KR20040037958A - 커팅 각도 조절 장치 및 이를 이용한 투과 전자현미경분석용 시편 제조방법 - Google Patents

커팅 각도 조절 장치 및 이를 이용한 투과 전자현미경분석용 시편 제조방법 Download PDF

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    • G01N2001/288—Filter punches

Abstract

투과 전자 현미경 분석용 시편을 형성하기 위한 기판의 커팅 각도 조절 장치가 개시되어 있다. 각도 조절부를 지지하는 플레이트가 구비되어 있다. 그리고, 상기 각도 조절부는 분석하고자 하는 패턴을 포함하는 기판의 소정영역을 펀칭 방식으로 절단하기 위한 커팅 장치의 커팅부가 삽입되는 제1홈을 갖고, 상기 커팅부의 외측 라인과 상기 패턴의 라인이 수직 또는 수평하게 위치되도록 상기 커팅부를 소정의 각도로 회전시키기 역할을 한다. 이와 같은 구성을 갖는 장치는 반도체 기판의 소정 영역을 TEM 분석이 가능하도록 연마함으로서 TEM 분석용 시편에서 보다 정확한 셀 구조의 패턴 정보를 제공받을 수 있다.

Description

커팅 각도 조절 장치 및 이를 이용한 투과 전자현미경 분석용 시편 제조방법{apparatus for controlling of cutting angle and method for manufacturing Transmission Electron Microscope of Specimen}
본 발명은 투과 전자현미경 분석용 시편의 제조 방법에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 TEM 분석용 시편의 제조에 사용되는 장치 및 이를 이용한 TEM 분석용 시편 제조방법에 관한 것이다.
일반적으로, 반도체 장치는 반도체 기판 상에 전기적 특성을 갖는 패턴을 형성하기 위한 막 형성, 식각, 확산, 금속 배선 등의 단위 공정을 반복적으로 수행함으로서 제조된다. 최근, 반도체 장치 및 소자재료는 고기능, 대용량 구현을 위해 급속히 고집적화, 미세화 되어가고 있으며 이에 따라 보다 미세한 영역의 구조적, 화학적 분석을 할수 있는 분석장비와 기술의 중요성이 증대되어지고 있다. 여러 가지 방법중에서 특히 투과전자 현미경(Transmission Electron Microscopy : TEM)을 이용한 분석기술은 분해기능이나 응용 면에 있어서 가장 우수한 기술중의 하나로 큰 관심을 받고 있다.
상기와 같은 투과전자 현미경을 이용한 분석 기술이 많은 정보를 제공하고 있으나, 원하는 목적에 맞는 분석 결과를 얻기 위해서는 최적의 시편이 준비되어야 하며, 시편의 제조 및 분석 결과의 성패가 좌우된다. 따라서, TEM 분석용 시편의 제조 방법이 보다 강조되고 있다.
현재 반도체 기판(Silicon Wafer) 상에 존재하는 특정 막의 결함 여부를 투과전자 현미경을 이용하여 분석하기 위한 평면의 TEM 분석용 시편 제조방법은 이온밀링법(ion milling method)과, 포커싱 이온빔(Focusing ion beam; FIB)법 등이 일반화되어 있다.
상기 이온밀링법은 특정영역에 해당하지 않는 단면을 관찰할 수 있는 평면시편을 제작하는 경우에 주로 사용되고, 이에 반하여 포커싱이온빔을 이용한 방법은 특정영역의 단면을 관찰하고자 하는 경우에 주로 사용된다. 상기 방법 중에서 이온밀링법은 시편내의 패턴의 형상을 넓게 관찰할 수 있는 와이드 타입의 TEM분석용 시편의 제조가 가능하고, FIB를 사용하는 방법은 분석용 시편 내의 분석 포인트를 전자상으로 관찰하면서 분석 포인트의 주변부에서 분석포인트에 근접하면서 식각하기 때문에 상기 분석용 시편의 두께를 보다 용이하게 조절할 수 있는 장점이 있다.
