JPH11132922A - 透過電子顕微鏡用試料とその作成方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 容易かつ短時間で、スパッタエッチング速度
の異なる材料を均一に薄片化可能とする。 【解決手段】 Ｓｉ基板上に形成されたＴＥＭ観察対象
となる材料２を内側として、３枚のＳｉ基板をエポキシ
樹脂で固定して円柱状に整形し、ＴＥＭ観察対象となる
材料２に垂直に、ダイシングソー装置を用いた切り込み
溝１２を形成する。その後、Ａｒをイオン種としたイオ
ンビーム７の照射により、切り込み溝１２に沿った方向
からのみ選択的にイオンビーム７をＴＥＭ観察対象の材
料２とその周辺部に入射し、スパッタエッチングにより
薄片化する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、透過電子顕微鏡用
試料およびその作成方法に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】近年、半導体デバイスパターンの微細化
に伴い、結晶性評価や微小領域の分析などの必要性から
透過型電子顕微鏡（以下、ＴＥＭと略す）による観察技
術の重要性が高まっている。しかし、ＴＥＭによる観察
には、観察領域を０．３μｍまで薄片化しなければなら
ず、その作業は非常に困難である。半導体材料のＴＥＭ
試料作成には、回転研磨機などを使用して試料研磨した
後、最終的な仕上げ加工にアルゴン（以下、Ａｒと略
す）をイオン種としたイオンスパッタエッチング法を用
いるのが一般的である。

【０００３】図１４〜図１９にはＡｒをイオン種とした
スパッタエッチングを用いた断面観察用試料の作成方法
が、図２０には作成された試料をＴＥＭ観察するための
配置が示されている。

【０００４】図１４に示すように、長方形のシリコン
（以下、Ｓｉと略す）基板１の最表面にＴＥＭ観察対象
となる材料２が形成されている。

【０００５】まず図１５に示すように、ＴＥＭ観察対象
となる材料２にダミーＳｉ基板３をエポキシ樹脂で固定
する。このダミーＳｉ基板３は、研磨やダイシングソー
装置による加工の際に発生するＴＥＭ観察対象となる材
料２の欠損と、スパッタエッチングの際の材料表面のイ
オン照射ダメージを防ぐために必要であり、３枚のダミ
ーＳｉ基板３を使用したのは３ｍｍφのＴＥＭ試料ホル
ダーに装着し易くするためで、Ｓｉ基板１とダミーＳｉ
基板３が充分に厚い場合には、図１４の外側２枚のダミ
ーＳｉ基板３は必要としない。

【０００６】次に、図１６に示すように、ＴＥＭ観察対
象となる材料２を直径とした約３ｍｍφの円柱状試料４
に整形し、円柱の高さが１００μｍ程度になるように上
下平面部を研磨し、平面部の片側を凹凸の少ない鏡面状
に仕上げ研磨する。これは、スパッタエッチングの際に
厚さむらの少ない試料を得るためである。

【０００７】次に、図１７に示すように、鏡面状に研磨
された平面部の反対側の平面部を、ＴＥＭ観察対象とな
る材料２が中央となるようディンプリング加工により半
球状の研磨面５を形成し、鏡面状の仕上げ研磨する。こ
れは、試料内にゆるやかな厚さむらを設けることによ
り、試料の一部分だけを薄片化することで、試料全体が
薄片化することによる試料強度の低下を防ぐためであ
る。

【０００８】さらに、図１８に示すように、ディンプリ
ング加工されていない平面部に試料補強用治具である単
孔グリッド６を固定することで、ＴＥＭ試料の耐久性を
より向上させる。

【０００９】その後、図１９に示すように、Ａｒをイオ
ン種としたイオンビーム７を試料表面に入射角８で入射
し、半球状の研磨面５とＴＥＭ観察対象となる材料２と
をその中心９で回転しながらスパッタエッチングし、Ｔ
ＥＭ観察対象となる材料２を中心として薄片化する。

【００１０】上記方法で作成した試料を図２０に示すよ
うな構成でＴＥＭによる断面観察が可能な状態に配置
し、この試料のＴＥＭ観察対象の材料２に、ＴＥＭの電
子銃から透過電子線１０を照射し、透過することによっ
てＴＥＭ観察する。

