JPH08261894A - Ｔｅｍ評価試料及びその作成方法 - Google Patents
Ｔｅｍ評価試料及びその作成方法Info
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- JPH08261894A JPH08261894A JP6407095A JP6407095A JPH08261894A JP H08261894 A JPH08261894 A JP H08261894A JP 6407095 A JP6407095 A JP 6407095A JP 6407095 A JP6407095 A JP 6407095A JP H08261894 A JPH08261894 A JP H08261894A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 定量分析を可能にするＴＥＭ評価試料作成方
法およびその作成方法を得る。 【構成】 ＴＥＭ観察面６をＴＥＭ評価試料４表面上に
傾斜する。またＴＥＭによる観察時に照射する電子ビー
ムの入射側のＴＥＭ評価試料４をその表面から裏面にか
けて垂直に切り落とた形状とす。 【効果】 ＴＥＭ観察面での散乱電子がＴＥＭ評価試料
に衝突しにくくなり、ＴＥＭによる元素分析の定量的分
析を可能にする。
法およびその作成方法を得る。 【構成】 ＴＥＭ観察面６をＴＥＭ評価試料４表面上に
傾斜する。またＴＥＭによる観察時に照射する電子ビー
ムの入射側のＴＥＭ評価試料４をその表面から裏面にか
けて垂直に切り落とた形状とす。 【効果】 ＴＥＭ観察面での散乱電子がＴＥＭ評価試料
に衝突しにくくなり、ＴＥＭによる元素分析の定量的分
析を可能にする。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、透過型電子顕微鏡（以
下ＴＥＭという）を用いて評価するためのＴＥＭ評価試
料及びその作成方法に関し、特に元素分析の定量的分析
を可能にするＴＥＭ評価試料及びその作成方法に関す
る。
下ＴＥＭという）を用いて評価するためのＴＥＭ評価試
料及びその作成方法に関し、特に元素分析の定量的分析
を可能にするＴＥＭ評価試料及びその作成方法に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】半導体デバイス等の試料を拡大して、観
察する方法の一つとしてＴＥＭは良く知られている。数
百ｋＶあるいはそれ以上の高電圧によって加速された電
子ビームを試料の観察したい部位を有するＴＥＭ観察面
に照射し、そのＴＥＭ観察面を透過した通過電子を結像
させて観察（ＴＥＭ観察）する。このＴＥＭ観察は極め
て高分解能での観察が可能であり、２オングストローム
をきるレベルの点分解能を有している。
察する方法の一つとしてＴＥＭは良く知られている。数
百ｋＶあるいはそれ以上の高電圧によって加速された電
子ビームを試料の観察したい部位を有するＴＥＭ観察面
に照射し、そのＴＥＭ観察面を透過した通過電子を結像
させて観察（ＴＥＭ観察）する。このＴＥＭ観察は極め
て高分解能での観察が可能であり、２オングストローム
をきるレベルの点分解能を有している。
【０００３】画像を結像させるに十分な電子ビームを透
過させるためには、試料のＴＥＭ観察面の厚さを極めて
薄くする必要がある。一般に格子像と呼ばれる原子の配
列を反映させた像を得るためには、ＴＥＭ観察面の厚さ
を０．１μｍレベルの厚さまで薄くしなければならな
い。
過させるためには、試料のＴＥＭ観察面の厚さを極めて
薄くする必要がある。一般に格子像と呼ばれる原子の配
列を反映させた像を得るためには、ＴＥＭ観察面の厚さ
を０．１μｍレベルの厚さまで薄くしなければならな
い。
【０００４】近年、試料の特定の部位をＴＥＭ観察する
ために、試料の観察したい部位をダイサーと集束イオン
ビーム（ＦＩＢ（Ｆｏｃｕｓｅｄ Ｉｏｎ Ｂｅａ
ｍ））装置とを組み合わせて、極めて薄く形成して得ら
れるＴＥＭ観察面を有するＴＥＭ評価試料の作成方法が
一般的になってきている。
ために、試料の観察したい部位をダイサーと集束イオン
ビーム（ＦＩＢ（Ｆｏｃｕｓｅｄ Ｉｏｎ Ｂｅａ
ｍ））装置とを組み合わせて、極めて薄く形成して得ら
れるＴＥＭ観察面を有するＴＥＭ評価試料の作成方法が
一般的になってきている。
【０００５】そのダイサーとＦＩＢ装置によるＴＥＭ評
価試料の作成方法の一例は、日本電子顕微鏡学会関西支
部技術研究会「電子顕微鏡による半導体評価」の予稿集
（平成６年１２月３日版）に記載されている。その予稿
集に記載されている事項に基づき、従来のＴＥＭ評価試
料の作成方法を、図９乃至図１２を参照しながら、簡略
して説明する。
価試料の作成方法の一例は、日本電子顕微鏡学会関西支
部技術研究会「電子顕微鏡による半導体評価」の予稿集
（平成６年１２月３日版）に記載されている。その予稿
集に記載されている事項に基づき、従来のＴＥＭ評価試
料の作成方法を、図９乃至図１２を参照しながら、簡略
して説明する。
【０００６】図９乃至図１２中の１は半導体デバイス等
の試料、２は観察の対象である観察部位、３はマーキン
グにより形成されたマーク、４はＴＥＭ評価試料、５は
ＴＥＭ評価試料４に形成された突出部、６はＴＥＭ観察
面である。
の試料、２は観察の対象である観察部位、３はマーキン
グにより形成されたマーク、４はＴＥＭ評価試料、５は
ＴＥＭ評価試料４に形成された突出部、６はＴＥＭ観察
面である。
【０００７】まず、図９を参照して、ＦＩＢ装置を用い
て、試料１の観察したい観察部位２の近傍をエッチング
して、マーク３を形成することでマーキングしておく。
次に、図１０を参照して、ダイサーを用いて、試料１か
ら、ダイシング（切断）して、観察部位２を含む部分を
切り出して、ＴＥＭ評価試料４の全体を形成する。次
に、図１１を参照して、ダイサーを用いて、観察する観
察部位２の近傍以外のＴＥＭ評価試料４の表面を、ダイ
サー所定の切断方向（図１１に示す水平方向Ｘ及び垂直
方向Ｙ、以後、その他の各図に記載されている水平方向
Ｘ及び垂直方向Ｙは互いに対応している）にダイシング
して、切り落とし、突出部５を形成する。次に、図１２
を参照して、ＴＥＭ評価試料４を加工するための水平な
ステージ（図示していない）に載置して、ＦＩＢ装置を
用いて、マーク３を参考にして観察部位２の位置を確か
めながら、その観察部位２の両側をエッチングして、薄
いＴＥＭ観察面６を形成することにより、ＴＥＭ評価試
料４が完成する。
て、試料１の観察したい観察部位２の近傍をエッチング
して、マーク３を形成することでマーキングしておく。
次に、図１０を参照して、ダイサーを用いて、試料１か
ら、ダイシング（切断）して、観察部位２を含む部分を
切り出して、ＴＥＭ評価試料４の全体を形成する。次
に、図１１を参照して、ダイサーを用いて、観察する観
察部位２の近傍以外のＴＥＭ評価試料４の表面を、ダイ
サー所定の切断方向（図１１に示す水平方向Ｘ及び垂直
方向Ｙ、以後、その他の各図に記載されている水平方向
Ｘ及び垂直方向Ｙは互いに対応している）にダイシング
して、切り落とし、突出部５を形成する。次に、図１２
を参照して、ＴＥＭ評価試料４を加工するための水平な
ステージ（図示していない）に載置して、ＦＩＢ装置を
用いて、マーク３を参考にして観察部位２の位置を確か
めながら、その観察部位２の両側をエッチングして、薄
いＴＥＭ観察面６を形成することにより、ＴＥＭ評価試
料４が完成する。
【０００８】このＴＥＭ評価試料作成方法により、ＴＥ
Ｍ観察面６を極めて薄く形成できるため、半導体デバイ
スを高分解能で形状評価が行えるようになり、例えば不
良箇所を高分解能で形状評価が行えるために、半導体デ
バイスの開発等に大きく寄与している。
Ｍ観察面６を極めて薄く形成できるため、半導体デバイ
スを高分解能で形状評価が行えるようになり、例えば不
良箇所を高分解能で形状評価が行えるために、半導体デ
バイスの開発等に大きく寄与している。
【０００９】ところで、ＴＥＭに特性Ｘ線（ＴＥＭ観察
面６を通過した通過電子を含む）を感知して試料中の元
素分析を行うことが可能な装置（ＥＤ）を付け加えるこ
とによって、分析電子顕微鏡と呼ばれる評価システムが
でき上がる。この分析電子顕微鏡を用いることでデバイ
スの評価解析が非常に効果的に行える。
面６を通過した通過電子を含む）を感知して試料中の元
素分析を行うことが可能な装置（ＥＤ）を付け加えるこ
とによって、分析電子顕微鏡と呼ばれる評価システムが
でき上がる。この分析電子顕微鏡を用いることでデバイ
スの評価解析が非常に効果的に行える。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、図１２
に示すような形状を有するＴＥＭ評価試料４を分析電子
顕微鏡によって元素分析した場合、下記の問題点が生じ
る。
に示すような形状を有するＴＥＭ評価試料４を分析電子
顕微鏡によって元素分析した場合、下記の問題点が生じ
る。
【００１１】ＴＥＭ評価試料４を分析電子顕微鏡によっ
て元素分析している際のＴＥＭ観察面６を図１３に示
す。図１３中の７はＴＥＭ観察面６に照射する電子ビー
ム、７ａは電子ビーム７のうちＴＥＭ観察面６を通過し
た通過電子、８ａは散乱電子、９はＸ線、αはＴＥＭ評
価試料４表面に垂直な方向と散乱電子８ａの反射方向と
がなす角である立体角、γはＴＥＭ評価試料４表面（図
１２に示すＴＥＭ評価試料４の上面）方向とＴＥＭ観察
面６表面（電子ビーム７の入射側の面）方向との電子ビ
ーム７の入射側でなす傾斜角、その他の各符号は図１２
中の各符号に対応している。傾斜角γは９０度である。
て元素分析している際のＴＥＭ観察面６を図１３に示
す。図１３中の７はＴＥＭ観察面６に照射する電子ビー
ム、７ａは電子ビーム７のうちＴＥＭ観察面６を通過し
た通過電子、８ａは散乱電子、９はＸ線、αはＴＥＭ評
価試料４表面に垂直な方向と散乱電子８ａの反射方向と
がなす角である立体角、γはＴＥＭ評価試料４表面（図
１２に示すＴＥＭ評価試料４の上面）方向とＴＥＭ観察
面６表面（電子ビーム７の入射側の面）方向との電子ビ
ーム７の入射側でなす傾斜角、その他の各符号は図１２
中の各符号に対応している。傾斜角γは９０度である。
【００１２】図１３に示すように、入射された電子ビー
ム７の一部は、ＴＥＭ観察面６を通過して通過電子７ａ
となるが、その他は、ＴＥＭ観察面６表面で反射して散
乱電子８ａとなり、さらに散乱電子８ａがＴＥＭ評価試
料４の表面に反射することによって、Ｘ線９（特性Ｘ
線、２次蛍光Ｘ線）が生じる。通過電子７ａのみをＥＤ
が感知することで、定量的な元素分析が可能となるが、
元素分析に不必要なＸ線９（このような元素分析に不必
要なＸ線を以下バックグラウンドと称す）もＥＤが感知
して、元素分析されることで、定量的な元素分析が困難
となるという問題点がある。
ム７の一部は、ＴＥＭ観察面６を通過して通過電子７ａ
となるが、その他は、ＴＥＭ観察面６表面で反射して散
乱電子８ａとなり、さらに散乱電子８ａがＴＥＭ評価試
料４の表面に反射することによって、Ｘ線９（特性Ｘ
線、２次蛍光Ｘ線）が生じる。通過電子７ａのみをＥＤ
が感知することで、定量的な元素分析が可能となるが、
元素分析に不必要なＸ線９（このような元素分析に不必
要なＸ線を以下バックグラウンドと称す）もＥＤが感知
して、元素分析されることで、定量的な元素分析が困難
となるという問題点がある。
【００１３】本発明は、このような問題点を解決するた
めになされたものであり、元素分析に不必要なＸ線の発
生を抑制することで、定量的な元素分析を可能にするＴ
ＥＭ評価試料作成方法およびその製造方法を得ることを
目的とする。
めになされたものであり、元素分析に不必要なＸ線の発
生を抑制することで、定量的な元素分析を可能にするＴ
ＥＭ評価試料作成方法およびその製造方法を得ることを
目的とする。
【００１４】
【課題を解決するための手段】本発明の請求項１に係る
課題解決手段は、透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ）によって
観察するためのＴＥＭ観察面を有するＴＥＭ評価試料で
あって、前記ＴＥＭ観察面は、前記ＴＥＭが照射する電
子ビームの入射側において、前記ＴＥＭ評価試料の表面
とのなす角が９０度より大きい傾斜角を備える。
課題解決手段は、透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ）によって
観察するためのＴＥＭ観察面を有するＴＥＭ評価試料で
あって、前記ＴＥＭ観察面は、前記ＴＥＭが照射する電
子ビームの入射側において、前記ＴＥＭ評価試料の表面
とのなす角が９０度より大きい傾斜角を備える。
【００１５】本発明の請求項２に係る課題解決手段にお
いて、前記ＴＥＭ評価試料は、前記電子ビームが前記Ｔ
ＥＭ観察面に入射することで生成される散乱電子が衝突
する前記ＴＥＭ評価試料の領域を前記ＴＥＭ評価試料の
表面から裏面にかけて切りとった形状を備える。
いて、前記ＴＥＭ評価試料は、前記電子ビームが前記Ｔ
ＥＭ観察面に入射することで生成される散乱電子が衝突
する前記ＴＥＭ評価試料の領域を前記ＴＥＭ評価試料の
表面から裏面にかけて切りとった形状を備える。
【００１６】本発明の請求項３に係る課題解決手段は、
透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ）によって観察するためのＴ
ＥＭ観察面を備えたＴＥＭ評価試料であって、電子ビー
ムが前記ＴＥＭ観察面に入射することで生成される散乱
電子が衝突する前記ＴＥＭ評価試料の表面を覆うための
カーボン膜を備える。
透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ）によって観察するためのＴ
ＥＭ観察面を備えたＴＥＭ評価試料であって、電子ビー
ムが前記ＴＥＭ観察面に入射することで生成される散乱
電子が衝突する前記ＴＥＭ評価試料の表面を覆うための
カーボン膜を備える。
【００１７】本発明の請求項４に係る課題解決手段は、
透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ）によって観察するためのＴ
ＥＭ観察面を備えたＴＥＭ評価試料を、集束イオンビー
ム（ＦＩＢ）装置及びダイサーを用いて作成するＴＥＭ
評価試料作成方法であって、前記ＴＥＭ評価試料を前記
ダイサーによって所定の形状に切り出す工程と、前記切
り出されたＴＥＭ評価試料を傾斜させる工程と、前記Ｔ
ＥＭ評価試料を傾斜させた状態で、前記ＦＩＢ装置を用
いて、前記ＴＥＭ観察面を形成する工程とを備える。
透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ）によって観察するためのＴ
ＥＭ観察面を備えたＴＥＭ評価試料を、集束イオンビー
ム（ＦＩＢ）装置及びダイサーを用いて作成するＴＥＭ
評価試料作成方法であって、前記ＴＥＭ評価試料を前記
ダイサーによって所定の形状に切り出す工程と、前記切
り出されたＴＥＭ評価試料を傾斜させる工程と、前記Ｔ
ＥＭ評価試料を傾斜させた状態で、前記ＦＩＢ装置を用
いて、前記ＴＥＭ観察面を形成する工程とを備える。
【００１８】本発明の請求項５に係る課題解決手段にお
いて、前記切り出されたＴＥＭ評価試料を傾斜させる工
程は、前記切り出されたＴＥＭ評価試料を前記ＦＩＢ装
置のステージに載置し、前記ステージを傾斜させて、前
記ＴＥＭ評価試料を傾斜させる。
いて、前記切り出されたＴＥＭ評価試料を傾斜させる工
程は、前記切り出されたＴＥＭ評価試料を前記ＦＩＢ装
置のステージに載置し、前記ステージを傾斜させて、前
記ＴＥＭ評価試料を傾斜させる。
【００１９】本発明の請求項６に係る課題解決手段は、
透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ）によって観察するためのＴ
ＥＭ観察面を備えたＴＥＭ評価試料を、集束イオンビー
ム（ＦＩＢ）装置及びダイサーを用いて作成するＴＥＭ
評価試料作成方法であって、前記ＴＥＭ評価試料を傾斜
させる工程と、前記ＴＥＭ評価試料を傾斜させた状態
で、前記ダイサーを用いて、ダイシングして、前記ＴＥ
Ｍ評価試料を所定の形状に切り出す工程と、前記切り出
されたＴＥＭ評価試料に対して、前記ＦＩＢ装置を用い
て前記ＴＥＭ観察面を形成する工程とを備える。
透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ）によって観察するためのＴ
ＥＭ観察面を備えたＴＥＭ評価試料を、集束イオンビー
ム（ＦＩＢ）装置及びダイサーを用いて作成するＴＥＭ
評価試料作成方法であって、前記ＴＥＭ評価試料を傾斜
させる工程と、前記ＴＥＭ評価試料を傾斜させた状態
で、前記ダイサーを用いて、ダイシングして、前記ＴＥ
Ｍ評価試料を所定の形状に切り出す工程と、前記切り出
されたＴＥＭ評価試料に対して、前記ＦＩＢ装置を用い
て前記ＴＥＭ観察面を形成する工程とを備える。
【００２０】本発明の請求項７に係る課題解決手段にお
いて、前記ＴＥＭ評価試料を傾斜させる工程は、前記Ｔ
ＥＭ評価試料を傾斜した状態で載置するための治具を準
備する工程と、前記治具上に前記ＴＥＭ評価試料を載置
することで、前記ＴＥＭ評価試料を傾斜させる工程とを
備える。
いて、前記ＴＥＭ評価試料を傾斜させる工程は、前記Ｔ
ＥＭ評価試料を傾斜した状態で載置するための治具を準
備する工程と、前記治具上に前記ＴＥＭ評価試料を載置
することで、前記ＴＥＭ評価試料を傾斜させる工程とを
備える。
【００２１】本発明の請求項８に係る課題解決手段は、
前記ダイサーを用いて、前記電子ビームが前記ＴＥＭ観
察面に入射することで生成される散乱電子が衝突する前
記ＴＥＭ評価試料の領域を前記ＴＥＭ評価試料の表面か
ら裏面にかけて切りとる工程をさらに備える。
前記ダイサーを用いて、前記電子ビームが前記ＴＥＭ観
察面に入射することで生成される散乱電子が衝突する前
記ＴＥＭ評価試料の領域を前記ＴＥＭ評価試料の表面か
ら裏面にかけて切りとる工程をさらに備える。
【００２２】本発明の請求項９に係る課題解決手段は、
透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ）によって観察するためのＴ
ＥＭ観察面を備えたＴＥＭ評価試料を、集束イオンビー
ム（ＦＩＢ）装置及びダイサーを用いて作成するＴＥＭ
評価試料作成方法であって、前記ＴＥＭ評価試料を前記
ダイサーによって所定の形状に切り出す工程と、前記Ｔ
ＥＭ評価試料の表面にカーボンを蒸着させることでカー
ボン膜を形成する工程と、前記切り出されたＴＥＭ評価
試料に対して、前記ＦＩＢ装置を用いて前記ＴＥＭ観察
面を形成する工程とを備える。
透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ）によって観察するためのＴ
ＥＭ観察面を備えたＴＥＭ評価試料を、集束イオンビー
ム（ＦＩＢ）装置及びダイサーを用いて作成するＴＥＭ
評価試料作成方法であって、前記ＴＥＭ評価試料を前記
ダイサーによって所定の形状に切り出す工程と、前記Ｔ
ＥＭ評価試料の表面にカーボンを蒸着させることでカー
ボン膜を形成する工程と、前記切り出されたＴＥＭ評価
試料に対して、前記ＦＩＢ装置を用いて前記ＴＥＭ観察
面を形成する工程とを備える。
【００２３】
【作用】本発明請求項１に係るＴＥＭ評価試料では、Ｔ
ＥＭ評価試料表面に対して傾斜を有するＴＥＭ観察面に
電子ビームが入射される際、その一部はＴＥＭ観察面を
通過するが、その他はＴＥＭ観察面で反射して散乱電子
が生成される。散乱電子はＴＥＭ観察面が傾斜を有する
ため、その反射する方向は、ＴＥＭ評価試料表面上方方
向へ反射されるという傾向があり、そのために、散乱電
子は、ＴＥＭ評価試料表面に衝突することが抑制され、
バックグラウンドの発生が抑制される。
ＥＭ評価試料表面に対して傾斜を有するＴＥＭ観察面に
電子ビームが入射される際、その一部はＴＥＭ観察面を
通過するが、その他はＴＥＭ観察面で反射して散乱電子
が生成される。散乱電子はＴＥＭ観察面が傾斜を有する
ため、その反射する方向は、ＴＥＭ評価試料表面上方方
向へ反射されるという傾向があり、そのために、散乱電
子は、ＴＥＭ評価試料表面に衝突することが抑制され、
バックグラウンドの発生が抑制される。
【００２４】本発明請求項２に係るＴＥＭ評価試料で
は、上方方向に反射された散乱電子のうちなおもＴＥＭ
評価試料に衝突する散乱電子がＴＥＭ評価試料に衝突し
ないため、バックグラウンドの発生が抑制される。
は、上方方向に反射された散乱電子のうちなおもＴＥＭ
評価試料に衝突する散乱電子がＴＥＭ評価試料に衝突し
ないため、バックグラウンドの発生が抑制される。
【００２５】本発明請求項３に係るＴＥＭ評価試料で
は、ＴＥＭによる元素分析が炭素の分析でない場合、Ｔ
ＥＭ観察面を通過した電子ビームと、電子ビームがＴＥ
Ｍ観察面で反射し、さらにカーボン膜で反射して生成さ
れたＸ線とが元素分析時に識別できる。
は、ＴＥＭによる元素分析が炭素の分析でない場合、Ｔ
ＥＭ観察面を通過した電子ビームと、電子ビームがＴＥ
Ｍ観察面で反射し、さらにカーボン膜で反射して生成さ
れたＸ線とが元素分析時に識別できる。
【００２６】本発明請求項４に係るＴＥＭ評価試料作成
方法では、通常のＴＥＭ評価試料作成方法に加え、ＦＩ
Ｂ装置を用いてＴＥＭ観察面を形成する際に、ＴＥＭ評
価試料を傾斜させることにより、その結果、通常のＴＥ
Ｍ評価試料作成方法に比べ、ＴＥＭ評価試料表面に対し
て傾斜を有するＴＥＭ観察面が形成できる。
方法では、通常のＴＥＭ評価試料作成方法に加え、ＦＩ
Ｂ装置を用いてＴＥＭ観察面を形成する際に、ＴＥＭ評
価試料を傾斜させることにより、その結果、通常のＴＥ
Ｍ評価試料作成方法に比べ、ＴＥＭ評価試料表面に対し
て傾斜を有するＴＥＭ観察面が形成できる。
【００２７】本発明請求項５に係るＴＥＭ評価試料作成
方法では、ＦＩＢ装置のステージを傾斜することによ
り、ＴＥＭ評価試料を傾斜させる。
方法では、ＦＩＢ装置のステージを傾斜することによ
り、ＴＥＭ評価試料を傾斜させる。
【００２８】本発明請求項６に係るＴＥＭ評価試料作成
方法では、通常のＴＥＭ評価試料作成方法に加え、ダイ
サーを用いてＴＥＭ評価試料を形成する際に、ＴＥＭ評
価試料を傾斜させることにより、その結果、通常のＴＥ
Ｍ評価試料作成方法と比べ、ＴＥＭ評価試料表面に対し
て傾斜を有するＴＥＭ観察面が形成できる。
方法では、通常のＴＥＭ評価試料作成方法に加え、ダイ
サーを用いてＴＥＭ評価試料を形成する際に、ＴＥＭ評
価試料を傾斜させることにより、その結果、通常のＴＥ
Ｍ評価試料作成方法と比べ、ＴＥＭ評価試料表面に対し
て傾斜を有するＴＥＭ観察面が形成できる。
【００２９】本発明請求項７に係るＴＥＭ評価試料作成
方法では、治具を準備して、その治具によって、ＴＥＭ
評価試料を傾斜させる。
方法では、治具を準備して、その治具によって、ＴＥＭ
評価試料を傾斜させる。
【００３０】本発明請求項８に係るＴＥＭ評価試料作成
方法では、散乱電子が衝突する領域を切りとることで、
散乱電子の衝突によって発生するＸ線の発生を抑制でき
るＴＥＭ評価試料が得られる。
方法では、散乱電子が衝突する領域を切りとることで、
散乱電子の衝突によって発生するＸ線の発生を抑制でき
るＴＥＭ評価試料が得られる。
【００３１】本発明請求項９に係るＴＥＭ評価試料作成
方法では、ＴＥＭ評価試料の表面にカーボン膜が形成さ
れ、その後、ＦＩＢ装置によって、ＴＥＭ観察面が形成
される。その結果得られるＴＥＭ評価試料は、ＴＥＭ観
察面以外の散乱電子が衝突する領域がカーボン膜で覆わ
れているＴＥＭ評価試料が得られる。
方法では、ＴＥＭ評価試料の表面にカーボン膜が形成さ
れ、その後、ＦＩＢ装置によって、ＴＥＭ観察面が形成
される。その結果得られるＴＥＭ評価試料は、ＴＥＭ観
察面以外の散乱電子が衝突する領域がカーボン膜で覆わ
れているＴＥＭ評価試料が得られる。
【００３２】
｛第１の実施例｝第１の実施例におけるＴＥＭ評価試料
及びその作成方法について説明する。図１及び図２に本
実施例におけるＴＥＭ評価試料の作成過程を示す。図２
中の１０はＴＥＭ評価試料を載置するステージ、その他
の図１及び図２の各符号は図９乃至図１２の各符号に対
応している。なお、図２はＴＥＭ評価試料４の断面図を
示している。
及びその作成方法について説明する。図１及び図２に本
実施例におけるＴＥＭ評価試料の作成過程を示す。図２
中の１０はＴＥＭ評価試料を載置するステージ、その他
の図１及び図２の各符号は図９乃至図１２の各符号に対
応している。なお、図２はＴＥＭ評価試料４の断面図を
示している。
【００３３】まず、図１０に示すＴＥＭ評価試料４を作
成するまでの過程は従来と同様である。次にそのＴＥＭ
評価試料４について、ダイサーを用いて、観察する観察
部位２の片側（ＴＥＭ評価試料を評価する際の通過電子
の出射側）のＴＥＭ評価試料４の表面を、ダイサー所定
の方向（水平方向Ｘ、垂直方向Ｙ）でダイシングして、
階段状に切り落とし、その反対側（ＴＥＭ評価試料を評
価する際の電子ビームの入射側）はその表面から裏面に
かけて垂直に切り落として、図１に示す形状のＴＥＭ評
価試料４及びその上に突出部５を形成する。次に従来と
同様にＦＩＢ装置を用いてＴＥＭ観察面６を形成する
が、その際、図２に示すようにＴＥＭ評価試料４を載置
しているステージを傾けて、ＴＥＭ評価試料４を傾斜さ
せた状態で、ＴＥＭ観察面６を形成する。そうすること
により、図２に示すような薄くかつ、ＴＥＭ評価試料４
表面に対して斜めに形成されたＴＥＭ観察面６が得られ
る。図３にその完成したＴＥＭ評価試料４の斜視図を示
す。図３中の各符号は図１２中の各符号に対応してい
る。
成するまでの過程は従来と同様である。次にそのＴＥＭ
評価試料４について、ダイサーを用いて、観察する観察
部位２の片側（ＴＥＭ評価試料を評価する際の通過電子
の出射側）のＴＥＭ評価試料４の表面を、ダイサー所定
の方向（水平方向Ｘ、垂直方向Ｙ）でダイシングして、
階段状に切り落とし、その反対側（ＴＥＭ評価試料を評
価する際の電子ビームの入射側）はその表面から裏面に
かけて垂直に切り落として、図１に示す形状のＴＥＭ評
価試料４及びその上に突出部５を形成する。次に従来と
同様にＦＩＢ装置を用いてＴＥＭ観察面６を形成する
が、その際、図２に示すようにＴＥＭ評価試料４を載置
しているステージを傾けて、ＴＥＭ評価試料４を傾斜さ
せた状態で、ＴＥＭ観察面６を形成する。そうすること
により、図２に示すような薄くかつ、ＴＥＭ評価試料４
表面に対して斜めに形成されたＴＥＭ観察面６が得られ
る。図３にその完成したＴＥＭ評価試料４の斜視図を示
す。図３中の各符号は図１２中の各符号に対応してい
る。
【００３４】次に、このＴＥＭ評価試料４を分析電子顕
微鏡によって分析している際のＴＥＭ観察面６付近の電
子ビームの入射状態を図４に示す。図４中の４ａは突出
部５をＦＩＢ装置によりその両側をエッチングしてＴＥ
Ｍ観察面６を形成すると共に形成される入射側領域、８
は散乱電子、βは立体角、その他の各符号は図１３中の
各符号に対応している。図４に示すように、電子ビーム
７の一部は、ＴＥＭ観察面６を通過して通過電子７ａと
なるが、その他は、ＴＥＭ観察面６表面で反射する。そ
の際、ＴＥＭ観察面６に傾斜をつけているため（傾斜角
γ＞９０度）、従来と比較して、散乱電子８はＴＥＭ評
価試料４上方よりに反射される傾向を有する。例えば、
図１３に示す形状では、入射された電子ビーム７は、立
体角αで反射して散乱電子８が発生するが、図４に示す
形状では、同じように入射された電子ビーム７は、立体
角β（β＞α）で反射して散乱電子８が発生する。従っ
て、従来の技術で説明したように、傾斜角γが９０度で
形成されていれば、散乱電子８ａが入射側領域４ａに衝
突するはずであったとしても、本実施例では、その衝突
を抑制することができる。このように、ＴＥＭ観察面６
を傾斜をつけて形成することにより、散乱電子８の衝突
が避けられる領域の立体角をかせぐことができ、バック
グラウンドの発生が抑制される。
微鏡によって分析している際のＴＥＭ観察面６付近の電
子ビームの入射状態を図４に示す。図４中の４ａは突出
部５をＦＩＢ装置によりその両側をエッチングしてＴＥ
Ｍ観察面６を形成すると共に形成される入射側領域、８
は散乱電子、βは立体角、その他の各符号は図１３中の
各符号に対応している。図４に示すように、電子ビーム
７の一部は、ＴＥＭ観察面６を通過して通過電子７ａと
なるが、その他は、ＴＥＭ観察面６表面で反射する。そ
の際、ＴＥＭ観察面６に傾斜をつけているため（傾斜角
γ＞９０度）、従来と比較して、散乱電子８はＴＥＭ評
価試料４上方よりに反射される傾向を有する。例えば、
図１３に示す形状では、入射された電子ビーム７は、立
体角αで反射して散乱電子８が発生するが、図４に示す
形状では、同じように入射された電子ビーム７は、立体
角β（β＞α）で反射して散乱電子８が発生する。従っ
て、従来の技術で説明したように、傾斜角γが９０度で
形成されていれば、散乱電子８ａが入射側領域４ａに衝
突するはずであったとしても、本実施例では、その衝突
を抑制することができる。このように、ＴＥＭ観察面６
を傾斜をつけて形成することにより、散乱電子８の衝突
が避けられる領域の立体角をかせぐことができ、バック
グラウンドの発生が抑制される。
【００３５】さらに、電子ビーム７の入射側のＴＥＭ評
価試料４をダイサーによって切りとり、立体角βが増加
してもなお、散乱電子８が衝突する領域をとり除いた形
状を有することにより、散乱電子８がさらに反射するこ
とがさらに大幅に低減され、バックグラウンドの発生が
抑制される。
価試料４をダイサーによって切りとり、立体角βが増加
してもなお、散乱電子８が衝突する領域をとり除いた形
状を有することにより、散乱電子８がさらに反射するこ
とがさらに大幅に低減され、バックグラウンドの発生が
抑制される。
【００３６】以上により散乱電子の衝突を抑制して、バ
ックグラウンドの低減が図れるため、分析電子顕微鏡に
よる定量分析が可能となる。
ックグラウンドの低減が図れるため、分析電子顕微鏡に
よる定量分析が可能となる。
【００３７】｛第２の実施例｝第２の実施例におけるＴ
ＥＭ評価試料及びその作成方法について説明する。図５
乃至図７に本実施例におけるＴＥＭ評価試料の作成過程
の断面図を示す。図５中の１１ａは段差形状を有する治
具である段差ダミーウエハ、図６中の１１ｂは傾斜形状
を有する治具である傾斜ダミーウエハ、図５乃至図７中
の４ｂはＴＥＭ評価試料であり、図５乃至図７中のその
他の各符号は図３中の各符号に対応している。
ＥＭ評価試料及びその作成方法について説明する。図５
乃至図７に本実施例におけるＴＥＭ評価試料の作成過程
の断面図を示す。図５中の１１ａは段差形状を有する治
具である段差ダミーウエハ、図６中の１１ｂは傾斜形状
を有する治具である傾斜ダミーウエハ、図５乃至図７中
の４ｂはＴＥＭ評価試料であり、図５乃至図７中のその
他の各符号は図３中の各符号に対応している。
【００３８】まず、従来で説明した図１０に示すＴＥＭ
評価試料４を作成するまでの過程は従来と同様である。
次に、段差ダミーウエハ１１ａ又は傾斜ダミーウエハ１
１ｂを、ダイサーによってＴＥＭ評価試料４をダイシン
グするための所定の場所に設置し、次に、図５に示すよ
うに段差ダミーウエハ１１ａ上、又は図６に示すように
傾斜ダミーウエハ１１ｂ上にＴＥＭ評価試料４をワック
ス等で貼り付けて固定し、ダイサー所定の切断方向（水
平方向Ｘ）に対して傾斜させる。そして、その状態で、
ダイサーを用いて、観察する観察部位２の片側（ＴＥＭ
評価試料を評価する際の通過電子の出射側）のＴＥＭ評
価試料４の表面をダイシングして、階段状に切り落と
し、その反対側（ＴＥＭ評価試料を評価する際の電子ビ
ームの入射側）はその表面から裏面にかけて垂直に切り
落として、図５又は図６に示す破線で示した所望の形状
のＴＥＭ評価試料４ｂを切り出す。次に、ＴＥＭ評価試
料４ｂを段差ダミーウエハ１１ａ或いは傾斜ダミーウエ
ハ１１ｂから外して、水平なステージに載置し、その
後、従来と同様にＦＩＢ装置を用いてＴＥＭ観察面６を
形成することで、ＴＥＭ評価試料４ｂ表面に対して傾斜
を有するＴＥＭ観察面６が形成される。
評価試料４を作成するまでの過程は従来と同様である。
次に、段差ダミーウエハ１１ａ又は傾斜ダミーウエハ１
１ｂを、ダイサーによってＴＥＭ評価試料４をダイシン
グするための所定の場所に設置し、次に、図５に示すよ
うに段差ダミーウエハ１１ａ上、又は図６に示すように
傾斜ダミーウエハ１１ｂ上にＴＥＭ評価試料４をワック
ス等で貼り付けて固定し、ダイサー所定の切断方向（水
平方向Ｘ）に対して傾斜させる。そして、その状態で、
ダイサーを用いて、観察する観察部位２の片側（ＴＥＭ
評価試料を評価する際の通過電子の出射側）のＴＥＭ評
価試料４の表面をダイシングして、階段状に切り落と
し、その反対側（ＴＥＭ評価試料を評価する際の電子ビ
ームの入射側）はその表面から裏面にかけて垂直に切り
落として、図５又は図６に示す破線で示した所望の形状
のＴＥＭ評価試料４ｂを切り出す。次に、ＴＥＭ評価試
料４ｂを段差ダミーウエハ１１ａ或いは傾斜ダミーウエ
ハ１１ｂから外して、水平なステージに載置し、その
後、従来と同様にＦＩＢ装置を用いてＴＥＭ観察面６を
形成することで、ＴＥＭ評価試料４ｂ表面に対して傾斜
を有するＴＥＭ観察面６が形成される。
【００３９】以上のように、段差ダミーウエハ１１ａ又
は傾斜ダミーウエハ１１ｂ等の簡単な治具上に配置して
ＴＥＭ評価試料４を傾斜させた状態で、ＴＥＭ評価試料
４ｂを切り出すことにより、第１の実施例のようにＦＩ
Ｂ装置のステージ１０を傾けることなく、容易に傾斜を
もったＴＥＭ観察面６を有するＴＥＭ評価試料４ｂが形
成される。
は傾斜ダミーウエハ１１ｂ等の簡単な治具上に配置して
ＴＥＭ評価試料４を傾斜させた状態で、ＴＥＭ評価試料
４ｂを切り出すことにより、第１の実施例のようにＦＩ
Ｂ装置のステージ１０を傾けることなく、容易に傾斜を
もったＴＥＭ観察面６を有するＴＥＭ評価試料４ｂが形
成される。
【００４０】｛第３の実施例｝次に第３の実施例におけ
るＴＥＭ評価試料及びその作成方法について説明する。
この実施例では、従来の技術、第１及び第２の実施例で
説明したＴＥＭ評価試料作成方法において、ＴＥＭ観察
面６を形成する前に、ＴＥＭ評価試料４にカーボンを蒸
着させてカーボン膜を形成する過程を追加する。即ち、
従来の技術では、図１１に示すＴＥＭ評価試料４、第１
の実施例では図１に示すＴＥＭ評価試料４、第２の実施
例では、図５又は図６に示すＴＥＭ評価試料４から切り
出して形成したＴＥＭ評価試料４ｂにカーボンを蒸着さ
せてカーボン膜を形成する。その後は、従来の技術、第
１、第２の実施例それぞれで説明した作成方法と同様に
ＴＥＭ評価試料４を形成すると、最終的に、ＴＥＭ観察
面６及びその近傍以外の表面にカーボン膜が形成された
ＴＥＭ評価試料が得られる。
るＴＥＭ評価試料及びその作成方法について説明する。
この実施例では、従来の技術、第１及び第２の実施例で
説明したＴＥＭ評価試料作成方法において、ＴＥＭ観察
面６を形成する前に、ＴＥＭ評価試料４にカーボンを蒸
着させてカーボン膜を形成する過程を追加する。即ち、
従来の技術では、図１１に示すＴＥＭ評価試料４、第１
の実施例では図１に示すＴＥＭ評価試料４、第２の実施
例では、図５又は図６に示すＴＥＭ評価試料４から切り
出して形成したＴＥＭ評価試料４ｂにカーボンを蒸着さ
せてカーボン膜を形成する。その後は、従来の技術、第
１、第２の実施例それぞれで説明した作成方法と同様に
ＴＥＭ評価試料４を形成すると、最終的に、ＴＥＭ観察
面６及びその近傍以外の表面にカーボン膜が形成された
ＴＥＭ評価試料が得られる。
【００４１】一例として、従来のＴＥＭ評価試料４の作
成方法に、カーボンを蒸着させてカーボン膜を形成する
過程を追加することによって最終的に得られたＴＥＭ評
価試料４のＴＥＭ観察面６近傍を図８に示す。図８に示
す１２はカーボン膜でありその他の符号は図１３に示す
符号に対応している。図８に示すように最終的に得られ
たＴＥＭ評価試料４の表面にはカーボン膜１２が形成さ
れ、ＴＥＭ観察面６にはカーボン膜１２が形成されな
い。なお、ＴＥＭ観察面６近傍のＴＥＭ評価試料４表面
においても、ＴＥＭ観察面６形成と共に除去されるた
め、カーボン膜１２が形成されていない。なお、第１及
び第２の実施例についても、同様にＴＥＭ観察面６以外
にカーボン膜が形成される。
成方法に、カーボンを蒸着させてカーボン膜を形成する
過程を追加することによって最終的に得られたＴＥＭ評
価試料４のＴＥＭ観察面６近傍を図８に示す。図８に示
す１２はカーボン膜でありその他の符号は図１３に示す
符号に対応している。図８に示すように最終的に得られ
たＴＥＭ評価試料４の表面にはカーボン膜１２が形成さ
れ、ＴＥＭ観察面６にはカーボン膜１２が形成されな
い。なお、ＴＥＭ観察面６近傍のＴＥＭ評価試料４表面
においても、ＴＥＭ観察面６形成と共に除去されるた
め、カーボン膜１２が形成されていない。なお、第１及
び第２の実施例についても、同様にＴＥＭ観察面６以外
にカーボン膜が形成される。
【００４２】従来の場合は、ＴＥＭ評価試料４表面の元
素とＴＥＭ観察面６の元素とが同じ種類の元素を有して
いる場合、Ｘ線９と通過電子７ａが混在すれば、ＴＥＭ
評価試料４表面の元素とＴＥＭ観察面６表面の元素とが
識別できないために定量分析が困難となる。しかし、本
実施例の場合は、炭素以外の元素を対象として元素分析
する場合、通過電子７ａに加えてＸ線９もＥＤが感知し
ても、元素分析時に識別できるため、実質的にバックグ
ラウンドを低減できることとなり、元素分析の定量分析
が可能となる。
素とＴＥＭ観察面６の元素とが同じ種類の元素を有して
いる場合、Ｘ線９と通過電子７ａが混在すれば、ＴＥＭ
評価試料４表面の元素とＴＥＭ観察面６表面の元素とが
識別できないために定量分析が困難となる。しかし、本
実施例の場合は、炭素以外の元素を対象として元素分析
する場合、通過電子７ａに加えてＸ線９もＥＤが感知し
ても、元素分析時に識別できるため、実質的にバックグ
ラウンドを低減できることとなり、元素分析の定量分析
が可能となる。
【００４３】｛変形例｝尚、図４は入射側領域４ａが形
成された場合を示し、図２及び図７にも同様に入射側領
域４ａが形成された場合を示しているが、入射側領域４
ａが形成されない場合でもよい。その形状は、例えばＴ
ＥＭ観察面６を形成する際のＦＩＢ装置によるエッチン
グの精度を高めて、入射側領域４ａが生じないようにす
ることで得られる。
成された場合を示し、図２及び図７にも同様に入射側領
域４ａが形成された場合を示しているが、入射側領域４
ａが形成されない場合でもよい。その形状は、例えばＴ
ＥＭ観察面６を形成する際のＦＩＢ装置によるエッチン
グの精度を高めて、入射側領域４ａが生じないようにす
ることで得られる。
【００４４】例えば図４を用いて説明すると、図４に示
すＴＥＭ観察面６が接続されている入射側領域４ａの一
端の位置から他端の位置へと移動した形状である。その
場合の傾斜角γも、従来の技術で説明したようにＴＥＭ
評価試料４表面（図４に示すＴＥＭ評価試料４の上面）
方向とＴＥＭ観察面６表面（電子ビーム７の入射側の
面）方向との電子ビーム７の入射側でなす角を示してい
る。従って、入射側領域４ａが存在する場合と同様、傾
斜角γは９０度以上の角度を有する。
すＴＥＭ観察面６が接続されている入射側領域４ａの一
端の位置から他端の位置へと移動した形状である。その
場合の傾斜角γも、従来の技術で説明したようにＴＥＭ
評価試料４表面（図４に示すＴＥＭ評価試料４の上面）
方向とＴＥＭ観察面６表面（電子ビーム７の入射側の
面）方向との電子ビーム７の入射側でなす角を示してい
る。従って、入射側領域４ａが存在する場合と同様、傾
斜角γは９０度以上の角度を有する。
【００４５】
【発明の効果】本発明の請求項１によると、ＴＥＭ観察
面が傾斜を有していることにより、バックグラウンドの
発生が抑制されるため、分析電子顕微鏡による定量分析
が可能となるという効果がある。
面が傾斜を有していることにより、バックグラウンドの
発生が抑制されるため、分析電子顕微鏡による定量分析
が可能となるという効果がある。
【００４６】本発明の請求項２によると、散乱電子が衝
突する部分を切りとった構造であることにより、さらに
バックグラウンドの発生が抑制されるため、分析電子顕
微鏡による定量分析が可能となるという効果がある。
突する部分を切りとった構造であることにより、さらに
バックグラウンドの発生が抑制されるため、分析電子顕
微鏡による定量分析が可能となるという効果がある。
【００４７】本発明の請求項３によると、炭素以外の元
素を目的とする元素分析の場合、カーボン膜で反射して
生成されたＸ線が元素分析時に識別できるため、分析電
子顕微鏡による定量分析が可能となるという効果があ
る。
素を目的とする元素分析の場合、カーボン膜で反射して
生成されたＸ線が元素分析時に識別できるため、分析電
子顕微鏡による定量分析が可能となるという効果があ
る。
【００４８】本発明の請求項４によると、ＦＩＢ装置を
用いてＴＥＭ観察面を形成する際に、ＴＥＭ評価試料を
傾斜させることにより、ＴＥＭ観察面傾斜しているＴＥ
Ｍ評価試料が容易に形成できるという効果がある。
用いてＴＥＭ観察面を形成する際に、ＴＥＭ評価試料を
傾斜させることにより、ＴＥＭ観察面傾斜しているＴＥ
Ｍ評価試料が容易に形成できるという効果がある。
【００４９】本発明の請求項５によると、ステージを傾
斜させることにより、容易にＴＥＭ評価試料を傾斜させ
ることができるという効果がある。
斜させることにより、容易にＴＥＭ評価試料を傾斜させ
ることができるという効果がある。
【００５０】本発明の請求項６によると、ダイサーを用
いてＴＥＭ評価試料を形成する際に、ＴＥＭ評価試料を
傾斜させることにより、ＴＥＭ観察面傾斜しているＴＥ
Ｍ評価試料が容易に形成できるという効果がある。
いてＴＥＭ評価試料を形成する際に、ＴＥＭ評価試料を
傾斜させることにより、ＴＥＭ観察面傾斜しているＴＥ
Ｍ評価試料が容易に形成できるという効果がある。
【００５１】本発明の請求項７によると、治具を用いる
ことにより、容易にＴＥＭ評価試料を傾斜させることが
できるという効果がある。
ことにより、容易にＴＥＭ評価試料を傾斜させることが
できるという効果がある。
【００５２】本発明の請求項８によると、上方方向に反
射された散乱電子のうちなおもＴＥＭ評価試料に衝突す
るはずの散乱電子がＴＥＭ評価試料に衝突しないため、
さらにバックグラウンドの発生が抑制されるＴＥＭ評価
試料が得られるという効果がある。
射された散乱電子のうちなおもＴＥＭ評価試料に衝突す
るはずの散乱電子がＴＥＭ評価試料に衝突しないため、
さらにバックグラウンドの発生が抑制されるＴＥＭ評価
試料が得られるという効果がある。
【００５３】本発明の請求項９によると、ＴＥＭ観察面
以外の散乱電子が衝突する領域をカーボン膜で覆われて
いるＴＥＭ評価試料が得られるという効果がある。
以外の散乱電子が衝突する領域をカーボン膜で覆われて
いるＴＥＭ評価試料が得られるという効果がある。
【図１】 第１の実施例におけるＴＥＭ評価試料の形成
工程図である。
工程図である。
【図２】 第１の実施例におけるＴＥＭ評価試料の形成
工程図である。
工程図である。
【図３】 第１の実施例におけるＴＥＭ評価試料の斜視
図である。
図である。
【図４】 第１の実施例におけるＴＥＭ評価試料のＴＥ
Ｍ観察面に対する電子ビームの入射状態を示す図であ
る。
Ｍ観察面に対する電子ビームの入射状態を示す図であ
る。
【図５】 第２の実施例におけるＴＥＭ評価試料の形成
工程図である。
工程図である。
【図６】 第２の実施例におけるＴＥＭ評価試料の形成
工程図である。
工程図である。
【図７】 第２の実施例におけるＴＥＭ評価試料の断面
図である。
図である。
【図８】 第３の実施例におけるＴＥＭ評価試料のＴＥ
Ｍ観察面近傍の拡大図である。
Ｍ観察面近傍の拡大図である。
【図９】 従来のＴＥＭ評価試料の形成工程図である。
【図１０】 従来のＴＥＭ評価試料の形成工程図であ
る。
る。
【図１１】 従来のＴＥＭ評価試料の形成工程図であ
る。
る。
【図１２】 従来のＴＥＭ評価試料の斜視図である。
【図１３】 従来のＴＥＭ評価試料のＴＥＭ観察面に対
する電子ビームの入射状態を示す図である。
する電子ビームの入射状態を示す図である。
２ 観察部位、３ マーク、４ ＴＥＭ評価試料、４ａ
入射側領域、４ｂＴＥＭ評価試料、５ 突出部、６
ＴＥＭ観察面、７ 電子ビーム、７ａ 通過電子、８，
８ａ 散乱電子、９ Ｘ線、１０ ステージ、１１ａ
段差ダミーウエハ、１１ｂ 傾斜ダミーウエハ、１２
カーボン膜。
入射側領域、４ｂＴＥＭ評価試料、５ 突出部、６
ＴＥＭ観察面、７ 電子ビーム、７ａ 通過電子、８，
８ａ 散乱電子、９ Ｘ線、１０ ステージ、１１ａ
段差ダミーウエハ、１１ｂ 傾斜ダミーウエハ、１２
カーボン膜。
Claims (9)
- 【請求項１】 透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ）によって観
察するためのＴＥＭ観察面を有するＴＥＭ評価試料であ
って、 前記ＴＥＭ観察面は、前記ＴＥＭが照射する電子ビーム
の入射側において、前記ＴＥＭ評価試料の表面とのなす
角が９０度より大きい傾斜角を備えたＴＥＭ評価試料。 - 【請求項２】 前記ＴＥＭ評価試料は、 前記電子ビームが前記ＴＥＭ観察面に入射することで生
成される散乱電子が衝突する前記ＴＥＭ評価試料の領域
を前記ＴＥＭ評価試料の表面から裏面にかけて切りとっ
た形状を備えた請求項１記載のＴＥＭ評価試料。 - 【請求項３】 透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ）によって観
察するためのＴＥＭ観察面を備えたＴＥＭ評価試料であ
って、 電子ビームが前記ＴＥＭ観察面に入射することで生成さ
れる散乱電子が衝突する前記ＴＥＭ評価試料の表面を覆
うためのカーボン膜を備えたＴＥＭ評価試料。 - 【請求項４】 透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ）によって観
察するためのＴＥＭ観察面を備えたＴＥＭ評価試料を、
集束イオンビーム（ＦＩＢ）装置及びダイサーを用いて
作成するＴＥＭ評価試料作成方法であって、 前記ＴＥＭ評価試料を前記ダイサーによって所定の形状
に切り出す工程と、 前記切り出されたＴＥＭ評価試料を傾斜させる工程と、 前記ＴＥＭ評価試料を傾斜させた状態で、前記ＦＩＢ装
置を用いて、前記ＴＥＭ観察面を形成する工程と、を備
えたＴＥＭ評価試料の作成方法。 - 【請求項５】 前記切り出されたＴＥＭ評価試料を傾斜
させる工程は、 前記切り出されたＴＥＭ評価試料を前記ＦＩＢ装置のス
テージに載置し、前記ステージを傾斜させて、前記ＴＥ
Ｍ評価試料を傾斜させる請求項４記載のＴＥＭ評価試料
の作成方法。 - 【請求項６】 透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ）によって観
察するためのＴＥＭ観察面を備えたＴＥＭ評価試料を、
集束イオンビーム（ＦＩＢ）装置及びダイサーを用いて
作成するＴＥＭ評価試料作成方法であって、 前記ＴＥＭ評価試料を傾斜させる工程と、 前記ＴＥＭ評価試料を傾斜させた状態で、前記ダイサー
を用いて、ダイシングして、前記ＴＥＭ評価試料を所定
の形状に切り出す工程と、 前記切り出されたＴＥＭ評価試料に対して、前記ＦＩＢ
装置を用いて前記ＴＥＭ観察面を形成する工程と、を備
えたＴＥＭ評価試料の作成方法。 - 【請求項７】 前記ＴＥＭ評価試料を傾斜させる工程
は、 前記ＴＥＭ評価試料を傾斜した状態で載置するための治
具を準備する工程と、 前記治具上に前記ＴＥＭ評価試料を載置することで、前
記ＴＥＭ評価試料を傾斜させる工程と、を備えた請求項
６記載のＴＥＭ評価試料の作成方法。 - 【請求項８】 前記ダイサーを用いて、前記電子ビーム
が前記ＴＥＭ観察面に入射することで生成される散乱電
子が衝突する前記ＴＥＭ評価試料の領域を前記ＴＥＭ評
価試料の表面から裏面にかけて切りとる工程をさらに備
えた請求項４又は６記載のＴＥＭ評価試料の作成方法。 - 【請求項９】 透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ）によって観
察するためのＴＥＭ観察面を備えたＴＥＭ評価試料を、
集束イオンビーム（ＦＩＢ）装置及びダイサーを用いて
作成するＴＥＭ評価試料作成方法であって、 前記ＴＥＭ評価試料を前記ダイサーによって所定の形状
に切り出す工程と、 前記ＴＥＭ評価試料の表面にカーボンを蒸着させること
でカーボン膜を形成する工程と、 前記切り出されたＴＥＭ評価試料に対して、前記ＦＩＢ
装置を用いて前記ＴＥＭ観察面を形成する工程と、を備
えたＴＥＭ評価試料の作成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6407095A JPH08261894A (ja) | 1995-03-23 | 1995-03-23 | Ｔｅｍ評価試料及びその作成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6407095A JPH08261894A (ja) | 1995-03-23 | 1995-03-23 | Ｔｅｍ評価試料及びその作成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08261894A true JPH08261894A (ja) | 1996-10-11 |
Family
ID=13247474
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6407095A Pending JPH08261894A (ja) | 1995-03-23 | 1995-03-23 | Ｔｅｍ評価試料及びその作成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08261894A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6627889B2 (en) | 2001-11-13 | 2003-09-30 | Hitachi, Ltd. | Apparatus and method for observing sample using electron beam |
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| JP2007155524A (ja) * | 2005-12-06 | 2007-06-21 | Oki Electric Ind Co Ltd | 透過型電子顕微鏡用の試料の作製方法、観察方法及び構造 |
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- 1995-03-23 JP JP6407095A patent/JPH08261894A/ja active Pending
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