JP3185825B2 - 標準試料 - Google Patents
標準試料Info
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- JP3185825B2 JP3185825B2 JP06064093A JP6064093A JP3185825B2 JP 3185825 B2 JP3185825 B2 JP 3185825B2 JP 06064093 A JP06064093 A JP 06064093A JP 6064093 A JP6064093 A JP 6064093A JP 3185825 B2 JP3185825 B2 JP 3185825B2
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- Japan
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- layer
- standard sample
- layers
- intensity distribution
- secondary ion
- Prior art date
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- Analysing Materials By The Use Of Radiation (AREA)
- Sampling And Sample Adjustment (AREA)
- Electron Tubes For Measurement (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】 本発明は、二次イオン質量分析
装置の、深さ方向の分解能校正及びイオンビーム誘起拡
散評価に用いて好適な標準試料に関するものである。
装置の、深さ方向の分解能校正及びイオンビーム誘起拡
散評価に用いて好適な標準試料に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、原子質量の精密測定、分子線エピ
タキシ（ＭＢＥ）等により成膜される薄膜等の化学分
析、有機化合物イオンの原子組成の決定等において、二
次イオン質量分析装置が好適に用いられている。該二次
イオン質量分析装置における通常の分解能評価方法は、
分布がイオン強度の９０％になった時点でそのイオンの
元素を含む層が存在すると判定し、１０％以下になった
時点でそのイオンの元素を含む層が消失したと判定して
いる。そして、該二次イオン質量分析装置の深さ方向の
分解能を校正する場合、通常、数１０オングストローム
から数１００オングストロームの厚みを有する異種物質
の層を基板上に交互に積層させた試料を校正用の標準試
料とし、該標準試料のイオン強度分布により校正を行な
っていた。図８及び図９は上記のイオン強度分布の一例
であって、図８はＳｉ層上にＷ層を積層させた膜におけ
る深さ方向のＷとＳｉのイオン強度分布を示す図であ
り、図９は４ｎｍの厚みのＷ層とＣ層とを交互に積層し
た膜における深さ方向のＷとＣのイオン強度分布を示す
図である。
タキシ（ＭＢＥ）等により成膜される薄膜等の化学分
析、有機化合物イオンの原子組成の決定等において、二
次イオン質量分析装置が好適に用いられている。該二次
イオン質量分析装置における通常の分解能評価方法は、
分布がイオン強度の９０％になった時点でそのイオンの
元素を含む層が存在すると判定し、１０％以下になった
時点でそのイオンの元素を含む層が消失したと判定して
いる。そして、該二次イオン質量分析装置の深さ方向の
分解能を校正する場合、通常、数１０オングストローム
から数１００オングストロームの厚みを有する異種物質
の層を基板上に交互に積層させた試料を校正用の標準試
料とし、該標準試料のイオン強度分布により校正を行な
っていた。図８及び図９は上記のイオン強度分布の一例
であって、図８はＳｉ層上にＷ層を積層させた膜におけ
る深さ方向のＷとＳｉのイオン強度分布を示す図であ
り、図９は４ｎｍの厚みのＷ層とＣ層とを交互に積層し
た膜における深さ方向のＷとＣのイオン強度分布を示す
図である。
【０００３】また、イオンビーム誘起拡散の評価を行う
場合、前記標準試料を深さ方向にスパッタエッチングし
ながら当該層中の異種物質のイオン強度を測定し、該イ
オン強度から各層中の深さ方向の異種物質の濃度を求め
