JP5432658B2 - 透過型電子顕微鏡法用サンプルの作成方法および装置 - Google Patents
透過型電子顕微鏡法用サンプルの作成方法および装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5432658B2 JP5432658B2 JP2009231486A JP2009231486A JP5432658B2 JP 5432658 B2 JP5432658 B2 JP 5432658B2 JP 2009231486 A JP2009231486 A JP 2009231486A JP 2009231486 A JP2009231486 A JP 2009231486A JP 5432658 B2 JP5432658 B2 JP 5432658B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- sample
- substrate
- transmission electron
- laser
- electron microscopy
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N1/00—Sampling; Preparing specimens for investigation
- G01N1/28—Preparing specimens for investigation including physical details of (bio-)chemical methods covered elsewhere, e.g. G01N33/50, C12Q
- G01N1/286—Preparing specimens for investigation including physical details of (bio-)chemical methods covered elsewhere, e.g. G01N33/50, C12Q involving mechanical work, e.g. chopping, disintegrating, compacting, homogenising
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N1/00—Sampling; Preparing specimens for investigation
- G01N1/28—Preparing specimens for investigation including physical details of (bio-)chemical methods covered elsewhere, e.g. G01N33/50, C12Q
- G01N1/286—Preparing specimens for investigation including physical details of (bio-)chemical methods covered elsewhere, e.g. G01N33/50, C12Q involving mechanical work, e.g. chopping, disintegrating, compacting, homogenising
- G01N2001/2873—Cutting or cleaving
- G01N2001/2886—Laser cutting, e.g. tissue catapult
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/30—Electron or ion beam tubes for processing objects
- H01J2237/317—Processing objects on a microscale
- H01J2237/3174—Etching microareas
- H01J2237/31745—Etching microareas for preparing specimen to be viewed in microscopes or analyzed in microanalysers
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Biochemistry (AREA)
- General Health & Medical Sciences (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Immunology (AREA)
- Pathology (AREA)
- Sampling And Sample Adjustment (AREA)
- Laser Beam Processing (AREA)
Description
サンプル材料は単結晶質でも、部分的な結晶質でも、多結晶質でもよく、そのほか非結晶質でもよい。サンプルの準備に実質上利用できる材料は結晶学的に決定されたへき開面を欠くような材料(例えばガラス)のほか、すべてそこそこに脆い材料であり、特に無機の非金属材料である。
とりわけ、取り扱いに極めて注意を要するサンプル材料の場合、非損傷区域が交差領域のすぐ近くに残るように照射を制御することが好都合であると言える。この場合、照射によって作り出された脆弱路は、該脆弱路によって定められた脆弱線の理論的な交差点には至らず、想像上の交差点の近くで、理論的な交差点から一定の間隔を置いて終わる。本方法のガイダンスは、第1の脆弱路が目標区域内を、サンプル材料の中を走る第2の脆弱路に対して鋭角に走るという事実、あるいは第1の脆弱路がサンプル材料の中を走る第2の脆弱路に脆弱路の交差点の領域において鋭角で接近するが、交差は実際には起こらないという事実の中で記述することもできる。理論的な交差点からの間隔は、好ましくは、サンプル材料内部における亀裂の伝播が脆弱路に沿い、若干損傷しているか、あるいは損傷していない交差領域を通り、同じ脆弱路の向う側の始点まで続き、その結果、非損傷区域が伝播している亀裂によって、いわば架橋されるように設定されるべきである。上記間隔、すなわち、あまり損傷を受けていない区域の半径は、例えば300μm未満でもよく、あるいは、例えば約50μmから約250μmの間、特に、約100μmから約200μmの間の範囲内であってもよい。上記半径は、くさび先端の領域において十分な大きさの非損傷電子透過区域を確保するためには、少なくとも0.5μm、あるいは少なくとも1μmにすべきである。
との相互作用、あるいは連続放射レーザー(連続発振レーザー、CWレーザー)との相互作用は、しばしばサンプル材料の局所的溶融に至り、その後溶融物質が蒸発するという結果が生ずる。該して、短パルスレーザーおよびCWレーザーは、被処理サンプルを超短パルスレーザーよりもはるかに強く熱する。
110 基材
112 後側
114 前側
120 レーザー放射線源
122 シャッター
124 ビーム案内システム
125 レーザービーム
201,301 第1の脆弱路
202,302 第2の脆弱路
205,305,405 交差領域
250 サンプル
410 刻み目
500 フィルム
505 交差点
515 切り抜き
Claims (37)
- くさび面に囲まれ、くさび先端領域に少なくとも1個の電子透過領域を有するくさび形のサンプル部を備えたサンプル(250)がサンプル材料の基材(110)から準備される、透過型電子顕微鏡法用サンプルの作成方法であって、
前記サンプル材料中に第1の脆弱路(201,301)を作り出すために前記サンプル材料をレーザービーム(125)により第1の照射軌道に沿って照射する段階と、
前記基材を前記第1の脆弱路に沿い、かつ第2の脆弱路に沿って切り離す段階とを含み、
前記照射が,前記第1の脆弱路が前記サンプル材料の中を走る前記第2の脆弱路(202,302)に交差領域(205,305,405)において鋭角で交差するよう制御されていることを特徴とする、透過型電子顕微鏡法用サンプルの作成方法。 - 前記第2の脆弱路(202,302)を作り出すために前記サンプル材料がレーザービームにより第2の照射射軌道に沿って照射され、その結果、レーザービームによる前記サンプル材料の照射により、互いに対して鋭角で走る2本の脆弱路が作り出されることを特徴とする、請求項1に記載の透過型電子顕微鏡法用サンプルの作成方法。
- 前記第1および第2の脆弱路が、前記交差領域(205,305,405)において両者の間に存在する角度が25°以下であることを特徴とする、請求項1または2に記載の透過型電子顕微鏡法用サンプルの作成方法。
- 透過型電子顕微鏡法による検査に供される検査区域が前記基材(110)の前側(114)付近に位置し、前記照射が、レーザービームにより前記基材の後側(112)、すなわち前記前側と反対の側から行われることを特徴とする、請求項1〜3の1つに記載の透過型電子顕微鏡法用サンプルの作成方法。
- 前記照射前に、前記基材(110)が、照射に供された前記区域において、30μmから550μmの間の基材厚さを有することを特徴とする、請求項1〜4の1つに記載の透過型電子顕微鏡法用サンプルの作成方法。
- 前記照射前に、比較的滑らかな放射線の入射面を作り出すために、前記基材の後側(112)が研磨される、請求項1〜5の1つに記載の透過型電子顕微鏡法用サンプルの作成方法。
- 前記照射が、それに対して前記サンプル材料が少なくとも部分的に透過性であるレーザー放射線によって実施され、前記照射が、前記基材の内部に前記基材の表面からある間隔を置いて位置する内部脆弱路(301,302)を作り出すように制御されることを特徴とする、請求項1〜6の1つに記載の透過型電子顕微鏡法用サンプルの作成方法。
- 前記照射が、それに対してサンプル材料が強度の吸収性を持つレーザー放射線によって実施されることを特徴とする、請求項1から6の1つに記載の透過型電子顕微鏡法用サンプルの作成方法。
- 前記照射が脆弱路(201,202)を前記基材の前記照射側の表面付近に作り出すように制御されることを特徴とする、請求項1〜8の1つに記載の透過型電子顕微鏡法用サンプルの作成方法。
- 前記レーザー放射線が前記脆弱路の領域に前記基材の厚さの少なくとも1/3に相当する深さの損傷を作り出すことを特徴とする、請求項1〜9の1つに記載の透過型電子顕微鏡法用サンプルの作成方法。
- 前記サンプル材料が前記検査区域内に1つもしくは複数の層ならびに1つもしくは複数の共有領域を有する層構造を備えており、前記脆弱路が、前記共有領域の少なくとも1つに対してほぼ垂直なくさび表面を作り出すように方向づけられていることを特徴とする、請求項1〜10の1つに記載の透過型電子顕微鏡法用サンプルの作成方法。
- 前記レーザー放射線を作り出すために調節可能なレーザー源が使用されていることを特徴とする、請求項1〜11の1つに記載の透過型電子顕微鏡法用サンプルの作成方法。
- 前記照射が超短パルスレーザーにより、ピコ秒またはフェムト秒の範囲内の特有のパルス持続時間で実施されることを特徴とする、請求項1〜12の1つに記載の透過型電子顕微鏡法用サンプルの作成方法。
- 前記レーザー放射線が、前記放射線入射表面の表面法線に対して斜めに基材に照射されることを特徴とする、請求項1〜13の1つに記載の透過型電子顕微鏡法用サンプルの作成方法。
- 照射軌道の走査中に、前記基材に作用する前記出力密度を変えるため、制御が局所的に行われることを特徴とする、請求項1〜14の1つに記載の透過型電子顕微鏡法用サンプルの作成方法。
- 前記照射が、実質的に非損傷である区域が前記交差領域(405)のすぐ近くに残るように制御され、該実質的に非損傷である区域の半径(D)が300μm未満であることを特徴とする、請求項15に記載の透過型電子顕微鏡法用サンプルの作成方法。
- 照射軌道の走査中、前記実質的に非損傷である区域を作り出すために、前記交差領域が通過される時は、前記レーザービームが制御可能なビーム阻止装置により少しの間阻止されるか、あるいは照射軌道の走査中、前記実質的に非損傷である区域を作り出すために、前記交差領域が通過される時は、前記レーザーが少しの間止められることを特徴とする、請求項16に記載の透過型電子顕微鏡法用サンプルの作成方法。