상기 FIB를 사용하여 TEM 분석용 시편을 제작하는 방법의 일 예로서, 미합중국 특허 제6,194,720호(issued Li et al)에는 FIB를 사용하여 전자를 투과할 수 있는 TEM 분석용 시편 제작방법이 개시되고 있고, 미합중국 특허 제6,080,991호(issued Tsai)에는 FIB를 사용하여 분석하고자 하는 영역을 얇은 박막을 형성하는 TEM 분석용 시편 제작방법이 개시되고 있다.
도 1은 종래의 TEM 분석용 평면 시편의 제조과정을 나타내는 공정 순서도이다.
도 1을 참조하면, 반도체 기판의 불량 위치인 분석포인트를 식별하기 위해 상기 분석포인트를 전자상으로 관찰하여 분석 마크를 형성한다.(S10) 상기 반도체 기판 상에 표시된 분석 마크가 정 중앙에 위치하도록 반도체 기판을 4 ×5mm의 크기로 커팅기를 이용하여 커팅함으로서 제1시편을 형성한다.(S20) 이어서, 상기 제1시편의 후면 및 양측면을 그라인딩(Grinding)하여 소정의 두께를 갖는 제2시편을 형성한다.(S30) 상기 제2시편을 그리드(Grid)에 부착한 후 분석 포인트를 보호하기 위해 제2시편의 분석 포인트 영역 상에 보호막을 증착하여 제3시편을 형성한다.(S40) 그리고, 제3시편의 양쪽 면을 FIB의 전류밀도를 조정하여 순차적으로 식각(milling)함으로서 평면의 TEM 분석용 시편을 형성하였다.(S50)
그러나 상기와 같은 방법을 적용하여 형성될 수 있는 TEM 분석용 시편은 반도체 기판에 형성된 스크라이브 라인과 수평 또는 수직한 패턴이 형성된 일반적인 디램의 셀 경우에만 적용될 수 있다.
즉 반도체 기판의 스크라이브 라인과 소정의 각도로 틸트되어 있는 패턴이 형성된 대각선(Diagonal) 셀 구조를 갖는 디램의 경우에는 정확한 분석포인트를 포함하는 TEM 분석용 시편을 형성하기가 어렵다. 이는 상기 대각선 셀 구조의 패턴과 수평 및 수직하게 반도체 기판을 커팅해야 하는데 기존의 TEM 분석용 시편 제조에 사용되는 커팅기는 작업자가 임의대로 각도 조절을 하여 반도체 기판의 소정영역을 커팅하기 때문에 품질이 떨어지는 시편이 형성된다.
따라서, 상기와 같이 작업자의 눈짐작으로 커팅기의 각도를 조정하여 반도체 기판의 소정영역을 커팅함으로서 이후에 정확한 분석포인트를 포함하는 TEM 분석용 시편을 형성하기가 어려울 뿐만 아니라 분석하고자 하는 패턴의 정보를 알아낼 수 없는 문제점이 발생한다.
따라서, 상기와 같은 문제점을 해결하기 위한 본 발명의 제1목적은대각선(Diagonal) 셀 구조의 패턴을 포함하는 반도체 기판에서 상기 대각선 셀 구조의 패턴과 수평 또는 수직한 외측 라인을 갖는 시편을 형성하는데 적용되는 커팅 각도 조절 장치를 제공하는데 있다.
본 발명의 제2목적은 대각선(Diagonal) 셀 구조의 패턴을 포함하는 반도체 기판에서 TEM분석용 시편을 형성할 때 상기 커팅 각도 조절 장치를 이용하여 상기 대각선 셀 구조의 패턴과 수평 또는 수직한 외측 라인을 갖는 시편을 형성하는 방법을 제공하는데 있다.
도 1은 종래의 TEM 분석용 시편의 제조과정을 나타내는 공정도이다.
도 2는 본 발명의 제1실시예에 따른 TEM 분석용 시편을 형성하기 위해 적용되는 커팅 각도 조절 장치를 나타나내는 구성도이다.
