JP5406048B2 - 電子部品用素子 - Google Patents
電子部品用素子 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5406048B2 JP5406048B2 JP2009552504A JP2009552504A JP5406048B2 JP 5406048 B2 JP5406048 B2 JP 5406048B2 JP 2009552504 A JP2009552504 A JP 2009552504A JP 2009552504 A JP2009552504 A JP 2009552504A JP 5406048 B2 JP5406048 B2 JP 5406048B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- conductive polymer
- semiconductor layer
- conductive
- manufacturing
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 90
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 54
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims description 51
- 229920001940 conductive polymer Polymers 0.000 claims description 51
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 43
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 43
- 239000002243 precursor Substances 0.000 claims description 38
- 238000006116 polymerization reaction Methods 0.000 claims description 34
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 33
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 33
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims description 31
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 26
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 25
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 25
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 24
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 19
- 239000002904 solvent Substances 0.000 claims description 18
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 17
- -1 phenylene vinylenes Chemical class 0.000 claims description 17
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 14
- 239000004332 silver Substances 0.000 claims description 14
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 claims description 12
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 claims description 10
- GKWLILHTTGWKLQ-UHFFFAOYSA-N 2,3-dihydrothieno[3,4-b][1,4]dioxine Chemical compound O1CCOC2=CSC=C21 GKWLILHTTGWKLQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 150000001448 anilines Chemical class 0.000 claims description 8
- 150000003233 pyrroles Chemical class 0.000 claims description 8
- 229930192474 thiophene Natural products 0.000 claims description 8
- 150000003577 thiophenes Chemical class 0.000 claims description 8
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 claims description 7
- 150000002240 furans Chemical class 0.000 claims description 7
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 claims description 7
- 229920003026 Acene Polymers 0.000 claims description 6
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- MWPLVEDNUUSJAV-UHFFFAOYSA-N anthracene Chemical class C1=CC=CC2=CC3=CC=CC=C3C=C21 MWPLVEDNUUSJAV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 125000002534 ethynyl group Chemical class [H]C#C* 0.000 claims description 6
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 claims description 6
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 6
- 125000000843 phenylene group Chemical group C1(=C(C=CC=C1)*)* 0.000 claims description 6
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims description 5
- 150000001545 azulenes Chemical class 0.000 claims description 5
- 239000011812 mixed powder Substances 0.000 claims description 5
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910001316 Ag alloy Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910000570 Cupronickel Inorganic materials 0.000 claims description 3
- YOCUPQPZWBBYIX-UHFFFAOYSA-N copper nickel Chemical compound [Ni].[Cu] YOCUPQPZWBBYIX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 claims description 3
- 239000002253 acid Substances 0.000 claims description 2
- 241000135309 Processus Species 0.000 claims 2
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 38
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 28
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 27
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 16
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 11
- WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N lead(0) Chemical compound [Pb] WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 9
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N Phosphoric acid Chemical compound OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 8
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 7
- 235000019441 ethanol Nutrition 0.000 description 7
- ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N N,N-Dimethylformamide Chemical compound CN(C)C=O ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 6
- 229920001971 elastomer Polymers 0.000 description 6
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 6
- 238000005868 electrolysis reaction Methods 0.000 description 5
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 5
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 5
- 239000005060 rubber Substances 0.000 description 5
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 5
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- ROSDCCJGGBNDNL-UHFFFAOYSA-N [Ta].[Pb] Chemical compound [Ta].[Pb] ROSDCCJGGBNDNL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910000147 aluminium phosphate Inorganic materials 0.000 description 4
- JFDZBHWFFUWGJE-UHFFFAOYSA-N benzonitrile Chemical compound N#CC1=CC=CC=C1 JFDZBHWFFUWGJE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 4
- 239000011148 porous material Substances 0.000 description 4
- WEVYAHXRMPXWCK-UHFFFAOYSA-N Acetonitrile Chemical compound CC#N WEVYAHXRMPXWCK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 3
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 3
- LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N Ethylene glycol Chemical compound OCCO LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000009471 action Effects 0.000 description 3
- 229920000180 alkyd Polymers 0.000 description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 3
- 239000007822 coupling agent Substances 0.000 description 3
- 238000007598 dipping method Methods 0.000 description 3
- 239000003792 electrolyte Substances 0.000 description 3
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 3
- GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N niobium atom Chemical compound [Nb] GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000005011 phenolic resin Substances 0.000 description 3
- YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N tetrahydrofuran Natural products C=1C=COC=1 YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- RFFLAFLAYFXFSW-UHFFFAOYSA-N 1,2-dichlorobenzene Chemical compound ClC1=CC=CC=C1Cl RFFLAFLAYFXFSW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VOWZNBNDMFLQGM-UHFFFAOYSA-N 2,5-dimethylaniline Chemical compound CC1=CC=C(C)C(N)=C1 VOWZNBNDMFLQGM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MLPVBIWIRCKMJV-UHFFFAOYSA-N 2-ethylaniline Chemical compound CCC1=CC=CC=C1N MLPVBIWIRCKMJV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RPCHNECSJGMRGP-UHFFFAOYSA-N 3-Ethylfuran Chemical compound CCC=1C=COC=1 RPCHNECSJGMRGP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QENGPZGAWFQWCZ-UHFFFAOYSA-N 3-Methylthiophene Chemical compound CC=1C=CSC=1 QENGPZGAWFQWCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KJRRQXYWFQKJIP-UHFFFAOYSA-N 3-methylfuran Chemical compound CC=1C=COC=1 KJRRQXYWFQKJIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- YEJRWHAVMIAJKC-UHFFFAOYSA-N 4-Butyrolactone Chemical compound O=C1CCCO1 YEJRWHAVMIAJKC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- JAJIPIAHCFBEPI-UHFFFAOYSA-N 9,10-dioxoanthracene-1-sulfonic acid Chemical compound O=C1C2=CC=CC=C2C(=O)C2=C1C=CC=C2S(=O)(=O)O JAJIPIAHCFBEPI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910000881 Cu alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- XTHFKEDIFFGKHM-UHFFFAOYSA-N Dimethoxyethane Chemical compound COCCOC XTHFKEDIFFGKHM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IAZDPXIOMUYVGZ-UHFFFAOYSA-N Dimethylsulphoxide Chemical compound CS(C)=O IAZDPXIOMUYVGZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- YTPLMLYBLZKORZ-UHFFFAOYSA-N Divinylene sulfide Natural products C=1C=CSC=1 YTPLMLYBLZKORZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920002943 EPDM rubber Polymers 0.000 description 2
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PEDCQBHIVMGVHV-UHFFFAOYSA-N Glycerine Chemical compound OCC(O)CO PEDCQBHIVMGVHV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- SECXISVLQFMRJM-UHFFFAOYSA-N N-Methylpyrrolidone Chemical compound CN1CCCC1=O SECXISVLQFMRJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920000459 Nitrile rubber Polymers 0.000 description 2
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000005062 Polybutadiene Substances 0.000 description 2
- PPBRXRYQALVLMV-UHFFFAOYSA-N Styrene Chemical compound C=CC1=CC=CC=C1 PPBRXRYQALVLMV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N Tetrahydrofuran Chemical compound C1CCOC1 WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZZXDRXVIRVJQBT-UHFFFAOYSA-M Xylenesulfonate Chemical compound CC1=CC=CC(S([O-])(=O)=O)=C1C ZZXDRXVIRVJQBT-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 230000032683 aging Effects 0.000 description 2
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 2
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 2
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 2
- 238000010981 drying operation Methods 0.000 description 2
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 2
- 239000010419 fine particle Substances 0.000 description 2
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 2
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 2
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 2
- 238000005470 impregnation Methods 0.000 description 2
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 2
- KWGKDLIKAYFUFQ-UHFFFAOYSA-M lithium chloride Chemical compound [Li+].[Cl-] KWGKDLIKAYFUFQ-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 2
- 239000000178 monomer Substances 0.000 description 2
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 2
- VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N n-Hexane Chemical compound CCCCCC VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010955 niobium Substances 0.000 description 2
- LQNUZADURLCDLV-UHFFFAOYSA-N nitrobenzene Chemical compound [O-][N+](=O)C1=CC=CC=C1 LQNUZADURLCDLV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RNVCVTLRINQCPJ-UHFFFAOYSA-N o-toluidine Chemical compound CC1=CC=CC=C1N RNVCVTLRINQCPJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000007800 oxidant agent Substances 0.000 description 2
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920002857 polybutadiene Polymers 0.000 description 2
- BDERNNFJNOPAEC-UHFFFAOYSA-N propan-1-ol Chemical compound CCCO BDERNNFJNOPAEC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000035882 stress Effects 0.000 description 2
- 230000008646 thermal stress Effects 0.000 description 2
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 2
- 229940071104 xylenesulfonate Drugs 0.000 description 2
- NRQHBNNTBIDSRK-YRNVUSSQSA-N (4e)-4-[(4-methoxyphenyl)methylidene]-2-methyl-1,3-oxazol-5-one Chemical compound C1=CC(OC)=CC=C1\C=C\1C(=O)OC(C)=N/1 NRQHBNNTBIDSRK-YRNVUSSQSA-N 0.000 description 1
- GETTZEONDQJALK-UHFFFAOYSA-N (trifluoromethyl)benzene Chemical compound FC(F)(F)C1=CC=CC=C1 GETTZEONDQJALK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XGNXYCFREOZBOL-UHFFFAOYSA-N 1,3-benzodioxol-5-amine Chemical compound NC1=CC=C2OCOC2=C1 XGNXYCFREOZBOL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KVRZARWOKBNZMM-UHFFFAOYSA-N 1,3-dihydro-2-benzothiophene Chemical group C1=CC=C2CSCC2=C1 KVRZARWOKBNZMM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GJSDSQMOVFARPY-UHFFFAOYSA-N 1,3-dihydrobenzo[f][2]benzothiole Chemical group C1=CC=C2C=C3CSCC3=CC2=C1 GJSDSQMOVFARPY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SLXFEEBANGECTR-UHFFFAOYSA-N 1,3-dihydrobenzo[g][2]benzothiole Chemical group C1=CC2=CC=CC=C2C2=C1CSC2 SLXFEEBANGECTR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SZPBGJCUNGGYDV-UHFFFAOYSA-N 1,3-dihydronaphtho[2,3-f][2]benzothiole Chemical compound C1=CC=C2C=C(C=C3CSCC3=C3)C3=CC2=C1 SZPBGJCUNGGYDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OSKBIJDQSJQRQK-UHFFFAOYSA-N 1,3-dihydrothieno[3,4-b]quinoxaline Chemical compound C1=CC=C2N=C3CSCC3=NC2=C1 OSKBIJDQSJQRQK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WNXJIVFYUVYPPR-UHFFFAOYSA-N 1,3-dioxolane Chemical compound C1COCO1 WNXJIVFYUVYPPR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PCYWMDGJYQAMCR-UHFFFAOYSA-N 1h-pyrrole-3-carbonitrile Chemical compound N#CC=1C=CNC=1 PCYWMDGJYQAMCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DMLRSJNZORFCBD-UHFFFAOYSA-N 2,3-dihydro-1,4-benzodioxin-5-amine Chemical compound O1CCOC2=C1C=CC=C2N DMLRSJNZORFCBD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZLCCXHBJAMKGME-UHFFFAOYSA-N 2,3-dihydrofuro[3,4-b][1,4]dioxine Chemical compound O1CCOC2=COC=C21 ZLCCXHBJAMKGME-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VBUBGTCJRMYYRA-UHFFFAOYSA-N 2,5-diethylaniline Chemical compound CCC1=CC=C(CC)C(N)=C1 VBUBGTCJRMYYRA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LBLYYCQCTBFVLH-UHFFFAOYSA-N 2-Methylbenzenesulfonic acid Chemical compound CC1=CC=CC=C1S(O)(=O)=O LBLYYCQCTBFVLH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HLCPWBZNUKCSBN-UHFFFAOYSA-N 2-aminobenzonitrile Chemical compound NC1=CC=CC=C1C#N HLCPWBZNUKCSBN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AOPBDRUWRLBSDB-UHFFFAOYSA-N 2-bromoaniline Chemical compound NC1=CC=CC=C1Br AOPBDRUWRLBSDB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HDVUPIFFKAHPJY-UHFFFAOYSA-N 2-butylaniline Chemical compound CCCCC1=CC=CC=C1N HDVUPIFFKAHPJY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AKCRQHGQIJBRMN-UHFFFAOYSA-N 2-chloroaniline Chemical compound NC1=CC=CC=C1Cl AKCRQHGQIJBRMN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MYUXTDNEZVBMAF-UHFFFAOYSA-N 2-decylaniline Chemical compound CCCCCCCCCCC1=CC=CC=C1N MYUXTDNEZVBMAF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FTZQXOJYPFINKJ-UHFFFAOYSA-N 2-fluoroaniline Chemical compound NC1=CC=CC=C1F FTZQXOJYPFINKJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UDUYYXNBUMJIHO-UHFFFAOYSA-N 2-heptylaniline Chemical compound CCCCCCCC1=CC=CC=C1N UDUYYXNBUMJIHO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- INTQUWVWUSOJEM-UHFFFAOYSA-N 2-hexylaniline Chemical compound CCCCCCC1=CC=CC=C1N INTQUWVWUSOJEM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JWUJQDFVADABEY-UHFFFAOYSA-N 2-methyltetrahydrofuran Chemical compound CC1CCCO1 JWUJQDFVADABEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FLXMTYDPWSWENW-UHFFFAOYSA-N 2-nonylaniline Chemical compound CCCCCCCCCC1=CC=CC=C1N FLXMTYDPWSWENW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RUUWTSREEUTULQ-UHFFFAOYSA-N 2-octylaniline Chemical compound CCCCCCCCC1=CC=CC=C1N RUUWTSREEUTULQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JVYROXPHJXUAIA-UHFFFAOYSA-N 2-pentylaniline Chemical compound CCCCCC1=CC=CC=C1N JVYROXPHJXUAIA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WKURVXXDGMYSDP-UHFFFAOYSA-N 2-propyl-aniline Chemical compound CCCC1=CC=CC=C1N WKURVXXDGMYSDP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RCNOGGGBSSVMAS-UHFFFAOYSA-N 2-thiophen-3-ylacetic acid Chemical compound OC(=O)CC=1C=CSC=1 RCNOGGGBSSVMAS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YYPNNBPPDFTQFX-UHFFFAOYSA-N 2-thiophen-3-ylethanol Chemical compound OCCC=1C=CSC=1 YYPNNBPPDFTQFX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GCOOGCQWQFRJEK-UHFFFAOYSA-N 2-thiophen-3-ylpropanedioic acid Chemical compound OC(=O)C(C(O)=O)C=1C=CSC=1 GCOOGCQWQFRJEK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RYRGPXRLGJKMTL-UHFFFAOYSA-N 3,4-dibutylfuran Chemical compound CCCCC1=COC=C1CCCC RYRGPXRLGJKMTL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XMYRJQYUMXCUNX-UHFFFAOYSA-N 3,4-diethyl-1h-pyrrole Chemical compound CCC1=CNC=C1CC XMYRJQYUMXCUNX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PRXKFMMOWWDCBG-UHFFFAOYSA-N 3,4-diethylfuran Chemical compound CCC1=COC=C1CC PRXKFMMOWWDCBG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KWMRVTDUWMBHRV-UHFFFAOYSA-N 3,4-diethylthiophene Chemical compound CCC1=CSC=C1CC KWMRVTDUWMBHRV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OJFOWGWQOFZNNJ-UHFFFAOYSA-N 3,4-dimethyl-1h-pyrrole Chemical compound CC1=CNC=C1C OJFOWGWQOFZNNJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IVHPMIPYSOTYNM-UHFFFAOYSA-N 3,4-dimethylfuran Chemical compound CC1=COC=C1C IVHPMIPYSOTYNM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GPSFYJDZKSRMKZ-UHFFFAOYSA-N 3,4-dimethylthiophene Chemical compound CC1=CSC=C1C GPSFYJDZKSRMKZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IJAMAMPVPZBIQX-UHFFFAOYSA-N 3,6-dihydro-2h-[1,4]dioxino[2,3-c]pyrrole Chemical compound O1CCOC2=CNC=C21 IJAMAMPVPZBIQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BOWIFWCBNWWZOG-UHFFFAOYSA-N 3-Thiophenemethanol Chemical compound OCC=1C=CSC=1 BOWIFWCBNWWZOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZZHFDFIWLDELCX-UHFFFAOYSA-N 3-bromo-1h-pyrrole Chemical compound BrC=1C=CNC=1 ZZHFDFIWLDELCX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MBUSOPVRLCFJCS-UHFFFAOYSA-N 3-bromo-4-methylthiophene Chemical compound CC1=CSC=C1Br MBUSOPVRLCFJCS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LXWLEQZDXOQZGW-UHFFFAOYSA-N 3-bromofuran Chemical compound BrC=1C=COC=1 LXWLEQZDXOQZGW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XCMISAPCWHTVNG-UHFFFAOYSA-N 3-bromothiophene Chemical compound BrC=1C=CSC=1 XCMISAPCWHTVNG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ATWNFFKGYPYZPJ-UHFFFAOYSA-N 3-butyl-1h-pyrrole Chemical compound CCCCC=1C=CNC=1 ATWNFFKGYPYZPJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SBTKGYVVXLMMQE-UHFFFAOYSA-N 3-butylfuran Chemical compound CCCCC=1C=COC=1 SBTKGYVVXLMMQE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KPOCSQCZXMATFR-UHFFFAOYSA-N 3-butylthiophene Chemical compound CCCCC=1C=CSC=1 KPOCSQCZXMATFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UUUOHRSINXUJKX-UHFFFAOYSA-N 3-chloro-1h-pyrrole Chemical compound ClC=1C=CNC=1 UUUOHRSINXUJKX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JPPBBGANXNRTBE-UHFFFAOYSA-N 3-chlorofuran Chemical compound ClC=1C=COC=1 JPPBBGANXNRTBE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FFRZVVFLHHGORC-UHFFFAOYSA-N 3-decyl-1h-pyrrole Chemical compound CCCCCCCCCCC=1C=CNC=1 FFRZVVFLHHGORC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BNTHOWSSXWKNQM-UHFFFAOYSA-N 3-decylfuran Chemical compound CCCCCCCCCCC=1C=COC=1 BNTHOWSSXWKNQM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JAYBIBLZTQMCAY-UHFFFAOYSA-N 3-decylthiophene Chemical compound CCCCCCCCCCC=1C=CSC=1 JAYBIBLZTQMCAY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RFKWIEFTBMACPZ-UHFFFAOYSA-N 3-dodecylthiophene Chemical compound CCCCCCCCCCCCC=1C=CSC=1 RFKWIEFTBMACPZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RLLBWIDEGAIFPI-UHFFFAOYSA-N 