JP3698904B2 - 半導体評価方法及び欠陥位置特定装置 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は,半導体評価方法及び欠陥位置特定装置に関する。
【0002】
【従来技術の説明】
近年,大規模集積回路(Large Scale Integrated circuit;以下,「LSI」という。)の微細化及び高集積化の進展に伴い,LSIについて,動作不良原因の特定が困難になりつつある。一般に,LSIの動作不良原因を特定するためには,不良モードの特定(不良状況の検出)と該不良を生じさせている欠陥の位置の特定と該欠陥の物理的観察による不良原因の解析とを,順次行う必要がある。尚,本明細書においては,例えば不良モードや結晶欠陥或いは不純物濃度の異常等の半導体装置の動作不良の原因と成り得るものを,「欠陥」という。
【0003】
従来,不良モードや欠陥位置の特定方法としては,様々な方法が実用化されている。従来実用化されている特定方法は,いずれも万能なものではない。そこで,従来,半導体評価方法においては,実用化されている特定方法中からいくつかの方法を選択しそれらを適宜組み合わせることによって実行されている。
【0004】
従来,LSIの不良モードを特定するための方法としては,テストエレメントグループ(Test Element Group;以下,「TEG」という。)による間接評価がしばしば用いられている。かかるTEGによる間接評価は,実際の半導体素子を可能な限り再現するTEGを,半導体素子と同時にウェハ上に作り込み,該TEGを評価することで実際の半導体素子に発生している不具合を特定するものである。一般に,TEGによる間接評価は,LSIの集積規模が大きく不良状況を直接的に特定・観察できない場合に行われている。
【0005】
例えば,コンタクト孔の開孔不良の不具合が1%程度の割合で発生する場合,LSIの直接評価では,「LSIの不具合がコンタクト孔の開孔不良によるものである」と結論づけることが難しい。しかし,実際の半導体素子と同一のウェハ上にTEGとして例えば1000個のコンタクト孔を直列配置した評価パターンが形成されていれば,実際の半導体素子のコンタクト孔の状況は,TEGを測定することによって明らかとなる。
【0006】
即ち,TEGに開孔不良の不具合が所定確率以上で発生していれば,実際の半導体素子にもコンタクト孔の開孔不良が存在することは一目瞭然であり,「LSIの不具合がコンタクト孔の開孔不良によるものである」と結論づけることが可能となる。以上のように,TEGは,プロセスが内包する不具合を強調し,解析担当者に適切な情報を提供してくれるため,半導体装置の不良解析において非常に重要な意味を持つ。
【0007】
しかし,一般に,不良の状況(例えば断線や短絡)が判明しても,該不良の原因は明確にはならない。不良の原因は,実際の不良個所即ち欠陥部分を物理的に解析しなければ,判明しない。即ち,半導体装置のTEGによる間接評価においては,不良の状況が判明した次のステップとして,例えば不良の状況を再現したTEGについて,該不良を生じさせている欠陥の発生位置を特定する必要がある。
【0008】
従来,欠陥位置の特定において多用されている方法としては,(a)液晶によるヒートスポット法(以下,「液晶法」という。),(b)フォトエミッンョン法,(c)光誘起電流(Optical Beam Induced Current:以下,「OBIC」という。)法がある。次に,これら従来の欠陥位置特定方法それぞれの特徴について略述する。
【0009】
(a)液晶法
液晶法は,欠陥位置が高抵抗状態となり発熱する場合に,液晶の熱による相転位を偏光板で検出し,欠陥位置を特定する方法である。即ち,液晶解析法は,故障ICに液晶を塗布して通電し,リーク電流などによる異常発熱を検出するものである。具体的には,塗布した液晶を相転移温度直下の温度に保っておき通電すると,リーク部だけが発熱により相転移温度を超え,リーク部上の液晶だけが周囲と違う分子配列になり光の透過率が変わり,顕微鏡像で欠陥位置が特定できる。
【0010】
本方法は,一般に,簡単な構成の装置で実施可能であるため,解析の初期の段階で多く使用される。反面,本方法は,微小領域の特定に弱く,又,欠陥位置がほとんど発熱しない場合や半導体層全体が発熱してしまうような不具合には,適用することができない。
【0011】
(b)フォトエミッション法
フォトエミッション法は,不良箇所に電流を流した際に発生するフォトンの数をカウントして高抵抗領域や多量に再結合が生じている領域を特定する方法である。具体的には,まず,ICチップ上の微小箇所の微小発光を光学顕微鏡を通して高感度フォトカウンティングカメラにより検出し映像化し,次に,検出した微小発光をイメージブロセッサに取り込み,最後に,画像処理を行ってモニタに表示し光学顕微鏡像と重ね合わせることにより発光箇所を特定する。
【0012】
本方法は,微小領域の特定が可能であり,作業も比較的容易であるため多用されている。反面,本方法は,位置特定のために一定量以上の電流を流す必要があり,微小電流の解析には不向きであり,又大がかりな装置を用いる必要がある。
【0013】
(c)OBIC法
OBIC法は,レーザ光を照射することにより半導体層に生じるOBICの変動をアンプで増幅し,例えば再結合の発生状況や光起電力に生じる差異等を検出して,欠陥位置を特定するものである。即ち,OBIC法では,まず,レーザ光の照射により半導体層に電子−正孔対を発生させ,該キャリア(電子及び正孔)を内部電界によりドリフトさせてOBICとして検出し,更に,レーザ光の照射位置と対応させてOBICの変化を検出することにより欠陥位置を特定する。
【0014】
本方法は,微小な電流変化を検出できるため大電流が必要なく,微小領域の特定も可能である。反面,本方法は,作業に技術的な習熟が要求され,装置の構成も簡易とはいえない。
【0015】
さらに,欠陥位置が特定された後は,欠陥位置を,例えば,走査型電子顕微鏡(Scanning Electron Microscope;SEM)や透過型電子顕微鏡(Transmission Electron Microscope;TEM)等による形状観察や,X線分光法(EDX)等による組成分析を行うことで,欠陥の状況が想定でき,改善への足掛りとなる。
【0016】
【発明が解決しようとする課題】
以上説明したように,欠陥位置の特定は,半導体装置の評価において非常に重要な意味を持つ反面,作業に困難を伴うことが多い。特に,先に例示した3の欠陥位置特定方法は,全てシリコンウェハ表面からの平面的な観察方法であることから,欠陥位置に関する深さ方向の情報は得られない。
【0017】
近年の半導体装置では,集積度を向上させるために平面方向の広がりを抑え,深さ方向に伸展した素子構造を形成する傾向が強くなっている。特徴的なものとしては,素子分離技術として最近多く使われているトレンチ構造による素子分離技術を挙げることができる。例えば深さ6μm以下程度のトレンチ構造を有する半導体素子において,素子分離領域に電流のリークが発生した場合を考える。
【0018】
従来,ウェハ上の平面的な位置情報からかかるリークの発生位置を特定し,その位置でリークが発生する原因を想定し,対策実験を数サイクル行い,リークの対策方法及び原因の究明を行っていた。
【0019】
また,従来,欠陥の深さ方向の位置情報は,試料を劈開若しくはFIBで研削した後に,断面をSEM・SIM(Scanning Ion Microscope)等で観察するといった方法が多用されてきた。
【0020】
しかしながら,以上説明した深さ方向の欠陥位置情報を観察する方法では,金属的に異常のある位置の情報しか得られない。したがって,結晶欠陥等に起因するリーク電流の発生位置等の特定は行えないうえ,破壊試験であるということから試料の使い回しが行えなくなる。また,観察位置を特定して試料の断面を劈開若しくは研削するためには,習熟した技術が要求され,非常に困難である。
【0021】
さらに,現状では,FIBによる断面研削の後TEMによる結晶欠陥発生位置の特定も,同様に技術的・時間的に容易に行えない。以上述べたように,従来の半導体評価方法では,半導体の基板中に欠陥が存在する場合に,当該欠陥の深さ方向での発生位置を特定することは困難であった。
【0022】
本発明は,従来の半導体評価方法が有する上記問題点に鑑みて成されたものであり,試料を切断せずに欠陥位置の深さ方向の位置情報が得られ,即ち,欠陥位置を3次元的に特定できる,新規かつ改良された半導体評価方法及び欠陥位置特定装置を提供することを目的とする。
【0023】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するために,請求項1に記載の発明は,評価対象内の所定の半導体層に生じた欠陥位置を特定する欠陥位置特定工程を含む半導体評価方法において,欠陥位置特定工程は,照射位置を移動させながら第1の光を半導体層に照射して第1の光の照射位置と半導体層に生じる光起電力との関係を検出する第1の工程と,照射位置を移動させながら第1の光に対し所定の傾きを成す第2の光を半導体層に照射して第2の光の照射位置と半導体層に生じる光起電力との関係を検出する第2の工程と,第1の工程で検出された関係と第2の工程で検出された関係とから半導体層の欠陥位置を特定する第3の工程と,を含む構成を採用する。
【0024】
かかる構成を有する請求項1に記載の発明では,欠陥と光起電力との関係に,空間幾何学の基本原理を組み合わせることで,半導体層の欠陥位置の3次元的特定が実現できる。一般に,半導体層において,欠陥部分では局所準位が発生するため,欠陥付近では再結合が促進される。したがって,半導体層における照射光の照射位置と光起電力との関係によって,欠陥位置を通る場合の該照射光の光路が特定可能である。一方,空間幾何学の基本原理によれば,3次元空間内の任意の直線は,該直線の傾きと該直線が通る空間内の1点とによって特定可能であり,3次元空間内の任意の点は,該点を通る非平行な2直線の交点として特定可能である。
【0025】
請求項1に記載の発明では,第1及び第2の工程において,非平行な第1の光と第2の光とのそれぞれについて,照射位置と光起電力との関係を検出している。したがって,検出された2の関係を解析すれば,欠陥位置を通る第1の光の光路と欠陥位置を通る第2の光の光路とが特定可能である。さらに,上記空間幾何学の基本原理を用いれば,特定された第1の光の光路と特定された第2の光の光路との交点として,欠陥位置が3次元的に特定される。
【0026】
以上から,請求項1に記載の発明によれば,評価対象試料を切断せずに欠陥位置を3次元的に特定可能であり,半導体層に生じた欠陥の深さ方向の位置情報が取得可能な半導体評価方法が提供される。尚,請求項1に記載の発明においては,更に,第1の光及び第2の光と所定の角度を成す1以上の光を半導体層に照射して,該光の照射位置と半導体層に生じる光起電力との関係を検出することによって,欠陥位置の特定精度を向上させることが可能である。
【0027】
次に,請求項2に記載の発明は,評価対象は,更に,第1の極性を有し半導体層と接合される他の半導体層を備え,半導体層は,第1の極性と逆極性の第2の極性を有する構成を採用する。かかる構成を有する請求項2に記載の発明においては,半導体層と他の半導体層とによってpn接合構造が形成される。
【0028】
したがって,該接合構造に逆方向バイアスを印加し接合部に所定幅の空乏層を形成すれば,光照射で該空乏層に生じるキャリアが内部電界によって走行(ドリフト)し,拡散電流が発生する。結果として,評価対象外部においては,半導体層に生じる光起電力としてOBICが検出可能となる。尚,請求項1に記載の発明においては,半導体層を含む他の接合構造,例えばpin接合を評価対象内に形成する構成を採用しても,光電流を評価対象外部で検出することができる。
【0029】
次に,請求項3に記載の発明は,第1の光の照射位置の群と第2の光の照射位置の群とが実質的に同一である構成を採用する。かかる構成を有する請求項3に記載の発明では,第1の工程と第2の工程とのそれぞれにおいて,照射位置の範囲が実質的に同一の条件下で,照射位置と光電流との関係を検出することができる。したがって,第3の工程において,信頼性の高い欠陥位置の特定が効率的に実現可能となる。
【0030】
尚,請求項1又は請求項2に記載の発明において,第1の光の照射位置の群と第2の光の照射位置の群とは,各照射光(第1の光又は第2の光である。)が欠陥位置を通る場合の照射位置を含む範囲において,重なり合っていればよい。したがって,第1の光の照射位置の群と第2の光の照射位置の群との関係は,他の様々な関係,例えば一方が他方を含む関係や一部分のみが重なる関係或いは大半が重なり合うが一部分が重なり合わない関係等でもよい。さらに,請求項1〜請求項3において,両照射位置の群は,照射位置が連続的なもの又は断続的なもののいずれでも良い。
【0031】
次に,請求項4に記載の発明は,評価対象がウェハであり,半導体層がウェハの表面に露出する露出面を有する構成を採用する。かかる構成を有する請求項4に記載の発明によれば,半導体素子の製造工程において,各半導体素子のチップ化前のウェハに対し一括的な評価が可能である。したがって,半導体装置の評価を効率的に実施することができる。
【0032】
かかる請求項4に記載の発明においては,半導体層における照射光の透過距離や劈開面における光の散乱等を考慮すると,第1の光と第2の光とを露出面に照射する構成が好適である。ただし,請求項1〜請求項4に記載の発明においては,半導体層の露出面以外の部分から照射光を照射する構成も可能である。尚,請求項1〜請求項3に記載の発明において,評価対象には,ウェハ以外にも,例えばチップ化後の半導体素子や各半導体装置等が適用可能である。
【0033】
さらに,請求項4に記載の発明においては,半導体層をウェハに形成されたTEG内に設定することが好適である。なぜなら,TEGにおいては,当該欠陥以外の原因による光起電力への影響を抑制し易いためである。これに対し,実際の半導体素子では,印加バイアスや回路構造によって半導体層に生じる空乏層の均一化が困難である等の他の原因によって,光起電力に影響が生じ易い。
【0034】
ここで,照射光の照射角度に関しては,請求項5に記載の発明によれば,第1の光又は第2の光のいずれか一方は露出面に対して実質的に垂直に照射される構成を採用することができる。
【0035】
また,上記課題を解決するために,請求項6に記載の発明は,評価対象内の所定の半導体層に生じた欠陥位置を特定する欠陥位置特定装置であって,照射位置を移動させながら半導体層に第1の光を照射する第1の光照射機能と,照射位置を移動させながら半導体層に第1の光に対し所定の傾きを成す第2の光を照射する第2の光照射機能と,半導体層に生じる光起電力を検出する検出機能と,を備える構成を採用する。
【0036】
かかる構成を有する請求項6に記載の発明においては,2の光照射機能(第1の光照射機能及び第2の光照射機能)によって相互に異なる照射角で光を照射することができる。さらに,請求項6に記載の発明においては,それぞれの光照射の場合について,半導体層に生じる光起電力と照射位置との関係を検出手段によって検出することができる。したがって,請求項6に記載の発明によれば,照射位置と光起電力との2の関係をそれぞれ解析を介した欠陥位置の3次元的特定が可能となる。
【0037】
尚,かかる請求項6に記載の発明においては,第1の光照射機能を有する第1の光照射手段と,第2の光照射機能を有する第2の光照射手段と,半導体層に生じる光起電力を検出する検出手段と,を備える構成を採用することが可能である。また,照射位置を移動させながら半導体層に光を照射する光照射手段と,光照射手段の照射角を調整する照射角調整手段と,半導体層に生じる光起電力を検出する検出手段と,を備える構成を採用することも可能である。
【0038】
さらに,請求項6に記載の発明において,照射角調整手段による照射角の調整は,半導体層の方を動かす構成と光照射手段の方を動かす構成とのいずれを採用しても良い。半導体層の方を動かす構成としては,評価対象を保持固定するために,例えば,揺動可能な載置台や揺動可能なアーム等の可動式のウェハ保持手段を用いる構成が採用可能である。光照射手段の方を動かす構成としては,例えば,角度調節が可能な鏡を含む光学系を備える光照射手段や角度調節が可能な光源を含む光照射手段等を適用する構成が採用可能である。
【0039】
また,請求項6に記載の発明においては,評価対象はウェハであり,半導体層はウェハの表面に露出する露出面を有し,露出面が光照射手段と対向するようにウェハを保持固定するウェハ保持手段を備える構成を採用することができる。
【0040】
【発明の実施の形態】
以下に,添付図面を参照しながら,本発明の好適な実施の形態について,詳細に説明する。尚,以下の説明及び添付図面において,同一の機能及び構成を有する構成要素については,同一の符号を付すことにより,重複説明を省略する。
【0041】
(1)半導体評価方法
まず,図1を参照しながら,本実施の形態にかかる半導体評価方法100の概略について説明する。ここで,図1は,本実施の形態にかかる半導体評価方法100についての流れ図(フローチャート)である。
【0042】
半導体評価方法100では,不良状況検出工程110と欠陥位置特定工程120と不良原因解析工程130とが順次実施される。半導体評価方法100において,不良状況検出工程110では,例えばTEGを用いた間接評価により,LSIに生じている不良モードが検出される。
【0043】
本実施の形態にかかる欠陥位置特定工程120では,不良原因を解析する前段階として,例えば欠陥が発生しているTEGや実際の半導体素子等の所定の観察試料等について欠陥位置が特定される。かかる欠陥位置特定工程120では,第1の工程に相当する第1のOBIC工程122と第2の工程に相当する第2のOBIC工程124と第3の工程に相当する解析工程126とが行われる。
【0044】
不良原因解析工程130では,上記欠陥位置特定工程120で特定された欠陥位置の物理的観察や該欠陥の解析等を通じて,評価対象,例えばLSIについて,不良原因が解析される。
【0045】
(欠陥位置特定工程120)
次に,本実施の形態にかかる欠陥位置特定工程120について,図2〜図4を参照しながら,観察試料1における欠陥9の位置特定を例に挙げて,詳細に説明する。尚,図2は,欠陥位置特定工程120におけるレーザ光の照射とOBICとの関係についての説明図である。また,図3は,第1のOBIC工程122についての説明図であり,図4は,第2のOBIC工程124についての説明図である。
【0046】
図2に示すように,観察試料1は,第1導電型の半導体基板3と半導体基板3に積層された第2導電型の拡散層5と拡散層5の露出面である観察面7とを有する。かかる観察試料1には,拡散層5内に欠陥9が発生している。尚,以下の説明では,欠陥9として,例えば結晶欠陥又は不純物濃度の高濃度欠陥等の再結合を促進する欠陥を想定する。しかし,当業者であれば,欠陥9が,例えば不純物濃度の低濃度欠陥等の再結合を抑制する欠陥である場合についても,本実施の形態が適用可能であることは,容易に理解可能である。
【0047】
欠陥位置特定工程120において,観察試料1には,半導体基板3の第1電極13と拡散層5の第2電極15とから成る1組の引出電極対を介して,OBICを増幅するOBICアンプ11の入力側が接続される。さらに,欠陥位置特定工程120において,OBICアンプ11の出力側には,OBICアンプ11によりOBICの増幅電流を検知する増幅電流検知装置21の入力側が接続される。さらにまた,欠陥位置検出工程120において,観察試料1には,逆方向バイアスが印加され,半導体基板3と拡散層5との接合部17付近に空乏層19が形成される。
【0048】
以上のように構成された観察試料1の観察面7に対しレーザ光Pが照射されると,拡散層5には,レーザ光Pの光エネルギによる励起によって,電子−正孔対が発生する。通常空乏層内では再結合が生じ難いため,かかる電子と正孔とは,半導体基板3と拡散層5との接合部17付近に生じている内部電界によって走行する。結果として,観察試料1では,電子−正孔対の拡散電流であるOBICが発生する。
【0049】
かかるOBICは,第1電極13と第2電極15とを介してOBICアンプ11に入力する。OBICアンプ11においては,入力したOBICが増幅され増幅電流として出力される。結果として,増幅電流検知器21による増幅電流の検知を介して,観察面7におけるレーザ光Pの照射位置と拡散層5で生じるOBICとの関係が検出される。
【0050】
ところで,欠陥9付近では,空乏層19内の他の領域に比べて,再結合が生じ易い。したがって,レーザ光Pの光路上に欠陥9が存在する場合には,レーザ光Pの光路上に欠陥9が存在しない場合と比較して,発生するOBIC及び増幅電流が小さくなる。結果として,光路上に欠陥9が存在する場合のレーザ光Pの照射位置が特定可能となる。尚,欠陥位置検出工程120において,レーザ光Pの光源としては,拡散層5に対する透過距離及び反射特性を考慮して適切なレーザを適用することができる。公知のレーザには,例えば,HeNeレーザやArレーザ等のガスレーザ,YAGレーザやガラスレーザ等の固体レーザ,色素レーザ等の液体レーザ,或いは,GaAsやInP等の半導体レーザ等がある。
【0051】
(第1のOBIC工程122)
次に,欠陥位置特定工程120で行われる一の工程である第1のOBIC工程122について,図3(図3(a)〜図3(d))を参照しながら説明する。
【0052】
図3(a)には,第1のOBIC工程122における観察試料1の概略的な断面図を示す。図3(a)に示すように,第1のOBIC工程122では,レーザ光P1が,観察面7に対し観察試料1の上方(拡散層5側)から略垂直に照射される。したがって,第1のOBIC工程122では,レーザ光P1が観察面7上で欠陥9の直上部に照射された場合に,欠陥9がレーザ光P1の光路上に存在することになる。尚,第1のOBIC工程122では,レーザ光P1の観察面7上の照射位置が連続的に走査される。
【0053】
図3(b)には,第1のOBIC工程122における観察試料1の概略的な平面図を示す。図3(b)では,観察面7における欠陥9の直上部分,即ち欠陥9が光路上に存在する場合のレーザ光P1の照射位置をb1で示す。かかる照射位置b1は,観察面7のd1−d2線上に存在するものとする。
【0054】
図3(c)には,レーザ光P1の照射位置がd1−d2線上を移動している場合についてレーザ光P1の照射位置とOBICとの関係を概略的なグラフとして示す。図3(c)に示すように,レーザ光P1がb1に照射されている場合には,レーザ光P1がd1−d2線上のb1以外に照射されている場合と比べて,検知されるOBICが小さくなる。なぜなら,欠陥9が存在する領域にレーザ光P1が照射された場合には,欠陥9が存在することによって,レーザ光P1の光エネルギで励起された電子−正孔対の多くが再結合してしまうためである。
【0055】
図3(d)には,第1のOBIC工程122で検出されるOBICのコントラストのイメージを観察面7におけるレーザ光P1の照射位置毎に光輝度で示す。結果として,第1のOBIC工程122によって,欠陥9の位置についての一の平面的な位置情報を得ることができる。
【0056】
以上説明した第1のOBIC工程122が終了した時点では,図3(b)に示すように,欠陥9の発生位置について,平面的な位置情報を得ることができる。しかし,本時点では,欠陥9の発生位置について,深さ方向の位置情報を得ることはできない。
【0057】
(第2のOBIC工程124)
次に,欠陥位置特定工程120に含まれる他の工程である第2のOBIC工程124について,図4(図4(a)〜図4(d))を参照しながら説明する。
【0058】
図4(a)には,第2のOBIC工程124における観察試料1の概略的な断面図を示す。図4(a)に示すように,第2のOBIC工程124では,レーザ光P2が,観察面7に対し観察試料1の上方(拡散層5側)から垂直ではない所定の照射角θで照射される。したがって,第2のOBIC工程124では,光路上に欠陥9が存在する場合のレーザ光P2の照射位置は,欠陥9の非直上部となる。尚,第2のOBIC工程124でも,第1のOBIC工程124と同様に,レーザ光P2の観察面7上の照射位置が連続的に走査される。
【0059】
図4(b)には,第2のOBIC工程124における観察試料1の概略的な平面図を示す。図4(b)では,欠陥9が光路上に存在する場合のレーザ光P2の照射位置をb2で示す。かかるb2は,観察面7のd1’−d2’線上に存在するものとする。
【0060】
図4(c)には,レーザ光P2の照射位置がd1’−d2’線上を移動している場合についてレーザ光P2の照射位置とOBICとの関係を示す概略的なグラフ図を示す。図4(c)に示すように,レーザ光P2の照射位置がb2である場合には,レーザ光P2の照射位置がd1’−d2’線上のb2以外である場合と比べて,検知されるOBICが小さくなる。なぜなら,欠陥9が存在する領域にレーザ光P2が照射された場合には,欠陥9が存在することによって,レーザ光P2の光エネルギで励起された電子−正孔対の多くが再結合してしまうためである。
【0061】
図4(d)には,第2のOBIC工程124で検出されるOBICのコントラストのイメージを観察面7におけるレーザ光P2の照射位置毎に光輝度で示す。結果として,第2のOBIC工程124では,欠陥9の位置について,第1のOBIC工程122で得られたものとは異なる平面的な位置情報を得ることができる。
【0062】
(1−3)解析工程126
次に,解析工程126について,引き続き図4を参照しながら説明する。解析工程126では,第1のOBIC工程122で検出された照射位置blと第2のOBIC工程124で検出された照射位置b2とから,図4(a)に示す実際に欠陥9が存在する深さcが解析的に検出される。具体的には,欠陥9の深さcは,c=b×tanθとして求めることができる。ただし,bは,図4(d)に示すように位置b1と位置b2との距離を表す。
【0063】
以上のように,解析工程126では,第1のOBIC工程122と第2のOBIC工程124とで別々に検出された欠陥9の平面的な位置情報から,欠陥9の発生位置について深さ方向の位置情報が得られる。結果として,欠陥位置特定工程120では,欠陥位置9の位置が3次元的に特定される。
【0064】
(2)欠陥位置特定装置
次に,図5及び図6を参照しながら本実施の形態にかかる欠陥位置特定装置の構成例について説明する。ここで,図5は,本実施の形態にかかる一の装置である欠陥位置特定装置20の概略的な構成説明図であり,図6は,本実施の形態にかかる他の装置である欠陥位置特定装置30の概略的な構成説明図である。本実施の形態にかかる欠陥位置特定装置は,上記本実施の形態にかかる半導体評価方法の欠陥位置特定工程126に適用可能な装置である。
【0065】
図5に示すように,欠陥位置特定装置20は,ウェハ40を載置する載置台24と,ウェハ40の観察面42に照射位置を走査しながらレーザ光を照射するレーザ照射器22と,を備えている。欠陥位置特定装置20において,レーザ照射器22は,レーザ光の出力角を変化させてウェハ40へのレーザ光の照射角を調整することができる。
【0066】
かかるレーザ照射器22は,例えば,1のレーザ光源と該レーザ光源から出力されるレーザ光の進行方向を調整する光学系とを内装する構成や,相異なる角度で配置した2のレーザ光源を内装する構成等によって,実現することができる。尚,レーザ光の進行方向を調節する光学系は,例えば,反射や屈折或いは回折や干渉等の各種の光学的現象を利用して容易に実現することができる。
【0067】
また,図6に示すように,欠陥位置特定装置30は,ウェハ40を載置する載置台34と,ウェハ40の観察面42に照射位置を走査しながらレーザ光を照射するレーザ照射器32と,を備えている。欠陥位置特定装置30において,載置台34は,揺動可能な構成となっている。即ち,欠陥位置特定装置30では,載置台34の揺動動作によって,ウェハ40へのレーザ光の照射角を調整することができる。
【0068】
以上説明したように,本実施の形態では,観察試料の観察面に対し2の照射角(略垂直と照射角θ)にレーザ光を照射することにより,欠陥位置について2の平面的な情報(観察面上での情報)が検出される。さらに,本実施の形態では,かかる2の平面的な情報を解析することにより,欠陥位置について深さ方向の情報を得ることができる。結果として,本実施の形態によれば,非破壊試験によって欠陥の深さ位置が特定できるため,大幅に効率が改善された半導体装置の評価が実現可能となる。
【0069】
以上,本発明に係る好適な実施の形態について説明したが,本発明はかかる構成に限定されない。当業者であれば,特許請求の範囲に記載された技術思想の範囲内において,各種の修正例及び変更例を想定し得るものであり,それら修正例及び変更例についても本発明の技術範囲に包含されるものと了解される。
【0070】
【発明の効果】
本発明によれば,半導体層に生じた欠陥位置の3次元的な特定が,破壊試験によらずに簡単に実施できる。したがって,本発明は,例えばトレンチ構造による素子分離技術を用いて高集積化のために3次元構造化された半導体装置についても容易に適用することができる。結果として,本発明によれば,LSIをはじめとする半導体装置の検査効率が,大幅に上昇する。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明を適用可能な半導体評価方法の流れ図である。
【図2】図1に示す半導体評価方法の欠陥位置特定工程についての説明図である。
【図3】図2に示す欠陥位置特定工程の第1のOBIC工程についての説明図である。
【図4】図2に示す欠陥位置特定工程の第2のOBIC工程についての説明図である。
【図5】本発明を適用可能な一の欠陥位置特定装置の概略的な構成説明図である。
【図6】本発明を適用可能な他の欠陥位置特定装置の概略的な構成説明図である。
【符号の説明】
1 観察試料
5 拡散層
9 欠陥
20,30 欠陥位置特定装置
100 半導体評価装置
120 欠陥位置特定工程
122,124 OBIC工程
126 解析工程
P,P1,P2 レーザ光
Claims (8)
- 評価対象内の所定の半導体層に生じた欠陥位置を特定する欠陥位置特定工程を含む,半導体評価方法であって:
前記欠陥位置特定工程は;
照射位置を移動させながら第1のレーザ光を前記半導体層に照射して,前記第1のレーザ光の照射位置と前記半導体層に生じる光誘起電流との関係を検出する,第1の工程と;
照射位置を移動させながら前記第1のレーザ光に対し所定の傾きを成す第2のレーザ光を前記半導体層に照射して,前記第2のレーザ光の照射位置と前記半導体層に生じる光誘起電流との関係を検出する,第2の工程と;
前記第1の工程で検出された関係と前記第2の工程で検出された関係とから前記半導体層の前記欠陥位置を特定する,第3の工程と;
を含むことを特徴とする,半導体評価方法。 - 前記評価対象は,更に,第1の極性を有し前記半導体層と接合される他の半導体層を備え;
前記半導体層は,前記第1の極性と逆極性の第2の極性を有する:
ことを特徴とする,請求項1に記載の半導体評価方法。 - 前記第1のレーザ光の照射位置の群と前記第2のレーザ光の照射位置の群とは,実質的に同一であることを特徴とする,請求項1又は2に記載の半導体評価方法。
- 前記評価対象は,ウェハであり;
前記半導体層は,前記ウェハの表面に露出する露出面を有する;
ことを特徴とする,請求項1,2又は3のいずれかに記載の半導体評価方法。 - 前記第1のレーザ光又は前記第2のレーザ光のいずれか一方は,前記露出面に対して実質的に垂直に照射されることを特徴とする,請求項1,2,3又は4のいずれかに記載の半導体評価方法。
- 前記半導体層には前記光誘起電流を引出すための電極が設けられていることを特徴とする,請求項1に記載の半導体評価方法。
- 前記半導体層は,半導体基板と該半導体基板上に形成された拡散層とから構成され,
前記半導体基板および前記拡散層には前記光誘起電流を引出すための電極がそれぞれ設けられていることを特徴とする,請求項1に記載の半導体評価方法。 - 評価対象内の所定の半導体層に生じた欠陥位置を特定する,欠陥位置特定装置であって:
照射位置を移動させながら前記半導体層に第1のレーザ光を照射する第1のレーザ光照射機能と,照射位置を移動させながら前記半導体層に前記第1のレーザ光に対し所定の傾きを成す第2のレーザ光を照射する第2のレーザ光照射機能と,前記半導体層に生じる光誘起電流を検出する検出機能と,を備えることを特徴とする,欠陥位置特定装置。
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