JP5544677B2 - 元素の定量分析のための校正方法 - Google Patents
元素の定量分析のための校正方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5544677B2 JP5544677B2 JP2001138037A JP2001138037A JP5544677B2 JP 5544677 B2 JP5544677 B2 JP 5544677B2 JP 2001138037 A JP2001138037 A JP 2001138037A JP 2001138037 A JP2001138037 A JP 2001138037A JP 5544677 B2 JP5544677 B2 JP 5544677B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- calibration standard
- tool
- concentration
- analysis tool
- analysis
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 28
- 238000004445 quantitative analysis Methods 0.000 title 1
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 claims description 40
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 10
- 238000001004 secondary ion mass spectrometry Methods 0.000 claims description 8
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 claims description 4
- 238000005001 rutherford backscattering spectroscopy Methods 0.000 claims 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 13
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 11
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 9
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 8
- 238000002149 energy-dispersive X-ray emission spectroscopy Methods 0.000 description 7
- 239000000463 material Substances 0.000 description 7
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 6
- 238000000682 scanning probe acoustic microscopy Methods 0.000 description 6
- PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N Fluorine Chemical compound FF PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 description 5
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 5
- 238000004833 X-ray photoelectron spectroscopy Methods 0.000 description 4
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 2
- 239000007943 implant Substances 0.000 description 2
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 2
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 2
- 230000013011 mating Effects 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 230000007812 deficiency Effects 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- OKZIUSOJQLYFSE-UHFFFAOYSA-N difluoroboron Chemical compound F[B]F OKZIUSOJQLYFSE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000001153 fluoro group Chemical group F* 0.000 description 1
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 1
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 238000005464 sample preparation method Methods 0.000 description 1
- 238000004626 scanning electron microscopy Methods 0.000 description 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 1
