JPH10227728A - 表面分析用試料及びその作製方法 - Google Patents
表面分析用試料及びその作製方法Info
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- JPH10227728A JPH10227728A JP9029027A JP2902797A JPH10227728A JP H10227728 A JPH10227728 A JP H10227728A JP 9029027 A JP9029027 A JP 9029027A JP 2902797 A JP2902797 A JP 2902797A JP H10227728 A JPH10227728 A JP H10227728A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 特定箇所の内部を分析する場合に、露出させ
た断面に対して垂直方向から直接分析することができる
表面分析（ＥＰＭＡ分析およびオージェ分析）用の試料
およびその作成方法の提供する。 【解決手段】 特定箇所１の近傍（〜１０μｍ手前）に
おいて試料２をダイシングソー等によって切断した後、
その切断面４から集束イオンビーム（ＦＩＢ）６によっ
て掘削を始め、最終的に特定箇所１の断面３を露出させ
る。
た断面に対して垂直方向から直接分析することができる
表面分析（ＥＰＭＡ分析およびオージェ分析）用の試料
およびその作成方法の提供する。 【解決手段】 特定箇所１の近傍（〜１０μｍ手前）に
おいて試料２をダイシングソー等によって切断した後、
その切断面４から集束イオンビーム（ＦＩＢ）６によっ
て掘削を始め、最終的に特定箇所１の断面３を露出させ
る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体ウエハ等の
内部を分析（ＥＰＭＡ分析およびオージェ分析）するた
めの表面分析用試料およびその作製方法に関し、特に数
μｍ以内の特定箇所の内部を分析する場合の表面分析用
試料およびその作製方法に関する。
内部を分析（ＥＰＭＡ分析およびオージェ分析）するた
めの表面分析用試料およびその作製方法に関し、特に数
μｍ以内の特定箇所の内部を分析する場合の表面分析用
試料およびその作製方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】 超ＬＳＩデバイスを開発し、量産する
場合はその半導体デバイスの構造解析および製造プロセ
ス評価の重要性は増大し、解析評価技術が重要な部分を
占めるに至っている。
場合はその半導体デバイスの構造解析および製造プロセ
ス評価の重要性は増大し、解析評価技術が重要な部分を
占めるに至っている。
【０００３】その中でも、半導体デバイスの層構造や、
不純物元素の分布や、層間に存在する異物を分析するこ
とができるＥＰＭＡ分析装置やオージェ分析装置の活用
が超ＬＳＩデバイスの性能向上に不可欠なものになって
きている。
不純物元素の分布や、層間に存在する異物を分析するこ
とができるＥＰＭＡ分析装置やオージェ分析装置の活用
が超ＬＳＩデバイスの性能向上に不可欠なものになって
きている。
【０００４】オージェ分析装置で半導体デバイスの内部
を分析する場合は、試料表面に対して広範囲（数ｍｍ
径）に高速イオンをぶつけて、表面物質をスパッタリン
グしながら徐々に掘削していって深さ方向分析するが、
層間にある異物等をＳＥＭ観察しながら直接分析したい
場合は、特定箇所の断面を露出させる必要がある。ま
た、ＥＰＭＡ分析装置の場合、一般にイオンスパッタリ
ング機構が付属していないので、半導体デバイス内部を
分析する場合は、あらかじめ断面を露出させる必要があ
る。
を分析する場合は、試料表面に対して広範囲（数ｍｍ
径）に高速イオンをぶつけて、表面物質をスパッタリン
グしながら徐々に掘削していって深さ方向分析するが、
層間にある異物等をＳＥＭ観察しながら直接分析したい
場合は、特定箇所の断面を露出させる必要がある。ま
