JPS62132156A - 電子部品中のハロゲン元素の定量分析法 - Google Patents
電子部品中のハロゲン元素の定量分析法Info
- Publication number
- JPS62132156A JPS62132156A JP60271490A JP27149085A JPS62132156A JP S62132156 A JPS62132156 A JP S62132156A JP 60271490 A JP60271490 A JP 60271490A JP 27149085 A JP27149085 A JP 27149085A JP S62132156 A JPS62132156 A JP S62132156A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- calibration curve
- ion
- quantitative analysis
- sample
- halogen element
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Sampling And Sample Adjustment (AREA)
- Analysing Materials By The Use Of Radiation (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
電子部品のなかにはハロゲンにより極めて汚染され易く
、この汚染により特性に不良が生ずる場合が少なくない
が、本発明はイオンマイクロアナライザによる測定値か
ら、上記ハロゲンによる汚染の程度を迅速かつ高感度で
定量できるようにして、電子部品の品質管理を強化し、
性能向上に寄与するハロゲン元素の定量分析法に関する
。
、この汚染により特性に不良が生ずる場合が少なくない
が、本発明はイオンマイクロアナライザによる測定値か
ら、上記ハロゲンによる汚染の程度を迅速かつ高感度で
定量できるようにして、電子部品の品質管理を強化し、
性能向上に寄与するハロゲン元素の定量分析法に関する
。
既述のように、電子部品のなか（例えば電子管の基本的
で重要な構成材料であるガラス等）には、ハロゲン例え
ば（１！、 Ｆ等に極めて汚染され易く、しかも一旦汚
染されてしまうと、その除去、清浄化が困難で、そのま
ま使用して最終製品としたときになって、はじめて特性
（例えば電子放出特性）不良となってハロゲン汚染が判
明する場合が少な（ない。
で重要な構成材料であるガラス等）には、ハロゲン例え
ば（１！、 Ｆ等に極めて汚染され易く、しかも一旦汚
染されてしまうと、その除去、清浄化が困難で、そのま
ま使用して最終製品としたときになって、はじめて特性
（例えば電子放出特性）不良となってハロゲン汚染が判
明する場合が少な（ない。
従来、その対策、品質管理のために、電子部品材料中の
微量なハロゲン元素量の定量分析には力を注ぎ、化学分
析やＸ線マイクロアナライザによる分析を行って来た。
微量なハロゲン元素量の定量分析には力を注ぎ、化学分
析やＸ線マイクロアナライザによる分析を行って来た。
しかし、化学分析では材料（の表面近くの汚染部分だけ
でなく）全体のハロゲン量しか定量分析できない。Ｘ線
マイクロアナライザならば微少部分の分析も可能である
が、検出感度が低い（０，１％以上）等の問題点があっ
て、ハロゲン汚染対策は十分に進んでいなかった。
でなく）全体のハロゲン量しか定量分析できない。Ｘ線
マイクロアナライザならば微少部分の分析も可能である
が、検出感度が低い（０，１％以上）等の問題点があっ
て、ハロゲン汚染対策は十分に進んでいなかった。
本発明の目的は、電子部品材料である金属（例えばステ
ンレス）やガラスの表面に付着した汚染材料であるハロ
ゲン元素を、迅速かつ高感度で定量分析できる方法を提
供することにある。
ンレス）やガラスの表面に付着した汚染材料であるハロ
ゲン元素を、迅速かつ高感度で定量分析できる方法を提
供することにある。
現在、半導体製造工程の一部に広く用いられているイオ
ン注入法は、表面に注入した原子数を正確に把握できる
ことが特徴となっている０本発明は此の点に着目して、
イオン注入法を、定量分析用の標準試料作製に応用する
こととした。
ン注入法は、表面に注入した原子数を正確に把握できる
ことが特徴となっている０本発明は此の点に着目して、
イオン注入法を、定量分析用の標準試料作製に応用する
こととした。
イオン注入法によって作製した複数種類の標準試料を、
あらかじめイオンマイクロアナライザで測定し、検量線
を作成しておく。以後、実試料をイオンマイクロアナラ
イザにより測定し、検量線と比較することにより定量分
析を行うことが出来る。
あらかじめイオンマイクロアナライザで測定し、検量線
を作成しておく。以後、実試料をイオンマイクロアナラ
イザにより測定し、検量線と比較することにより定量分
析を行うことが出来る。
なお、これまでにイオンマイクロアナライザによるハロ
ゲン元素の定量に関する公表例はない。
ゲン元素の定量に関する公表例はない。
本発明の一実施例を第１図（ａ）、（ｂ）により説明す
る。
る。
単結晶シリコン中にＣＩ！、をイオン注入した標準試料
を作製した。試料作製条件は、注入（打込）エネルギ
：１５０ｋｅＶ、注入Ｒ： １０”、５ｘ ｔ ｏ”、
１０′Δ（ａｔＯＩｍｓ−ＣＩ＋１−２）、コノ試料ラ
イオンマイクロアナライザにより深さ方向分析をｍ÷行
い、濃度プロファイルを得た。濃度プロファイルの一例
を第１図（ａ）に示した。本図の横軸に示すスパッタ時
間とは、イオンマイクロアナライザのへイオンでスパッ
タされた時間を示し、結局試料表面がスパッタし去られ
た深さを示す。試料中の注入ＣＺ量は理論的にはガウス
分布となり、第１図に示す実測と近似することによりＲ
ｐ（Ｐｒｏｊｅｃｔｉｏｎ Ｒａｎｇｅ）のＣＺ濃度が
求められる。
を作製した。試料作製条件は、注入（打込）エネルギ
：１５０ｋｅＶ、注入Ｒ： １０”、５ｘ ｔ ｏ”、
１０′Δ（ａｔＯＩｍｓ−ＣＩ＋１−２）、コノ試料ラ
イオンマイクロアナライザにより深さ方向分析をｍ÷行
い、濃度プロファイルを得た。濃度プロファイルの一例
を第１図（ａ）に示した。本図の横軸に示すスパッタ時
間とは、イオンマイクロアナライザのへイオンでスパッ
タされた時間を示し、結局試料表面がスパッタし去られ
た深さを示す。試料中の注入ＣＺ量は理論的にはガウス
分布となり、第１図に示す実測と近似することによりＲ
ｐ（Ｐｒｏｊｅｃｔｉｏｎ Ｒａｎｇｅ）のＣＺ濃度が
求められる。
このような標準試料をイオン濃度を変えて複数個作製し
、イオンマイクロアナライザ測定を行うことにより、検
量線を作成できる。このようにして作成した検量線の一
例を第１図（ｂ）に示す、この図に明らかなように、良
好な直線性が得られたため、この検量線により、５００
ｐｐｍ＝１．０％の濃度範囲のＣｌが、イオンマイクロ
アナライザを用いて定量可能となった。
、イオンマイクロアナライザ測定を行うことにより、検
量線を作成できる。このようにして作成した検量線の一
例を第１図（ｂ）に示す、この図に明らかなように、良
好な直線性が得られたため、この検量線により、５００
ｐｐｍ＝１．０％の濃度範囲のＣｌが、イオンマイクロ
アナライザを用いて定量可能となった。
以上説明したように本発明により、イオンマイクロアナ
ライザを用いることにより、迅速（分析時間：３０分／
試料）に、かつ高感度に（約１０ｐｐｍ以上）、電子部
品中のハロゲン元素量を定量分析することが可能になっ
た。
ライザを用いることにより、迅速（分析時間：３０分／
試料）に、かつ高感度に（約１０ｐｐｍ以上）、電子部
品中のハロゲン元素量を定量分析することが可能になっ
た。
第１図（ａ）はＣｌイオンを特定量正確に注入した標準
試料の濃度プロファイルの一例を示す図、第１図（ｂ）
はＣＺ検量線の一例を示す図である。 第 １ 図 （ω） （ｂ）
試料の濃度プロファイルの一例を示す図、第１図（ｂ）
はＣＺ検量線の一例を示す図である。 第 １ 図 （ω） （ｂ）
Claims (1)
- 清浄な材料に、イオン注入法によりハロゲン元素を夫々
異なる特定量ずつ正確に注入した複数個の標準試料を作
成し、これらの試料のなかのハロゲン元素のイオン強度
と基体材料のイオン強度の比を、イオンマイクロアナラ
イザにより測定して、其の結果から検量線を作成し、イ
オンマイクロアナライザによる実試料の測定結果から上
記検量線を用いて、上記実試料中のハロゲン元素の定量
分析を行うようにしたことを特徴とする電子部品中のハ
ロゲン元素の定量分析法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60271490A JPS62132156A (ja) | 1985-12-04 | 1985-12-04 | 電子部品中のハロゲン元素の定量分析法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60271490A JPS62132156A (ja) | 1985-12-04 | 1985-12-04 | 電子部品中のハロゲン元素の定量分析法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62132156A true JPS62132156A (ja) | 1987-06-15 |
Family
ID=17500774
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60271490A Pending JPS62132156A (ja) | 1985-12-04 | 1985-12-04 | 電子部品中のハロゲン元素の定量分析法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62132156A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0438440A (ja) * | 1990-06-02 | 1992-02-07 | Hitachi Ltd | 定量分析試料とイオン注入方法およびイオン注入機能付二次イオン質量分析装置 |
| JP2001318064A (ja) * | 2000-05-09 | 2001-11-16 | Agere Systems Guardian Corp | 元素の定量分析のための校正方法 |
-
1985
- 1985-12-04 JP JP60271490A patent/JPS62132156A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0438440A (ja) * | 1990-06-02 | 1992-02-07 | Hitachi Ltd | 定量分析試料とイオン注入方法およびイオン注入機能付二次イオン質量分析装置 |
| JP2001318064A (ja) * | 2000-05-09 | 2001-11-16 | Agere Systems Guardian Corp | 元素の定量分析のための校正方法 |
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