め設定された時間で、二次処理開始位置から二次処理終了位置まで搬送される速度にして基板が搬送され、一方、計測した搬入時間が基準搬入時間よりも長いときには、超過時間分だけ二次処理時間が短くなるような二次処理用の搬送速度が算出され、算出された搬送速度で基板が搬送される。
そして、基板が第２の検出手段によって検出されたときからの経過時間、即ち、実処理時間が前記設定二次処理時間となったとき、基板は予め設定された搬出速度で、処理領域の下流側に向けて搬出される。
このように、この基板処理装置によれば、基板が処理領域内に進入し、処理液が当該基板上に供給されて一次処理が開始されてから、基板が処理領域内に完全に搬入され、次の二次処理が開始されるまでの間の基板搬入時間が計測され、この基板搬入時間が予め設定された基準搬入時間よりも長いときには、超過時間分だけ二次処理時間が短縮される。
したがって、基板搬入時間が基準搬入時間より超過した場合であっても、一次処理時間と二次処理時間とを合わせた全体の処理時間を、基準搬入時間内で搬入された基板と同じ処理時間にすることができ、各基板に対して均一な処理を行うことができる。また、全体の処理時間を一定にすることができるので、言い換えれば、基板処理のタクトタイムを一定にすることができるので、基板の生産効率や生産能力が低下するのを防ぐことができる。
また、本発明は、複数の並設された搬送ローラを有し、該搬送ローラを軸中心に回転させることにより、該搬送ローラ上に載置された基板を搬送する搬送手段と、
前記搬送手段の搬送経路上に設定された処理領域を少なくとも囲むように設けられたカバー体と、
前記カバー体により囲まれた前記処理領域内において、前記搬送ローラの上方に配設された一次処理用の処理液を吐出するノズル及び二次処理用の処理液を吐出するノズルを有し、該各ノズルからそれぞれ処理液を吐出して、前記搬送手段により搬送される基板上に供給する処理液供給手段と、
前記基板の搬送方向先端部が前記処理領域内に進入した位置であり、且つ該基板に対して一次処理を開始する位置として設定された位置に前記基板が到達したことを検出する第１の検出手段と、
前記基板が前記処理領域内に完全に搬入された位置であり、且つ該基板に対して二次処理を開始する位置として設定された位置に前記基板が到達したことを検出する第２の検出手段と、
前記搬送手段を駆動して、前記処理領域より上流側の前記搬送ローラ上に載置された基板を予め設定された搬入速度で搬送方向下流側に向けて搬送し、基板の搬送方向先端部が処理領域内に進入したことが前記第１の検出手段によって検出されると、前記処理液供給手段のノズルから一次処理用の処理液を基板上に供給して一次処理を行い、ついで、基板が二次処理開始位置に到達したことが前記第２の検出手段によって検出されると、前記処理液供給手段のノズルから二次処理用の処理液を基板上に供給し、且つ前記搬送手段の搬送速度を、予め設定された二次処理用の搬送速度であって、二次処理時間として予め設定された時間で、前記二次処理開始位置から前記処理領域内における搬送方向下流端に設定された二次処理終了位置まで搬送される速度にして前記基板を搬送するとともに、基板が前記第２の検出手段によって検出されたときからの経過時間を実処理時間として計測し、計測した実処理時間が前記設定二次処理時間となったとき、前記搬送手段の搬送速度を予め設定された搬出速度にして、前記基板を処理領域の下流側に搬出させるように、前記搬送手段及び処理液供給手段の作動を制御するように構成された制御装置とを備えた基板処理装置において、
前記制御装置は、更に、前記基板が前記第１の検出手段によって検出されたときから、次に前記第２の検出手段によって検出されるまでの経過時間を搬入時間として計測し、該搬入時間が予め設定された基準搬入時間よりも長いときには、超過時間分だけ前記設定二次処理時間を短縮し、実処理時間が短縮した設定二次処理時間となったとき、前記基板を処理領域の下流側に搬出させるように、前記搬送手段の作動を制御するように構成された基板処理装置に係る。
前記搬送手段の搬送経路上に設定された処理領域を少なくとも囲むように設けられたカバー体と、
前記カバー体により囲まれた前記処理領域内において、前記搬送ローラの上方に配設された一次処理用の処理液を吐出するノズル及び二次処理用の処理液を吐出するノズルを有し、該各ノズルからそれぞれ処理液を吐出して、前記搬送手段により搬送される基板上に供給する処理液供給手段と、
前記基板の搬送方向先端部が前記処理領域内に進入した位置であり、且つ該基板に対して一次処理を開始する位置として設定された位置に前記基板が到達したことを検出する第１の検出手段と、
前記基板が前記処理領域内に完全に搬入された位置であり、且つ該基板に対して二次処理を開始する位置として設定された位置に前記基板が到達したことを検出する第２の検出手段と、
前記搬送手段を駆動して、前記処理領域より上流側の前記搬送ローラ上に載置された基板を予め設定された搬入速度で搬送方向下流側に向けて搬送し、基板の搬送方向先端部が処理領域内に進入したことが前記第１の検出手段によって検出されると、前記処理液供給手段のノズルから一次処理用の処理液を基板上に供給して一次処理を行い、ついで、基板が二次処理開始位置に到達したことが前記第２の検出手段によって検出されると、前記処理液供給手段のノズルから二次処理用の処理液を基板上に供給し、且つ前記搬送手段の搬送速度を、予め設定された二次処理用の搬送速度であって、二次処理時間として予め設定された時間で、前記二次処理開始位置から前記処理領域内における搬送方向下流端に設定された二次処理終了位置まで搬送される速度にして前記基板を搬送するとともに、基板が前記第２の検出手段によって検出されたときからの経過時間を実処理時間として計測し、計測した実処理時間が前記設定二次処理時間となったとき、前記搬送手段の搬送速度を予め設定された搬出速度にして、前記基板を処理領域の下流側に搬出させるように、前記搬送手段及び処理液供給手段の作動を制御するように構成された制御装置とを備えた基板処理装置において、
前記制御装置は、更に、前記基板が前記第１の検出手段によって検出されたときから、次に前記第２の検出手段によって検出されるまでの経過時間を搬入時間として計測し、該搬入時間が予め設定された基準搬入時間よりも長いときには、超過時間分だけ前記設定二次処理時間を短縮し、実処理時間が短縮した設定二次処理時間となったとき、前記基板を処理領域の下流側に搬出させるように、前記搬送手段の作動を制御するように構成された基板処理装置に係る。