た、ＥＰＭＡ分析装置の場合、一般にイオンスパッタリ
ング機構が付属していないので、半導体デバイス内部を
分析する場合は、あらかじめ断面を露出させる必要があ
る。
【０００５】特定箇所の断面を露出する方法として、劈
開法や角度研磨法（斜め研磨法）があるが、微小な特定
箇所を狙って断面を露出することは難しいため、半導体
デバイス等の特定箇所の断面を露出する場合は、集束イ
オンビーム加工法を用いている。
開法や角度研磨法（斜め研磨法）があるが、微小な特定
箇所を狙って断面を露出することは難しいため、半導体
デバイス等の特定箇所の断面を露出する場合は、集束イ
オンビーム加工法を用いている。
【０００６】従来の集束イオンビーム加工法を用いた試
料作製法とは、図６に示すように集束イオンビーム（Ｆ
ＩＢ）６によって特定箇所１の近傍に四角い溝を掘っ
て、最終的に溝の側面に特定箇所１の断面３を露出させ
る方法である。
料作製法とは、図６に示すように集束イオンビーム（Ｆ
ＩＢ）６によって特定箇所１の近傍に四角い溝を掘っ
て、最終的に溝の側面に特定箇所１の断面３を露出させ
る方法である。
【０００７】ＦＩＢによる断面加工法については、特開
平４−１７００４５、特開平６−６１３２０各号公報な
どに開示されている。
平４−１７００４５、特開平６−６１３２０各号公報な
どに開示されている。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
試料作製法では、ＦＩＢによって試料表面に四角い溝を
掘るため、特定箇所の露出した１断面のまわりに壁があ
る。そのため、その断面部分を表面分析（ＥＰＭＡ分析
およびオージェ分析）を行うと、まわりの壁（特に測定
断面の向かい側にある壁）が邪魔になって、測定箇所か
ら放出される特性Ｘ線やオージェ電子が妨げられてしま
い、表面分析装置の検出器に入る特性Ｘ線やオージェ電
子の強度が減少してしまう。結果的に分析感度が低下す
るという問題点があった。
試料作製法では、ＦＩＢによって試料表面に四角い溝を
掘るため、特定箇所の露出した１断面のまわりに壁があ
る。そのため、その断面部分を表面分析（ＥＰＭＡ分析
およびオージェ分析）を行うと、まわりの壁（特に測定
断面の向かい側にある壁）が邪魔になって、測定箇所か
ら放出される特性Ｘ線やオージェ電子が妨げられてしま
い、表面分析装置の検出器に入る特性Ｘ線やオージェ電
子の強度が減少してしまう。結果的に分析感度が低下す
るという問題点があった。
【０００９】そこで、測定箇所のまわりにある壁（特に
測定断面の向かい側にある壁）が分析時に邪魔にならな
いようにするにはＦＩＢで大きな溝を掘削する必要があ
り、たいへんな時間がかかるという問題点があった。
測定断面の向かい側にある壁）が分析時に邪魔にならな
いようにするにはＦＩＢで大きな溝を掘削する必要があ
り、たいへんな時間がかかるという問題点があった。
【００１０】また、従来の試料で特定断面をライン分析
して、厚み方向の組成を分析する場合、断面（測定面）
に対して垂直方向から分析することはできない。そこで
測定面が見えるように試料表面に対して斜め上の方向
（図６中Ａ方向）から分析することになるため、厚み方
向の分解能が悪くなるという問題点があった。
して、厚み方向の組成を分析する場合、断面（測定面）
に対して垂直方向から分析することはできない。そこで
測定面が見えるように試料表面に対して斜め上の方向
（図６中Ａ方向）から分析することになるため、厚み方
向の分解能が悪くなるという問題点があった。
【００１１】本発明の課題は前記問題点を解決した表面
分析（ＥＰＭＡ分析およびオージェ分析）用の試料およ
びその作製方法を提供することにある。
分析（ＥＰＭＡ分析およびオージェ分析）用の試料およ
びその作製方法を提供することにある。
【００１２】
【課題を解決するための手段】前記課題を達成するため
に、本発明に係る表面分析（ＥＰＭＡ分析およびオージ
ェ分析）用試料作製方法においては、まず特定箇所の近
傍（〜１０μｍ手前）において試料をダイシングソー等
によって切断することで不要な部分を除去し、次にＦＩ