3-ethyl-1h-pyrrole Chemical compound CCC=1C=CNC=1 RLLBWIDEGAIFPI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SLDBAXYJAIRQMX-UHFFFAOYSA-N 3-ethylthiophene Chemical compound CCC=1C=CSC=1 SLDBAXYJAIRQMX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XMMFKXRGHKXAGG-UHFFFAOYSA-N 3-fluoro-1h-pyrrole Chemical compound FC=1C=CNC=1 XMMFKXRGHKXAGG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HAJLBMYQEZHEBM-UHFFFAOYSA-N 3-fluorofuran Chemical compound FC=1C=COC=1 HAJLBMYQEZHEBM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WPAQIMRFMFRJTP-UHFFFAOYSA-N 3-fluorothiophene Chemical compound FC=1C=CSC=1 WPAQIMRFMFRJTP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RBIGKSZIQCTIJF-UHFFFAOYSA-N 3-formylthiophene Chemical compound O=CC=1C=CSC=1 RBIGKSZIQCTIJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OVBAZQHUSHSARW-UHFFFAOYSA-N 3-heptyl-1h-pyrrole Chemical compound CCCCCCCC=1C=CNC=1 OVBAZQHUSHSARW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IFLWCGXTQVNYFL-UHFFFAOYSA-N 3-heptylfuran Chemical compound CCCCCCCC=1C=COC=1 IFLWCGXTQVNYFL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IUUMHORDQCAXQU-UHFFFAOYSA-N 3-heptylthiophene Chemical compound CCCCCCCC=1C=CSC=1 IUUMHORDQCAXQU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CKGUYTNEYKYAQZ-UHFFFAOYSA-N 3-hexyl-1h-pyrrole Chemical compound CCCCCCC=1C=CNC=1 CKGUYTNEYKYAQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DBEUDJPCVGLVKG-UHFFFAOYSA-N 3-hexylfuran Chemical compound CCCCCCC=1C=COC=1 DBEUDJPCVGLVKG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JEDHEMYZURJGRQ-UHFFFAOYSA-N 3-hexylthiophene Chemical compound CCCCCCC=1C=CSC=1 JEDHEMYZURJGRQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WGKRMQIQXMJVFZ-UHFFFAOYSA-N 3-iodothiophene Chemical compound IC=1C=CSC=1 WGKRMQIQXMJVFZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RFSKGCVUDQRZSD-UHFFFAOYSA-N 3-methoxythiophene Chemical compound COC=1C=CSC=1 RFSKGCVUDQRZSD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FEKWWZCCJDUWLY-UHFFFAOYSA-N 3-methyl-1h-pyrrole Chemical compound CC=1C=CNC=1 FEKWWZCCJDUWLY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KYTRVVVOMHLOQM-UHFFFAOYSA-N 3-nonyl-1h-pyrrole Chemical compound CCCCCCCCCC=1C=CNC=1 KYTRVVVOMHLOQM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WZWIIPUWNBHXMZ-UHFFFAOYSA-N 3-nonylfuran Chemical compound CCCCCCCCCC=1C=COC=1 WZWIIPUWNBHXMZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UUHSVAMCIZLNDQ-UHFFFAOYSA-N 3-nonylthiophene Chemical compound CCCCCCCCCC=1C=CSC=1 UUHSVAMCIZLNDQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WFHVTZRAIPYMMO-UHFFFAOYSA-N 3-octyl-1h-pyrrole Chemical compound CCCCCCCCC=1C=CNC=1 WFHVTZRAIPYMMO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LMGDEHRCTAVQBA-UHFFFAOYSA-N 3-octylfuran Chemical compound CCCCCCCCC=1C=COC=1 LMGDEHRCTAVQBA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WQYWXQCOYRZFAV-UHFFFAOYSA-N 3-octylthiophene Chemical compound CCCCCCCCC=1C=CSC=1 WQYWXQCOYRZFAV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VLUDZDXZIJCOAL-UHFFFAOYSA-N 3-pentyl-1h-pyrrole Chemical compound CCCCCC=1C=CNC=1 VLUDZDXZIJCOAL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KXMYQCHEGQHQIP-UHFFFAOYSA-N 3-pentylfuran Chemical compound CCCCCC=1C=COC=1 KXMYQCHEGQHQIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PIQKSZYJGUXAQF-UHFFFAOYSA-N 3-pentylthiophene Chemical compound CCCCCC=1C=CSC=1 PIQKSZYJGUXAQF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZDQZVKVIYAPRON-UHFFFAOYSA-N 3-phenylthiophene Chemical compound S1C=CC(C=2C=CC=CC=2)=C1 ZDQZVKVIYAPRON-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FAOPZUAEZGKQNC-UHFFFAOYSA-N 3-propyl-1h-pyrrole Chemical compound CCCC=1C=CNC=1 FAOPZUAEZGKQNC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KEWDQLOCPSUFML-UHFFFAOYSA-N 3-propylfuran Chemical compound CCCC=1C=COC=1 KEWDQLOCPSUFML-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QZNFRMXKQCIPQY-UHFFFAOYSA-N 3-propylthiophene Chemical compound CCCC=1C=CSC=1 QZNFRMXKQCIPQY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- STIIRMZYURVVGK-UHFFFAOYSA-N 3-undecylthiophene Chemical compound CCCCCCCCCCCC=1C=CSC=1 STIIRMZYURVVGK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XEYBDPIDAWHHIC-UHFFFAOYSA-N 4-oxido-1,3-dihydrothieno[3,4-b]quinoxalin-4-ium Chemical compound C1=CC=C2[N+]([O-])=C(CSC3)C3=NC2=C1 XEYBDPIDAWHHIC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JGVTWKCRXKOWGD-UHFFFAOYSA-N 4H-[1,3]dioxolo[4,5-b]pyrrole Chemical compound C1OC=2C=CNC2O1 JGVTWKCRXKOWGD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IOCGSDSTJMRVFA-UHFFFAOYSA-N 7-thiapentacyclo[11.8.0.03,11.05,9.015,20]henicosa-1(21),2,4,9,11,13,15,17,19-nonaene Chemical group C1=CC=C2C=C(C=C3C(C=C4CSCC4=C3)=C3)C3=CC2=C1 IOCGSDSTJMRVFA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XVQLWLIOGRSYJG-UHFFFAOYSA-N 9-oxido-1,3-dihydrothieno[3,4-b]quinoxalin-4-ium 4-oxide Chemical compound O=[N+]1C2=CC=CC=C2N([O-])C2=C1CSC2 XVQLWLIOGRSYJG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LSNNMFCWUKXFEE-UHFFFAOYSA-M Bisulfite Chemical compound OS([O-])=O LSNNMFCWUKXFEE-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- DKPFZGUDAPQIHT-UHFFFAOYSA-N Butyl acetate Natural products CCCCOC(C)=O DKPFZGUDAPQIHT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WVJXVGUXNUNHEL-UHFFFAOYSA-N C(C)OS(=O)(=O)C1=CC=CC=C1.[Fe] Chemical compound C(C)OS(=O)(=O)C1=CC=CC=C1.[Fe] WVJXVGUXNUNHEL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XDTMQSROBMDMFD-UHFFFAOYSA-N Cyclohexane Chemical compound C1CCCCC1 XDTMQSROBMDMFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KMTRUDSVKNLOMY-UHFFFAOYSA-N Ethylene carbonate Chemical compound O=C1OCCO1 KMTRUDSVKNLOMY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000640 Fe alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FXHOOIRPVKKKFG-UHFFFAOYSA-N N,N-Dimethylacetamide Chemical compound CN(C)C(C)=O FXHOOIRPVKKKFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000990 Ni alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001252 Pd alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 description 1
- 239000006087 Silane Coupling Agent Substances 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N Zirconium Chemical compound [Zr] QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NEIHULKJZQTQKJ-UHFFFAOYSA-N [Cu].[Ag] Chemical compound [Cu].[Ag] NEIHULKJZQTQKJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PYLYNBWPKVWXJC-UHFFFAOYSA-N [Nb].[Pb] Chemical compound [Nb].[Pb] PYLYNBWPKVWXJC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000006230 acetylene black Substances 0.000 description 1
- 229920000800 acrylic rubber Polymers 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001408 amides Chemical class 0.000 description 1
- 238000007743 anodising Methods 0.000 description 1
- ILFFFKFZHRGICY-UHFFFAOYSA-N anthracene-1-sulfonic acid Chemical compound C1=CC=C2C=C3C(S(=O)(=O)O)=CC=CC3=CC2=C1 ILFFFKFZHRGICY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- SRSXLGNVWSONIS-UHFFFAOYSA-N benzenesulfonic acid Chemical compound OS(=O)(=O)C1=CC=CC=C1 SRSXLGNVWSONIS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940092714 benzenesulfonic acid Drugs 0.000 description 1
- 239000007853 buffer solution Substances 0.000 description 1
- MTAZNLWOLGHBHU-UHFFFAOYSA-N butadiene-styrene rubber Chemical compound C=CC=C.C=CC1=CC=CC=C1 MTAZNLWOLGHBHU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920005549 butyl rubber Polymers 0.000 description 1
- 229940075397 calomel Drugs 0.000 description 1
- 239000006229 carbon black Substances 0.000 description 1
- 239000012461 cellulose resin Substances 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 238000013329 compounding Methods 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 1
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 125000005131 dialkylammonium group Chemical group 0.000 description 1
- ZOMNIUBKTOKEHS-UHFFFAOYSA-L dimercury dichloride Chemical compound Cl[Hg][Hg]Cl ZOMNIUBKTOKEHS-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- IEJIGPNLZYLLBP-UHFFFAOYSA-N dimethyl carbonate Chemical compound COC(=O)OC IEJIGPNLZYLLBP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- AXZAYXJCENRGIM-UHFFFAOYSA-J dipotassium;tetrabromoplatinum(2-) Chemical compound [K+].[K+].[Br-].[Br-].[Br-].[Br-].[Pt+2] AXZAYXJCENRGIM-UHFFFAOYSA-J 0.000 description 1
- 239000002270 dispersing agent Substances 0.000 description 1
- 239000000806 elastomer Substances 0.000 description 1
- 239000008151 electrolyte solution Substances 0.000 description 1
- 238000000635 electron micrograph Methods 0.000 description 1
- 150000002148 esters Chemical class 0.000 description 1
- XDRMBCMMABGNMM-UHFFFAOYSA-N ethyl benzenesulfonate Chemical compound CCOS(=O)(=O)C1=CC=CC=C1 XDRMBCMMABGNMM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920002313 fluoropolymer Polymers 0.000 description 1
- 239000004811 fluoropolymer Substances 0.000 description 1
- 239000011888 foil Substances 0.000 description 1
- ZQFYJHMUAWCEBH-UHFFFAOYSA-N furan-3-carbonitrile Chemical compound N#CC=1C=COC=1 ZQFYJHMUAWCEBH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MZUZVRHTPRROKN-UHFFFAOYSA-N furo[3,4-d][1,3]dioxole Chemical compound O1C=C2OCOC2=C1 MZUZVRHTPRROKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 235000011187 glycerol Nutrition 0.000 description 1
- LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N haloperidol Chemical compound C1CC(O)(C=2C=CC(Cl)=CC=2)CCN1CCCC(=O)C1=CC=C(F)C=C1 LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- FUZZWVXGSFPDMH-UHFFFAOYSA-N hexanoic acid Chemical compound CCCCCC(O)=O FUZZWVXGSFPDMH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000003949 imides Chemical class 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 229920003049 isoprene rubber Polymers 0.000 description 1
- 239000003273 ketjen black Substances 0.000 description 1
- 239000005001 laminate film Substances 0.000 description 1
- MHCFAGZWMAWTNR-UHFFFAOYSA-M lithium perchlorate Chemical compound [Li+].[O-]Cl(=O)(=O)=O MHCFAGZWMAWTNR-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 229910001486 lithium perchlorate Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- PSZYNBSKGUBXEH-UHFFFAOYSA-N naphthalene-1-sulfonic acid Chemical compound C1=CC=C2C(S(=O)(=O)O)=CC=CC2=C1 PSZYNBSKGUBXEH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZZFMLOBIWZUABC-UHFFFAOYSA-N naphtho[2,3-g][2]benzothiole Chemical class C1=C2C(=CS1)C=CC=1C=C3C=CC=CC3=CC=12 ZZFMLOBIWZUABC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910021382 natural graphite Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- MOFOBJHOKRNACT-UHFFFAOYSA-N nickel silver Chemical compound [Ni].[Ag] MOFOBJHOKRNACT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZKATWMILCYLAPD-UHFFFAOYSA-N niobium pentoxide Inorganic materials O=[Nb](=O)O[Nb](=O)=O ZKATWMILCYLAPD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- URLJKFSTXLNXLG-UHFFFAOYSA-N niobium(5+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Nb+5].[Nb+5] URLJKFSTXLNXLG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LYGJENNIWJXYER-UHFFFAOYSA-N nitromethane Chemical compound C[N+]([O-])=O LYGJENNIWJXYER-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);tantalum(5+) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Ta+5].[Ta+5] BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- SWELZOZIOHGSPA-UHFFFAOYSA-N palladium silver Chemical compound [Pd].[Ag] SWELZOZIOHGSPA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IEQIEDJGQAUEQZ-UHFFFAOYSA-N phthalocyanine Chemical class N1C(N=C2C3=CC=CC=C3C(N=C3C4=CC=CC=C4C(=N4)N3)=N2)=C(C=CC=C2)C2=C1N=C1C2=CC=CC=C2C4=N1 IEQIEDJGQAUEQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920000058 polyacrylate Polymers 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 229920002223 polystyrene Polymers 0.000 description 1
- 239000005077 polysulfide Substances 0.000 description 1
- 229920001021 polysulfide Polymers 0.000 description 1
- 150000008117 polysulfides Polymers 0.000 description 1
- 229910001487 potassium perchlorate Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000002250 progressing effect Effects 0.000 description 1
- RUOJZAUFBMNUDX-UHFFFAOYSA-N propylene carbonate Chemical compound CC1COC(=O)O1 RUOJZAUFBMNUDX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000008439 repair process Effects 0.000 description 1
- 230000003252 repetitive effect Effects 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 229920002379 silicone rubber Polymers 0.000 description 1
- 239000004945 silicone rubber Substances 0.000 description 1
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 1
- BAZAXWOYCMUHIX-UHFFFAOYSA-M sodium perchlorate Chemical compound [Na+].[O-]Cl(=O)(=O)=O BAZAXWOYCMUHIX-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 229910001488 sodium perchlorate Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001495 sodium tetrafluoroborate Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007784 solid electrolyte Substances 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 1
- 238000010301 surface-oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 229920002994 synthetic fiber Polymers 0.000 description 1
- PBCFLUZVCVVTBY-UHFFFAOYSA-N tantalum pentoxide Inorganic materials O=[Ta](=O)O[Ta](=O)=O PBCFLUZVCVVTBY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KBLZDCFTQSIIOH-UHFFFAOYSA-M tetrabutylazanium;perchlorate Chemical compound [O-]Cl(=O)(=O)=O.CCCC[N+](CCCC)(CCCC)CCCC KBLZDCFTQSIIOH-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- WGHUNMFFLAMBJD-UHFFFAOYSA-M tetraethylazanium;perchlorate Chemical compound [O-]Cl(=O)(=O)=O.CC[N+](CC)(CC)CC WGHUNMFFLAMBJD-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 229920001169 thermoplastic Polymers 0.000 description 1
- 229920002803 thermoplastic polyurethane Polymers 0.000 description 1
- 239000004416 thermosoftening plastic Substances 0.000 description 1
- AVBCFBRGFCGJKX-UHFFFAOYSA-N thieno[3,4-d][1,3]dioxole Chemical compound S1C=C2OCOC2=C1 AVBCFBRGFCGJKX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CHXZRHMQQRUVHF-UHFFFAOYSA-N thiophene A Natural products CC#CC1=CC=C(C#CC#CC=C)S1 CHXZRHMQQRUVHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GSXCEVHRIVLFJV-UHFFFAOYSA-N thiophene-3-carbonitrile Chemical compound N#CC=1C=CSC=1 GSXCEVHRIVLFJV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JOXIMZWYDAKGHI-UHFFFAOYSA-N toluene-4-sulfonic acid Chemical compound CC1=CC=C(S(O)(=O)=O)C=C1 JOXIMZWYDAKGHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001721 transfer moulding Methods 0.000 description 1
- 238000003466 welding Methods 0.000 description 1
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES OR LIGHT-SENSITIVE DEVICES, OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G9/00—Electrolytic capacitors, rectifiers, detectors, switching devices, light-sensitive or temperature-sensitive devices; Processes of their manufacture
- H01G9/004—Details
- H01G9/022—Electrolytes; Absorbents
- H01G9/025—Solid electrolytes
- H01G9/028—Organic semiconducting electrolytes, e.g. TCNQ
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES OR LIGHT-SENSITIVE DEVICES, OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G11/00—Hybrid capacitors, i.e. capacitors having different positive and negative electrodes; Electric double-layer [EDL] capacitors; Processes for the manufacture thereof or of parts thereof
- H01G11/22—Electrodes
- H01G11/30—Electrodes characterised by their material
- H01G11/48—Conductive polymers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES OR LIGHT-SENSITIVE DEVICES, OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G11/00—Hybrid capacitors, i.e. capacitors having different positive and negative electrodes; Electric double-layer [EDL] capacitors; Processes for the manufacture thereof or of parts thereof
- H01G11/54—Electrolytes
- H01G11/56—Solid electrolytes, e.g. gels; Additives therein
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES OR LIGHT-SENSITIVE DEVICES, OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G9/00—Electrolytic capacitors, rectifiers, detectors, switching devices, light-sensitive or temperature-sensitive devices; Processes of their manufacture
- H01G9/0029—Processes of manufacture
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES OR LIGHT-SENSITIVE DEVICES, OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G9/00—Electrolytic capacitors, rectifiers, detectors, switching devices, light-sensitive or temperature-sensitive devices; Processes of their manufacture
- H01G9/004—Details
- H01G9/04—Electrodes or formation of dielectric layers thereon
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E60/00—Enabling technologies; Technologies with a potential or indirect contribution to GHG emissions mitigation
- Y02E60/13—Energy storage using capacitors
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/24—Structurally defined web or sheet [e.g., overall dimension, etc.]
- Y10T428/24273—Structurally defined web or sheet [e.g., overall dimension, etc.] including aperture
- Y10T428/24322—Composite web or sheet
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Electrochemistry (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Polyoxymethylene Polymers And Polymers With Carbon-To-Carbon Bonds (AREA)
Description
このように半導体層上に導電性カーボン層のような他の層を積層したときに、従来の半導体層を備えた電子部品用素子では、積層させた他の層が高温高湿下に長時間放置した後に剥離してしまうことが多かった。
本発明の課題は、半導体層上に他の層を積層したときに該他の層が高温高湿下に長時間放置した後でも剥離し難い電子部品用素子を提供することにある。
〔1〕 半導体層を備える電子部品用素子であって、該半導体層の外表面に高さ2〜70μmの突起が在る、電子部品用素子。
〔2〕 半導体層と1層以上の導電体層とが積層されてなる電子部品用素子であって、
該半導体層の外表面に突起が在り、
半導体層の外表面に接する導電体層が導電性カーボン層であり、半導体層の外表面にある突起が導電性カーボン層の厚さの25%以上の深さまで導電性カーボン層に埋入されており、且つ該突起の先端が導電体層の外表面に突出していない、電子部品用素子。
〔3〕 陽極体、誘電体層、半導体層および1層以上の導電体層がこの順で積層されてなる電子部品用素子であって、
該半導体層の外表面に突起が在り、
半導体層の外表面に接する導電体層が導電性カーボン層であり、半導体層の外表面にある突起が導電性カーボン層の厚さの25%以上の深さまで導電性カーボン層に埋入されており、且つ該突起の先端が導電体層の外表面に突出していない、電子部品用素子。
〔5〕 半導体層の外表面の単位面積当たりの突起の数が、101〜104個/mm2である、〔1〕〜〔4〕のいずれか1項に記載の電子部品用素子。
〔6〕 半導体層が有機半導体を含むものである、〔1〕〜〔5〕のいずれか1項に記載の電子部品用素子。
〔7〕 有機半導体が、ピロール類、チオフェン類、アルキルチオフェン類、アルキレンジオキシチオフェン類、アニリン類、フェニレン類、アセチレン類、フラン類、フェニレンビニレン類、アセン類、およびアズレン類から選ばれる少なくとも1種の化合物に由来する繰り返し単位を有する導電性ポリマーである、〔6〕に記載の電子部品用素子。
〔8〕 有機半導体が、3,4−エチレンジオキシチオフェンに由来する繰返し単位を有する導電性ポリマーを含む、〔6〕に記載の電子部品用素子。
〔9〕 半導体層は、アリールスルホン酸またはその塩をさらに含む〔6〕に記載の電子部品用素子。
〔11〕 導電性金属層は、導電性金属粉末と、バインダーとを含む、〔10〕に記載の電子部品用素子。
〔12〕 導電性金属粉末が、銀粉、銅粉、アルミニウム粉、ニッケル粉、銅−ニッケル合金粉、銀合金粉、銀混合粉および銀コート粉からなる群から選ばれる少なくとも1種の粉である〔11〕に記載の電子部品用素子。
〔13〕 バインダーが、樹脂である、〔11〕に記載の電子部品用素子。
〔14〕 導電性金属層は、3〜10質量%の樹脂と、90〜97質量%の導電性金属粉末とを含む、〔10〕に記載の電子部品用素子。
〔16〕 電子部品が固体電解コンデンサである、〔15〕に記載の電子部品。
〔18〕 素子基材が、陽極体の表面に誘電体層が形成されたものである、〔17〕に記載の電子部品用素子の製造方法。
〔19〕 導電性ポリマーの前駆体の溶液を素子基材の表面に付着させてから12分以内に電解重合を開始させる、〔17〕または〔18〕に記載の電子部品用素子の製造方法。
〔20〕 導電性ポリマーの前駆体が、ピロール類、チオフェン類、アルキルチオフェン類、アルキレンジオキシチオフェン類、アニリン類、フェニレン類、アセチレン類、フラン類、フェニレンビニレン類、アセン類、およびアズレン類から選ばれる少なくとも1種の化合物である、〔17〕〜〔19〕のいずれか1項に記載の電子部品用素子の製造方法。
本発明の電子部品用素子は、半導体層を備えるものである。
(半導体層)
本発明に用いられる半導体層は、その電気伝導度が、好ましくは0.1〜200S/cm、より好ましくは1〜150S/cm、さらに好ましくは10〜100S/cmである。半導体層は、固体電解質として機能する層でもある。
半導体層に用いる材料としては、有機半導体と無機半導体とがある。本発明においては有機半導体が製造の容易さという観点から好ましい。
有機半導体として導電性ポリマーが挙げられる。導電性ポリマーとしては、ピロール類、チオフェン類、アルキルチオフェン類、アルキレンジオキシチオフェン類、アニリン類、フェニレン類、アセチレン類、フラン類、フェニレンビニレン類、アセン類、およびアズレン類から選ばれる少なくとも1種の化合物に由来する繰り返し単位を有する導電性ポリマーが挙げられる。中でも3,4−エチレンジオキシチオフェンに由来する繰り返し単位を有する導電性ポリマーが好ましい。
突起のサイズは、該突起の高さの3倍以下であることが好ましく、2倍以下であることがより好ましく、1倍以下であることが特に好ましい。なお、突起のサイズは、半導体層を法線方向から観察したときの突起における縦および横の長さの平均値である。
半導体層の外表面に在る単位面積当たりの突起の数は、好ましくは101〜104個/mm2、より好ましくは102〜103個/mm2である。この範囲の数の突起が半導体層の外表面に在ると、その上に積層される導電体層等との密着性が高くなる。
半導体層を得るために用いられる素子基材は、電子部品用素子の目的に応じて、適宜選択することができるが、電解重合を容易に行うために素子基材は、導電性材料を含むことが好ましい。例えば、固体電解コンデンサ素子とするためには、素子基材として、陽極体表面に誘電体層が積層されたものが、好ましく用いられる。そこで、固体電解コンデンサ素子用の基材を、例に挙げて、素子基材の説明をする。
固体電解コンデンサ素子の陽極体は、通常、弁作用を有する金属材料からなる。弁作用を有する金属材料としては、アルミニウム、タンタル、ニオブ、チタン、ジルコニウムおよびそれらのいずれかを含む合金などが挙げられる。陽極体は、箔、棒、多孔体などの形態から選ばれる。陽極体には、後述する陽極リードとの接続を容易にするために、リード線を陽極体から引き出しておいてもよい。
固体電解コンデンサ素子では、誘電体層が前記陽極体表面に形成されている。該誘電体層は、空気中の酸素により陽極体の表面を酸化することによっても形成できる。該表面酸化は公知の化成処理によって行うことが特に好ましい。
半導体層を得るために用いられる導電性ポリマーの前駆体としては、導電性ポリマーを得ることができるモノマーまたはオリゴマーが挙げられる。具体的には、ピロール類、チオフェン類、アルキルチオフェン類、アルキレンジオキシチオフェン類、アニリン類、フェニレン類、アセチレン類、フラン類、フェニレンビニレン類、アセン類、およびアズレン類から選ばれる少なくとも1種の化合物が挙げられる。これらは1種単独でまたは2種以上を組み合わせて用いることができる。これらのうち、防食性および電気伝導度に優れるピロール類、アルキルチオフェン類、アルキレンジオキシチオフェン類、およびアニリン類が好ましく、これらの中でも、3,4−エチレンジオキシチオフェンが特に好ましい。
また、1,3−ジヒドロナフト[1,2−c]チオフェン骨格を有する化合物、1,3−ジヒドロフェナントラ[2,3−c]チオフェン誘導体、1,3−ジヒドロトリフェニロ[2,3−c]チオフェン骨格を有する化合物、1,3−ジヒドロベンゾ[a]アントラセノ[7,8−c]チオフェン誘導体;1,3−ジヒドロチエノ[3,4−b]キノキサリン、1,3−ジヒドロチエノ[3,4−b]キノキサリン−4−オキシド、1,3−ジヒドロチエノ[3,4−b]キノキサリン−4,9−ジオキシド等を挙げることができる。
前記前駆体の溶液を素子基材の表面に付着させた後、溶剤を蒸発除去する。溶剤の蒸発除去においては、相対湿度を30%〜45%、好ましくは33%〜42%の雰囲気下にすることが必要である。相対湿度が上記範囲を外れると、半導体層の外表面に突起が形成されない。溶剤の蒸発除去時における温度、気圧および風速は特に制限されないが、温度は5〜35℃が好ましく、風速は0.01〜0.5m/sが好ましい。
このようにして、外表面に突起を有する半導体層を素子基材上に積層させることができる。また、素子基材の外表面に厚さ5μm未満の平坦な半導体層を形成し、次いで該平坦な半導体層の上に突起を有する半導体層を形成してもよい。
本発明の電子部品用素子は、半導体層の上に、1層以上の導電体層が積層されているものが好ましい。
導電体層としては、導電性カーボン層、導電性金属層などがある。導電体層は1層以上が積層されたものである。導電体層としては、導電性カーボン層と導電性金属層とが積層されたものが好ましい。また、半導体層の外表面に接する導電体層が導電性カーボン層であることが好ましい。
導電性カーボン層は、例えば、導電性カーボン及びバインダーを含むペーストを対象物に塗布し、含浸させて、乾燥、熱処理することによって形成できる。導電性カーボンとしては、黒鉛粉を通常60質量%以上、好ましくは80質量%以上含む材料が好ましい。黒鉛粉としては、鱗片状若しくは葉片状の天然黒鉛、アセチレンブラックやケッチェンブラック等のカーボンブラックなどが挙げられる。好適な導電性カーボンは、固定炭素分が97質量%以上、平均粒子径が1〜13μm、アスペクト比が10以下であって、粒子径32μm以上の粒子が12質量%以下のものである。
導電性金属層は導電性金属粉末を含む層である。通常、導電性金属粉末とバインダーとを含むペーストを対象物に塗布することによって形成できる。導電性金属層は、前述の導電性カーボン層の上に形成することが好ましい。
樹脂としては、アクリル系樹脂、アルキッド樹脂、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、イミド樹脂、フッ素樹脂、エステル樹脂、イミドアミド樹脂、アミド樹脂、スチレン樹脂、ウレタン樹脂などを挙げることができる。ゴムとしては、SBR、NBR、IRなどが挙げられる。
導電性金属ペーストには、樹脂硬化剤、分散剤、カップリング剤(例えば、チタンカップリング剤やシランカップリング剤)、導電性ポリマー、金属酸化物の粉などが配合されていてもよい。硬化剤、カップリング剤によって、導電性金属ペーストを加熱固化せしめ、強固な導電性金属層を形成できる。
また、該突起の先端は導電体層の外表面に突出していないことが好ましい。突起が導電体層を突き抜けていると、外形寸法が大きくなる。
本発明の電子部品は、ESR値が良好であることから、これを用いることにより高速応答性のよい電子回路および電子機器を得ることができる。
CV(容量と化成電圧との積)が15万μF・V/gのタンタル粉を0.40mmφのタンタルリード線とともに成形し、これを真空下、1300℃で、20分間焼成して、密度が6.2g/cm3で、大きさが4.5mm×1.0mm×1.5mmであるタンタル粉焼結体を得た。タンタルリード線は該焼結体の1.0mm×1.5mm面の中央部に深さ4.0mmで埋設されていて、焼結体から長さ10mmで突き出ていて、これが陽極となる。
タンタル製の陰極板が設置された電解重合槽に3,4−エチレンジオキシチオフェン1質量%とアントラキノンスルホン酸2質量%とエチレングリコール20質量%と水(残部)とを含む電解重合液を入れ、導電性ポリマー前駆体が付着された焼結体を該電解重合液にリード線の一部を除いて浸漬した。リード線と陰極板との間に125μAの直流を室温下で50分間流し定電流電解重合させた。前駆体の付着から電解重合開始までに5.5分を要した。電解重合後の焼結体を引き上げ、アルコールで洗浄し、乾燥した。
上記繰り返し操作を終えた焼結体を、水で洗浄し、さらにアルコールで洗浄し、乾燥させて、半導体層が形成された電子部品用素子を得た。
実施例1〜7の電子部品用素子は表1に示す大きさの突起が半導体層の外表面に在るものであった。図1は、実施例1の半導体層の外表面を観察した電子顕微鏡写真像を示す図である。図1に示すような形状をした複数の突起が外表面に観察された。比較例1〜4の電子部品用素子は突起が半導体層の外表面に無かった。
上記で得られた固体電解コンデンサの容量およびESR(100kHz)をAgilent社製LCRメータで測定した。次いで、85℃、80%RHの恒湿槽に1000時間放置した。放置後の固体電解コンデンサのESR(100kHz)をAgilent社製LCRメータで測定した。300個の固体電解コンデンサについての測定値から平均値を求めた。ESRの上昇が大きいものほど、半導体層と導電性カーボン層との剥離が進行していることを示す。
結果を表1に示す。なお、実施例1〜7及び比較例1〜4において、温度および湿度が特に示された操作以外は、温度21℃の恒湿ブース内で操作を行った。
タンタル粉に代えてCV(容量と化成電圧との積)が30万μF・V/gのニオブ粉(表面が自然酸化されていて全体として酸素を9.2万ppm含有、窒化量1.3万ppm)を用い、タンタルリード線に代えてニオブリード線を用い、焼成温度を1280℃、焼成時間を30分間にした以外は実施例1と同じ手法で、密度が3.4g/cm3のニオブ粉焼結体を得た。
該焼結体の化成処理を電位差23Vで行った以外は実施例1と同じ手法で、誘電体層が形成された焼結体を得た。この誘電体層は五酸化ニオブを含むものであった。
次に、焼結体を10%のキシレンスルフォン酸鉄水溶液にリード線の一部を除いて浸漬した。溶液から焼結体を取り出し、105℃で乾燥した。キシレンスルフォン酸鉄水溶液への浸漬および乾燥の操作を5回繰り返した。
該固体電解コンデンサのESRおよび容量を実施例1と同様の手法で測定した。その結果を表2に示す。なお、実施例8〜14及び比較例5〜8において、温度および湿度が特に示された操作以外は、温度19℃の恒湿ブース内で操作を行った。
Claims (17)
- 導電性ポリマーの前駆体の溶液を素子基材の表面に付着させ、相対湿度30%〜45%の雰囲気下において溶剤を蒸発除去し、次いで電解重合を行って素子基材の表面に導電性ポリマーを生成させ、
その後、 導電性ポリマーの前駆体の溶液を生成させた導電性ポリマーに付着させ、相対湿度30%〜45%の雰囲気下において溶剤を蒸発除去し、次いで電解重合を行って新たな導電性ポリマーを生成させることを、行うことを含む、
高さ2〜70μmの突起が外表面にある半導体層を備える電子部品用素子の製造方法。 - 導電性ポリマーの前駆体の溶液を素子基材の表面に付着させ、相対湿度30%〜45%の雰囲気下において溶剤を蒸発除去し、次いで電解重合を行って素子基材の表面に導電性ポリマーを生成させ、
その後、 導電性ポリマーの前駆体の溶液を生成させた導電性ポリマーに付着させ、相対湿度30%〜45%の雰囲気下において溶剤を蒸発除去し、次いで電解重合を行って新たな導電性ポリマーを生成させることを、行うことを含む、
突起が外表面にある半導体層と、
1層以上の導電体層と
が積層されてなる電子部品用素子であって、
半導体層の外表面に接する導電体層が導電性カーボン層であり、
半導体層の外表面にある突起が導電性カーボン層の厚さの25%以上の深さまで導電性カーボン層に埋入されており、且つ
該突起の先端が導電体層の外表面に突出していない、電子部品用素子の製造方法。 - 導電性ポリマーの前駆体の溶液を素子基材の表面に付着させ、相対湿度30%〜45%の雰囲気下において溶剤を蒸発除去し、次いで電解重合を行って素子基材の表面に導電性ポリマーを生成させ、
その後、 導電性ポリマーの前駆体の溶液を生成させた導電性ポリマーに付着させ、相対湿度30%〜45%の雰囲気下において溶剤を蒸発除去し、次いで電解重合を行って新たな導電性ポリマーを生成させることを、行うことを含む、
陽極体、
誘電体層、
突起が外表面にある半導体層および
1層以上の導電体層が
この順で積層されてなる電子部品用素子であって、
半導体層の外表面に接する導電体層が導電性カーボン層であり、半導体層の外表面にある突起が導電性カーボン層の厚さの25%以上の深さまで導電性カーボン層に埋入されており、且つ該突起の先端が導電体層の外表面に突出していない、電子部品用素子の製造方法。
- 半導体層を法線方向から観察したときの突起のサイズが、該突起の高さの3倍以下である、請求項1〜3のいずれか1項に記載の電子部品用素子の製造方法。
- 半導体層の外表面の単位面積当たりの突起の数が、101〜104個/mm2である、請求項1〜4のいずれか1項に記載の電子部品用素子の製造方法。
- 半導体層が有機半導体を含むものである、請求項1〜5のいずれか1項に記載の電子部品用素子の製造方法。
- 有機半導体が、ピロール類、チオフェン類、アルキルチオフェン類、アルキレンジオキシチオフェン類、アニリン類、フェニレン類、アセチレン類、フラン類、フェニレンビニレン類、アセン類、およびアズレン類から選ばれる少なくとも1種の化合物に由来する繰返し単位を有する導電性ポリマーである、請求項6に記載の電子部品用素子の製造方法。
- 有機半導体が、3,4−エチレンジオキシチオフェンに由来する繰返し単位を有する導電性ポリマーを含む、請求項6に記載の電子部品用素子の製造方法。
- 半導体層は、アリールスルホン酸またはその塩をさらに含む請求項6に記載の電子部品用素子の製造方法。
- 導電体層が、導電性カーボン層と導電性金属層とを含む、請求項2または3に記載の電子部品用素子の製造方法。
- 導電性金属層は、導電性金属粉末と、バインダーとを含む、請求項10に記載の電子部品用素子の製造方法。
- 導電性金属粉末が、銀粉、銅粉、アルミニウム粉、ニッケル粉、銅−ニッケル合金粉、銀合金粉、銀混合粉および銀コート粉からなる群から選ばれる少なくとも1種の粉である請求項11に記載の電子部品用素子の製造方法。
- バインダーが、樹脂である、請求項11に記載の電子部品用素子の製造方法。
- 導電性金属層は、3〜10質量%の樹脂と、90〜97質量%の導電性金属粉末とを含む、請求項10に記載の電子部品用素子の製造方法。
- 素子基材が、陽極体の表面に誘電体層が形成されたものである、請求項1〜14のいずれか1項に記載の電子部品用素子の製造方法。
- 導電性ポリマーの前駆体の溶液を素子基材の表面に付着させてから12分以内に電解重合を開始させる、請求項1〜15のいずれか1項に記載の電子部品用素子の製造方法。
- 導電性ポリマーの前駆体が、ピロール類、チオフェン類、アルキルチオフェン類、アルキレンジオキシチオフェン類、アニリン類、フェニレン類、アセチレン類、フラン類、フェニレンビニレン類、アセン類、およびアズレン類から選ばれる少なくとも1種の化合物である、請求項1〜16のいずれか1項に記載の電子部品用素子の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009552504A JP5406048B2 (ja) | 2008-02-05 | 2009-02-05 | 電子部品用素子 |
Applications Claiming Priority (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008025770 | 2008-02-05 | ||
JP2008025770 | 2008-02-05 | ||
JP2009552504A JP5406048B2 (ja) | 2008-02-05 | 2009-02-05 | 電子部品用素子 |
PCT/JP2009/051937 WO2009099127A1 (ja) | 2008-02-05 | 2009-02-05 | 電子部品用素子 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPWO2009099127A1 JPWO2009099127A1 (ja) | 2011-05-26 |
JP5406048B2 true JP5406048B2 (ja) | 2014-02-05 |
Family
ID=40952200
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2009552504A Active JP5406048B2 (ja) | 2008-02-05 | 2009-02-05 | 電子部品用素子 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8822010B2 (ja) |
EP (1) | EP2251880B1 (ja) |
JP (1) | JP5406048B2 (ja) |
KR (1) | KR20100129267A (ja) |
CN (1) | CN101939805B (ja) |
WO (1) | WO2009099127A1 (ja) |
Families Citing this family (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2012026063A1 (ja) * | 2010-08-26 | 2012-03-01 | 昭和電工株式会社 | 固体電解質の製造方法 |
JP5736193B2 (ja) * | 2011-02-28 | 2015-06-17 | 昭和電工株式会社 | 固体電解コンデンサ素子の製造方法 |
US9670066B2 (en) * | 2011-03-15 | 2017-06-06 | University Of Kentucky Research Foundation | Carbon particles |
CA2857447C (en) | 2012-01-27 | 2020-06-23 | Shoei Chemical Inc. | Method for manufacturing a solid electrolytic capacitor element |
WO2014017098A1 (ja) | 2012-07-25 | 2014-01-30 | 昭和電工株式会社 | 導電性高分子の製造方法および固体電解コンデンサの製造方法 |
JP6223800B2 (ja) * | 2013-12-04 | 2017-11-01 | 株式会社トーキン | 固体電解コンデンサの形成方法 |
CN104201009B (zh) * | 2014-09-03 | 2017-03-01 | 齐鲁工业大学 | 一种用于超级电容器电极材料的含氮聚合物的制备方法 |
JPWO2021172123A1 (ja) * | 2020-02-28 | 2021-09-02 | ||
CN112795144A (zh) * | 2021-01-29 | 2021-05-14 | 森曼泰冷链科技(绍兴)有限公司 | 含导电聚合物的水分散液及其制备方法 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0794368A (ja) * | 1993-07-27 | 1995-04-07 | Nec Corp | 固体電解コンデンサおよびその製造方法 |
JP2004349525A (ja) * | 2003-05-23 | 2004-12-09 | Tayca Corp | 導電性高分子およびそれを用いた固体電解コンデンサ |
JP2005150705A (ja) * | 2003-10-20 | 2005-06-09 | Showa Denko Kk | コンデンサの製造方法 |
Family Cites Families (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3541429B2 (ja) | 1993-05-31 | 2004-07-14 | 昭和電工株式会社 | スルホン酸基を有する縮合ヘテロ環式化合物及びその製造方法 |
US6556427B2 (en) * | 2000-03-28 | 2003-04-29 | Showa Denko Kabushiki Kaisha | Solid electrolytic capacitor and method for producing the same |
JP2003109850A (ja) | 2001-09-28 | 2003-04-11 | Nippon Chemicon Corp | 固体電解コンデンサの製造方法 |
ATE549728T1 (de) * | 2003-10-20 | 2012-03-15 | Showa Denko Kk | Verfahren zur herstellung eines kondensators |
TWI303832B (en) * | 2004-08-30 | 2008-12-01 | Shinetsu Polymer Co | Conductive composition and conductive cross-linked product, capacitor and production method thereof, and antistatic coating material, antistatic coating, antistatic film, optical filter, bnd optical information recording medium |
US7842196B2 (en) * | 2004-10-08 | 2010-11-30 | Shin-Etsu Polymer Co., Ltd. | Conductive composition and production method thereof, antistatic coating material, antistatic coating, antistatic film, optical filter, and optical information recording medium, and capacitors and production method thereof |
JP4730654B2 (ja) | 2005-07-29 | 2011-07-20 | 株式会社村田製作所 | 固体電解質層形成方法及びこの方法を用いて製造される複合材料 |
US20070212844A1 (en) * | 2006-03-08 | 2007-09-13 | Chang-Liang Lin | Method for making a capacitor |
-
2009
- 2009-02-05 JP JP2009552504A patent/JP5406048B2/ja active Active
- 2009-02-05 US US12/866,191 patent/US8822010B2/en active Active
- 2009-02-05 EP EP09707216.9A patent/EP2251880B1/en active Active
- 2009-02-05 KR KR1020107016340A patent/KR20100129267A/ko not_active Application Discontinuation
- 2009-02-05 CN CN2009801042827A patent/CN101939805B/zh active Active
- 2009-02-05 WO PCT/JP2009/051937 patent/WO2009099127A1/ja active Application Filing
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0794368A (ja) * | 1993-07-27 | 1995-04-07 | Nec Corp | 固体電解コンデンサおよびその製造方法 |
JP2004349525A (ja) * | 2003-05-23 | 2004-12-09 | Tayca Corp | 導電性高分子およびそれを用いた固体電解コンデンサ |
JP2005150705A (ja) * | 2003-10-20 | 2005-06-09 | Showa Denko Kk | コンデンサの製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP2251880A4 (en) | 2018-07-04 |
EP2251880B1 (en) | 2019-12-04 |
WO2009099127A1 (ja) | 2009-08-13 |
EP2251880A1 (en) | 2010-11-17 |
KR20100129267A (ko) | 2010-12-08 |
US20110017982A1 (en) | 2011-01-27 |
CN101939805A (zh) | 2011-01-05 |
JPWO2009099127A1 (ja) | 2011-05-26 |
US8822010B2 (en) | 2014-09-02 |
CN101939805B (zh) | 2013-02-27 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5406048B2 (ja) | 電子部品用素子 | |
JP4955000B2 (ja) | 固体電解コンデンサ | |
JP5461110B2 (ja) | 固体電解コンデンサおよびその製造方法 | |
TWI436391B (zh) | 固態電解電容元件及其製造方法 | |
TWI425541B (zh) | Solid electrolytic capacitor and manufacturing method thereof | |
JP2010278423A (ja) | 固体電解コンデンサ及びその製造方法 | |
JP4683318B2 (ja) | 固体電解コンデンサ及びその製造方法 | |
WO2006004229A1 (ja) | コンデンサ素子及びカーボンペースト | |
JP2005167230A (ja) | 固体電解コンデンサ | |
WO2007055247A1 (ja) | 固体電解コンデンサ及びその製造方法 | |
JP4478906B2 (ja) | 固体電解コンデンサ及びその製造方法 | |
CN100578701C (zh) | 电容器的制造方法 | |
CN1836297A (zh) | 片式固体电解电容器及其制造方法 | |
JP4547466B2 (ja) | 固体電解コンデンサおよびその製造方法 | |
JP6227233B2 (ja) | 固体電解コンデンサ | |
JP5736193B2 (ja) | 固体電解コンデンサ素子の製造方法 | |
TW200414244A (en) | Solid electrolytic capacitor and method for producing the same | |
JP4730654B2 (ja) | 固体電解質層形成方法及びこの方法を用いて製造される複合材料 | |
CN107170591A (zh) | 电容器的制造方法 | |
JP2006147900A (ja) | 固体電解コンデンサの製造方法 | |
TWI423285B (zh) | Solid electrolytic capacitor and manufacturing method thereof | |
TWI469163B (zh) | Solid electrolytic capacitor element, solid electrolytic capacitor and manufacturing method thereof | |
JP2008109070A (ja) | 固体電解コンデンサ素子およびその製造方法 | |
JP2011233739A (ja) | 固体電解コンデンサおよびその製造方法 | |
JPH0722077B2 (ja) | 固体電解コンデンサ |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20120703 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20120903 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20130205 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20130408 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20130723 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20130917 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20131008 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20131031 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5406048 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |