JPH0831795A - 半導体ウェハの処理装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 大口径のウェハであっても、エッチング液や
洗浄剤をウェハの全面に均一に供給する。 【構成】 Ｎ₂ 噴射ノズルに両側から挟まれ且つ断面形
状が一方向に長い矩形のＨＦ蒸気噴射ノズルを先端部に
有する薬品供給部１１から、コンプレッサ１０で加圧さ
れたＨＦ蒸気を線状に噴射しつつ、移動台６上に設置さ
れた半導体ウェハ３を移動させる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、半導体装置の製造工程
において半導体ウェハに対しエッチング処理や洗浄処理
を行うための半導体ウェハの処理装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】ＤＲＡＭ（Dynamic Random Access Memo
ry）やＥＥＰＲＯＭ（Electrically Erasable Programm
able Read Only Memory ）等の半導体装置の製造工程に
おいては、フォトレジスト等で作られたパターンを保護
マスクとして、その下にあるシリコン酸化膜や多結晶シ
リコン膜等を保護マスクと同じパターンに加工するエッ
チング技術が広く用いられている。一方、半導体ウェハ
表面の粒子、有機物等の汚れは配線の短絡や断線の原因
となるため、半導体ウェハの表面は常に清浄に保つ必要
がある。そこで、これらの汚れを液体又は気体の洗浄剤
の物理的及び化学的作用により除去する洗浄技術が用い
られている。このエッチング技術の一つであるウエット
エッチング及びウェハ洗浄を行う装置の一つとして、１
バッチ５０枚以下の半導体ウェハをエッチング液の入っ
た槽（薬液槽）及び純水の入った槽（純水槽）に順次浸
漬してエッチング及び洗浄を行う浸漬式半導体ウェハ処
理装置がある。

【０００３】また、浸漬式半導体ウェハ処理装置のほか
に、エッチング液や洗浄剤をスプレーノズルから霧状に
噴霧してエッチング及び洗浄を行うスプレー式半導体ウ
ェハ処理装置がある。以下、このスプレー式半導体ウェ
ハ処理装置について、図５を参照して説明する。

【０００４】図５は、スプレー式半導体ウェハ処理装置
の概略構成図である。図５において、処理槽１０１下に
設置されたモータ１０２は、ウェハ支持台１０３上に載
置された半導体ウェハ１０４を回転させ得るように構成
されている。容器１０５にはＫＯＨ、ＨＦ等のウエット
エッチング液が蓄えられており、このエッチング液は、
配管１０６によって高圧ポンプ１０７及びバルブ１０８
を介して半導体ウェハ１０４中央部上に設けられたノズ
ル１０９に供給される。

【０００５】次に、図５に示す装置の動作を説明する。
まず、半導体ウェハ１０４を例えば真空吸着によりウェ
ハ支持台１０３上に固定し、しかる後、モータ１０２を
動作させて半導体ウェハ１０４を回転させる。そして、
バルブ１０８を開いて高圧ポンプ１０７により所望の圧
力に昇圧されたエッチング液をノズル１０９から霧状に
半導体ウェハ１０４に対してスプレーする。そして、ス
プレーされたエッチング液は、ウェハの回転作用によ
り、半導体ウェハ１０４上に均一に分布するようにな
る。この装置は、容器１０５に純水等の洗浄剤を蓄え、
これをノズル１０９から霧状に半導体ウェハ１０４に対
してスプレーすることにより、半導体ウェハ表面の洗浄
にも用いられる。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述し
た浸漬式半導体ウェハ処理装置には、半導体ウェハの大
口径化及び半導体素子の微細化に伴い、幾つかの問題が
生じていた。まず、この装置でウェハ洗浄を行う場合、
高アスペクト比のコンタクト孔の底部にまで純水等の洗
浄剤を供給することができないため、十分な洗浄効果が
得られなかった。次に、半導体ウェハを薬液槽に浸漬す
る場合、半導体ウェハ表面が薬液表面と直交する方向で
半導体ウェハを薬液槽内に浸漬し、再び同一方向に引き
上げるので、半導体ウェハの直径方向での薬液浸漬時間
に差が生じてエッチング量の面内均一性が劣化してい
た。次に、半導体ウェハの大口径化に対応して薬液槽を
大きくしなければならないので、薬液使用量が増大して
処理コストが増加していた。次に、浸漬式半導体ウェハ
処理装置は、バッチ式なので多数の半導体ウェハに対し
て同一の処理を行うのには適するが個々のウェハに対し
て異なる処理を行ったり、ウェハの場所によってエッチ
ング量を意図的に異ならせることが困難であった。