【００１１】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら上記従来
の断面観察用試料の作成方法では、ＴＥＭ観察対象とな
る材料とＳｉ基板またはダミー基板との材質の違いによ
り、Ａｒをイオン種としたスパッタエッチング速度に差
異が生じることから、ＴＥＭ観察対象となる材料がＳｉ
基板よりも早く薄片化して試料から脱落することや、Ｓ
ｉ基板またはダミー基板がＴＥＭ観察対象の材料よりも
早く薄片化することで、ＴＥＭ観察対象の材料を薄片化
することが困難になるという欠点がある。

【００１２】上記課題について鑑み、本発明の目的は容
易かつ短時間で、ＴＥＭ観察対象の材料とＳｉ基板およ
びダミー基板を均一に薄片化することを可能とする透過
電子顕微鏡用試料およびその作成方法を提供するもので
ある。

【００１３】

【課題を解決するための手段】この目的を達成するため
に、本発明の透過電子顕微鏡用試料は、ＴＥＭ観察対象
となる材料に垂直に切り込み溝を形成したものである。
また、ＴＥＭ観察対象となる材料に対しスパッタエッチ
ング速度比率の小さい一定の角度で数本の切り込み溝を
形成したものである。これによれば、ＴＥＭ観察対象と
なる材料への、Ａｒをイオン種としたイオンビームの入
射方向が切り込み溝の幅や深さにより任意に限定できる
ことで、材料間で最もスパッタリングエッチング速度の
差異の少ない条件での加工が可能となり、容易で短時間
にかつ試料厚さむらの少ないＴＥＭ観察に適した試料を
作成できる。また、凹状の滑らかな厚さ勾配を有する切
り込み溝を形成することにより、ＴＥＭ観察対象となる
材料とその周辺領域を優先的に薄片化することが可能と
なり、容易かつ短時間で試料作成できる。

【００１４】

【発明の実施の形態】図１に、本発明の透過電子顕微鏡
用試料の作成方法の第１の実施の形態にもとづくＴＥＭ
試料の断面図および平面図を示す。

【００１５】図１において、２はＳｉ基板上に形成され
たＴＥＭ観察対象となる材料である。６は単孔グリッ
ド、７はスパッタエッチングに用いるイオンビーム、８
はイオンビーム７とＴＥＭ試料１１の表面とで構成され
るイオンビーム入射角度、１１はＴＥＭ試料、１２はダ
イシングソー装置を用いて、ＴＥＭ観察対象となる材料
２に対し垂直に切削した切り込み溝で、１３は切り込み
溝１２の幅、１４は切り込み溝１２の深さ、１５は切り
込み溝１２とイオンビーム７とで構成される角度、１６
はダイシングソー装置による切り込み残し厚さ、１７は
ＴＥＭ試料全体の厚さである。

【００１６】この試料形状は、たとえばダイシングソー
装置による加工で形成することができる。ＴＥＭ用試料
１１はダイシングソー装置による加工の前に単孔グリッ
ド６に固定されている。各部の寸法は、イオンビーム７
の入射角度８と、イオンビーム７と切り込み溝１２とで
構成される角度１５によって決められる値で、切り込み
溝１２の幅１３は、角度１５から三角関数により求めら
れる。Ｓｉ基板とＴＥＭ観察すべき材料２とのスパッタ
エッチング速度の差異が最も小さくなるイオンビーム７
の入射角度８をθとすると、切り込み溝１２の深さ１４
は幅１３とθで三角関数により求められる。ダイシング
ソー装置による切り込み残し厚さ１６は１０〜２０μｍ
以内とし、ＴＥＭ試料厚さ１７は、深さ１４と切り込み
残し厚さ１６を加算した数値となり機械研磨などで円柱
状に整形されている。ＴＥＭ観察対象の材料２はＴＥＭ
試料１１の直径付近、または直径に対し左右対称としＴ
ＥＭ観察対象となる材料２と切り込み溝１２とは垂直と
する。

【００１７】ダイシングソー装置により上記加工を施し
た後に、得られたＴＥＭ用試料を図２に示すように切り
込み溝１２とＴＥＭ観察対象となる材料２とが直交する
線を中心軸１８とする等速回転をさせ、イオンビーム７
がＴＥＭ試料１１の表面に対しある一定の角度で全ての
方向から照射される。そして、切り込み溝１２に沿って
ＴＥＭ観察対象となる材料２に対し、ある一定角度から
のみＴＥＭ観察対象となる材料２とその周辺領域にイオ
ンビーム７が入射可能となる。

【００１８】このようにしてイオンガンから照射される
イオンビーム７により、ＴＥＭ観察対象となる材料２
に、基板材料とのエッチング速度格差を抑えたスパッタ
エッチングが可能となる。

【００１９】次に図３に、本発明の透過電子顕微鏡用試
料の作成方法の第２の実施の形態にもとづくＴＥＭ試料
の断面図および平面図を示す。

【００２０】図３において、２はＳｉ基板上に形成され
たＴＥＭ観察対象となる材料である。６は単孔グリッ
ド、７はスパッタエッチングに用いるイオンビーム、８
はイオンビーム７とＴＥＭ試料１９の表面とで構成され
る角度である。１９はＴＥＭ試料、２０はダイシングソ
ー装置を用いて、ＴＥＭ観察対象となる材料２に対し一
定の角度で切削された切り込み溝、２１はＴＥＭ観察対
象となる材料２と切り込み溝２０とで構成される角度、
２２は切り込み溝２０の幅、２３は切り込み溝２０の深
さ、２４はダイシングソー装置による切り込み残し厚
さ、２５はＴＥＭ試料全体の厚さである。

【００２１】この試料形状は、たとえばダイシングソー
装置による加工で形成することができる。ＴＥＭ用試料
はダイシングソー装置による切削の前に単孔グリッド６
に固定されている。各部の寸法は、イオンビーム７のＴ
ＥＭ試料１９の表面に対する入射角度８と、ＴＥＭ観察
対象となる材料２と基板材料とのスパッタエッチング速
度比率によって決められる値で、例えば切り込み溝２０
とＴＥＭ観察対象となる材料２とで構成される角度２１
を４５度として±５度の誤差を見込んだ場合、ＴＥＭ試
料１９の直径と角度２１から切り込み溝２０の幅２２は
三角関数により２６０μｍと求められる。さらに、イオ
ンビーム７とＴＥＭ試料１９の表面とで構成されるイオ
ンビーム入射角８を１２度とした場合、切り込み溝２０
の深さ２３は三角関数により５５μｍとなる。ダイシン
グソー装置による切り込み残し厚さ２４は１０〜２０μ
ｍ以内とし、ＴＥＭ試料厚さ２５は、切り込み溝２０の
深さ２３と切り込み残し厚さ２４を加算した数値とな
り、この場合約７０μｍとし、機械研磨などで円柱状に
整形されている。

【００２２】ダイシングソー装置により上記加工を施し
た後に、得られたＴＥＭ用試料を図４に示すように切り
込み溝２０とＴＥＭ観察対象となる材料２と直交する線
を中心軸２６とする等速回転をさせ、イオンビーム７が
ＴＥＭ試料１９の表面に対しある一定の角度で全ての方
向から照射される。そして、切り込み溝２０に沿ってＴ
ＥＭ観察対象となる材料２に対し、ある一定角度からの
みＴＥＭ観察対象となる材料２とその周辺領域にイオン
ビーム７が入射可能となる。

【００２３】このようにしてイオンガンから照射される
イオンビーム７により、ＴＥＭ観察対象となる材料２
に、基板材料とのエッチング速度格差を抑えたスパッタ
エッチングが可能となる。

【００２４】ここでは図３に示されるＴＥＭ試料形状に
ついての各数値の算出にＡｒをイオン種としたスパッタ
リングエッチングでのイオンビーム７の入射角度８を１
２度、切り込み溝２０とＴＥＭ観察対象となる材料２と
で構成される角度２１を４５度とした場合を適用した
が、同様に、試料材料やイオン種、イオンガンとＴＥＭ
試料位置との構成の違いによるスパッタエッチング速度
を考慮し、必要に応じた数値を用いても同様の効果が得
られることはいうまでもない。

【００２５】次に、本発明の第１の実施の形態の透過電
子顕微鏡用試料の作成方法について、ダイシングソー装
置を用いて行う第３の実施の形態を、図面を参照しなが
ら説明する。図５〜図９に工程手順を示す。

【００２６】図５には断面観察用試料を作成するための
材料の１例が示されており、その構成は図１４と同じも
のである。ダミーＳｉ基板３はＳｉ基板１と同じ材質の
ものが望ましいが必ずしも同じでなくともよい。

【００２７】まず図６に示すように、ＴＥＭ観察対象と
なる材料２にダミーＳｉ基板３をエポキシ樹脂で固定す
る。

【００２８】さらに、図７に示すように、ＴＥＭ観察対
象となる材料２を直径とした約３ｍｍφの円柱状試料４
に整形し、円柱の高さが１５０μｍになるように上下平
面部を研磨する。このとき、底部平面を凹凸の少ない鏡
面研磨する。

【００２９】さらに、図８に示すように、円柱状試料４
の鏡面研磨された底部平面に単孔グリッド６を固定す
る。

【００３０】次に、図９に示すように、ダイシングソー
装置を用いてＴＥＭ観察対象となる材料２に垂直に切り
込み溝１２を形成する。このとき、切り込み深さは１３
０μｍとし、ＴＥＭ試料の切り残し厚さ１６を２０μｍ
とする。また、切り込み溝１２の幅１３は５２０μｍで
切り込み溝１２の底部に段差が生じないために、ダイシ
ングソー装置による切り込みは、一回とするか、粒径１
〜３μｍ程度の研磨剤を切削の際に併用して急峻な段差
や大きな凹凸が生じないようにする。

【００３１】上記ダイシングソー装置を用いた加工によ
り、図１に示すような切り込み溝１２を有するＴＥＭ試
料を作成可能である。

【００３２】このようにして作成したＴＥＭ試料を図２
に示すような構成でＡｒをイオン種としたスパッタエッ
チングにより、ＴＥＭ観察対象となる材料２を中心とし
て薄片化する。スパッタエッチング後のＴＥＭ観察対象
となる材料２の厚さ２７は０．３μｍ以下にする。そし
て、図１０に示すような構成でＴＥＭによる断面観察が
可能な状態に配置し、この試料のＴＥＭ観察対象となる
材料２に、ＴＥＭの電子銃から透過電子線１０を照射
し、透過することによってＴＥＭ観察する。

【００３３】ここでは図１に示されるＴＥＭ試料形状に
ついての各数値の算出にＡｒをイオン種としたスパッタ
エッチングでのイオンビーム７のＴＥＭ試料１１の表面
に対する入射角度８を１２度、切り込み溝１２に対する
入射角度１５を１０度とした場合を適用したが、同様に
試料材料やイオン源、イオンガンと試料位置との構成の
違いによるスパッタエッチング速度を考慮し、必要に応
じた数値を用いても同様の効果が得られることはいうま
でもない。

【００３４】なお、本発明の第２の実施の形態の透過電
子顕微鏡用試料の作成方法についても、上記のダイシン
グソー装置を用いた試料作成方法で作成が可能である。

【００３５】次に、図１１に、本発明の透過電子顕微鏡
用試料の作成方法の第４の実施の形態にもとづくＴＥＭ
試料の断面図および平面図を示す。

【００３６】図１１において、２はＳｉ基板上に形成さ
れたＴＥＭ観察対象となる材料である。６は単孔グリッ
ド、７はスパッタエッチングに用いるイオンビーム、８
はイオンビーム７とＴＥＭ試料２８の表面とで構成され
る角度である。２８はＴＥＭ試料、２９はダイシングソ
ー装置を用いて、ＴＥＭ観察対象となる材料２にたいし
一定の角度で切削された切り込み溝で、ＴＥＭ観察対象
となる材料２とその周辺領域が最も薄くなっている。３
０はイオンビーム７と切り込み溝２９とで構成される角
度、３１は切り込み溝２９の幅、３２は切り込み溝２９
の最深部の深さ、３３はＴＥＭ観察対象となる材料２と
その周辺領域のダイシングソー装置による切り込み残し
厚さ、３４はＴＥＭ試料全体の厚さである。

【００３７】この試料形状は、たとえばダイシングソー
装置による加工で形成することができる。ＴＥＭ用試料
はダイシングソー装置による切削の前に単孔グリッド６
に固定されている。各部の寸法は、イオンビーム７の試
料表面に対する入射角８とイオンビーム７と切り込み溝
２９とのなす角３０によって決められる。Ｓｉ基板とＴ
ＥＭ観察すべき材料とのスパッタエッチング速度格差が
最も小さくなるイオンビーム７の角度３０をθとする
と、切り込み溝２９の幅３１はＴＥＭ試料２８の直径と
θの三角関数により求められる。また、切り込み溝２９
の最深部の深さ３２は、イオンビーム７の試料表面に対
する入射角８と幅３１との三角関数により求められる。
ＴＥＭ観察対象となる材料２とその周辺領域の切り込み
残し厚さ３３は１０〜２０μｍ以内とし、ＴＥＭ試料厚
さ３４は、切り込み溝２９の最深部の深さ３２と切り込
み残し厚さ３３を加算した数値となり機械研磨などで円
柱状に整形されている。ＴＥＭ観察対象の材料２はＴＥ
Ｍ試料２８の直径付近、または直径にたいし左右対称と
し材料２と切り込み溝２９とは垂直とする。

【００３８】ダイシングソー装置により上記加工を施し
た後に、得られたＴＥＭ用試料を図１２に示すように切
り込み溝２９とＴＥＭ観察対象となる材料２と直交する
線を中心軸３５とする等速回転をさせ、イオンビーム７
がＴＥＭ試料２８の表面に対しある一定の角度で全ての
方向から照射される。そして、切り込み溝に沿って剤料
２に対し、ある一定角度からのみＴＥＭ観察対象となる
材料２とその周辺領域にイオンビーム７が入射可能とな
る。

【００３９】このようにしてイオンガンから照射される
イオンビーム７により、ＴＥＭ観察対象となる材料２
に、基板材料とのエッチング速度格差を抑えたスパッタ
エッチングが可能となり、さらに、切り込み溝２９に設
けた滑らかな試料厚さの違いによってＴＥＭ観察対象と
なる材料２とその周辺領域のみを優先的に薄片化するこ
とで、ＴＥＭ試料の薄片化部分の脱落などの破損を低減
できる。

【００４０】以下、第４の実施の形態の透過電子顕微鏡
用試料の作成方法について、ダイシングソー装置を用い
て行う第５の実施の形態を、図面を参照しながら説明す
る。

【００４１】まず断面観察用試料を準備する。その構成
は図８と同じものである。次に、図１３に示すように、
ダイシングソー装置を用いてＴＥＭ観察対象となる材料
２に材料２とその周辺領域で最も深く切り込む凹状の切
り込み溝２９を形成する。このとき、切り込み溝２９の
最深部の深さは１３０μｍとし、切り込み溝の幅は５２
０μｍとする。ダイシングソー装置に用いる切削用丸型
ブレード３６の半径３７は、ＴＥＭ試料２８の直径より
も充分に大きいものとし、２０ｍｍ前後が望ましい。切
削用丸型ブレード３６の回転軸３８は材料２の直上とな
り、切削用丸型ブレード３６の向きは材料２に垂直とな
るように配置する。切削用丸型ブレード３６をＴＥＭ試
料２８の表面法線方向３９の下方に、毎分１０〜３０μ
ｍの速度で滑らかに下降させることで、試料破損を少な
く抑えかつ滑らかな凹状の切り込み溝２９を形成し、材
料２とその周辺領域の切り残し厚さ２４を１０〜２０μ
ｍとする。

【００４２】上記ダイシングソー装置を用いた加工によ
り、図１１に示すような凹状の切り込み溝２９を有する
ＴＥＭ試料を作成可能である。

【００４３】このようにして作成したＴＥＭ試料を図１
２に示すような構成でＡｒをイオン種としたスパッタエ
ッチングにより、ＴＥＭ観察対象となる材料２を中心と
して薄片化する。スパッタエッチング後のＴＥＭ観察対
象となる材料２の厚さ２７は０．３μｍ以下にする。そ
して、図１０に示すような構成でＴＥＭによる断面観察
が可能な状態に配置し、この試料のＴＥＭ観察対象とな
る材料２に、ＴＥＭの電子銃から透過電子線１０を照射
し、透過することによってＴＥＭ観察する。

【００４４】ここでは図１１に示されるＴＥＭ試料形状
についての各数値の算出にＡｒをイオン種としたスパッ
タリングエッチングでのイオンビーム７の入射角度８を
１２度、切り込み溝２９に対する入射角度３０を１０度
とした場合を適用したが、同様にダイシングソー装置と
ＴＥＭ試料の構成の違いや切削用丸型ブレードの種類、
試料材料やイオン源、イオンガンと試料位置との構成の
違いによるスパッタエッチング速度を考慮し、必要に応
じた数値を用いても同様の効果が得られることはいうま
でもない。

【００４５】

【発明の効果】以上のように、本発明は、ＴＥＭ観察対
象となる材料に対して一定の角度を有する切り込み溝を
形成することにより、基板材料に対しスパッタエッチン
グ速度の大きく異なる材料でも、ＴＥＭ観察に最適な試
料を作成することができ、試料破損の危険性を低減でき
るのみならず、従来の装置を応用した加工方法により、
特殊な装置を用いることなく、ＴＥＭ試料の作成コスト
の上昇を抑えることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１の実施の形態の透過電子顕微鏡用
試料を示す断面図と平面図

【図２】本発明の第１の実施の形態の透過電子顕微鏡用
試料とイオンビームによるスパッタエッチング加工との
関係を示す配置図

【図３】本発明の第２の実施の形態の透過電子顕微鏡用
試料を示す断面図と平面図

【図４】本発明の第２の実施の形態の透過電子顕微鏡用
試料とイオンビームによるスパッタエッチング加工との
関係を示す配置図

【図５】本発明の第３の実施の形態の透過電子顕微鏡用
試料を作成するための工程を説明する斜視図

【図６】本発明の第３の実施の形態の透過電子顕微鏡用
試料を作成するための工程を説明する斜視図

【図７】本発明の第３の実施の形態の透過電子顕微鏡用
試料を作成するための工程を説明する斜視図

【図８】本発明の第３の実施の形態の透過電子顕微鏡用
試料を作成するための工程を説明する斜視図

【図９】本発明の第３の実施の形態の透過電子顕微鏡用
試料を作成するための工程を説明する斜視図

【図１０】本発明の第３の実施の形態の断面観察用試料
と透過電子顕微鏡の電子線との関係を示す配置図

【図１１】本発明の第４の実施の形態の透過電子顕微鏡
用試料を示す断面図と平面図

【図１２】本発明の第４の実施の形態の透過電子顕微鏡
用試料とイオンビームによるスパッタエッチング加工と
の関係を示す配置図

【図１３】本発明の第４の実施の形態の透過電子顕微鏡
用試料を作成するための工程を説明する斜視図

【図１４】従来の透過電子顕微鏡用試料を作成するため
の工程を説明する斜視図

【図１５】従来の透過電子顕微鏡用試料を作成するため
の工程を説明する斜視図

【図１６】従来の透過電子顕微鏡用試料を作成するため
の工程を説明する斜視図

【図１７】従来の透過電子顕微鏡用試料を作成するため
の工程を説明する斜視図

【図１８】従来の透過電子顕微鏡用試料を作成するため
の工程を説明する斜視図

【図１９】従来の透過電子顕微鏡用試料とイオンビーム
によるスパッタエッチング加工との関係を示す配置図

【図２０】従来の透過電子顕微鏡用試料と透過電子顕微
鏡の電子線との関係を示す配置図

【符号の説明】

１ Ｓｉ基板 ２ ＴＥＭ観察対象となる材料 ６ 単孔グリッド ７ Ａｒをイオン種としたイオンビーム ８ イオンビームとＴＥＭ試料の表面とで構成される角
度 １１、１９、２８ ＴＥＭ試料 １２、２０、２９ ダイシングソー装置による切り込み
溝 １３、２２、３１ 切り込み溝の幅 １４、２３、３２ 切り込み溝の深さ １５、２１、３０ 切り込み溝とＴＥＭ観察対象となる
材料とで構成される角度 １６、２４、３３ 切り込み残し厚さ １７、２５、３４ ＴＥＭ試料の全体の厚さ １８、２６、３５ 切り込み溝とＴＥＭ観察対象となる
材料が直交する点を含む中心軸 ２７ スパッタエッチング後のＴＥＭ観察対象となる材
料の厚さ

Claims (15)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 シリコン基板上に形成されている断面観
   察箇所に対し垂直の切り込み溝が設けられていることを
   特徴とする透過電子顕微鏡用試料。
2. 【請求項２】 シリコン基板上に形成されている断面観
   察箇所に対しある特定の角度で切り込み溝が設けられて
   いることを特徴とする透過電子顕微鏡用試料。
3. 【請求項３】 試料補強用治具を取り付けたことを特徴
   とする請求項１または請求項２記載の透過電子顕微鏡用
   試料。
4. 【請求項４】 シリコン基板上に形成されている断面観
   察箇所に対し滑らかな厚さ勾配を有する切り込み溝が設
   けられていることを特徴とする透過電子顕微鏡用試料。
5. 【請求項５】 試料補強用治具を取り付けたことを特徴
   とする請求項４の透過電子顕微鏡用試料。
6. 【請求項６】 シリコン基板上に形成されている断面観
   察箇所に対し切り込み溝を設けることを特徴とする透過
   電子顕微鏡用試料の作成方法。
7. 【請求項７】 試料補強用治具を取り付けたうえで、前
   記切り込み溝を設けることを特徴とする請求項６記載の
   透過電子顕微鏡用試料の作成方法。
8. 【請求項８】 前記断面観察箇所と前記切り込み溝とが
   直交する点を中心として回転させながら、前記切り込み
   溝を設けた角度からのみイオンビームを照射することで
   前記断面観察箇所を薄片化することを特徴とする請求項
   ６または請求項７記載の透過電子顕微鏡用試料の作成方
   法。
9. 【請求項９】 イオンビームのイオン種がアルゴンであ
   ることを特徴とする請求項８記載の透過電子顕微鏡用試
   料の作成方法。
10. 【請求項１０】 シリコン基板上に形成されている断面
    観察箇所に対し滑らかな厚さ勾配を有する切り込み溝を
    設けることを特徴とする透過電子顕微鏡用試料の作成方
    法。
11. 【請求項１１】 試料補強用治具を取り付けたうえで、
    前記切り込み溝を設けることを特徴とする請求項１０記
    載の透過電子顕微鏡用試料の作成方法。
12. 【請求項１２】 前記断面観察箇所と前記切り込み溝と
    が直交する点を中心として回転させながら、前記切り込
    み溝を設けた角度からのみイオンビームを照射すること
    で前記断面観察箇所を薄片化することを特徴とする請求
    項１０または請求項１１記載の透過電子顕微鏡用試料の
    作成方法。
13. 【請求項１３】 前記切り込み溝の最薄となる箇所をイ
    オンビーム照射により優先的に薄片化することを特徴と
    する請求項１０から請求項１２のいずれかに記載の透過
    電子顕微鏡用試料の作成方法。
14. 【請求項１４】 切削用ブレードの回転軸を前記断面観
    察箇所の法線上に合わせ、前記切削用ブレードを断面観
    察用試料に降下させることで前記切り込み溝を設けるこ
    とを特徴とする請求項１０から請求項１３のいずれかに
    記載の透過電子顕微鏡用試料の作成方法。
15. 【請求項１５】 イオンビームのイオン種がアルゴンで
    あることを特徴とする請求項１２または請求項１３記載
    の透過電子顕微鏡用試料の作成方法。