JPH08261898A - 透過電子顕微鏡用試料及びその作製方法 - Google Patents

透過電子顕微鏡用試料及びその作製方法

Info

Publication number
JPH08261898A
JPH08261898A JP8613295A JP8613295A JPH08261898A JP H08261898 A JPH08261898 A JP H08261898A JP 8613295 A JP8613295 A JP 8613295A JP 8613295 A JP8613295 A JP 8613295A JP H08261898 A JPH08261898 A JP H08261898A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
sample
observation
transmission electron
electron microscope
predetermined
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP8613295A
Other languages
English (en)
Inventor
Chika Matsumoto
千佳 松本
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by NEC Corp filed Critical NEC Corp
Priority to JP8613295A priority Critical patent/JPH08261898A/ja
Publication of JPH08261898A publication Critical patent/JPH08261898A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Abstract

(57)【要約】 【目的】観察時のサンプルの傾斜角度に対する制限を低
減し、サンプルを取り扱う際に壊れにくく、さらに複数
箇所の観察を可能とする透過電子顕微鏡用のサンプル及
びその作製方法の提供。 【構成】ダイサーでサンプルを電子顕微鏡の鏡体内に装
着できる大きさに切り出した後、サンプルを斜めに研磨
した台座にワックスで固定して傾斜させた状態でサンプ
ルに対して長手方向に直交する方向からダイサーにより
切削する工程をサンプル両端面から施し、最後にFIB
で観察特定箇所をTEMで観察可能な程度に薄膜化して
サンプルを形成する。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、透過型電子顕微鏡(T
EM)のサンプル作製法に関し、特にFIB(Focussed
Ion Beam;集束イオンビーム)とダイサーを用いて所
定箇所を観察するためのサンプル及びその作製方法に関
する。
【0002】
【従来の技術】図5(A)〜図5(C)に透過型電子顕
微鏡のサンプル作製の従来の加工法を説明する図を示
す。
【0003】ダイサーでサンプルを透過型電子顕微鏡の
鏡体内に装着できる大きさ、例えば約0.2mm×2mm×0.5m
m(サンプルがウェハの場合はウェハの厚さ)に切り出
し、次に図5(B)に示すように観察箇所2が含まれる
ように上面を次工程のFIB加工時間を短縮するために
できる限り薄くなるように残し、図5(C)に示すよう
にサンプル1の両側縁部を長手方向にダイサー5で加工
してサンプル1の長手方向に直交する断面が凸型形状と
なるようにする。
【0004】最後に図5(A)、図5(B)に示すよう
に、観察箇所2をFIBを用いて透過型電子顕微鏡で観
察が可能な程度に薄膜化する。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】しかし、この従来の方
法においては、透過型電子顕微鏡(TEM)観察の際に
サンプルを装置内で傾斜させた場合、サンプル1の凸型
加工の角の部分によって電子線が遮られ観察できない。
このためTEM観察時のサンプルの傾斜角度に制限があ
った。
【0006】また、従来の方法においては、サンプル1
の上部全体を薄膜化しているため、サンプル1を壊す恐
れがあり、さらに一サンプル1箇所または長手方向同一
線上(凸型に残した上部内)でなければ複数箇所を観察
できないという問題がある。
【0007】従って、本発明は上記問題点を解消し、観
察時のサンプルの傾斜角度に対する制限を低減し、サン
プルを取り扱う際に壊れにくく、さらに複数箇所の観察
を可能とするサンプル及びその作製方法を提供すること
を目的とする。
【0008】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するた
め、本発明は、観察箇所が集束イオンビーム(FIB)
で形成される透過型電子顕微鏡(TEM)の観察試料の
製作方法において、前記観察箇所を支持する部分の壁面
のうち、前記観察箇所の電子線が透過する面と平行な壁
面の少なくとも一が、前記観察箇所の周辺で前記電子線
が透過する面に対して所定の傾きを有するように加工す
ることを特徴とする透過電子顕微鏡試料の作製方法を提
供する。
【0009】本発明の作製方法においては、好ましく
は、支持面に平行な線と前記壁面のなす角度が、観察面
の高さと前記支持面の長さを徐した値を正接とする角度
よりも大きな角度を持つように壁面を形成することを特
徴とする。
【0010】本発明の作製方法においては、好ましく
は、前記傾斜面を形成する際に前記観察試料を所定の傾
斜面を有する台座に装着し、回転外周刃(ダイサー)加
工で作製することを特徴とする。
【0011】本発明は、試料の一端面上の所定の観察箇
所を残し前記観察箇所の少なくとも一側を前記試料の長
手方向に前記観察箇所の長さに対応して面取りしてなる
ことを特徴とする透過電子顕微鏡用試料を提供する。
【0012】
【作用】本発明によれば、ダイサーでサンプルを電子顕
微鏡の鏡体内に装着できる大きさに切り出した後、サン
プルを斜めに研磨した台座にワックスで固定して傾斜さ
せた状態でサンプルに対して横手方向からダイサーによ
り切削する工程を好ましくは両面から施し、最後にFI
Bで観察特定箇所をTEMで観察可能な程度に薄膜化し
てサンプルを形成することにより、TEM観察において
サンプルを装置内で傾斜させた際に、前記従来例のよう
にサンプルの凸型加工の角の部分によって電子線が遮ら
れることはなく、観察時のサンプルの傾斜角度の制限を
少なくしている。また、サンプルを取り扱う際、前記従
来例のように上部が全体的に薄い構成とされないため壊
れにくい。さらに、本発明によれば、長手方向同一線上
に存在しない複数の観察箇所の観察が可能とされる。
【0013】
【実施例】図面を参照して、本発明の実施例を以下に説
明する。
【0014】
【実施例1】図1〜図3は本発明の第1の実施例を説明
する図である。図1(A)はFIB加工後の状態を示す
図、図1(B)は切削角度を説明する図、図2(A)、
図2(B)、図3(C)、図3(D)はダイサー加工中
の状態をそれぞれ示している。
【0015】まず、ダイサー5で観察箇所2を含むよう
にサンプル1(例えばシリコンウェハ)を透過型電子顕
微鏡の鏡体内に装着できる大きさ約0.2mm×2mm×0.5mm
(ウェハの厚さ)に加工する。
【0016】次に、本実施例におけるサンプル1の切削
角度について図1(B)を用いて説明する。
【0017】まず、角度θ1を次式(1)のように定義
する。
【0018】 tanθ1=観察面の高さ(a)/支持面の長さ(b) …(1)
【0019】また、角度θ2をダイサー加工傾斜面 (c)
と支持面(b)に平行な線とのなす角と定義する。
【0020】本実施例として、a、b、それぞれの長さが
a:b = 1:√3 のとき、θ1=30°であり、θ2がθ1
<θ2を満足する角度を持つような傾斜を作製するもの
とする。
【0021】次に台座6について説明する。図2(A)
を参照してサンプル1を安定した状態で傾斜をつけて切
削するために台座6を用いワックスでサンプル1を固定
する。台座6は1辺に傾斜角θ3である面を有すること
を特徴とする。
【0022】本実施例では、台座6としてサンプル1
(ウェハ)と同素材であり加工し易いシリコンウェハを
用いた。また、台座6の厚さはサンプル1と共にダイサ
ー5で切削してもかまわないが、ダイサー5の刃を傷め
ないようにサンプル1と同程度の厚さとした。
【0023】台座6をその傾斜角θ3=(90°−θ2)
となるように研磨し、ワックス7でサンプル1を傾斜さ
せ固定する。
【0024】次に、図2(B)、及び図3(C)に示す
ようにサンプル1に対して横手方向からダイサー5によ
り切削する。
【0025】切れ幅(d)(図1(A)参照)は、1回切
削の際はダイサー5の刃の厚さに対応するが、サンプル
1をその長手方向にずらしながら複数回切削を繰り返す
ことにより切れ幅(d)を選択することができる。
【0026】次に、図3(D)に示すように、サンプル
1の裏表を変え、幅(e)(図1(A)参照)が、後工程
のFIB加工時間を短縮するために、できるだけ狭くな
るように同様にして切削する。
【0027】最後に、ワックス7を洗浄し、サンプル1
を立て、観察箇所2をFIBによってTEM観察が可能
な程度の厚さに薄膜化する。
【0028】
【実施例2】次に、図4に本発明の第2の実施例の構成
を示す。透過型電子顕微鏡の鏡体内に装着できる大きさ
に加工したサンプル中に、複数の観察箇所2、2′が存
在する場合、前記第1の実施例と同様にサンプル1を傾
斜させて切削すると、観察箇所が長手方向同一線上に存
在しなくても、複数の観察箇所2、2′を薄膜化するこ
とができる。このため複数箇所が観察可能なサンプルが
作製できる。
【0029】以上、本発明を上記各実施例に即して説明
したが、本発明は上記態様に限定されるものでなく、本
発明の原理に準ずる各種態様を含むことは勿論である。
【0030】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
TEM観察においてサンプルを装置内で傾斜させた際サ
ンプルの凸型加工の角の部分によって電子線が遮られる
ことがない。このため観察時のサンプルの傾斜角度に制
限が少なく、またサンプルを取り扱う際、前記従来例と
相違して上部が全体的に薄くないため壊れにくいという
利点を有する。
【0031】さらに、本発明によれば、サンプルは長手
方向同一線上にない複数の観察箇所を形成することが可
能とされるため、所望の位置において複数箇所の観察が
可能であるという効果を有する。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の第1の実施例を説明するための図であ
る。(A)はFIB加工後の状態を示す図である。
(B)は切削角度の説明図である。
【図2】(A)、(B)は本発明の第1の実施例を工程
順に説明するための図である。
【図3】(C)、(D)は本発明の第1の実施例を工程
順に説明するための図である。
【図4】本発明の第2の実施例を説明するための図であ
り、FIB加工後の状態を示す図である。
【図5】従来例を示す図である。(A)、(B)はFI
B加工後の状態を示す図である。(C)はダイサー加工
中の状態を示す図である。
【符号の説明】
1 サンプル 2 観察箇所 3 ダイサー切削箇所 4 ダイサーの刃 5 ダイサー(の刃) 6 台座(Si基板) 7 ワックス

Claims (5)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】観察箇所が集束イオンビーム(FIB)で
    形成される透過型電子顕微鏡(TEM)の観察試料の製
    作方法において、 前記観察箇所を支持する部分の壁面のうち、前記観察箇
    所の電子線が透過する面と平行な壁面の少なくとも一
    が、前記観察箇所の周辺で前記電子線が透過する面に対
    して所定の傾きを有するように加工することを特徴とす
    る透過電子顕微鏡用試料の作製方法。
  2. 【請求項2】前記観察箇所の支持面に平行な線と前記壁
    面のなす角度が、観察面の高さを前記支持面の長さで徐
    した値を正接とする角度よりも大きな角度を持つように
    前記壁面を形成することを特徴とする請求項1記載の透
    過電子顕微鏡用試料の作製方法。
  3. 【請求項3】前記傾斜面を形成する際に前記観察試料を
    所定の傾斜面を有する台座に装着し、回転外周刃(ダイ
    サー)加工で作製することを特徴とする請求項1記載の
    透過電子顕微鏡用試料の作製方法。
  4. 【請求項4】観察箇所が集束イオンビーム(FIB)で
    形成される透過型電子顕微鏡(TEM)の観察試料の製
    作方法において、 (a)前記観察試料の一側を所定の傾斜面を有する台座に
    装着し前記観察試料の他側端面の側縁部を含む領域を長
    手方向に直交する方向に所定長さで除去する工程と、 (b)前記観察試料の前記他側を前記台座に装着し前記観
    察試料の前記一側端面の側縁部を含む領域を長手方向に
    直交する方向に所定長さで且つ前記観察試料の観察箇所
    の長手方向に直交する幅が所定寸法となるように除去す
    る工程と、 (c)前記観察試料の観察箇所を集束イオンビーム(FI
    B)加工して薄膜化する工程と、 を含むことを特徴とする透過電子顕微鏡用試料の作製方
    法。
  5. 【請求項5】試料の一端面上の所定の観察箇所を含む所
    定領域を残し前記観察箇所を含む所定領域の少なくとも
    一側を前記試料の長手方向に前記観察箇所の長さに対応
    して面取りされ、その後前記観察箇所を含む領域がFI
    B加工されてなることを特徴とする透過電子顕微鏡用の
    試料。
JP8613295A 1995-03-17 1995-03-17 透過電子顕微鏡用試料及びその作製方法 Pending JPH08261898A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP8613295A JPH08261898A (ja) 1995-03-17 1995-03-17 透過電子顕微鏡用試料及びその作製方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP8613295A JPH08261898A (ja) 1995-03-17 1995-03-17 透過電子顕微鏡用試料及びその作製方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH08261898A true JPH08261898A (ja) 1996-10-11

Family

ID=13878191

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP8613295A Pending JPH08261898A (ja) 1995-03-17 1995-03-17 透過電子顕微鏡用試料及びその作製方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH08261898A (ja)

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20040037958A (ko) * 2002-10-31 2004-05-08 삼성전자주식회사 커팅 각도 조절 장치 및 이를 이용한 투과 전자현미경분석용 시편 제조방법
US7355420B2 (en) 2001-08-21 2008-04-08 Cascade Microtech, Inc. Membrane probing system
US7420381B2 (en) 2004-09-13 2008-09-02 Cascade Microtech, Inc. Double sided probing structures
US7492172B2 (en) 2003-05-23 2009-02-17 Cascade Microtech, Inc. Chuck for holding a device under test
US9429638B2 (en) 2008-11-21 2016-08-30 Cascade Microtech, Inc. Method of replacing an existing contact of a wafer probing assembly
CN117007622A (zh) * 2023-10-07 2023-11-07 粤芯半导体技术股份有限公司 一种芯片内部结构的失效位置确定方法

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH04361132A (ja) * 1991-06-07 1992-12-14 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> 透過電子顕微鏡用試料およびその作製方法
JPH05180739A (ja) * 1992-01-07 1993-07-23 Sharp Corp 電子顕微鏡観察用試料の作成方法
JPH06110727A (ja) * 1992-09-29 1994-04-22 Nec Ic Microcomput Syst Ltd ディバガのシングルステップ処理装置
JPH0783812A (ja) * 1993-09-14 1995-03-31 Matsushita Electric Ind Co Ltd 透過型電子顕微鏡用試料の作製方法
JPH07209155A (ja) * 1994-01-13 1995-08-11 Jeol Ltd 試料作製装置及び方法

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH04361132A (ja) * 1991-06-07 1992-12-14 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> 透過電子顕微鏡用試料およびその作製方法
JPH05180739A (ja) * 1992-01-07 1993-07-23 Sharp Corp 電子顕微鏡観察用試料の作成方法
JPH06110727A (ja) * 1992-09-29 1994-04-22 Nec Ic Microcomput Syst Ltd ディバガのシングルステップ処理装置
JPH0783812A (ja) * 1993-09-14 1995-03-31 Matsushita Electric Ind Co Ltd 透過型電子顕微鏡用試料の作製方法
JPH07209155A (ja) * 1994-01-13 1995-08-11 Jeol Ltd 試料作製装置及び方法

Cited By (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7355420B2 (en) 2001-08-21 2008-04-08 Cascade Microtech, Inc. Membrane probing system
US7492175B2 (en) 2001-08-21 2009-02-17 Cascade Microtech, Inc. Membrane probing system
KR20040037958A (ko) * 2002-10-31 2004-05-08 삼성전자주식회사 커팅 각도 조절 장치 및 이를 이용한 투과 전자현미경분석용 시편 제조방법
US7492172B2 (en) 2003-05-23 2009-02-17 Cascade Microtech, Inc. Chuck for holding a device under test
US7876115B2 (en) 2003-05-23 2011-01-25 Cascade Microtech, Inc. Chuck for holding a device under test
US7420381B2 (en) 2004-09-13 2008-09-02 Cascade Microtech, Inc. Double sided probing structures
US8013623B2 (en) 2004-09-13 2011-09-06 Cascade Microtech, Inc. Double sided probing structures
US9429638B2 (en) 2008-11-21 2016-08-30 Cascade Microtech, Inc. Method of replacing an existing contact of a wafer probing assembly
US10267848B2 (en) 2008-11-21 2019-04-23 Formfactor Beaverton, Inc. Method of electrically contacting a bond pad of a device under test with a probe
CN117007622A (zh) * 2023-10-07 2023-11-07 粤芯半导体技术股份有限公司 一种芯片内部结构的失效位置确定方法

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US6194720B1 (en) Preparation of transmission electron microscope samples
JP5249955B2 (ja) 電子顕微鏡検鏡用試料の作製法
JP3711018B2 (ja) Tem試料薄片化加工方法
CN112067405B (zh) 一种平面tem样品的制备方法及平面tem样品
US5147824A (en) Semiconductor wafer
JPH08261898A (ja) 透過電子顕微鏡用試料及びその作製方法
JP2007033376A (ja) 微小試料台集合体
JP3751062B2 (ja) 断面tem観察用試料ホルダー及びそれを備えたtem装置
JPH08304243A (ja) 断面薄膜試料及びその作製方法及び断面薄膜試料用ホルダ
CN214844914U (zh) 一种用于透射电子显微镜的样品格栅
JP4801432B2 (ja) 集束イオンビーム加工方法およびそれを用いた透過型電子顕微鏡試料の作製方法
CN113466268B (zh) 组合样品及其制备方法
US6927174B2 (en) Site-specific method for large area uniform thickness plan view transmission electron microscopy sample preparation
WO1999017103A2 (en) In-line fib process monitoring with wafer preservation
JPH05180739A (ja) 電子顕微鏡観察用試料の作成方法
JPH11329325A (ja) メッシュおよび薄片試料の作製方法
JPH11258129A (ja) 集束イオンビームによる試料作成法
JP4037023B2 (ja) 透過電子顕微鏡用試料の切り込み加工方法及び作成方法
JP4087243B2 (ja) 透過電子顕微鏡用試料の作製方法
JPH08261894A (ja) Tem評価試料及びその作成方法
KR100722786B1 (ko) 투과전자현미경 분석용 시료 제작 방법
KR102531691B1 (ko) 집속 이온빔을 이용한 투과전자현미경 시편의 제작방법
JP3781988B2 (ja) 電子顕微鏡観察用の試料片の製造方法
JPH11132922A (ja) 透過電子顕微鏡用試料とその作成方法
KR20040004931A (ko) 투과전자현미경 분석용 시료 제작 방법

Legal Events

Date Code Title Description
A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 19971021