JP5359274B2 - 半導体封止用エポキシ樹脂組成物および半導体装置 - Google Patents
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Description
しかし、これらのエポキシ樹脂を使用すると、その化学構造からエポキシ樹脂組成物の硬化物のガラス転移温度が従来のエポキシ樹脂を使用した場合よりも低くなるため、多湿下ではエポキシ樹脂組成物に含まれるCl-等のイオン性不純物が動きやすくなる影響により半導体回路の腐食が進み易く、半導体装置がその機能を維持できる耐湿信頼性に難点があった。耐湿信頼性の不良原因となるエポキシ樹脂組成物に含まれるイオン性不純物を捕捉するために、Bi系無機化合物を含んだイオン捕捉剤を配合する提案(例えば、特許文献1:特開平11−240937号公報(第2〜11頁)参照)、酸化Mg、Al系イオン捕捉剤を配合する提案(例えば、特許文献2:特開昭60−42418号公報(第2〜4頁)参照)、ジルコニウム系イオン捕捉剤を配合する提案(例えば、特許文献3:特開2002−371194号公報(第2〜6頁)参照)がなされているが、耐湿信頼性の向上が認められるものの必ずしも充分でなかった。
(1)エポキシ樹脂と、硬化剤と、タルク、焼成クレーのケイ酸塩、シリカ、溶融シリカの酸化物および水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウムの水酸化物の中から選ばれる1種以上の無機充填材と、予め200〜400℃で、30分間〜24時間熱処理した半焼成ハイドロタルサイトからなるpH4〜8にpH緩衝域を有するpH緩衝剤と、を含むことを特徴とする半導体封止用エポキシ樹脂組成物。
(2)前記半焼成ハイドロタルサイトは、熱重量分析による250℃での重量減少をA重量%とし、200℃での重量減少をB重量%としたとき、A−B≦5重量%を満足するものである上記(1)に記載の半導体封止用エポキシ樹脂組成物。
(3)さらに、前記半焼成ハイドロタルサイトは、熱重量分析による450℃での重量減少をC重量%としたとき、C−A≧5重量%を満足するものである上記(2)に記載の半導体封止用エポキシ樹脂組成物。
(4)前記半焼成ハイドロタルサイトは、層間の水分量が5重量%以下であり、かつ層間の炭酸イオン量が5重量%以上である上記(1)ないし(3)のいずれかに記載の半導体封止用エポキシ樹脂組成物。
(5)前記半焼成ハイドロタルサイトの比表面積が、30〜60m2/gである上記(1)ないし(4)のいずれかに記載の半導体封止用エポキシ樹脂組成物。
(6)前記pH緩衝剤の含有量は、前記半導体封止用エポキシ樹脂組成物全体の0.01重量%〜3重量%である上記(1)ないし(5)のいずれかに記載の半導体封止用エポキシ樹脂組成物。
(7)半導体封止用エポキシ樹脂組成物の硬化物の熱水抽出液のpHが、4〜9である上記(1)ないし(6)のいずれかに記載の半導体封止用エポキシ樹脂組成物。
(8)上記(1)ないし(7)のいずれかに記載の半導体封止用エポキシ樹脂組成物の硬化物で、半導体素子が封止されてなることを特徴とする半導体装置。
前記エポキシ樹脂としては、1分子中にエポキシ基を2個以上有するモノマー、オリゴマーおよびポリマー全般を指し、特に限定するものではない。具体的には、ビフェニル型エポキシ樹脂、スチルベン型エポキシ樹脂、ビスフェノールA型エポキシ樹脂、ビスフェノールF型エポキシ樹脂等のビスフェノール型エポキシ樹脂、トリフェノールメタン型エポキシ樹脂、アルキル変性トリフェノールメタン型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン変性フェノール型エポキシ樹脂、トリアジン核含有エポキシ樹脂、フェノールアラルキル型エポキシ樹脂、ナフトール型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂等のノボラック型エポキシ樹脂等が挙げられ、これらは1種類を単独で用いても2種類以上を併用してもよい。これらの中でも特に耐半田性が求められる場合には、常温では結晶性の固体であるが、融点以上では極めて低粘度の液状となり、無機質充填材を高充填化できるビフェニル型エポキシ樹脂、ビスフェノール型エポキシ樹脂、スチルベン型エポキシ樹脂等の結晶性エポキシ樹脂が好ましい。
前記硬化剤としては、例えば重付加型の硬化剤、触媒型の硬化剤、縮合型の硬化剤の3タイプに大別される。
このようなハイドロタルサイトは、例えば下記式(1)で示すことができる。
