JP7229977B2 - 3次元積層造形装置及び3次元積層造形方法。 - Google Patents

3次元積層造形装置及び3次元積層造形方法。 Download PDF

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Description

本発明は、粉末試料を薄く敷いた層を一層ずつ重ねて造形する3次元積層造形装置及び3次元積層造形方法に関する。
近年、CAD(Computer-Aided Design)等で生成された設計データに基づいて、物体の断面形状を積層することにより3次元の物体を造形する3次元造形技術が脚光を浴びている。その造形方式には、例えば、光造形法、熱溶解積層法、粉末焼結積層造形法等がある。
粉末焼結積層造形法で造形を行う3次元積層造形装置では、粉末試料(以下、単に「粉末」とも称する)を造形プレートの上に薄く敷き詰め、敷き詰められた粉末(以下、「粉末層」と称する)の造形したい部分に対して、熱源としてのレーザー又は電子ビームを照射することにより、粉末を溶融する。そして、3次元積層造形装置は、造形物の高さ方向に造形プレートを移動させながら上記処理を繰り返すことにより、3次元の物体を造形する。例えば、特許文献1には、粉末材料に光ビームを照射して硬化層を形成し、この硬化層を積み重ねて所望の三次元形状を有する造形物を製造する、3次元形状造形物の製造方法が開示されている。
特開2001-152204号公報
ところで、3次元積層造形の造形条件の適正化に付与する重要なパラメータの1つに、造形物が形成される造形面の温度がある。3次元積層造形のプロセスにおいては、測定された造形面の温度に基づいて、レーザー又は電子ビームの照射時間、強度等が制御されるからである。つまり、造形面の温度は適切に測定される必要がある。
従来、造形面の温度測定は、放射温度計又は熱電対等を用いて行われる。しかしながら、放射温度計を用いて測定を行う場合であって、放射温度計が真空容器の外の大気中に設置される場合、造形面の測定は、真空容器に設けられた、石英ガラス等よりなる透明な窓ガラスを介して行われる。そして、窓ガラスには、造形が進むにつれて、造形中に発生する金属蒸気による金属が蒸着されていく。このような窓ガラスへの金属の蒸着が進んだ場合、窓ガラスの透過率は低下するため、放射温度計による造形面の温度の測定も正確に行えなくなる。
熱電対は、造形プレートの裏面に設置されることが多いが、造形プレートの位置は、造形が進むにつれて造形面から離れていってしまう。したがって、熱電対を用いて造形面の温度を測定する場合、造形面からの距離を考慮して、計算によって造形面の温度を求める必要がある。それゆえ、特に造形プレートの位置が造形面から離れている場合に、測定される造形面の温度の精度は高くなくなってしまう。
本発明は、上記課題を解決するためになされたものである。本発明の目的は、3次元形状造形物が形成される造形面の温度測定の精度を向上させることにある。
本発明の一態様の3次元積層造形装置は、造形プレートの上に粉末試料が積層されて形成される粉末層の最上層である、造形面から放射される熱電子の量と、造形面の温度と、の対応情報である第1の対応情報を記憶する記憶部と、造形面に対して電子ビームを照射するビーム発生部と、所定のプラス電圧が印加され、造形面から放射される熱電子をトラップするトラップ手段と、トラップ手段がトラップした熱電子を電流として検出することにより、造形面から放射される熱電子を検出する熱電子検出部と、熱電子検出部が検出した熱電子に基づいて、第1の対応情報を参照して、造形面の温度を算出する造形面温度算出部と、を備える。
また、本発明の一態様の3次元積層造形装置は、造形プレートの上に粉末試料が積層されて形成される粉末層の最上層である、造形面から放射される光の量と、造形面の温度との対応情報である第2の対応情報を記憶する記憶部と、粉末層の最上層である造形面に対してビームを照射するビーム発生部と、シンチレータと、シンチレータに電圧が印加されていない状態において、造形面から放射される光を検出して電子に変換する光電子増倍管と、を有する2次電子検出器と、2次電子検出器出力に基づいて、第2の対応情報を参照して、造形面の温度を算出する造形面温度算出部と、を備える。
また、本発明の一態様の3次元積層造形方法は、記憶部が、造形プレートの上に粉末試料が積層されて形成される粉末層の最上層である造形面から放射される熱電子の量と、造形面の温度との対応情報である第1の対応情報を記憶する手順と、ビーム発生部が、造形面に対して電子ビームを照射する手順と、熱電子検出部が、所定のプラス電圧が印加され、造形面から放射される熱電子をトラップするトラップ手段がトラップした熱電子を電流として検出することにより、造形面から放射される熱電子を検出する手順と、造形面温度算出部が、熱電子検出部が検出した熱電子に基づいて、第1の対応情報を参照して、造形面の温度を算出する手順と、を含む。
さらに、本発明の一態様の3次元積層造形方法は、記憶部が、造形プレートの上に粉末試料が積層されて形成される粉末層の最上層である造形面から放射される光の量と、造形面の温度と、の対応情報である第2の対応情報を記憶する手順と、ビーム発生部が、造形面に対してビームを照射する手順と、シンチレータと光電子増倍管とを備えた2次電子検出器の光電子増倍管が、シンチレータに電圧が印加されていない状態において、造形面から放射される光を検出して電子に変換する手順と、造形面温度算出部が、2次電子検出器の出力に基づいて、第2の対応情報を参照して、造形面の温度を算出する手順と、を含む。
本発明の一態様の3次元積層造形装置、3次元積層造形方法では、金属蒸気による金属蒸着の影響や、造形面との距離が変化することによる影響などを受けることなく、造形面の温度を測定できるようになる。それゆえ、本発明の一態様の3次元積層造形装置、3次元積層造形方法によれば、造形面の温度測定の精度をより向上させることができる。上記した以外の課題、構成及び効果は、以下の実施形態の説明により明らかにされる。
本発明の第1の実施形態に係る3次元積層造形装置の全体構成例を示す概略断面図である。 本発明の第1の実施形態に係る3次元積層造形装置の制御系の構成例を示すブロック図である。 本発明の第1の実施形態に係る熱電子-造形面温度対応情報の構成例を示すグラフである。 本発明の第1の実施形態に係る直線式の算出例を示すグラフである。 本発明の第1の実施形態に係る3次元積層造形処理の手順の例を示す図である。 本発明の第1の実施形態に係る3次元積層造形装置による造形面温度測定処理の手順の例を示すフローチャートである。 本発明の第2の実施形態に係る3次元積層造形装置の全体構成例を示す概略断面図である。 本発明の第2の実施形態に係る2次電子検出器の構成を示す概略図である。 本発明の第2の実施形態に係る検量線の例を示すグラフである。 本発明の第2の実施形態に係る3次元積層造形装置による造形面温度測定処理の手順の例を示すフローチャートである。
以下、本発明を実施するための形態の例について、添付図面を参照しながら説明する。なお、各図において実質的に同一の機能又は構成を有する構成要素については、同一の符号を付して重複する説明を省略する。
<第1の実施形態>
[3次元積層造形装置の構成]
まず、本発明の第1の実施形態に係る3次元積層造形装置の構成について、図1を参照して説明する。図1は、3次元積層造形装置100の全体構成例を示す概略断面図である。
図1において、3次元積層造形装置100の粉末台5の移動方向(鉛直方向)をZ方向とし、Z方向に垂直な第1の方向をX方向、Z方向及びX方向に垂直な第2の方向をY方向とする。すなわち、図1は、真空容器1のY方向に直交する断面を示す断面図である。
図1に示す3次元積層造形装置100は、真空容器1、電子銃2(ビーム発生部の一例)及び真空容器1と電気的に接続された後述する造形制御装置50(図3参照)を含む。電子銃2は、真空容器1の上部に装着される。
真空容器1の内部には、金属粉末11(粉末試料の一例)が充填された線状漏斗12(粉末供給部の一例)と、断面が筒状又は角状の造形枠台3が設けられる。造形枠台3の内側の下方にはZ駆動機構4が設けられ、Z駆動機構4の上面には、金属粉末11が積層される粉末台5が設けられる。Z駆動機構4が、不図示のラック&ピニオンやボールねじ等によってZ方向に駆動されることにより、粉末台5が上下方向に移動する。
造形枠台3と粉末台5との隙間部分には、耐熱性及び柔軟性のあるシール部材であるフレキシブルシール6が設けられる。フレキシブルシール6は、粉末台5と造形枠台3の内周面との間に介在されており、それらの間から金属粉末11が落ちないように粉末台5と造形枠台3の内周面との間を密閉する。また、フレキシブルシール6は、造形枠台3の内周面に摺動可能に接触している。なお、真空容器1内の雰囲気は図示しない真空ポンプにより排気されており、真空容器1内は真空に維持されている。
粉末台5の上方には、造形物8が形成される台である造形プレート9が、敷き詰められた金属粉末(粉末層)13によってかさ上げされた状態で配置される。造形プレート9は、電気的に浮いてしまうことを防止する目的で、GND線10を介して、GND電位である粉末台5に接地されている。
造形時には、金属粉末11を充填した線状漏斗12によって、造形枠台3とほぼ同じ高さまで金属粉末11が敷き詰められる。なお、線状漏斗12には、図示しない粉末ホッパーより、適宜金属粉末11が補充される。一層分の仮焼結体13′の上の造形物8の領域を、電子銃2から放出された電子ビームが2次元的に照射して溶融(本溶融)することにより、一層分の造形物8が形成される。そして、溶融(及び凝固)した金属粉末11の層が積み重なることにより、3次元の造形物8が構築される。
粉末台5内の粉末層13における、造形物8以外の領域は、電子銃2から電子ビームが照射されることにより仮焼結された仮焼結体13′となり、該仮焼結体13′は導電性を有する。
電子銃2の下面の、電子ビームが通過する領域の側面を覆う位置には、絶縁体17を介して、金属製の防着カバー14が取り付けられている。この防着カバー14が設けられていることにより、造形時に発生する金属蒸気や、ファイヤーワークスによる金属スパッタなどが、真空容器1の内壁に蒸着してしまうことを防ぐことができる。
防着カバー14の材質には、チタン(Ti)等の金属や、チタン系の化合物、ステンレス鋼などの合金を適用可能であるが、2次電子の放出の少ない材質であれば、これらに限定されない。防着カバー14の厚みは0.5mm程度が好ましいが、これより薄くても厚くてもよい。なお、防着カバー14の取り付け位置は、電子銃2の下面に限定されない。例えば、電子銃2が真空容器1の上面に取り付けられている場合等には、防着カバー14も真空容器1の上面に取り付けられてもよい。
防着カバー14には、真空容器1に取り付けられた電流導入端子18を介して電圧重畳電流アンプ19(熱電子検出部、電圧印加部の一例)が接続される。電圧重畳電流アンプ19は、GND電位に対してプラス数V以上の電圧を防着カバー14に印加する。
造形物8又は仮焼結体13′が電子ビームにより高温で加熱されることにより、造形面から熱電子が放出された場合、該熱電子は、プラスの電位勾配によって防着カバー14に引き込まれる。そして、電圧重畳電流アンプ19は、防着カバー14がトラップした熱電子の変化を、電流として検出する。
電圧重畳電流アンプ19には、例えば、対数アンプを使用することができる。この場合、電圧重畳電流アンプ19で5桁以上のダイナミックレンジで測定を行うことが可能となり、約700°~約1200°までの温度を換算により算出することができる。また、測定の対象となる温度の範囲に応じて、電圧重畳電流アンプ19のゲインを変える制御が行われてもよい。このような制御が行われることにより、造形面温度をより正確に測定することが可能となる。
なお、電圧重畳電流アンプ19による熱電子の測定は、3次元積層造形処理のプロセスにおける、電子銃2が電子ビームを照射していない(OFFの)タイミングにおいて行う。もしくは、電子ビームをパルスビーム化し、該パルスビームがOFFのタイミングで電圧重畳電流アンプ19が熱電子を測定してもよい。この場合、電圧重畳電流アンプ19とし、ロックインアンプを使用し、パルスビームの周波数(パルス周波数)をレファレンス(参照信号)として熱電子を検出することにより、より低い温度の熱電子を検出することができるようになる。
または、3次元積層造形処理における粉末加熱工程や予備加熱工程などの、電子ビームの照射電流が一定である場面においては、電子ビームを照射した状態で電圧重畳電流アンプ19が熱電子電流を検出してもよい。この場合、造形面温度算出部58は、電子ビームの照射により発生することが想定される熱電子電流分を、電圧重畳電流アンプ19で検出される熱電子電流からオフセットして得られる熱電子電流を用いて、造形面温度を算出する必要がある。
[3次元積層造形装置の制御系の構成]
次に、3次元積層造形装置100の制御系(造形制御装置50)の構成例について、図2を参照して説明する。図2は、造形制御装置50の制御系の構成例を示すブロック図である。
図2に示す造形制御装置50は、CPU(Central Processing Unit)51、RAM(Random Access Memory)52、ROM(Read Only Memory)53、記憶部54、Z駆動制御部55、漏斗駆動制御部56、電子銃駆動制御部57、造形面温度算出部58、及び、表示部59等を備える。
CPU51は、ROM53等に記憶された造形プログラムを読み出し、この造形プログラムに従い、各部の処理及び動作を制御する。また、CPU51は、システムバスBを介して、造形制御装置50を構成する各部と相互にデータを送信及び/又は受信可能に接続される。
RAM52は、データを一時的に記憶する揮発性の記憶部であり、CPU51が制御を行う際の作業領域として使用される。ROM53には、CPU51が実行する造形プログラムや、造形物8のパラメータ(積層造形データ)等が記憶される。
記憶部54は、HDD(Hard Disc Drive)又はSSD(Solid State Drive)等よりなり、熱電子-造形面温度対応情報541等を記憶する。熱電子-造形面温度対応情報541(第1の対応情報の一例)は、熱電子の量(熱電子電流)と造形面の温度(造形面温度)とを対応付けたものであり、造形面温度算出部58によって参照される。熱電子-造形面温度対応情報541は、例えば、熱電子電流を横軸に、造形面温度を縦軸にとるグラフ等によって示される。熱電子-造形面温度対応情報541の詳細については、次の図4を参照して後述する。
Z駆動制御部55は、CPU51の制御の下、Z駆動機構4(図1参照)の動作を制御する。漏斗駆動制御部56は、CPU51の制御の下、線状漏斗12(図1参照)の動作を制御する。電子銃駆動制御部57は、CPU51の制御の下、電子銃2から出射する電子ビームの照射動作、すなわち、照射のタイミング、照射時間、照射強度、照射位置等を制御する。電子銃駆動制御部57による電子ビームの照射動作の制御は、造形面温度算出部58によって算出された造形面温度の情報に基づいて行われる。
造形面温度算出部58は、電圧重畳電流アンプ19が検出した熱電子と、造形面の温度との対応情報に基づいて、造形面の温度を算出する。具体的には、造形面温度算出部58は、熱電子-造形面温度対応情報541を参照して、電圧重畳電流アンプ19が検出した熱電子と予め対応付けられた造形面温度を取得する。
表示部59は、例えば、液晶表示装置(LCD:Liquid Crystal Display)や、有機EL(Electro Luminescence)表示装置等で構成され、表示部59は、3次元積層造形の設定に関する情報や、エラー、警告等を表示する。
[熱電子-造形面温度対応情報の構成]
次に、図3を参照して、熱電子-造形面温度対応情報541の構成について説明する。図3は、熱電子-造形面温度対応情報541の構成例を示すグラフである。
図3に示す熱電子-造形面温度対応情報541の横軸は熱電子電流(nA)を示し、縦軸は造形面温度(℃)を示す。熱電子-造形面温度対応情報541は、例えば、予め放射温度計や熱電対(いずれも図示略)などで計測しておいた温度Tと、電圧重畳電流アンプ19で検出された熱電子電流Iとの関係を測定しておき、下記の式(1)(「温度換算式」の一例)を用いて定数a及び定数bを求めることにより、生成することができる。
I=a・T・eh/T…式(1)
もしくは、下記の式(2)のように展開した式において、自然対数ln(I/T)と1/Tとの関係をグラフにプロットし、プロットにより得られた直線式の傾きb及び切片lnaに基づいて、定数a及び定数bを求めてもよい。
ln(I/T)=b・1/T-lna…式(2)
直線式は、最小二乗法等を用いることによって求めることができる。図4は、直線式の算出例を示すグラフである。図4に示すグラフの横軸は“1/T”を示し、縦軸は電圧重畳電流アンプ19の検出電圧に関するln(VTE/T)を示す。図4に示す丸印が付された曲線は、グラフにプロットされた各値をつないだものである。そして、最小二乗法等を用いることにより、図4に破線で示す直線(近似式)を求めることができる。
なお、造形面温度算出部58は、造形物8の材料や、造形面において造形物8が占める割合などに応じて、上述した温度換算式を変更してもよい。熱電子の放出量は、造形面の表面の状態や、造形物8の材料の仕事関数などによって変化するためである。このような制御を行う場合、熱電子電流と温度との対応情報を、SUS304等で構成される造形プレート9や、Ti64等で構成される仮焼結体13′、造形物8のそれぞれを対象として測定しておく必要がある。
また、熱電子-造形面温度対応情報541は、上述した温度換算式を用いずに、固定的に対応関係を定めておいてもよい。例えば、電子ビームの制御の閾値として必要な温度に対する、熱電子の量を予め算出しておき、その対応関係を、熱電子-造形面温度対応情報541として予め記録しておいてもよい。
[3次元積層造形処理]
次に、図5を参照して、本実施形態に係る基本的な3次元積層造形処理について説明する。図5は、3次元積層造形処理の手順の例を示す図である。
3次元積層造形処理では、図5に示すように、スキージ工程、粉末加熱(PH:Powder Heat)工程、溶融工程、予備加熱工程(AH:After Heat)が行われる。
スキージ工程の前段階(予備加熱工程の後段階)では、Z駆動制御部55(図2参照)は、Z駆動機構4(図1参照)を駆動することにより、粉末台5を、造形プレート9の上面が造形枠台3の上面よりもわずかに下がった位置まで下げる。この、わずかに下がった量であるΔZが、造形物8におけるZ方向における層厚に相当する。
〈スキージ工程〉
スキージ工程では、漏斗駆動制御部56(図3参照)は、金属粉末11を充填した線状漏斗12を、造形プレート9の上面に沿って反対側の位置まで移動させ、造形プレート9及びその周辺に、ΔZ分の金属粉末11を敷き詰める。
〈造形プレート加熱工程〉
次の造形プレート加熱工程では、電子銃駆動制御部57(図2参照)は、電子銃2を制御して、造形プレート9に対して電子ビームを照射させ、造形プレート9を加熱する。
具体的には、電子銃駆動制御部57は、電子銃2を制御することにより電子ビームを走査させ、造形プレート9の上面全域より少し狭い領域に電子ビームを照射させる。そして、この後敷き詰める金属粉末11が仮焼結する程度の温度まで、造形プレート9を予め昇温させる。造形プレート9が昇温すると、造形プレート9の周囲の金属粉末11(粉末層13)は、仮焼結されて仮焼結体13′になる。
この造形プレート加熱工程において、電子銃駆動制御部57は、所定の時間毎に電子銃2による電子ビームの照射をOFFさせる。そして、電子ビームがOFFされている間に、電圧重畳電流アンプ19が熱電子を検出し、造形面温度算出部58が、検出された熱電子の量(熱電子電流)に基づいて、造形面温度を算出する。電子銃駆動制御部57は、造形面温度算出部58により算出された造形面温度を、所定の温度まで昇温させるように、電子ビームの照射動作(照射強度や照射時間)などを制御する。これにより、電子ビームによる照射領域にある金属粉末11を確実に仮焼結させることができる。
〈粉末加熱工程〉
次の粉末加熱(PH)工程では、漏斗駆動制御部56(図3参照)は、不図示の粉末ホッパーから、所定の量の金属粉末11を造形プレート9上に供給させる。
〈粉末加熱工程〉
次の粉末加熱工程では、電子銃駆動制御部57は、電子銃2を制御することにより、造形プレート9上の仮焼結体13′の表面に電子ビームを照射させ、仮焼結体13′の表面を加熱する。この粉末加熱工程においても、造形面温度算出部58による造形面温度の測定、及び、測定された造形面温度に基づく電子ビームの動作制御が行われる。
〈溶融工程〉
次の溶融工程では、電子銃駆動制御部57は、電子銃2を制御することにより、造形プレート9上の仮焼結体13′の表面に対して電子ビームを照射させ、造形プログラムにより表される造形モデルを、1層(ΔZ)分でスライスした2次元形状領域を溶融(本溶融)する。この溶融工程においても、造形面温度算出部58による造形面温度の測定、及び、測定された造形面温度に基づく電子ビームの動作制御が行われる。
〈予備加熱工程〉
次の予備加熱(AH)工程では、電子銃駆動制御部57は、電子銃2を制御することにより、造形プレート9上の造形物8の表面及び仮焼結体13′の表面に対して電子ビームを照射させ、造形物8の表面及び仮焼結体13′の表面を加熱する。この予備加熱工程においても、造形面温度算出部58による造形面温度の測定、及び、測定された造形面温度に基づく電子ビームの動作制御が行われる。
予備加熱工程の終了後は、次の層(ΔZ分下がった層)におけるスキージング工程に戻り、以降、スキージ工程、粉末加熱(PH)工程、溶融工程、予備加熱(AH)工程を繰り返す。そして、造形物8の最後の層における溶融工程の終了後、3次元積層造形処理は終了となる。その結果、本溶融部分が1層(ΔZ)ずつ積み重なった造形物8が形成される。
[造形面温度測定処理]
次に、図6を参照して、3次元積層造形処理の粉末加熱工程、溶融工程及び予備加熱工程の各工程で行われる、3次元積層造形装置100による造形面温度測定処理について説明する。図6は、3次元積層造形装置100による造形面温度測定処理の手順の例を示すフローチャートである。
まず、3次元積層造形装置100のCPU51(図2参照)は、電圧重畳電流アンプ19(図1参照)を制御することにより、防着カバー14にプラス電圧を印加させる(ステップS1)。次いで、電圧重畳電流アンプ19は、防着カバー14で捕獲された熱電子を検出する(ステップS2)。次いで、造形面温度算出部58は、ステップS1で検出された熱電子の量に基づいて、熱電子-造形面温度対応情報541を参照して、造形面温度を算出する(ステップS3)。ステップS3の処理後、3次元積層造形装置100による造形面温度測定処理は終了する。
上述した実施形態によれば、放射温度計を使用して造形面温度を測定する場合のように、金属蒸気による金属蒸着の影響を受けることなくなる。また、熱電対を用いて造形面温度を測定する場合のように、造形面との距離が変化することによる影響を受けることもなくなる。つまり、放射温度計や熱電対などを用いて測定を行う場合と比較して、造形面温度をより正確に測定することができるため、造形面温度の測定の精度をより向上させることが可能となる。
また、上述した実施形態では、造形時に発生する金属蒸気や、ファイヤーワークスによる金属スパッタなどの、真空容器1の内壁への蒸着を防ぐ目的で設けられた防着カバー14を利用して、熱電子の量を測定し、該熱電子の量に基づいて造形面温度を算出する。それゆえ、本実施形態によれば、造形面温度の測定用に新たな機器や装置などを設けることなく、コストをかけずに造形面温度を適切に測定できるようになる。
また、上述した実施形態では、造形面温度算出部58は、造形物8の材料、又は、仮焼結体13′が電子ビームによって照射されることにより生成される造形物8が造形面に占める割合などに応じて、温度換算式を変更することができる。それゆえ、本実施形態によれば、これらの条件の変化に合わせて、造形面温度をより適切に測定することができる。
また、上述した実施形態では、電圧重畳電流アンプ19をロックインアンプで構成することにより、パルスビーム化された電子ビームの周波数をレファレンスとして、パルスビームがOFFとなるタイミングで、電圧重畳電流アンプ19が熱電子を検出することができる。それゆえ、造形プロセスの最中においても、電子ビームを長期間OFFすることなく、造形面温度を検出することができる。また、ロックインアンプで構成された電圧重畳電流アンプ19が、造形面温度におけるより低い温度を検出できるようになる。
<第2の実施形態>
[3次元積層造形装置の構成]
次に、本発明の第2の実施形態に係る3次元積層造形装置の構成について、図7を参照して説明する。図7は、3次元積層造形装置100Aの全体構成例を示す概略断面図である。
図7においても、図1と同様に、3次元積層造形装置100Aの粉末台5の移動方向(鉛直方向)をZ方向とし、Z方向に垂直な第1の方向をX方向、Z方向及びX方向に垂直な第2の方向をY方向とする。
図7に示す3次元積層造形装置100Aの構成が、図1に示した3次元積層造形装置100の構成と異なっている点は、真空容器1の側面に、2次電子検出器20が取り付けられている点である。その他の構成については、図1に示した3次元積層造形装置100の構成と略同一であるため、ここではそれらの説明は省略する。
2次電子検出器20は、2次電子像観察の目的で3次元積層造形装置100Aに設けられているものであり、通常の運用においては、試料としての造形物8から発生する2次電子を検出する。本実施形態では、2次電子検出器20は、加熱された造形面から発生する光を検出し、検出された光に基づいて、造形面温度算出部58が造形面温度を算出する。
[2次電子検出器の構成]
次に、図8を参照して、2次電子検出器20の構成について説明する。図8は、2次電子検出器20の構成を示す概略図である。
図8に示すように、2次電子検出器20は、ライトガイド24及び光電子増倍管(PMT:Photomultiplier)25を備える。ライトガイド24は、石英ガラス等で構成されるガラスロッドであり、ガラスロッド内を光が伝搬する。ライトガイド24の先端にはシンチレータ21が設けられており、シンチレータ21の表面には蛍光体22が取り付けられている。蛍光体22の前方(図の右側)には、電極であるコレクター23が配置されている。
コレクター23に数100V程度を上限とする電圧をかけることにより、電場が発生し、該電場によって、造形面(造形物8、仮焼結体13)から放出した2次電子が集められて、2次電子検出器20に導かれる。2次電子検出器20に導かれた2次電子は、シンチレータ21の蛍光体22に印加された+10kVの高電圧によってさらに加速され、シンチレータ21に衝突して発光する。その光は、ライトガイド24を伝播して光電子増倍管25に導かれ、再び電子に変換される。そして、光電子増倍管25によって変換された電子は、アンプ26によって増幅されることにより電気信号(検出信号)になる。
本実施形態では、シンチレータ21に+10kVの電圧を印加しない状態で、光電子増倍管25が光を検出する。シンチレータ21に電圧を印加しない場合、造形面から放出した2次電子は2次電子検出器20に引き寄せられないため、蛍光体22は発光しない。しかし、造形中に造形面から発生する光がライトガイド24に入った場合には、該光は光電子増倍管25によって検出される。
造形中、すなわち、電子ビームによる照射が行われている間は、造形面の温度は700℃(約1000K)を超える温度になるため、造形面から放射される光は、赤熱~白熱の状態となる。そして、造形面の温度が高くなるほど、造形面から放射される光は赤外光、可視光等の波長の短い光となる。2次電子検出器20に使用される光電子増倍管25は、赤外光波長域の光の感度は低いが、入射する光の波長が短いほど、検出する電気信号の変化は急峻となる、すなわち、感度が高くなる。
したがって、本実施形態では、不図示の放射温度計等を用いて予め造形面温度を測定しておき、シンチレータ21への電圧の印加がされていない状態における光電子増倍管25の検出信号と、表面温度との関係を測定しておく。そして、図9に示すような検量線(第2の対応情報の一例)を得ておくことにより、2次電子検出器20の出力値、すなわち、光電子増倍管25の検出信号に基づいて、造形面温度を求める。
図9は、検量線の例を示すグラフである。図9に示すグラフの横軸は、造形面温度を示し、縦軸は、2次電子検出器20の出力(光電子増倍管25の検出信号)を示す。図9に示すグラフには、造形面温度が高くなるほど、光電子増倍管25の検出信号の変化も急峻となることが示されている。
なお、本実施形態では、光電子増倍管25で検出された光の量と、造形面温度との対応情報として検量線を用いる例を挙げたが、本発明はこれに限定されない。光電子増倍管25で検出された光の量と、造形面温度との対応情報はテーブルによって示されてもよく、温度換算式等によって表されてもよい。
3次元積層造形装置100Aの造形制御装置の制御系の構成は、図2に示した構成と略同一であるため、ここでは説明は省略する。図2に示した構成と、第2の実施形態に係る構成との違いは、記憶部54に記憶される情報が、熱電子-造形面温度対応情報541ではなく、検量線である点である。
[造形面温度測定処理]
次に、図10を参照して、3次元積層造形処理の粉末加熱工程、溶融工程及び予備加熱工程の各工程で行われる、3次元積層造形装置100による造形面温度測定処理について説明する。図10は、3次元積層造形装置100による造形面温度測定処理の手順の例を示すフローチャートである。この造形面温度測定処理も、上述した第1の実施形態と同様に、3次元積層造形処理の粉末加熱工程、溶融工程及び予備加熱工程の各工程で行われる。
まず、シンチレータ21(図8参照)に電圧が印加されていない状態で、光電子増倍管25は、造形面から放射される光を検出する(ステップS11)。次いで、造形面温度算出部58(図2参照)は、2次電子検出器20の出力値(光電子増倍管25の検出信号)に基づいて、検量線を用いて、造形面温度を算出する(ステップS12)。
なお、第2の実施形態に係る造形面温度測定処理も、電子ビームがOFFされている間に行われるものとする。もしくは、第1の実施形態と同様に、電子ビームをパルスビーム化し、パルスビームの周波数をレファレンスとして、光電子増倍管25が、造形面から放出される光を検出してもよい。
上述した第2の実施形態によっても、第1の実施形態によって得られる効果と同様の効果を得ることができる。
なお、本発明は上述した各実施形態例に限られるものではなく、特許請求の範囲に記載した本発明の要旨を逸脱しない限りにおいて、その他種々の応用例、変形例を取り得ることは勿論である。
例えば、上述した各実施形態では、粉末層を電子ビームによって照射して溶融することにより3次元構造物を生成する場合を例に挙げたが、本発明はこれに限定されない。レーザーによって粉末層を照射する方式に本発明を適用してもよい。
また、例えば、電子ビームによる造形面の加熱中に、熱電対等の他の計測手段による造形面温度の測定結果と、検出した熱電子又は光の量に基づく造形面温度の算出結果とを比較し、両値の差が大きい場合に、表示部59等を介してユーザーに警告を通知してもよい。このような制御を行うことにより、従来の計測手段と、電圧重畳電流アンプ19又は2次電子検出器20とのいずれかに異常が発生していた場合にそのことを検知することができるとともに、異常の発生をユーザーに伝えることが可能となる。
また、例えば、上述した実施形態例は本発明を分かりやすく説明するために装置及びシステムの構成を詳細且つ具体的に説明したものであり、必ずしも説明した全ての構成を備えるものに限定されるものではない。また、ある実施形態例の構成の一部を他の実施形態例の構成に置き換えることは可能である。また、ある実施形態例の構成に他の実施形態例の構成を加えることも可能である。また、各実施形態例の構成の一部について、他の構成の追加、削除、置換をすることも可能である。
1…真空容器、2…電子銃、3…造形枠台、4…Z駆動機構、5…粉末台、6…フレキシブルシール、8…造形物、9…造形プレート、10…GND線、11…金属粉末、12…線状漏斗、13′…仮焼結体、14…防着カバー、17…絶縁体、18…電流導入端子、19…電圧重畳電流アンプ、20…2次電子検出器、21…シンチレータ、22…蛍光体、23…コレクター、24…ライトガイド、25…光電子増倍管、26…アンプ、50…造形制御装置、55…Z駆動制御部、56…漏斗駆動制御部、57…電子銃駆動制御部、58…造形面温度算出部、59…表示部、100、100A…3次元積層造形装置、541…熱電子-造形面温度対応情報

Claims (12)

  1. 造形プレートの上に粉末試料が積層されて形成される粉末層の最上層である造形面から放射される熱電子の量と、前記造形面の温度と、の対応情報である第1の対応情報を記憶する記憶部と、
    前記造形面に対して電子ビームを照射するビーム発生部と、
    所定のプラス電圧が印加され、前記造形面から放射される熱電子をトラップするトラップ手段と、
    前記トラップ手段がトラップした前記熱電子を電流として検出することにより、前記造形面から放射される熱電子を検出する熱電子検出部と、
    前記熱電子検出部が検出した前記熱電子に基づいて、前記第1の対応情報を参照して、前記造形面の温度を算出する造形面温度算出部と、を備える
    3次元積層造形装置。
  2. 前記造形面の上方の、前記ビームが通過する領域の側面を覆う位置に設けられ、接地電位から電気的に絶縁された金属製の防着カバーと、
    前記防着カバーに所定のプラス電圧を印加する電圧印加部と、をさらに備え、
    前記熱電子検出部は、前記防着カバーに引き込まれた前記熱電子による電流変化を検出する
    請求項1に記載の3次元積層造形装置。
  3. 前記熱電子と前記造形面の温度との対応情報は、前記熱電子検出部が検出した前記熱電子の量を前記造形面の温度に換算する温度換算式を用いて生成される
    請求項1又は2に記載の3次元積層造形装置。
  4. 造形面温度算出部は、前記粉末試料が前記ビームによって照射されることにより生成される造形物の材料、又は、前記造形物が前記造形面に占める割合に応じて、前記温度換算式を変更する
    請求項3に記載の3次元積層造形装置。
  5. 前記ビーム発生部は、前記ビームをパルスビーム化して照射させ、
    前記熱電子検出部はロックインアンプで構成され、前記ビームのパルスの周波数を参照信号として前記熱電子を検出する
    請求項1~4のいずれか一項に記載の3次元積層造形装置。
  6. 前記造形面温度算出部が算出した前記造形面の温度に基づいて、前記ビームの照射動作を制御する電子銃駆動制御部をさらに備える、
    請求項1~5のいずれか一項に記載の3次元積層造形装置。
  7. 造形プレートの上に粉末試料が積層されて形成される粉末層の最上層である造形面から放射される光の量と、前記造形面の温度との対応情報である第2の対応情報を記憶する記憶部と、
    前記粉末層の最上層である造形面に対してビームを照射するビーム発生部と、
    シンチレータと、前記シンチレータに電圧が印加されていない状態において、前記造形面から放射される光を検出して電子に変換する光電子増倍管と、を有する2次電子検出器と、
    前記2次電子検出器出力に基づいて、前記第2の対応情報を参照して、前記造形面の温度を算出する造形面温度算出部と、を備える
    3次元積層造形装置。
  8. 前記光電子増倍管は、2次電子像観察の目的で3次元積層造形装置に設けられた2次電子検出器において使用される光電子増倍管であり、
    前記光電子増倍管による前記光の検出は、該光電子増倍管を構成するシンチレータに対して電圧が印加されていない状態で行われる
    請求項7に記載の3次元積層造形装置。
  9. 前記ビーム発生部は、前記ビームをパルスビーム化して照射させ、
    前記光電子増倍管の後段に設けられたアンプはロックインアンプで構成され、前記2次電子検出器は、前記ビームのパルスの周波数を参照信号として前記光を検出する
    請求項7又は8に記載の3次元積層造形装置。
  10. 前記造形面温度算出部が算出した前記造形面の温度に基づいて、前記ビームの照射動作を制御する電子銃駆動制御部をさらに備える、
    請求項7~9のいずれか一項に記載の3次元積層造形装置。
  11. 記憶部が、造形プレートの上に粉末試料が積層されて形成される粉末層の最上層である造形面から放射される熱電子の量と、前記造形面の温度との対応情報である第1の対応情報を記憶する手順と、
    ビーム発生部が、前記造形面に対して電子ビームを照射する手順と、
    熱電子検出部が、所定のプラス電圧が印加され、前記造形面から放射される熱電子をトラップするトラップ手段がトラップした前記熱電子を電流として検出することにより、前記造形面から放射される熱電子を検出する手順と、
    造形面温度算出部が、前記熱電子検出部が検出した前記熱電子に基づいて、前記第1の対応情報を参照して、前記造形面の温度を算出する手順と、を含む
    3次元積層造形方法。
  12. 記憶部が、造形プレートの上に粉末試料が積層されて形成される粉末層の最上層である造形面から放射される光の量と、前記造形面の温度と、の対応情報である第2の対応情報を記憶する手順と、
    ビーム発生部が、前記造形面に対してビームを照射する手順と、
    シンチレータと光電子増倍管とを備えた2次電子検出器の前記光電子増倍管が、前記シンチレータに電圧が印加されていない状態において、前記造形面から放射される光を検出して電子に変換する手順と、
    造形面温度算出部が、前記2次電子検出器の出力に基づいて、前記第2の対応情報を参照して、前記造形面の温度を算出する手順と、を含む
    3次元積層造形方法。
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