この基板処理装置によれば、処理領域より上流側の搬送ローラ上に載置された基板が、予め設定された搬入速度で搬送方向下流側に向けて搬送され、処理領域内に搬入される。そして、基板が処理領域内に進入したことが第１の検出手段によって検出されると、この基板上に一次処理用の処理液が供給されて一次処理が開始されるとともに、この第１の検出手段によって検出されたときから、次に第２の検出手段によって検出されるまでの間の経過時間が搬入時間として計測される。
そして、基板が二次処理開始位置に到達したことが第２の検出手段により検出されると、基板上に二次処理用の処理液が供給されて二次処理が開始されるとともに、二次処理時間として予め設定された時間で、二次処理開始位置から二次処理終了位置まで搬送される速度にして基板が搬送される。
そして、基板が第２の検出手段によって検出されたときからの経過時間、即ち、実処理時間が前記設定二次処理時間となったとき、基板は予め設定された搬出速度で、処理領域の下流側に向けて搬出される。その際、計測した搬入時間が基準搬入時間よりも長いときには、超過時間分だけ設定二次処理時間が短縮され、実処理時間が短縮された設定二次処理時間となったとき、基板が処理領域の下流側に搬出される。
このように、この基板処理装置によれば、基板が処理領域内に進入し、処理液が当該基板上に供給されて一次処理が開始されてから、基板が処理領域内に完全に搬入され、次の二次処理が開始されるまでの基板搬入時間が計測され、この基板搬入時間が基準搬入時間よりも長いときには、超過時間分だけ二次処理時間が短縮される。
したがって、基板搬入時間が基準搬入時間より超過した場合であっても、一次処理時間と二次処理時間とを合わせた全体の処理時間を、基準搬入時間内で搬入された基板と同じ処理時間にすることができ、各基板に対して均一な処理を行うことができる。また、全体の処理時間を一定にすることができるので、言い換えれば、基板処理のタクトタイムを一定にすることができるので、基板の生産効率や生産能力が低下するのを防ぐことができる。
また、本発明は、複数の並設された搬送ローラを有し、該搬送ローラを軸中心に回転させることにより、該搬送ローラ上に載置された基板を搬送する搬送手段と、
前記搬送手段の搬送経路上に設定された処理領域を少なくとも囲むように設けられたカバー体と、
前記カバー体により囲まれた前記処理領域内において、前記搬送ローラの上方に配設された一次処理用の処理液を吐出するノズル及び二次処理用の処理液を吐出するノズルを有し、該各ノズルからそれぞれ処理液を吐出して、前記搬送手段により搬送される基板上に供給する処理液供給手段と、
前記基板の搬送方向先端部が前記処理領域内に進入した位置であり、且つ該基板に対して一次処理を開始する位置として設定された位置に前記基板が到達したことを検出する第１の検出手段と、
前記基板が前記処理領域内に完全に搬入された位置であり、且つ該基板に対して二次処理を開始する位置として設定された位置に前記基板が到達したことを検出する第２の検出手段と、
前記搬送手段を駆動して、前記処理領域より上流側の前記搬送ローラ上に載置された基板を予め設定された搬入速度で搬送方向下流側に向けて搬送し、基板の搬送方向先端部が処理領域内に進入したことが前記第１の検出手段によって検出されると、前記処理液供給手段のノズルから一次処理用の処理液を基板上に供給して一次処理を行い、ついで、基板が二次処理開始位置に到達したことが前記第２の検出手段によって検出されると、前記処理液供給手段のノズルから二次処理用の処理液を基板上に供給し、且つ前記搬送ローラを正逆方向に交互に回転させて、前記基板を搬送方向に前後動させるとともに、基板が前記第２の検出手段によって検出されたときからの経過時間を実処理時間として計測し、計測した実処理時間が処理時間として予め設定された時間となったとき、前記搬送手段の搬送速度を予め設定された搬出速度にして、前記基板を処理領域の下流側に搬出させるように、前記搬送手段及び処理液供給手段の作動を制御するように構成された制御装置とを備えた基板処理装置において、
前記制御装置は、更に、前記基板が前記第１の検出手段によって検出されたときから、次に前記第２の検出手段によって検出されるまでの経過時間を搬入時間として計測し、該搬入時間が予め設定された基準搬入時間よりも長いときには、超過時間分だけ前記設定二次処理時間を短縮し、実処理時間が短縮した設定二次処理時間となったとき、前記基板を処理領域の下流側に搬出させるように、前記搬送手段の作動を制御するように構成された基板処理装置に係る。
前記搬送手段の搬送経路上に設定された処理領域を少なくとも囲むように設けられたカバー体と、
前記カバー体により囲まれた前記処理領域内において、前記搬送ローラの上方に配設された一次処理用の処理液を吐出するノズル及び二次処理用の処理液を吐出するノズルを有し、該各ノズルからそれぞれ処理液を吐出して、前記搬送手段により搬送される基板上に供給する処理液供給手段と、
前記基板の搬送方向先端部が前記処理領域内に進入した位置であり、且つ該基板に対して一次処理を開始する位置として設定された位置に前記基板が到達したことを検出する第１の検出手段と、
前記基板が前記処理領域内に完全に搬入された位置であり、且つ該基板に対して二次処理を開始する位置として設定された位置に前記基板が到達したことを検出する第２の検出手段と、
前記搬送手段を駆動して、前記処理領域より上流側の前記搬送ローラ上に載置された基板を予め設定された搬入速度で搬送方向下流側に向けて搬送し、基板の搬送方向先端部が処理領域内に進入したことが前記第１の検出手段によって検出されると、前記処理液供給手段のノズルから一次処理用の処理液を基板上に供給して一次処理を行い、ついで、基板が二次処理開始位置に到達したことが前記第２の検出手段によって検出されると、前記処理液供給手段のノズルから二次処理用の処理液を基板上に供給し、且つ前記搬送ローラを正逆方向に交互に回転させて、前記基板を搬送方向に前後動させるとともに、基板が前記第２の検出手段によって検出されたときからの経過時間を実処理時間として計測し、計測した実処理時間が処理時間として予め設定された時間となったとき、前記搬送手段の搬送速度を予め設定された搬出速度にして、前記基板を処理領域の下流側に搬出させるように、前記搬送手段及び処理液供給手段の作動を制御するように構成された制御装置とを備えた基板処理装置において、
前記制御装置は、更に、前記基板が前記第１の検出手段によって検出されたときから、次に前記第２の検出手段によって検出されるまでの経過時間を搬入時間として計測し、該搬入時間が予め設定された基準搬入時間よりも長いときには、超過時間分だけ前記設定二次処理時間を短縮し、実処理時間が短縮した設定二次処理時間となったとき、前記基板を処理領域の下流側に搬出させるように、前記搬送手段の作動を制御するように構成された基板処理装置に係る。
この基板処理装置によれば、処理領域より上流側の搬送ローラ上に載置された基板が、予め設定された搬入速度で搬送方向下流側に向けて搬送され、処理領域内に搬入される。そして、基板が処理領域内に進入したことが第１の検出手段によって検出されると、この基板上に一次処理用の処理液が供給されて一次処理が開始されるとともに、この第１の検出手段によって検出されたときから、次に第２の検出手段によって検出されるまでの間の経過時間が搬入時間として計測される。
そして、基板が二次処理開始位置に到達したことが第２の検出手段により検出されると、基板上に二次処理用の処理液が供給されて二次処理が開始されるとともに、基板は搬送方向に前後動せしめられ、計測した搬入時間が予め設定された基準搬入時間以内である場合には、基板が第２の検出手段によって検出されたときからの経過時間、即ち、実処理時間が設定二次処理時間となったとき、基板は予め設定された搬出速度で、処理領域の下流側に向けて搬出される。一方、計測した搬入時間が基準搬入時間よりも長いときには、超過時間分だけ前記設定二時処理時間を短くし、実処理時間が短縮した設定二次処理時間となったとき、基板が搬出される。
このように、この基板処理装置によれば、基板が処理領域内に進入し、処理液が当該基板上に供給され始めて一次処理が開始されてから、基板が処理領域内に完全に搬入され、次の二次処理が開始されるまでの基板搬入時間が計測され、この基板搬入時間が基準搬入時間よりも長いときには、超過時間分だけ二次処理時間が短縮される。
したがって、基板搬入時間が基準搬入時間より超過した場合であっても、一次処理時間と二次処理時間とを合わせた全体の処理時間を、基準搬入時間内で搬入された基板と同じ処理時間にすることができ、各基板に対して均一な処理を行うことができる。また、全体の処理時間を一定にすることができるので、言い換えれば、基板処理のタクトタイムを一定にすることができるので、基板の生産効率や生産能力が低下するのを防ぐことができる。
以上説明したように、本発明に係る基板処理装置では、基板搬入時間が基準搬入時間より超過した場合であっても、全体の処理時間を、基準搬入時間内で搬入された基板と同じ処理時間にすることができ、各基板に対して均一な処理を行うことができる。また、基板処理のタクトタイムを一定にすることができるので、基板の生産効率や生産能力が低下するのを防ぐことができる。
以下、本発明の具体的な実施形態について、図面に基き説明する。図１は、本実施形態に係る基板処理装置の概略構成を示した正断面図であり、図２は、その平面図である。また、図３は、本実施形態に係る基板処理装置の制御関係の構成を示したブロック図である。
図１に示すように、本例の基板処理装置１は、複数の並設された搬送ローラ１１，２１，３１，４１を備え、これら搬送ローラ１１，２１，３１，４１を囲むように設けられたカバー体２を備える。
カバー体２で囲まれた領域は、基板Ｋが通過可能な開口部３ａ，３ａ・・・を有する仕切り板３，３・・・によって４つの領域に区切られ、紙面右から順に搬入準備部１０，第１エッチング部２０，第２エッチング部３０，搬出部４０が形成されている。
前記搬入準備部１０，第１エッチング部２０，第２エッチング部３０，搬出部４０内にそれぞれ位置する搬送ローラ１１，２１，３１，４１は、図３に示すように、それぞれ別に設けられた搬送ローラ駆動モータ１２，２５，３５，４２により別々に駆動されて軸中心正逆方向に回転可能になっており、図１に示す矢示ａ方向（正方向）に回転したとき、上面に載置された基板Ｋを矢示ｃ方向に順搬送し、矢示ｂ方向（逆方向）に回転したとき、矢示ｄ方向に逆搬送する。
また、同図１に示すように、前記第１エッチング部２０内には、基板搬入側の開口部３ａの近傍且つ搬送ローラ２１の上方にスリットノズル２２が配設され、基板搬出側の開口部３ａの近傍且つ搬送ローラ２１の上方にスリットノズル２４が配設され、これらスリットノズル２２，２４間の搬送ローラ２１の上方にスプレーノズル２３が配設されている。
そして、スリットノズル２２からはエッチング液が膜状に吐出され、これがその下方を搬送される基板Ｋ上に塗布される。また、スプレーノズル２３からはエッチング液がシャワー状に吐出され、これが基板Ｋ上面に吹き付けられる。そして、スリットノズル２４からは加圧された空気が吐出され、吐出された空気流によって、その下方を搬送される基板Ｋ上のエッチング液が当該基板Ｋ上から除去される。
尚、スリットノズル２２及びスプレーノズル２３には、加圧されたエッチング液が適宜エッチング液供給源から供給されており、これらスリットノズル２２及びスプレーノズル２３は、それぞれへの供給経路途中に設けられた、図３に示す、エッチング用スリットノズル開閉バルブ２６，エッチング用スプレーノズル開閉バルブ２７によって、それぞれ開閉される。同様に、スリットノズル２４には、加圧された空気が適宜加圧空気供給源から供給されており、このスリットノズル２４は、その供給経路途中に設けられた、図３に示す、エアー用スリットノズル開閉バルブ２８によって開閉される。
前記第２エッチング部３０は、上述した第１エッチング部２０と同じ構成を備えるもので、その内部の基板搬入側の開口部３ａの近傍且つ搬送ローラ３１の上方にスリットノズル３２が配設され、基板搬出側の開口部３ａの近傍且つ搬送ローラ３１の上方にスリットノズル３４が配設され、これらスリットノズル３２，３４間の搬送ローラ３１の上方にスプレーノズル３３が配設された構成を備えている。
そして、スリットノズル３２からはエッチング液が膜状に吐出されて基板Ｋ上に塗布され、スプレーノズル３３からはエッチング液がシャワー状に吐出されて基板Ｋ上面に吹き付けられ、スリットノズル３４からは加圧された空気が吐出され、吐出された空気流によって、基板Ｋ上のエッチング液が除去される。
また、スリットノズル３２及びスプレーノズル３３には、加圧されたエッチング液が適宜エッチング液供給源から供給され、エッチング用スリットノズル開閉バルブ３６，エッチング用スプレーノズル開閉バルブ３７によって、それぞれ開閉される。同様に、スリットノズル３４には、加圧された空気が適宜加圧空気供給源から供給され、エアー用スリットノズル開閉バルブ２８によって開閉される。
図２に示すように、搬入準備部１０内には、順搬送方向（矢示ｃ方向）に、順次、検出センサ１３ａ，１３ｂが配設されている。検出センサ１３ａは、搬入準備部１０内に基板Ｋが有るか無いかを検出し、検出センサ１３ｂは搬入準備部１０内において基板Ｋが順搬送方向下流端にあることを検出する。
また、第１エッチング部２０内には、順搬送方向に、順次、検出センサ２９ａ，２９ｂ，２９ｃ，２９ｄが配設されている。検出センサ２９ａはスリットノズル２２より上流側に設けられ、基板Ｋが第１エッチング部２０内に進入したことを検出する。また、検出センサ２９ｄはスリットノズル２４より下流側に設けられ、第１エッチング部２０内において基板Ｋが順搬送方向下流端にあることを検出する。また、検出センサ２９ｂは、スプレーノズル２３からエッチング液を吐出すべき位置に基板Ｋが達したことを検出し、検出センサ２９ｂは、搬送速度の減速を開始すべき位置に基板Ｋが達したことを検出する。
また、第２エッチング部３０内には、順搬送方向に、順次、検出センサ３９ａ，３９ｂ，３９ｃ，３９ｄ，３９ｅが配設されている。検出センサ３９ａはスリットノズル３２より上流側に設けられ、基板Ｋが第２エッチング部３０内に進入したことを検出し、検出センサ２９ｅはスリットノズル３４より下流側に設けられ、第２エッチング部３０内において基板Ｋが順搬送方向下流端にあることを検出する。また、検出センサ３９ｃは、スプレーノズル３３からエッチング液を吐出すべき位置に基板Ｋが達したことを検出し、検出センサ３９ｃは、搬送速度の減速を開始すべき位置に基板Ｋが達したことを検出する。また、検出センサ３９ｂは、後述する前後動作における後端位置に基板Ｋが達したことを検出する。
また、搬出部４０内には、順搬送方向に、順次、検出センサ４４ａ，４４ｂ，４４ｃが配設されている。検出センサ４４ａは、基板Ｋが搬出部４０内に進入したことを検出し、検出センサ４４ｃは搬出部４０内において基板Ｋが順搬送方向下流端にあることを検出し、検出センサ４４ｂは搬送速度の減速を開始すべき位置に基板Ｋが達したことを検出する。
図３に示すように、上述した各部は制御装置５０によってその作動が制御され、搬入準備部１０は搬入準備制御部５２によって制御され、第１エッチング部２０は第１エッチング制御部５３によって制御され、第２エッチング部３０は第２エッチング制御部５４によって制御され、搬出部４０は搬出制御部５５によって制御される。尚、符号５１は、信号を入出力するためのインターフェースである。
以下、この制御装置５０による具体的な制御方法を、図４乃至図７を用いて説明する。
（搬入準備制御部）
図４に示すように、搬入準備制御部５２では、まず、検出センサ１３ａが基板Ｋを検出しているか否かを確認して、基板Ｋが搬入準備部１０内に有るか無いかを確認する（ステップＳ１）。そして、検出センサ１３ａが基板Ｋを検出して、基板Ｋが搬入準備部１０内に有ることが確認されると、搬送ローラ駆動モータ１２を駆動して搬送ローラ１１を正回転させ、基板Ｋを順方向に位置決め用の低速で搬送する（基板搬出準備動作）（ステップＳ２）。尚、搬入準備部１０内には、適宜アクチュエータやマニュピュレータによって基板Ｋが搬入される。
図４に示すように、搬入準備制御部５２では、まず、検出センサ１３ａが基板Ｋを検出しているか否かを確認して、基板Ｋが搬入準備部１０内に有るか無いかを確認する（ステップＳ１）。そして、検出センサ１３ａが基板Ｋを検出して、基板Ｋが搬入準備部１０内に有ることが確認されると、搬送ローラ駆動モータ１２を駆動して搬送ローラ１１を正回転させ、基板Ｋを順方向に位置決め用の低速で搬送する（基板搬出準備動作）（ステップＳ２）。尚、搬入準備部１０内には、適宜アクチュエータやマニュピュレータによって基板Ｋが搬入される。
次に、基板Ｋが順方向に搬送され、これが検出センサ１３ｂにより検出されて、搬出位置に達したことが確認されると（ステップＳ３）、ついで、後工程、即ち、第１エッチング部２０内に基板Ｋが存在しないことを確認し（ステップＳ４）、第１エッチング部２０内に基板Ｋが存在しない場合には、搬送ローラ１１の回転速度を増速させ早送り速度で基板Ｋを搬出する（ステップＳ６）。
一方、ステップＳ４において、第１エッチング部２０内に基板Ｋが有ることが確認された場合には、搬送ローラ１１の回転を停止して基板Ｋの搬送を停止し（ステップＳ５）、第１エッチング部２０内に基板Ｋが無くなったとき、再び搬送ローラ１１の正回転させて、基板Ｋを早送り速度で搬出する（ステップＳ６）。尚、検出センサ２９ａ，２９ｂ，２９ｃ，２９ｄのいずれもが基板Ｋを検出していないとき、第１エッチング部２０内に基板Ｋが無いと判断される。
そして、検出センサ１３ｂが基板Ｋを検出しなくなったとき、基板Ｋの搬出を完了したと判断して、搬送ローラ１１の回転を停止する（ステップＳ７，ステップＳ８）。以後、処理を終了する状態になるまで、ステップＳ１〜ステップＳ８の処理を繰り返す（ステップＳ９）。
（第１エッチング制御部）
図５に示すように、第１エッチング制御部５２では、まず、前工程である搬入準備部１０において、基板Ｋの搬出準備が整っているか、即ち、検出センサ１３ｂによって基板Ｋが検出されているかどうかを確認し（ステップＳ１１）、基板Ｋの搬出準備が整っている場合には、ついで、第１エッチング部２０内の搬入準備が整っているか否か、即ち、検出センサ２９ａ，２９ｂ，２９ｃ，２９ｄのいずれもが基板Ｋを検出しておらず、第１エッチング部２０内に基板Ｋが無いと判断されるか否かを確認する（ステップＳ１２）。
図５に示すように、第１エッチング制御部５２では、まず、前工程である搬入準備部１０において、基板Ｋの搬出準備が整っているか、即ち、検出センサ１３ｂによって基板Ｋが検出されているかどうかを確認し（ステップＳ１１）、基板Ｋの搬出準備が整っている場合には、ついで、第１エッチング部２０内の搬入準備が整っているか否か、即ち、検出センサ２９ａ，２９ｂ，２９ｃ，２９ｄのいずれもが基板Ｋを検出しておらず、第１エッチング部２０内に基板Ｋが無いと判断されるか否かを確認する（ステップＳ１２）。
そして、搬入準備が整っていると確認された場合には、搬送ローラ駆動モータ２５を駆動して搬送ローラ２１を正回転させて、搬入準備部１０から搬入されてくる基板Ｋを順方向に早送り速度で搬送し、検出センサ２９ａによって基板Ｋが当該第１エッチング部２０内に進入したことが検出されると、その時点から基板搬入に要する時間（基板搬入時間）の計測を開始するとともに、エッチング用スリットノズル開閉バルブ２６を開いて、スリットノズル２２からエッチング液を膜状に吐出させる（ステップＳ１３）。これにより、吐出されたエッチング液が、その下方を走行する基板Ｋの上面に塗布され、当該基板Ｋの上面が一次処理される。
そして、基板Ｋが検出センサ２９ｂにより検出され、減速開始位置に到達したことが確認されると、搬送ローラ２１の回転速度を減速して、基板Ｋを位置決め用の低速で順方向に搬送し、基板Ｋが検出センサ２９ｃにより検出されて二次処理開始位置に到達したこと、即ち、基板Ｋの搬入が完了したことが確認されたとき、搬送ローラ２１の回転を停止させて基板Ｋの搬送を停止し、エッチング用スリットノズル開閉バルブ２６を閉じて、エッチング液の吐出を停止するとともに、基板搬入時間の計測を終了する（ステップＳ１４）。尚、基板搬入時間の計測は、クロックやタイマなどを用いることにより計測することができる。
次に、計測した基板搬入時間を予め定められた基準搬入時間と比較して、計測した基板搬入時間が基準搬入時間内であった場合には、続く二次処理用の搬送速度を、予め設定された標準搬送速度に設定し（ステップＳ１５，ステップＳ１６）、一方、計測した基板搬入時間が基準搬入時間よりも長かった場合には、超過した遅延時間を解消するような搬送速度を算出し、算出された搬送速度を前記二次処理用の搬送速度に設定する（ステップＳ１５，ステップＳ１７）。
尚、上述した標準搬送速度は、予め設定された二次処理時間で、基板Ｋが前記二次処理開始位置から二次処理終了位置（検出センサ２９ｄにより検出される位置）まで移動するような搬送速度であり、遅延時間を解消する搬送速度は、設定二次処理時間から遅延時間を減算した時間で、二次処理開始位置から二次処理終了位置まで移動するような搬送速度である。
そして、上記のようにして二次処理用の搬送速度を設定すると、次に、再び搬送ローラ２１を正回転させ、設定した二次処理用の搬送速度で基板Ｋを順搬送するとともに（図８参照）、エッチング用スプレーノズル開閉バルブ２７を開いて、スプレーノズル２３からエッチング液をシャワー状に吐出させる（ステップＳ１８）。これにより、吐出されたエッチング液が、その下方を走行する基板Ｋの上面に吹き付けられ、当該基板Ｋの上面が二次処理される。
そして、基板Ｋが検出センサ２９ｄによって検出され、これが二次処理終了位置に到達したことが確認されると、、搬送ローラ２１の回転を停止させて基板Ｋの搬送を停止するとともに、エッチング用シャワーノズル開閉バルブ２７を閉じて、エッチング液の吐出を停止して、二次処理を終了する（ステップＳ１９，ステップＳ２０）。
ついで、後工程である第２エッチング部３０内の搬入準備が整っているか否か、即ち、検出センサ３９ａ，３９ｂ，３９ｃ，３９ｄ，３９ｅのいずれもが基板Ｋを検出しておらず、第２エッチング部３０内に基板Ｋが無いと判断されるか否かを確認し（ステップＳ２１）、搬入準備が整っていると確認された場合には、搬送ローラ駆動モータ２５を駆動し搬送ローラ２１を正回転させて、基板Ｋを第２エッチング部３０に向けて順方向に早送り速度で搬出するとともに、エアー用スリットノズル開閉バルブ２８を開いて、スリットノズル２４からエアーを吐出させる（ステップＳ２１，ステップＳ２２）。斯くして、スリットノズル２４から吐出される空気流によって、その下方を走行する基板Ｋの上面からエッチング液が除去される。
そして、検出センサ２９ｄが基板Ｋを検出しなくなったとき、基板Ｋの搬出を完了したと判断して、搬送ローラ２１の回転を停止するとともに、エアー用スリットノズル開閉バルブ２８を閉じて、スリットノズル２４からのエアーの吐出を停止する（ステップＳ２３，ステップＳ２４）。以後、処理を終了する状態になるまで、ステップＳ１１〜ステップＳ２４の処理を繰り返す（ステップＳ２５）。
（第２エッチング制御部）
図６に示すように、第２エッチング制御部５４では、まず、前工程である第１エッチング部２０において、基板Ｋの搬出準備が整っているか、即ち、検出センサ２９ｃによって基板Ｋが検出されているかどうかを確認し（ステップＳ３１）、基板Ｋの搬出準備が整っている場合には、ついで、第２エッチング部３０内の搬入準備が整っているか否か、即ち、検出センサ３９ａ，３９ｂ，３９ｃ，３９ｄ，３９ｅのいずれもが基板Ｋを検出しておらず、第２エッチング部３０内に基板Ｋが無いと判断されるか否かを確認する（ステップＳ３２）。
図６に示すように、第２エッチング制御部５４では、まず、前工程である第１エッチング部２０において、基板Ｋの搬出準備が整っているか、即ち、検出センサ２９ｃによって基板Ｋが検出されているかどうかを確認し（ステップＳ３１）、基板Ｋの搬出準備が整っている場合には、ついで、第２エッチング部３０内の搬入準備が整っているか否か、即ち、検出センサ３９ａ，３９ｂ，３９ｃ，３９ｄ，３９ｅのいずれもが基板Ｋを検出しておらず、第２エッチング部３０内に基板Ｋが無いと判断されるか否かを確認する（ステップＳ３２）。
そして、搬入準備が整っていると確認された場合には、搬送ローラ駆動モータ３５を駆動して搬送ローラ３１を正回転させて、第１エッチング部２０から搬入されてくる基板Ｋを順方向に早送り速度で搬送し、検出センサ３９ａによって基板Ｋが当該第２エッチング部３０内に進入したことが検出されると、その時点から基板搬入に要する時間（基板搬入時間）の計測を開始するとともに、エッチング用スリットノズル開閉バルブ３６を開いて、スリットノズル３２からエッチング液を膜状に吐出させる（ステップＳ３３）。斯くして、吐出されたエッチング液が、その下方を走行する基板Ｋの上面に塗布され、当該基板Ｋの上面が一次処理される。
そして、基板Ｋが検出センサ３９ｃにより検出され、減速開始位置に到達したことが確認されると、搬送ローラ３１の回転速度を減速して、基板Ｋを位置決め用の低速で順方向に搬送し、基板Ｋが検出センサ３９ｄにより検出されて二次処理開始位置に到達したこと、即ち、基板Ｋの搬入が完了したことが確認されたとき、搬送ローラ３１の回転を停止させて基板Ｋの搬送を停止し、エッチング用スリットノズル開閉バルブ３６を閉じて、エッチング液の吐出を停止するとともに、基板搬入時間の計測を終了する（ステップＳ３４）。尚、基板搬入時間の計測は、上記と同様にクロックやタイマなどを用いることにより計測することができる。
次に、計測した基板搬入時間を予め定められた基準搬入時間と比較して、計測した基板搬入時間が基準搬入時間内であった場合には、続く二次処理の処理時間を、予め設定された基準の二次処理時間に設定し（ステップＳ３５，ステップＳ３６）、一方、計測した基板搬入時間が基準搬入時間よりも長かった場合には、超過した遅延時間を前記基準二次処理時間から減算した時間を二次処理時間として設定する（ステップＳ３５，ステップＳ３７）。
そして、上記のようにして二次処理時間を設定すると、次に、再び搬送ローラ２１を正回転させ、予め設定された二次処理用の搬送速度で基板Ｋを順搬送するとともに、エッチング用スプレーノズル開閉バルブ３７を開いて、スプレーノズル３３からエッチング液をシャワー状に吐出させる（ステップＳ３８）。これにより、吐出されたエッチング液が、その下方を走行する基板Ｋの上面に吹き付けられ、当該基板Ｋの上面が二次処理される。
そして、基板Ｋが検出センサ３９ｅによって検出され、これが前方側折り返し位置に到達したことが確認されると、搬送ローラ３１を逆回転させて基板Ｋを矢示ｄ方向に逆搬送し、次に、基板Ｋが検出センサ３９ｂによって検出され、これが後方側折り返し位置に到達したことが確認されると、搬送ローラ３１を再び正回転させて基板Ｋを矢示ｃ方向に順搬送するというように、設定した二次処理時間が経過するまで、基板Ｋを前後動させる（図９参照）。