【０００７】一方、図５に示すようなスプレー式半導体
ウェハ処理装置は、ウェハを１枚ずつ処理する枚葉式で
あるので個々のウェハに対して異なる処理を行うのに適
しており、薬液使用量も比較的少なくて済むが、浸漬式
半導体ウェハ処理装置と同様に、以下のような問題が生
じていた。まず、エッチングを行う場合、エッチング液
を霧状に噴霧するので、ノズル１０９直下のウェハ中心
部分で半導体ウェハ１０４にスプレーされるエッチング
液が過多となり、ウェハ周辺部分で過少となるという現
象が半導体ウェハの大口径化に伴って顕著になり、ウェ
ハを高速で回転させたとしても、エッチング液を半導体
ウェハ１０４上に均一に分布させることができなくなっ
た。その結果、同一ウェハにおいて、ウェハ中心部分で
エッチング速度が大きく、ウェハ周辺部分で小さくなる
ため、エッチング速度が半導体ウェハ上の場所によって
不均一になり、エッチング速度の制御も困難になってい
た。

【０００８】次に、ウェハ洗浄を行う場合、層間絶縁膜
に形成した上下配線接続用等のコンタクト孔のアスペク
ト比が素子の微細化により大きくなったことに伴って、
コンタクト孔の底部には洗浄剤を供給することができな
くなった。その結果、コンタクト孔の底部を十分に洗浄
できなくなっていた。また、同様の問題は、ウェハ表面
に形成したキャパシタ用又は素子分離用等のトレンチ
（溝）の底部を洗浄する場合にも生じていた。

【０００９】要するに、従来は、半導体ウェハの全体を
均一なエッチング速度で効率よくエッチングでき、アス
ペクト比の高いコンタクト孔やトレンチ等の底部を十分
に効率よく洗浄することのできる半導体ウェハの処理装
置が存在しなかった。従って、エッチング速度や洗浄速
度の不均一性のために素子の信頼性に悪影響を及ぼすと
いう問題が生じていた。また、従来の半導体ウェハの処
理装置では、ウェハの場所によってエッチング量を異な
らせることができず、半導体装置の製造における幅広い
ニーズに対応することができなかった。

【００１０】そこで、本発明の目的は、大口径の半導体
ウェハであっても半導体ウェハの全体を均一なエッチン
グ速度で効率よくエッチングすることができ、また、ア
スペクト比の高いコンタクト孔やトレンチ等の底部を効
率よく高清浄に洗浄することのできる半導体ウェハの処
理装置を提供することである。

【００１１】また、本発明の別の目的は、ウェハの場所
によってエッチング量を異ならせることができる半導体
ウェハの処理装置を提供することである。

【００１２】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明の半導体ウェハの処理装置は、一方向に長く
連続的に形成された開口から半導体ウェハの表面にウェ
ハ処理用流体を供給するノズル手段と、上記ノズル手段
を上記半導体ウェハに対して上記一方向と交差する方向
に移動させる移動手段とを備えている。

【００１３】また、本発明の一態様においては、上記一
方向に長く連続的に形成された開口からウェハ処理用流
体との反応性の低い流体を供給する第２のノズル手段
を、上記ノズル手段の移動方向において上記ノズル手段
と隣接する位置の少なくとも一方に備えている。

【００１４】また、本発明の一態様においては、上記ノ
ズル手段から供給されるウェハ処理用流体の圧力、濃度
及び流量の少なくとも一つを制御する制御手段を備えて
いる。

