JP5296751B2 - 試料検査装置及び吸収電流像の作成方法 - Google Patents
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Description
(形態例1)
図1に、試料検査装置の概略構成例を示す。形態例に係る試料検査装置は、前述した検出方式のうち電子線吸収電流像(EBAC)の生成に差動増幅器を用いる方式に対応する。
図2に、形態例1に係る試料検査装置を搭載する半導体検査装置の構成例を示す。形態例に係る半導体検査装置は、電子線を照射できる電子線照射光学系を有している。電子線照射光学系は、電子線源5、コンデンサレンズ16、17、絞り18、スキャン偏向器19、イメージシフト偏向器20、対物レンズ21で構成される。従って、電子線源5より射出された一次電子線1は、コンデンサレンズ16及び17、絞り18、スキャン偏向器19、イメージシフト偏向器20、対物レンズ21を経由して試料2に照射される。この際、一次電子線1は、スキャン偏向器19等により試料2の表面を走査する。
図3に、試料検査装置の他の概略構成例を示す。図3には、図1との対応部分に同一符号を付して示す。本形態例に係る試料検査装置も、電子線吸収電流像(EBAC)の生成に差動増幅器を用いる方式に対応する。
図4に、形態例3に係る試料検査装置を搭載する半導体検査装置の構成例を示す。なお、図4には、図2(形態例2)との対応部分に同一符号を付して示している。以下では、形態例2との相違点、特に抵抗値変異検出回路35に関連する制御動作を中心に説明する。
2:試料
3:配線パターン
4:探針
5:電子線源
6:不良箇所
7:定電流源
8:可変抵抗
9:固定抵抗
10:固定抵抗
11:ブリッジ回路
12:差動増幅器
13:吸収電流像
14:表示部
15:吸収電流像(不良箇所)
16,17:コンデンサレンズ
18:絞り
19:スキャン偏向器
20:イメージシフト偏向器
21:対物レンズ
22:二次電子線
23:二次電子線検出器
24:SEM制御部
25:ビデオボード
26:記録部
27:試料ホルダ
28:試料ステージ
29:探針ステージ
30:増幅器
31:抵抗制御部
32:A/D変換機
34:コンデンサ
35:抵抗値変異検出回路
36:スイッチ
Claims (10)
- 試料を載置できる試料台と、
電子線を前記試料に照射できる電子線照射光学系と、
前記試料に接触される少なくとも2つの探針と、
前記試料に対する2つの探針の接触により特定される配線区間を未知の抵抗分として用いるブリッジ回路と、
平衡状態時に等電位が現れる前記ブリッジ回路上の2点から信号を入力する差動増幅器と、
前記試料に対する電子線の走査に伴って前記差動増幅器に現われる差動出力信号と前記電子線の走査を制御する信号とに基づいて吸収電流像を出力する画像処理部と、
前記吸収電流像を表示する表示部と
を有することを特徴とする試料検査装置。 - 請求項1に記載の試料検査装置において、
前記試料が、配線パターンが形成された半導体試料である
ことを特徴とする試料検査装置。 - 請求項1又は2に記載の試料検査装置において、
前記配線区間の回路パラメータを、前記ブリッジ回路の既知の抵抗値を用いた演算処理を通じて計算する
ことを特徴とする試料検査装置。 - 試料を載置できる試料台と、電子線を前記試料に照射できる電子線照射光学系と、前記試料に接触される少なくとも2つの探針とを有する試料検査装置を用いた吸収電流像の作成方法において、
前記試料に対する2つの探針の接触により特定される配線区間を未知の抵抗分として用いるブリッジ回路を平衡状態に制御する処理と、
平衡状態時に等電位が現れる前記ブリッジ回路上の2点から信号を差動増幅器に入力する処理と、
前記試料に対する電子線の走査に伴って前記差動増幅器に現われる差動出力信号と前記電子線の走査を制御する信号とに基づいて吸収電流像を出力する処理と、
前記吸収電流像を表示する処理と
を有することを特徴とする試料検査装置を用いた吸収電流像の作成方法。 - 試料を載置できる試料台と、
電子線を前記試料に照射できる電子線照射光学系と、
前記試料に接触される少なくとも2つの探針と、
前記試料に対する2つの探針の接触により特定される配線区間に直列に接続される抵抗と、当該抵抗及び前記配線区間に定電流又は定電圧を供給する定電流源又は定電圧源とを有し、前記抵抗及び前記配線区間の接続中点に現われる信号を検出信号とする検出回路と、
前記検出信号から直流成分を除去する素子と、
直流成分を除去した後の前記検出信号と基準信号を入力する差動増幅器と、
前記試料に対する電子線の走査に伴って前記差動増幅器に現われる差動出力信号と前記電子線の走査を制御する信号とに基づいて吸収電流像を出力する画像処理部と、
前記吸収電流像を表示する表示部と
を有することを特徴とする試料検査装置。 - 請求項5に記載の試料検査装置において、
前記差動増幅器に対する一方の入力を、直流成分を除去した後の前記検出信号と直流成分を除去する前の前記検出信号の間で切り替える切替手段
を有することを特徴とする試料検査装置。 - 請求項5又は6に記載の試料検査装置において、
前記抵抗が、可変抵抗である
ことを特徴とする試料検査装置。 - 請求項5又は6に記載の試料検査装置において、
前記試料が、配線パターンが形成された半導体試料である
ことを特徴とする試料検査装置。 - 請求項5又は6に記載の試料検査装置において、
前記配線区間の回路パラメータを、前記抵抗の抵抗値及び前記差動増幅器に現われる差動出力信号を用いた演算処理を通じて計算する
ことを特徴とする試料検査装置。 - 試料を載置できる試料台と、電子線を前記試料に照射できる電子線照射光学系と、前記試料に接触される少なくとも2つの探針とを有する試料検査装置を用いた吸収電流像の作成方法において、
前記試料検査装置が、前記試料に対する2つの探針の接触により特定される配線区間に直列に接続される抵抗と、当該抵抗及び前記配線区間に定電流又は定電圧を供給する定電流源又は定電圧源とを含む検出回路を有し、
前記抵抗及び前記配線区間の接続中点に現われる信号を検出信号として直流成分を除去する素子に入力する処理と、
直流成分を除去した後の前記検出信号と基準信号を差動増幅器に入力する処理と、
前記試料に対する電子線の走査に伴って前記差動増幅器に現われる差動出力信号と前記電子線の走査を制御する信号とに基づいて吸収電流像を出力する処理と、
前記吸収電流像を表示する処理と
を有することを特徴とする試料検査装置を用いた吸収電流像の作成方法。
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