そして、設定した二次処理時間が経過すると、搬送ローラ３１の回転を停止し基板Ｋの搬送を停止するとともに、エッチング用シャワーノズル開閉バルブ３７を閉じて、エッチング液の吐出を停止し、二次処理を終了する（ステップＳ３９，ステップＳ４０）。
ついで、後工程である搬出部４０内の搬入準備が整っているか否か、即ち、検出センサ４４ａ，４４ｂ，４４ｃのいずれもが基板Ｋを検出しておらず、搬出部４０内に基板Ｋが無いと判断されるか否かを確認し（ステップＳ４１）、搬入準備が整っていると確認された場合には、搬送ローラ３１を正回転させて、基板Ｋを搬出部４０に向けて順方向に早送り速度で搬出するとともに、エアー用スリットノズル開閉バルブ３８を開いて、スリットノズル３４からエアーを吐出させる（ステップＳ４１，ステップＳ４２）。斯くして、スリットノズル３４から吐出される空気流によって、その下方を走行する基板Ｋの上面からエッチング液が除去される。
そして、検出センサ３９ｅが基板Ｋを検出しなくなったとき、基板Ｋの搬出を完了したと判断して、搬送ローラ３１の回転を停止するとともに、エアー用スリットノズル開閉バルブ３８を閉じて、スリットノズル３４からのエアーの吐出を停止する（ステップＳ４３，ステップＳ４４）。以後、処理を終了する状態になるまで、ステップＳ３１〜ステップＳ４４の処理を繰り返す（ステップＳ４５）。
（搬出制御部）
図７に示すように、搬出制御部５５では、まず、前工程である第２エッチング部３０において、基板Ｋの搬出準備が整っているか、即ち、二次処理を終了しているか否かを確認し（ステップＳ５１）、基板Ｋの搬出準備が整っている場合には、ついで、搬出部４０内の搬入準備が整っているか否か、即ち、検出センサ４４ａ，４４ｂ，４４ｃのいずれもが基板Ｋを検出しておらず、搬出部４０内に基板Ｋが無いと判断されるか否かを確認する（ステップＳ５２）。
図７に示すように、搬出制御部５５では、まず、前工程である第２エッチング部３０において、基板Ｋの搬出準備が整っているか、即ち、二次処理を終了しているか否かを確認し（ステップＳ５１）、基板Ｋの搬出準備が整っている場合には、ついで、搬出部４０内の搬入準備が整っているか否か、即ち、検出センサ４４ａ，４４ｂ，４４ｃのいずれもが基板Ｋを検出しておらず、搬出部４０内に基板Ｋが無いと判断されるか否かを確認する（ステップＳ５２）。
そして、搬出部４０内の搬入準備が整っていることが確認されると、搬送ローラ駆動モータ４２を駆動して搬送ローラ４１を正回転させ、基板Ｋを順方向に早送り速度で搬送し（ステップＳ５３）、基板Ｋが検出センサ４４ｂにより検出され、減速開始位置に到達したことが確認されると、搬送ローラ４１の回転速度を減速して、基板Ｋを位置決め用の低速で順方向に搬送し、基板Ｋが検出センサ４４ｃにより検出され、搬入が完了したことが確認されたとき、搬送ローラ４１の回転を停止させて基板Ｋの搬送を停止する（ステップＳ５４，ステップＳ５５）。そして、以後、処理を終了する状態になるまで、ステップＳ５１〜ステップＳ５５の処理を繰り返す（ステップＳ５６）。
尚、搬出部４０に搬出された基板Ｋは、更に、適宜アクチュエータやマニュピュレータによって系外に搬出される。
以上のように構成された本例の基板処理装置１によれば、搬入準備部１０に搬入された基板Ｋが搬送ローラ１１，２１，３１，４１によって矢示ｃ方向に搬送され、順次、第１エッチング部２０，第２エッチング部３０に経由して処理され、処理後、搬出部４０に搬出される。
そして、第１エッチング部２０では、基板Ｋが当該第１エッチング部２０内に進入したことを検出センサ２９ａにより検出して、スリットノズル２２からエッチング液を膜状に吐出させることにより、基板Ｋの上面にエッチング液を塗布して一次処理を行うとともに、基板Ｋが進入してから搬入を完了するまでの経過時間（基板搬入時間であり、且つ一次処理時間である。）を計測し、計測した基板搬入時間が基準搬入時間内であった場合には、標準の搬送速度で基板Ｋを搬送して二次処理を行い、計測した基板搬入時間が基準搬入時間よりも長かった場合には、超過した遅延時間を解消するような搬送速度を算出し、算出された搬送速度で基板Ｋを搬送して二次処理を行う。
このように、第１エッチング部２０では、基板Ｋが第１エッチング部２０内に進入し、エッチング液が基板Ｋ上に供給され一次処理が開始されてから、基板Ｋが当該第１エッチング部２０内に完全に搬入され、次の二次処理が開始されるまでの基板搬入時間が計測され、この基板搬入時間が予め設定された基準時間よりも長いときには、超過時間分だけ二次処理の処理時間が短縮される。
したがって、何らかの原因で、搬送ローラ１１，２１と基板Ｋとの間に滑りを生じて、基板搬入時間が基準時間より超過した場合であっても、一次処理時間と二次処理時間とを合わせた全体の処理時間を、基準搬入時間内で搬入された基板Ｋと同じ処理時間にすることができ、各基板Ｋに対して均一な処理を行うことができる。
また、第２エッチング部３０においても同様に、基板Ｋが第２エッチング部３０内に進入したことを検出センサ３９ａにより検出して、スリットノズル３２からエッチング液を膜状に吐出させることにより、基板Ｋの上面にエッチング液を塗布して一次処理を行うとともに、基板Ｋが進入してから搬入を完了するまでの基板搬入時間を計測し、計測した基板搬入時間が基準搬入時間内であった場合には、続く二次処理を、予め設定された基準の二次処理時間だけ処理し、一方、計測した基板搬入時間が基準搬入時間よりも長かった場合には、基準二次処理時間から遅延時間を減算した時間を二次処理時間として当該二次処理を行う。
このように、この第２エッチング部３０においても、一次処理時間と二次処理時間とを合わせた全体の処理時間を、基準搬入時間内で搬入された基板Ｋと、基準搬入時間を超過して搬入された基板Ｋとで、同じ処理時間にすることができ、各基板Ｋに対して均一な処理を行うことができる。特に、第１エッチング部２０の搬送ローラ２１は、スプレーノズル２３から吐出されるエッチング液に曝されており、基板Ｋとの間で滑りを生じ易く、基板Ｋを第２エッチング部３０内に搬入する際の搬入時間にバラツキを生じ易い。
そして、この基板処理装置１では、上述のように、第１エッチング部２０及び第２エッチング部３０において、基板搬入時間が区々となっても、全体の処理時間を一定にすることができるので、基板処理のタクトタイムを一定にすることができ、基板搬入時間に遅れが生じることによって、基板の生産効率や生産能力が低下するといった心配がない。
以上、本発明の一実施形態について説明したが、本発明が採り得る具体的な態様は、何らこれに限定されるものではない。
例えば、上例では、第１エッチング部２０及び第２エッチング部３０の２つのエッチング処理部を設けたが、これに限るのものではなく、１つのエッチング処理部でも良く、逆に、３つ以上のエッチング処理部を設けても良い。
また、エッチング処理部（第１エッチング部２０及び第２エッチング部３０）の前後に、水洗処理や乾燥処理などを行う工程を適宜任意に設定することができる。
また、第１エッチング部２０及び第２エッチング部３０の処理手順は、例示したものに限られるものではなく、それぞれに、図５若しくは図６に示した処理手順を共通に採用しても良く、また、図５に示した処理手順を第２エッチング部３０に採用し、図６に示した処理手順を第１エッチング部２０に採用しても良い。
更に、図５に示した処理手順において、二次処理を、基板搬入時間が基準搬入時間以内である場合には、予め設定された二次処理用の搬送速度であって、二次処理時間として予め設定された時間で、二次処理開始位置から二次処理終了位置まで搬送される標準速度で基板Ｋを搬送して処理する一方、基板搬入時間が基準搬入時間よりも長いときには、超過時間分だけ二次処理時間が短くなるような二次処理用の搬送速度を算出して、算出した搬送速度で基板Ｋを搬送して処理し、二次処理開始からの経過時間を計測して得られる実処理時間が前記設定二次処理時間となったとき、二次処理を終了するようにしても良い。
或いは、同二次処理を、二次処理時間として予め設定された時間で、二次処理開始位置から二次処理終了位置まで搬送される速度にして基板を搬送して処理し、二次処理開始からの経過時間を計測して得られる実処理時間が前記設定二次処理時間となったとき、二次処理を終了するようにするとともに、基板搬入時間が基準搬入時間よりも長いときには、超過時間分だけ前記設定二次処理時間を短縮し、実処理時間が短縮した設定二次処理時間となったとき、二次処理を終了するようにしても良い。これらの処理手順によっても、上例の場合と同様の効果が奏される。
また、上例では、エッチングを行う装置を例示したが、剥離処理など他の処理を行う装置としても良い。
以上詳述したように、本発明は、搬送中の基板上に、エッチング液や剥離液などの処理液を供給して、当該基板上面を処理する基板処理装置に好適に適用することができる。
１ 基板処理装置
２０ 第１エッチング部
２１ 搬送ローラ
２２ スリットノズル
２３ スプレーノズル
２９ 検出センサ
３０ 第２エッチング部
３１ 搬送ローラ
３２ スリットノズル
３３ スプレーノズル
３９ 検出センサ
５０ 制御装置
５２ 搬入準備制御部
５３ 第１エッチング制御部
５４ 第２エッチング制御部
５５ 搬出制御部
２０ 第１エッチング部
２１ 搬送ローラ
２２ スリットノズル
２３ スプレーノズル
２９ 検出センサ
３０ 第２エッチング部
３１ 搬送ローラ
３２ スリットノズル
３３ スプレーノズル
３９ 検出センサ
５０ 制御装置
５２ 搬入準備制御部
５３ 第１エッチング制御部
５４ 第２エッチング制御部
５５ 搬出制御部
Claims (4)
- 複数の並設された搬送ローラを有し、該搬送ローラを軸中心に回転させることにより、該搬送ローラ上に載置された基板を搬送する搬送手段と、
前記搬送手段の搬送経路上に設定された処理領域を少なくとも囲むように設けられたカバー体と、
前記カバー体により囲まれた前記処理領域内において、前記搬送ローラの上方に配設された一次処理用の処理液を吐出するノズル及び二次処理用の処理液を吐出するノズルを有し、該各ノズルからそれぞれ処理液を吐出して、前記搬送手段により搬送される基板上に供給する処理液供給手段と、
前記基板の搬送方向先端部が前記処理領域内に進入した位置であり、且つ該基板に対して一次処理を開始する位置として設定された位置に前記基板が到達したことを検出する第１の検出手段と、
前記基板が前記処理領域内に完全に搬入された位置であり、且つ該基板に対して二次処理を開始する位置として設定された位置に前記基板が到達したことを検出する第２の検出手段と、
前記処理領域内における搬送方向下流端に設定された二次処理終了位置に前記基板が到達したことを検出する第３の検出手段と、
前記搬送手段を駆動して、前記処理領域より上流側の前記搬送ローラ上に載置された基板を予め設定された搬入速度で搬送方向下流側に向けて搬送し、基板の搬送方向先端部が処理領域内に進入したことが前記第１の検出手段によって検出されると、前記処理液供給手段のノズルから一次処理用の処理液を基板上に供給して一次処理を行い、ついで、基板が二次処理開始位置に到達したことが前記第２の検出手段によって検出されると、前記処理液供給手段のノズルから二次処理用の処理液を基板上に供給するとともに、前記搬送手段の搬送速度を、予め設定された二次処理用の搬送速度であって、二次処理時間として予め設定された時間で、前記二次処理開始位置から前記二次処理終了位置まで搬送される速度にして前記基板を搬送し、前記基板が二次処理終了位置に到達したことが第３の検出手段によって検出されると、前記搬送手段の搬送速度を予め設定された搬出速度にして、前記基板を処理領域の下流側に搬出させるように、前記搬送手段及び処理液供給手段の作動を制御するように構成された制御装置とを備えた基板処理装置において、
前記制御装置は、更に、前記基板が前記第１の検出手段によって検出されたときから、次に前記第２の検出手段によって検出されるまでの経過時間を搬入時間として計測し、該搬入時間が予め設定された基準搬入時間よりも長いときには、超過時間分だけ前記設定二次処理時間が短くなるような前記二次処理用の搬送速度を算出し、算出した二次処理用の搬送速度で前記基板が搬送されるように前記搬送手段の作動を制御するように構成されてなることを特徴とする基板処理装置。 - 複数の並設された搬送ローラを有し、該搬送ローラを軸中心に回転させることにより、該搬送ローラ上に載置された基板を搬送する搬送手段と、
前記搬送手段の搬送経路上に設定された処理領域を少なくとも囲むように設けられたカバー体と、
前記カバー体により囲まれた前記処理領域内において、前記搬送ローラの上方に配設された一次処理用の処理液を吐出するノズル及び二次処理用の処理液を吐出するノズルを有し、該各ノズルからそれぞれ処理液を吐出して、前記搬送手段により搬送される基板上に供給する処理液供給手段と、
前記基板の搬送方向先端部が前記処理領域内に進入した位置であり、且つ該基板に対して一次処理を開始する位置として設定された位置に前記基板が到達したことを検出する第１の検出手段と、
前記基板が前記処理領域内に完全に搬入された位置であり、且つ該基板に対して二次処理を開始する位置として設定された位置に前記基板が到達したことを検出する第２の検出手段と、
前記搬送手段を駆動して、前記処理領域より上流側の前記搬送ローラ上に載置された基板を予め設定された搬入速度で搬送方向下流側に向けて搬送し、基板の搬送方向先端部が処理領域内に進入したことが前記第１の検出手段によって検出されると、前記処理液供給手段のノズルから一次処理用の処理液を基板上に供給して一次処理を行い、ついで、基板が二次処理開始位置に到達したことが前記第２の検出手段によって検出されると、前記処理液供給手段のノズルから二次処理用の処理液を基板上に供給し、且つ前記搬送手段の搬送速度を、予め設定された二次処理用の搬送速度であって、二次処理時間として予め設定された時間で、前記二次処理開始位置から前記処理領域内における搬送方向下流端に設定された二次処理終了位置まで搬送される速度にして前記基板を搬送するとともに、基板が前記第２の検出手段によって検出されたときからの経過時間を実処理時間として計測し、計測した実処理時間が前記設定二次処理時間となったとき、前記搬送手段の搬送速度を予め設定された搬出速度にして、前記基板を処理領域の下流側に搬出させるように、前記搬送手段及び処理液供給手段の作動を制御するように構成された制御装置とを備えた基板処理装置において、
前記制御装置は、更に、前記基板が前記第１の検出手段によって検出されたときから、次に前記第２の検出手段によって検出されるまでの経過時間を搬入時間として計測し、該搬入時間が予め設定された基準搬入時間よりも長いときには、超過時間分だけ前記設定二次処理時間が短くなるような前記二次処理用の搬送速度を算出し、算出した二次処理用の搬送速度で前記基板が搬送されるように前記搬送手段の作動を制御するように構成されてなることを特徴とする基板処理装置。 - 複数の並設された搬送ローラを有し、該搬送ローラを軸中心に回転させることにより、該搬送ローラ上に載置された基板を搬送する搬送手段と、
前記搬送手段の搬送経路上に設定された処理領域を少なくとも囲むように設けられたカバー体と、
前記カバー体により囲まれた前記処理領域内において、前記搬送ローラの上方に配設された一次処理用の処理液を吐出するノズル及び二次処理用の処理液を吐出するノズルを有し、該各ノズルからそれぞれ処理液を吐出して、前記搬送手段により搬送される基板上に供給する処理液供給手段と、
前記基板の搬送方向先端部が前記処理領域内に進入した位置であり、且つ該基板に対して一次処理を開始する位置として設定された位置に前記基板が到達したことを検出する第１の検出手段と、
前記基板が前記処理領域内に完全に搬入された位置であり、且つ該基板に対して二次処理を開始する位置として設定された位置に前記基板が到達したことを検出する第２の検出手段と、
前記搬送手段を駆動して、前記処理領域より上流側の前記搬送ローラ上に載置された基板を予め設定された搬入速度で搬送方向下流側に向けて搬送し、基板の搬送方向先端部が処理領域内に進入したことが前記第１の検出手段によって検出されると、前記処理液供給手段のノズルから一次処理用の処理液を基板上に供給して一次処理を行い、ついで、基板が二次処理開始位置に到達したことが前記第２の検出手段によって検出されると、前記処理液供給手段のノズルから二次処理用の処理液を基板上に供給し、且つ前記搬送手段の搬送速度を、予め設定された二次処理用の搬送速度であって、二次処理時間として予め設定された時間で、前記二次処理開始位置から前記処理領域内における搬送方向下流端に設定された二次処理終了位置まで搬送される速度にして前記基板を搬送するとともに、基板が前記第２の検出手段によって検出されたときからの経過時間を実処理時間として計測し、計測した実処理時間が前記設定二次処理時間となったとき、前記搬送手段の搬送速度を予め設定された搬出速度にして、前記基板を処理領域の下流側に搬出させるように、前記搬送手段及び処理液供給手段の作動を制御するように構成された制御装置とを備えた基板処理装置において、
前記制御装置は、更に、前記基板が前記第１の検出手段によって検出されたときから、次に前記第２の検出手段によって検出されるまでの経過時間を搬入時間として計測し、該搬入時間が予め設定された基準搬入時間よりも長いときには、超過時間分だけ前記設定二次処理時間を短縮し、実処理時間が短縮した設定二次処理時間となったとき、前記基板を処理領域の下流側に搬出させるように、前記搬送手段の作動を制御するように構成されてなることを特徴とする基板処理装置。 - 複数の並設された搬送ローラを有し、該搬送ローラを軸中心に回転させることにより、該搬送ローラ上に載置された基板を搬送する搬送手段と、
前記搬送手段の搬送経路上に設定された処理領域を少なくとも囲むように設けられたカバー体と、
前記カバー体により囲まれた前記処理領域内において、前記搬送ローラの上方に配設された一次処理用の処理液を吐出するノズル及び二次処理用の処理液を吐出するノズルを有し、該各ノズルからそれぞれ処理液を吐出して、前記搬送手段により搬送される基板上に供給する処理液供給手段と、
前記基板の搬送方向先端部が前記処理領域内に進入した位置であり、且つ該基板に対して一次処理を開始する位置として設定された位置に前記基板が到達したことを検出する第１の検出手段と、
前記基板が前記処理領域内に完全に搬入された位置であり、且つ該基板に対して二次処理を開始する位置として設定された位置に前記基板が到達したことを検出する第２の検出手段と、
前記搬送手段を駆動して、前記処理領域より上流側の前記搬送ローラ上に載置された基板を予め設定された搬入速度で搬送方向下流側に向けて搬送し、基板の搬送方向先端部が処理領域内に進入したことが前記第１の検出手段によって検出されると、前記処理液供給手段のノズルから一次処理用の処理液を基板上に供給して一次処理を行い、ついで、基板が二次処理開始位置に到達したことが前記第２の検出手段によって検出されると、前記処理液供給手段のノズルから二次処理用の処理液を基板上に供給し、且つ前記搬送ローラを正逆方向に交互に回転させて、前記基板を搬送方向に前後動させるとともに、基板が前記第２の検出手段によって検出されたときからの経過時間を実処理時間として計測し、計測した実処理時間が処理時間として予め設定された時間となったとき、前記搬送手段の搬送速度を予め設定された搬出速度にして、前記基板を処理領域の下流側に搬出させるように、前記搬送手段及び処理液供給手段の作動を制御するように構成された制御装置とを備えた基板処理装置において、
前記制御装置は、更に、前記基板が前記第１の検出手段によって検出されたときから、次に前記第２の検出手段によって検出されるまでの経過時間を搬入時間として計測し、該搬入時間が予め設定された基準搬入時間よりも長いときには、超過時間分だけ前記設定二次処理時間を短縮し、実処理時間が短縮した設定二次処理時間となったとき、前記基板を処理領域の下流側に搬出させるように、前記搬送手段の作動を制御するように構成されてなることを特徴とする基板処理装置。
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