JP7376369B2 - 半導体素子の検査装置 - Google Patents
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Description
的に検出することができる半導体素子の検査装置を提供することを目的とする。
そして、発光の情報を重ねて被検出物の3次元の状況を把握することができ、電気的には検出されない状況を認識することができる。また、その逆もしかりであり、電気的にだけ検出されて発光では検出されない状況を認識することができる。
2 半導体素子
3 レーザ光照射手段
4 テーブル
5 対物レンズ
7 分光ミラー
8 フィルター
9 集光レンズ
10 検出器
11 ヘッド部
12 XY軸走査手段
13 Z軸調整手段
14 電圧源
15 電流計
16 制御手段
17 表示手段
20 半導体
21 XY軸制御機能
22 Z軸制御機能
23 XY平面記憶機能
31 空乏層
Claims (5)
- レーザ光を集光して試料である半導体素子に照射するレーザ光照射手段と、
前記試料に電圧を印加する電圧印加手段と、
前記電圧印加手段で電圧が印加され、前記レーザ光照射手段でレーザ光が照射された前記試料の光起電流を検出する電気信号検出手段と、
前記レーザ光照射手段でレーザ光が照射された前記試料からの発光を検出する光検出手段と、
前記レーザ光照射手段をXY平面で走査させるXY軸走査手段と、
前記レーザ光照射手段の集光位置を前記XY平面に直行するZ軸方向で調整するZ軸走査手段と、
前記電気信号検出手段で検出された光起電流に基づいて、及び、前記光検出手段で検出された発光の情報を含めて前記試料の中の被検出物を認識する認識手段と、
前記レーザ光照射手段の前記XY軸走査手段、及び、前記Z軸走査手段を統合して制御することで、複数のZ軸位置でのXY平面の被検出物を前記認識手段で認識し、認識された被検出物の情報に基づいて被検出物の3次元の形状を把握する3次元形状把握手段とを備えた
ことを特徴とする半導体素子の検査装置。 - 請求項1に記載の半導体素子の検査装置において、
前記認識手段で認識する前記被検出物は、前記半導体素子の中の空乏層、及び/または、前記半導体素子に生成された結晶欠陥である
ことを特徴とする半導体素子の検査装置。 - 請求項2に記載の半導体素子の検査装置において、
前記3次元形状把握手段は、
把握された結晶欠陥の3次元の形状を基に、前記空乏層の領域、及び/または、前記結晶欠陥の診断を行う診断機能を有している
ことを特徴とする半導体素子の検査装置。 - 請求項2もしくは請求項3に記載の半導体素子の検査装置において、
前記3次元形状把握手段には、
把握された空乏層の領域、及び/または、結晶欠陥の3次元の形状を表示する表示機能を有している
ことを特徴とする半導体素子の検査装置。 - 請求項2から請求項4のいずれか一項に記載の半導体素子の検査装置において、
前記半導体素子は、
珪素半導体、炭化珪素半導体、窒化ガリウム半導体、酸化ガリウム半導体、ダイヤモンド半導体から製造されている
ことを特徴とする半導体素子の検査装置。
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