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000013077 target material Substances 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N31/00—Investigating or analysing non-biological materials by the use of the chemical methods specified in the subgroup; Apparatus specially adapted for such methods
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N23/00—Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00
- G01N23/22—Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00 by measuring secondary emission from the material
- G01N23/225—Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00 by measuring secondary emission from the material using electron or ion
- G01N23/2255—Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00 by measuring secondary emission from the material using electron or ion using incident ion beams, e.g. proton beams
Landscapes
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Biochemistry (AREA)
- General Health & Medical Sciences (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Immunology (AREA)
- Pathology (AREA)
- Molecular Biology (AREA)
- Analysing Materials By The Use Of Radiation (AREA)
Description
本発明は、一般的には、分析ツールを校正するための方法、より詳細には、分析ツールと関連する検出限界の決定を含む分析ツールを校正するための方法に関する。
今日の半導体処理においては、しばしば、新たなあるいは従来の（製造）プロセスの結果を知るために、半導体ダイの一部分を分光学的に調べることが必要となる。この検査は、実験プロセスの結果を確認するために行なわれることも、半導体デバイス内の特定の故障あるいは欠陥の性質を決定するために行なわれることも、さらには、半導体デバイス内の不純物を発見するために行なわれることもある。勿論、集積回路の性質のために、この検査は、しばしば、問題のダイから採取されたサンプルに関して遂行される。走査電子顕微鏡法／エネルギー分散分光法（ＳＥＭ／ＥＤＳ）が、しばしば、半導体ダイのフィーチャ内の目標材料の組成を決定するために用いられる。これらサンプルを検査するために、他の分析ツールも利用でき、例えば、オージェ電子分光法（ＡＥＳ）、二次イオン質量分析法（ＳＩＭＳ）、透過電子顕微鏡（ＴＥＭ）などが知られている。
しばしば、半導体ダイあるいはウエハが製造ラインから採取され、上述の分析ツールの一つの中に持ち込まれ、不純物が調べられる。これは、あるタイプの不純物が、ある濃度にて、ある特定の材料内に存在した場合、これらは典型的には半導体デバイスの故障の原因となるために、半導体製造における非常に重要なステップを占める。通常、ある特定の材料内においてはどのような不純物が望ましくないか、および許容できない不純物濃度についても知られており、これら分析ツールは、しばしば、この助けとなる。
あるタイプの分析ツールは、特定の濃度の特定の不純物を発見するために、他のタイプの分析ツールより効果的である。現在、ある幾つかの分析ツールは、異なるアプリケーションに対して、より適することが知られている。ただし、今日、各ツールのある与えられた材料内に含有されるある与えられた元素に対する検出限界は近似的にしか知られておらず、必ずしも、ある許容できる確かさの範囲内では知られていない。このため、半導体製造産業においては、ある半導体ウエハに関してあるテストを遂行するある人が、かなり大きな確かさにて、ある元素は検出されなかったが、Ｘなる量以下では存在すると、断言することはできないという問題が存在する。さらに、様々な異なる分析ツールの様々な検出限界は十分な確かさでは知られておらず、必ずしも、ある与えられた不純物シナリオをある特定のツールに割当てることはできない。
従って、当分野においては、検査用の分析ツールに対して用いることができ、しかも、その不純物がどのような元素から成り、どのような不純物濃度にて存在するかに依存して各分析ツールの検出限界を知ることができ、従来の技術と関連する問題を解決することができる校正方法に対する必要性が存在する。
従来の技術の上述の欠陥を解決するために、本発明は分析ツールを校正するための方法を提供する。この方法は、一つの実施例においては、ある元素を既知の濃度にて含有する校正標準を調製するステップ、およびこの校正標準内の前記元素の濃度を代表する一部分を集束ビームを用いて採取するステップを含む。次に校正標準の採取された部分を用いて分析ツールが校正される。
本発明のより完全な理解を期すために、以下に本発明の実施例を図面を参照しながら説明する。
本発明のより完全な理解を期すために、以下に本発明の実施例を図面を参照しながら説明する。