- 前記実質的に非損傷である区域を作り出すために、前記レーザーの有効出力が局所的に制御され、前記交差領域が通過される時は前記基材に作用する出力密度が減らされることを特徴とする、請求項16又は17に記載の透過型電子顕微鏡法用サンプルの作成方法。
- 照射軌道の走査中、前記基材を照射軌道の始めおよび/または終わりに照射軌道の交差領域から完全に遠ざけるために前記基材に作用する出力密度が局所的に制御され、結果として刻み目(410)が生じることを特徴とする、請求項15から18の1つに記載の透過型電子顕微鏡法用サンプルの作成方法。
- 前記第1の脆弱路の作成と前記第2の脆弱路の作成がプログラム可能なレーザーマイクロ処理装置を用いて自動的に実施されることを特徴とする、請求項1〜19の1つに記載の透過型電子顕微鏡法用サンプルの作成方法。
- 前記基材を切り離すため、伸縮性フィルム(500)が、初めに、前記基材の一側上接着され、次に、該フィルムを引っ張ることにより、亀裂の開始および/または亀裂の伝播に十分な力が該基材上に発揮されることを特徴とする、請求項1〜20の1つに記載の透過型電子顕微鏡法用サンプルの作成方法。
- 前記フィルムは接着性の層を欠いた領域を有し、前記基材上に、接着性の層を欠いた領域が前記脆弱路の交差点(505)の領域に位置するようにして接着されることを特徴とする、請求項21に記載の透過型電子顕微鏡法用サンプルの作成方法。
- サンプル材料から作られた基材(110)を保持する基材ホルダー(102)、レーザー放射線源(120)とレーザービームを前記基材のビーム入射面上に案内するビーム案内システム(124)とを有するレーザーシステムおよび、前記基材が、前記サンプル材料中に第1の脆弱路を作り出すため前記レーザービームによって第1の投射軌道に沿って照射され得るように、前記基材と前記レーザービームとの間に相対的な動きを生み出す移動システムとを備えた透過型電子顕微鏡法用サンプルの作成装置であって、
前記照射が,前記第1の脆弱路(201,301)が前記サンプル材料の中を走る第2の脆弱路(202,302)に交差領域(205,305,405)において鋭角で交差するように制御されるよう構成された制御装置を設けることを特徴とする透過型電子顕微鏡法用サンプルの作成装置。 - 前記制御装置が,前記サンプル材料が前記第2の脆弱路を作成するべく前記レーザービームにより第2の照射軌道に沿って照射されることができ、該第2の脆弱路は前記第1の脆弱路と交差領域において鋭角で交差していることを特徴とする、請求項23に記載の透過型電子顕微鏡法用サンプルの作成装置。
- 前記制御装置が、少なくとも第1の照射軌道が第2の脆弱路に鋭い交差角で交差する目標区域の位置表す目標区域パラメータと、
第1の脆弱路の第2の脆弱路との交差角を直接あるいは間接に表す交差角パラメータとから成る複数の入力パラメータを入力することによりプログラム化され得ることを特徴とする、請求項23または24に記載の透過型電子顕微鏡法用サンプルの作成装置。 - 前記制御装置が、照射軌道の走査中に前記基材に作用する出力密度を変えるために局地的に制御するようプログラム化され得るか、あるいはプログラム化されていることを特徴とする、請求項23、24または25に記載の透過型電子顕微鏡法用サンプルの作成装置。
- 少なくとも1個の投射軌道の局地的形状を表す形状パラメータと、
基材上あるいは基材内の焦点領域の位置を決める焦点調節パラメータと、
前記基材上に焦点を合わせたレーザービームのビーム特性を決める少なくとも1個のレーザーパラメータと、
前記基材に作用するレーザー出力密度の位置同期可変制御のための出力可変パラメータを表す出力可変パラメータのうち、少なくとも1つを更に前記制御装置でプログラムすることができることを特徴とする、請求項25または26に記載の透過型電子顕微鏡法用サンプルの作成装置。 - 前記制御装置が、前記照射が実質的に非損傷である区域が前記交差領域(405)のすぐ近くに残るように制御されるように構成され、前記実質的に非損傷である区域の半径(D)が300μm未満であることを特徴とする、請求項23から27の1つに記載の透過型電子顕微鏡法用サンプルの作成装置。
- 前記レーザーシステムが制御可能なビーム阻止装置(122)を有し、前記制御装置が、照射軌道の走査中、前記実質的に非損傷である区域を作り出すために前記交差領域が通過される時は前記レーザービームが制御可能なビーム阻止装置により少しの間阻止されるように構成されており、また前記レーザー放射線源(120)、特にパルスレーザーが少しの間止めることができ、前記制御装置が、照射軌道の走査中、前記実質的に非損傷である区域を作り出すために前記交差領域が通過される時は前記レーザー放射線源が少しの間止められるように構成されていることを特徴とする、請求項28に記載の透過型電子顕微鏡法用サンプルの作成装置。
- 前記制御装置が、前記実質的に非損傷である区域を作り出すために前記レーザー放射線源の有効出力が局所的に制御され、前記交差領域が通過される時は前記基材に作用する出力密度が減らされるように構成されていることを特徴とする、請求項28または29に記載の透過型電子顕微鏡法用サンプルの作成装置。
- 前記基材ホルダーが、前記レーザービームの平均投射方向に専ら移動できる昇降テーブル(102)を有することを特徴とする、請求項23から30の1つに記載の透過型電子顕微鏡法用サンプルの作成装置。
- 前記基材ホルダーに、基材保持面の、前記レーザービームの投射方向に関する表面法線の一時的あるいは恒久的な傾斜を生ずる傾動機構が設けられていることを特徴とする、請求項23から31の1つに記載の透過型電子顕微鏡法用サンプルの作成装置。
- 前記基材ホルダーが、少なくとも前記基材保持面の領域においてレーザーの放射線に対して透過性である物質から成っており、および/または前記基材ホルダーにおける作業区域の中央に開口が設けられており、その結果、載置された基材の目標区域が前記基材ホルダーと物理的な接触をしないように基材を載せることが可能であることを特徴とする、請求項23から32の1つに記載の透過型電子顕微鏡法用サンプルの作成装置。
- 前記レーザー放射線源(120)が超短パルスレーザーを有することを特徴とする、請求項23から33の1つに記載の透過型電子顕微鏡法用サンプルの作成装置。