【００１５】

【作用】一方向に長く連続的に形成された開口から半導
体ウェハの表面にウェハ処理用流体を供給しつつ半導体
ウェハを移動させるので、ウェハの大きさに関わらずウ
ェハの全面にウェハ処理用流体を均一に供給することが
できる。また、アスペクト比が高い場合であってもコン
タクト孔やトレンチの底部にウェハ処理用流体をウェハ
の真上から直接供給することができて、これらの箇所を
効率よく高清浄に洗浄できるようになる。従って、エッ
チングや洗浄にムラが生じることを防止できる。さら
に、半導体ウェハを移動させながらウェハ処理用流体を
供給するので、エッチング処理中にエッチング液の濃
度、温度及び噴射圧力等を変更することによって、半導
体ウェハの移動に伴いウェハの場所によりエッチング量
を異ならせることができるようになる。

【００１６】また、一方向に長く連続的に形成された開
口からウェハ処理用流体との反応性の低い流体を供給す
る第２のノズル手段を、ノズル手段の移動方向において
ノズル手段と隣接する位置の少なくとも一方に設けた場
合には、ウェハ処理用流体がウェハ表面に沿って横方向
に拡散することを防止でき、ウェハ処理用流体を供給し
た箇所のみを制御性よく処理することができるようにな
る。

【００１７】また、ノズル手段から供給されるウェハ処
理用流体の圧力・濃度・流量を制御する場合には、エッ
チング速度や洗浄速度の制御が容易にできるようにな
る。特に、ウェハ処理用流体を適度に加圧することによ
り、エッチング効率及び洗浄効率を非常に高くすること
ができる。

【００１８】

【実施例】以下、本発明の実施例につき図面を参照して
説明する。

【００１９】図１は、本実施例の半導体ウェハの処理装
置の概略構成図であり、図１（ａ）は正面図、図１
（ｂ）は側面図である。図１に示す装置は、エッチング
処理を行うための処理室１と、洗浄処理を行うための処
理室２とに大別することができる。これら処理室１及び
処理室２は、実質的に一体に形成されており、外部から
バルブ１２ｄ、１２ｅを介して供給された例えばＮ₂ 等
の不活性ガスで満たされている。半導体ウェハ３は、例
えばフッ素樹脂で作られたウェハ支持台４上に載置さ
れ、ウェハ支持台４はその下に設置されたモータ５によ
って回転可能に支持されている。モータ５は、処理室
１、２の間を水平に移動可能な移動台６の上に設置され
ている。また、処理室２の下部及び側部には、排液用及
び排気用の開口が夫々設けられている。

【００２０】処理室１の内部には、エッチング処理を行
うための薬品供給ユニット７が設置されている。薬品供
給ユニット７は、秤量器８、９、コンプレッサ１０及び
薬品供給部１１を有している。秤量器８は処理薬品であ
るＨＦ蒸気の供給源（図示せず）とバルブ１２ａを介し
て接続されており、秤量器９は窒素（Ｎ₂ ）の供給源
（図示せず）とバルブ１２ｂを介して接続されている。
尚、ＨＦ蒸気供給源には、１００％ＨＦ蒸気やＮ₂ で希
釈されたＨＦ蒸気のほか、被エッチング材に合わせたエ
ッチングガスやエッチング液が蓄積されていてよい。ま
た、Ｎ₂ の供給源には、Ｎ₂ の代わりにヘリウム、アル
ゴン等の不活性ガス等のＨＦ蒸気との反応性の低い流体
を蓄積してもよい。コンプレッサ１０は秤量器８、９か
ら送られたＨＦ蒸気及びＮ₂ を適宜混合した後に加圧
し、薬品供給部１１に送る。また、秤量器８、９及びコ
ンプレッサ１０は、外部に設置された計算機１４により
常に管理されており、薬品供給部１１から噴射されるＨ
Ｆ蒸気の濃度及び流量は正確に制御されるので、エッチ
ング速度の制御が容易にできるようになる。

【００２１】図２は、薬品供給部１１の先端部の拡大図
であり、図２（ａ）は斜視図、図２（ｂ）は底面図であ
る。図２（ａ）に示すように、薬品供給部１１は、先端
部が先細形状で一辺が他辺に対して極めて長い連続的に
形成された断面を有する鉛直下向きのＨＦ蒸気噴射ノズ
ル１５と、ＨＦ蒸気噴射ノズル１５の長手方向に沿って
これを挟むように配置され且つＨＦ蒸気噴射ノズル１５
と同一形状を有するＮ₂ 噴射ノズル１６ａ、１６ｂとの
３つのノズルからなっている。また、各ノズル１５、１
６ａ、１６ｂの先端部での断面形状は、図２（ｂ）に示
すように、２５０ｍｍ×０．１ｍｍの矩形である。この
２５０ｍｍという値は、図１（ｂ）に示すように、半導
体ウェハ３が円形の場合にその直径に等しい長さ、半導
体ウェハ３が矩形の場合にその一辺に等しい長さとなる
ように選択されたものである。尚、Ｎ₂ 噴射ノズル１６
ａ、１６ｂは、必ずしもＨＦ蒸気噴射ノズル１５と同一
の断面形状となるようにする必要はない。

【００２２】薬品吸入部１３はＨＦ蒸気噴射ノズル１５
と平行に且つ半導体ウェハ３の移動方向に対してＨＦ蒸
気噴射ノズル１５の後ろ側に配置されており、その底面
にはＨＦ蒸気噴射ノズル１５の長手方向に沿って連続的
に形成された吸入口が設けられている。また、薬品吸入
部１３は処理室１の外部にある吸入装置（図示せず）と
接続されており、半導体ウェハ３の表面に存在する気体
や液体を調節可能な吸引力で吸い取ることができるよう
に構成されている。

【００２３】処理室２の内部には、洗浄処理を行うため
の純水供給ユニット２７が設置されている。純水供給ユ
ニット２７は、秤量器２８、コンプレッサ３０及び純水
供給部３１を有している。秤量器２８はバルブ１２ｃを
介して純水の供給源（図示せず）と接続されている。コ
ンプレッサ３０は秤量器２８から送られた純水又は純水
蒸気を加圧し、純水供給部３１に送る。また、秤量器２
８及びコンプレッサ３０は、計算機１４により常に管理
されており、純水供給部３１から噴射される純水の流量
は正確に制御されるので、洗浄速度の制御が容易にでき
るようになる。

【００２４】純水供給部３１は、図２示すＨＦ蒸気噴射
ノズル１５と同じく、その先端部が先細形状で、一辺が
他辺に対して極めて長い連続的に形成された断面を有す
るノズルであり、その先端部での断面形状は、２５０ｍ
ｍ×０．１ｍｍの矩形である。

【００２５】次に、図１に示す半導体ウェハの処理装置
の動作を説明する。まず、半導体ウェハ３を例えば真空
吸着によりウェハ支持台４上に水平に固定する。そし
て、バルブ１２ａ、１２ｂを開栓した後、移動台６を操
作して半導体ウェハ３を１５ｃｍ／分以下の等速度で徐
々に処理室２側、即ちＨＦ蒸気噴射ノズル１５の長手方
向と直交する方向に移動させる。半導体ウェハ３の端部
が薬品供給部１１の下方に来ると、計算機１４の制御の
もとで秤量器８及びコンプレッサ１０を介して薬品供給
部１１にＨＦ蒸気が送られ、ＨＦ蒸気噴射ノズル１５か
ら２０ＳＬＭ（１気圧、温度２５℃の標準状態における
１分間のリットル数）流量でウェハに濃度２０％のＨＦ
蒸気が噴射される。このとき、上述のように、ＨＦ蒸気
噴射ノズル１５の先端部の断面形状が連続的に形成され
た矩形であるので、ＨＦ蒸気はノズル１５の先端部の断
面形状に即して線状に噴射される。また、これととも
に、半導体ウェハ３は移動台６によって等速度で移動す
る。従って、ＨＦ蒸気はウェハの大きさに関わらず半導
体ウェハ３上にムラなく均一に供給されようになり、半
導体ウェハ表面の各点がＨＦ蒸気にさらされる時間が一
定になって均一なエッチングが行われる。