前記半導体封止用エポキシ樹脂組成物には、特に限定されないが、硬化促進剤を含むことが好ましい。
上述の半導体封止用エポキシ樹脂組成物を、例えばミキサー等を用いて混合後、加熱ニーダー、熱ロール、押し出し機等を用いて加熱混練し、続いて冷却、粉砕してエポキシ樹脂成形材料とすることができる。
エポキシ樹脂成形材料の製造
エポキシ樹脂としてオルソクレゾールノボラック型エポキシ樹脂(E−1:日本化薬(株)製、EOCN1020、軟化点55℃、エポキシ当量196)15.28重量部と、硬化剤としてフェノールノボラック樹脂(H−1:住友ベークライト(株)製、PR−HF−3軟化点80℃、水酸基当量104)8.02重量部と、無機充填材として溶融球状シリカ(平均粒径26.5μm、105μm以上の粒子1%以下)75重量部と、pH緩衝剤として250℃で8時間処理した半焼成ハイドロタルサイト(P−1:Mg4.3Al2(OH)12.6(CO3)・mH2O、pH緩衝域4.6、熱重量分析による250℃の重量減少Aが5.98重量%、かつ200℃での重量減少Bが4.05重量%、A−B=1.93重量%、熱重量分析による450℃での重量減少Cが28.3重量%、C−A=22.32重量%、比表面積13m2/g)0.5重量部と、カーボンブラック0.3重量部と、シランカップリング剤(エポキシシラン:γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン)0.2重量部と、硬化促進材としてトリフェニルホスフィン(TPP)0.3重量部と、カルナバワックス0.40重量部と、を常温でミキサーを用いて混合し、次に70〜100℃でロール混練し、冷却後粉砕してエポキシ樹脂成形材料を得た。
エポキシ樹脂成形材料を表1に記載の配合とした以外は、実施例1と同様にした。下記に使用したエポキシ樹脂等について説明する。
ビフェニル型エポキシ樹脂(E−2:ジャパンエポキシレジン(株)製、YX−4000、エポキシ当量190、融点105℃)
ビフェニレン骨格を有するフェノールアラルキル型エポキシ樹脂(E−3日本化薬(株)製、NC3000、軟化点58℃、エポキシ当量274)
フェノールアラルキル樹脂(H−2:三井化学(株)製、XLC−4L、軟化点62℃、水酸基当量168)
ビフェニレン骨格を有するフェノールアラルキル樹脂(H−3:明和化成(株)製、MEH−7851SS、軟化点65℃、水酸基当量203)
pH緩衝剤(P−2):250℃で6時間熱処理した半焼成ハイドロタルサイト(Mg6Al2(OH)16(CO3)・mH2O、pH緩衝域4.7、熱重量分析による250℃の重量減少Aが13.23重量%、かつ200℃での重量減少Bが12.91重量%、A−B=0.32重量%、熱重量分析による450℃での重量減少Cが33.2重量%、C−A=19.97重量%、比表面積11m2/g)
エポキシ樹脂成形材料の製造
pH緩衝剤を使用せずに、配合を以下のようにした。
エポキシ樹脂成形材料を表1に記載の配合とした以外は、実施例1と同様にした。下記に使用したエポキシ樹脂等について説明する(すでに説明済みのものは、省略する)。
pH緩衝剤(p−5):200℃で20時間熱処理した半焼成ハイドロタルサイト、Mg4.3Al2(OH)12.6(CO3)・mH2O、pH緩衝域3.4、熱重量分析による250℃の重量減少Aが13.95重量%、かつ200℃での重量減少Bが4.85重量%、A−B=9.09重量%)
得られたエポキシ樹脂成形材料を低圧トランスファー成形機で、金型温度175℃、注入圧力9.8MPa、硬化時間120秒で直径50mm、厚さ3mmの円盤状試験片を成形した。ポストキュアとして175℃で8時間加熱処理した。試験片の吸湿処理前の重量と、85℃、相対湿度60%の環境下で168時間加湿処理した後の重量を測定し、試験片の吸湿率を百分率で示した。単位は重量%。
得られたエポキシ樹脂成形材料を低圧トランスファー成形機で、金型温度175℃、注入圧力9.8MPa、硬化時間120秒で、80pQFP(厚さ2.0mm、チップサイズ6.0mm×6.0mm)を成形した。ポストキュアとして175℃で8時間加熱処理したパッケージ6個を、30℃、相対湿度60%の環境下で192時間加湿処理した後、IRリフロー処理(240℃)を行った。処理後の内部の剥離又はクラックの有無を超音波探傷装置で観察し、不良パッケージの個数を数えた。不良パッケージの個数がn個であるとき、n/6と表示する。
得られたエポキシ成形材料を低圧トランスファー成形機で、金型温度175℃、注入圧力9.8MPa、硬化時間120秒で、16pSOP(チップサイズ3.0mm×3.5mm)を成形し、ポストキュアとして175℃で4時間加熱処理した後、プレッシャークッカー試験(140℃、圧力3.1×105Pa、500時間)を行い、回路のオープン不良を測定した。15個のパッケージ中の不良個数を示す。
Claims (8)
- エポキシ樹脂と、
硬化剤と、
タルク、焼成クレーのケイ酸塩、シリカ、溶融シリカの酸化物および水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウムの水酸化物の中から選ばれる1種以上の無機充填材と、
予め200〜400℃で、30分間〜24時間熱処理した半焼成ハイドロタルサイトからなるpH4〜8にpH緩衝域を有するpH緩衝剤と、を含むことを特徴とする半導体封止用エポキシ樹脂組成物。 - 前記半焼成ハイドロタルサイトは、熱重量分析による250℃での重量減少をA重量%とし、200℃での重量減少をB重量%としたとき、
A−B≦5重量%を満足するものである請求項1に記載の半導体封止用エポキシ樹脂組成物。 - さらに、前記半焼成ハイドロタルサイトは、熱重量分析による450℃での重量減少をC重量%としたとき、
C−A≧5重量%を満足するものである請求項2に記載の半導体封止用エポキシ樹脂組成物。 - 前記半焼成ハイドロタルサイトは、層間の水分量が5重量%以下であり、かつ層間の炭酸イオン量が5重量%以上である請求項1ないし3のいずれか1項に記載の半導体封止用エポキシ樹脂組成物。
- 前記半焼成ハイドロタルサイトの比表面積が、30〜60m2/gである請求項1ないし4のいずれか1項に記載の半導体封止用エポキシ樹脂組成物。
- 前記pH緩衝剤の含有量は、前記半導体封止用エポキシ樹脂組成物全体の0.01重量%〜3重量%である請求項1ないし5のいずれか1項に記載の半導体封止用エポキシ樹脂組成物。
- 半導体封止用エポキシ樹脂組成物の硬化物の熱水抽出液のpHが、4〜9である請求項1ないし6のいずれか1項に記載の半導体封止用エポキシ樹脂組成物。
- 請求項1ないし7のいずれか1項に記載の半導体封止用エポキシ樹脂組成物の硬化物で、半導体素子が封止されてなることを特徴とする半導体装置。
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KR20110066929A (ko) * | 2008-10-10 | 2011-06-17 | 스미토모 베이클리트 컴퍼니 리미티드 | 반도체 장치 |
TWI452640B (zh) * | 2009-02-09 | 2014-09-11 | Advanced Semiconductor Eng | 半導體封裝構造及其封裝方法 |
JP5442529B2 (ja) * | 2010-05-10 | 2014-03-12 | 日東電工株式会社 | 光半導体素子封止用エポキシ樹脂組成物およびそれを用いた光半導体装置。 |
TWI725113B (zh) * | 2016-02-01 | 2021-04-21 | 日商味之素股份有限公司 | 封止用之熱硬化性樹脂組成物以及封止用薄板 |
CN109219637B (zh) * | 2016-05-30 | 2021-05-25 | 昭和电工材料株式会社 | 密封组合物及半导体装置 |
CN109804035A (zh) * | 2016-10-04 | 2019-05-24 | 味之素株式会社 | 密封用的树脂组合物及密封用片材 |
JP6929356B2 (ja) | 2016-10-18 | 2021-09-01 | マルチンスヴェルク ゲーエムベーハーMartinswerk Gmbh | 相乗難燃剤組成物およびポリマー複合物におけるそれらの使用 |
CN110383946A (zh) * | 2017-03-29 | 2019-10-25 | 味之素株式会社 | 密封用片材 |
CN111566163B (zh) * | 2017-12-28 | 2024-02-13 | 株式会社力森诺科 | 密封组合物和半导体装置 |
JP2022181808A (ja) * | 2021-05-27 | 2022-12-08 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001234034A (ja) * | 2000-02-24 | 2001-08-28 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 |
JP2002080566A (ja) * | 2000-07-04 | 2002-03-19 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 |
WO2005097892A1 (ja) * | 2004-03-30 | 2005-10-20 | Sumitomo Bakelite Co., Ltd. | 半導体封止用エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 |
Family Cites Families (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6042418A (ja) * | 1983-08-19 | 1985-03-06 | Toshiba Chem Corp | 封止用樹脂組成物 |
JPS61174270A (ja) * | 1985-01-29 | 1986-08-05 | Kyowa Chem Ind Co Ltd | 耐発錆性ないし耐着色性賦与剤 |
JPH0748500A (ja) * | 1993-08-03 | 1995-02-21 | Toagosei Co Ltd | 半導体封止用エポキシ樹脂組成物 |
JP2875479B2 (ja) * | 1994-09-08 | 1999-03-31 | 日本ペルノックス株式会社 | 半導体の封止方法 |
EP0812883A4 (en) * | 1995-12-28 | 2001-05-16 | Toray Industries | EPOXY RESIN COMPOSITION |
JP4004160B2 (ja) * | 1998-09-21 | 2007-11-07 | 協和化学工業株式会社 | ウラン(u)含量の少ないハイドロタルサイト類化合物およびその製造法 |
JP3200413B2 (ja) | 1998-11-24 | 2001-08-20 | 日東電工株式会社 | 半導体装置の製法 |
JP2002053735A (ja) * | 2000-08-09 | 2002-02-19 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 |
JP2002294032A (ja) * | 2001-03-30 | 2002-10-09 | Toshiba Chem Corp | 液状封止用樹脂組成物 |
JP2002371194A (ja) | 2001-06-18 | 2002-12-26 | Kyocera Chemical Corp | 封止用樹脂組成物および半導体封止装置 |
JP2003277579A (ja) * | 2002-03-22 | 2003-10-02 | Nippon Kayaku Co Ltd | 高耐熱エポキシ樹脂組成物及びその硬化物 |
US7157313B2 (en) * | 2003-01-17 | 2007-01-02 | Sumitomo Bakelite Co., Ltd. | Epoxy resin composition and semiconductor device using thereof |
DE102005055649B4 (de) * | 2004-11-24 | 2018-01-11 | Osaka Soda Co., Ltd. | Zusammensetzung für Gummi und Vulkanisationsprodukt |
-
2007
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Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001234034A (ja) * | 2000-02-24 | 2001-08-28 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 |
JP2002080566A (ja) * | 2000-07-04 | 2002-03-19 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 |
WO2005097892A1 (ja) * | 2004-03-30 | 2005-10-20 | Sumitomo Bakelite Co., Ltd. | 半導体封止用エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 |
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