JP5125673B2 - 半導体封止用エポキシ樹脂組成物および半導体装置 - Google Patents
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Description
近年、集積回路の高集積化に伴い半導体素子が大型化し、かつ半導体装置はTSOP、TQFP、BGA等の表面実装型に変わってきている。そのため、半田をリフローする際の熱応力は従来よりも厳しくなっている。表面実装型半導体装置では、実装時の熱応力により半導体装置のクラック、半導体素子やその他の構成部材とエポキシ樹脂組成物の硬化物との界面での剥離と言った問題が生じ易く、耐熱性に優れたエポキシ樹脂組成物が強く求められてきた。
更に、近年の環境問題より半導体装置の実装に用いる半田に含まれる鉛を低減する方向になってきており、それに伴い、半田リフロー処理の温度が高くなり、より高い耐半田リフロー性が必要になっている。そのため、これら表面実装型半導体装置に使用されるエポキシ樹脂組成物に用いられている従来のオルソクレゾールノボラック型エポキシ樹脂、フェノールノボラック樹脂系よりも低応力性、低吸湿性に優れた樹脂系が使用されるようになった。
本発明の半導体封止用エポキシ樹脂組成物は、前記無機化合物が、下記一般式(1)で示される無機化合物とすることができる。
MgaMb(OH)2a+3b−2c(CO3)c・mH2O (1)
(式中Mが遷移金属で4≦a≦8、1≦b≦3、0.5≦c≦2、mは0以上の整数である。)
本発明の半導体封止用エポキシ樹脂組成物は、前記無機化合物の平均粒径が、0.1μm以上、50μm以下であるものとすることができる。
本発明の半導体封止用エポキシ樹脂組成物は、前記無機化合物が、半導体封止用エポキシ樹脂組成物全体に対し、0.01質量%以上、5質量%以下含有されているものとすることができる。
本発明の半導体装置は、上述の半導体封止用エポキシ樹脂組成物の硬化物で、半導体素子が封止されてなることを特徴とする。
本発明の半導体封止用エポキシ樹脂組成物は、エポキシ樹脂と、硬化剤と、層状複水酸化物の炭酸塩を含む無機化合物と、前記無機化合物と異なる無機充填材と、を含むことを特徴とする半導体封止用エポキシ樹脂組成物である。
また、本発明の半導体装置は、上記に記載の半導体封止用エポキシ樹脂組成物の硬化物で、半導体素子が封止されてなることを特徴とする。
本発明のエポキシ樹脂組成物は、エポキシ樹脂を含む。
前記エポキシ樹脂としては、1分子中にエポキシ基を2個以上有するモノマー、オリゴマーおよびポリマー全般を指し、特に限定するものではない。具体的には、ビフェニル型エポキシ樹脂、スチルベン型エポキシ樹脂、ビスフェノールA型エポキシ樹脂、ビスフェノールF型エポキシ樹脂等のビスフェノール型エポキシ樹脂、トリフェノールメタン型エポキシ樹脂、アルキル変性トリフェノールメタン型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン変性フェノール型エポキシ樹脂、トリアジン核含有エポキシ樹脂、フェノールアラルキル型エポキシ樹脂、ナフトール型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂等のノボラック型エポキシ樹脂等が挙げられ、これらは1種類を単独で用いても2種類以上を併用してもよい。これらの中でも特に耐半田リフロー性が求められる場合には、常温では結晶性の固体であるが、融点以上では極めて低粘度の液状となり、無機充填材を高充填化できるビフェニル型エポキシ樹脂、ビスフェノール型エポキシ樹脂、スチルベン型エポキシ樹脂等の結晶性エポキシ樹脂が好ましい。
また、無機充填材の高充填化という観点からは、その他のエポキシ樹脂の場合も極力粘度の低いものを使用することが望ましい。
