JPH03287043A - 透過型電子顕微鏡用試料作製方法 - Google Patents
透過型電子顕微鏡用試料作製方法Info
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- JPH03287043A JPH03287043A JP8875790A JP8875790A JPH03287043A JP H03287043 A JPH03287043 A JP H03287043A JP 8875790 A JP8875790 A JP 8875790A JP 8875790 A JP8875790 A JP 8875790A JP H03287043 A JPH03287043 A JP H03287043A
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- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 title claims abstract description 12
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 claims abstract description 9
- 238000005498 polishing Methods 0.000 claims abstract description 8
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 19
- 239000010409 thin film Substances 0.000 abstract description 8
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- 238000001514 detection method Methods 0.000 abstract 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 abstract 2
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 11
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 239000010408 film Substances 0.000 description 3
- 238000005464 sample preparation method Methods 0.000 description 3
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は透過型電子顕微鏡用試料作製方法に関し、特に
数ｐｍ以内の特定の箇所の観察をする場合の試料作製方
法に関する。
数ｐｍ以内の特定の箇所の観察をする場合の試料作製方
法に関する。
［従来の技術］
超ＬＳＩデバイスを開発し、量産する場合そのデバイス
構造解析、プロセス評価の重要性は増大し、解析評価が
重要な部分を占めるに至っている。その中でも、原子レ
ベルの解析が可能な透過型電子顕微鏡（以下、ＴＥＭと
略す）の活用が超ＬＳＩデバイスの性能向上に不可欠な
ものになってきている。
構造解析、プロセス評価の重要性は増大し、解析評価が
重要な部分を占めるに至っている。その中でも、原子レ
ベルの解析が可能な透過型電子顕微鏡（以下、ＴＥＭと
略す）の活用が超ＬＳＩデバイスの性能向上に不可欠な
ものになってきている。
丁ＥＭを活用して解析するためには、電子が透過し、か
つ充分なコントラストを得るために解析試料を数百ｎｍ
以下の薄膜にすることが不可欠である。
つ充分なコントラストを得るために解析試料を数百ｎｍ
以下の薄膜にすることが不可欠である。
通常は超ＬＳＩの断面解析を行う場合、第３図に示した
手順でＴＥＭ用の試料を作製する。
手順でＴＥＭ用の試料を作製する。
まず、解析試料ｌＯを解析箇所を含有して数馴角の大き
さに切断あるいはへき開し、試料片を作製する。この試
料片をまん中にしてほぼ同等の大きさをもつ５個のダミ
ー片１１を接着し、試料ブロック１２を作製する。この
試料ブロック１２を解析試料１０に垂直に切断し、試料
切断片１３を作製する。試料切断片１３の両側から機械
研磨等で厚さ約３０ｐｍの薄片にする。これをイオン薄
膜化装置を使って解析部分を数百ｎｍ以下の薄膜にしＴ
ＥＭ用の試料を作製するのが、一般的な試料作製方法で
ある。
さに切断あるいはへき開し、試料片を作製する。この試
料片をまん中にしてほぼ同等の大きさをもつ５個のダミ
ー片１１を接着し、試料ブロック１２を作製する。この
試料ブロック１２を解析試料１０に垂直に切断し、試料
切断片１３を作製する。試料切断片１３の両側から機械
研磨等で厚さ約３０ｐｍの薄片にする。これをイオン薄
膜化装置を使って解析部分を数百ｎｍ以下の薄膜にしＴ
ＥＭ用の試料を作製するのが、一般的な試料作製方法で
ある。
このような一般的な試料作製方法ではパターンのない試
料や、パターンがあってもメモリーのセル部のように繰
り返しの領域が数ｍに及んでいる試料については解析が
可能であるが、数ｐｍ以下の特定の箇所の解析は不可能
である。
料や、パターンがあってもメモリーのセル部のように繰
り返しの領域が数ｍに及んでいる試料については解析が
可能であるが、数ｐｍ以下の特定の箇所の解析は不可能
である。
昨今の超ＬＳＩデバイスの解析の要求の多くは異常の箇
所の解析にあり、その異常原因を究明し。
所の解析にあり、その異常原因を究明し。
より高性能なデバイスの開発にフィードバックされる。
すなわち、ＴＥＭによる数１１ｍ以下の解析が超ＬＳＩ
デバイスの開発には不可欠になってきている。
デバイスの開発には不可欠になってきている。
ＴＥＭにより数１１ｍ以下の解析をする方法としてフォ
ーカスされたイオンビーム解析箇所に沿って溝を形成し
ておく方法がある。
ーカスされたイオンビーム解析箇所に沿って溝を形成し
ておく方法がある。
この方法では、イオン薄膜化装置での薄膜化において解
析箇所に穴があき、解析部分が消失してしまうことを防
ぐため、イオン薄膜化装置にて薄膜中に時々その膜厚を
確認するため、薄膜化を中止してＴＥＭにて観察する必
要があり、熟練と多大な作業工数を費やさなければなら
ないという問題点がある。
析箇所に穴があき、解析部分が消失してしまうことを防
ぐため、イオン薄膜化装置にて薄膜中に時々その膜厚を
確認するため、薄膜化を中止してＴＥＭにて観察する必
要があり、熟練と多大な作業工数を費やさなければなら
ないという問題点がある。
本発明の目的は前記課題を解決した透過型電子顕微鏡用
試料作製方法を提供することにある。
試料作製方法を提供することにある。
［課題を解決するための手段］
前記目的を達成するため、本発明に係る透過型電子顕微
鏡用試料作製方法においては、特定箇所観察のため、試
料の特定箇所に沿ってフォーカスされたイオンビームで
予め溝を形成する透過型電子顕微鏡用試料作製方法であ
って、 特定箇所近傍で、かつ研磨方向に平行な箇所に、イオン
薄膜化装置での終点検出を目的とした溝を形成するもの
である。
鏡用試料作製方法においては、特定箇所観察のため、試
料の特定箇所に沿ってフォーカスされたイオンビームで
予め溝を形成する透過型電子顕微鏡用試料作製方法であ
って、 特定箇所近傍で、かつ研磨方向に平行な箇所に、イオン
薄膜化装置での終点検出を目的とした溝を形成するもの
である。
また、本発明においては、特定箇所観察のため、試料の
特定箇所に沿ってフォーカスされたイオンビームで予め
溝を形成する透過型電子顕微鏡用試料作製方法であって
、 特定箇所近傍で、かつ研磨方向に垂直方向な箇所に、イ
オン薄膜化装置での終点検出を目的とした溝を形成する
ものである。
特定箇所に沿ってフォーカスされたイオンビームで予め
溝を形成する透過型電子顕微鏡用試料作製方法であって
、 特定箇所近傍で、かつ研磨方向に垂直方向な箇所に、イ
オン薄膜化装置での終点検出を目的とした溝を形成する
ものである。
［実施例〕
次に本発明についてその詳細を説明する。
（実施例１）
第１図は本発明の実施例１を示す図であり、ＴＥ□で断
面解析をしようとする解析試料Ａの一部を示したもので
ある。解析試料ｌＯの内、微小領域１（数ｐｍ以下）が
ＴＥＭ解析を実施する特定箇所領域である。この微小領
域１に沿って解析箇所を特定する溝２がｌｐｍｐｍ以下
オーカスされたイオンビームで形成されている。
面解析をしようとする解析試料Ａの一部を示したもので
ある。解析試料ｌＯの内、微小領域１（数ｐｍ以下）が
ＴＥＭ解析を実施する特定箇所領域である。この微小領
域１に沿って解析箇所を特定する溝２がｌｐｍｐｍ以下
オーカスされたイオンビームで形成されている。
この解析試料１０にフォーカスされたイオンビームで溝
２の近傍で、且つ、研磨方向ａ−ａ ’に平行方向な箇
所にイオン薄膜化装置での終点検出用の溝３（例えば、
１〜２ ｐｍ幅×約１１００ｐ長×約１０１１ｍ深）を
形成する。
２の近傍で、且つ、研磨方向ａ−ａ ’に平行方向な箇
所にイオン薄膜化装置での終点検出用の溝３（例えば、
１〜２ ｐｍ幅×約１１００ｐ長×約１０１１ｍ深）を
形成する。
解析箇所を特定する溝２及び終点検出用の溝３を形成し
た解析試料１０を通常の断面ＴＥＭ試料（￥製方法で処
理し、第３図に示す試料切断片Ｉ３を作製する。更に、
溝２が丁度消滅するところまで機械研磨で鏡面研磨し、
裏面から試料切断片の厚さが２０〜３０１１ｍになるま
で機械研磨で鏡面研磨し、試料薄片を作製する。この試
料薄片をイオン量により終点を認知できるイオン薄膜化
装置により更に薄膜化する。薄膜化は溝３がらイオンが
イオン薄膜化装置の検出器に入ることにより自動的に終
了する。
た解析試料１０を通常の断面ＴＥＭ試料（￥製方法で処
理し、第３図に示す試料切断片Ｉ３を作製する。更に、
溝２が丁度消滅するところまで機械研磨で鏡面研磨し、
裏面から試料切断片の厚さが２０〜３０１１ｍになるま
で機械研磨で鏡面研磨し、試料薄片を作製する。この試
料薄片をイオン量により終点を認知できるイオン薄膜化
装置により更に薄膜化する。薄膜化は溝３がらイオンが
イオン薄膜化装置の検出器に入ることにより自動的に終
了する。
（実施例２）
第２図は本発明の実施例２を示す図である。
解析試料ＩＯにフォーカスされたイオンビームで溝２の
近傍で、且つ、研磨方向ａ−ａ′に垂直方向な箇所にイ
オン薄膜化装置での終点検出用の溝３（例えば、１〜２
ｐｍ幅×約１１００ｐ長×約１０ｐｍ深）を形成する。
近傍で、且つ、研磨方向ａ−ａ′に垂直方向な箇所にイ
オン薄膜化装置での終点検出用の溝３（例えば、１〜２
ｐｍ幅×約１１００ｐ長×約１０ｐｍ深）を形成する。
実施例１と同様な方法で試料薄片を作製する。
この試料薄片をレーザ光量により終点を認知できるイオ
ン薄膜化装置により更に薄膜化する。溝３からレーザ光
がイオン薄膜化装置の検出器に入ることにより自動的に
停止する。更にレーザ光の明るさを目視により確認する
ことにより薄膜化をする。
ン薄膜化装置により更に薄膜化する。溝３からレーザ光
がイオン薄膜化装置の検出器に入ることにより自動的に
停止する。更にレーザ光の明るさを目視により確認する
ことにより薄膜化をする。
［発明の効果］
以上のように本発明によれば、超ＬＳＩデバイスの数ｐ
ｍ以下の特定の微小領域のＴＥＭによる解析がより容易
にでき、超ＬＳＩデバイスの開発及び量産に多大な貢献
ができる。
ｍ以下の特定の微小領域のＴＥＭによる解析がより容易
にでき、超ＬＳＩデバイスの開発及び量産に多大な貢献
ができる。
第１図は本発明の実施例１を示す図、第２図は本発明の
実施例２を示す図、第３図は通常の試料作製方法を示す
図である。
実施例２を示す図、第３図は通常の試料作製方法を示す
図である。
Claims (2)
- （１）特定箇所観察のため、試料の特定箇所に沿ってフ
ォーカスされたイオンビームで予め溝を形成する透過型
電子顕微鏡用試料作製方法であって、特定箇所近傍で、
かつ研磨方向に平行な箇所に、イオン薄膜化装置での終
点検出を目的とした溝を形成することを特徴とする透過
型電子顕微鏡用試料作製方法。 - （２）特定箇所観察のため、試料の特定箇所に沿ってフ
ォーカスされたイオンビームで予め溝を形成する透過型
電子顕微鏡用試料作製方法であって、特定箇所近傍で、
かつ研磨方向に垂直方向な箇所に、イオン薄膜化装置で
の終点検出を目的とした溝を形成することを特徴とする
透過型電子顕微鏡用試料作製方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2088757A JP2586684B2 (ja) | 1990-04-03 | 1990-04-03 | 透過型電子顕微鏡用試料作製方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2088757A JP2586684B2 (ja) | 1990-04-03 | 1990-04-03 | 透過型電子顕微鏡用試料作製方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03287043A true JPH03287043A (ja) | 1991-12-17 |
| JP2586684B2 JP2586684B2 (ja) | 1997-03-05 |
Family
ID=13951757
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2088757A Expired - Lifetime JP2586684B2 (ja) | 1990-04-03 | 1990-04-03 | 透過型電子顕微鏡用試料作製方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2586684B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN104198241A (zh) * | 2014-08-19 | 2014-12-10 | 武汉新芯集成电路制造有限公司 | 一种制备tem样品的方法 |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102539213B (zh) * | 2012-02-15 | 2013-06-19 | 西北工业大学 | 碲锌镉与金属界面的透射电子显微镜样品制备方法 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02132345A (ja) * | 1988-11-14 | 1990-05-21 | Mitsubishi Electric Corp | 薄膜試料の作製方法 |
-
1990
- 1990-04-03 JP JP2088757A patent/JP2586684B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| CN104198241A (zh) * | 2014-08-19 | 2014-12-10 | 武汉新芯集成电路制造有限公司 | 一种制备tem样品的方法 |
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| JP2586684B2 (ja) | 1997-03-05 |
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