도 3은 도 2의 커팅 각도 조절 장치의 배면도이다.
도 4는 본 발명의 제2실시예에 따른 TEM 분석용 시편을 형성하기 위해 적용되는 커팅 각도 조절 장치를 나타나내는 구성도이다.
도 5는 도 4의 커팅 각도 조절 장치의 배면도이다.
도 6은 도 2에 도시된 커팅 각도 조절 장치를 이용하여 TEM 분석용 시편을 형성하는 방법을 나타내는 공정 순서도이다.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명 *
100 : 플레이트 110 : 연결 나사
115 : 고정 나사120 : 각도 눈금
150 : 각도 조절부160 : 제1홈
200 : 커팅 각도 조절 장치
상술한 본 발명의 제1목적을 달성하기 위하여, 본 발명은 플레이트와 상기 플레이트 상에 구비되고, 분석하고자 하는 패턴을 포함하는 기판의 소정영역을 펀칭 방식으로 절단하기 위한 커팅 장치의 커팅부가 삽입되는 제1홈을 갖고, 상기 커팅부의 외측 라인과 상기 패턴의 라인이 수직 또는 수평하게 위치되도록 상기 커팅부를 소정의 각도로 회전시키기 위한 각도 조절부를 포함하는 커팅 각도 조절 장치를 제공하는데 있다.
또한, 상술한 본 발명의 제2의 목적을 달성하기 위하여 본 발명은 대각선 셀 구조의 패턴을 포함하는 기판의 스크라이브 라인에 대해 분석하고자 하는 패턴의 라인과 틸트(tilt)된 각도만큼 커팅 각도 조절 장치의 각도 조절부를 회전시킨다. 상기 각도 조절부의 상면에 형성된 제1홈에 기판의 소정 영역을 펀칭 방식으로 절단하는 커팅 장치의 커팅부을 삽입시킨다. 상기 패턴에 인접한 스크라이브 라인과 상기 커팅 각도 조절 장치의 플레이트가 상기 기판 상에서 서로 일치되도록 위치시킴으로서 상기 기판 상에 상기 커팅부의 커팅 좌표를 설정한다. 상기 커팅부로부터 상기 커팅 각도 조절 장치를 제거한다. 그리고, 상기 커팅 장치를 이용하여 상기 패턴의 라인과 수직 및 수평인 외주면을 갖는 예비 시편을 형성함으로서 TEM 분석용 시편 형성 방법을 제공 하는데 있다.
본 발명에 의하면, 상기와 같은 커팅 각도 조절 장치는 대각선(Diagonal) 셀 구조의 패턴을 포함하는 반도체 기판에서 TEM 분석용 시편을 형성할 때 상기 대각선 셀 구조의 패턴과 수평 또는 수직한 외측 라인을 갖는 예비 시편을 형성할 수 있을 뿐만 아니라 상기 예비 시편을 TEM 분석이 가능하도록 연마되어 형성된 분석용 시편에서 보다 정확한 셀 구조의 패턴 정보를 제공할 수 있다.
이하, 본 발명의 바람직한 일 실시예를 첨부한 도면에 따라서 더욱 상세히 설명하기로 한다.
도 2는 본 발명의 제1실시예에 따른 TEM 분석용 시편을 형성하기 위해 적용되는 커팅 각도 조절 장치를 나타나내는 구성도이고, 도 3은 도 2의 커팅 각도 조절 장치의 배면도이다.
도 2 내지 도 3을 참조하면, 본 발명의 커팅 각도 조절 장치(200)는 크게 플레이트(100)와 상기 플레이트의 상면에 위치한 각도 조절부(150)로 이루어져 있다.