- 前記レーザー放射線源(120)がファイバーレーザーを有することを特徴とする、請求項23から34の1つに記載の透過型電子顕微鏡法用サンプルの作成装置。
- 前記レーザー放射線源が、波長可変レーザーを有することを特徴とする、請求項23から35の1つに記載の透過型電子顕微鏡法用サンプルの作成装置。
- 請求項1から22の1つに記載の方法を実施するためにレーザーマイクロ処理システムを使用することを特徴とする透過型電子顕微鏡法用サンプルの作成装置。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE102008052006.3A DE102008052006B4 (de) | 2008-10-10 | 2008-10-10 | Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung von Proben für die Transmissionselektronenmikroskopie |
DE102008052006.3 | 2008-10-10 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2010091562A JP2010091562A (ja) | 2010-04-22 |
JP5432658B2 true JP5432658B2 (ja) | 2014-03-05 |
Family
ID=42034911
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2009231486A Expired - Fee Related JP5432658B2 (ja) | 2008-10-10 | 2009-10-05 | 透過型電子顕微鏡法用サンプルの作成方法および装置 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8071960B2 (ja) |
JP (1) | JP5432658B2 (ja) |
DE (1) | DE102008052006B4 (ja) |
Families Citing this family (21)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2011002089A1 (ja) * | 2009-07-03 | 2011-01-06 | 旭硝子株式会社 | 脆性材料基板の割断方法及び割断装置並びにその割断方法により得られる車両用窓ガラス |
US8932510B2 (en) | 2009-08-28 | 2015-01-13 | Corning Incorporated | Methods for laser cutting glass substrates |
US8946590B2 (en) | 2009-11-30 | 2015-02-03 | Corning Incorporated | Methods for laser scribing and separating glass substrates |
TWI416091B (zh) * | 2010-06-01 | 2013-11-21 | Inotera Memories Inc | 電子顯微鏡試片與其製備方法以及製作三維影像之方法 |
DE102010032894B4 (de) * | 2010-07-30 | 2013-08-22 | Carl Zeiss Microscopy Gmbh | Tem-Lamelle, Verfahren zu ihrer Herstellung und Vorrichtung zum Ausführen des Verfahrens |
TWI513670B (zh) * | 2010-08-31 | 2015-12-21 | Corning Inc | 分離強化玻璃基板之方法 |
DE102011001474A1 (de) * | 2011-03-22 | 2012-09-27 | Carl Zeiss Microimaging Gmbh | Laser-Mikrodissektionsverfahren und Laser-Mikrodissektionsvorrichtung |
US8755044B2 (en) * | 2011-08-15 | 2014-06-17 | Kla-Tencor Corporation | Large particle detection for multi-spot surface scanning inspection systems |
DE102011111190A1 (de) | 2011-08-25 | 2013-02-28 | Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. | Verfahren und Vorrichtung zur Präparation einer Probe für die Mikrostrukturdiagnostik |
WO2013117667A1 (de) * | 2012-02-10 | 2013-08-15 | Arges Gmbh | Kontrastierungsverfahren mittels laser sowie vorrichtung zur durchführung eines kontrasierungsverfahrens |
DE102012202519A1 (de) * | 2012-02-17 | 2013-08-22 | Carl Zeiss Microscopy Gmbh | Verfahren und Vorrichtungen zur Präparation mikroskopischer Proben mit Hilfe von gepulstem Licht |
DE102012010708B4 (de) | 2012-05-30 | 2021-12-23 | Carl Zeiss Microscopy Gmbh | Kombiniertes bearbeitungssystem zur bearbeitung mittels laser und fokussierten ionenstrahlen |
US9938180B2 (en) | 2012-06-05 | 2018-04-10 | Corning Incorporated | Methods of cutting glass using a laser |
US9190294B2 (en) * | 2012-08-23 | 2015-11-17 | Michael Xiaoxuan Yang | Methods and apparatus for separating a substrate |
US9610653B2 (en) | 2012-09-21 | 2017-04-04 | Electro Scientific Industries, Inc. | Method and apparatus for separation of workpieces and articles produced thereby |
CN105100528B (zh) * | 2014-05-08 | 2018-06-15 | 武汉楚天工业激光设备有限公司 | 一种视觉激光扫描误差矫正系统及控制方法 |
US11171055B2 (en) * | 2019-01-31 | 2021-11-09 | The Government Of The United States Of America, As Represented By The Secretary Of The Navy | UV laser slicing of β-Ga2O3 by micro-crack generation and propagation |
CN109738288B (zh) * | 2019-02-21 | 2024-02-13 | 中国工程物理研究院化工材料研究所 | 一种多功能模块化粒子加速器材料辐照样品托 |
CN114178710A (zh) * | 2020-08-24 | 2022-03-15 | 奥特斯(中国)有限公司 | 部件承载件及其制造方法 |
US20230420216A1 (en) * | 2022-05-19 | 2023-12-28 | Fei Company | Combined laser and broad ion beam (bib) systems for more efficient processing of multiple samples |
CN115753325A (zh) * | 2022-12-09 | 2023-03-07 | 西北核技术研究所 | 全局均匀增强大型效应物内部场强及避免击穿的辐照腔 |
Family Cites Families (44)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS624351A (ja) * | 1985-06-29 | 1987-01-10 | Toshiba Corp | 半導体キヤリアの製造方法 |
JPH0665019B2 (ja) * | 1985-07-26 | 1994-08-22 | 株式会社日立製作所 | 試料の分析方法及び装置 |
JPH0639572A (ja) * | 1991-01-11 | 1994-02-15 | Souei Tsusho Kk | ウェハ割断装置 |
JP3035366B2 (ja) * | 1991-02-08 | 2000-04-24 | ヤマザキマザック株式会社 | レーザ加工機の数値制御方法 |
RU2024441C1 (ru) * | 1992-04-02 | 1994-12-15 | Владимир Степанович Кондратенко | Способ резки неметаллических материалов |
JPH05302876A (ja) * | 1992-04-27 | 1993-11-16 | Sony Corp | Tem観察用試料の作成方法及び研磨用治具 |
JP3422045B2 (ja) * | 1993-06-21 | 2003-06-30 | 株式会社日立製作所 | 組成及び格子歪測定用電子顕微鏡及びその観察方法 |
US5650621A (en) * | 1993-06-21 | 1997-07-22 | Hitachi, Ltd. | Electron microscope |
US5611946A (en) * | 1994-02-18 | 1997-03-18 | New Wave Research | Multi-wavelength laser system, probe station and laser cutter system using the same |
JP3496207B2 (ja) * | 1994-06-22 | 2004-02-09 | ソニー株式会社 | ビデオカメラ |
US5500535A (en) * | 1995-03-07 | 1996-03-19 | Molecular Imaging Corporation | Stress cell for a scanning probe microscope |
JPH09105729A (ja) * | 1995-10-13 | 1997-04-22 | Hitachi Ltd | 組成及び格子歪測定用電子顕微鏡及びその観察方法 |
JP3263920B2 (ja) * | 1996-02-01 | 2002-03-11 | 日本電子株式会社 | 電子顕微鏡用試料作成装置および方法 |
JPH1019746A (ja) * | 1996-07-01 | 1998-01-23 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 透過電子顕微鏡試料の作製方法 |
JPH10227728A (ja) * | 1997-02-13 | 1998-08-25 | Nec Corp | 表面分析用試料及びその作製方法 |
JPH10305420A (ja) * | 1997-03-04 | 1998-11-17 | Ngk Insulators Ltd | 酸化物単結晶からなる母材の加工方法、機能性デバイスの製造方法 |
US6828566B2 (en) * | 1997-07-22 | 2004-12-07 | Hitachi Ltd | Method and apparatus for specimen fabrication |
US6538254B1 (en) * | 1997-07-22 | 2003-03-25 | Hitachi, Ltd. | Method and apparatus for sample fabrication |
JP3472695B2 (ja) * | 1998-01-26 | 2003-12-02 | シャープ株式会社 | 電子顕微鏡観察用試料の作成方法および電子顕微鏡観察用試料加工装置 |
US6841788B1 (en) * | 2000-08-03 | 2005-01-11 | Ascend Instruments, Inc. | Transmission electron microscope sample preparation |
DE10039341A1 (de) * | 2000-08-04 | 2002-02-14 | Leica Microsystems | Stereomikroskop mit Bearbeitungslaser und intergriertem Scanningsystem |
JP4659300B2 (ja) | 2000-09-13 | 2011-03-30 | 浜松ホトニクス株式会社 | レーザ加工方法及び半導体チップの製造方法 |
US6720522B2 (en) * | 2000-10-26 | 2004-04-13 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Apparatus and method for laser beam machining, and method for manufacturing semiconductor devices using laser beam machining |
JP4200665B2 (ja) * | 2001-05-08 | 2008-12-24 | 株式会社日立製作所 | 加工装置 |
EP1635390B1 (en) | 2002-03-12 | 2011-07-27 | Hamamatsu Photonics K. K. | Substrate dividing method |
JP2003338636A (ja) * | 2002-03-12 | 2003-11-28 | Hamamatsu Photonics Kk | 発光素子の製造方法、発光ダイオード、及び半導体レーザ素子 |
JP2004053550A (ja) * | 2002-07-24 | 2004-02-19 | Suruga Seiki Kk | 半導体デバイス検査装置 |
JP4088533B2 (ja) * | 2003-01-08 | 2008-05-21 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 試料作製装置および試料作製方法 |
US6927400B2 (en) * | 2003-03-13 | 2005-08-09 | Ascend Instruments, Llc | Sample manipulation system |
WO2005031789A2 (en) * | 2003-09-23 | 2005-04-07 | Zyvex Corporation | Method, system and device for microscopic examination employing fib-prepared sample grasping element |
JP4471632B2 (ja) * | 2003-11-18 | 2010-06-02 | 株式会社ディスコ | ウエーハの加工方法 |
DE102004001173B4 (de) | 2004-01-05 | 2005-09-15 | 3D-Micromac Ag | Verfahren zur Herstellung von zur Untersuchung mittels Transmissionselektronenmikroskopie geeigneten Proben |
JP4401814B2 (ja) * | 2004-02-25 | 2010-01-20 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 測長用標準部材及び電子ビーム測長装置 |
DE102004024475A1 (de) | 2004-05-14 | 2005-12-01 | Lzh Laserzentrum Hannover E.V. | Verfahren und Vorrichtung zum Trennen von Halbleitermaterialien |
US7408178B2 (en) * | 2004-07-01 | 2008-08-05 | Fei Company | Method for the removal of a microscopic sample from a substrate |
US7132673B2 (en) * | 2004-07-30 | 2006-11-07 | E.A. Fischione Instruments, Inc. | Device and method for milling of material using ions |
US7414252B2 (en) * | 2004-11-03 | 2008-08-19 | Omniprobe, Inc. | Method and apparatus for the automated process of in-situ lift-out |
US7438824B2 (en) * | 2005-03-25 | 2008-10-21 | National Research Council Of Canada | Fabrication of long range periodic nanostructures in transparent or semitransparent dielectrics |
JP4774928B2 (ja) * | 2005-11-07 | 2011-09-21 | 日亜化学工業株式会社 | 半導体素子の製造方法 |
WO2007137272A2 (en) * | 2006-05-22 | 2007-11-29 | 10H, Inc. | Device and methods for preparing microscopy samples |
US7511282B2 (en) * | 2006-05-25 | 2009-03-31 | Fei Company | Sample preparation |
US7423263B2 (en) * | 2006-06-23 | 2008-09-09 | Fei Company | Planar view sample preparation |
JP2007115706A (ja) * | 2006-12-14 | 2007-05-10 | Jeol Ltd | 試料加工装置 |
US8835845B2 (en) * | 2007-06-01 | 2014-09-16 | Fei Company | In-situ STEM sample preparation |
-
2008
- 2008-10-10 DE DE102008052006.3A patent/DE102008052006B4/de not_active Expired - Fee Related
-
2009
- 2009-10-05 JP JP2009231486A patent/JP5432658B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2009-10-09 US US12/576,777 patent/US8071960B2/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2010091562A (ja) | 2010-04-22 |
DE102008052006B4 (de) | 2018-12-20 |
DE102008052006A1 (de) | 2010-04-22 |
US8071960B2 (en) | 2011-12-06 |
US20100090108A1 (en) | 2010-04-15 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5432658B2 (ja) | 透過型電子顕微鏡法用サンプルの作成方法および装置 | |
US20200324368A1 (en) | Method for laser processing a transparent material | |
JP4490883B2 (ja) | レーザ加工装置およびレーザ加工方法 | |
JP5162163B2 (ja) | ウェーハのレーザ加工方法 | |
JP4418282B2 (ja) | レーザ加工方法 | |
JP5089735B2 (ja) | レーザ加工装置 | |
JP4584322B2 (ja) | レーザ加工方法 | |
EP2213403B1 (en) | Laser processing apparatus and method with controller for precisely positioning the focus point in the object to be processed | |
US7297944B2 (en) | Ion beam device and ion beam processing method, and holder member | |
JP5378314B2 (ja) | レーザ切断方法 | |
JP2008199019A (ja) | 光学放出分光工程監視及び材料特性測定 | |
EP2787338B1 (en) | Method and arrangement for manufacturing a sample for microstructural materials diagnostics and corresponding sample | |
KR20180061350A (ko) | 레이저 컷 될 코팅된 기판의 레이저 처리 방법 | |
JP4607537B2 (ja) | レーザ加工方法 | |
KR101334067B1 (ko) | 초고속 레이저를 이용한 휠 선단부의 미세 노치 제작 장치 및 방법 | |
JP5613809B2 (ja) | レーザ切断方法およびレーザ加工装置 | |
JP3873098B2 (ja) | レーザ加工方法および装置 | |
CN107030389B (zh) | 晶片的加工方法 | |
JP2007107969A (ja) | 顕微鏡用サンプル板及びその製造方法 | |
JPH06244256A (ja) | 半導体装置の解析方法と解析装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20120903 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20130809 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20130903 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20131107 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20131203 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20131206 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5432658 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |