JP2586684B2 - 透過型電子顕微鏡用試料作製方法 - Google Patents
透過型電子顕微鏡用試料作製方法Info
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- JP2586684B2 JP2586684B2 JP2088757A JP8875790A JP2586684B2 JP 2586684 B2 JP2586684 B2 JP 2586684B2 JP 2088757 A JP2088757 A JP 2088757A JP 8875790 A JP8875790 A JP 8875790A JP 2586684 B2 JP2586684 B2 JP 2586684B2
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- Japan
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- transmission electron
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Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は透過型電子顕微鏡用試料作製方法に関し、特
に数μｍ以内の特定の箇所の観察をする場合の試料作製
方法に関する。
に数μｍ以内の特定の箇所の観察をする場合の試料作製
方法に関する。
超LSIデバイスを開発し、量産する場合そのデバイス
構造解析、プロセス評価の重要性は増大し、解析評価が
重要な部分を占めるに至っている。その中でも、原子レ
ベルの解析が可能な透過型電子顕微鏡（以下、TEMと略
す）の活用が超LSIデバイスの性能向上に不可欠なもの
になってきている。
構造解析、プロセス評価の重要性は増大し、解析評価が
重要な部分を占めるに至っている。その中でも、原子レ
ベルの解析が可能な透過型電子顕微鏡（以下、TEMと略
す）の活用が超LSIデバイスの性能向上に不可欠なもの
になってきている。
TEMを活用して解析するためには、電子が透過し、か
つ充分なコントラストを得るために解析試料を数百nm以
下の薄膜にすることが不可欠である。
つ充分なコントラストを得るために解析試料を数百nm以
下の薄膜にすることが不可欠である。
通常は超LSIの断面解析を行う場合、第３図に示した
手順でTEM用の試料を作製する。
手順でTEM用の試料を作製する。
まず、解析試料10を解析箇所を含有して数mm角の大き
さに切断あるいはへき開し、試料片を作製する。この試
料片をまん中にしてほぼ同等の大きさをもつ５個のダミ
ー片11を接着し、試料ブロック12を作製する。この試料
ブロック12を解析試料10に垂直に切断し、試料切断片13
を作製する。試料切断片13の両側から機械研磨等で厚さ
約30μｍの薄片にする。これをイオン薄膜化装置を使っ
て解析部分を数百nm以下の薄膜にしTEM用の試料を作製
するのが、一般的な試料作製方法である。
さに切断あるいはへき開し、試料片を作製する。この試
料片をまん中にしてほぼ同等の大きさをもつ５個のダミ
ー片11を接着し、試料ブロック12を作製する。この試料
ブロック12を解析試料10に垂直に切断し、試料切断片13
を作製する。試料切断片13の両側から機械研磨等で厚さ
約30μｍの薄片にする。これをイオン薄膜化装置を使っ
て解析部分を数百nm以下の薄膜にしTEM用の試料を作製
するのが、一般的な試料作製方法である。
このような一般的な試料作製方法ではパターンのない
試料や、パターンがあってもメモリーのセル部のように
繰り返しの領域が数mmに及んでいる試料については解析
が可能であるが、数μｍ以下の特定の箇所の解析は不可
能である。
試料や、パターンがあってもメモリーのセル部のように
繰り返しの領域が数mmに及んでいる試料については解析
が可能であるが、数μｍ以下の特定の箇所の解析は不可
能である。
昨今の超LSIデバイスの解析の要求の多くは異常の箇
所の解析にあり、その異常原因を究明し、より高性能な
デバイスの開発にフィードバックされる。すなわち、TE
Mによる数μｍ以下の解析が超LSIデバイスの開発には不
可欠になってきている。
所の解析にあり、その異常原因を究明し、より高性能な
デバイスの開発にフィードバックされる。すなわち、TE
Mによる数μｍ以下の解析が超LSIデバイスの開発には不
可欠になってきている。
TEMにより数μｍ以下の解析をする方法としてフォー
カスされたイオンビーム解析箇所に沿って溝を形成して
おく方法がある。
カスされたイオンビーム解析箇所に沿って溝を形成して
おく方法がある。
この方法では、イオン薄膜化装置での薄膜化において
解析箇所に穴があき、解析部分が消失してしまうことを
防ぐため、イオン薄膜化装置にて薄膜中に時々その膜厚
を確認するため、薄膜化を中止してTEMにて観察する必
要があり、熟練と多大な作業工数を費やさなければなら
ないという問題点がある。
解析箇所に穴があき、解析部分が消失してしまうことを
防ぐため、イオン薄膜化装置にて薄膜中に時々その膜厚
を確認するため、薄膜化を中止してTEMにて観察する必
要があり、熟練と多大な作業工数を費やさなければなら
ないという問題点がある。
本発明の目的は前記課題を解決した透過型電子顕微鏡
用試料作製方法を提供することにある。
用試料作製方法を提供することにある。
前記目的を達成するため、本発明に係る透過型電子顕
微鏡用試料作製方法は、特定箇所観察のため、試料の特
定箇所に沿ってフォーカスされたイオンビームで予め溝
を形成する透過型電子顕微鏡用試料作製方法であって、 前記試料の特定箇所近傍に溝を形成し、 しかる後、前記溝の側面方向から前記溝に向かって前
記試料を薄くするものである。
微鏡用試料作製方法は、特定箇所観察のため、試料の特
定箇所に沿ってフォーカスされたイオンビームで予め溝
を形成する透過型電子顕微鏡用試料作製方法であって、 前記試料の特定箇所近傍に溝を形成し、 しかる後、前記溝の側面方向から前記溝に向かって前
記試料を薄くするものである。
次に本発明についてその詳細を説明する。
（実施例１） 第１図は本発明の実施例１を示す図であり、TEMで断
固解析をしようとする解析試料Ａの一部を示したもので
ある。解析試料10の内、微小領域１（数μｍ以下）がTE
M解析を実施する特定箇所領域である。この微小領域１
に沿って解析箇所を特定する溝２が１μｍ以下にフォー
カスされたイオンビームで形成されている。
固解析をしようとする解析試料Ａの一部を示したもので
ある。解析試料10の内、微小領域１（数μｍ以下）がTE
M解析を実施する特定箇所領域である。この微小領域１
に沿って解析箇所を特定する溝２が１μｍ以下にフォー
カスされたイオンビームで形成されている。
この解析試料10にフォーカスされたイオンビームで溝
２の近傍で、且つ、研磨方向ａ−ａ′に平行方向な箇所
にイオン薄膜化装置での終点検出用の溝３（例えば、１
〜２μｍ幅×約100μｍ長×約10μｍ深）を形成する。
２の近傍で、且つ、研磨方向ａ−ａ′に平行方向な箇所
にイオン薄膜化装置での終点検出用の溝３（例えば、１
〜２μｍ幅×約100μｍ長×約10μｍ深）を形成する。
解析箇所を特定する溝２及び終点検出用の溝３を形成
した解析試料10を通常の断面TEM試料作製方法で処理
し、第３図に示す試料切断片13を作製する。更に、溝２
が丁度消滅するところまで機械研磨で鏡面研磨し、裏面
から試料切断片の厚さが20〜30μｍになるまで機械研磨
で鏡面研磨し、試料薄片を作製する。この試料薄片をイ
オン量により終点を認知できるイオン薄膜化装置により
更に薄膜化する。薄膜化は溝３からイオンがイオン薄膜
化装置の検出器に入ることにより自動的に終了する。
した解析試料10を通常の断面TEM試料作製方法で処理
し、第３図に示す試料切断片13を作製する。更に、溝２
が丁度消滅するところまで機械研磨で鏡面研磨し、裏面
から試料切断片の厚さが20〜30μｍになるまで機械研磨
で鏡面研磨し、試料薄片を作製する。この試料薄片をイ
オン量により終点を認知できるイオン薄膜化装置により
更に薄膜化する。薄膜化は溝３からイオンがイオン薄膜
化装置の検出器に入ることにより自動的に終了する。
（実施例２） 第２図は本発明の実施例２を示す図である。
解析試料10にフォーカスされたイオンビームで溝２の
近傍で、且つ、研磨方向ａ−ａ′に垂直方向な箇所にイ
オン薄膜化装置での終点検出用の溝３（例えば、１〜２
μｍ幅×約100μｍ長×約10μｍ深）を形成する。
近傍で、且つ、研磨方向ａ−ａ′に垂直方向な箇所にイ
オン薄膜化装置での終点検出用の溝３（例えば、１〜２
μｍ幅×約100μｍ長×約10μｍ深）を形成する。
実施例１と同様な方法で試料薄片を作製する。この試
料薄片をレーザ光量により終点を認知できるイオン薄膜
化装置により更に薄膜化する。溝３からレーザ光がイオ
ン薄膜化装置の検出器に入ることにより自動的に停止す
る。更にレーザ光の明るさを目視により確認することに
より薄膜化をする。
料薄片をレーザ光量により終点を認知できるイオン薄膜