図１は本発明がその内部で動作する環境を形成する分析ツールを校正するためのシステム１００を示す。システム１００は校正標準１０５を含む。校正標準１０５は、内部に既知の濃度の元素を含有する既知のマトリックス１１０、例えば、シリコンから成る。校正標準１０５は典型的には比較的大きなサンプルとされるが、元素の濃度は、好ましくは、校正標準１０５を通じて一様であることを要求される。ここで用いられる"元素（element）"なる用語は、単体の元素（atomic element）、例えば、フッ素を意味することも、あるいは化合物、例えば、二フッ化ホウ素を意味することもある。
図１には、さらに、校正標準１０５の濃度を決定する能力を持つ第一の分析ツール１２０が示される。第一の分析ツール１２０は、好ましくは、校正標準１０５の上方に配置される。次に、第一の分析ツール１２０によって、校正標準１０５が走査され、校正標準１０５の濃度データが得られ、通常は、これがグラフにて表現される。この校正方法のこの特定の段階において用いるのに適する分析ツール１２０の一つには、二次イオン質量分析計（ＳＩＭＳ）がある。これは、サンプルが内部に一様な濃度の元素を含有する場合、かなり正確なデータを得る能力を有するためである。
システム１００は、さらに集束ビーム装置１３０を含む。集束ビーム装置には、一つの好ましい実施例においては、１９９９年６月６日付けで出願された、本発明と譲受人を同一とする"Scanning Electron Microscope/Energy DispersiveSpectroscopy Sample Preparation Method and Sample Produced Thereby"なる名称の合衆国特許出願第０９／３３７，９６６号において開示されている集束イオンビーム（ＦＩＢ）装置が用いられる。さらに、集束ビーム装置１３０には、別の実施例として、校正標準１０５の薄い部分を採取するために用いることができる亜原子粒子ビーム装置、レーザビーム装置、あるいは任意の他の適用可能なビーム装置を用いることもできる。
システム１００はさらにサンプルホルダ１４０を含む。サンプルホルダ１４０は、集束ビーム装置１３０によって校正標準１０５から採取された校正標準の一部１４５を保持する。サンプルホルダ１４０は様々な異なる分析ツールとともに用いることができるように設計される。こうすることで、校正標準の一部分１４５をあるツールから別のツールに移動させることがより簡単になる。さらに、校正標準の一部分１４５をあるホルダから別のホルダに移動したり、複数の部分１４５を作成する必要もなくなり、このため分析過程の時間を大幅に削減することが可能となる。
図２Ａ〜２Ｃはサンプルホルダ１４０（図１）の一つの好ましい実施例の平面図および底面図を示す。この好ましい実施例においては、サンプルホルダ２００として、１９９９年５月２５日付けで出願された、本発明と譲受人を同一とする"Sample Holder for Multiple Diagnostic Tools and Methods of Manufacture and Operation Thereof"なる名称の合衆国特許出願第０９／３３７，９６６号において開示されているサンプルホルダが用いられる。この好ましいサンプルホルダ２００は、本体２１０とメーティングプラグ２２０から構成される。本体２１０は反対方向を向く第一と第二の主表面２１１、２１２、第一の主表面２１１内の後退部２１３、および本体を貫通する本体開口２１４を持つ。後退部２１３は、ベース２１３ｂを持ち、本体開口２１４は、後退部のベース２１３ｂから本体２１０を通って第二の主表面２１２へと貫通する。本体開口２１４の直径２１４ａは後退部２１３の直径２１３ａよりも小さい。プラグ２２０は、プラグ２２０を貫通するプラグ開口２２４を持ち、これは、取り付けられた場合、本体開口２１４と整合する。プラグ２２０の外側面２２１は後退部２１３の内側面２１３ｃと噛み合うように適合化される。
図１に戻り、図１には第二の分析ツール１５０も示される。第二の分析ツール１５０としては、例えば、走査電子顕微鏡（ＳＥＭ）、透過電子顕微鏡（ＴＥＭ）、あるいは走査透過電子顕微鏡（ＳＴＥＭ）において用いられるエネルギー分散分光法（ＥＤＳ）、微小熱量法、オージェ電子分光法（ＡＥＳ）、あるいはＸ線光電子分光法（ＸＰＳ）が選択される。ただし、当業者においては理解できるように、分析ツールは上述の一つに制限されるものではなく、他の分析ツールを選択することもできる。さらに、説明の実施例において示されるように、第二の分析ツール１５０は、サンプルホルダ１４０を保持するように適合化されたサンプルホルダベイ１５５を備えることもできる。
次に、図１も引き続き参照しながら、図３に示す流れ図３００との関連で、分析ツールを校正するための方法について説明する。図３のステップ３０５において、システムは、最初に、初期化を遂行する。初期化の後に、ステップ３１０において、既知のマトリックス１１０が得られる。既知のマトリックス１１０は、任意の材料であり得る。より具体的には、既知のマトリックス１１０は、半導体ウエハの製造において典型的に用いられる任意の材料であり得る。これら材料の例には、シリコン、二酸化シリコン、ゲルマニウム、アルミニウム、銅、タンタル、あるいはタングステンが含まれる。ただし、これらは可能な材料の全てを網羅するリストではないことに注意する。
ステップ３１５において、既知の注入（インプラント）元素が選択される。これは、単体の元素であっても、化合物であっても構わない。一般には、こうして選択される元素は、分析すべき元素に依存する。より具体的には、これら元素は、典型的には、半導体ウエハおよび集積回路の製造において現在用いられている元素である。半導体製造産業において現在用いられている元素の一例としては、フッ素がある。ステップ３２０において、選択された元素がマトリックス１１０内に、既知の濃度だけ導入され、こうして、校正標準が作成される。当業者においてはマトリックス内に元素を導入するための従来の方法が明らかであると思われる。例えば、様々な堆積技法やイオン注入（インプランテーション）技法を用いることができる。周知のように、イオンの注入法を用いて、マトリックス１１０内に導入される元素の量が正確に制御される。濃度は色々と変えることができるが、一つの実施例においては、マトリックス内の既知の元素の濃度は、約１Ｅ２１ ａｔｏｍｓ／cm３とされる。当業者においては理解できるように、ステップ３１０、３１５、３２０は、既知の元素および濃度を持つマトリックスが既に作成されてない場合にのみ必要とされる。
ステップ３２５において、校正標準１０５が第一の分析ツール内に置かれる。第一の分析ツール１２０は、説明の実施例においては、二次イオン質量分析計（ＳＩＭＳ）とされるが、当業者においては理解できるように、他の精度の高い第一の分析ツール１２０を用いることもできる。次に、ステップ３３０において、第一の分析ツール１２０を用いて、校正標準１０５の標準濃度プロフィルが得られる。現在のＳＩＭＳおよび適当と思われる場合、任意の他の技法を用いることで、どのような元素が、どの程度の濃度にて存在するかを、十分な確かさにて、決定することが可能であり、こうして、図４に示すようなＳＩＭＳプロフィルが得られる。ここで、図４は、フッ素の標準ＳＩＭＳプロフィル４００を示す。
ステップ３３０において標準プロフィルを決定した後、ステップ３３５において、校正標準の濃度を代表する一部分１４５が採取される。上述のように、好ましくは、この部分１４５を採取するためには、集束ビーム装置１３０が用いられる。より解説的な一つの実施例においては、この集束ビーム装置１３０としては、集束イオンビーム装置が用いられ、他の幾つかの実施例においては、亜原子ビーム装置あるいはレーザビーム装置が用いられる。上述のように、集束ビーム装置１３０を用いて、部分１４５が採取される。好ましくは、部分１４５は、校正標準１０５の元素の濃度を最も良く代表する表面近傍の領域から採取される。ただし、校正標準１０５内の濃度の一様性の状況によっては部分１４５を異なる領域から採取することもできる。
部分１４５は、一つのより具体的な実施例においては、約５０nm〜５０００nmの範囲の厚さを持つ薄い部分とされる。もう一つの実施例においては、この薄い部分は、約２００００nmなる長さおよび約５０００nmなる深さを持つ部分とされる。ただし、当業者においては理解できるように、集束ビーム装置１３０を用いて、他の様々な厚さ、長さ、および幅を持つ部分を採取することもできる。
オプションとしてのステップ３４０において、部分１４５がサンプルホルダ１４０内に置かれる。サンプルホルダ１４０を用いると、後に説明のステップにおいて部分１４５をより正確に第二の分析ツール１５０に固定することが可能となる。サンプルホルダ１４０は、極めて便利ではあるが、ただし、必須ではなく、説明の方法はこれを用いなくても実施できることに注意する。例えば、殆どの分析ツールは、自身のサンプルホルダ１４０を持ち、このような場合は、必要であれば、その分析ツール自身のサンプルホルダを用いることもできる。
ステップ３４５において、部分３４５が第二の分析ツール１５０の走査経路下に置かれる。この第二の分析ツール１５０は校正されるべきツールである。前述のように、この第二の分析ツール１５０は、例えば、走査電子顕微鏡（ＳＥＭ）、透過電子顕微鏡（ＴＥＭ）、あるいは走査透過電子顕微鏡（ＳＴＥＭ）において用いられるエネルギー分散分光法（ＥＤＳ）、微小熱量法、オージェ電子分光法（ＡＥＳ）、あるいはＸ線光電子分光法（ＸＰＳ）であり得る。ただし、説明の校正のための方法は、上述以外の他の分析ツールを校正するために用いることもできる。
部分１４５が第二の分析ツール１５０内に置かれた後、ステップ３５０において、部分１４５のプロフィルが得られる。図５は第二の分析ツール１５０によって得られたプロフィル５００を示す。プロフィル５００は、部分１４５内のフッ素の濃度をグラフ的に表す。いったんプロフィル５００が得られると、このプロフィル５００が標準プロフィル４００と比較される。この比較のために、ステップ３５５において、図６に示すようなプロフィル６００が得られる。第二の分析ツールが正しく校正されている場合は、比較プロフィル６００から見て、プロフィル５００によって表される部分１４５のピーク濃度レベルと校正標準１０５のピーク濃度レベルとが良く一致すべきである。図６においては、プロフィル５００のピーク濃度はプロフィル４００のそれより下にあり、このため、正しい濃度が反映されるように、第二の分析ツール１５０を調節、すなわち、校正することが必要とされる。
比較プロフィル６００は、さらに、ステップ３６０によって示されるように、第二の分析ツール１５０の検出限界を決定するために用いることもできる。濃度検出限界は、第二の分析ツール１５０がそれ以下では元素の濃度を正確に検出する（読み出す）ことができないような限界を表す。図７に示すように、第一の分析ツール１２０は、フッ素の濃度をプロフィル４００によって示されるように、約１Ｅ１６ ａｔｏｍｓ／cm３から約１Ｅ１５ ａｔｏｍｓ／cm３の範囲に渡って検出することができる。他方、第二の分析ツール１５０は、これも図からわかるように、フッ素の濃度をプロフィル５００によって示されるように、約１Ｅ１７ ａｔｏｍｓ／cm３までしか検出することができない。従って、この特定の第二の分析ツール１５０の説明の元素の濃度およびマトリックスに対する検出限界は線７１０によって示される通り、約１Ｅ１７ ａｔｏｍｓ／cm３であることがわかる。
第二の分析ツール１５０の検出限界を得た後、この過程はステップ３６５において終了する。勿論、上述の過程は、必要に応じて、同一の部分１４５あるいは異なるマトリックス内に異なる元素を含有する異なる部分１４５を用いて、別の複数の第二の分析ツールに対して繰り返すこともできる。
本発明が詳細に説明されたが、当業者においては本発明の精神および範囲内に入る様々な変更、置換、および代替が可能であり、本発明は許される範囲内で最も広く解釈されるべきである。
本発明が詳細に説明されたが、当業者においては本発明の精神および範囲内に入る様々な変更、置換、および代替が可能であり、本発明は許される範囲内で最も広く解釈されるべきである。
１００ システム
１０５ 校正標準
１１０ 既知のマトリックス
１２０ 第一の分析ツール
１３０ 集束ビーム装置
１４０ サンプルホルダ
１４５ 校正標準の一部分
１５０ 第二の分析ツール
２００ サンプルホルダ
２１０ サンプルホルダの本体
２２０ メーティングプラグ
１０５ 校正標準
１１０ 既知のマトリックス
１２０ 第一の分析ツール
１３０ 集束ビーム装置
１４０ サンプルホルダ
１４５ 校正標準の一部分
１５０ 第二の分析ツール
２００ サンプルホルダ
２１０ サンプルホルダの本体
２２０ メーティングプラグ
Claims (9)
- 分析ツールを校正するための方法であって、
ある元素を既知の濃度にて含有する校正標準を調製するステップであって、前記既知の濃度が第一の分析ツールを用いることによって決定されるステップと、
前記校正標準の前記既知の濃度を代表する一部分を集束ビームを用いて採取するステップと、および
前記校正標準の前記部分を用いて第二の分析ツールを校正するステップを含むことを特徴とする方法。 - さらに、前記第二の分析ツールの検出限界を前記既知の濃度について決定するステップを含むことを特徴とする請求項１記載の方法。
- 校正標準を調製するステップが、前記校正標準に前記元素を既知の濃度だけ注入するステップを含むことを特徴とする請求項１記載の方法。
- 前記前記第一の分析ツールが、二次イオン質量分析法（ＳＩＭＳ）による分析ツールあるいはラザフォード後方散乱分光法（ＲＢＳ）による分析ツールであることを特徴とする請求項１記載の方法。
- 前記校正標準の一部分を採取するステップが、前記校正標準の一部分を集束イオンビーム過程を用いて採取するステップを含むことを特徴とする請求項１記載の方法。
- 前記一部分を採取するステップが、約５０nm〜約５０００nmの間の厚さをもつ薄い部分を採取するステップを含むことを特徴とする請求項１記載の方法。
- 分析ツールを校正するためのシステムであって、
校正標準内の元素の濃度を決定する能力を有する第一の分析ツールと、
集束ビーム装置と、
前記集束ビーム装置を用いて前記校正標準から採取（抽出）され、前記第一の分析ツールによって決定された前記濃度を代表する一部分と、および
前記校正標準の前記部分を用いて校正される第二の分析ツールから構成されることを特徴とするシステム。 - 前記集束ビーム装置が集束イオンビーム装置から成ることを特徴とする請求項７記載のシステム。
- 前記採取された一部分が、約５０nm〜約５０００nmの間の厚さをもつ薄い部分から成ることを特徴とする請求項７記載のシステム。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US09/567,675 US6603119B1 (en) | 2000-05-09 | 2000-05-09 | Calibration method for quantitative elemental analysis |
| US09/567675 | 2000-05-09 |
Publications (3)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001318064A JP2001318064A (ja) | 2001-11-16 |
| JP2001318064A5 JP2001318064A5 (ja) | 2008-05-29 |
| JP5544677B2 true JP5544677B2 (ja) | 2014-07-09 |
Family
ID=24268164
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001138037A Expired - Lifetime JP5544677B2 (ja) | 2000-05-09 | 2001-05-09 | 元素の定量分析のための校正方法 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6603119B1 (ja) |
| EP (1) | EP1154256B1 (ja) |
| JP (1) | JP5544677B2 (ja) |
| KR (1) | KR100445020B1 (ja) |
| TW (1) | TW593998B (ja) |
Families Citing this family (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004151045A (ja) * | 2002-11-01 | 2004-05-27 | Hitachi High-Technologies Corp | 電子顕微鏡またはｘ線分析装置及び試料の分析方法 |
| US7064318B2 (en) * | 2003-08-26 | 2006-06-20 | Thermo Finnigan Llc | Methods and apparatus for aligning ion optics in a mass spectrometer |
| WO2005119229A1 (ja) * | 2004-06-03 | 2005-12-15 | Komatsu Electronic Metals Co., Ltd. | 不純物元素の濃度の測定の方法 |
| US20070194227A1 (en) * | 2006-02-13 | 2007-08-23 | Ibis Technology Corporation | Method of characterizing an ion beam |
| US8696201B2 (en) | 2010-11-19 | 2014-04-15 | Siemens Aktiengesellschaft | Device and method for calibrating an X-ray detector, calibration apparatus and X-ray apparatus |
| DE102016010405A1 (de) | 2016-08-25 | 2017-03-02 | Daimler Ag | Elektrolyt und elektrochemischer Energiespeicher |
| CN111141811B (zh) * | 2019-12-26 | 2020-10-16 | 中国科学院地质与地球物理研究所 | 一种离子探针的靶托组件及其样品靶制备的方法 |
