CN101034660A - 基板处理装置 - Google Patents

Abstract

本发明提供一种即使基板的搬入时间产生延迟，也能够使作为整体的蚀刻时间一定，可在基板之间进行均匀的蚀刻的基板处理装置。当利用第一检测装置(29a)检测基板K已进入到处理区域(20)内时，将处理液供给至基板K上，进行一次处理，同时，测量从基板K进入至结束搬入为止的经过时间，作为基板搬入时间。另外，从完全搬入基板K开始进行二次处理，在所测量的基板搬入时间为在基准搬入时间内的情况下，以标准的搬送速度搬送基板K，进行二次处理，在基板搬入时间比基准搬入时间长的情况下，计算消除所超过的延迟时间所需的搬送速度，以所计算的搬送速度搬送基板K，进行二次处理。

Description

基板处理装置

技术领域

本发明涉及在利用所谓的辊式输送机搬送基板的同时，将蚀刻液或剥离液等处理液供给至搬送中的基板上，处理该基板的上表面的基板处理装置。

背景技术

在现有技术中，作为上述基板处理装置已知例如日本特开2003-92284号公报中所述的装置。如图10所示，该基板处理装置100按平面视图コ字形配置接受部110、防液部120、蚀刻部130、水洗部140、移载装置150、旋转干燥器160、移载装置170和取出部180。利用搬送装置190搬入接受部110中的基板K，之后，依次经由防液部120、蚀刻部130、水洗部140、移载装置150、旋转干燥器160、移载装置170、取出部180，进行规定的处理。利用搬送装置190，从取出部180取出处理后的基板K，将其排出至系统外面。

如图11所示，作为湿式处理部的蚀刻部130具有在水平方向搬送基板K的多个搬送滚子131，在基板K的搬送线上方，分别在入口部设置有将蚀刻液供给至基板K的表面用的狭缝喷嘴(slit nozzle)133，在其下游侧设置有喷淋部件134。另外，在出口部配置有从基板K的表面除去蚀刻液用的槽状气体喷嘴136。

这样，在该蚀刻部130中，当由搬送滚子131搬送的基板K从防液部120进入该蚀刻部130内时，首先，将从狭缝喷嘴133吐出的膜状的蚀刻液供给至该基板K的表面，接着，当通过喷淋部件134的下方时，供给从该喷淋部件134吐出的蚀刻液，利用这些蚀刻液处理基板K的表面。

另外，在该蚀刻部130中，在搬送滚子131的下方，也设置有喷淋部件138，蚀刻液也可从该喷淋部件138供给至基板K的背面。

虽然，在上述日本特开2003-92284号公报中没有说明，但是，作为该蚀刻部130中的具体的处理顺序为，当基板K的搬送方向的前端部已进入蚀刻部130中时，利用适当的检测装置进行检测，从上述狭缝喷嘴133吐出蚀刻液，将从该狭缝喷嘴133吐出的膜状的蚀刻液供给、涂敷在基板K的表面上。由此，开始基板K表面的蚀刻处理。

然后，当涂敷从狭缝喷嘴133吐出的蚀刻液，并在搬送方向上搬送基板K，将其全部搬入蚀刻部130内时，成为蚀刻液涂敷在基板K的全部表面上的状态。接着，利用别的检测装置检测在该位置上的基板K，检测后，搬送基板K，并在预先设定的处理时间内，从喷淋部件134吐出蚀刻液，供给至基板K的表面，进一步蚀刻该基板K的表面。于是，在这样进行蚀刻处理后，将基板K从出口部排出至其下游。这时，利用从缝状的气体喷嘴136喷出的空气流除去基板K上的蚀刻液。

另外，从喷淋部件134吐出蚀刻液、进行处理时的基板K的动作有两种方式，一种为朝着搬送方向下游，以规定的搬送速度，按规定距离一样地进行搬送的顺搬送动作；第二种方式为在规定的距离之间，沿搬送方向前后作往复运动的往复动作。在现有技术中，根据处理的内容，从二种方式内有选择地采用一种方式实施。

然而，如上所述，基板K表面的蚀刻为，在从该基板K进入蚀刻部130中，将从狭缝喷嘴133吐出的蚀刻液涂敷在该基板K上的时刻开始，至在将其从蚀刻部130排出时，利用从气体喷嘴136喷出的空气流除去蚀刻液为止的期间内，连续进行。

因此，当在连续搬送的基板K上均匀地进行稳定的蚀刻处理时，从将基板K搬入蚀刻部130内至将其排出为止的时间、即处理时间，在各个基板K之间必需一定。

然而，在上述现有的装置中，虽然在利用喷淋部件134的蚀刻处理中，严密地控制处理时间，但是在使用狭缝喷嘴133的蚀刻处理中，并没有控制其处理时间，不论何种原因，当将基板K搬入蚀刻部130内的时间变长时，使用狭缝喷嘴133的蚀刻时间比作为标准设定的时间(基准时间)长，结果整体的蚀刻时间变长，存在达到作为目的的蚀刻进行程度后，进一步进行蚀刻的问题。

特别是，在蚀刻部130的预工序中，在采用使用高粘度的处理液的工序的情况下，由于该预工序的搬送滚子131被暴露在高粘度的处理液中，处理液附着在该搬送滚子131上，所以在基板K和搬送滚子131之间产生滑动，在搬入基板K的时间上容易产生偏差，容易产生上述的问题。

另外，所谓的搬入时间变长，换句话说就是，进行基板处理的生产节拍时间变长，归结为基板的生产效率、生产能力降低。

发明内容

本发明就是鉴于以上的情况而提出的，其目的是要提供一种即使在基板的搬入时间上产生延迟，也能够使整体的蚀刻时间一定，可在基板之间进行均匀蚀刻的基板处理装置。

为了达到上述目的，本发明涉及一种基板处理装置，其包括：

搬送装置，具有多个并排设置的搬送滚子，通过使该搬送滚子绕轴中心旋转，搬送载置在该搬送滚子上的基板；

盖体，以至少包围设定在上述搬送装置的搬送路径上的处理区域的方式而进行设置；

处理液供给装置，在由上述盖体包围的上述处理区域内，具有配置在上述搬送滚子的上方的至少一个喷嘴，从该喷嘴喷出处理液，将其供给至由上述搬送装置搬送的基板上；

第一检测装置，检测上述基板到达在上述基板的搬送方向前端部进入到上述处理区域内的位置上，并且是作为开始对该基板进行一次处理的位置而设定的位置上；

第二检测装置，检测上述基板到达在将上述基板完全搬入到上述处理区域内的位置上，并且是作为开始对该基板进行二次处理的位置而设定的位置上；

第三检测装置，检测上述基板到达设定在上述处理区域内的搬送方向下游端的二次处理结束位置；和

控制装置，其构成为，驱动上述搬送装置，以预先设定的搬入速度向搬送方向下游侧，搬送载置在相比于上述处理区域还位于上游侧的上述搬送滚子上的基板，当利用上述第一检测装置检测到基板搬送方向前端部进入到处理区域内时，使上述处理液供给装置动作，向基板上供给处理液，进行一次处理；接着，在利用上述第二检测装置检测到基板已到达二次处理开始位置时，使上述搬送装置的搬送速度为预先设定的二次处理用的搬送速度，即以预先设定的时间作为二次处理时间，达到在该时间内从上述二次处理开始位置搬送至上述二次处理结束位置的速度，以该速度搬送上述基板；当利用第三检测装置检测到上述基板已到达二次处理结束位置时，使上述搬送装置的搬送速度为预先设定的搬出速度，控制上述搬送装置和处理液供给装置的动作，将上述基板搬出至处理区域的下游侧，其中，

上述控制装置构成为进行如下控制，测量从由上述第一检测装置检测到上述基板的时候开始、至随后由上述第二检测装置检测到上述基板为止的经过时间，作为搬入时间，当该搬入时间比预先设定的基准搬入时间长时，计算将上述设定二次处理时间缩短所超过的时间大小的情况下的上述二次处理用的搬送速度，控制上述搬送装置的动作，以便以所计算出的二次处理用的搬送速度搬送上述基板。

根据该基板处理装置，以预先设定的搬入速度朝着搬送方向下游侧搬送载置在处理区域上游侧的搬送滚子上的基板，将其搬入处理区域内。于是，当由第一检测装置检测到基板已进入处理区域内时，将处理液供给至该基板上，开始一次处理，同时，测量从由第一检测装置检测到基板的时候开始，至随后由第二检测装置检测到为止的经过时间，作为搬入时间。

然后，当利用第二检测装置检测到基板已到达二次处理开始位置时，在所测量的搬入时间为在预先设定的基准搬入时间以内的情况下，以预先设定的二次处理用的搬送速度，即以预先确定的时间作为二次处理时间，以在该时间内从二次处理开始位置搬送至二次处理结束位置的速度，搬送基板。另一方面，当所测量的搬入时间比基准搬入时间长时，计算将二次处理时间缩短所超过的时间大小后的处理用的搬送速度，以所算出的搬送速度搬送基板。

然后，当利用第三检测装置检测到基板已到达二次处理结束位置时，以预先设定的搬出速度，朝着处理区域的下游侧搬出基板。

这样，根据该基板处理装置，测量从基板进入处理区域内、将处理液供给至该基板上、开始一次处理，至将基板完全搬入处理区域内、开始随后的二次处理为止的基板搬入时间，当该基板搬入时间比预先设定的基准搬入时间长时，将二次处理时间缩短所超过的时间的大小。

因此，即使在基板搬入时间超过基准搬入时间的情况下，也能够使把一次处理时间和二次处理时间合在一起的整体处理时间成为与在基准搬入时间内所搬入的基板相同的处理时间，可对各基板进行均匀的处理。另外，由于能够使整体处理时间一定，换句话说，由于能够使基板处理的生产节拍时间一定，因此能够防止基板生产效率或生产能力降低。

另外，本发明涉及一种基板处理装置，其包括：

搬送装置，具有多个并排设置的搬送滚子，通过使该搬送滚子绕轴中心旋转，搬送载置在该搬送滚子上的基板；

盖体，以至少包围设定在上述搬送装置的搬送路径上的处理区域的方式而进行设置；

处理液供给装置，在由上述盖体包围的上述处理区域内，具有配置在上述搬送滚子的上方的至少一个喷嘴，从该喷嘴喷出处理液，将其供给至由上述搬送装置搬送的基板上；

第一检测装置，检测上述基板到达在上述基板的搬送方向前端部进入到上述处理区域内的位置上，并且是作为开始对该基板进行一次处理的位置而设定的位置上；

第二检测装置，检测上述基板到达在将上述基板完全搬入到上述处理区域内的位置上，并且是作为开始对该基板进行二次处理的位置而设定的位置上；

控制装置，其构成为，驱动上述搬送装置，以预先设定的搬入速度向搬送方向下游侧，搬送载置在相比于上述处理区域还位于上游侧的上述搬送滚子上的基板，当利用上述第一检测装置检测到基板搬送方向前端部进入到处理区域内时，使上述处理液供给装置动作，向基板上供给处理液，进行一次处理；接着，在利用上述第二检测装置检测到基板已到达二次处理开始位置时，使上述搬送装置的搬送速度为预先设定的二次处理用的搬送速度，即以预先设定的时间作为二次处理时间，达到在该时间内从上述二次处理开始位置搬送至设定在上述处理区域内的搬送方向下游端的上述二次处理结束位置的速度，以该速度搬送上述基板，同时，测量从由上述第二检测装置检测到基板时开始的经过时间作为实际处理时间，当所测量的实际处理时间成为上述设定二次处理时间时，使上述搬送装置的搬送速度为预先设定的搬出速度，控制上述搬送装置和处理液供给装置的动作，以将上述基板搬出至处理区域的下游侧，其中，

上述控制装置构成为进行如下控制，测量从由上述第一检测装置检测到上述基板的时候开始、至随后由上述第二检测装置检测到上述基板为止的经过时间，作为搬入时间，当该搬入时间比预先设定的基准搬入时间长时，计算将上述设定二次处理时间缩短超过时间大小的情况下的上述二次处理用的搬送速度，控制上述搬送装置的动作，以便以所计算出的二次处理用的搬送速度搬送上述基板。

根据该基板处理装置，以预先设定的搬入速度朝着搬送方向下游侧搬送载置在处理区域上游侧的搬送滚子上的基板，将其搬入处理区域内。于是，当由第一检测装置检测到基板已进入处理区域内时，将处理液供给至该基板上，开始一次处理，同时，测量从由第一检测装置检测到基板的时候开始，至随后由第二检测装置检测到为止的经过时间，作为搬入时间。

然后，当利用第二检测装置检测到基板已到达二次处理开始位置时，在所测量的搬入时间为在预先设定的基准搬入时间以内的情况下，以预先设定的二次处理用的搬送速度，即以预先确定的时间作为二次处理时间，以在该时间内从二次处理开始位置搬送至二次处理结束位置的速度，搬送基板。另一方面，当所测量的搬入时间比基准搬入时间长时，计算将二次处理时间缩短所超过的时间大小的处理用的搬送速度，以所算出的搬送速度搬送基板。

于是，当从由第二检测装置检测到基板时开始的经过时间、即实际处理时间成为上述设定的二次处理时间时，以预先设定的搬出速度，向着处理区域的下游侧搬出基板。

这样，根据该基板处理装置，测量从基板进入处理区域内、将处理液供给至该基板上、开始一次处理，至将基板完全搬入处理区域内、开始下面的二次处理为止的基板搬入时间，当该基板搬入时间比预先设定的基准搬入时间长时，将二次处理时间缩短所超过的时间的大小。

因此，即使在基板搬入时间超过基准搬入时间的情况下，也能够使把一次处理时间和二次处理时间合在一起的整体处理时间成为与在基准搬入时间内所搬入的基板相同的处理时间，可对各基板进行均匀的处理。另外，由于能够使整体处理时间一定，换句话说，由于能够使基板处理的生产节拍时间一定，所以能够防止基板生产效率或生产能力降低。

另外，本发明涉及一种基板处理装置，其包括：

搬送装置，具有多个并排设置的搬送滚子，通过使该搬送滚子绕轴中心旋转，搬送载置在该搬送滚子上的基板；

盖体，以至少包围设定在上述搬送装置的搬送路径上的处理区域的方式而进行设置；

处理液供给装置，在由上述盖体包围的上述处理区域内，具有配置在上述搬送滚子的上方的至少一个喷嘴，从该喷嘴喷出处理液，将其供给至由上述搬送装置搬送的基板上；

第一检测装置，检测上述基板到达在上述基板的搬送方向前端部进入到上述处理区域内的位置上，并且是作为开始对该基板进行一次处理的位置而设定的位置上；

第二检测装置，检测上述基板到达在将上述基板完全搬入到上述处理区域内的位置上，并且是作为开始对该基板进行二次处理的位置而设定的位置上；

控制装置，其构成为，驱动上述搬送装置，以预先设定的搬入速度向搬送方向下游侧，搬送载置在相比于上述处理区域还位于上游侧的上述搬送滚子上的基板，当利用上述第一检测装置检测到基板搬送方向前端部进入到处理区域内时，使上述处理液供给装置动作，向基板上供给处理液，进行一次处理；接着，在利用上述第二检测装置检测到基板已到达二次处理开始位置时，使上述搬送装置的搬送速度为预先设定的二次处理用的搬送速度，即以预先设定的时间作为二次处理时间，达到在该时间内从上述二次处理开始位置搬送至设定在上述处理区域内的搬送方向下游端的上述二次处理结束位置的速度，以该速度搬送上述基板，同时，测量从由上述第二检测装置检测到基板时开始的经过时间作为实际处理时间，当所测量的实际处理时间成为上述设定二次处理时间时，使上述搬送装置的搬送速度为预先设定的搬出速度，控制上述搬送装置和处理液供给装置的动作，以将上述基板搬出至处理区域的下游侧，其中，

上述控制装置构成为进行如下控制，测量从由上述第一检测装置检测到上述基板的时候开始、至随后由上述第二检测装置检测到上述基板为止的经过时间，作为搬入时间，当该搬入时间比预先设定的基准搬入时间长时，将上述设定二次处理时间缩短所超过时间的大小，控制上述搬送装置的动作，以便当实际处理时间成为缩短后的设定二次处理时间时，将上述基板搬出至处理区域的下游侧。

根据该基板处理装置，以预先设定的搬入速度朝着搬送方向下游侧搬送载置在处理区域上游侧的搬送滚子上的基板，将其搬入处理区域内。于是，当由第一检测装置检测到基板已进入处理区域内时，将处理液供给至该基板上，开始一次处理，同时，测量从由第一检测装置检测到基板的时候开始，至随后由第二检测装置检测到为止的经过时间，作为搬入时间。

然后，当利用第二检测装置检测到基板已到达二次处理开始位置时，以在作为二次处理时间而预先设定的时间内从二次处理开始位置搬送至二次处理结束位置为止的速度搬送基板。

于是，当从由第二检测装置检测到基板的时候开始的经过时间、即实际处理时间成为上述设定的二次处理时间时，以预先设定的搬出速度向处理区域下游侧搬出基板。这时，当所测量的搬入时间比基准搬入时间长时，将设定二次处理时间缩短所超过的时间大小，在实际处理时间成为缩短后的设定二次处理时间时，向处理区域下游侧搬出基板。

这样，根据该基板处理装置，测量从基板进入处理区域内、将处理液供给至该基板上、开始一次处理，至将基板完全搬入处理区域内、开始随后的二次处理为止的基板搬入时间，当该基板搬入时间比基准搬入时间长时，将二次处理时间缩短所超过的时间的大小。

因此，即使在基板搬入时间超过基准搬入时间的情况下，也能够使把一次处理时间和二次处理时间合在一起的整体的处理时间成为与在基准搬入时间内所搬入的基板相同的处理时间，可对各基板进行均匀的处理。另外，由于整理处理时间一定，换句话说，由于能够使基板处理的生产节拍时间一定，所以能够防止基板生产效率或生产能力降低。

另外，本发明涉及一种基板处理装置，其包括：

搬送装置，具有多个并排设置的搬送滚子，通过使该搬送滚子绕轴中心旋转，搬送载置在该搬送滚子上的基板；

盖体，以至少包围设定在上述搬送装置的搬送路径上的处理区域的方式而进行设置；

处理液供给装置，在由上述盖体包围的上述处理区域内，具有配置在上述搬送滚子的上方的至少一个喷嘴，从该喷嘴喷出处理液，将其供给至由上述搬送装置搬送的基板上；

第一检测装置，检测上述基板到达在上述基板的搬送方向前端部进入到上述处理区域内的位置上，并且是作为开始对该基板进行一次处理的位置而设定的位置上；

第二检测装置，检测上述基板到达在将上述基板完全搬入到上述处理区域内的位置上，并且是作为开始对该基板进行二次处理的位置而设定的位置上；

控制装置，其构成为，驱动上述搬送装置，以预先设定的搬入速度向搬送方向下游侧，搬送载置在相比于上述处理区域还位于上游侧的上述搬送滚子上的基板，当利用上述第一检测装置检测到基板搬送方向前端部进入到处理区域内时，使上述处理液供给装置动作，向基板上供给处理液，进行一次处理；接着，在利用上述第二检测装置检测到基板已到达二次处理开始位置时，使上述搬送滚子交互地沿正反方向旋转，使上述基板沿搬送方向前后运动，同时，测量从由上述第二检测装置检测到基板时开始的经过时间，作为实际处理时间，当所测量的实际处理时间成为上述设定二次处理时间时，使上述搬送装置的搬送速度为预先设定的搬出速度，控制上述搬送装置和处理液供给装置的动作，以将上述基板搬出至处理区域的下游侧，其中，

上述控制装置构成为进行如下控制，测量从由上述第一检测装置检测到上述基板的时候开始、至随后由上述第二检测装置检测到上述基板为止的经过时间，作为搬入时间，当该搬入时间比预先设定的基准搬入时间长时，将上述设定二次处理时间缩短所超过时间的大小，控制上述搬送装置的动作，以便当实际处理时间成为缩短后的设定二次处理时间时，将上述基板搬出至处理区域的下游侧。

根据该基板处理装置，以预先设定的搬入速度朝着搬送方向下游侧搬送载置在处理区域上游侧的搬送滚子上的基板，将其搬入处理区域内。于是，当由第一检测装置检测到基板已进入处理区域内时，将处理液供给至该基板上，开始一次处理，同时，测量从由第一检测装置检测到基板的时候开始，至随后由第二检测装置检测到为止的经过时间，作为搬入时间。

然后，当利用第二检测装置检测到基板已到达二次处理开始位置时，在基板沿搬送方向进行前后运动、所测量的搬入时间为在预先设定的基准搬入时间内的情况下，当从由第二检测装置检测到基板的时候开始的经过时间、即实际处理时间成为设定二次处理时间时，以预先设定的搬出速度向处理区域的下游侧搬出基板。另一方面，当所测量的搬入时间比基准搬入时间长时，将上述设定的二次处理时间缩短所超过的时间大小，当实际处理时间成为缩短后的设定二次处理时间时，搬出基板。

这样，根据该基板处理装置，测量从基板进入处理区域内、开始将处理液供给至该基板上、开始一次处理，至将基板完全搬入处理区域内、开始随后的二次处理为止的基板搬入时间，当该基板搬入时间比基准搬入时间长时，将二次处理时间缩短所超过的时间的大小。

因此，即使在基板搬入时间超过基准搬入时间的情况下，也能够使把一次处理时间和二次处理时间合在一起的整体的处理时间成为与在基准搬入时间内所搬入的基板相同的处理时间，可对各基板进行均匀的处理。另外，由于整理处理时间一定，换句话说，由于能够使基板处理的生产节拍时间一定，所以能够防止基板生产效率或生产能力降低。

如上所述，根据本发明的基板处理装置，即使在基板搬入时间超过基准搬入时间的情况下，也能够使整体的处理时间成为与在基准搬入时间内所搬入的基板相同的处理时间，可对各基板进行均匀的处理。另外，由于能够使基板处理的生产节拍时间一定，所以能够防止基板生产效率或生产能力降低。

附图说明

图1为表示本发明的一个实施方式的基板处理装置的大致结构的正视截面图；

图2为图1所示的基板处理装置的平面图；

图3为表示本实施方式的基板处理装置的控制关系的结构的方框图；

图4为表示本实施方式的搬入准备控制部中的处理顺序的流程图；

图5为表示本实施方式的第一蚀刻控制部中的处理顺序的流程图；

图6为表示本实施方式的第二蚀刻控制部中的处理顺序的流程图；

图7为表示本实施方式的搬出部中的处理顺序的流程图；

图8为用于说明本实施方式的第一蚀刻部的二次处理的动作的说明图；

图9为用于说明本实施方式的第二蚀刻部的二次处理的动作的说明图；

图10为表示现有技术中的基板处理装置的整体的平面图；

图11为表示现有技术中的基板处理装置的蚀刻处理部的正视截面图；

具体实施方式

以下，根据附图说明本发明的具体的实施方式。图1为表示本实施方式的基板处理装置的大致结构的正视截面图，图2为其平面图。图3为表示本实施方式的基板处理装置的控制关系的结构的方框图。

如图1所示，本例子的基板处理装置1具有多个并排设置的搬送滚子11、21、31、41，还具有以包围这些搬送滚子11、21、31、41的的方式进行设置的盖体2。

由盖体2包围的区域，利用具有基板K可通过的开口部3a、3a……的分隔板3、3…分隔为4个区域，从纸面右端依次形成搬入准备部10、第一蚀刻部20、第二蚀刻部30和搬出部40。

如图3所示，分别位于上述搬入准备部10、第一蚀刻部20、第二蚀刻部30、和搬出部40内的搬送滚子11、21、31、41，分别利用另外设置的搬送滚子驱动电机12、25、35、42进行各自的驱动，可以绕轴中心正反方向转动。当按图1所示的箭头a方向(正方向)转动时，沿箭头c方向顺搬送载置在上面的基板K，当按箭头b方向(反方向)旋转时，沿箭头d方向进行逆搬送。

另外，如图1所示，在上述第一蚀刻部20内，在基板搬入侧的开口部3a附近，并且在搬送滚子21的上方，配置缝式喷嘴(slit nozzle)22，在基板搬出侧的开口部3a附近，并且在搬送滚子21的上方，配置缝式喷嘴24，在这些狭缝式喷嘴22、24间的搬送滚子21的上方配置喷射喷嘴(spray nozzle)27。

于是，从狭缝喷嘴22呈膜状吐出蚀刻液，将其涂敷在于下方搬送的基板K上。另外，从喷射喷嘴27呈喷淋状吐出蚀刻液，将其吹附在基板K的上表面上。从狭缝喷嘴24吐出被加压过的空气，利用吐出的空气流，将于下方进行搬送的基板K上的蚀刻液从该基板K上除去。

此外，从适当的蚀刻液供给源，向狭缝喷嘴22和喷射喷嘴27供给加压过的蚀刻液，这些狭缝喷嘴22和喷射喷嘴27分别利用设置在各自的供给路径中的、图3中所示的蚀刻用狭缝喷嘴开关阀26和蚀刻用喷射喷嘴开关阀27进行开关。同样，从适当的加压空气供给源向狭缝式喷嘴24供给已被加压的空气，该狭缝喷嘴24利用设置在其供给路径中的、图3中所示的气体用狭缝喷嘴开关阀28进行开关。

上述第二蚀刻部30具有与上述第一蚀刻部20相同的结构，在其内部的基板搬入侧的开口部3a附近，并且在搬送滚子31的上方配置狭缝喷嘴32，在基板搬出侧的开口部3a附近并且在搬送滚子31的上方配置狭缝喷嘴34，在这些狭缝喷嘴32、34之间的搬送滚子31的上方配置有喷射喷嘴37。

从狭缝喷嘴32呈膜状吐出蚀刻液，涂敷在基板K上，从喷射喷嘴37呈喷淋状吐出蚀刻液，将其吹附在基板K的上表面上，从狭缝喷嘴34吐出加压空气，利用吐出的空气流，除去基板K上的蚀刻液。

另外，从适当的蚀刻液供给源向狭缝喷嘴32和喷射喷嘴37供给已被加压的蚀刻液，该两个喷嘴分别通过蚀刻用狭缝喷嘴开关阀36和蚀刻用喷射喷嘴开关阀37进行开闭。同样，从适当的加压空气供给源向狭缝喷嘴34供给已被加压的空气，该喷嘴利用气体用狭缝喷嘴开关阀28进行开闭。

如图2所示，在搬入准备部10内，在顺搬送方向(箭头c方向)上依次配置检测传感器13a、13b。检测传感器13a检测在搬入准备部10内是否有基板K，检测传感器13b检测在搬入准备部10内基板K是否位于顺搬送方向下游端。

另外，在第一蚀刻部20内，在顺搬送方向，依次配置检测传感器29a、29b、29c、29d。检测传感器29a设置在狭缝喷嘴22的上游，检测基板K已进入第一蚀刻部20内。另外，检测传感器29d设置在狭缝喷嘴24的下游，检测在第一蚀刻部20内基板K是否位于顺搬送方向下游端。另外，检测传感器29b检测基板K已到达应从喷射喷嘴23喷出蚀刻液的位置，检测传感器29b检测基板K已到达应开始使搬送速度减速的位置。

另外，在第二蚀刻部30内，在顺搬送方向依次配置检测传感器39a、39b、39c、39d、39e。检测传感器39a设置在狭缝喷嘴32的上游，检测基板K已进入第二蚀刻部30内，检测传感器39e设置在狭缝喷嘴34的下游，检测在第二蚀刻部30内基板K在顺搬送方向的下游端。另外，检测传感器39c检测基板K已到达应从喷射喷嘴33喷出蚀刻液的位置，检测传感器39c检测基板K已到达应开始使搬送速度减速的位置。检测传感器39b检测基板K已到达后述的前后动作的后端位置。

另外，在搬出部40内，在顺搬送方向依次配置检测传感器44a、44b、44c。检测传感器44a检测基板K已进入搬出部40内，检测传感器44c检测在搬出部40内基板K在顺搬送方向的下游端，检测传感器44b检测基板K已到达搬送速度应开始减速的位置。

如图3所示，利用控制装置50控制上述各部的动作，由搬入准备控制部52控制搬入准备部10，由第一蚀刻控制部53控制第一蚀刻部20，由第二蚀刻控制部54控制第二蚀刻部30，由搬出控制部55控制搬出部40。另外，符号51为输入喷出信号用的接口。

以下，利用图4～图7，说明控制装置50的具体的控制方法。

(搬入准备控制部)

如图4所示，在搬入准备控制部52中，首先确认检测传感器13a是否检测到基板K，确认基板K是否在搬入准备部10内(步骤S1)。于是，当检测传感器13a检测基板K，确认基板K在搬入准备部10内时，驱动搬送滚子驱动电机12，使搬送滚子11正旋转，以定位用的低速，沿顺方向搬送基板K(基板搬出准备动作)(步骤S2)。另外，利用适当的执行元件和操作装置，将基板K搬入搬入准备部10内。

其次，沿顺方向上搬送基板K，并利用检测传感器13b进行检测。当确认到达搬出位置时(步骤S3)，接着，后工序，即确认在第一蚀刻部20内不存在基板K(步骤S4)。在第一蚀刻部20内不存在基板K的时候，使搬送滚子11的旋转速度增速，以快的进给速度搬出基板K(步骤S6)。

另一方面，在步骤S4中，在确认在第一蚀刻部20内有基板K的情况下，停止搬送滚子11的旋转，停止基板K的搬送(步骤S5)。在第一蚀刻部20内没有基板K时，再次使搬送滚子11正旋转，以快的进给速度搬出基板K(步骤S6)。另外，当检测传感器29a、29b、29c、29d都没有检测到基板K时，判断在第一蚀刻部20内没有基板K。

当检测传感器13b没有检测到基板K时，判断基板K的搬出结束，停止搬送滚子11的旋转(步骤S7、步骤S8)。以后，重复步骤S1～步骤S8的处理，直至成为结束处理的状态(步骤S9)。

(第一蚀刻控制部)

如图5所示，在第一蚀刻控制部52中，首先确认在作为预工序的搬入准备部10中，是否做好基板K的搬出准备，即是否利用检测传感器13b检测到基板K(步骤S11)，在做好基板K的搬出准备的情况下，接着，确认是否做好第一蚀刻部20内的搬入准备，即确认检测传感器29a、29b、29c、29d都没有检测到基板K、确认是否判断在第一蚀刻部20内没有基板K(步骤S12)。

另外，在确认做好搬入准备的情况下，驱动搬送滚子驱动电机25，使搬送滚子21正旋转，以快的进给速度沿顺方向搬送从搬入准备部10搬入的基板K，当检测传感器29a检测到基板K进入该第一蚀刻部20内时，从该时刻开始测量基板搬入所要的时间(基板搬入时间)，同时，打开蚀刻用的狭缝喷嘴开关阀26，从狭缝喷嘴22以膜状喷出蚀刻液(步骤S13)。由此，将所喷出的蚀刻液涂敷在于下方进行搬送的基板K的上表面上，对该基板K的上表面进行一次处理。

另外，当利用检测传感器29b检测基板K，确认到达减速开始位置时，使搬送滚子21的旋转速度减速，以定位用的低速，沿顺方向搬送基板K，在利用检测传感器29c检测基板K，确认到达二次处理开始位置、即基板K的搬入结束时，停止搬送滚子21的旋转，停止基板K的搬送，关闭蚀刻用狭缝喷嘴开关阀26，停止蚀刻液的喷出，同时，结束基板搬入时间的测量(步骤S14)。另外，可利用时钟或定时器等测量基板搬入时间。

其次，将所测量的基板搬入时间与预先决定的基准搬入时间比较，在所测量的基板搬入时间在基准搬入时间内的情况下，接着将二次处理用的搬送速度设定为预先设定的标准搬送速度(步骤S15、步骤S16)。另一方面，在所测量的基板的搬入时间比基准搬入时间长的情况下，计算可消除所超过的延迟时间的搬送速度，将所计算的搬送速度设定为上述二次处理用的搬送速度(步骤S15、步骤S17)。

另外，上述的标准搬送速度为利用预先设定的二次处理时间，基板K从上述二次处理开始位置移动至二次处理结束位置(由检测传感器29d检测的位置)的搬送速度，消除延迟时间的搬送速度为利用从设定的二次处理时间中减去延迟时间后的时间，从二次处理开始位置移动至二次处理结束位置的搬送速度。

于是，按如上所述，设定二次处理用的搬送速度，随后，再次使搬送滚子21正旋转，以设定的二次处理用的搬送速度，顺搬送基板K，同时(参见图8)，打开蚀刻用喷射喷嘴开关阀27，从喷射喷嘴23呈喷淋状态喷出蚀刻液(步骤S18)。由此，将所喷出的蚀刻液吹附在于下方进行搬送的基板K的上表面上，对该基板K的上表面进行二次处理。

然后，当利用检测传感器29d检测基板K，确认到达二次处理结束位置时，停止搬送滚子21的旋转，停止基板K的搬送，同时，关闭蚀刻用喷淋喷嘴开关阀27，停止蚀刻液的喷出，结束二次处理(步骤S19、步骤S20)。

接着，确认作为后工序的第二蚀刻部30内的搬入准备是否准备好，即确认检测传感器39a、39b、39c、39d、39e都没有检测到基板K，确认是否判断在第二蚀刻部30内没有基板K(步骤S21)。在确认搬入准备准备好的情况下，驱动搬送滚子驱动电机25，使搬送滚子21正旋转，以快的进给速度，向着第二蚀刻部30，沿顺方向搬出基板K，同时，打开气体用狭缝喷嘴开关阀28，从狭缝喷嘴24中喷出空气(步骤S21、步骤S22)。这样，利用从狭缝喷嘴24喷出的空气流，从在下方进行搬送的基板K的上表面上除去蚀刻液。

当检测传感器29d检测不到基板K时，判断结束基板K的搬出，停止搬送滚子21的旋转，同时，关闭气体用狭缝喷嘴开关阀28，停止从狭缝喷嘴24喷出空气(步骤S23、步骤S24)。以后，重复步骤S11～步骤S24的处理，直至成为结束处理的状态为止(步骤S25)。

(第二蚀刻控制部)

如图6所示，在第二蚀刻控制部54中，首先，确认在作为预工序的第一蚀刻部20中，基板K的搬出准备是否准备好，即是否由检测传感器29c检测到基板K(步骤S31)，在做好基板K的搬出准备的情况下，接着确认第二蚀刻部30内的搬入准备是否准备好，即检测传感器39a、39b、39c、39d、39e都检测不到基板K，确认是否判断在第二蚀刻部30内没有基板K(步骤S32)。

另外，在确认搬入准备准备好的情况下，驱动搬送滚子驱动电机35，使搬送滚子31正旋转，沿顺方向，以快的进给速度，搬送从第一蚀刻部20搬入的基板K，当由检测传感器39a检测到基板K已进入该第二蚀刻部30内时，从该时刻开始测量基板搬入所要的时间(基板搬入时间)，同时，打开蚀刻用狭缝喷嘴开关阀36，从狭缝喷嘴32呈膜状喷出蚀刻液(步骤S33)。这样，将所喷出的蚀刻液涂敷在于下方进行搬送的基板K的上表面上，对该基板K的上表面进行一次处理。

当利用检测传感器39c检测基板K，确认到达减速开始位置时，使搬送滚子31的旋转速度减速，以定位用的低速沿顺方向搬送基板K，当利用检测传感器39d检测基板K，确认到达二次处理开始位置、即确认基板K搬入结束时，停止搬送滚子31的旋转，停止基板K的搬送，关闭蚀刻用狭缝喷嘴开关阀36，停止蚀刻液的喷出，同时结束基板搬入时间的测量(步骤S34)。另外，基板搬入时间的测量，可以与上述同样，利用时钟或定时器等进行。

然后，将所测量的基板搬入时间与预先决定的基准搬入时间相比较，在所测量的基板搬入时间在基准搬入时间内的情况下，接着将二次处理的处理时间设定为预先设定的标准的二次处理时间(步骤S35、步骤S36)。另一方面，在所测量的基板搬入时间比基准搬入时间长的情况下，将从上述基准二次处理时间中减去超过的延迟时间后的时间设定为二次处理时间(步骤S35、步骤S37)。

然后，按如上所述设定二次处理时间，随后，再次使搬送滚子21正旋转，以预选设定的二次处理用的搬送速度顺搬送基板K，同时打开蚀刻用喷射喷嘴开关阀37，从喷射喷嘴33呈喷淋状喷出蚀刻液(步骤S38)。由此，将所喷出的蚀刻液吹附在于下方进行搬送的基板K的上表面上，对该基板K的上表面进行二次处理。

并且，当利用检测传感器39e检测基板K，确定它到达前方折返位置时，使搬送滚子31逆旋转，沿箭头d方向逆搬送基板K，随后，当利用检测传感器39b检测基板K，确认其到达后方折返位置时，使搬送滚子31再次正旋转，沿箭头c方向顺搬送基板K，如此，使基板K前后运动，直至经过设定的二次处理时间为止(参照图9)。

然后，当经过所设定的二次处理时间时，停止搬送滚子31的旋转，停止基板K的搬送，同时，关闭蚀刻用喷淋喷嘴开关阀37，停止蚀刻液的喷出，结束二次处理(步骤S39、步骤S40)。

接着，确认在作为后工序的搬出部40内的搬入准备是否准备好，即是否检测传感器44a、44b、44c都没有检测到基板K，确认是否判断在搬出部40内没有基板K(步骤S41)。在确认搬入准备准备好的情况下，使搬送滚子31正旋转，朝着搬出部40，沿顺方向以快的进给速度搬出基板K，同时，打开气体用狭缝喷嘴的开关阀38，从狭缝喷嘴34喷出空气(步骤S41、步骤S42)。这样，利用从狭缝喷嘴34喷出的空气流，从在下方进行搬送的基板K的上表面除去蚀刻液。

当检测传感器39e没有检测到基板K时，判断结束基板K的搬出，停止搬送滚子31的旋转，同时，关闭气体用狭缝喷嘴开关阀38，停止从狭缝喷嘴34喷出空气(步骤S43、步骤S44)。以后，重复步骤S31～步骤S44的处理，直至成为结束处理的状态为止(步骤S45)。

(搬出控制部)

如图7所示，在搬出控制部55中，首先确认在作为预工序的第二蚀刻部30中基板K的搬出准备是否准备好，即确认是否结束了二次处理(步骤S51)，在做好基板K的搬出准备的情况下，接着确认搬出部40内的搬入准备是否准备好，即确认是否检测传感器44a、44b、44c都检测不到基板K，确认是否判断在搬出部40内没有基板K(步骤S52)。

然后，当确认搬出部40内的搬入准备准备好时，驱动搬送滚子驱动电机42，使搬送滚子41正旋转，沿顺方向，以快的进给速度搬送基板K(步骤S53)，当利用检测传感器44b检测基板K，确认已到达减速开始位置时，使搬送滚子41的旋转速度减速，用定位用的低速，沿顺方向搬送基板K，当利用检测传感器44c检测基板K，确认搬入结束时，停止搬送滚子41的旋转，停止基板K的搬送(步骤S54、步骤S55)。以后，重复步骤S51～步骤S55的处理，直至成为结束处理的状态为止(步骤S56)。

另外，搬出至搬出部40的基板K，可再利用适当的执行元件或操纵装置搬出至系统外。

根据以上结构的本例的基板处理装置1，搬入至搬入准备部10中的基板K，利用搬送滚子11、21、31、41，沿箭头c方向进行搬送，依次经由第一蚀刻部20、第二蚀刻部30处理进行处理后，搬出至搬出部40。

于是，在第一蚀刻部20中，利用检测传感器29a检测基板K进入到该第一蚀刻部20内，使蚀刻液从狭缝喷嘴22呈膜状喷出，由此，将蚀刻液涂敷在基板K的上表面上，进行一次处理，同时，测量从基板K进入至结束搬入为止的经过时间(为基板搬入时间，并且为一次处理时间)，在所测量的基板搬入时间为在基准搬入时间内的情况下，以标准的搬送速度搬送基板K，进行二次处理，在所测量的基板搬入时间比基准搬入时间长的情况下，计算消除所超过的延迟时间的搬送速度，以计算出的搬送速度搬送基板K，进行二次处理。

这样，在第一蚀刻部20中，测量从基板K进入第一蚀刻部20内、将蚀刻液供给至基板K上、开始一次处理，至将基板K完全搬入该第一蚀刻部20内、开始下一个二次处理为止的基板搬入时间，当该基板搬入时间比预先设定的基准时间长时，将二次处理的处理时间只缩短所超过的时间的大小。

因此，即使由于任何的原因，在搬送滚子11、21和基板K之间产生滑动、基板搬入时间超过基准时间的情况下，也可使将一次处理时间和二次处理时间合在一起的整体的处理时间为与在基准搬入时间内搬入的基板K相同的处理时间，能够对各个基板K进行均匀的处理。

另外，在第二蚀刻部30中也同样，利用检测传感器39a检测基板K已进入到第二蚀刻部30内，从狭缝喷嘴32呈膜状喷出蚀刻液，由此，可将蚀刻液涂敷在基板K的上表面上，进行一次处理，同时，测量从基板K进入至结束搬入为止的基板搬入时间，在所测量的基板搬入时间为在基准搬入时间内的情况下，接着以预先设定的基准二次处理时间进行二次处理，另一方面，在所测量的基板搬入时间比基准搬入时间长的情况下，以从基准二次处理时间中减去延迟时间后的时间作为二次处理时间，进行该二次处理。

这样，在该第二蚀刻部30中，对于在基准搬入时间内搬入的基板K和超过基准搬入时间搬入的基板K来说，都能够使将一次处理时间和二次处理时间合在一起的整体的处理时间成为相同的处理时间，因此能够对各基板K进行均匀的处理。特别是，第一蚀刻部20的搬送滚子21被暴露在从喷射喷嘴23喷出的蚀刻液中，与基板K之间容易产生滑动，在将基板K搬入第二蚀刻部30内的时候的搬入时间方面容易产生偏差。

这样，如上所述，在该基板处理装置1中，在第一蚀刻部20和第二蚀刻部30中，即使基板搬入时间参差不齐，由于能够使整体的处理时间一定，因此可使基板处理的生产节拍时间一定，不必担心因为产生基板搬入时间延迟而造成基板的生产效率或生产能力降低的问题。

以上，说明了本发明的一个实施方式，但本发明可以采取的具体的方式不限于此。

例如，在上例中，设置第一蚀刻部20和第二蚀刻部30的两个蚀刻处理部，但不限于此，也可以利用一个蚀刻处理部，相反，也可以设置三个以上的蚀刻处理部。

另外，在蚀刻处理部(第一蚀刻部20和第二蚀刻部30)的前后，可以任意地适当设置进行水洗处理或干燥处理等的工序。

另外，第一蚀刻部20和第二蚀刻部30的处理顺序，不限于例示的顺序，也可以共同采用图5或图6所示的处理顺序。并且，也可以在第二蚀刻部30中采用图5所示的处理顺序，在第一蚀刻部20中采用图6所示的处理顺序。

再者，在图5所示的处理顺序中，可以按如下方式进行二次处理，在基板搬入时间在基准搬入时间以内的情况下，是预先设定的二次处理用的搬送速度，以利用作为二次处理时间预先设定的时间，从二次处理开始位置搬送至二次处理结束位置为止的标准速度，搬送基板K，并对其进行处理。另一方面，当基板搬入时间比基准搬入时间长时，计算将二次处理时间缩短超过时间大小的二次处理用的搬送速度，以所计算的搬送速度，搬送基板K，并对其进行处理。当测量从二次处理开始的经过时间得到的实际处理时间为上述设定的二次处理时间时，结束二次处理。

或者，也可以按如下方式进行同一个二次处理，以利用作为二次处理时间预先设定的时间，从二次处理开始位置搬送至二次处理结束位置为止的速度，搬送基板K，并对其进行处理，当测量从二次处理开始的经过时间得到的实际处理时间成为上述设定的二次处理时间时，结束二次处理，并且，在基板搬入时间比基准搬入时间长时，使上述设定的二次处理时间缩短所超过时间大小，当实际处理时间为缩短后的设定二次处理时间时，结束二次处理。利用这些处理顺序，可得到与上例情况同样的效果。

另外，在上例中，例示了进行蚀刻的装置，但进行剥离处理等其他处理的装置也可以。

产业上的可利用性

如上所详述的那样，本发明非常适用于将蚀刻液或剥离液等处理液供给至搬送中的基板上，处理该基板的上表面的基板处理装置。

Claims (4)

1、一种基板处理装置，其特征在于，包括：

搬送装置，具有多个并排设置的搬送滚子，通过使该搬送滚子绕轴中心旋转，搬送载置在该搬送滚子上的基板；

盖体，以至少包围设定在所述搬送装置的搬送路径上的处理区域的方式而进行设置；

处理液供给装置，在由所述盖体包围的所述处理区域内，具有配置在所述搬送滚子的上方的至少一个喷嘴，从该喷嘴喷出处理液，将其供给至由所述搬送装置搬送的基板上；

第一检测装置，检测所述基板到达在所述基板的搬送方向前端部进入到所述处理区域内的位置上，并且是作为开始对该基板进行一次处理的位置而设定的位置上；

第二检测装置，检测所述基板到达在将所述基板完全搬入到所述处理区域内的位置上，并且是作为开始对该基板进行二次处理的位置而设定的位置上；

第三检测装置，检测所述基板到达设定在所述处理区域内的搬送方向下游端的二次处理结束位置；和

控制装置，其构成为，驱动所述搬送装置，以预先设定的搬入速度向搬送方向下游侧，搬送载置在相比于所述处理区域还位于上游侧的所述搬送滚子上的基板，当利用所述第一检测装置检测到基板搬送方向前端部进入到处理区域内时，使所述处理液供给装置动作，向基板上供给处理液，进行一次处理；接着，在利用所述第二检测装置检测到基板已到达二次处理开始位置时，使所述搬送装置的搬送速度为预先设定的二次处理用的搬送速度，即以预先设定的时间作为二次处理时间，达到在该时间内从所述二次处理开始位置搬送至所述二次处理结束位置的速度，以该速度搬送所述基板；当利用第三检测装置检测到所述基板已到达二次处理结束位置时，使所述搬送装置的搬送速度为预先设定的搬出速度，控制所述搬送装置和处理液供给装置的动作，将所述基板搬出至处理区域的下游侧，其中，

所述控制装置构成为进行如下控制，测量从由所述第一检测装置检测到所述基板的时候开始、至随后由所述第二检测装置检测到所述基板为止的经过时间，作为搬入时间，当该搬入时间比预先设定的基准搬入时间长时，计算将所述设定二次处理时间缩短超过时间大小的情况下的所述二次处理用的搬送速度，控制所述搬送装置的动作，以便以所计算出的二次处理用的搬送速度搬送所述基板。

2、一种基板处理装置，其特征在于，包括：

搬送装置，具有多个并排设置的搬送滚子，通过使该搬送滚子绕轴中心旋转，搬送载置在该搬送滚子上的基板；

盖体，以至少包围设定在所述搬送装置的搬送路径上的处理区域的方式而进行设置；

处理液供给装置，在由所述盖体包围的所述处理区域内，具有配置在所述搬送滚子的上方的至少一个喷嘴，从该喷嘴喷出处理液，将其供给至由所述搬送装置搬送的基板上；

第一检测装置，检测所述基板到达在所述基板的搬送方向前端部进入到所述处理区域内的位置上，并且是作为开始对该基板进行一次处理的位置而设定的位置上；

第二检测装置，检测所述基板到达在将所述基板完全搬入到所述处理区域内的位置上，并且是作为开始对该基板进行二次处理的位置而设定的位置上；

控制装置，其构成为，驱动所述搬送装置，以预先设定的搬入速度向搬送方向下游侧，搬送载置在相比于所述处理区域还位于上游侧的所述搬送滚子上的基板，当利用所述第一检测装置检测到基板搬送方向前端部进入到处理区域内时，使所述处理液供给装置动作，向基板上供给处理液，进行一次处理；接着，在利用所述第二检测装置检测到基板已到达二次处理开始位置时，使所述搬送装置的搬送速度为预先设定的二次处理用的搬送速度，即以预先设定的时间作为二次处理时间，达到在该时间内从所述二次处理开始位置搬送至设定在所述处理区域内的搬送方向下游端的所述二次处理结束位置的速度，以该速度搬送所述基板，同时，测量从由所述第二检测装置检测到基板时开始的经过时间作为实际处理时间，当所测量的实际处理时间成为所述设定二次处理时间时，使所述搬送装置的搬送速度为预先设定的搬出速度，控制所述搬送装置和处理液供给装置的动作，以将所述基板搬出至处理区域的下游侧，其中，

所述控制装置构成为进行如下控制，测量从由所述第一检测装置检测到所述基板的时候开始、至随后由所述第二检测装置检测到所述基板为止的经过时间，作为搬入时间，当该搬入时间比预先设定的基准搬入时间长时，计算将所述设定二次处理时间缩短超过时间大小的情况下的所述二次处理用的搬送速度，控制所述搬送装置的动作，以便以所计算出的二次处理用的搬送速度搬送所述基板。

3、一种基板处理装置，其特征在于，包括：

搬送装置，具有多个并排设置的搬送滚子，通过使该搬送滚子绕轴中心旋转，搬送载置在该搬送滚子上的基板；

盖体，以至少包围设定在所述搬送装置的搬送路径上的处理区域的方式而进行设置；

处理液供给装置，在由所述盖体包围的所述处理区域内，具有配置在所述搬送滚子的上方的至少一个喷嘴，从该喷嘴喷出处理液，将其供给至由所述搬送装置搬送的基板上；

第一检测装置，检测所述基板到达在所述基板的搬送方向前端部进入到所述处理区域内的位置上，并且是作为开始对该基板进行一次处理的位置而设定的位置上；

第二检测装置，检测所述基板到达在将所述基板完全搬入到所述处理区域内的位置上，并且是作为开始对该基板进行二次处理的位置而设定的位置上；

控制装置，其构成为，驱动所述搬送装置，以预先设定的搬入速度向搬送方向下游侧，搬送载置在相比于所述处理区域还位于上游侧的所述搬送滚子上的基板，当利用所述第一检测装置检测到基板搬送方向前端部进入到处理区域内时，使所述处理液供给装置动作，向基板上供给处理液，进行一次处理；接着，在利用所述第二检测装置检测到基板已到达二次处理开始位置时，使所述搬送装置的搬送速度为预先设定的二次处理用的搬送速度，即以预先设定的时间作为二次处理时间，达到在该时间内从所述二次处理开始位置搬送至设定在所述处理区域内的搬送方向下游端的所述二次处理结束位置的速度，以该速度搬送所述基板，同时，测量从由所述第二检测装置检测到基板时开始的经过时间作为实际处理时间，当所测量的实际处理时间成为所述设定二次处理时间时，使所述搬送装置的搬送速度为预先设定的搬出速度，控制所述搬送装置和处理液供给装置的动作，以将所述基板搬出至处理区域的下游侧，其中，

所述控制装置构成为进行如下控制，测量从由所述第一检测装置检测到所述基板的时候开始、至随后由所述第二检测装置检测到所述基板为止的经过时间，作为搬入时间，当该搬入时间比预先设定的基准搬入时间长时，将所述设定二次处理时间缩短所超过时间的大小，控制所述搬送装置的动作，以便当实际处理时间成为缩短后的设定二次处理时间时，将所述基板搬出至处理区域的下游侧。

4、一种基板处理装置，其特征在于，包括：

搬送装置，具有多个并排设置的搬送滚子，通过使该搬送滚子绕轴中心旋转，搬送载置在该搬送滚子上的基板；

盖体，以至少包围设定在所述搬送装置的搬送路径上的处理区域的方式而进行设置；

处理液供给装置，在由所述盖体包围的所述处理区域内，具有配置在所述搬送滚子的上方的至少一个喷嘴，从该喷嘴喷出处理液，将其供给至由所述搬送装置搬送的基板上；

第一检测装置，检测所述基板到达在所述基板的搬送方向前端部进入到所述处理区域内的位置上，并且是作为开始对该基板进行一次处理的位置而设定的位置上；

第二检测装置，检测所述基板到达在将所述基板完全搬入到所述处理区域内的位置上，并且是作为开始对该基板进行二次处理的位置而设定的位置上；

控制装置，其构成为，驱动所述搬送装置，以预先设定的搬入速度向搬送方向下游侧，搬送载置在相比于所述处理区域还位于上游侧的所述搬送滚子上的基板，当利用所述第一检测装置检测到基板搬送方向前端部进入到处理区域内时，使所述处理液供给装置动作，向基板上供给处理液，进行一次处理；接着，在利用所述第二检测装置检测到基板已到达二次处理开始位置时，使所述搬送滚子交互地沿正反方向旋转，使所述基板沿搬送方向前后运动，同时，测量从由所述第二检测装置检测到基板时开始的经过时间，作为实际处理时间，当所测量的实际处理时间成为所述设定二次处理时间时，使所述搬送装置的搬送速度为预先设定的搬出速度，控制所述搬送装置和处理液供给装置的动作，以将所述基板搬出至处理区域的下游侧，其中，

所述控制装置构成为进行如下控制，测量从由所述第一检测装置检测到所述基板的时候开始、至随后由所述第二检测装置检测到所述基板为止的经过时间，作为搬入时间，当该搬入时间比预先设定的基准搬入时间长时，将所述设定二次处理时间缩短所超过时间的大小，控制所述搬送装置的动作，以便当实际处理时间成为缩短后的设定二次处理时间时，将所述基板搬出至处理区域的下游侧。

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