Ｂによって切断面から掘削を始め、最終的に特定箇所の
断面を露出させる。
に、本発明に係る表面分析（ＥＰＭＡ分析およびオージ
ェ分析）用試料作製方法においては、まず特定箇所の近
傍（〜１０μｍ手前）において試料をダイシングソー等
によって切断することで不要な部分を除去し、次にＦＩ
Ｂによって切断面から掘削を始め、最終的に特定箇所の
断面を露出させる。
【００１３】
【発明の実施の形態】次に本発明の実施の形態について
図面を参照して説明する。
図面を参照して説明する。
【００１４】本発明は、例えば、図１に示すようにダイ
シングソー等によって特定箇所１の近傍（〜１０μｍ手
前）、すなわち特定箇所１から切断面４までの距離Ｌが
１０μｍ以下で試料２を切断し、その切断面４の端から
集束イオンビーム（ＦＩＢ）６で掘削していって、特定
箇所１のまわりの不要部分を除去する。最終的に特定箇
所１の断面３を露出させることによって表面分析（ＥＰ
ＭＡ分析およびオージェ分析）用の試料２を作製する方
法である。この方法により、断面（測定部分）を垂直方
向（図１中Ｂ方向）から直接分析することができる。
シングソー等によって特定箇所１の近傍（〜１０μｍ手
前）、すなわち特定箇所１から切断面４までの距離Ｌが
１０μｍ以下で試料２を切断し、その切断面４の端から
集束イオンビーム（ＦＩＢ）６で掘削していって、特定
箇所１のまわりの不要部分を除去する。最終的に特定箇
所１の断面３を露出させることによって表面分析（ＥＰ
ＭＡ分析およびオージェ分析）用の試料２を作製する方
法である。この方法により、断面（測定部分）を垂直方
向（図１中Ｂ方向）から直接分析することができる。
【００１５】なお、前記試料２の切断には、ダイシング
ソーを用いる方法がもっとも精度良く、特定箇所１の近
傍ぎりぎりで切断することができるが、試料２の不要部
分７を切断・除去するには他にも劈開法や研磨法でも可
能である。特定箇所１の近傍ぎりぎりで試料２を切断す
ることでＦＩＢ加工に要する時間を短縮する。
ソーを用いる方法がもっとも精度良く、特定箇所１の近
傍ぎりぎりで切断することができるが、試料２の不要部
分７を切断・除去するには他にも劈開法や研磨法でも可
能である。特定箇所１の近傍ぎりぎりで試料２を切断す
ることでＦＩＢ加工に要する時間を短縮する。
【００１６】また、ＦＩＢ６によって特定箇所１の断面
３を斜めにする場合は、試料表面５に対するＦＩＢ照射
角度を９０度よりも小さくする。
３を斜めにする場合は、試料表面５に対するＦＩＢ照射
角度を９０度よりも小さくする。
【００１７】
【実施例】本発明の実施例について図面を参照して説明
する。
する。
【００１８】（実施例１）図２は本発明の実施例１を説
明する図である。図２（ａ）はダイシングソー加工の状
態、図２（ｂ）はＦＩＢ加工中の状態、図２（ｃ）は完
成状態を示す図を示している。
明する図である。図２（ａ）はダイシングソー加工の状
態、図２（ｂ）はＦＩＢ加工中の状態、図２（ｃ）は完
成状態を示す図を示している。
【００１９】まず、元の試料が８インチ・ウエハのよう
に大きい場合は、特定箇所１を含むように試料２を装置
（ＦＩＢ装置、ＥＰＭＡ分析装置およびオージェ分析装
置）内に導入できる大きさ（約１０ｍｍ×ｌ０ｍｍ）に
劈開して切り出す。
に大きい場合は、特定箇所１を含むように試料２を装置
（ＦＩＢ装置、ＥＰＭＡ分析装置およびオージェ分析装
置）内に導入できる大きさ（約１０ｍｍ×ｌ０ｍｍ）に
劈開して切り出す。
【００２０】次に、本実施例におけるダイシングソーに
よる試料２の切断について図２（ａ）を用いて説明す
る。
よる試料２の切断について図２（ａ）を用いて説明す
る。
【００２１】特定箇所１の近傍（〜１０μｍ手前）、す
なわち特定箇所１から切断面４までの距離Ｌが１０μｍ
以下で、試料２の不要部分７をダイシングソーで切断す
る。この時、特定箇所１のなるべく近傍で試料２を切断
することにより、次に行うＦＩＢ加工に要する時間を短
縮できる。
なわち特定箇所１から切断面４までの距離Ｌが１０μｍ
以下で、試料２の不要部分７をダイシングソーで切断す
る。この時、特定箇所１のなるべく近傍で試料２を切断
することにより、次に行うＦＩＢ加工に要する時間を短
縮できる。
【００２２】次に特定箇所のＦＩＢによる断面露出につ
いて図２（ｂ）を用いて説明する。この切断された試料
２をＦＩＢ装置内に導入し、試料表面５に対して垂直方
向（試料表面に対するＦＩＢ照射角度は９０度）から集
束イオンビーム（ＦＩＢ）６を照射して掘削する。
いて図２（ｂ）を用いて説明する。この切断された試料
２をＦＩＢ装置内に導入し、試料表面５に対して垂直方
向（試料表面に対するＦＩＢ照射角度は９０度）から集
束イオンビーム（ＦＩＢ）６を照射して掘削する。
【００２３】この時、特定箇所１の断面３に掘削物の再
付着（汚染）を防止するために、ダイシングソーによる
切断面４から掘削を始め、ＦＩＢ加工面が少しずつ特定
箇所１に近づくように集束イオンビーム（ＦＩＢ）６を
走査し、露出させたい断面３のまわりが溝（凹型）にな
るように掘削する。特定箇所１の断面３が露出したら、
ＦＩＢ加工を止める。
付着（汚染）を防止するために、ダイシングソーによる
切断面４から掘削を始め、ＦＩＢ加工面が少しずつ特定
箇所１に近づくように集束イオンビーム（ＦＩＢ）６を
走査し、露出させたい断面３のまわりが溝（凹型）にな
るように掘削する。特定箇所１の断面３が露出したら、
ＦＩＢ加工を止める。
【００２４】以上の手順によって、図２（ｃ）に示すよ
うに特定箇所１の断面３が露出して、かつ断面３の向か
い側に壁となる部分のない試料２ができあがる。
うに特定箇所１の断面３が露出して、かつ断面３の向か
い側に壁となる部分のない試料２ができあがる。
【００２５】従って特定箇所１の断面３に対して垂直方
向から表面分析（ＥＰＭＡ分析およびオージェ分析）す
ることができる。
向から表面分析（ＥＰＭＡ分析およびオージェ分析）す
ることができる。
【００２６】また、この断面をライン分析して厚み方向
の組成を求める場合、断面と実際の層構造が一致してい
るので、厚み方向の分解能が劣化しない。
の組成を求める場合、断面と実際の層構造が一致してい
るので、厚み方向の分解能が劣化しない。
【００２７】（実施例２）実施例１ではＦＩＢによって
特定箇所の断面が試料表面に対して垂直になるように加
工したが、層構造等の解析を行う場合は、断面を斜めに
ＦＩＢ加工することにより、断面の厚さを拡大すること
になり、厚み方向の分解能を向上させることができる。
特定箇所の断面が試料表面に対して垂直になるように加
工したが、層構造等の解析を行う場合は、断面を斜めに
ＦＩＢ加工することにより、断面の厚さを拡大すること
になり、厚み方向の分解能を向上させることができる。
【００２８】本実施例では特定箇所の断面を斜めにＦＩ
Ｂ加工する場合を説明する。
Ｂ加工する場合を説明する。
【００２９】図３は本発明の実施例２を説明する図であ
る。図３（ａ）はＦＩＢ加工中の状態を、図３（ｂ）は
完成状態を示す示している。
る。図３（ａ）はＦＩＢ加工中の状態を、図３（ｂ）は
完成状態を示す示している。
【００３０】実施例１と同様にダイシングソーで特定箇
所１の近傍（〜１０μｍ手前）で試料２を切断した後、
図３（ａ）に示すようにＦＩＢ装置内で試料２を傾斜さ
せ、集束イオンビーム（ＦＩＢ）６を試料表面５に対し
て斜め方向から照射するようにして掘削する。
所１の近傍（〜１０μｍ手前）で試料２を切断した後、
図３（ａ）に示すようにＦＩＢ装置内で試料２を傾斜さ
せ、集束イオンビーム（ＦＩＢ）６を試料表面５に対し
て斜め方向から照射するようにして掘削する。
【００３１】試料表面５に対するＦＩＢ照射角度をθと
すると、拡大率（幅／深さ）は１／ｓｉｎθとなる。θ
＝４５゜の場合、断面３の厚さは約１．４に拡大され
る。
すると、拡大率（幅／深さ）は１／ｓｉｎθとなる。θ
＝４５゜の場合、断面３の厚さは約１．４に拡大され
る。
【００３２】この時も特定箇所１の断面３に掘削物の再
付着（汚染）を防止するために、ダイシングソーによる
切断面４から掘削を始め、ＦＩＢ加工面が少しずつ特定
箇所１に近づくように集束イオンビーム（ＦＩＢ）６を
走査し、露出させたい断面３のまわりを掘削する。特定
箇所１の断面３が露出したら、ＦＩＢ加工を止める。
付着（汚染）を防止するために、ダイシングソーによる
切断面４から掘削を始め、ＦＩＢ加工面が少しずつ特定
箇所１に近づくように集束イオンビーム（ＦＩＢ）６を
走査し、露出させたい断面３のまわりを掘削する。特定
箇所１の断面３が露出したら、ＦＩＢ加工を止める。
【００３３】以上の手順によって、図３（ｂ）に示すよ
うに斜めの断面３が露出して、かつ断面３の向かい側に
分析時に壁となる部分のない試料２ができあがる。
うに斜めの断面３が露出して、かつ断面３の向かい側に
分析時に壁となる部分のない試料２ができあがる。
【００３４】断面３の向かい側に壁がないので、断面３
の垂直方向から表面分析（ＥＰＭＡ分析およびオージェ
分析）することができる。
の垂直方向から表面分析（ＥＰＭＡ分析およびオージェ
分析）することができる。
【００３５】また、断面を斜めにＦＩＢ加工したことで
厚さを拡大したことになり、断面をライン分析して厚み
方向の組成を求める場合、厚み方向の分解能が向上す
る。
厚さを拡大したことになり、断面をライン分析して厚み
方向の組成を求める場合、厚み方向の分解能が向上す
る。
【００３６】（実施例３）実施例１ではＦＩＢ６による
特定箇所１の断面３が左右の切断面４に対して凹型にな
るように加工したが、本実施例では逆に断面３が左右の
切断面４に対して凸型（くさび型）になるように加工す
る。
特定箇所１の断面３が左右の切断面４に対して凹型にな
るように加工したが、本実施例では逆に断面３が左右の
切断面４に対して凸型（くさび型）になるように加工す
る。
【００３７】図４と図５は本発明の実施例３を説明する
図である。図４（ａ）と図４（ｂ）はダイシングソー加
工の状態を、図５（ａ）と図５（ｂ）はＦＩＢ加工後の
完成状態を示している。
図である。図４（ａ）と図４（ｂ）はダイシングソー加
工の状態を、図５（ａ）と図５（ｂ）はＦＩＢ加工後の
完成状態を示している。
【００３８】実施例１と同様にダイシングソーで特定箇
所１の近傍（〜１０μｍ手前）で試料２を不要部分７を
切断した後、図４（ａ）のようにダイシングソーで特定
箇所１の近傍で切断面４の左右両側の不要部分７を斜め
に切断する。特定箇所１を残して、その左右を斜めに切
断して、くさび型にすることで、ＦＩＢで掘削する体積
を少なくする。
所１の近傍（〜１０μｍ手前）で試料２を不要部分７を
切断した後、図４（ａ）のようにダイシングソーで特定
箇所１の近傍で切断面４の左右両側の不要部分７を斜め
に切断する。特定箇所１を残して、その左右を斜めに切
断して、くさび型にすることで、ＦＩＢで掘削する体積
を少なくする。
【００３９】また、図４（ｂ）のように一方は切断面４
に直交するようにダイシングソーで特定箇所１の近傍で
切断し、片方のみ斜めに切断することもできる。
に直交するようにダイシングソーで特定箇所１の近傍で
切断し、片方のみ斜めに切断することもできる。
【００４０】くさび型に切断することで試料２の大きさ
自体は小さく（細く）ならないので作業中に試料を破損
する心配がない。
自体は小さく（細く）ならないので作業中に試料を破損
する心配がない。
【００４１】次に、この切断された試料２をＦＩＢ装置
内に導入し、実施例１のＦＩＢ加工のように試料表面５
に対して垂直方向（試料表面５に対するＦＩＢ照射角度
は９０度）から集束イオンビーム（ＦＩＢ）６を照射し
て掘削し、特定箇所１の断面３を露出させる。以上の手
順によって、図５（ａ）に示すように断面３が露出し
て、かつ断面３の左右及び向かい側に表面分析時に壁と
なる部分のない試料２ができあがる。
内に導入し、実施例１のＦＩＢ加工のように試料表面５
に対して垂直方向（試料表面５に対するＦＩＢ照射角度
は９０度）から集束イオンビーム（ＦＩＢ）６を照射し
て掘削し、特定箇所１の断面３を露出させる。以上の手
順によって、図５（ａ）に示すように断面３が露出し
て、かつ断面３の左右及び向かい側に表面分析時に壁と
なる部分のない試料２ができあがる。
【００４２】また、実施例２のように断面３を斜めにＦ
ＩＢ加工すると、図５（ｂ）に示すように斜めの断面３
が露出する。この場合も断面３の左右及び向かい側に表
面分析時に壁となる部分のない試料２ができあがる。
ＩＢ加工すると、図５（ｂ）に示すように斜めの断面３
が露出する。この場合も断面３の左右及び向かい側に表
面分析時に壁となる部分のない試料２ができあがる。
【００４３】また、断面を斜めに加工したことで厚さを
拡大したことになり、断面をライン分析して厚み方向の
組成を求める場合、厚さ方向の分解能が向上する。
拡大したことになり、断面をライン分析して厚み方向の
組成を求める場合、厚さ方向の分解能が向上する。
【００４４】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の試料作製
方法は、特定箇所の断面の周囲に残る壁を除去すること
によって、測定部分から放出される特性Ｘ線やオージェ
電子が妨げられることなく、表面分析装置の検出器に入
るので、特性Ｘ線やオージェ電子の強度が減少しない。
よって、従来に比ベて高感度な表面分析（ＥＰＭＡ分析
およびオージェ分析）を行うことができる。
方法は、特定箇所の断面の周囲に残る壁を除去すること
によって、測定部分から放出される特性Ｘ線やオージェ
電子が妨げられることなく、表面分析装置の検出器に入
るので、特性Ｘ線やオージェ電子の強度が減少しない。
よって、従来に比ベて高感度な表面分析（ＥＰＭＡ分析
およびオージェ分析）を行うことができる。
【００４５】また、目的とする測定部分の向かい側に壁
がないので、測定部分を垂直方向から直接分析できるの
で、この断面をライン分析して厚み方向の組成を求める
場合、断面と実際の層構造が一致しているので、厚み方
向の分解能が劣化しない。
がないので、測定部分を垂直方向から直接分析できるの
で、この断面をライン分析して厚み方向の組成を求める
場合、断面と実際の層構造が一致しているので、厚み方
向の分解能が劣化しない。
【００４６】更に特定箇所の断面をＦＩＢで斜めに加工
することで実際の膜厚を拡大することが可能で、ライン
分析時の厚み方向の分解能が向上する。
することで実際の膜厚を拡大することが可能で、ライン
分析時の厚み方向の分解能が向上する。
【００４７】試料自体は小さく（細く）ならないし、Ｔ
ＥＭ用試料のように特定箇所が極薄状態（厚さ０．１μ
ｍ以下）にならないので、作業中に試料を破損する心配
がない。
ＥＭ用試料のように特定箇所が極薄状態（厚さ０．１μ
ｍ以下）にならないので、作業中に試料を破損する心配
がない。
【図１】本発明の実施の形態を説明するための図であ
る。
る。
【図２】本発明の実施例１を説明する図である。図２
（ａ）はダイシングソー加工中の状態、図２（ｂ）はＦ
ＩＢ加工中の状態、図２（ｃ）は完成状態を示す図を示
している。
（ａ）はダイシングソー加工中の状態、図２（ｂ）はＦ
ＩＢ加工中の状態、図２（ｃ）は完成状態を示す図を示
している。
【図３】本発明の実施例２を説明する図である。図３
（ａ）はＦＩＢ加工中の状態を、図３（ｂ）は完成状態
を示す示している。
（ａ）はＦＩＢ加工中の状態を、図３（ｂ）は完成状態
を示す示している。
【図４】本発明の実施例３を説明する図である。図４
（ａ）と図４（ｂ）はダイシングソー加工中の状態を示
している。
（ａ）と図４（ｂ）はダイシングソー加工中の状態を示
している。
【図５】本発明の実施例３を説明する図である。図５
（ａ）と図５（ｂ）はＦＩＢ加工後の完成状態を示して
いる。
（ａ）と図５（ｂ）はＦＩＢ加工後の完成状態を示して
いる。
【図６】従来例を説明するための図である。
１ 特定箇所 ２ 試料 ３ 断面 ４ 切断面 ５ 試料表面 ６ 集束イオンビーム（ＦＩＢ） ７ 不要部分
Claims (7)
- 【請求項１】 集束イオンビームで掘削することによっ
て特定箇所の断面を露出させる試料作製方法において、
特定箇所の近傍で試料の不要部分を切断した後、その切
断面から特定箇所まで集束イオンビームで掘削し、特定
箇所の断面を露出させることを特徴とする表面分析用試
料の作製方法。 - 【請求項２】 切断面から特定箇所まで凹型に掘削する
ことを特徴とする請求項１記載の表面分析用試料の作製
方法。 - 【請求項３】 特定箇所の近傍を頂点にしてくさび型に
切断することを特徴とする請求項１記載の表面分析用試
料の作製方法。 - 【請求項４】 特定箇所の断面の左右に壁となる部分が
残らないように掘削することを特徴と請求項３記載の表
面分析用試料の作製方法。 - 【請求項５】 特定箇所の断面を斜めにする場合は、試
料表面に対する集束イオンビーム照射角度を９０度より
も小さくして掘削することを特徴とする請求項２または
４記載の表面分析用試料の作製方法。 - 【請求項６】 ダイシングソーにより特定箇所の近傍で
試料の不要部分を切断することを特徴とする請求項１ま
たは３記載の表面分析用試料の作製方法。 - 【請求項７】 特定箇所の断面の向かい側に壁が残らな
いことを特徴とする表面分析用試料。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9029027A JPH10227728A (ja) | 1997-02-13 | 1997-02-13 | 表面分析用試料及びその作製方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9029027A JPH10227728A (ja) | 1997-02-13 | 1997-02-13 | 表面分析用試料及びその作製方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10227728A true JPH10227728A (ja) | 1998-08-25 |
Family
ID=12264940
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9029027A Pending JPH10227728A (ja) | 1997-02-13 | 1997-02-13 | 表面分析用試料及びその作製方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10227728A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007248344A (ja) * | 2006-03-17 | 2007-09-27 | Seiko Epson Corp | 分析試料の形成方法 |
| JP2010091562A (ja) * | 2008-10-10 | 2010-04-22 | ３Ｄ−マイクロマック アーゲー | 透過型電子顕微鏡法用サンプルの作成方法および装置 |
| JP2010190809A (ja) * | 2009-02-20 | 2010-09-02 | Sii Nanotechnology Inc | ミクロ断面加工方法 |
-
1997
- 1997-02-13 JP JP9029027A patent/JPH10227728A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007248344A (ja) * | 2006-03-17 | 2007-09-27 | Seiko Epson Corp | 分析試料の形成方法 |
| JP2010091562A (ja) * | 2008-10-10 | 2010-04-22 | ３Ｄ−マイクロマック アーゲー | 透過型電子顕微鏡法用サンプルの作成方法および装置 |
| JP2010190809A (ja) * | 2009-02-20 | 2010-09-02 | Sii Nanotechnology Inc | ミクロ断面加工方法 |
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