Family Cites Families (31)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4377340A (en) * | 1980-10-24 | 1983-03-22 | Hamamatsu Systems, Inc. | Method and apparatus for detecting particles on a material |
| US4575869A (en) | 1984-05-16 | 1986-03-11 | Angelo M. Torrisi | Sample holder with handling support for X-ray spectroscopic analysis |
| JPS62132156A (ja) * | 1985-12-04 | 1987-06-15 | Hitachi Ltd | 電子部品中のハロゲン元素の定量分析法 |
| US4697080A (en) | 1986-01-06 | 1987-09-29 | The United States Of America As Represented By The United States Department Of Energy | Analysis with electron microscope of multielement samples using pure element standards |
| EP0401453B1 (en) * | 1989-05-23 | 1992-09-02 | Biosensors Technology, Inc. | Method for determining by absorption of radiations the concentration of substances in absorbing and turbid matrices |
| DE3932838C2 (de) * | 1989-09-30 | 1996-03-07 | Hartmann & Braun Ag | Nichtdispersiver Infrarot-Gasanalysator |
| JPH043951A (ja) * | 1990-04-20 | 1992-01-08 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体検査装置 |
| GB2243211A (en) | 1990-04-20 | 1991-10-23 | Philips Electronic Associated | Analytical instrument and method of calibrating an analytical instrument |
| JPH0438440A (ja) * | 1990-06-02 | 1992-02-07 | Hitachi Ltd | 定量分析試料とイオン注入方法およびイオン注入機能付二次イオン質量分析装置 |
| KR950010390B1 (ko) * | 1990-06-28 | 1995-09-16 | 가부시끼가이샤 도시바 | 전반사 형광 x선 분석 장치 |
| US5459677A (en) | 1990-10-09 | 1995-10-17 | Board Of Regents Of The University Of Washington | Calibration transfer for analytical instruments |
| JP3044881B2 (ja) * | 1990-11-26 | 2000-05-22 | セイコーエプソン株式会社 | 半導体基板の表面酸化膜における金属不純物の分析方法 |
| JP2774884B2 (ja) * | 1991-08-22 | 1998-07-09 | 株式会社日立製作所 | 試料の分離方法及びこの分離方法で得た分離試料の分析方法 |
| JPH05188020A (ja) * | 1991-09-17 | 1993-07-27 | Sony Corp | ２次イオン質量分析法による定量分析方法及び２次イオン質量分析装置 |
| JP3585938B2 (ja) * | 1991-12-07 | 2004-11-10 | 株式会社東芝 | 半導体装置 |
| US5214486A (en) * | 1991-12-12 | 1993-05-25 | Hoya Micro Mask, Inc. | Monitor plate for automatic particle detection system |
| JP2937598B2 (ja) * | 1992-01-07 | 1999-08-23 | キヤノン株式会社 | 深さ方向元素濃度分布測定装置 |
| US5650616A (en) * | 1992-04-14 | 1997-07-22 | Olympus Optical Co., Ltd. | Apparatus and method for analyzing surface |
| US5390230A (en) | 1993-03-30 | 1995-02-14 | Valence Technology, Inc. | Controlled atmosphere, variable volume sample holder for x-ray diffractomer |
| JP3425674B2 (ja) | 1993-07-30 | 2003-07-14 | アークレイ株式会社 | 成分濃度測定装置および方法 |
| JP3455306B2 (ja) * | 1994-10-24 | 2003-10-14 | 三菱電機株式会社 | 異物分析装置及び半導体製造制御装置並びに異物分析方法及び半導体製造制御方法 |
| US6035246A (en) | 1994-11-04 | 2000-03-07 | Sandia Corporation | Method for identifying known materials within a mixture of unknowns |
| JP3439584B2 (ja) * | 1994-11-22 | 2003-08-25 | 沖電気工業株式会社 | 固体中元素の濃度分布の測定方法および測定用試料 |
| ES2145426T3 (es) | 1995-02-09 | 2000-07-01 | Foss Electric As | Un metodo para normalizar una pluralidad de espectrometros. |
| US6040198A (en) | 1995-11-30 | 2000-03-21 | Fujitsu Limited | Element concentration measuring method and apparatus, and semiconductor device fabrication method and apparatus |
| JPH1048160A (ja) * | 1996-08-06 | 1998-02-20 | Asahi Chem Ind Co Ltd | 全反射蛍光ｘ線分析用基板及びそれを用いた分析方法 |
| US5866899A (en) | 1996-09-12 | 1999-02-02 | Advanced Micro Devices, Inc. | Concentration measurement apparatus calibration method |
| JPH10197461A (ja) * | 1997-01-07 | 1998-07-31 | Mitsui Chem Inc | 蛍光ｘ線分析装置の校正用の方法及び装置 |
| JP3732920B2 (ja) * | 1997-06-13 | 2006-01-11 | 理学電機工業株式会社 | 分析試料調整装置 |
| JPH11160209A (ja) * | 1997-12-02 | 1999-06-18 | Matsushita Electron Corp | 透過型電子顕微鏡の試料作製方法 |
| KR20000033909A (ko) * | 1998-11-26 | 2000-06-15 | 김영환 | 질량분석분광장치와 그 분석방법 |
-
2000
- 2000-05-09 US US09/567,675 patent/US6603119B1/en not_active Expired - Lifetime
-
2001
- 2001-05-08 EP EP01304147A patent/EP1154256B1/en not_active Expired - Lifetime
- 2001-05-08 TW TW090110939A patent/TW593998B/zh not_active IP Right Cessation
- 2001-05-09 KR KR10-2001-0025174A patent/KR100445020B1/ko active IP Right Grant
- 2001-05-09 JP JP2001138037A patent/JP5544677B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP1154256B1 (en) | 2007-11-07 |
| JP2001318064A (ja) | 2001-11-16 |
| TW593998B (en) | 2004-06-21 |
| US6603119B1 (en) | 2003-08-05 |
| EP1154256A1 (en) | 2001-11-14 |
| KR100445020B1 (ko) | 2004-08-18 |
| KR20010106224A (ko) | 2001-11-29 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| Penka et al. | Application of total reflection X-ray fluorescence in semiconductor surface analysis | |
| US5804460A (en) | Linewidth metrology of integrated circuit structures | |
| JP5544677B2 (ja) | 元素の定量分析のための校正方法 | |
| JP2004022318A (ja) | 透過型電子顕微鏡装置および試料解析方法 | |
| US7358494B1 (en) | Material composition analysis system and method | |
| US6723650B1 (en) | TEM sample preparation using transparent defect protective coating | |
| JP3260663B2 (ja) | ホール内表面の組成分布検出方法 | |
| US6519543B1 (en) | Calibration method for quantitative elemental analysis | |
| US6519542B1 (en) | Method of testing an unknown sample with an analytical tool | |
| CN114460432A (zh) | 一种半导体晶圆制造晶体管栅极硅氧化层失效的综合分析方法 | |
| JP2001319954A (ja) | 集束イオンビームによる試料の加工方法 | |
| US6420703B1 (en) | Method for forming a critical dimension SEM calibration standard of improved definition and standard formed | |
| US6121624A (en) | Method for controlled implantation of elements into the surface or near surface of a substrate | |