【００２６】また、ＨＦ蒸気をノズル１５から噴射する
と同時に、秤量器９及びコンプレッサ１０を介して薬品
供給部１１のＮ₂ 噴射ノズル１６ａ、１６ｂからウェハ
３にＮ₂ を１５〜３０ＳＬＭの流量で噴射する。このと
き、上述のように、Ｎ₂ 噴射ノズル１６ａ、１６ｂの先
端部の断面形状が連続的に形成された矩形であるので、
Ｎ₂ はノズル１６ａ、１６ｂの先端部の断面形状に即し
て線状に噴射される。

【００２７】図３は、ノズル１５からＨＦ蒸気を、ノズ
ル１６ａ、１６ｂからＮ₂ を噴射した様子を模式的に示
す図であり、図示する矢印は半導体ウェハ３の移動方向
を示している。上述したように、Ｎ₂ 噴射ノズル１６
ａ、１６ｂは、ＨＦ蒸気噴射ノズル１５と同一形状を有
しているとともに、ＨＦ蒸気噴射ノズル１５の長手方向
に沿って平行に、且つ、ノズル１５を両側から挟むよう
に配置されている。従って、ノズル１５から噴射された
ＨＦ蒸気は、ノズル１６ａ、１６ｂから噴射されたＮ₂
の壁によって取り囲まれ、ノズル１５の長手方向端部の
みがＨＦ蒸気の逃げ口になる。即ち、ノズル１５から噴
射されたＨＦ蒸気は、図３の紙面において左右方向には
広がらず、紙面に垂直な方向にのみ抜けていく。また、
ノズル１６ａから噴出されたＮ₂ は左側に、ノズル１６
ｂから噴出されたＮ₂ は右側に、夫々半導体ウェハ３表
面において向きを変えられる。この結果、ＨＦ蒸気がウ
ェハ３表面に沿って横方向に拡散して不必要な箇所がエ
ッチングされることを防止でき、ＨＦ蒸気を噴射した箇
所のみを制御性よくエッチング処理することができるよ
うになる。

【００２８】また、ノズル１６ａから噴出されたＮ
₂ は、エッチングが行われる前に予め半導体ウェハ３表
面に付着した微粒子等を除去するという機能を有し、ノ
ズル１６ｂから噴出されたＮ₂ は半導体ウェハ３に残留
するＨＦ蒸気を除去するという機能を有する。従って、
ノズル１６ａ、１６ｂからＮ₂ を噴射することにより、
より一層エッチングの制御性を高めることができる。
尚、ＨＦ蒸気の横方向拡散を防止するには、ノズル１６
ａ、１６ｂのいずれか一方を設けるだけでよいが、ノズ
ル１６ａ、１６ｂの両方を設けることにより、ＨＦ蒸気
の横方向拡散がほとんど生じないようにすることができ
る。

【００２９】ノズル１５から噴射されるＨＦ蒸気の圧力
及びノズル１６ａ、１６ｂから噴射されるＮ₂ の圧力
は、計算機１４でコンプレッサ１０を制御することによ
って、５ｋｇ／ｃｍ² 〜１００ｋｇ／ｃｍ² に調節する
ことができる。このようにＨＦ蒸気及びＮ₂ の圧力を制
御することにより、ＨＦ蒸気及びＮ₂ の乱流によるエッ
チング制御性の低下を防止できると同時にＨＦ蒸気の濃
度を変化させることなくエッチング速度の制御ができる
ようになる。特に、ＨＦ蒸気の圧力を被エッチング材に
合わせて適度に制御することにより、エッチング効率を
非常に高くすることができる。

【００３０】また、上記のようなエッチング処理を行う
に当たって、その処理中にＨＦ蒸気の濃度、温度、移動
台６の速度及び噴射圧力等のエッチング条件を変更する
ことによって、エッチング量を半導体ウェハ３の移動に
伴って意図的に変化させることができる。図４は、半導
体ウェハ３上に形成されたシリコン酸化膜４１のエッチ
ング量を半導体ウェハ３の移動に伴って変化させたとき
の様子を示す断面図である。このように、半導体ウェハ
３の移動に伴ってウェハ上に段差を作ることができ、半
導体装置の製造におけるより幅広いニーズに対応するこ
とが可能になる。

【００３１】上記の例では、半導体ウェハ３をウエット
エッチングするためにＨＦ蒸気を用いたが、Ｎ₂ Ｈ₄ や
ＫＯＨなどのエッチング液を用いることができるほか、
ドライエッチングをするためにＣＦ₄ 、Ｃｌ₂ 、ＮＨ₃
等の反応ガスを用いることもできる。

【００３２】また、薬品吸入部１３は、薬品供給部１１
から半導体ウェハ３に供給されたＨＦ蒸気及びＮ₂ の混
合気体をエッチング処理後に順次吸い取っていく。この
結果、半導体ウェハ３のエッチング処理された箇所上に
ＨＦ蒸気が残存することによる過剰エッチングを防止で
きるので、エッチングの制御性を高めることができる。

【００３３】次に、ウェハ３の全面におけるエッチング
処理が終了すると、バルブ１２ａ、１２ｂを閉栓してＨ
Ｆ蒸気及びＮ₂ の処理室１内への供給を停止し、引き続
いて移動台６を操作して半導体ウェハ３を処理室２内に
搬送する。そして、半導体ウェハ３の端部が純水供給部
３１の下方まで移動してきた段階で、処理室２における
洗浄処理が開始される。

【００３４】まず、バルブ１２ｃを開栓して、純水を秤
量器２８及びコンプレッサ３０を介して純水供給部３１
から１〜１０リットル／分の流量でウェハに噴射する。
このとき、上述のように、純水供給部３１の先端部の断
面形状が連続的に形成された矩形であるので、純水は純
水供給部３１の先端部の断面形状に即して線状に噴射さ
れる。これにより、半導体ウェハの表面に残留している
ＨＦ及びエッチング時の反応生成物を除去する。このよ
うに、純水を半導体ウェハ３の真上からウェハ３に直接
噴射するので、アスペクト比の高いコンタクト孔やトレ
ンチの底部を洗浄する場合であっても、高い清浄度で効
率よくＨＦや反応生成物を除去することができる。尚、
洗浄を行う場合もコンプレッサ３０で純水の圧力を制御
することにより、洗浄速度の制御ができるようになる。
特に、純水の圧力を被エッチング材に合わせて適度に制
御することにより、洗浄効率を非常に高くすることがで
きる。尚、本実施例では、エッチング処理及び洗浄処理
を夫々別の処理室で行ったが、これらは同一の処理室で
行ってもよい。

【００３５】次に、ウェハ３の全面の洗浄処理が終了す
ると、バルブ１２ｃを閉栓して純水の処理室２内への供
給を停止し、純水供給部３１からの純水の噴射を止め
る。しかる後、モータ５を４０００ｒｐｍ程度の回転速
度で回転させ、半導体ウェハ３を乾燥させる。このと
き、純水供給ユニット２７又は図示しないこれと同等の
ユニットを用いて例えば窒素等の不活性ガスを半導体ウ
ェハ３に対して噴射してもよい。このようにすると、半
導体ウェハ３を迅速に乾燥させることが可能になる。

【００３６】本実施例では、半導体ウェハ３を洗浄する
ために純水を用いたが、超純水やフッ酸水溶液などの液
体洗浄剤のほか、化学薬品蒸気やガスを不活性ガスで希
釈した気体洗浄剤を用いることもできる。

【００３７】また、本実施例では、薬品供給部１１及び
純水供給部３１を静止させ、移動台６により半導体ウェ
ハ３を水平方向に移動させたが、これとは逆に、半導体
ウェハ３を静止させ薬品供給部１１及び純水供給部３１
を水平方向に移動させることにより、半導体ウェハ３を
薬品供給部１１等に対して相対的に移動させてもよい。
或いは、半導体ウェハ３と薬品供給部１１及び純水供給
部３１とをともに水平方向に移動させるようにしてもよ
い。尚、これらの場合において、移動方向は水平方向に
限らず、半導体ウェハ３と薬品供給部１１及び純水供給
部３１との距離が略一定に保たれるようにすればよい。

【００３８】また、本実施例では、ＨＦ蒸気噴射ノズル
１５、Ｎ₂ 噴射ノズル１６ａ、１６ｂ及び純水供給部３
１の先端部の幅を０．１ｍｍとしたが、この幅は噴出す
るエッチング液等に合わせて適宜変更が可能である。ま
た、ノズル１５、１６ａ、１６ｂ等の断面形状を２５０
ｍｍ×０．１ｍｍの矩形としたが、一方向に長く連続的
に形成されていれば矩形に限らず、円弧形などの別の形
状に変更することも適宜可能である。また、半導体ウェ
ハ３の移動方向は、ノズル１５の長手方向と直交する方
向に限らず、これと交差する方向であればよい。

【００３９】以上説明したように、本実施例によると、
半導体ウェハ３の表面にＨＦ蒸気及びＮ₂ を線状に供給
しつつ半導体ウェハ３を水平方向に移動させるので、ウ
ェハ上のどの部分にもＨＦ蒸気及びＮ₂ を均一に供給さ
せることができるとともに、コンタクト孔やトレンチの
底部にウェハの真上から直接純水を供給することができ
るようになる。従って、エッチングや洗浄にムラが生じ
なくなり、エッチングや洗浄の制御が容易になる。

【００４０】

【発明の効果】本発明によると、一方向に長く連続的に
形成された開口から半導体ウェハの表面にウェハ処理用
流体を供給しつつ半導体ウェハを移動させるので、ウェ
ハの大きさに関わらずウェハの全面にウェハ処理用流体
を均一に供給することができる。また、アスペクト比が
高い場合であってもコンタクト孔やトレンチの底部にウ
ェハ処理用流体をウェハの真上から直接供給することが
できて、これらの箇所を効率よく高清浄に洗浄できるよ
うになる。従って、エッチングや洗浄にムラが生じるこ
とを防止できるので、エッチングや洗浄の制御が容易に
なり、高い信頼性の半導体素子を形成できる半導体ウェ
ハの処理を行うことが可能になる。

【００４１】さらに、枚葉式の処理装置であるので個々
のウェハに対して異なる処理を行うことが可能になるだ
けでなく、半導体ウェハを移動させながらウェハ処理用
流体を供給するので、エッチング処理中にエッチング液
の濃度、温度及び噴射圧力等を変更することによって、
半導体ウェハの移動に伴いウェハの場所によりエッチン
グ量を異ならせることが可能である。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施例の半導体ウェハの処理装置の概
略構成図である。

【図２】図１に示した薬品供給口の拡大図である。

【図３】図１に示した薬品供給部からの噴射の様子を示
す模式図である。

【図４】本発明の実施例において半導体ウェハのエッチ
ング量を変更したときの半導体ウェハの断面図である。

【図５】従来の半導体ウェハの処理装置の概略構成図で
ある。

【符号の説明】

１、２ 処理室 ３ 半導体ウェハ １２ａ、１２ｂ、１２ｃ、１２ｄ、１２ｅ バルブ ４ ウェハ支持台 ５ モータ ６ 移動台 ７ 薬品供給ユニット ８、９、２８ 秤量器 １０、３０ コンプレッサ １１ 薬品供給部 １３ 薬品吸入部 １４ 計算機 １５ ＨＦ蒸気噴射ノズル １６ａ、１６ｂ Ｎ₂ 噴射ノズル ２７ 純水供給ユニット ３１ 純水供給部 ４１ シリコン酸化膜

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 一方向に長く連続的に形成された開口か
   ら半導体ウェハの表面にウェハ処理用流体を供給するノ
   ズル手段と、 上記ノズル手段を上記半導体ウェハに対して上記一方向
   と交差する方向に移動させる移動手段とを備えているこ
   とを特徴とする半導体ウェハの処理装置。
2. 【請求項２】 上記一方向に長く連続的に形成された開
   口からウェハ処理用流体との反応性の低い流体を供給す
   る第２のノズル手段を、上記ノズル手段の移動方向にお
   いて上記ノズル手段と隣接する位置の少なくとも一方に
   備えていることを特徴とする請求項１に記載の半導体ウ
   ェハの処理装置。
3. 【請求項３】 上記ノズル手段から供給されるウェハ処
   理用流体の圧力、濃度及び流量の少なくとも一つを制御
   する制御手段を備えていることを特徴とする請求項１又
   は２に記載の半導体ウェハの処理装置。