また、可撓性、低吸湿化が求められる場合には、エポキシ基が結合した芳香環の間にエポキシ基を有さず、疎水性を示すジシクロペンタジエン骨格を有するジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂が望ましい。
さらに高い耐半田リフロー性が求められる場合には、エポキシ基が結合した芳香環の間に疎水性と高い耐熱性を併せ持つフェニレン骨格やビフェニレン骨格等を有するフェノールアラルキル型エポキシ樹脂、ナフトールアラルキル型エポキシ樹脂等のアラルキル型エポキシ樹脂が好ましい。
前記硬化剤としては、例えば重付加型の硬化剤、触媒型の硬化剤、縮合型の硬化剤の3タイプに大別される。
重付加型の硬化剤としては例えば、ジエチレントリアミン(DETA)、トリエチレンテトラミン(TETA)、メタキシレリレンジアミン(MXDA)等の脂肪族ポリアミン、ジアミノジフェニルメタン(DDM)、m−フェニレンジアミン(MPDA)、ジアミノジフェニルスルホン(DDS)等の芳香族ポリアミンのほか、ジシアンジアミド(DICY)、有機酸ジヒドララジド等を含むポリアミン化合物、ヘキサヒドロ無水フタル酸(HHPA)、メチルテトラヒドロ無水フタル酸(MTHPA)等の脂環族酸無水物、無水トリメリット酸(TMA)、無水ピロメリット酸(PMDA)、ベンゾフェノンテトラカルボン酸(BTDA)等の芳香族酸無水物等を含む酸無水物、ノボラック型フェノール樹脂、フェノールポリマー等のポリフェノール化合物、ポリサルファイド、チオエステル、チオエーテル等のポリメルカプタン化合物、イソシアネートプレポリマー、ブロック化イソシアネート等のイソシアネート化合物、カルボン酸含有ポリエステル樹脂等の有機酸類等が挙げられる。
これらの硬化剤は、用いるエポキシ樹脂の種類や目的とする硬化物の物性により、単独または2種類以上組み合わせて使用することができる。これらの硬化剤の中でもフェノール樹脂が好ましい。
層状複水酸化物の炭酸塩を含む無機化合物は、耐湿信頼性を向上するために使用される。この無機化合物を含むことにより耐湿信頼性を向上できる理由は、次のように考えられる。耐湿信頼性の低下は、半導体回路のAl配線の腐食が原因であり、その腐食は主にエポキシ樹脂組成物中のCIイオンに起因しているものである。層状複水酸化物の炭酸塩を含む無機化合物は上記のように金属水酸化物のプラスに荷電した層とマイナスに荷電した層とが複層積み重なってなる層状の化合物であるため、層間にエポキシ樹脂組成物中のClイオンを吸着することができる。このように腐食の原因となるClイオンを捕捉することにより、Al配線の腐食防止効果を示すと考えられる。
MgaMb(OH)2a+3b−2c(CO3)c・mH2O (1)
(式中Mが遷移金属で4≦a≦8、1≦b≦3、0.5≦c≦2、mは0以上の整数である。)
この一般式(1)で示される無機化合物を含むことにより、層間にエポキシ樹脂組成物中のClイオンをより効率よく吸着性することができ、Al配線の腐食防止効果を向上させることができる。
遷移金属MがFeである一般式(1)で示される無機化合物としては、例えば、パイロオーライト(Pyroaurite)などが挙げられる。
なお、前記無機化合物と、アルミニウム腐食防止剤等を併用してもよい。
前記無機充填材としては、タルク、焼成クレー等のケイ酸塩、シリカ、溶融シリカ等の酸化物、水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウム等の水酸化物等が挙げられる。より具体的に前記ケイ酸塩としては、タルク、焼成クレー以外に、未焼成クレー、マイカ、ガラス等が挙げられる。前記酸化物としては、シリカ、溶融シリカ以外に球状シリカ、結晶シリカ、2次凝集シリカ、多孔質シリカ、2次凝集シリカまたは多孔質シリカを粉砕したシリカ、酸化チタン、アルミナ等が挙げられる。
また、前記水酸化物としては、水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウム以外に水酸化カルシウム等が挙げられる。これらの水酸化物は、後述する難燃剤としても用いることができる。これらは、1種または2種以上を併用しても構わない。
これらの中でもシリカ、溶融シリカに代表される酸化物であるのが好ましい。さらにその中でも、特に溶融シリカであることが好ましい。これにより、成形時の流動性を向上することができる。
前記硬化促進剤としては、エポキシ基とフェノール性水酸基との硬化反応を促進させるものであれば良く、一般に封止材料に使用されているものを広く使用することができる。例えば1,8−ジアザビシクロ(5,4,0)ウンデセン−7,2−メチルイミダゾール、トリフェニルホスフィン、テトラフェニルホスホニウム、テトラフェニルボレート塩等が挙げられるが、これらに限定するものではない。硬化促進剤は1種類を単独で用いても2種類以上を併用してもよい。
本発明のエポキシ樹脂組成物を用いて半導体素子等の各種の電子部品を封止し、半導体装置を製造するには、トランスファーモールド、コンプレッションモールド、インジェクションモールド等の従来からの成形方法で硬化成形すればよい。
(実施例1)
層状複水酸化物の炭酸塩を含む無機化合物の合成
P−1の合成:Mg(NO3)・6H2O、12.8gとFe(NO3)・9H2O、28.3gを200mlのイオン交換水に溶解した。これを4Nの水酸化ナトリウム水溶液に無水炭酸ナトリウム8.5gを溶解した水溶液によく攪拌しながら室温でゆっくりと加えた。これを90℃12hrで加熱処理した後、室温まで放冷し、沈殿物をろ過した。得られた結晶をイオン交換水で洗浄し、200℃8hrで乾燥させた。化学分析で求めた化学式はMg6Fe2(OH)16(CO3)・4H2Oであった。
P−2の合成:Mg(NO3)・6H2O、12.8gとFe(NO3)・9H2O、20.2gを200mlのイオン交換水に溶解した。これを4Nの水酸化ナトリウム水溶液に無水炭酸ナトリウム5.3gを溶解した水溶液によく攪拌しながら室温でゆっくりと加えた。これを80℃10hrで加熱処理した後、室温まで放冷し、沈殿物をろ過した。得られた結晶をイオン交換水で洗浄し、150℃12hrで乾燥させた。化学分析で求めた化学式はMg4.5Fe1.3(OH)11.5(CO3)0.7・4H2Oであった。
P−3の合成:Mg(NO3)・6H2O、12.8gとFe(NO3)・9H2O、40.4gを200mlのイオン交換水に溶解した。これを4Nの水酸化ナトリウム水溶液に無水炭酸ナトリウム10.6gを溶解した水溶液によく攪拌しながら室温でゆっくりと加えた。これを65℃20hrで加熱処理した後、室温まで放冷し、沈殿物をろ過した。得られた結晶をイオン交換水で洗浄し、220℃12hrで乾燥させた。化学分析で求めた化学式はMg7Fe2.6(OH)18.8(CO3)1.5・4H2Oであった。
エポキシ樹脂組成物の製造
エポキシ樹脂としてオルソクレゾールノボラック型エポキシ樹脂(E−1:日本化薬(株)製、EOCN1020、軟化点55℃、エポキシ当量196)9.13質量部と、硬化剤としてフェノールノボラック樹脂(H−1:住友ベークライト(株)製、PR−HF−3、軟化点80℃、水酸基当量104)4.79質量部と、無機充填材として溶融球状シリカ(株式会社マイクロン・HS−104、平均粒径26.5μm、105μm以上の粒子1%以下)85.00質量部と、Mg6Fe2(OH)16(CO3)・4H2O(P−1:平均粒径1.3μm、105μm以上の粒子1%以下)0.08質量部と、着色剤としてカーボンブラック0.30質量部と、シランカップリング剤(エポキシシラン:γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン)0.20質量部と、硬化促進剤としてトリフェニルホスフィン(TPP)0.10質量部と、離型剤としてカルナバワックス0.40質量部と、を常温でミキサーを用いて混合し、次に70〜100℃でロール混練し、冷却後粉砕してエポキシ樹脂組成物を得た。
エポキシ樹脂組成物の組成を表1に記載の配合とした以外は、実施例1と同様にしてエポキシ樹脂組成物を得た。下記に使用したエポキシ樹脂等について説明する(すでに説明済みのものは、省略する)。
エポキシ樹脂:
ビフェニル型エポキシ樹脂(E−2:ジャパンエポキシレジン(株)製、YX−4000、エポキシ当量190、融点105℃)
ビフェニレン骨格を有するフェノールアラルキル型エポキシ樹脂(E−3:日本化薬(株)製、NC3000、軟化点58℃、エポキシ当量274)
フェノールアラルキル樹脂(H−2:三井化学(株)製、XLC−4L、軟化点62℃、水酸基当量168)
ビフェニレン骨格を有するフェノールアラルキル樹脂(H−3:明和化成(株)製、MEH−7851SS、軟化点65℃、水酸基当量203)
Mg4.5Fe1.3(OH)11.5(CO3)0.7・4H2O、(P−2:平均粒径3.6μm、105μm以上の粒子1%以下)
Mg7Fe2.6(OH)18.8(CO3)1.5・4H2O、(P−3:平均粒径6.3μm、105μm以上の粒子1%以下)
エポキシ樹脂組成物の組成を表1に記載の配合とした以外は、実施例1と同様にしてエポキシ樹脂組成物を得た。下記に使用したエポキシ樹脂等について説明する(すでに説明済みのものは、省略する)。 なお、これらI−1〜I−3の陰イオン捕捉剤については層状複水酸化物の炭酸塩を含む無機化合物を含んでいない。
陰イオン捕捉剤:
陰イオン捕捉剤(I−1:東亞合成株式会社製、IXE−550、ビスマス系陰イオン捕捉剤)
陰イオン捕捉剤(I−2:東亞合成株式会社製、IXE−800、ジルコニウム系陰イオン捕捉剤)
陰イオン捕捉剤(I−3:東亞合成株式会社製、IXE−700F、酸化マグネシウム、アルミニウム系陰イオン捕捉剤)
得られたエポキシ樹脂組成物を低圧トランスファー成形機(コータキ精機株式会社製、KTS−30)で、金型温度175℃、注入圧力9.8MPa、硬化時間120秒の条件で成形し、直径50mm、厚さ3mmの円盤状試験片を作製した。ポストキュアとして175℃で8時間加熱処理した。加熱処理後、試験片の吸湿処理前の質量と、85℃、相対湿度60%の環境下で168時間加湿処理した後の質量を測定し、試験片の吸湿率を百分率で示した。単位は質量%。吸湿率が、0.20%以下であるときを良好とした。
低圧トランスファー成形機(第一精工製、GP−ELF)を用いて、金型温度175℃、注入圧力9.8MPa、硬化時間120秒の条件で、半導体素子(半導体素子サイズ6.0mm×6.0mm)を搭載したリードフレームがインサートされた金型キャビティ内に、得られたエポキシ樹脂組成物を注入、硬化させ、80ピンQFP(パッケージサイズ20mm×14mm、厚さ2.0mm)を成形した。ポストキュアとして175℃で8時間加熱処理した半導体装置6個を、30℃、相対湿度60%の環境下で192時間加湿処理した後、IRリフロー処理(240℃)を行った。処理後の内部の剥離又はクラックの有無を超音波探傷装置(日立建機ファインテック社製 mi−scope 10)で観察し、不良パッケージの個数を数えた。不良パッケージの個数がn個であるとき、n/6と表示する。不良数(n/6)が、1/6以下であるとき耐半田リフロー性は良好であるとした。
低圧トランスファー成形機(コータキ精機株式会社製、KTS−125)を用いて、金型温度175℃、注入圧力9.8MPa、硬化時間120秒の条件で、半導体素子(半導体素子サイズ3.0mm×3.5mm、厚さ0.48mm。配線部とメタルパッド部がアルミニウム層(純度:99.99%、1.0μm厚)で構成されている。保護膜は無し。陽極配線と陰極配線の1対を1評価回路とし、3評価回路(総回路面積4.8mm2)が1半導体素子上に形成されている。各々の陽極配線及び陰極配線は配線幅10μmで両端がそれぞれ120μm角のメタルパッドに接続されている。対となる陽極配線と陰極配線の間隔は10μm。評価回路の各々のメタルパッドは金製(純度:99.99%)の1本のワイヤ(25μm径)で対応する各々のリードに接続されている。)を搭載したリードフレームがインサートされた金型キャビティ内に得られたエポキシ樹脂組成物を注入、硬化させ、16ピンSOP(パッケージサイズ7.2mm×11.5mm、厚さ1.95mm)を成形した。ポストキュアとして175℃で4時間加熱処理した後、プレッシャークッカー試験(130℃、圧力2.3×105Pa、500時間、陽極陰極間の印加電圧20V)を行った。プレッシャークッカー試験後、オープンチェッカーで判定を行った。オープンチェッカーの陽極の判定回路は、抵抗(2.2KΩ)1個とLED(1.85V、20mA)1個と1本の陽極配線を配線したものであり、1本の陽極配線におけるメタルパッド間の断線の有無を判定するものである。オープンチェッカーの陰極の判定回路は、抵抗(2.2KΩ)1個とLED(1.85V、20mA)1個と1本の陰極配線を配線したものであり、1本の陰極配線におけるメタルパッド間の断線の有無を判定するものである。オープンチェッカーは1パッケージ中の3本の陽極配線と3本の陰極配線を同時に測定できるよう電源(単3形乾電池4個直列)に3本の陽極判定回路と3本の陰極判定回路が並列に接続されている。3評価回路の陽極判定回路、陰極判定回路のLEDが全て点灯した場合を良、それ以外を不良とした。15個のパッケージ中の不良個数を示す。
一方、本発明を逸脱する比較例1〜4における樹脂組成物は、いずれの場合も耐湿信頼性に劣っていた。
2 ダイボンド材硬化体
3 ダイパッド
4 金線
5 リードフレーム
6 半導体封止用エポキシ樹脂組成物の硬化体
Claims (3)
- エポキシ樹脂と、硬化剤と、層状複水酸化物の炭酸塩を含む無機化合物と、前記無機化合物と異なる無機充填材と、を含む半導体封止用エポキシ樹脂組成物であって、前記無機化合物が、下記一般式(1)で示される無機化合物であり、前記無機化合物が、半導体封止用エポキシ樹脂組成物全体に対し、0.01質量%以上、4.8質量%以下含有されている半導体封止用エポキシ樹脂組成物。
Mg a M b (OH) 2a+3b−2c (CO 3 ) c ・mH 2 O (1)
(式中Mが遷移金属であるFeで4≦a≦8、1≦b≦3、0.5≦c≦2、mは0以上の整数である。) - 前記無機化合物の平均粒径が、0.1μm以上、50μm以下である請求項1に記載の半導体封止用エポキシ樹脂組成物。
- 請求項1または請求項2に記載の半導体封止用エポキシ樹脂組成物の硬化物で、半導体素子が封止されてなることを特徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008080670A JP5125673B2 (ja) | 2008-03-26 | 2008-03-26 | 半導体封止用エポキシ樹脂組成物および半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
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