化装置により更に薄膜化する。溝３からレーザ光がイオ
ン薄膜化装置の検出器に入ることにより自動的に停止す
る。更にレーザ光の明るさを目視により確認することに
より薄膜化をする。
以上のように本発明によれば、超LSIデバイスの数μ
ｍ以下の特定の微小領域のTEMによる解析がより容易に
でき、超LSIデバイスの開発及び量産に多大な貢献がで
きる。
ｍ以下の特定の微小領域のTEMによる解析がより容易に
でき、超LSIデバイスの開発及び量産に多大な貢献がで
きる。
第１図は本発明の実施例１を示す図、第２図は本発明の
実施例２を示す図、第３図は通常の試料作製方法を示す
図である。 １……解析する微小領域、２……解析箇所特定用の溝 ３……終点検出用の溝、10……解析試料 11……ダミー片、12……試料ブロック 13……試料切断片、ａ−ａ′……研磨方向
実施例２を示す図、第３図は通常の試料作製方法を示す
図である。 １……解析する微小領域、２……解析箇所特定用の溝 ３……終点検出用の溝、10……解析試料 11……ダミー片、12……試料ブロック 13……試料切断片、ａ−ａ′……研磨方向
Claims (1)
- 【請求項１】特定箇所観察のため、試料の特定箇所に沿
ってフォーカスされたイオンビームで予め溝を形成する
透過型電子顕微鏡用試料作製方法であって、 前記試料の特定箇所近傍に溝を形成し、 しかる後、前記溝の側面方向から前記溝に向かって前記
試料を薄くするものであることを特徴とする透過型電子
顕微鏡用試料作製方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2088757A JP2586684B2 (ja) | 1990-04-03 | 1990-04-03 | 透過型電子顕微鏡用試料作製方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2088757A JP2586684B2 (ja) | 1990-04-03 | 1990-04-03 | 透過型電子顕微鏡用試料作製方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03287043A JPH03287043A (ja) | 1991-12-17 |
| JP2586684B2 true JP2586684B2 (ja) | 1997-03-05 |
Family
ID=13951757
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2088757A Expired - Lifetime JP2586684B2 (ja) | 1990-04-03 | 1990-04-03 | 透過型電子顕微鏡用試料作製方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2586684B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102539213A (zh) * | 2012-02-15 | 2012-07-04 | 西北工业大学 | 碲锌镉与金属界面的透射电子显微镜样品制备方法 |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN104198241B (zh) * | 2014-08-19 | 2017-04-05 | 武汉新芯集成电路制造有限公司 | 一种制备tem样品的方法 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02132345A (ja) * | 1988-11-14 | 1990-05-21 | Mitsubishi Electric Corp | 薄膜試料の作製方法 |
-
1990
- 1990-04-03 JP JP2088757A patent/JP2586684B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102539213A (zh) * | 2012-02-15 | 2012-07-04 | 西北工业大学 | 碲锌镉与金属界面的透射电子显微镜样品制备方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH03287043A (ja) | 1991-12-17 |
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