TWI392867B - 故障解析方法及故障解析裝置 - Google Patents

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Description

故障解析方法及故障解析裝置
本申請案係依據2007年6月29日於日本申請之特願2007－172554號專利申請案而主張優先權，並在本申請案中援用其全部揭示事項。
本發明係關於用以解析半導體晶片或晶圓之故障的故障解析方法及故障解析裝置，特別有關將半導體晶片上之故障處加以不損壞而縮小範圍的故障解析方法及故障解析裝置。
故障解析方法．裝置使用於確定LSI晶片等之半導體晶片上的故障處，並研究故障的原因。故障解析的順序可略分為二。首先，將半導體晶片上之可能故障處加以不損壞而縮小範圍到微米級。其次，將縮小範圍後之處進行物理化學性破壞解析。就有關此種故障解析方法．裝置的習知技術而言，有以下之技術。
習知例1中，揭示如圖4所示的技術(例如，請參照非專利文獻1)。先形成在LSI晶片101之二端子間以定電壓源103流出電流的狀態，並於將加熱用雷射光束102聚光在LSI晶片101之表面附近的狀態下，掃描待觀測範圍。又，由於加熱用雷射光束102多半從LSI晶片101背面照射，因此圖中也如此顯示。當加熱用雷射光束102照射到LSI晶片101上的電流通道(相當於106)時，由於該處之配線的溫度上升，配線電阻產生變化，因此以電流變化檢測計104可偵測其變化。藉由將電流變化檢測計104的輸出信號顯示成掃描影像，而電流通道106可視覺化。另外，當配線中出現缺陷105時，由於溫度上升之程度與無缺陷105之處並不同，因此於掃描影像上可得到對比。如上所述，使用習知例1時，LSI晶片101上的電流通道106、電流通道106中的缺陷105可視覺化。由於此方法之掃描影像的空間解析度取決於加熱用雷射光束102的直徑，因此最高可得到次微米的解析度。
習知例2中，揭示如圖5所示的技術(例如，請參照專利文獻1)。SQUID磁通計203係目前最高感度的磁性感測器。以產生光電流用雷射光束202照射LSI晶片201的表面附近時，於LSI晶片201出現產生光電流處。產生光電流處係出現p－n接合或不純物濃度差之處與其附近等。當產生光電流時，則產生磁場。以SQUID磁通計203檢測出該磁場。於固定照射產生光電流用雷射光束202到產生光電流處的狀態下，將SQUID磁通計203在待觀測範圍內掃描，得到掃描影像。得到之掃描影像顯示磁場的分布，但藉由將此進行傅立葉轉換(Fourier Transform)，可得到電流分布的影像。又，SQUID係Superconducting Quantum Interference Device的略稱，日語稱超導量子干涉元件。
【專利文獻1】日本特開2006－258479號公報
【非專利文獻1】二川、井上「依IR－OBIRCH法所為之從晶片背面的觀測」、NEC技報、日本電氣股份有限公司、1997年、Vol.50、No.6、P.68－73
然而，習知例1(請參照圖4)中，使電流流入以LSI晶片101內部為目標的配線，係非常困難。其原因在於：習知例1中，有必要於LSI晶片101之外部與二端子連接。亦即，為以定電壓源103使電流流出，並以電流變化檢測計104檢測出電流變化，必須進行二端子的外部連接。實際之LSI晶片101可往外部取出的端子數至多為數千端子。另一方面，LSI晶片101之內部的配線數從數萬到數億皆有。因此，僅使用LSI晶片101的外部端子而欲使電流流入LSI晶片101之內部的任意配線，係非常困難。
又，習知例1中，於LSI晶片101在製造半途中之應用非常困難。亦即，於LSI晶片101的製造半途中，由於未形成用以導出外部端子的接墊電極(pad electrode)，因此應用習知例1非常困 難。
習知例2(請參照圖5)中，並不須與LSI晶片201之外部連接，但電流通道204的空間解析度較差，約數十微米左右。空間解析度較差的原因在於：掃描影像的空間解析度取決於「SQUID元件之大小」或「SQUID元件及LSI晶片之距離」中的較大者。亦即，SQUID磁通針203之中心功能在於檢測出磁場二部分的SQUID元件，而SQUID元件至少必須冷卻到80K(克氏溫度，temperature，Kelvin)左右。另外，由於LSI晶片201在大氣中，SQUID元件為80K左右以下，因此使SQUID元件及LSI晶片201的距離縮短到數十微米以下，係非常困難。從而，空間解析度最高僅能得到數十微米左右。雖有縮小SQUID元件之大小到數微米左右，並得到微米級的解析度之例；但為縮短「SQUID元件及LSI晶片的距離」，樣本處於真空中被冷卻的狀態，並不具實用性。
又，習知例2中，缺陷並無法視覺化。缺陷無法視覺化的原因在於：原本該技術並不具有將缺陷視覺化的結構。
本發明之主要課題為：解析半導體晶片的故障時，不須與外部進行端子連接，能以次微米之空間解析度將電流通道及缺陷視覺化。
本發明之第1視點中，用以解析樣本(半導體晶片或晶圓)之故障的故障解析方法，其特徵係包含：以產生光電流用雷射光束將半導體晶片或晶圓固定照射的步驟；以加熱用雷射光束於該半導體晶片或晶圓之待觀測區域掃描而照射的步驟；以磁性感測器檢測出因該產生光電流用雷射光束及該加熱用雷射光束之照射而在該半導體晶片或晶圓所產生電流變化的步驟；依據以該磁性感測器檢測到之電流變化而解析該半導體晶片或晶圓之故障的步驟。
本發明之第2視點中，用以解析樣本(半導體晶片或晶圓)之故障的故障解析裝置包含：加熱用雷射，用以輸出加熱用雷射光束；產生光電流用雷射，用以輸出產生光電流用雷射光束；光學系， 將混合所輸入該產生光電流用雷射光束及該加熱用雷射光束之混合雷射光束加以朝由半導體晶片或晶圓構成的樣本之背面輸出；磁性感測器，於該樣本之正面側檢測出因該混合雷射光束之照射而在該樣本產生之電流所形成的磁場。其特徵為：該光學系將該混合雷射光束中之該產生光電流用雷射光束，依據控制信號而定位，固定照射到該樣本的背面；且將該混合雷射光束中之該加熱用雷射光束，依據控制信號而一邊掃描一邊照射到該樣本的背面。
依本發明，藉由以產生光電流用雷射光束流出半導體晶片或晶圓的電流，並以磁性感測器檢測出電流變化，而不須與外部進行端子連接；且藉由掃描加熱用雷射光束，能以次微米之空間解析度將電流通道及缺陷視覺化。
 實施發明之最佳形態
本發明之該故障解析方法中，該磁性感測器較佳為SQUID磁通計。
本發明之該故障解析方法中，該產生光電流用雷射光束的固定照射，較佳係照射該半導體晶片或晶圓的p－n接合部。
本發明之該故障解析方法中，該產生光電流用雷射光束較佳係透射該半導體晶片或晶圓的基板，且於p－n接合部產生光電流的波長區域；加熱用雷射光束較佳係透射該半導體晶片或晶圓的基板，且不於p－n接合部產生光電流而加熱配線的波長區域。
本發明之該故障解析方法中，該產生光電流用雷射光束較佳係例如波長1.06 μm；該加熱用雷射光束較佳係例如波長1.3 μm。
本發明之該故障解析方法中，較佳之實施方式為：該產生光電流用雷射光束及該加熱用雷射光束的照射，從該半導體晶片或晶圓的背面側進行；該磁性感測器所為之檢測，於該半導體晶片或晶圓的正面側進行
本發明之該故障解析方法中，較佳之實施方式為：該磁性感測器檢測出因該產生光電流用雷射光束及該加熱用雷射光束的照射而產生在該半導體晶片或晶圓之電流所形成的磁場。
本發明之該故障解析方法中，較佳之實施方式為：於該半導體晶片或晶圓之故障的解析，進行使該磁性感測器所輸出之信號對應到掃描點的影像處理。
本發明之該故障解析方法中，較佳之實施方式為：於該半導體晶片或晶圓之故障的解析，在鎖相放大器(lock－in amplifier)僅取出從該磁性感測器所輸出之信號的既定頻率之信號，且依據取出的既定頻率之信號而進行影像處理。
本發明之該故障解析裝置中，該磁性感測器較佳為SQUID磁通計。
本發明之該故障解析裝置中，較佳係包含鎖相放大器，依據對應於該磁性感測器檢測到之信號的磁場信號，將僅取出既定頻率之信號的強度信號輸出。
本發明之該故障解析裝置中，包含產生調變信號與基準信號的脈衝產生器；該加熱用雷射較佳係依據來自該脈衝產生器之該調變信號，輸出已進行調變後的加熱用雷射光束，該鎖相放大器較佳係依據來自該脈衝產生器之基準信號，輸出相位信號。
本發明之該故障解析裝置中，較佳為包含系統控制系，依據來自該鎖相放大器之該相位信號及該強度信度，產生影像顯示用信號。
[實施例1]
以下利用圖式，說明依本發明之實施例1的故障解析方法。圖1係依本發明之實施例1的故障解析方法之示意概略圖。
依實施例1的故障解析方法，係關於將半導體晶片或晶圓上之可能故障處加以不損壞而縮小範圍到微米級的方法，而將產生光電流用雷射光束2及加熱用雷射光束3從LSI晶片1(或LSI晶圓)之背面側照射，將SQUID磁通針4配置於LSI晶片1之正面 側。產生光電流用雷射光束2固定照射到LSI晶片1表面附近的p－n接合部之一點(例如，請參照圖2)。加熱用雷射光束3於待觀測區域掃描而照射。SQUID磁通針4檢測出因照射而產生在LSI晶片1之電流(電流變化)所形成的磁場，並輸出依據檢測到之磁通的信號。SQUID磁通針4的磁通檢測中，由於觀測加熱用雷射光束3照射時的LSI晶片1之電流變化，因此非僅電流通道5，也能檢測出缺陷6。另外，藉由進行使SQUID磁通針4所輸出之信號對應到掃描點的影像處理，可取得掃描影像。
依實施例1，由於在電流產生上係使用產生光電流用雷射光束2，在掃描影像用之信號上則使用SQUID磁通針4的輸出信號，因此不須進行與外部(定電壓源、電流變化檢測計)的端子連接，而解除習知例1(請參照圖4)的缺點。
又，由於掃描影像之空間解析度取決於加熱用雷射光束3的光束直徑，因此依實施例1，可得到次微米單位的解析度，也解除習知例2(請參照圖5)的第1缺點(空間解析度較差)。
而且，依實施例1，由於觀測加熱用雷射光束3照射時的電流變化，因此非僅電流通道5，缺陷6也可視覺化，也解除習知例2(請參照圖5)的第2缺點(缺陷看不見)。
[實施例2]
接著利用圖式，說明依本發明之實施例2的故障解析方法。圖2係依本發明之實施例2的故障解析方法之示意概略圖。
依實施例2的故障解析方法中，藉由規定兩種雷射之波長，將產生光電流用及加熱用的不同明確且具體地顯示。產生光電流用雷射光束2及加熱用雷射光束3從LSI晶片1的背面側照射，而SQUID磁通針4配置於LSI晶片1的正面側，此點係與實施例1相同。
產生光電流用雷射光束2採用波長1.06 μm的雷射，固定照射到LSI晶片1的表面附近之p－n接合部。產生光電流用雷射光束2採用波長1.06 μm之雷射的原因在於：係透射LSI晶片1之Si(P 型基板)，且於p－n接合部產生光電流的波長區域。
加熱用雷射光束3採用波長1.3 μm的雷射，以頻率ν1 進行調變，掃描待觀測區域。加熱用雷射光束3採用波長1.3 μm之雷射的原因在於：係透射LSI晶片1之Si(P型基板)，且不於p－n接合部產生光電流而加熱配線的波長區域。
SQUID磁通計4檢測出來自LSI晶片1的磁通(磁場)，且輸出依據檢測到之磁通的信號。SQUID磁通針4的磁通檢測中，由於觀測加熱用雷射光束3照射時的LSI晶片1之電流變化，因此非僅電流通道(圖1之5)，也能檢測出缺陷(圖1之6)。
對應於以SQUID磁通針4檢測到之磁通的信號被輸入鎖相放大器7，於鎖相放大器7僅取出輸入信號的頻率ν1 之信號。使用鎖相放大器7的原因在於：用以改善S/N(信號雜訊比，signal－to－noise ratio)。另外，藉由依據頻率ν1 之信號而進行影像處理，可取得掃描影像。
依實施例2，發揮與實施例1相同之效果，並藉由使用鎖相放大器7而提高S/N。
[實施例3]
接著利用圖式，說明依本發明之實施例3的故障解析裝置。圖3係依本發明之實施例3的故障解析裝置之結構的示意區塊圖。
依實施例3之故障解析裝置係採用依實施例1、2之故障解析方法的裝置，包含：脈衝產生器10、加熱用雷射13、產生光電流用雷射15、光學系17、試料台19、SQUID磁通計22、SQUID用電子電路23、鎖相放大器25、系統控制系28、個人電腦30、顯示器31。
脈衝產生器10係產生為脈衝之調變信號12與基準信號11的裝置。加熱用雷射13係依據來自脈衝產生器10的調變信號12而輸出加熱用雷射光束的裝置，將進行調變後之加熱用雷射光束經由光纖14朝光學系17輸出。產生光電流用雷射15係輸出產生光電流用雷射光束的裝置，將產生光電流用雷射光束經由光纖16朝 光學系17輸出。
光學系17係一種依據所輸入的產生光電流用雷射光束及加熱用雷射光束，將混合兩種雷射光束之雷射光束18加以朝樣本20(LSI晶片或LSI晶圓)的背面輸出之光學裝置。光學系17將雷射光束18中之來自產生光電流用雷射15的產生光電流用雷射光束，依據來自系統控制系28的雷射掃描信號33而定位，固定照射到樣本20的背面之一點。又，光學系17將雷射光束18中之來自加熱用雷射13的加熱用雷射光束，依據來自系統控制系28的雷射掃描信號33，而一邊掃描一邊照射到樣本20的背面。
試料台19係用以載置樣本20的平台，可依據來自系統控制系28的平台掃描信號32而進行X－Y掃描。
SQUID磁通計22係將因照射產生於樣本20之電流所形成的磁場21加以在樣本20之正面側檢測出的測量器，並將檢測到的信號朝SQUID用電子電路23輸出。SQUID用電子電路23係依據來自SQUID磁通計22之信號而產生磁場信號24的電子電路，且將產生之磁場信號24朝鎖相放大器25輸出。
鎖相放大器25依據所輸入之基準信號11與磁場信號24，將相位信號26(顯示基準信號11與磁場信號24的相位差之信號)、及僅取出頻率ν1 之信號的強度信號27加以朝系統控制系28輸出。
系統控制系28為控制故障解析裝置內之各結構部的裝置。系統控制系28依據來自鎖相放大器25的相位信號26與強度信號27而產生影像顯示用信號29，並將產生的影像顯示用信號29朝個人電腦30輸出。系統控制系28輸出為試料台19的X－Y掃描或定位之控制信號的平台掃描信號32。又，系統控制系28將為產生光電流用雷射光束之定位、與加熱用雷射光束之定位及X－Y掃描之控制信號的雷射掃描信號33，朝光學系17輸出。
個人電腦30係個人計算機(personal computer)，依據來自系統控制系28的影像顯示用信號29，使強度影像及相位影像顯示於顯 示器31。
依實施例3，與實施例1、2發揮相同效果，且不僅強度影像而同時使用相位影像，藉此能得到更豐富的資訊，可使電流通道及缺陷的視覺化之感度．性能提高。
於該等實施例之範圍內，樣本為半導體晶片或晶圓。
本發明並不限於上述實施例，依據所揭示之原理，可進行適於各種檢查對象的變更。
1‧‧‧LSI晶片
2‧‧‧產生光電流用雷射光束
3‧‧‧加熱用雷射光束
4‧‧‧SQUID磁通計(磁性感測器)
5‧‧‧電流通道
6‧‧‧缺陷
7‧‧‧鎖相放大器
10‧‧‧脈衝產生器
11‧‧‧基準信號
12‧‧‧調變信號
13‧‧‧加熱用雷射
14‧‧‧光纖
15‧‧‧產生光電流用雷射
16‧‧‧光纖
17‧‧‧光學系
18‧‧‧雷射光束
19‧‧‧試料台
20‧‧‧樣本
21‧‧‧磁場
22‧‧‧SQUID磁通計
23‧‧‧SQUID用電子電路
24‧‧‧磁場信號
25‧‧‧鎖相放大器
26‧‧‧相位信號
27‧‧‧強度信號
28‧‧‧系統控制系
29‧‧‧影像顯示用信號
30‧‧‧個人電腦
31‧‧‧顯示器
32‧‧‧平台掃描信號
33‧‧‧雷射掃描信號
101‧‧‧LSI晶片
102‧‧‧加熱用雷射光束
103‧‧‧定電壓源
104‧‧‧電流變化檢測計
105‧‧‧缺陷
106‧‧‧電流通道
201‧‧‧LSI晶片
202‧‧‧產生光電流用雷射光束
203‧‧‧SQUID磁通計
204‧‧‧電流通道
圖1係依本發明之實施例1的故障解析方法之示意概略圖。
圖2係依本發明之實施例2的故障解析方法之示意概略圖。
圖3係依本發明之實施例3的故障解析裝置之結構的示意區塊圖。
圖4係依習知例1的故障解析方法之示意概略圖。
圖5係依習知例2的故障解析方法之示意概略圖。
1‧‧‧LSI晶片
2‧‧‧產生光電流用雷射光束
3‧‧‧加熱用雷射光束
4‧‧‧SQUID磁通計(磁性感測器)
5‧‧‧電流通道
6‧‧‧缺陷

Claims (14)

  1. 一種故障解析方法，其特徵係包含：以產生光電流用雷射光束對半導體晶片或晶圓加以固定照射的步驟；以加熱用雷射光束於該半導體晶片或晶圓之待觀測區域掃描而照射的步驟；以磁性感測器檢測出因該產生光電流用雷射光束及該加熱用雷射光束之照射而在該半導體晶片或晶圓所產生電流變化的步驟；及依據以該磁性感測器檢測到之電流變化而解析該半導體晶片或晶圓之故障的步驟。
  2. 如申請專利範圍第1項之故障解析方法，其中，該磁性感測器為超導量子干涉元件(SQUID)磁通計。
  3. 如申請專利範圍第1或2項之故障解析方法，其中，該產生光電流用雷射光束的固定照射係照射該半導體晶片或晶圓的p-n接合部。
  4. 如申請專利範圍第1或2項之故障解析方法，其中，該產生光電流用雷射光束係透射該半導體晶片或晶圓的基板，且於p-n接合部產生光電流的波長區域；而該加熱用雷射光束係透射該半導體晶片或晶圓的基板，且不於p-n接合部產生光電流而加熱配線的波長區域。
  5. 如申請專利範圍第4項之故障解析方法，其中，該產生光電流用雷射光束係波長1.06μm；而該加熱用雷射光束係波長1.3μm。
  6. 如申請專利範圍第1或2項之故障解析方法，其中，該產生光電流用雷射光束及該加熱用雷射光束的照射，從該半導體晶片或晶圓的背面側進行；而該磁性感測器所為之檢測，係於該半導體晶片或晶圓的正面側進行。
  7. 如申請專利範圍第1或2項之故障解析方法，其中，該磁性感測器係檢測因該產生光電流用雷射光束及該加熱用雷射光束的照射而產生於該半導體晶片或晶圓之電流所形成的磁場。
  8. 如申請專利範圍第1或2項之故障解析方法，其中，於該半導體晶片或晶圓之故障的解析，進行使該磁性感測器所輸出之信號對應到掃描點的影像處理。
  9. 如申請專利範圍第1或2項之故障解析方法，其中，於該半導體晶片或晶圓之故障的解析，藉由鎖相放大器僅取出從該磁性感測器輸出之信號中的既定頻率之信號，且依據取出的既定頻率之信號進行影像處理。
  10. 一種故障解析裝置，包含：加熱用雷射，用以輸出加熱用雷射光束；產生光電流用雷射，用以輸出產生光電流用雷射光束；光學系，將以輸入的該產生光電流用雷射光束及該加熱用雷射光束混合成之混合雷射光束，朝向由半導體晶片或晶圓構成的樣本之背面輸出；及磁性感測器，於該樣本之正面側檢測因該混合雷射光束之照射而在該樣本產生之電流所形成的磁場；其特徵為：該光學系將該混合雷射光束中之該產生光電流用雷射光束，依據控制信號而定位，固定照射到該樣本的背面；且將該混合雷射光束中之該加熱用雷射光束，依據控制信號而一邊掃描一邊照射到該樣本的背面。
  11. 如申請專利範圍第10項之故障解析裝置，其中，該磁性感測器為超導量子干涉元件(SQUID)磁通計。
  12. 如申請專利範圍第10或11項之故障解析裝置，其中，包含鎖相放大器，依據和該磁性感測器檢測到之信號相對應的磁場信號，將僅取出既定頻率之信號的強度信號輸出。
  13. 如申請專利範圍第10或11項之故障解析裝置，其中， 包含產生調變信號與基準信號的脈衝產生器；該加熱用雷射依據來自該脈衝產生器之該調變信號，輸出已進行調變後的加熱用雷射光束；且該鎖相放大器依據來自該脈衝產生器之基準信號，輸出相位信號。
  14. 如申請專利範圍第10或11項之故障解析裝置，其中，包含系統控制系，依據來自該鎖相放大器之該相位信號及該強度信度，產生影像顯示用信號。
TW097123527A 2007-06-29 2008-06-24 故障解析方法及故障解析裝置 TWI392867B (zh)

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Families Citing this family (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8643539B2 (en) * 2008-11-19 2014-02-04 Nokomis, Inc. Advance manufacturing monitoring and diagnostic tool
WO2013052863A1 (en) * 2011-10-05 2013-04-11 Radio Systems Corporation Image-based animal control systems and methods
KR101725222B1 (ko) * 2011-12-13 2017-04-11 삼성전자 주식회사 반도체 소자의 제조 방법
US20140191111A1 (en) * 2012-12-10 2014-07-10 Dcg Systems, Inc. Accumulating optical detector with shutter emulation
JP6081218B2 (ja) * 2013-02-20 2017-02-15 新日鉄住金マテリアルズ株式会社 エッチング装置およびエッチング方法
US9523729B2 (en) * 2013-09-13 2016-12-20 Infineon Technologies Ag Apparatus and method for testing electric conductors
JP6484051B2 (ja) * 2015-02-10 2019-03-13 浜松ホトニクス株式会社 検査方法及び検査装置
TW201704766A (zh) 2015-03-19 2017-02-01 帝喜科技股份有限公司 加熱粒子束以識別缺陷
JP6632327B2 (ja) 2015-10-30 2020-01-22 浜松ホトニクス株式会社 画像生成方法、画像生成装置、画像生成プログラム及び記録媒体
US20170245361A1 (en) * 2016-01-06 2017-08-24 Nokomis, Inc. Electronic device and methods to customize electronic device electromagnetic emissions
US10448864B1 (en) 2017-02-24 2019-10-22 Nokomis, Inc. Apparatus and method to identify and measure gas concentrations
CN110621988A (zh) * 2017-05-15 2019-12-27 三菱电机株式会社 缺陷检查装置以及缺陷检查方法
US11489847B1 (en) 2018-02-14 2022-11-01 Nokomis, Inc. System and method for physically detecting, identifying, and diagnosing medical electronic devices connectable to a network
KR20200055457A (ko) * 2018-11-13 2020-05-21 삼성전자주식회사 혼합물 반도체 웨이퍼의 결함(defect)을 검출하는 비파괴 검사 시스템 및 그 동작 방법
CN111123077B (zh) * 2020-01-15 2022-03-08 深圳赛意法微电子有限公司 一种芯片的失效定位方法
JP7229977B2 (ja) * 2020-09-17 2023-02-28 日本電子株式会社 ３次元積層造形装置及び３次元積層造形方法。

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20050012923A1 (en) * 2003-07-15 2005-01-20 Canon Kabushiki Kaisha Method for inspecting semiconductor device

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0990918B1 (en) * 1998-09-28 2009-01-21 NEC Electronics Corporation Device and method for nondestructive inspection on semiconductor device
JP3175766B2 (ja) * 1998-09-28 2001-06-11 日本電気株式会社 非破壊検査装置および非破壊検査方法
US6653851B2 (en) * 1999-01-14 2003-11-25 Lomanoha Ventures Refocusing wavelengths to a common focal plane for electrical trace testing
JP2001284425A (ja) * 2000-04-03 2001-10-12 Mitsubishi Electric Corp 故障解析方法及び故障解析装置
US6549022B1 (en) * 2000-06-02 2003-04-15 Sandia Corporation Apparatus and method for analyzing functional failures in integrated circuits
US7062399B1 (en) * 2000-06-02 2006-06-13 Advance Micro Devices, Inc. Resistivity analysis
TW528874B (en) * 2000-10-26 2003-04-21 Nec Electronics Corp Non-destructive inspection method
US20030109787A1 (en) 2001-12-12 2003-06-12 Michael Black Multiple laser diagnostics
JP2004327858A (ja) * 2003-04-25 2004-11-18 Toshiba Corp 半導体装置の検査方法および検査装置
US6967491B2 (en) * 2003-07-11 2005-11-22 Credence Systems Corporation Spatial and temporal selective laser assisted fault localization
JP2005134196A (ja) * 2003-10-29 2005-05-26 Nec Electronics Corp 非破壊解析方法及び非破壊解析装置
JP4684690B2 (ja) 2005-03-15 2011-05-18 ルネサスエレクトロニクス株式会社 走査レーザｓｑｕｉｄ顕微鏡を用いた検査方法および装置
JP2006337203A (ja) * 2005-06-02 2006-12-14 Nec Electronics Corp 位置出し方法と装置
JP2006343190A (ja) * 2005-06-08 2006-12-21 Nec Electronics Corp 非破壊検査装置および非破壊検査方法

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20050012923A1 (en) * 2003-07-15 2005-01-20 Canon Kabushiki Kaisha Method for inspecting semiconductor device

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Publication number Publication date
CN101354366B (zh) 2011-12-14
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