ることにより評価を行なっていた。
場合、前記標準試料を深さ方向にスパッタエッチングし
ながら当該層中の異種物質のイオン強度を測定し、該イ
オン強度から各層中の深さ方向の異種物質の濃度を求め
ることにより評価を行なっていた。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】ところで、従来の標準
試料では、該試料中に複数の異種物質の層が存在してい
ることにより、これらの異種物質の層の間の界面近傍で
は、いわゆる界面効果が生じ、分析すべき元素の濃度分
布に対応するイオン強度分布が界面近傍で異常に大きく
なったり、また小さくなったりするという問題点があっ
た。また、ある物質層中に異種物質が存在しているとマ
トリックス効果が生じ、分析すべき元素の濃度分布に対
応するイオン強度分布が存在比以上に大きくなったり、
また小さくなったりするという問題点があった。したが
って、分解能が低下し、上記分析によるイオン濃度分布
と実際の元素の濃度分布とが大幅に異なる場合が多く、
分析結果の信頼度が低下する一因になっていた。
試料では、該試料中に複数の異種物質の層が存在してい
ることにより、これらの異種物質の層の間の界面近傍で
は、いわゆる界面効果が生じ、分析すべき元素の濃度分
布に対応するイオン強度分布が界面近傍で異常に大きく
なったり、また小さくなったりするという問題点があっ
た。また、ある物質層中に異種物質が存在しているとマ
トリックス効果が生じ、分析すべき元素の濃度分布に対
応するイオン強度分布が存在比以上に大きくなったり、
また小さくなったりするという問題点があった。したが
って、分解能が低下し、上記分析によるイオン濃度分布
と実際の元素の濃度分布とが大幅に異なる場合が多く、
分析結果の信頼度が低下する一因になっていた。
【０００５】例えば、図８の場合では、Ｗイオンの強度
はＷ層とＳｉ層の界面において約１０4カウントから１
０5カウントへと１桁程度も異常に大きくなり、ＷとＳ
ｉの元素の濃度分布を精度良く求めることができない。
また、図９の場合では、界面効果が現われてＷのイオン
強度及びＣのイオン強度共に界面で強度が強まり、実際
の層の存在位置から共にずれてしまうことになる。この
結果、双方の元素のピークが同期して検出され、積層膜
にもかかわらずＷ及びＣのいずれもが界面近傍の位置に
ピークを有する分布が得られることとなる。
はＷ層とＳｉ層の界面において約１０4カウントから１
０5カウントへと１桁程度も異常に大きくなり、ＷとＳ
ｉの元素の濃度分布を精度良く求めることができない。
また、図９の場合では、界面効果が現われてＷのイオン
強度及びＣのイオン強度共に界面で強度が強まり、実際
の層の存在位置から共にずれてしまうことになる。この
結果、双方の元素のピークが同期して検出され、積層膜
にもかかわらずＷ及びＣのいずれもが界面近傍の位置に
ピークを有する分布が得られることとなる。
【０００６】また、従来の標準試料では、二次イオン質
量分析において生じるイオンビーム誘起拡散評価を行う
場合、各層中の深さ方向の異種物質の濃度を求めること
はできるが、当該層中の同種物質の濃度変化を求めるこ
とができないという問題点がった。このように、従来の
標準試料では、二次イオン質量分析装置の分解能の精度
を向上させることが困難であった。
量分析において生じるイオンビーム誘起拡散評価を行う
場合、各層中の深さ方向の異種物質の濃度を求めること
はできるが、当該層中の同種物質の濃度変化を求めるこ
とができないという問題点がった。このように、従来の
標準試料では、二次イオン質量分析装置の分解能の精度
を向上させることが困難であった。
【０００７】本発明は、上記の事情に鑑みてなされたも
のであって、二次イオン質量分析装置の分解能の校正の
精度を向上させることができ、したがって、分解能の精
度を向上させることができ、イオンビーム誘起拡散評価
を可能にすることができる標準試料を提供することにあ
る。
のであって、二次イオン質量分析装置の分解能の校正の
精度を向上させることができ、したがって、分解能の精
度を向上させることができ、イオンビーム誘起拡散評価
を可能にすることができる標準試料を提供することにあ
る。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、本発明は次の様な標準試料を採用した。すなわち、
基板上に、金属単体からなる同位体を主成分とする物質
層を複数積層させた構造とし、この積層構造の隣合う層
に含まれる前記同位体は質量が互いに異なることを特徴
としている。
に、本発明は次の様な標準試料を採用した。すなわち、
基板上に、金属単体からなる同位体を主成分とする物質
層を複数積層させた構造とし、この積層構造の隣合う層
に含まれる前記同位体は質量が互いに異なることを特徴
としている。
【０００９】
【作用】本発明の標準試料では、金属単体からなる同位
体を主成分とする物質層を複数積層させた構造とし、こ
の積層構造の隣合う層に含まれる前記同位体は質量が互
いに異なることにより、該標準試料を二次イオン質量分
析装置の分解能の校正に適用すると、物質層の化学的性
質が全く同一であるから界面効果及びマトリックス効果
が消失し、異常な二次イオン強度の増減がなくなり、精
度の良い二次イオン強度分布を測定することが可能にな
る。したがって、該二次イオン強度分布と同位体の積層
厚みを比較することにより、二次イオン質量分析装置の
深さ方向の分解能を正確に求めることができる。
体を主成分とする物質層を複数積層させた構造とし、こ
の積層構造の隣合う層に含まれる前記同位体は質量が互
いに異なることにより、該標準試料を二次イオン質量分
析装置の分解能の校正に適用すると、物質層の化学的性
質が全く同一であるから界面効果及びマトリックス効果
が消失し、異常な二次イオン強度の増減がなくなり、精
度の良い二次イオン強度分布を測定することが可能にな
る。したがって、該二次イオン強度分布と同位体の積層
厚みを比較することにより、二次イオン質量分析装置の
深さ方向の分解能を正確に求めることができる。
【００１０】また、該標準試料を深さ方向にスパッタエ
ッチングしながらイオン強度を測定する場合、第１の物
質層をスパッタエッチングする際に、次の層である第２
の物質層に含まれるイオンが検出される。このイオンは
第２の物質層から第１の物質層へ拡散したものであるか
ら、このイオンの検出位置を求めることにより、このイ
オンの第１の物質層における拡散の度合を知ることがで
き、イオンビーム誘起拡散を評価することができる。
ッチングしながらイオン強度を測定する場合、第１の物
質層をスパッタエッチングする際に、次の層である第２
の物質層に含まれるイオンが検出される。このイオンは
第２の物質層から第１の物質層へ拡散したものであるか
ら、このイオンの検出位置を求めることにより、このイ
オンの第１の物質層における拡散の度合を知ることがで
き、イオンビーム誘起拡散を評価することができる。
【００１１】また、第１の物質層のエッチング終了後、
第２の物質層をエッチングする際に該第２の物質層中の
第１の物質層のイオンを検出することにより、エッチン
グの際に第１の物質層のイオンが第２の物質層へ拡散す
る度合を知ることができ、エッチングによるノックオン
効果の程度を知ることができる。
第２の物質層をエッチングする際に該第２の物質層中の
第１の物質層のイオンを検出することにより、エッチン
グの際に第１の物質層のイオンが第２の物質層へ拡散す
る度合を知ることができ、エッチングによるノックオン
効果の程度を知ることができる。
【００１２】
【実施例】以下、本発明に係る標準試料の各実施例につ
いて図に基づき説明する。 実施例１ スパッタ法により、Ｓｉ基板上に厚み２０ｎｍの58Ｎｉ
層と62Ｎｉ層を交互に３層づつ積層させた積層膜を成膜
し、標準試料とした。図１は該標準試料を二次イオン質
量分析した場合のイオン強度分布を示す図である。ここ
では、イオン照射に１０ｋｅＶのＯ2+を用い、エッチン
グしながら58Ｎｉ層と62Ｎｉ層各２層づつの深さ方向の
イオン強度分布を求めた。
いて図に基づき説明する。 実施例１ スパッタ法により、Ｓｉ基板上に厚み２０ｎｍの58Ｎｉ
層と62Ｎｉ層を交互に３層づつ積層させた積層膜を成膜
し、標準試料とした。図１は該標準試料を二次イオン質
量分析した場合のイオン強度分布を示す図である。ここ
では、イオン照射に１０ｋｅＶのＯ2+を用い、エッチン
グしながら58Ｎｉ層と62Ｎｉ層各２層づつの深さ方向の
イオン強度分布を求めた。
【００１３】この測定結果では、界面効果やマトリック
ス効果による異常なカウント数の増減がなくなり、強度
分布が層の界面において急峻になっている。また、従来
の異種物質の積層膜にみられるような、２種の物質から
の異種イオンの強度分布の同期は観測されなかった。以
上により、二次イオン質量分析装置の深さ方向の分解能
を、58Ｎｉ層と62Ｎｉ層のイオン強度分布の立ち上がり
及び立ち下がりを基に校正し評価することができた。
ス効果による異常なカウント数の増減がなくなり、強度
分布が層の界面において急峻になっている。また、従来
の異種物質の積層膜にみられるような、２種の物質から
の異種イオンの強度分布の同期は観測されなかった。以
上により、二次イオン質量分析装置の深さ方向の分解能
を、58Ｎｉ層と62Ｎｉ層のイオン強度分布の立ち上がり
及び立ち下がりを基に校正し評価することができた。
【００１４】実施例２ 上記実施例１と同様に、Ｓｉ基板上に厚み２０ｎｍの
182Ｗ，184Ｗ，186Ｗを主成分とする３成分Ｗ層と厚み
２０ｎｍの183Ｗを主成分とする183Ｗ層を交互に３層づ
つ積層させた積層膜を成膜し、標準試料とした。図２は
該標準試料を二次イオン質量分析した場合のイオン強度
分布を示す図である。ここでは、イオン照射、エッチン
グ等の諸条件は上記実施例１と同様とした。
182Ｗ，184Ｗ，186Ｗを主成分とする３成分Ｗ層と厚み
２０ｎｍの183Ｗを主成分とする183Ｗ層を交互に３層づ
つ積層させた積層膜を成膜し、標準試料とした。図２は
該標準試料を二次イオン質量分析した場合のイオン強度
分布を示す図である。ここでは、イオン照射、エッチン
グ等の諸条件は上記実施例１と同様とした。
【００１５】この測定結果においても上記実施例１と同
様に、界面効果やマトリックス効果による異常なカウン
ト数の増減がなくなり、強度分布が層の界面において急
峻になっている。また、従来の異種物質の積層膜にみら
れるような、２種の物質からの異種イオンの強度分布の
同期は観測されなかった。以上により、二次イオン質量
分析装置の深さ方向の分解能を、３成分Ｗ層と18 3Ｗ層
のイオン強度分布の立ち上がり及び立ち下がりを基に校
正し評価することができた。
様に、界面効果やマトリックス効果による異常なカウン
ト数の増減がなくなり、強度分布が層の界面において急
峻になっている。また、従来の異種物質の積層膜にみら
れるような、２種の物質からの異種イオンの強度分布の
同期は観測されなかった。以上により、二次イオン質量
分析装置の深さ方向の分解能を、３成分Ｗ層と18 3Ｗ層
のイオン強度分布の立ち上がり及び立ち下がりを基に校
正し評価することができた。
【００１６】実施例３ 上記実施例１と同様に、Ｓｉ基板上に厚み２０ｎｍの
120Ｓｎ，118Ｓｎを主成分とする２成分Ｓｎ層と厚み２
０ｎｍの119Ｓｎを主成分とする119Ｓｎ層を交互に３層
づつ積層させた積層膜を成膜し、標準試料とした。図３
は該標準試料を二次イオン質量分析した場合のイオン強
度分布を示す図である。ここでは、イオン照射、エッチ
ング等の諸条件は上記実施例１と同様とした。
120Ｓｎ，118Ｓｎを主成分とする２成分Ｓｎ層と厚み２
０ｎｍの119Ｓｎを主成分とする119Ｓｎ層を交互に３層
づつ積層させた積層膜を成膜し、標準試料とした。図３
は該標準試料を二次イオン質量分析した場合のイオン強
度分布を示す図である。ここでは、イオン照射、エッチ
ング等の諸条件は上記実施例１と同様とした。
【００１７】この測定結果においても上記実施例１と同
様に、界面効果やマトリックス効果による異常なカウン
ト数の増減がなくなり、強度分布が層の界面において急
峻になっている。また、従来の異種物質の積層膜にみら
れるような、２種の物質からの異種イオンの強度分布の
同期は観測されなかった。以上により、二次イオン質量
分析装置の深さ方向の分解能を、２成分Ｓｎ層と119Ｓ
ｎ層のイオン強度分布の立ち上がり及び立ち下がりを基
に校正し評価することができた。
様に、界面効果やマトリックス効果による異常なカウン
ト数の増減がなくなり、強度分布が層の界面において急
峻になっている。また、従来の異種物質の積層膜にみら
れるような、２種の物質からの異種イオンの強度分布の
同期は観測されなかった。以上により、二次イオン質量
分析装置の深さ方向の分解能を、２成分Ｓｎ層と119Ｓ
ｎ層のイオン強度分布の立ち上がり及び立ち下がりを基
に校正し評価することができた。
【００１８】実施例４ 上記実施例１と同様に、Ｓｉ基板上に厚み２０ｎｍの56
Ｆｅ層と57Ｆｅ層を交互に３層づつ積層させた積層膜を
成膜し、標準試料とした。図４は該標準試料を二次イオ
ン質量分析した場合のイオン強度分布を示す図である。
ここでは、イオン照射、エッチング等の諸条件は上記実
施例１と同様とした。
Ｆｅ層と57Ｆｅ層を交互に３層づつ積層させた積層膜を
成膜し、標準試料とした。図４は該標準試料を二次イオ
ン質量分析した場合のイオン強度分布を示す図である。
ここでは、イオン照射、エッチング等の諸条件は上記実
施例１と同様とした。
【００１９】この測定結果においても上記実施例１と同
様に、界面効果やマトリックス効果による異常なカウン
ト数の増減がなくなり、強度分布が層の界面において急
峻になっている。また、従来の異種物質の積層膜にみら
れるような、２種の物質からの異種イオンの強度分布の
同期は観測されなかった。以上により、二次イオン質量
分析装置の深さ方向の分解能を、56Ｆｅ層と57Ｆｅ層の
イオン強度分布の立ち上がり及び立ち下がりを基に校正
し評価することができた。
様に、界面効果やマトリックス効果による異常なカウン
ト数の増減がなくなり、強度分布が層の界面において急
峻になっている。また、従来の異種物質の積層膜にみら
れるような、２種の物質からの異種イオンの強度分布の
同期は観測されなかった。以上により、二次イオン質量
分析装置の深さ方向の分解能を、56Ｆｅ層と57Ｆｅ層の
イオン強度分布の立ち上がり及び立ち下がりを基に校正
し評価することができた。
【００２０】実施例５ スパッタ法により、Ｓｉ基板上に厚み１０ｎｍの102Ｒ
ｕ層と98Ｒｕ層を交互に３層づつ積層させ、さらに厚み
２００ｎｍの102Ｒｕ層と98Ｒｕ層を２層づつ交互に積
層させた積層膜を成膜し、標準試料とした。図５は該標
準試料を二次イオン質量分析した場合のイオン強度分布
を示す図である。ここでは、イオン照射、エッチング等
の諸条件は上記実施例１と同様とした。
ｕ層と98Ｒｕ層を交互に３層づつ積層させ、さらに厚み
２００ｎｍの102Ｒｕ層と98Ｒｕ層を２層づつ交互に積
層させた積層膜を成膜し、標準試料とした。図５は該標
準試料を二次イオン質量分析した場合のイオン強度分布
を示す図である。ここでは、イオン照射、エッチング等
の諸条件は上記実施例１と同様とした。
【００２１】この測定結果においても上記実施例１と同
様に、界面効果やマトリックス効果による異常なカウン
ト数の増減がなくなり、強度分布が層の界面において急
峻になっている。また、従来の異種物質の積層膜にみら
れるような、２種の物質からの異種イオンの強度分布の
同期は観測されなかった。以上により、二次イオン質量
分析装置の深さ方向の分解能を、102Ｒｕ層と98Ｒｕ層
のイオン強度分布の立ち上がり及び立ち下がりを基に校
正し評価することができた。
様に、界面効果やマトリックス効果による異常なカウン
ト数の増減がなくなり、強度分布が層の界面において急
峻になっている。また、従来の異種物質の積層膜にみら
れるような、２種の物質からの異種イオンの強度分布の
同期は観測されなかった。以上により、二次イオン質量
分析装置の深さ方向の分解能を、102Ｒｕ層と98Ｒｕ層
のイオン強度分布の立ち上がり及び立ち下がりを基に校
正し評価することができた。
【００２２】実施例６ スパッタ法により、Ｓｉ基板上に厚み１０ｎｍの92Ｍｏ
層と96Ｍｏ層と98Ｍｏ層を順次積層させ、再度この操作
を繰り返し、２周期構造の積層膜を成膜し、標準試料と
した。図６は該標準試料を二次イオン質量分析した場合
のイオン強度分布を示す図である。ここでは、イオン照
射、エッチング等の諸条件は上記実施例１と同様とし
た。
層と96Ｍｏ層と98Ｍｏ層を順次積層させ、再度この操作
を繰り返し、２周期構造の積層膜を成膜し、標準試料と
した。図６は該標準試料を二次イオン質量分析した場合
のイオン強度分布を示す図である。ここでは、イオン照
射、エッチング等の諸条件は上記実施例１と同様とし
た。
【００２３】この測定結果においても上記実施例１と同
様に、界面効果やマトリックス効果による異常なカウン
ト数の増減がなくなり、強度分布が層の界面において急
峻になっている。また、従来の異種物質の積層膜にみら
れるような、３種の物質からの異種イオンの強度分布の
同期は観測されなかった。以上により、二次イオン質量
分析装置の深さ方向の分解能を、92Ｍｏ層と96Ｍｏ層と
98Ｍｏ層のイオン強度分布の立ち上がり及び立ち下がり
を基に校正し評価することができた。
様に、界面効果やマトリックス効果による異常なカウン
ト数の増減がなくなり、強度分布が層の界面において急
峻になっている。また、従来の異種物質の積層膜にみら
れるような、３種の物質からの異種イオンの強度分布の
同期は観測されなかった。以上により、二次イオン質量
分析装置の深さ方向の分解能を、92Ｍｏ層と96Ｍｏ層と
98Ｍｏ層のイオン強度分布の立ち上がり及び立ち下がり
を基に校正し評価することができた。
【００２４】実施例７ スパッタ法により、Ｓｉ基板上に厚み２０ｎｍの182Ｗ
層と184Ｗ層と182Ｗ層を順次積層させた積層膜を成膜
し、標準試料とした。図７は該標準試料を二次イオン質
量分析した場合のイオン強度分布を示す図である。ここ
では、イオン照射、エッチング等の諸条件は上記実施例
１と同様とした。
層と184Ｗ層と182Ｗ層を順次積層させた積層膜を成膜
し、標準試料とした。図７は該標準試料を二次イオン質
量分析した場合のイオン強度分布を示す図である。ここ
では、イオン照射、エッチング等の諸条件は上記実施例
１と同様とした。
【００２５】この測定結果においても上記実施例１と同
様に、界面効果やマトリックス効果による異常なカウン
ト数の増減がなく、また、184Ｗ層のイオン強度分布曲
線の裾野が広がっているのが明瞭に観測された。以上に
より、イオンビーム誘起拡散を評価することができた。
様に、界面効果やマトリックス効果による異常なカウン
ト数の増減がなく、また、184Ｗ層のイオン強度分布曲
線の裾野が広がっているのが明瞭に観測された。以上に
より、イオンビーム誘起拡散を評価することができた。
【００２６】
【発明の効果】以上説明した様に、本発明の標準試料に
よれば、基板上に、金属単体からなる同位体を主成分と
する物質層を複数積層させた構造とし、この積層構造の
隣合う層に含まれる前記同位体は質量が互いに異なるの
で、界面効果及びマトリックス効果を消失させることが
でき、異常な二次イオン強度の増減をなくすことがで
き、精度の良い二次イオン強度分布を測定することがで
きる。したがって、該二次イオン質量分析装置の分解能
の校正の精度を向上させることができ、分解能の精度を
向上させることができる。また、物質層におけるイオン
の拡散の度合を知ることができ、イオンビーム誘起拡散
を評価することができる。
よれば、基板上に、金属単体からなる同位体を主成分と
する物質層を複数積層させた構造とし、この積層構造の
隣合う層に含まれる前記同位体は質量が互いに異なるの
で、界面効果及びマトリックス効果を消失させることが
でき、異常な二次イオン強度の増減をなくすことがで
き、精度の良い二次イオン強度分布を測定することがで
きる。したがって、該二次イオン質量分析装置の分解能
の校正の精度を向上させることができ、分解能の精度を
向上させることができる。また、物質層におけるイオン
の拡散の度合を知ることができ、イオンビーム誘起拡散
を評価することができる。
【００２７】また、エッチングの際にある物質層中に隣
接する他の物質層のイオンが拡散する度合を知ることが
でき、エッチングによるノックオン効果の程度を知るこ
とができる。
接する他の物質層のイオンが拡散する度合を知ることが
でき、エッチングによるノックオン効果の程度を知るこ
とができる。
【図１】本発明の実施例１の標準試料を二次イオン質量
分析した場合のイオン強度分布を示す図である。
分析した場合のイオン強度分布を示す図である。
【図２】本発明の実施例２の標準試料を二次イオン質量
分析した場合のイオン強度分布を示す図である。
分析した場合のイオン強度分布を示す図である。
【図３】本発明の実施例３の標準試料を二次イオン質量
分析した場合のイオン強度分布を示す図である。
分析した場合のイオン強度分布を示す図である。
【図４】本発明の実施例４の標準試料を二次イオン質量
分析した場合のイオン強度分布を示す図である。
分析した場合のイオン強度分布を示す図である。
【図５】本発明の実施例５の標準試料を二次イオン質量
分析した場合のイオン強度分布を示す図である。
分析した場合のイオン強度分布を示す図である。
【図６】本発明の実施例６の標準試料を二次イオン質量
分析した場合のイオン強度分布を示す図である。
分析した場合のイオン強度分布を示す図である。
【図７】本発明の実施例７の標準試料を二次イオン質量
分析した場合のイオン強度分布を示す図である。
分析した場合のイオン強度分布を示す図である。
【図８】従来の標準試料を二次イオン質量分析した場合
のイオン強度分布を示す図である。
のイオン強度分布を示す図である。
【図９】従来の他の標準試料を二次イオン質量分析した
場合のイオン強度分布を示す図である。
場合のイオン強度分布を示す図である。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 丸尾 哲也 東京都千代田区内幸町１丁目１番６号 日本電信電話株式会社内 (72)発明者 川村 朋晃 東京都千代田区内幸町１丁目１番６号 日本電信電話株式会社内 (56)参考文献 特開 平２−179468（ＪＰ，Ａ) 特開 昭64−75935（ＪＰ，Ａ) 特開 平３−84435（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) G01N 1/00 102 G01N 1/28 G01N 23/225
Claims (1)
- 【請求項１】 基板上に、金属単体からなる同位体を主
成分とする物質層を複数積層させた構造とし、この積層
構造の隣合う層に含まれる前記同位体は質量が互いに異
なることを特徴とする標準試料。
Priority Applications (1)
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|---|---|---|---|
| JP06064093A JP3185825B2 (ja) | 1993-03-19 | 1993-03-19 | 標準試料 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP06064093A JP3185825B2 (ja) | 1993-03-19 | 1993-03-19 | 標準試料 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06273289A JPH06273289A (ja) | 1994-09-30 |
| JP3185825B2 true JP3185825B2 (ja) | 2001-07-11 |
Family
ID=13148127
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP06064093A Expired - Lifetime JP3185825B2 (ja) | 1993-03-19 | 1993-03-19 | 標準試料 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3185825B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US11842655B2 (en) | 2017-11-10 | 2023-12-12 | Avery Dennison Retail Information Services Llc | Label assembly |
Families Citing this family (4)
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|---|---|---|---|---|
| JP5004072B2 (ja) * | 2006-05-17 | 2012-08-22 | 学校法人慶應義塾 | イオン照射効果評価方法、プロセスシミュレータ及びデバイスシミュレータ |
| JP4797898B2 (ja) * | 2006-09-11 | 2011-10-19 | 富士通株式会社 | 二次イオン質量分析装置の較正用標準試料及びその製造方法 |
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-
1993
- 1993-03-19 JP JP06064093A patent/JP3185825B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US11842655B2 (en) | 2017-11-10 | 2023-12-12 | Avery Dennison Retail Information Services Llc | Label assembly |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH06273289A (ja) | 1994-09-30 |
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