JPH02132345A - 薄膜試料の作製方法 - Google Patents
薄膜試料の作製方法Info
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- JPH02132345A JPH02132345A JP28575988A JP28575988A JPH02132345A JP H02132345 A JPH02132345 A JP H02132345A JP 28575988 A JP28575988 A JP 28575988A JP 28575988 A JP28575988 A JP 28575988A JP H02132345 A JPH02132345 A JP H02132345A
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- thin film
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- ion beams
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Landscapes
- Sampling And Sample Adjustment (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、電子顕微鏡観察などに用いる薄膜試料の作
製方法Ｋ関するものである。
製方法Ｋ関するものである。
第５図は、例えば、日本結晶学会誌、２６巻、４号（１
９８４年）２３６〜２４１ページに掲載された従来の薄
膜試料の作製方法を示し、ステップ（１１Ｋ示すＬＳＩ
素子が形成されたシリコンウエハ（ｌｌａ）から、ステ
ップ（１２）で観察対象領域となる試料片（ｔｚａ’）
を夕゜イヤモンド・スクライバなどを用いてブロック状
Ｋ切り出す。切り出した試料片（１２ａ）をステップ（
１３”ｌＫて接着剤を用いてサイドインチ構造（１３ａ
）Ｋ接着し固化する。次ｋ、ステップ（ １ ４ ）Ｋ
おいて機械研磨を行い、試料を厚さ２０μｍ程度の薄片
（１４ａ）とする。
９８４年）２３６〜２４１ページに掲載された従来の薄
膜試料の作製方法を示し、ステップ（１１Ｋ示すＬＳＩ
素子が形成されたシリコンウエハ（ｌｌａ）から、ステ
ップ（１２）で観察対象領域となる試料片（ｔｚａ’）
を夕゜イヤモンド・スクライバなどを用いてブロック状
Ｋ切り出す。切り出した試料片（１２ａ）をステップ（
１３”ｌＫて接着剤を用いてサイドインチ構造（１３ａ
）Ｋ接着し固化する。次ｋ、ステップ（ １ ４ ）Ｋ
おいて機械研磨を行い、試料を厚さ２０μｍ程度の薄片
（１４ａ）とする。
さらＫ、取り扱いを容易ＫするためＫ、ステップ（１５
）でＴＥＭ（透過型電子顕微鏡）試料ホルダ（１５ａ）
Ｋ固定する。最終のステップ（１６）である薄膜化は、
イオンビームＫよるエッチングで、部分的Ｋ２００ｎｍ
以下の厚さＫ仕上げる。
）でＴＥＭ（透過型電子顕微鏡）試料ホルダ（１５ａ）
Ｋ固定する。最終のステップ（１６）である薄膜化は、
イオンビームＫよるエッチングで、部分的Ｋ２００ｎｍ
以下の厚さＫ仕上げる。
従来の薄膜試料の作製方法は以上のようＫなされるので
、試料片の切り出しや研磨の精度を考えると、数１０μ
ｍ以下の特定領域を、後の透過型電子顕微鏡法などの観
察Ｋ適したようＫ薄膜化することが不可能である。
、試料片の切り出しや研磨の精度を考えると、数１０μ
ｍ以下の特定領域を、後の透過型電子顕微鏡法などの観
察Ｋ適したようＫ薄膜化することが不可能である。
この発明は上記のような問題を解消するためＫなされた
もので、目標とする観察領域を１００ｎｍ以下の精度で
薄膜化することができる薄膜試料の作製方法を得ること
を目的とする。
もので、目標とする観察領域を１００ｎｍ以下の精度で
薄膜化することができる薄膜試料の作製方法を得ること
を目的とする。
この発明Ｋ係る薄膜試料の作製方法は、薄膜化するため
に、局所的に１００ｎｍ以下の精度でエッチングするこ
とが可能な集束イオンビームを用いる。
に、局所的に１００ｎｍ以下の精度でエッチングするこ
とが可能な集束イオンビームを用いる。
この発明においては、目標とする観察箇所の周囲を集束
イオンビームにより精度よくエッチングする。
イオンビームにより精度よくエッチングする。
以下、この発明の一実施例を第１図〜第３図を参照して
説明する。第１図、第２図において（１）は試料、（２
）は目標とする観察箇所、（３）は集束されたイオンピ
ームであり、（４）はイオンと一ムによりエッチングさ
れた領域を示す。
説明する。第１図、第２図において（１）は試料、（２
）は目標とする観察箇所、（３）は集束されたイオンピ
ームであり、（４）はイオンと一ムによりエッチングさ
れた領域を示す。
第３図は、作製された薄膜試料の一観察例である透過型
電子顕微鏡法を示す図であり、図Ｋおいて、（５）は電
子ビームである。
電子顕微鏡法を示す図であり、図Ｋおいて、（５）は電
子ビームである。
集束イオンビーム（３）を発生する装置は、微細イオン
ビームを作るイオン銃およびイオン光学系と、イオンビ
ームな試料面上で走査させる機構からなっている。
ビームを作るイオン銃およびイオン光学系と、イオンビ
ームな試料面上で走査させる機構からなっている。
薄膜試料を作製するには、まず、第２図の試料（１）の
目標とする観察箇所（２）の両側を、第１回に示すよう
に、集束イオンピーム（３）でエッチングする。
目標とする観察箇所（２）の両側を、第１回に示すよう
に、集束イオンピーム（３）でエッチングする。
集束イオンビーム（３）によるエッチングにおいては、
幅１００ｎｍ以下の精度で観察箇所（２）を残すことが
可能である。
幅１００ｎｍ以下の精度で観察箇所（２）を残すことが
可能である。
集束イオンビーム（３）Ｋよる加工の後、例えば、透過
型電子顕微鏡法による観察の場合、第３図のようＫ−ｔ
子ビーム（５）を透過させて観察する。集束イオンビー
ム（３）で残す幅は、例えば透過型電子顕微鏡法の場合
は、加速電圧などの観察条件で任意Ｋ決めることができ
る。また、観察箇所（２）を必要な幅よりも広く残して
おいて、集束イオンビム以外の方法、たとえば、試料の
損傷の小さい、低加速のイオンビームやウエットエッチ
ングにより、幅を狭くすることもできる。集束イオンビ
ーム（３）でエッチングする深さは、電子ビーム（５）
の経路の障害Ｋならない深さである。また、目標とする
観察箇所（２）が試料（１）の内部にある場合は、それ
に応じた深さを選定する。
型電子顕微鏡法による観察の場合、第３図のようＫ−ｔ
子ビーム（５）を透過させて観察する。集束イオンビー
ム（３）で残す幅は、例えば透過型電子顕微鏡法の場合
は、加速電圧などの観察条件で任意Ｋ決めることができ
る。また、観察箇所（２）を必要な幅よりも広く残して
おいて、集束イオンビム以外の方法、たとえば、試料の
損傷の小さい、低加速のイオンビームやウエットエッチ
ングにより、幅を狭くすることもできる。集束イオンビ
ーム（３）でエッチングする深さは、電子ビーム（５）
の経路の障害Ｋならない深さである。また、目標とする
観察箇所（２）が試料（１）の内部にある場合は、それ
に応じた深さを選定する。
なお、上記実施例では、観察箇所（２）の両側をすべて
エッチングする方法を示したが、エッチング時間を短縮
させるために、他の実施例として第４図に示すように、
試料（１）の目標とする観察箇所（２）の両側において
、一部（４ａ）だけエッチングしてもよい。
エッチングする方法を示したが、エッチング時間を短縮
させるために、他の実施例として第４図に示すように、
試料（１）の目標とする観察箇所（２）の両側において
、一部（４ａ）だけエッチングしてもよい。
また、一ヒ記実施例では薄膜試料の観察例として透過型
電子顕微鏡法について説明したが、他に、電子ビーム、
イオンビーム、Ｘ線ビームあるいは中性子ビームなどを
ブローブとする分析手法Ｋ応用することができる。
電子顕微鏡法について説明したが、他に、電子ビーム、
イオンビーム、Ｘ線ビームあるいは中性子ビームなどを
ブローブとする分析手法Ｋ応用することができる。
以上のように、この発明Ｋよれば、薄膜化Ｋ集束イオン
ビームを用いたので、目標とする観察箇所を１００ｎｍ
以下の精度で薄膜化することができ、透過型雷子顕微鏡
法などにおいて、試料の特定部位の観察ができる効果が
ある。
ビームを用いたので、目標とする観察箇所を１００ｎｍ
以下の精度で薄膜化することができ、透過型雷子顕微鏡
法などにおいて、試料の特定部位の観察ができる効果が
ある。
第１図〜第３図はこの発明の一実施例を説明するための
もので、第１図，第２図はそれぞれエッチングの後と前
の試料の斜視図、第３図は観察方法を示す側面図、第４
図は他の実施例を説明するための斜視図、第５図は従来
の薄膜試料の作製方法の工程因である。 （１）・●試料、（２）拳・目標とする観察箇所、（３
）・●集束イオンビーム、（４）●●エッチングされた
領域。 なお、各図中、同一符号は同一又は相当部分を示す。
もので、第１図，第２図はそれぞれエッチングの後と前
の試料の斜視図、第３図は観察方法を示す側面図、第４
図は他の実施例を説明するための斜視図、第５図は従来
の薄膜試料の作製方法の工程因である。 （１）・●試料、（２）拳・目標とする観察箇所、（３
）・●集束イオンビーム、（４）●●エッチングされた
領域。 なお、各図中、同一符号は同一又は相当部分を示す。
Claims (1)
- 微細イオンビームを作るためのイオン銃およびイオン光
学系と、前記微細イオンビームを試料面上で走査する機
構とを有する集束イオンビームエッチング手段を用い、
前記試料の目標とする観察箇所の周囲をエッチングして
薄膜化する薄膜試料の作製方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28575988A JPH02132345A (ja) | 1988-11-14 | 1988-11-14 | 薄膜試料の作製方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28575988A JPH02132345A (ja) | 1988-11-14 | 1988-11-14 | 薄膜試料の作製方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02132345A true JPH02132345A (ja) | 1990-05-21 |
Family
ID=17695685
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP28575988A Pending JPH02132345A (ja) | 1988-11-14 | 1988-11-14 | 薄膜試料の作製方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02132345A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03287043A (ja) * | 1990-04-03 | 1991-12-17 | Nec Corp | 透過型電子顕微鏡用試料作製方法 |
| JPH0476437A (ja) * | 1990-07-18 | 1992-03-11 | Seiko Instr Inc | 集束荷電ビーム加工方法 |
| JPH0792062A (ja) * | 1993-03-04 | 1995-04-07 | Natl Res Inst For Metals | 透過型電子顕微鏡用薄膜試料のその場作製および観察 方法並びにその装置 |
| WO2021171490A1 (ja) * | 2020-02-27 | 2021-09-02 | 株式会社日立ハイテク | 半導体解析システム |
-
1988
- 1988-11-14 JP JP28575988A patent/JPH02132345A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03287043A (ja) * | 1990-04-03 | 1991-12-17 | Nec Corp | 透過型電子顕微鏡用試料作製方法 |
| JPH0476437A (ja) * | 1990-07-18 | 1992-03-11 | Seiko Instr Inc | 集束荷電ビーム加工方法 |
| JPH0792062A (ja) * | 1993-03-04 | 1995-04-07 | Natl Res Inst For Metals | 透過型電子顕微鏡用薄膜試料のその場作製および観察 方法並びにその装置 |
| WO2021171490A1 (ja) * | 2020-02-27 | 2021-09-02 | 株式会社日立ハイテク | 半導体解析システム |
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