상기 플레이트(100)는 직사각형의 형상을 갖고, 상기 각도 조절부(150)를 지지하는 역할을 하고, 상기 각도 조절부(150)와 반도체 기판의 스크라이브 라인(도시하지 않음)과의 위치 관계를 나타낼 수 있는 기준 플레이트의 역할을 한다. 그리고, 상기 플레이트(100)의 후면에는 상기 각도 조절부(150)가 얼마만큼의 각도로틸트되어야 상기 반도체 기판에 형성된 대각선 구조의 셀 패턴과 수직 또는 수평이 이루어지는 가를 알려주는 각도 눈금(120)이 형성되어 있다. 상기 플레이트(100)의 후면에는 상기 각도 조절부를 플레이트의 상면에 결합시키기 위한 결합 나사가 위치해 있다. 상기 플레이트(100)는 상기 플레이트의 후면에 형성된 각도 눈금(120)을 플레이트 상면에서 보다 용이하게 관찰할 수 있도록 광 투과성 재질로 이루어져 있다.
상기 각도 조절부(150)는 제1홈(160)이 형성된 사각 기둥형상을 갖고, 플레이트(100) 상면 중앙에 위치하여 상기 플레이트(100)의 후면에 위치한 결합 나사(110)로 결합된다. 상기 각도 조절부(150)는 결합 나사(110)와의 결합에 의해 회전 운동이 가능하고, 상기 사각 기둥형상을 갖는 각도 조절부(150)의 상면에 형성된 제1홈(160)은 반도체 기판으로부터 예비 시편을 형성하는데 적용되는 울트라 메가소닉 커팅 장치의 커팅부(도시하지 않음)와 대응되는 형상을 갖는다. 상기 커팅 장치는 패턴이 형성된 반도체 기판의 소정영역을 펀칭 방법으로 하여 예비 시편을 형성한다.
보다 구체적인 상기 각도 조절부(150)의 역할은 TEM 분석용 시편의 형성에 사용되는 4 ×5mm의 크기를 갖는 예비 시편을 형성할 때 상기 반도체 기판을 커팅하는 메가소닉 커팅 장치의 커팅부 중앙에 대각선 구조의 셀 패턴이 위치됨과 동시에 상기 커팅부의 외각 라인이 대각선 구조의 셀 패턴과 수직 또는 수평이 되도록 상기 메가소닉 커팅 장치의 커팅부 위치 및 커팅 각도를 보다 정확하게 설정할 수 있도록 한다.
도 4는 본 발명의 제2실시예에 따른 TEM 분석용 시편을 형성하기 위해 적용되는 커팅 각도 조절 장치를 나타내는 구성도이고, 도 5는 도 4의 커팅 각도 조절 장치의 배면도이다.
도 4 내지 도 5를 참조하면, 본 발명의 커팅 각도 조절 장치(200)는 크게 플레이트(100)와 상기 플레이트의 상면에 위치한 각도 조절부(150)로 이루어져 있다.
상기 플레이트(100)는 직사각형의 형상을 갖고, 상기 각도 조절부(150)를 지지하는 역할을 한다. 그리고 상기 각도 조절부(150)와 반도체 기판의 스크라이브 라인(도시하지 않음)과의 위치 관계를 나타낼 수 있는 기준 플레이트의 역할을 한다. 상기 플레이트(100)의 상면에는 상기 각도 조절부(150)가 얼마만큼의 각도로 틸트되어야 상기 반도체 기판에 형성된 대각선 구조의 셀 패턴과 수직 또는 수평이 이루어지는 가를 알 수 있는 각도 눈금(120)이 형성되어 있다.
또한, 상기 플레이트(100)의 후면에는 상기 각도 조절부(150)를 플레이트(100)의 상면에 결합시키기 위한 결합 나사(110)와 상기 각도 조절부(150)의 외측 라인이 상기 대각선 구조의 셀 패턴과 수직 또는 수평이 이루어지도록 소정의 움직임이 이루어진 후 상기 각도 조절부(150)를 고정시키기 위한 고정 나사(115)가 더 구비되어 있다.
상기 각도 조절부(150)는 제1홈(160)이 형성된 사각 기둥형상을 갖고, 플레이트(100) 상면 중앙에 위치하여 상기 플레이트(100)의 후면에 위치한 결합 나사(110)에 의해 회전 운동이 가능하고, 상기 사각 기둥형상을 갖는 각도 조절부(150)의 상면에 형성된 제1홈(160)은 반도체 기판의 소정 영역을 커팅하는데적용되는 울트라 메가소닉 커팅 장치의 커팅부(도시하지 않음)와 대응되는 형상을 갖는다. 여기서, 제1실시예와 동일한 각도 조절부(150)의 기능에 대한 설명은 중복 기재를 피하기 위해 생략한다.
도 6은 도 2에 도시된 커팅 각도 조절 장치를 이용하여 TEM 분석용 시편을 형성하는 방법을 나타내는 공정 순서도이다.
도 6에 도시된 바와 같이, 먼저 반도체 기판들 상에 형성된 다수의 막 중에서 특정 막의 결함 여부를 판단하는 분석작업을 진행하기 위해 결함이 존재하는 특정 패턴을 포함하는 반도체 기판(W)을 선택한다.(S110)
상기 반도체 기판(W) 상에서 관찰하고자 하는 특정 패턴을 전자 현미경으로 관찰하여 그 위치를 파악한 후 상기 특정 패턴을 중심으로 방사상의 마커를 형성한다.(S120) 여기서, 상기 마커는 특정 패턴을 포함하는 시편을 그라인딩 및 FIB 식각 공정을 수행할 때 상기 특정 패턴의 분석 포인트를 포함되지 않는 TEM 분석용 시편이 형성되는 것을 방지하기 위해 형성되고, 상기 특정 패턴은 대각선 셀 구조에 형성되어 있는 패턴으로서 상기 반도체 기판의 스크라이브 라인과 약 25°로 틸트 되어 형성되어 있다.
이어서, 상기 반도체 기판의 스크라이브 라인에 대한 특정 패턴의 틸트 각도를 측정한 후, 대각선 셀 구조를 포함하는 반도체 기판의 스크라이브 라인에 대해 분석하고자 하는 특정 패턴의 틸트된 각도만큼 커팅 각도 조절 장치의 플레이트에 상에 구비되어 있는 각도 조절부를 상기 플레이트에 형성된 각도 눈금을 보고 약 25°로 틸트시킨다.(S130, S140) 여기서, 플레이트 상에서 약 25°틸트된 각도 조절부는 상기 반도체 기판 상에서 상기 특정 패턴과 수직 또는 수평적으로 위치된다.
이어서, 상기 각도 조절부를 상기 플레이트 상에 고정시킨 후, 상기 각도 조절부의 상면에 형성된 제1홈에 상기 반도체 기판을 커팅하는데 사용되는 울트라 메가 소닉 커팅 장치의 커팅부을 삽입시킨다.(S150) 상기 제1홈은 상기 커팅부의 형상과 대응되는 형상을 갖고 있다.
이어서, 상기 각도 조절부의 제1홈에 커팅 장치의 커팅부를 삽입시킨 체로 상기 커팅 각도 조절 장치를 대각선 셀 구조의 특정 패턴이 형성된 반도체 기판상으로 이송시켜 상기 반도체 기판 상에 특정 패턴과 수직 또는 수평한 외측 라인을 갖는 예비 시편을 형성할 수 있도록 상기 커팅 장치의 커팅부를 특정 좌표의 위치 상에 위치시킨다.(S160) 여기서, 커팅 각도 조절 장치의 플레이트는 특정 패턴과 가장 인접한 반도체 기판의 스크라이브 라인과 평행하고, 반도체 기판의 스크라이브 라인에 정확히 일치되도록 위치함으로서 상기 반도체 기판 상에서 커팅 장치의 커팅부의 위치를 보다 정확하게 설정할 수 있다.
이어서, 상기 대각선 셀 구조의 패턴이 형성된 반도체 기판을 4 ×5mm로 커팅할 수 있는 특정 좌표 상에 위치한 울트라 메가 소닉 커팅 장치를 상기 특정 좌표를 유지하면서 상기 반도체 기판의 상면과 대응되는 방향으로 상승시켜 커팅 장치로부터 각도 조절 장치를 제거시킨다.(S170)
이어서, 상기 특정 좌표에 위치한 울트라 메가 소닉 커팅 장치를 이용하여 반도체 기판의 특정 패턴이 형성된 소정 영역을 절단하기 위해 상기 특정 좌표를유지하면서 반도체 기판 상으로 하강시킨다. 따라서, 반도체 기판으로부터 분리되고, 상기 대각선 셀 구조의 패턴과 수직 또는 수평인 외주면을 갖는 제1예비 시편을 형성한다.(S180)
이어서, 상기 제1예비 시편의 후면 및 양 측면을 그라인더(Tri-pod Grinder)를 이용하여 제1연마한 후 상기 제1예비시편의 상면에 보호막을 증착한다.(S190,S200) 여기서 상기 보호막은 FIB 이용하여 TEM 분석용 시편의 특정 패턴을 관찰하거나 제1시편의 일부분을 마이크로식각(micro milling)할 경우, 상기 FIB에 의해 TEM 분석용 시편 표면에 발생할 수 있는 데미지(damage)를 최소화 해주는 역할을 한다.
이어서, 보호막이 형성된 특정 패턴의 양측 주변부에서 상기 특정 패턴의 중심부방향으로 분석 방향과 수직되게 FIB로 식각하여 TEM 분석용 시편을 형성한다.(S210) 상기 FIB의 식각은 전류밀도를 2700 내지 70pa(pico ampere)범위 내에서 순차적으로 조정하면서 상기 반도체 기판의 소정 부위를 식각하여 상기 예비 시편을 600 내지 1000Å의 얇은 두께를 갖도록 형성할 수 있다. 즉, FIB의 전류 밀도를 크게하여 특정 패턴의 주변부를 거친 식각(coarse milling) 하고, 상기 거친 식각된 주변부에서 특정패턴 근접되게 식각 될수록 순차적으로 전류 밀도를 감소시키면서 미세 식각(fine milling)을 실시함으로서 최종의 두께가 약 700 내지 1000Å 두께를 갖는 TEM 분석용 시편이 형성된다.
상술한 바와 같이 본 발명에 의하면, 상기와 같은 커팅 각도 조절 장치는 대각선(Diagonal) 셀 구조를 포함하는 반도체 기판에서 TEM 분석용 시편을 형성할 때 상기 대각선 셀 구조의 패턴과 수평 또는 수직한 외측면을 갖는 예비 시편을 형성할 수 있다. 상기와 같은 장치로 인해 형성된 예비시편은 분석하고자 하는 특정 패턴을 모두 포함하고 있다. 따라서, 상기 예비시편을 TEM 분석이 가능하도록 연마하여 형성된 분석용 시편는 보다 정확한 셀 구조의 패턴 정보를 제공할 수 있다.
상기에서는 본 발명의 바람직한 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 당업자는 하기의 특허 청구의 범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.

Claims (8)

  1. 플레이트; 및
    상기 플레이트 상에 구비되고, 분석하고자 하는 패턴을 포함하는 기판의 소정영역을 펀칭 방식으로 절단하기 위한 커팅 장치의 커팅부가 삽입되는 제1홈을 갖고, 상기 커팅부의 외측 라인과 상기 패턴의 라인이 수직 또는 수평하게 위치되도록 상기 커팅부를 소정의 각도로 회전시키기 위한 각도 조절부를 포함하는 커팅 각도 조절 장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 패턴은 대각선(Diagonal) 셀 구조에 포함되고, 상기 기판의 스크라이브 라인과 소정의 각도로 틸트 되어 있는 것을 특징으로 하는 커팅 각도 조절 장치.
  3. 제1항에 있어서, 상기 플레이트에는 상기 각도 조절부가 플레이트 상에서 얼마만큼의 각도로 회전하였는가의 척도를 제공하는 각도 눈금이 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 커팅 각도 조절 장치.
  4. 제1항에 있어서, 상기 각도 조절부는 사각 기둥형상을 갖고, 상기 플레이트의 상면 중앙에 위치하고, 상기 플레이트와 나사 결합되어 있는 것을 특징으로 하는 커팅 각도 조절 장치.
  5. 제1항에 있어서, 상기 플레이트는 상기 커팅부의 외측 라인을 상기 패턴의 라인과 수평 또는 수직하게 위치시키는 각도 조절부를 상기 플레이트 상에 고정시키기 위한 고정 나사를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 커팅 각도 조절 장치.
  6. 제1항에 있어서, 상기 장치는 TEM 분석용 시편을 형성하는데 적용되는 장치인 것을 특징으로 하는 커팅 각도 조절 장치.
  7. (a) 대각선 셀 구조의 패턴을 포함하는 기판의 스크라이브 라인에 대해 분석하고자 하는 패턴의 라인과 틸트(tilt)된 각도만큼 커팅 각도 조절 장치의 각도 조절부를 회전시키는 단계;
    (b) 상기 각도 조절부의 상면에 형성된 제1홈에 기판의 소정 영역을 펀칭 방식으로 절단하는 커팅 장치의 커팅부을 삽입시키는 단계;
    (c) 상기 패턴에 인접한 스크라이브 라인과 상기 커팅 각도 조절 장치의 플레이트가 상기 기판 상에서 서로 일치되도록 위치시킴으로서 상기 기판 상에 상기 커팅부의 커팅 좌표를 설정하는 단계;
    (d) 상기 커팅부로부터 상기 커팅 각도 조절 장치를 제거하는 단계; 및
    (e) 상기 커팅 장치를 이용하여 상기 패턴의 라인과 수직 및 수평인 외주면을 갖는 예비 시편을 형성하는 단계를 포함하는 TEM 분석용 시편 형성 방법.
  8. 제7항에 있어서, (a) 단계 이전에 상기 기판의 스크라이브 라인에 대해 분석하고자 하는 패턴 라인의 틸트(tilt)각도를 측정하는 단계를 수행하는 것을 특징으로 TEM 분석용 시편 제조 방법.
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100666918B1 (ko) * 2005-12-29 2007-01-10 삼성전자주식회사 기판 보호 부재 및 이를 이용한 분석 시편 형성 방법
CN102778372A (zh) * 2012-07-10 2012-11-14 天威新能源控股有限公司 用于交联度检测中将样品条剥离成eva条与背板条的装置
CN103760049A (zh) * 2014-01-14 2014-04-30 上海飞机制造有限公司 一种切削试验用的试样结构及切削试验方法

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH08261898A (ja) * 1995-03-17 1996-10-11 Nec Corp 透過電子顕微鏡用試料及びその作製方法
JPH08261894A (ja) * 1995-03-23 1996-10-11 Mitsubishi Electric Corp Ｔｅｍ評価試料及びその作成方法
KR200260125Y1 (ko) * 2001-10-06 2002-01-10 아이앤아이스틸 주식회사 시편 절단용 지그
JP2002062226A (ja) * 2000-08-18 2002-02-28 Jeol Ltd Ｆｉｂ試料作製装置

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH08261898A (ja) * 1995-03-17 1996-10-11 Nec Corp 透過電子顕微鏡用試料及びその作製方法
JPH08261894A (ja) * 1995-03-23 1996-10-11 Mitsubishi Electric Corp Ｔｅｍ評価試料及びその作成方法
JP2002062226A (ja) * 2000-08-18 2002-02-28 Jeol Ltd Ｆｉｂ試料作製装置
KR200260125Y1 (ko) * 2001-10-06 2002-01-10 아이앤아이스틸 주식회사 시편 절단용 지그

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100666918B1 (ko) * 2005-12-29 2007-01-10 삼성전자주식회사 기판 보호 부재 및 이를 이용한 분석 시편 형성 방법
CN102778372A (zh) * 2012-07-10 2012-11-14 天威新能源控股有限公司 用于交联度检测中将样品条剥离成eva条与背板条的装置
CN103760049A (zh) * 2014-01-14 2014-04-30 上海飞机制造有限公司 一种切削试验用的试样结构及切削试验方法

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