| Bonifacio et al. | Cutting-edge sample preparation from FIB to Ar concentrated ion beam milling of advanced semiconductor devices | |
| US6781126B2 (en) | Auger-based thin film metrology | |
| Shaffner | Semiconductor characterization and analytical technology | |
| US6278112B1 (en) | Method of setting a base energy level for an Auger electron spectroscopy analysis of a titanium nitride film, and method of analyzing the titanium nitride film | |
| TWI225674B (en) | Method of defect root cause analysis | |
| Clarke et al. | Photoresist cross-sectioning with negligible damage using a dual-beam FIB-SEM: A high throughput method for profile imaging | |
| Bonifacio et al. | Accurate Sub-micron Device Delayering of Plan View TEM Specimens By Ar Ion Milling | |
| KR100249010B1 (ko) | 시편 및 그 제작방법 | |
| JP3326170B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| Dworkin | Automated workflow improves speed and precision of S/TEM process monitoring for 22 nm FinFET structures | |
| JP3319744B2 (ja) | ホール内表面の測定方法 | |
| KR100676613B1 (ko) | 파라핀을 이용한 반도체 시편 제조 방법 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20080414 |
|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20080414 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20100924 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20100929 |
|
| A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20101227 |
|
| A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20110105 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20110328 |
|
| RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422 Effective date: 20110328 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20110824 |
|
| A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20111124 |
|
| A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20111129 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20120215 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20120927 |
|
| A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20121227 |
|
| A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20130107 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20130327 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20131003 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20140131 |
|
| A911 | Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 Effective date: 20140317 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20140401 |
|
| A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A712 Effective date: 20140428 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20140428 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5544677 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113 |
|
| S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |