JP5286784B2 - 光硬化性組成物、微細パターン形成体およびその製造方法 - Google Patents

光硬化性組成物、微細パターン形成体およびその製造方法 Download PDF

Info

Publication number
JP5286784B2
JP5286784B2 JP2007514498A JP2007514498A JP5286784B2 JP 5286784 B2 JP5286784 B2 JP 5286784B2 JP 2007514498 A JP2007514498 A JP 2007514498A JP 2007514498 A JP2007514498 A JP 2007514498A JP 5286784 B2 JP5286784 B2 JP 5286784B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
fine pattern
photocurable composition
mold
fluorine
substrate
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2007514498A
Other languages
English (en)
Other versions
JPWO2006114958A1 (ja
Inventor
泰秀 川口
昭彦 浅川
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
AGC Inc
Original Assignee
Asahi Glass Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Asahi Glass Co Ltd filed Critical Asahi Glass Co Ltd
Priority to JP2007514498A priority Critical patent/JP5286784B2/ja
Publication of JPWO2006114958A1 publication Critical patent/JPWO2006114958A1/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP5286784B2 publication Critical patent/JP5286784B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B29WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
    • B29CSHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
    • B29C37/00Component parts, details, accessories or auxiliary operations, not covered by group B29C33/00 or B29C35/00
    • B29C37/0053Moulding articles characterised by the shape of the surface, e.g. ribs, high polish
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B29WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
    • B29CSHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
    • B29C43/00Compression moulding, i.e. applying external pressure to flow the moulding material; Apparatus therefor
    • B29C43/003Compression moulding, i.e. applying external pressure to flow the moulding material; Apparatus therefor characterised by the choice of material
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B29WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
    • B29CSHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
    • B29C43/00Compression moulding, i.e. applying external pressure to flow the moulding material; Apparatus therefor
    • B29C43/02Compression moulding, i.e. applying external pressure to flow the moulding material; Apparatus therefor of articles of definite length, i.e. discrete articles
    • B29C43/021Compression moulding, i.e. applying external pressure to flow the moulding material; Apparatus therefor of articles of definite length, i.e. discrete articles characterised by the shape of the surface
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82NANOTECHNOLOGY
    • B82YSPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y10/00Nanotechnology for information processing, storage or transmission, e.g. quantum computing or single electron logic
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82NANOTECHNOLOGY
    • B82YSPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y40/00Manufacture or treatment of nanostructures
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08FMACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED BY REACTIONS ONLY INVOLVING CARBON-TO-CARBON UNSATURATED BONDS
    • C08F220/00Copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and only one being terminated by only one carboxyl radical or a salt, anhydride ester, amide, imide or nitrile thereof
    • C08F220/02Monocarboxylic acids having less than ten carbon atoms; Derivatives thereof
    • C08F220/10Esters
    • C08F220/12Esters of monohydric alcohols or phenols
    • C08F220/16Esters of monohydric alcohols or phenols of phenols or of alcohols containing two or more carbon atoms
    • C08F220/18Esters of monohydric alcohols or phenols of phenols or of alcohols containing two or more carbon atoms with acrylic or methacrylic acids
    • C08F220/1811C10or C11-(Meth)acrylate, e.g. isodecyl (meth)acrylate, isobornyl (meth)acrylate or 2-naphthyl (meth)acrylate
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08FMACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED BY REACTIONS ONLY INVOLVING CARBON-TO-CARBON UNSATURATED BONDS
    • C08F220/00Copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and only one being terminated by only one carboxyl radical or a salt, anhydride ester, amide, imide or nitrile thereof
    • C08F220/02Monocarboxylic acids having less than ten carbon atoms; Derivatives thereof
    • C08F220/10Esters
    • C08F220/22Esters containing halogen
    • C08F220/24Esters containing halogen containing perhaloalkyl radicals
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08FMACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED BY REACTIONS ONLY INVOLVING CARBON-TO-CARBON UNSATURATED BONDS
    • C08F222/00Copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and at least one being terminated by a carboxyl radical and containing at least one other carboxyl radical in the molecule; Salts, anhydrides, esters, amides, imides, or nitriles thereof
    • C08F222/10Esters
    • C08F222/1006Esters of polyhydric alcohols or polyhydric phenols
    • C08F222/106Esters of polycondensation macromers
    • C08F222/1065Esters of polycondensation macromers of alcohol terminated (poly)urethanes, e.g. urethane(meth)acrylates
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/0002Lithographic processes using patterning methods other than those involving the exposure to radiation, e.g. by stamping
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004Photosensitive materials
    • G03F7/0045Photosensitive materials with organic non-macromolecular light-sensitive compounds not otherwise provided for, e.g. dissolution inhibitors
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004Photosensitive materials
    • G03F7/0046Photosensitive materials with perfluoro compounds, e.g. for dry lithography
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004Photosensitive materials
    • G03F7/027Non-macromolecular photopolymerisable compounds having carbon-to-carbon double bonds, e.g. ethylenic compounds
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B29WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
    • B29CSHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
    • B29C35/00Heating, cooling or curing, e.g. crosslinking or vulcanising; Apparatus therefor
    • B29C35/02Heating or curing, e.g. crosslinking or vulcanizing during moulding, e.g. in a mould
    • B29C35/08Heating or curing, e.g. crosslinking or vulcanizing during moulding, e.g. in a mould by wave energy or particle radiation
    • B29C35/0805Heating or curing, e.g. crosslinking or vulcanizing during moulding, e.g. in a mould by wave energy or particle radiation using electromagnetic radiation
    • B29C2035/0833Heating or curing, e.g. crosslinking or vulcanizing during moulding, e.g. in a mould by wave energy or particle radiation using electromagnetic radiation using actinic light
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B29WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
    • B29CSHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
    • B29C43/00Compression moulding, i.e. applying external pressure to flow the moulding material; Apparatus therefor
    • B29C43/32Component parts, details or accessories; Auxiliary operations
    • B29C43/36Moulds for making articles of definite length, i.e. discrete articles
    • B29C43/361Moulds for making articles of definite length, i.e. discrete articles with pressing members independently movable of the parts for opening or closing the mould, e.g. movable pistons
    • B29C2043/3615Forming elements, e.g. mandrels or rams or stampers or pistons or plungers or punching devices
    • B29C2043/3634Forming elements, e.g. mandrels or rams or stampers or pistons or plungers or punching devices having specific surface shape, e.g. grooves, projections, corrugations
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B29WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
    • B29CSHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
    • B29C59/00Surface shaping of articles, e.g. embossing; Apparatus therefor
    • B29C59/02Surface shaping of articles, e.g. embossing; Apparatus therefor by mechanical means, e.g. pressing
    • B29C59/022Surface shaping of articles, e.g. embossing; Apparatus therefor by mechanical means, e.g. pressing characterised by the disposition or the configuration, e.g. dimensions, of the embossments or the shaping tools therefor
    • B29C2059/023Microembossing
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B29WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
    • B29CSHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
    • B29C35/00Heating, cooling or curing, e.g. crosslinking or vulcanising; Apparatus therefor
    • B29C35/02Heating or curing, e.g. crosslinking or vulcanizing during moulding, e.g. in a mould
    • B29C35/08Heating or curing, e.g. crosslinking or vulcanizing during moulding, e.g. in a mould by wave energy or particle radiation
    • B29C35/0888Heating or curing, e.g. crosslinking or vulcanizing during moulding, e.g. in a mould by wave energy or particle radiation using transparant moulds
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B29WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
    • B29KINDEXING SCHEME ASSOCIATED WITH SUBCLASSES B29B, B29C OR B29D, RELATING TO MOULDING MATERIALS OR TO MATERIALS FOR MOULDS, REINFORCEMENTS, FILLERS OR PREFORMED PARTS, e.g. INSERTS
    • B29K2105/00Condition, form or state of moulded material or of the material to be shaped
    • B29K2105/0002Condition, form or state of moulded material or of the material to be shaped monomers or prepolymers
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B29WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
    • B29LINDEXING SCHEME ASSOCIATED WITH SUBCLASS B29C, RELATING TO PARTICULAR ARTICLES
    • B29L2011/00Optical elements, e.g. lenses, prisms
    • B29L2011/0016Lenses
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10TTECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/24Structurally defined web or sheet [e.g., overall dimension, etc.]
    • Y10T428/24479Structurally defined web or sheet [e.g., overall dimension, etc.] including variation in thickness

Description

本発明は、光硬化性組成物、微細パターン形成体およびその製造方法に関する。
近年、微細パターンを表面に有するモールドを基板に押圧させて該微細パターンの反転パターンを表面に有する基板を製造する方法、いわゆるナノインプリント法が注目されている。なかでも、基板の表面とモールドのパターン面との間に光硬化性組成物を押圧して挟持させ、つぎに光照射により光硬化性組成物におけるモノマーを重合させて、モールドの微細パターンが転写された表面を有する硬化物からなる微細パターン形成体を得て、さらにモールド硬化物から剥離して基板と一体の微細パターン形成体を製造する方法が注目されている(特許文献1および2参照。)。
該方法に用いられる光硬化性組成物として、少なくとも1種の(メタ)アクリレート類、光重合開始剤、およびフッ素化有機シランを含む界面活性剤からなる光硬化性組成物が知られている(特許文献3参照。)。
特表2004−504718号公報 特表2002−539604号公報 特開2004−002702号公報
しかし特許文献3には、光硬化性組成物における界面活性剤の含有量に関して、該光硬化性組成物の相分離を防ぐために充分に低くすべきであると記載されるにとどまる。実際には、該含有量は0.1質量%以下である。この場合、光硬化性組成物の硬化物の離型性は充分でなく該硬化物はモールドから円滑に剥離しにくい。そのため、高精度な微細パターン形成体を製造しにくいと考えられる。また、特許文献3には、光硬化性組成物の相分離を起こすことなく界面活性剤の含有量を高くする手段に関する記載はない。そのため、高精度な微細パターン形成体を効率よく製造できる光硬化性組成物が求められている。
本発明者らは、特定のフッ素原子を含まないモノマー、含フッ素モノマー、含フッ素界面活性剤および/または含フッ素ポリマー、ならびに光重合開始剤の、それぞれ特定量を含む組成物は相溶して光硬化性組成物を形成すること、さらには該光硬化性組成物の硬化物はモールドから円滑に剥離できることを見出した。そして該光硬化性組成物、基板、および表面に微細パターンを有するモールドを用い、高精度な微細パターン形成体を効率よく製造できることを見出した。
すなわち、本発明の要旨は、以下のとおりである。
[1]:25℃における粘度が0.1〜100mPa・sのフッ素原子を含まないモノマーを50〜98質量%、下記(1)または(2)の含フッ素モノマーを0.1〜45質量%、含フッ素界面活性剤および/または含フッ素ポリマーを0.1超〜20質量%、ならびに光重合開始剤を1〜10質量%含み、かつ実質的に溶剤を含まないことを特徴とする光硬化性組成物。
(1)式CF =CR −Q−CR =CH で表される化合物(ただし、R およびR は、それぞれ独立に、水素原子、フッ素原子、炭素数1〜3のアルキル基、または炭素数1〜3のフルオロアルキル基を示し、Qは酸素原子、式−NR −(R は水素原子、炭素数1〜6のアルキル基、アルキルカルボニル基またはトシル基を示す。)で表される基、または官能基を有していてもよい2価有機基を示す。)。
(2)式(CH =CXCOO) で表される化合物(ただし、nは1〜4の整数を、Xは水素原子、フッ素原子、メチル基またはトリフルオロメチル基を、R は炭素数1〜30のn価含フッ素有機基を、示す。)。
[2]:前記光硬化性組成物において、含フッ素界面活性剤および含フッ素ポリマーの総量に対する含フッ素モノマーの量が1〜100倍質量である[1]に記載の光硬化性組成物。
[3]:前記含フッ素モノマー中のフッ素含有量が、40〜70質量%である[1]または[2]に記載の光硬化性組成物。
]:前記光硬化性組成物が、25℃における粘度が0.1〜200mPa・sである[1]〜[3]のいずれかに記載の光硬化性組成物。
]:[1]〜[]のいずれかに記載の光硬化性組成物を、表面に微細パターンを有するモールドの該微細パターンを有する表面に接触させ、次いでモールド表面に接触させた状態で前記光硬化性組成物を光硬化させ、その後光硬化性組成物の硬化物をモールドから剥離することを特徴とする微細パターン形成体の製造方法。
]:[1]〜[]のいずれかに記載の光硬化性組成物、基板、および表面に微細パターンを有するモールドを用い、下記工程A、下記工程B、下記工程C、および任意に下記工程Dを順に行うことにより、表面に微細パターンを有する微細パターン形成体、または基板と一体の該微細パターン形成体を得ることを特徴とする微細パターン形成体の製造方法。
工程A:基板の表面とモールドのパターン面との間に光硬化性組成物を挟持して押圧する工程。
工程B:光硬化性組成物を光照射により硬化させて、モールドの微細パターンが転写された表面を有する硬化物からなる微細パターン形成体を得る工程。
工程C:モールドおよび基板の少なくとも一方を硬化物から剥離して、微細パターン形成体、基板と一体の微細パターン形成体、またはモールドと一体の微細パターン形成体を得る工程。
工程D:上記工程Cにおいてモールドと一体の微細パターン形成体を得た場合はモールドと微細パターン形成体を剥離する工程。
]:前記モールドの微細パターンが、凸部と凹部を有する微細パターンであり該凸部の間隔の平均値が1nm〜500μmである[]または[]に記載の微細パターン形成体の製造方法。
]:[1]〜[3]のいずれかに記載の光硬化性組成物を、表面に微細パターンを有するモールドの該微細パターンを有する表面に接触させ、次いでモールドを剥離してモールドの微細パターンが転写された表面を有する光硬化性組成物の成形体を製造し、その後前記光硬化性組成物の成形体を光硬化させることを特徴とする微細パターン形成体の製造方法。
]:[1]〜[3]のいずれかに記載の光硬化性組成物、基板、および表面に微細パターンを有するモールドを用い、下記工程E、下記工程F、下記工程G、および任意に下記工程Hを順に行うことにより、表面に微細パターンを有する微細パターン形成体、または基板と一体の該微細パターン形成体を得ることを特徴とする微細パターン形成体の製造方法。
工程E:基板の表面とモールドのパターン面との間に光硬化性組成物を押圧させる工程。
工程F:モールドを光硬化性組成物から剥離して、基板と一体の、該モールドの微細パターンが転写された表面を有する該光硬化性組成物の成形体を得る工程。
工程G:光硬化性組成物の成形体を光照射により硬化させて、基板と一体の、モールドの微細パターンが転写された表面を有する硬化物からなる微細パターン形成体を得る工程。
工程H:基板と微細パターン形成体を剥離する工程。
10]:前記モールドの微細パターンが、凸部と凹部を有する微細パターンであり該凸部の間隔の平均値が1nm〜500μmである[]に記載の微細パターン形成体の製造方法。
11]:[1]〜[]のいずれかに記載の光硬化性組成物を硬化させて得られる硬化物からなる、凸部と凹部からなる微細パターンを有する微細パターン形成体であって、該凸部の間隔の平均値が1nm〜500μmであることを特徴とする微細パターン形成体。
本発明の光硬化性組成物は、特定のフッ素原子を含まないモノマー、含フッ素界面活性剤、および含フッ素ポリマーに対して相溶性の高い含フッ素モノマーを含むため、含フッ素界面活性剤および/または含フッ素ポリマーの含有量が高くても相分離しない。また、本発明の光硬化性組成物および該光硬化性組成物の硬化物は、フッ素含有量が高く離型性に優れる。
したがって、本発明の光硬化性組成物を用いることにより、表面に微細パターンを有するモールドの該パターンが高精度に転写された表面を有する該光硬化性組成物の硬化物からなる微細パターン形成体を効率よく製造できる。よって、本発明によって高精度なナノインプリントプロセスが実現される。
本明細書において、粘度とは、特に言及しない限り、25℃における粘度を意味する。
本発明の光硬化性組成物は、粘度が0.1〜100mPa・sのフッ素原子を含まないモノマー(以下、単に主成分モノマーともいう。)を50〜98質量%含み、好ましくは55〜90質量%含み、特に好ましくは60〜85質量%含む。本発明の光硬化性組成物は主成分モノマーを50質量%以上含むため、低粘性に調整しやすい。本発明の光硬化性組成物は、粘度が1〜200mPa・sであるのが好ましく、粘度が1〜100mPa・sであるのが特に好ましい。
本発明における主成分モノマーは、重合性基を有するモノマーであれば特に限定されず、アクリロイル基もしくはメタクリロイル基を有するモノマー、ビニル基を有するモノマー、アリル基を有するモノマーまたはオキシラニル基を有するモノマーが好ましく、アクリロイル基もしくはメタクリロイル基を有するモノマーがより好ましい。主成分モノマーにおける重合性基の数は、1〜4個が好ましく、1または2個がより好ましく、1個が特に好ましい。
重合性基を有するモノマーは、(メタ)アクリル酸、(メタ)アクリレート、(メタ)アクリルアミド、ビニルエーテル、ビニルエステル、アリルエーテル、アリルエステル、またはスチレン系化合物が好ましく、(メタ)アクリレートが特に好ましい。ただし、本明細書において、アクリル酸とメタクリル酸を総称して(メタ)アクリル酸と、アクリレートとメタクリレートを総称して(メタ)アクリレートと、アクリルアミドとメタクリルアミドとを総称して(メタ)アクリルアミドと、記す。
(メタ)アクリレートの具体例としては、下記の化合物が挙げられる。
フェノキシエチル(メタ)アクリレート、ベンジル(メタ)アクリレート、ステアリル(メタ)アクリレート、ラウリル(メタ)アクリレート、2−エチルヘキシル(メタ)アクリレート、エトキシエチル(メタ)アクリレート、メトキシエチル(メタ)アクリレート、グリシジル(メタ)アクリレート、テトラヒドロフルフリール(メタ)アクリレート、アリル(メタ)アクリレート、2−ヒドロキシエチル(メタ)アクリレート、2−ヒドロキシプロピル(メタ)アクリレート、N,N−ジエチルアミノエチル(メタ)アクリレート、N,N−ジメチルアミノエチル(メタ)アクリレート、ジメチルアミノエチル(メタ)アクリレート、メチルアダマンチル(メタ)アクリレート、エチルアダマンチル(メタ)アクリレート、ヒドロキシアダマンチル(メタ)アクリレート、アダマンチル(メタ)アクリレート、イソボルニル(メタ)アクリレート等のモノ(メタ)アクリレートが挙げられる。
また、1,3−ブタンジオールジ(メタ)アクリレート、1,4−ブタンジオールジ(メタ)アクリレート、1,6−ヘキサンジオールジ(メタ)アクリレート、ジエチレングリコールジ(メタ)アクリレート、トリエチレングリコールジ(メタ)アクリレート、テトラエチレングリコールジ(メタ)アクリレート、ネオペンチルグリコールジ(メタ)アクリレート、ポリオキシエチレングリコールジ(メタ)アクリレート、トリプロピレングリコールジ(メタ)アクリレート等のジ(メタ)アクリレートが挙げられる。
さらに、トリメチロールプロパントリ(メタ)アクリレート、ペンタアエリスリトールトリ(メタ)アクリレート等のトリ(メタ)アクリレートが挙げられる。
かつ、ジペンタエリスリトールヘキサ(メタ)アクリレート等の重合性基を4個以上有する(メタ)アクリレートも挙げられる。
ビニルエーテルの具体例としては、エチルビニルエーテル、プロピルビニルエーテル、イソブチルビニルエーテル、2−エチルヘキシルビニルエーテル、シクロヘキシルビニルエーテル等のアルキルビニルエーテル、4−ヒドロキシブチルビニルエーテル等の(ヒドロキシアルキル)ビニルが挙げられる。
ビニルエステルの具体例としては、酢酸ビニル、プロピオン酸ビニル、(イソ)酪酸ビニル、吉草酸ビニル、シクロヘキサンカルボン酸ビニル、安息香酸ビニル等のビニルエステルが挙げられる。
アリルエーテルの具体例としては、エチルアリルエーテル、プロピルアリルエーテル、(イソ)ブチルアリルエーテル、シクロヘキシルアリルエーテル等のアルキルアリルエーテルが挙げられる。
オキシラニル基を有するモノマーは、エポキシ基を有するモノマー、オキセタン基を有するモノマー、オキサゾリン基を有するモノマーが挙げられる。
アダマンチル基を有するモノマーは、含フッ素モノマーや含フッ素界面活性剤との相溶性が良好であり、特に好ましい。また、トリエチレングリコールジ(メタ)アクリレート、テトラエチレングリコールジ(メタ)アクリレート、またはネオペンチルグリコールジ(メタ)アクリレートは、硬化性が良好であり、特に好ましい。
また、主成分モノマーは、1種の主成分モノマーを用いてもよく、2種以上の主成分モノマーを用いてもよい。
主成分モノマーの分子量は、100以上500以下が好ましく、200以上400以下がより好ましい。
本発明の光硬化性組成物は、含フッ素モノマー(25℃における粘度が1〜100mPaの含フッ素モノマーが好ましい。)を0.1〜45質量%含む。好ましくは10〜40質量%含む。本発明の光硬化性組成物は、主成分モノマー、含フッ素界面活性剤、および含フッ素ポリマーとの相溶性が高い含フッ素モノマーを含むため、相分離しにくい。また該光硬化性組成物は相分離することなく硬化物を形成しやすい。
本発明における含フッ素モノマーは、重合性基を有する含フッ素モノマーであれば特に限定されず、アクリロイル基もしくはメタクリロイル基を有する含フッ素モノマー、ビニル基を有する含フッ素モノマー、フルオロビニル基を有する含フッ素モノマー、アリル基を有する含フッ素モノマー、またはオキシラニル基を有する含フッ素モノマーが好ましい。含フッ素モノマーにおける重合性基の数は、1〜4個が好ましく、1または2個がより好ましく、1個が特に好ましい。
本発明における含フッ素モノマー中のフッ素含有量は、40〜70質量%であるのが好ましく、45〜65質量%であるのが特に好ましい。フッ素含有量とは、含フッ素モノマーを構成するすべての原子の総質量に対するフッ素原子の質量の割合である。
含フッ素モノマーのフッ素含有量を40質量%以上とすることで硬化物の離型性が特に優れる。また含フッ素モノマーのフッ素含有量を70質量%以下とすることで光重合開始剤との相溶性がより向上し、光硬化性組成物を均一に調整しやすい。
含フッ素モノマーの分子量は、200以上5000以下が好ましく、250以上1000以下がより好ましい。
含フッ素モノマーは1種の含フッ素モノマーを用いても2種以上の含フッ素モノマーを用いてもよい。
含フッ素モノマーは、下記(1)または(2)のモノマーが好ましい。
(1)式CF=CR−Q−CR=CHで表される化合物(ただし、RおよびRは、それぞれ独立に、水素原子、フッ素原子、炭素数1〜3のアルキル基、または炭素数1〜3のフルオロアルキル基を示し、Qは酸素原子、式−NR−(Rは水素原子、炭素数1〜6のアルキル基、アルキルカルボニル基またはトシル基を示す。)で表される基、または官能基を有していてもよい2価有機基を示す。以下同様。)。
(2)式(CH=CXCOO)で表される化合物(ただし、nは1〜4の整数を、Xは水素原子、フッ素原子、メチル基またはトリフルオロメチル基を、Rは炭素数1〜30のn価含フッ素有機基を、示す。)。
式CF=CR−Q−CR=CHで表される化合物におけるQが2価有機基である場合、メチレン、ジメチレン、トリメチレン、テトラメチレン、オキシメチレン、オキシジメチレン、オキシトリメチレン、およびジオキシメチレンからなる群から選ばれる基を主鎖とし該主鎖中の水素原子が、フッ素原子、水酸基、炭素数1〜6のアルキル基、炭素数1〜6のヒドロキシアルキル基、炭素原子−炭素原子間にエーテル性酸素原子が挿入された炭素数1〜6のアルキル基、および炭素原子−炭素原子間にエーテル性酸素原子が挿入された炭素数1〜6のヒドロキシアルキル基から選ばれる基で置換された基であり、かつ該基中の炭素原子−水素原子結合を形成する水素原子の1個以上がフッ素原子で置換された基が好ましい。なかでも、−CFC(CF)(OH)CH−、−CFC(CF)(OH)−、−CFC(CF)(OCHOCH)CH−、−CHCH(CHC(CFOH)CH−、または−CHCH(CHC(CFOH)−が特に好ましい。ただし、基の向きは左側がCF=CR−に結合することを意味する。
式CF=CR−Q−CR=CHで表される化合物の具体例としては、下記化合物が挙げられる。
CF=CFCHCH(C(CFOH)CHCH=CH
CF=CFCHCH(C(CFOH)CH=CH
CF=CFCHCH(C(CFOH)CHCHCH=CH
CF=CFCHCH(CHC(CFOH)CHCHCH=CH
CF=CFCHC(CH)(CHSOF)CHCH=CH
CF=CFCFC(CF)(OCHOCH)CHCH=CH
CF=CFCFC(CF)(OH)CH=CH
CF=CFCFC(CF)(OH)CHCH=CH
CF=CFCFC(CF)(OCHOCHCF)CHCH=CH
CF=CFCFC(CF)(OCHOCH)CHCH=CH
CF=CFOCFCF(O(CFOC)CHCH=CH
CF=CFOCFCF(OCFCFCHNH)CHCH=CH
CF=CFOCFCF(O(CFCN)CH=CH
CF=CFOCFCF(OCFCFSOF)CHCH=CH
CF=CFOCFCF(O(CFPO(OC25)CHCH=CH
CF=CFOCFCF(OCFCFSOF)CHCH=CH
式(CH=CXCOO)で表される化合物におけるnは、1または2であるのが好ましい。Xは、水素原子、またはメチル基であるのが好ましい。Rの炭素数は、4〜24であるのが特に好ましい。
nが1である場合、Rは1価含フッ素有機基である。1価含フッ素有機基は、炭素原子−炭素原子間にエーテル性酸素原子が挿入されていてもよいポリフルオロアルキル基を有する1価含フッ素有機基が好ましい。そのような1価含フッ素有機基としては、式−(CHf1F1、−SONR(CHf1F1、または−(C=O)NR(CHf1F1で表される基(ただし、f1は1〜3の整数を、RF1は炭素数4〜16の炭素原子−炭素原子間にエーテル性酸素原子が挿入されていてもよいポリフルオロアルキル基を、Rは水素原子、メチル基、またはエチル基を示す。)が特に好ましい。ポリフルオロアルキル基(RF1)としては、ペルフルオロアルキル基が好ましく、特に直鎖状ペルフルオロアルキル基が好ましい。
nが2である場合、Rは2価含フッ素有機基である。2価含フッ素有機基は、炭素原子−炭素原子間にエーテル性酸素原子が挿入されていてもよいポリフルオロアルキレン基が好ましく、式−(CHf2F2(CHf3−で表される基(ただし、f2およびf3はそれぞれ1〜3の整数を、RF2は炭素数4〜16の炭素原子−炭素原子間にエーテル性酸素原子が挿入されていてもよいポリフルオロアルキレン基を示す。)が特に好ましい。ポリフルオロアルキレン基(RF2)としては、ペルフルオロアルキレン基が好ましく、特に直鎖状ペルフルオロアルキレン基、および炭素原子−炭素原子間にエーテル性酸素原子が挿入されかつトリフルオロメチル基を側鎖に有するペルフルオロオキシアルキレン基が好ましい。
式(CH=CXCOO)で表される化合物の具体例としては、下記化合物が挙げられる。
CH=CHCOO(CH(CFF、
CH=CHCOO(CH(CFF、
CH=C(CH)COO(CH(CFF、
CH=C(CH)COO(CH(CFF、
CH=CHCOOCH(CFF、
CH=C(CH)COOCH(CFF、
CH=CHCOOCHCFCFH、
CH=CHCOOCH(CFCFH、
CH=C(CH)COOCHCFCFH、
CH=C(CH)COOCH(CFCFH、
CH=CHCOOCHCFOCFCFOCF
CH=CHCOOCHCFO(CFCFO)CF
CH=C(CH)COOCHCFOCFCFOCF
CH=C(CH)COOCHCFO(CFCFO)CF
CH=CHCOOCHCF(CF)O(CFCF(CF)O)(CFF、
CH=C(CH)COOCHCF(CF)O(CFCF(CF)O)(CFF、
CH=CHCOOCHCFO(CFCFO)CFCHOCOCH=CH
CH=C(CH)COOCHCFO(CFCFO)CFCHOCOC(CH)=CH
CH=CHCOOCH(CF4CHOCOCH=CH
CH=C(CH)COOCH(CF4CHOCOC(CH)=CH
本発明の光硬化性組成物は、含フッ素界面活性剤および/または含フッ素ポリマーを0.1超〜20質量%含む。好ましくは0.5〜10質量%、特に好ましくは1〜5質量%含む。この場合、光硬化性組成物を調製しやすく、さらに該光硬化性組成物は相分離することなく硬化物を形成しやすい。
光硬化性組成物は、含フッ素界面活性剤および含フッ素ポリマーを含んでいてもよく、含フッ素界面活性剤のみを含んでいてもよく、含フッ素ポリマーのみを含んでいてもよい。なお、光硬化性組成物が含フッ素界面活性剤および含フッ素ポリマーを含む場合は、上記含有量は、含フッ素界面活性剤および含フッ素ポリマーの総量を意味する。
含フッ素界面活性剤としては、1種の含フッ素界面活性剤を用いてもよく、2種以上の含フッ素界面活性剤を用いてもよい。また、含フッ素ポリマーとしては、1種の含フッ素ポリマーを用いてもよく、2種以上の含フッ素ポリマーを用いてもよい。
光硬化性組成物が含フッ素界面活性剤を含む場合、光硬化性組成物および該光硬化性組成物の硬化物は、特に離型性が優れモールドから円滑に剥離できる。光硬化性組成物は含フッ素界面活性剤を、0.1超〜5質量%含むのが好ましく、0.5〜2.5質量%含むのが特に好ましい。
本発明における含フッ素界面活性剤は、フッ素含有量が10〜70質量%の含フッ素界面活性剤が好ましく、フッ素含有量が20〜40質量%の含フッ素界面活性剤が特に好ましい。含フッ素界面活性剤は、水溶性であっても脂溶性であってもよい。
含フッ素界面活性剤は、アニオン性含フッ素界面活性剤、カチオン性含フッ素界面活性剤、両性含フッ素界面活性剤、またはノニオン性含フッ素界面活性剤が好ましい。分散性が良好である観点から、ノニオン性含フッ素界面活性剤が特に好ましい。
アニオン性含フッ素界面活性剤は、ポリフルオロアルキルカルボン酸塩、ポリフルオロアルキル燐酸エステル、またはポリフルオロアルキルスルホン酸塩が好ましい。これらの界面活性剤の具体例としては、サーフロンS−111(商品名、セイミケミカル社製)、フロラードFC−143(商品名、スリーエム社製)、メガファックF−120(商品名、大日本インキ化学工業社製)等が挙げられる。
カチオン性含フッ素界面活性剤は、ポリフルオロアルキルカルボン酸のトリメチルアンモニウム塩またはポリフルオロアルキルスルホン酸アミドのトリメチルアンモニウム塩が好ましい。これらの界面活性剤の具体例としては、サーフロンS−121(商品名、セイミケミカル社製)、フロラードFC−134(商品名、スリーエム社製)、メガファックF−450(商品名、大日本インキ化学工業社製)等が挙げられる。
両性含フッ素界面活性剤は、ポリフルオロアルキルベタインが好ましい。これらの界面活性剤の具体例としては、サーフロンS−132(商品名、セイミケミカル社製)、フロラードFX−172(商品名、スリーエム社製)等が挙げられる。
ノニオン性含フッ素界面活性剤は、ポリフルオロアルキルアミンオキサイド、またはポリフルオロアルキル・アルキレンオキサイド付加物、またはフルオロアルキル基を有するモノマーに基づくモノマー単位を含むオリゴマーもしくはポリマー等が挙げられる。フルオロアルキル基としては前記ポリフルオロアルキル基(RF1)が好ましい。ノニオン性含フッ素界面活性剤は、フルオロアルキル基を有するモノマーに基づくモノマー単位を含むオリゴマーもしくはポリマー(質量平均分子量は1000〜8000)が好ましい。フルオロアルキル基を有するモノマーは、フルオロ(メタ)アクリレートが好ましく、フルオロアルキル(メタ)アクリレートが特に好ましい。フルオロアルキル(メタ)アクリレートとしては前記式(CH=CXCOO)で表される化合物におけるnが1、Xが水素原子またはメチル基である化合物が好ましい。
これらのノニオン性含フッ素界面活性剤の具体例としては、サーフロンS−145(商品名、セイミケミカル社製)、サーフロンS−393(商品名、セイミケミカル社製)、サーフロンKH−20(商品名、セイミケミカル社製)、サーフロンKH−40(商品名、セイミケミカル社製)、フロラードFC−170(商品名、スリーエム社製)、フロラードFC−430(商品名、スリーエム社製)、メガファックF−444(商品名、大日本インキ化学工業社製)、メガファックF−479(商品名、大日本インキ化学工業社製)等が挙げられる。
光硬化性組成物が含フッ素ポリマーを含む場合、光硬化性組成物および該光硬化性組成物の硬化物は、離型性に優れモールドから円滑に剥離できる。また、光硬化性組成物の重合において、含フッ素ポリマーの存在下にモノマーの重合が行われるため、体積収縮率の小さい硬化物が得られる。そのため、該硬化物の表面に形成される前記反転パターン形状はモールドのパターン形状に対して高精度である。なお、本明細書にいう「含フッ素ポリマー」は、ノニオン性含フッ素界面活性剤として挙げたフルオロアルキル基を有するモノマーに基づくモノマー単位を含むオリゴマーもしくはポリマー以外のものを意味するものとする。
光硬化性組成物は含フッ素ポリマーを、0.1超〜10質量%含むのが好ましく、0.5〜7.5質量%含むのがより好ましく、1〜5質量%含むのが特に好ましい。
含フッ素ポリマーの重量平均分子量は、他の成分との相溶性の観点から、500〜100000が好ましく、1000〜100000がより好ましく、3000〜50000が特に好ましい。
含フッ素ポリマーは、離型性に優れる観点から、フッ素含有量が30〜70質量%の含フッ素ポリマーが好ましく、フッ素含有量が45〜70質量%の含フッ素ポリマーが特に好ましい。
また含フッ素ポリマーは、相溶性の観点から、ヘテロ原子を含有する含フッ素ポリマーが好ましく、窒素原子、酸素原子、硫黄原子、またはリン原子を含有する含フッ素ポリマーがより好ましく、水酸基、エーテル性酸素原子、エステル基、アルコキシカルボニル基、スルホニル基、燐酸エステル基、アミノ基、ニトロ基、またはケトン基を含有する含フッ素ポリマーが特に好ましい。
本発明における含フッ素ポリマーは、式CF=CR−Q−CR=CHで表される化合物を重合させて得た含フッ素ポリマー、CF=CFとCH=CHOCOCHを共重合させて得た含フッ素ポリマーが挙げられる。式CF=CR−Q−CR=CHで表される化合物の具体例としては前記化合物が挙げられる。
含フッ素ポリマーとしては、式CF=CR−Q−CR=CHで表される化合物を重合させて得た含フッ素ポリマーが好ましく、Rはフッ素原子、Rは水素原子、Qは、−CFC(CF)(OH)CH−、−CFC(CF)(OH)−、−CFC(CF)(OCHOCH)CH−、−CHCH(CHC(CFOH)CH−、または−CHCH(CHC(CFOH)−から選ばれる基が特に好ましい。
また本発明の光硬化性組成物における、含フッ素界面活性剤および含フッ素ポリマーの総量に対する含フッ素モノマーの量は、1〜100倍質量が好ましく、1〜20倍質量がより好ましく、1〜10倍質量が特に好ましい。
本発明の光硬化性組成物は光重合開始剤を、1〜10質量%含み、好ましくは2〜9質量%含み、特に好ましくは3〜8質量%含む。該量にすることによって、光硬化性組成物におけるモノマーを容易に重合して硬化物を形成できるため、加熱等の操作を行う必要はない。また光重合開始剤の残渣が硬化物の物性を阻害しにくい。光重合開始剤とは光によりラジカル反応またはイオン反応を引き起こす化合物をいう。光重合開始剤としては、下記の光重合開始剤が挙げられる。
アセトフェノン系光重合開始剤としては、アセトフェノン、p−(tert−ブチル)−1’,1’,1’−トリクロロアセトフェノン、クロロアセトフェノン、2’,2’−ジエトキシアセトフェノン、ヒドロキシアセトフェノン、2,2−ジメトキシ−2’−フェニルアセトフェノン、2−アミノアセトフェノン、ジアルキルアミノアセトフェノン等が挙げられる。
ベンゾイン系光重合開始剤としては、ベンジル、ベンゾイン、ベンゾインメチルエーテル、ベンゾインエチルエーテル、ベンゾインイソプロピルエーテル、ベンゾインイソブチルエーテル、1−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン、2−ヒドロキシ−2−メチル−1−フェニル−2−メチルプロパン−1−オン、1−(4−イソプロピルフェニル)−2−ヒドロキシ−2−メチルプロパン−1−オン、ベンジルジメチルケタール等が挙げられる。
ベンゾフェノン系光重合開始剤としては、ベンゾフェノン、ベンゾイル安息香酸、ベンゾイル安息香酸メチル、メチル−o−ベンゾイルベンゾエート、4−フェニルベンゾフェノン、ヒドロキシベンゾフェノン、ヒドロキシプロピルベンゾフェノン、アクリルベンゾフェノン、4,4’−ビス(ジメチルアミノ)ベンゾフェノン等が挙げられる。
チオキサントン系光重合開始剤としては、チオキサントン、2−クロロチオキサントン、2−メチルチオキサントン、ジエチルチオキサントン、ジメチルチオキサントン等が挙げられる。
フッ素原子を含有する光重合開始剤としては、ペルフルオロ(tert−ブチルペルオキシド)、ペルフルオロベンゾイルペルオキシド等が挙げられる。
その他の光重合開始剤としては、α−アシルオキシムエステル、ベンジル−(o−エトキシカルボニル)−α−モノオキシム、アシルホスフィンオキサイド、グリオキシエステル、3−ケトクマリン、2−エチルアンスラキノン、カンファーキノン、テトラメチルチウラムスルフィド、アゾビスイソブチロニトリル、ベンゾイルペルオキシド、ジアルキルペルオキシド、tert−ブチルペルオキシピバレート等が挙げられる。
本発明の光硬化性組成物は、実質的に溶剤を含まない。本発明の光硬化性組成物は、特定のフッ素原子を含まないモノマー、含フッ素界面活性剤、および含フッ素ポリマーに対して相溶性の高い含フッ素モノマーを含むため、溶媒を含むことなく均一な組成物を形成できる。溶剤を含まないため、その使用に際しては他工程(溶剤の留去工程等。)を行うことなく、硬化できる。また、硬化における光硬化性組成物の体積収縮が小さい効果がある。実質的に溶剤を含まないとは、溶剤を含まないか、光硬化性組成物の調製において用いられた溶剤が極力除去されていることをいう。
本発明の光硬化性組成物は、主成分モノマー、含フッ素モノマー、含フッ素界面活性剤、含フッ素ポリマー、および光重合開始剤以外の成分(以下、他の成分という。)を含んでいてもよい。他の成分としては、光増感剤、無機材料、炭素材料、導電性高分子、フタロシアニン等の色素材料、ポルフィリン等の有機金属錯体、有機磁性体、有機半導体、液晶材料等が挙げられる。
光増感剤の具体例としては、n−ブチルアミン、ジ−n−ブチルアミン、トリ−n−ブチルホスフィン、アリルチオ尿素、s−ベンジルイソチウロニウム−p−トルエンスルフィネート、トリエチルアミン、ジエチルアミノエチルメタクリレート、トリエチレンテトラミン、4,4’−ビス(ジアルキルアミノ)ベンゾフェノン等が挙げられる。
無機材料の具体例としては、ケイ素化合物(ケイ素単体、炭化ケイ素、二酸化ケイ素、窒化ケイ素、シリコンゲルマニウム、鉄シリサイド等。)、金属(白金、金、ロジウム、ニッケル、銀、チタン、ランタノイド系元素、銅、鉄、亜鉛等。)、金属酸化物(酸化チタン、アルミナ、酸化亜鉛、ITO、酸化鉄、酸化銅、酸化ビスマス、酸化マンガン、酸化ホフニウム、酸化イットリウム、酸化スズ、酸化コバルト、酸化セリウム、酸化銀等。)、無機化合物塩(チタン酸バリウム等の強誘電体材料、チタン酸ジルコン酸鉛等の圧電材料、リチウム塩等の電池材料等。)、金属合金(フェライト系磁石、ネオジウム系磁石等の磁性体、ビスマス/テルル合金、ガリウム/砒素合金等の半導体、窒化ガリウム等の蛍光材料等。)等が挙げられる。
炭素材料の具体例としては、フラーレン、カーボンナノチューブ、カーボンナノホーン、グラファイト、ダイヤモンドまたは活性炭等が挙げられる。
本発明の光硬化性組成物は、光が照射されることにより硬化反応がおこる組成物である。該光硬化性組成物を硬化させて得た硬化物は微細パターン形成体であるのが好ましい。本発明の光硬化性組成物は、微細パターンを表面に有するモールドを該光硬化性組成物に押圧して該微細パターンを転写した後に光照射により硬化物にして該微細パターンの反転パターンを表面に有する微細パターン形成体を提供する光硬化性組成物として用いられるのが好ましい。本発明の光硬化性組成物は、モールドの微細パターン面と基板表面との間に挟持して押圧したまま硬化させてもよく、モールドの微細パターン面と基板表面との間に挟持して押圧した後にモールドを剥離させてから硬化させてもよい。
微細パターン形成体は光硬化性組成物の硬化物(以下、単に硬化物ともいう)からなり、成形された硬化物表面に存在するか、または、成形された硬化物(下記突起体)が結合した基板表面上に存在する。前者の成形された硬化物は基板と積層されていてもよい(ただし、微細パターンは積層面以外の硬化物表面に存在する)。本発明における「基板と一体の微細パターン形成体」とは、上記成形された硬化物が結合した基板と、上記成形された硬化物と基板との積層物と、の両者を意味する。
微細パターンは凹凸構造からなり、その凹凸構造は硬化物から形成されているか硬化物と基板表面とによって形成されている。硬化物から形成されている凹凸構造は成形された硬化物表面の構造であり、硬化物と基板表面から形成されている凹凸構造は基板表面に独立して多数存在する突起体(この突起体は硬化物からなる)とその突起体が存在しない基板表面とによって形成されている構造である。いずれの場合も凸構造をなす部分は硬化性組成物の硬化物からなる。さらに、微細パターンはこれら2つの構造を基板表面の異なる位置で併有する構造を有していてもよい。
微細パターンの凸構造をなす部分や突起体(以下両者を凸構造部という)は硬化物層表面や基板表面に線状や点状に存在し、その線や点の形状は特に限定されない。線状の凸構造部は直線に限られず、曲線や折れ曲がり形状であってもよい。またその線が多数平行に存在して縞状をなしていてもよい。線状の凸構造部の断面形状(線の伸びる方向に対して直角方向の断面の形状。)は特に限定されるものではなく、例えば長方形、台形、三角形、半円形等が挙げられる。点状の凸構造部の形状もまた特に限定されるものではない。例えば、底面形状が長方形、正方形、菱形、六角形、三角形、円形等である柱状や錐状の形状、半球形、多面体形などが挙げられる。
線状の凸構造部の幅(底部の幅をいう)の平均は1nm〜100μmが好ましく、10nm〜10μmが特に好ましい。点状の凸構造部の底面の長さの平均は1nm〜100μmが好ましく、10nm〜10μmが特に好ましい。ただし、この点状の凸構造部の底面の長さとは、点が線に近い形状に伸びている場合は、その伸びた方向とは直角方向の長さをいい、そうでない場合は底面形状の最大長さをいう。線状および点状の凸構造部の高さの平均は1nm〜100μmが好ましく、10nm〜10μmがより好ましく、10nm〜2μmがさらに好ましく、10nm〜500nmが特に好ましい。さらに、凹凸構造が密集している部分において、隣接する凸構造部間の距離(底部間の距離をいう。)の平均は1nm〜500μmが好ましく、10nm〜50μmがより好ましく、10nm〜5μmが特に好ましい。このように、凸構造におけるこれらの最小寸法は、500μm以下が好ましく、50μm以下がより好ましく、500nm以下がさらに好ましく、50nm以下が特に好ましい。下限は1nmが好ましい。この最小寸法とは上記凸構造部の幅、高さおよび凸構造部間の距離のうち最小のものをいう。本発明における「凸部の間隔の平均値」とは、凸構造部が密集している部分における隣接する凸構造部間の距離の平均値をいう。
本発明の光硬化性組成物を硬化させて得た硬化物は、水に対する接触角が75〜98度であるのが好ましく、80〜98度であるのがより好ましい。
本発明の光硬化性組成物の重合時の体積収縮率は20%以下であるのが好ましい。
微細パターン形成体は微細パターンを有するモールドを用いて光硬化性組成物を成形するとともに光硬化させることによって得られる。この成形とは、光硬化性組成物をモールドに接触させてモールド表面の微細パターンを光硬化性組成物の表面に転写することをいう。光硬化性組成物の光硬化は、光硬化性組成物の表面に微細パターンが転写された後、光硬化性組成物がモールドに接触した状態で行うことができ、非接触状態で行うこともできる。後者は、光硬化性組成物の表面に微細パターンが転写された後モールドを光硬化性組成物の表面から剥離し、その後光硬化性組成物表面の微細パターンが維持されている状態で光硬化を行う。モールドに接触した状態で光硬化を行う方法を以下微細パターン形成体の製造方法1といい、モールドを剥離した後に光硬化を行う方法を以下微細パターン形成体の製造方法2という。
[微細パターン形成体の製造方法1]
微細パターン形成体の製造方法1は、光硬化性組成物を、表面に微細パターンを有するモールドの該微細パターンを有する表面に接触させ、次いでモールド表面に接触させた状態で前記光硬化性組成物を光硬化させ、その後光硬化性組成物の硬化物をモールドから剥離する、微細パターン形成体の製造方法である。より具体的には、下記の製造法が好ましい。
すなわち、本発明の光硬化性組成物、基板、および表面に微細パターンを有するモールドを用い、下記工程A、下記工程B、下記工程C、および任意に下記工程Dを順に行うことにより、表面に微細パターンを有する微細パターン形成体、または基板と一体の該微細パターン形成体を得る微細パターン形成体の製造方法である。
工程A:基板の表面とモールドのパターン面との間に光硬化性組成物を挟持して押圧する工程。
工程B:光硬化性組成物を光照射により硬化させて、モールドの微細パターンが転写された表面を有する硬化物からなる微細パターン形成体を得る工程。
工程C:モールドおよび基板の少なくとも一方を硬化物から剥離して、微細パターン形成体、基板と一体の微細パターン形成体、またはモールドと一体の微細パターン形成体を得る工程。
工程D:上記工程Cにおいてモールドと一体の微細パターン形成体を得た場合はモールドと微細パターン形成体を剥離する工程。
製造方法1における基板は、平面状の基板であっても曲面状の基板であってもよい。基板としては、シリコンウェハ、ガラス、石英ガラス、金属等の無機材料製基板;フッ素樹脂、シリコーン樹脂、アクリル樹脂、ポリカーボネート樹脂等の有機材料製基板が挙げられる。表面処理(シランカップリング処理、シラザン処理等。)により光硬化性組成物との密着性を向上させた基板を用いてもよい。
モールドは表面に微細パターンを有する。モールドの微細パターンは、上記微細パターン形成体の微細パターンにおける凹凸構造が逆になった(すなわち、凹が凸に、凸が凹になった)パターンである。モールドにおける微細パターンの形状は、上記微細パターン形成体の微細パターンに対応する凹凸構造を有する。すなわち、上記微細パターン形成体の微細パターンの凸構造部の形状は、モールドにおける凹構造部の形状となる。モールドの微細パターンの凹構造部の形状や寸法は、上記微細パターン形成体の微細パターンの形状や寸法に対応する。ただし、モールドの微細パターンの凹構造部の深さ(上記微細パターン形成体の微細パターンの凸構造部の高さに対応する。)は上記微細パターン形成体の微細パターンの凸構造部の高さとは異なる場合があり得る。その場合も含め、モールドの微細パターンの凹構造における最小寸法は、500μm以下が好ましく、50μm以下がより好ましく、500nm以下がさらに好ましく、50nm以下が特に好ましい。また、下限は1nmが好ましい。本発明の光硬化性組成物はモールドにおけるこのような微細なパターンであっても微細なパターンが高精度で転写された硬化物を形成できる。
製造方法1におけるモールドとしては、シリコンウェハ、SiC、マイカ等の非透光材料製モールド;ガラス、ポリジメチルシロキサン、透明フッ素樹脂等の透光材料製モールドが挙げられる。製造方法1においては、透光材料製基板または透光材料製モールドが用いられる。
工程Aの具体的な態様としては、下記工程A1、下記工程A2、および下記工程A3が挙げられる。
工程A1:光硬化性組成物を基板表面に配置し、次いで該光硬化性組成物がモールドのパターン面に接するように、該基板と前記モールドとを挟持して押圧する工程。
工程A2:光硬化性組成物をモールドのパターン面に配置し、次いで基板表面が該光硬化性組成物に接するように、前記基板と該モールドとを挟持して押圧する工程。
工程A3:基板とモールドを組み合わせて、基板表面とモールドのパターン面との間に空隙を形成し、次いで該空隙に光硬化性組成物を充填して、モールドのパターン面と基板の間に硬化性組成物を挟持して押圧する工程。
工程A1において光硬化性組成物の配置は、ポッティング法、スピンコート法、ロールコート法、キャスト法、ディップコート法、ダイコート法、ラングミュアープロジェット法、真空蒸着法等の方法を用い、光硬化性組成物を基板表面に被覆して行うのが好ましい。光硬化性組成物は、基板全面に被覆させても基板一部のみに被覆させてもよい。基板とモールドを押圧する際のプレス圧力(ゲージ圧)は、0超〜10MPaが好ましく、0.1〜5MPaがより好ましい。
工程A2において光硬化性組成物の配置は、ポッティング法、スピンコート法、ロールコート法、キャスト法、ディップコート法、ダイコート法、ラングミュアープロジェット法、真空蒸着法等の方法を用い、光硬化性組成物をモールドのパターン面に被覆して行うのが好ましい。光硬化性組成物は、パターン面全面に被覆させてもパターン面一部のみに被覆させてもよい。基板とモールドを押し合わせる際のプレス圧力(ゲージ圧)は、0超〜10MPaが好ましく、0.1〜5MPaがより好ましい。
工程A3において、空隙に光硬化性組成物を充填する方法としては、毛細管現象により空隙に光硬化性組成物を吸引する方法が挙げられる。
工程Bにおける光照射によるモノマーの重合は、透光材料製モールドを用いた場合には該モールド側から光照射する方法、透光材料製基板を用いた場合には該基板側から光照射する方法によって行うのが好ましい。光は波長が200〜400nmの光が好ましい。
本発明の光硬化性組成物は低粘性かつ硬化性が高いため、工程Aまたは工程Bを低温(0〜60℃が好ましい。)で行うのが好ましい。また該光硬化性組成物の硬化物は離型性が高くモールドから円滑に剥離できるため、工程C、または工程Dを低温(0〜60℃が好ましい。)で行うのが好ましい。したがって、本発明の製造方法1は全工程を低温(0〜60℃が好ましい。)で行うことが可能であり有利である。
[微細パターン形成体の製造方法2]
微細パターン形成体の製造方法2は、光硬化性組成物を、表面に微細パターンを有するモールドの該微細パターンを有する表面に接触させ、次いでモールドを剥離してモールドの微細パターンが転写された表面を有する光硬化性組成物の成形体を製造し、その後前記光硬化性組成物の成形体を光硬化させる方法である。より具体的には、下記の製造法が好ましい。
すなわち、本発明の光硬化性組成物、基板、および表面に微細パターンを有するモールドを用い、下記工程E、下記工程F、下記工程G、および任意に下記工程Hを順に行うことにより、表面に微細パターンを有する微細パターン形成体、または基板と一体の該微細パターン形成体を得る微細パターン形成体の製造方法である。
工程E:基板の表面とモールドのパターン面との間に光硬化性組成物を押圧させる工程。
工程F:モールドを光硬化性組成物から剥離して、基板と一体の、該モールドの微細パターンが転写された表面を有する該光硬化性組成物の成形体を得る工程。
工程G:光硬化性組成物の成形体を光照射により硬化させて、基板と一体の、モールドの微細パターンが転写された表面を有する硬化物からなる微細パターン形成体を得る工程。
工程H:基板と微細パターン形成体を剥離する工程。
製造方法2におけるモールドおよび基板は、製造方法1におけるモールドおよび基板と同じものを用いることができる。また、製造方法2におけるモールドの形状は、ローラー型であってもよい。
本発明の光硬化性組成物は低粘性で硬化性が高いため、工程Eまたは工程Fを低温(0〜60℃が好ましい。)で行うのが好ましい。また該光硬化性組成物の硬化物は離型性が高くモールドから円滑に剥離できるため、工程G、または工程Hを低温(0〜60℃が好ましい。)で行うのが好ましい。したがって本発明の製造方法2は全工程を低温(0〜60℃が好ましい。)で行うことが可能であり有利である。
本発明の製造方法により得た微細パターン形成体は、本発明の光硬化性組成物の硬化物からなる微細突起体が微細パターンを形成して基板表面に配置された微細パターン形成体であることが好ましい。該微細パターン形成体は、耐熱性、耐薬品性、離型性、光学特性(透明性や低屈折率性)等の物性に優れる。
本発明の製造方法により得た微細パターン形成体は、表面にモールドの微細パターンが高精度に転写されている。該微細パターン形成体は、マイクロレンズアレイ、光導波路素子、光スイッチング素子、フレネルゾーンプレート素子、バイナリー光学素子、ブレーズ光学素子、フォトニクス結晶等の光学素子、反射防止部材、バイオチップ部材、マイクロリアクターチップ部材、触媒担持部材、記録メディア、ディスプレイ材料、フィルター、センサー部材等として有用である。
以下、本発明を実施例、比較例により詳細に説明するが、本発明はこれらに限定されない。
高圧水銀灯は、1.5〜2.0kHzにおいて255、315、および365nmに主波長を有する高圧水銀灯を用いた。
主成分モノマーとして下記化合物n1(粘度18mPa・s)、または下記化合物n2(粘度17mPa・s)を、含フッ素モノマーとして下記化合物f1(粘度4.2mPa・s)を、用いた。
Figure 0005286784
重合開始剤は、光重合開始剤(チバカイギー・スペシャリティー社製、商品名:イルカギュア651)を用いた。
含フッ素界面活性剤は、ノニオン性含フッ素界面活性剤である、フルオロアクリレート(CH=CHCOO(CH(CFF)のコオリゴマー(フッ素含有量約30質量%、重量平均分子量約3000。)を用いた。
含フッ素ポリマーは、CF=CFCFC(CF)(OH)CHCH=CHを単独重合させて得た下式(1)で表されるモノマー単位を含む含フッ素ポリマー(フッ素含有量56.3質量%、重量平均分子量が4800。)を用いた。
Figure 0005286784
体積収縮率とは、25℃にて、試験管(ガラス製)に光硬化性組成物をLの高さまで封入してから、高圧水銀灯(1.5〜2.0kHzにおいて255、315、および365nmに主波長を有する光源。)を15秒間、照射して形成する硬化物の高さをLとした場合の、[(L−L)/L]のパーセンテージとして求めた値を意味する。接触角は、水に対する接触角を示す。
光硬化性組成物の硬化物の離型性について以下のように評価した。スライドガラスの中央部に光硬化性組成物を滴下して、別の一枚のスライドガラスを重ね合わせた。高圧水銀灯を15秒間照射して組成物を硬化させた後にスライドガラスを引き剥がして離型性を確認した。手で剥れる場合を◎、フラッドヘッドスクリュードライバーを用いて剥れる場合を○、フラッドヘッドスクリュードライバーを用いても剥れない場合を×、と評価した。
[例1]ローラー型モールドの製造例
シリコンウェハ上に、大きさが縦・横2cmの透明フッ素樹脂製(旭硝子社製、商品名:サイトップ)のシート(膜厚100μm)を積層した。シリコンウェハを160℃に加熱し、シリコンウェハの該シート側と、複数の凹構造(幅60nm、深さ100nm、長さ5mm、凹部の間隔の平均値75nm)を有するシリコン製モールドの該凹構造側とを接触させ、そのまま10MPa(ゲージ圧)でプレスした。
シリコンウェハを25℃まで冷却してからモールドとシリコンウェハとを剥離して、該凹構造が反転した複数の凸構造(幅60nm、高さ100nm、長さ5mm、凸部の間隔の平均値75nm)が表面に形成された透明フッ素樹脂製のシートが積層されたシリコンウェハを得た。つぎに直径1.6cmの円柱状のガラス棒に該シートを巻き取り、その巻き取り端を粘着テープで止めて、複数の凸構造(幅60nm、高さ100nm、長さ5mm、凸部の間隔の平均値75nm)を表面に有するローラー型モールドを得た。
[例2]光硬化性組成物の調製例
[例2−1]組成物1の調製例
バイヤル容器(内容積6mL)に、化合物n1の1.16g、化合物n2の0.83g、化合物f1の1.08g、および含フッ素ポリマーの0.08gを加え、つぎに光重合開始剤の0.11gを加えて混合して、粘度が22mPa・sの光硬化性組成物(組成物1という。)を得た。組成物1の体積収縮率は4%であり、組成物1の硬化物の接触角は75度であった。
[例2−2]組成物2の調製例
バイヤル容器(内容積6mL)に、化合物n1の1.16g、化合物n2の0.83g、化合物f1の1.08g、含フッ素ポリマーの0.08g、および含フッ素界面活性剤の0.03gを加え、つぎに光重合開始剤の0.11gを加えて混合して、粘度が24mPa・sの光硬化性組成物(組成物2という。)を得た。組成物2の体積収縮率は5%であり、組成物2の硬化物の接触角は82度であった。
[例2−3]組成物3の調製例
バイヤル容器(内容積6mL)に、化合物n1の0.30g、化合物n2の0.40g、化合物f1の0.25g、および含フッ素界面活性剤の0.01gを加え、つぎに光重合開始剤の0.04gを加えて混合して、粘度が12mPa・sの光硬化性組成物(組成物3という。)を調製した。組成物3の体積収縮率は9%であり、組成物3の硬化物の接触角は95度であった。
[例2−4]組成物4の調製例
バイヤル容器(内容積6mL)に、化合物n1の0.35g、化合物n2の0.38g、化合物f1の0.22g、および含フッ素界面活性剤の0.01gを加え、つぎに光重合開始剤の0.04gを加えて混合して、粘度が12mPa・sの光硬化性組成物(組成物4という。)を調製した。組成物4の体積収縮率は10%であり、組成物4の硬化物の接触角は94度であった。
[例2−5]組成物5の調製例
バイヤル容器(内容積6mL)に、化合物n1の0.35g、化合物n2の0.26g、化合物f1の0.30g、含フッ素ポリマーの0.04g、および含フッ素界面活性剤の0.01gを加え、つぎに光重合開始剤の0.04gを加えて混合して、粘度が19mPa・sの光硬化性組成物(組成物5という。)を調製した。組成物5の体積収縮率は5%であり、組成物5の硬化物の接触角は96度であった。
[例2−6]組成物6の調製例
バイヤル容器(内容積6mL)に、化合物n1の0.30g、化合物n2の0.40g、化合物f1の0.25gを加え、つぎに光重合開始剤の0.04gを加えて混合して、粘度が10mPa・sの光硬化性組成物(組成物6という。)を得た。組成物6の体積収縮率は11%であり、組成物6の硬化物の接触角は73度であった。
[例2−7]組成物7の調製例
バイヤル容器(内容積6mL)に、化合物n1の0.36g、化合物n2の0.59g、および含フッ素界面活性剤の0.01gを加え、つぎに光重合開始剤の0.04gを加えて混合した。泡立ちが激しく、微小なゲルが生成しろ過性が著しく低下し、均一な組成物を得ることができなかった。
[例2−8]組成物8の調製例
バイヤル容器(内容積6mL)に、化合物n1の0.17g、化合物n2の0.28g、化合物f1の0.50g、および含フッ素界面活性剤の0.01gを加え、つぎに光重合開始剤の0.04gを加えて混合した。光重合開始剤が完全に溶解せず、均一な組成物を得ることができなかった。
[例2−9]組成物9の調製例
バイヤル容器(内容積6mL)に、化合物n1の0.30g、下記化合物n3(粘度130mPa・s)の0.40g、化合物f1の0.25g、および含フッ素界面活性剤の0.01gを加え、つぎに光重合開始剤の0.04gを加えて混合した。全体的に白濁し、均一な組成物を得ることができなかった。
化合物n3:RCH[C(CH)(R)CHCH(Rは−NHCOCHCHCC(CH)=CHを示し、Rは水素原子またはメチル基を示す。)で表されるジウレタンジメタクリレート(アルドリッチ社製)。
組成物1〜9について、モノマー(化合物n1、化合物n2、および化合物f1)、含フッ素界面活性剤、含フッ素ポリマー、および光重合開始剤、のそれぞれの含有量(質量%)を表1に示す。また組成物1〜9について、体積収縮率、接触角および離型性の評価結果を表1に示す。
Figure 0005286784
[例3]微細パターン形成体の製造例
[例3−1]微細パターン形成体の製造例(その1)
25℃にて、組成物1の1滴をシリコンウェハ上に垂らして、組成物1が均一に塗布されたシリコンウェハを得た。複数の凹構造(幅800nm、深さ180nm、長さ10μm、凹部の間隔の平均値800nm)を表面に有する石英製モールドを、シリコンウェハ上の組成物1側に押し付けて、そのまま0.5MPa(ゲージ圧)でプレスした。
つぎに25℃にて、モールド側から高圧水銀灯を15秒間、照射して組成物1の硬化物を得た。25℃にて、モールドをシリコンウェハから剥離して、モールドの凹構造が反転した凸構造を表面に有する組成物1の硬化物がシリコンウェハ上に形成された微細パターン形成体を得た。
[例3−2]微細パターン形成体の製造例(その2)
例3−1における組成物1のかわりに組成物2を用いる以外は同様の方法を用いて、シリコンウェハ上に形成された、モールドの凹構造が反転した凸構造を表面に有する組成物2の硬化物からなる微細パターン形成体を得た。
[例3−3]微細パターン形成体の製造例(その3)
例1で得たローラー型モールドに組成物3を染込ませた綿布を押し当てて、組成物3をローラー型モールド上に塗布した。つぎに、該モールドをシリコンウェハ上に押し付けながら回転させて、モールド上に塗布された組成物3をシリコンウェハ上に転写した。その直後に、シリコンウェハ上面から高圧水銀灯を15秒間、照射し組成物3を硬化させた。シリコンウェハ上に形成された組成物3の硬化物を分析した結果、該硬化物の表面には、例1で用いたモールドの凹構造に相当する微細パターンが形成されていた。
本発明によりマイクロレンズアレイ、光導波路素子、光スイッチング素子、フレネルゾーンプレート、バイナリー光学素子、ブレーズ光学素子、フォトニクス結晶等の光学素子、反射防止部材、バイオチップ部材、マイクロリアクターチップ部材、触媒担持体等として有用な微細パターンを有する硬化物層を有する微細パターン形成体を効率よく製造できる。

なお、2005年4月21日に出願された日本特許出願2005−123583号、および2005年6月27日に出願された日本特許出願2005−186742号の明細書、特許請求の範囲、及び要約書の全内容をここに引用し、本発明の明細書の開示として、取り入れるものである。

Claims (11)

  1. 25℃における粘度が0.1〜100mPa・sのフッ素原子を含まないモノマーを50〜98質量%、下記(1)または(2)の含フッ素モノマーを0.1〜45質量%、含フッ素界面活性剤および/または含フッ素ポリマーを0.1超〜20質量%、ならびに光重合開始剤を1〜10質量%含み、かつ実質的に溶剤を含まないことを特徴とする光硬化性組成物。
    (1)式CF =CR −Q−CR =CH で表される化合物(ただし、R およびR は、それぞれ独立に、水素原子、フッ素原子、炭素数1〜3のアルキル基、または炭素数1〜3のフルオロアルキル基を示し、Qは酸素原子、式−NR −(R は水素原子、炭素数1〜6のアルキル基、アルキルカルボニル基またはトシル基を示す。)で表される基、または官能基を有していてもよい2価有機基を示す。)。
    (2)式(CH =CXCOO) で表される化合物(ただし、nは1〜4の整数を、Xは水素原子、フッ素原子、メチル基またはトリフルオロメチル基を、R は炭素数1〜30のn価含フッ素有機基を、示す。)。
  2. 前記光硬化性組成物において、含フッ素界面活性剤および含フッ素ポリマーの総量に対する含フッ素モノマーの量が1〜100倍質量である請求項1に記載の光硬化性組成物。
  3. 前記含フッ素モノマー中のフッ素含有量が、40〜70質量%である請求項1または2に記載の光硬化性組成物。
  4. 前記光硬化性組成物が、25℃における粘度が0.1〜200mPa・sである請求項1〜3のいずれかに記載の光硬化性組成物。
  5. 請求項1〜のいずれかに記載の光硬化性組成物を、表面に微細パターンを有するモールドの該微細パターンを有する表面に接触させ、次いでモールド表面に接触させた状態で前記光硬化性組成物を光硬化させ、その後光硬化性組成物の硬化物をモールドから剥離することを特徴とする微細パターン形成体の製造方法。
  6. 請求項1〜のいずれかに記載の光硬化性組成物、基板、および表面に微細パターンを有するモールドを用い、下記工程A、下記工程B、下記工程C、および任意に下記工程Dを順に行うことにより、表面に微細パターンを有する微細パターン形成体、または基板と一体の該微細パターン形成体を得ることを特徴とする微細パターン形成体の製造方法。
    工程A:基板の表面とモールドのパターン面との間に光硬化性組成物を挟持して押圧する工程。
    工程B:光硬化性組成物を光照射により硬化させて、モールドの微細パターンが転写された表面を有する硬化物からなる微細パターン形成体を得る工程。
    工程C:モールドおよび基板の少なくとも一方を硬化物から剥離して、微細パターン形成体、基板と一体の微細パターン形成体、またはモールドと一体の微細パターン形成体を得る工程。
    工程D:上記工程Cにおいてモールドと一体の微細パターン形成体を得た場合はモールドと微細パターン形成体を剥離する工程。
  7. 前記モールドの微細パターンが、凸部と凹部を有する微細パターンであり該凸部の間隔の平均値が1nm〜500μmである請求項またはに記載の微細パターン形成体の製造方法。
  8. 請求項1〜3のいずれかに記載の光硬化性組成物を、表面に微細パターンを有するモールドの該微細パターンを有する表面に接触させ、次いでモールドを剥離してモールドの微細パターンが転写された表面を有する光硬化性組成物の成形体を製造し、その後前記光硬化性組成物の成形体を光硬化させることを特徴とする微細パターン形成体の製造方法。
  9. 請求項1〜3のいずれかに記載の光硬化性組成物、基板、および表面に微細パターンを有するモールドを用い、下記工程E、下記工程F、下記工程G、および任意に下記工程Hを順に行うことにより、表面に微細パターンを有する微細パターン形成体、または基板と一体の該微細パターン形成体を得ることを特徴とする微細パターン形成体の製造方法。
    工程E:基板の表面とモールドのパターン面との間に光硬化性組成物を押圧させる工程。
    工程F:モールドを光硬化性組成物から剥離して、基板と一体の、該モールドの微細パターンが転写された表面を有する該光硬化性組成物の成形体を得る工程。
    工程G:光硬化性組成物の成形体を光照射により硬化させて、基板と一体の、モールドの微細パターンが転写された表面を有する硬化物からなる微細パターン形成体を得る工程。
    工程H:基板と微細パターン形成体を剥離する工程。
  10. 前記モールドの微細パターンが、凸部と凹部を有する微細パターンであり該凸部の間隔の平均値が1nm〜500μmである請求項に記載の微細パターン形成体の製造方法。
  11. 請求項1〜のいずれかに記載の光硬化性組成物を硬化させて得られる硬化物からなる、凸部と凹部からなる微細パターンを有する微細パターン形成体であって、該凸部の間隔の平均値が1nm〜500μmであることを特徴とする微細パターン形成体。
JP2007514498A 2005-04-21 2006-03-22 光硬化性組成物、微細パターン形成体およびその製造方法 Active JP5286784B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2007514498A JP5286784B2 (ja) 2005-04-21 2006-03-22 光硬化性組成物、微細パターン形成体およびその製造方法

Applications Claiming Priority (6)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2005123583 2005-04-21
JP2005123583 2005-04-21
JP2005186742 2005-06-27
JP2005186742 2005-06-27
JP2007514498A JP5286784B2 (ja) 2005-04-21 2006-03-22 光硬化性組成物、微細パターン形成体およびその製造方法
PCT/JP2006/305739 WO2006114958A1 (ja) 2005-04-21 2006-03-22 光硬化性組成物、微細パターン形成体およびその製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPWO2006114958A1 JPWO2006114958A1 (ja) 2008-12-18
JP5286784B2 true JP5286784B2 (ja) 2013-09-11

Family

ID=37214589

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2007514498A Active JP5286784B2 (ja) 2005-04-21 2006-03-22 光硬化性組成物、微細パターン形成体およびその製造方法

Country Status (7)

Country Link
US (1) US8540925B2 (ja)
EP (1) EP1873174B1 (ja)
JP (1) JP5286784B2 (ja)
KR (1) KR101319775B1 (ja)
CN (1) CN101160331B (ja)
DE (1) DE602006015628D1 (ja)
WO (1) WO2006114958A1 (ja)

Families Citing this family (53)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4742665B2 (ja) * 2005-04-28 2011-08-10 旭硝子株式会社 エッチング処理された処理基板の製造方法
JP4736522B2 (ja) * 2005-04-28 2011-07-27 旭硝子株式会社 エッチング処理された処理基板の製造方法
JP4929722B2 (ja) * 2006-01-12 2012-05-09 日立化成工業株式会社 光硬化型ナノプリント用レジスト材及びパターン形成法
CN101416083A (zh) * 2006-04-07 2009-04-22 旭硝子株式会社 线栅型偏振器及其制造方法
KR101345280B1 (ko) 2006-05-24 2013-12-26 엘지디스플레이 주식회사 패턴형성용 레진 조성물 및 이를 이용하는 인-플레인프린팅 공정방법
JP5309436B2 (ja) * 2006-10-16 2013-10-09 日立化成株式会社 樹脂製微細構造物、その製造方法及び重合性樹脂組成物
JP2008202022A (ja) * 2007-01-23 2008-09-04 Fujifilm Corp 光ナノインプリントリソグラフィ用硬化性組成物およびそれを用いたパターン形成方法
JP2008189821A (ja) * 2007-02-05 2008-08-21 Fujifilm Corp 光硬化性組成物
US8142702B2 (en) * 2007-06-18 2012-03-27 Molecular Imprints, Inc. Solvent-assisted layer formation for imprint lithography
WO2008155928A1 (ja) 2007-06-20 2008-12-24 Asahi Glass Company, Limited 光硬化性組成物および表面に微細パターンを有する成形体の製造方法
JP2009048689A (ja) * 2007-08-16 2009-03-05 Fujifilm Corp 磁気記録媒体の製造方法、及び磁気記録媒体
JP5424623B2 (ja) * 2008-01-21 2014-02-26 キヤノン株式会社 樹脂組成物およびそれにより成形された光学素子、回折光学素子及び積層型回折光学素子
JP5435879B2 (ja) * 2008-02-14 2014-03-05 株式会社ダイセル ナノインプリント用硬化性樹脂組成物
JP2009214419A (ja) * 2008-03-11 2009-09-24 Fujifilm Corp 画像形成方法およびこれを用いて形成した硬化物
WO2009113615A1 (ja) * 2008-03-13 2009-09-17 富士フイルム株式会社 感光性樹脂組成物、感光性樹脂硬化膜および遮光性画像形成方法
JP2009222792A (ja) * 2008-03-13 2009-10-01 Fujifilm Corp 感光性樹脂組成物および遮光性画像の形成方法。
EP2289955B1 (en) 2008-05-29 2014-10-15 Asahi Glass Company, Limited Photocurable composition and manufacturing method for a molded body having a fine pattern on the surface
JP2011028823A (ja) * 2008-10-31 2011-02-10 Asahi Glass Co Ltd 収差補正装置、光学装置および光ヘッド装置
EP2357205A4 (en) 2008-12-05 2013-11-20 Asahi Glass Co Ltd LIGHT-CURING COMPOSITION AND METHOD OF MANUFACTURING A SHAPE WITH A FINE PATTERN ON THE SURFACE
CN101767403A (zh) * 2008-12-26 2010-07-07 比亚迪股份有限公司 模内装饰制品的成形方法
JP5443772B2 (ja) * 2009-01-21 2014-03-19 パナソニック株式会社 複合光学素子用樹脂組成物および複合光学素子
WO2010090269A1 (ja) * 2009-02-05 2010-08-12 旭硝子株式会社 光硬化性組成物および表面に微細パターンを有する成形体の製造方法
EP2221664A1 (en) * 2009-02-19 2010-08-25 Solvay Solexis S.p.A. Nanolithography process
JP5665329B2 (ja) * 2009-03-09 2015-02-04 富士フイルム株式会社 インプリント用硬化性組成物、パターン形成方法およびパターン
CN102365340B (zh) * 2009-03-25 2016-05-04 大金工业株式会社 包含含氟聚合物的表面活性剂
JP5518538B2 (ja) 2009-03-26 2014-06-11 富士フイルム株式会社 レジスト組成物、レジスト層、インプリント方法、パターン形成体、磁気記録媒体の製造方法、及び磁気記録媒体
CN102449005B (zh) * 2009-05-29 2016-01-20 日产化学工业株式会社 含氟高支化聚合物和包含该聚合物的树脂组合物
JP5566639B2 (ja) * 2009-07-16 2014-08-06 富士フイルム株式会社 インプリント用硬化性組成物、硬化物およびパターン形成方法
JP5493635B2 (ja) * 2009-09-18 2014-05-14 日油株式会社 カラーフィルター保護膜用樹脂組成物およびカラーフィルター
WO2011125800A1 (ja) * 2010-03-31 2011-10-13 Jsr株式会社 ナノインプリント用硬化性組成物、半導体素子及びナノインプリント方法
RU2013106521A (ru) 2010-07-15 2014-08-20 Асахи Гласс Компани, Лимитед Способ получения метаматериала и метаматериал
JP5647829B2 (ja) * 2010-07-30 2015-01-07 Agcセイミケミカル株式会社 光硬化性組成物および表面に微細パターンを有する成形体の製造方法
TWI480324B (zh) * 2010-08-04 2015-04-11 Asahi Glass Co Ltd A photohardenable composition, and a molded article having a fine pattern on its surface
WO2012017530A1 (ja) 2010-08-04 2012-02-09 旭硝子株式会社 光硬化性組成物および表面に微細パターンを有する成形体の製造方法
JP5691717B2 (ja) * 2010-10-20 2015-04-01 ダイキン工業株式会社 インプリント用樹脂モールド材料組成物
KR101597880B1 (ko) * 2010-10-20 2016-02-25 가부시끼가이샤 도꾸야마 광경화성 나노임프린트용 조성물, 상기 조성물을 이용한 패턴의 형성 방법 및 상기 조성물의 경화체를 갖는 나노임프린트용 복제 금형
JP2012116108A (ja) * 2010-12-01 2012-06-21 Asahi Kasei Corp 樹脂モールド
TWI471693B (zh) 2011-11-10 2015-02-01 Canon Kk 光可固化組成物,及使用彼之圖案化方法
JP5978761B2 (ja) * 2012-05-23 2016-08-24 旭硝子株式会社 インプリント用光硬化性組成物および微細パターンを表面に有する成形体の製造方法
JP6176937B2 (ja) 2012-09-19 2017-08-09 キヤノン株式会社 インプリント用光硬化性組成物及び膜の製造方法
WO2014051046A1 (ja) * 2012-09-27 2014-04-03 Jnc株式会社 光造形用重合性組成物
TWI495552B (zh) * 2012-12-20 2015-08-11 Jiin Ming Industry Co Ltd Method of manufacturing transfer die
RU2537860C2 (ru) * 2013-01-09 2015-01-10 Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт металлоорганической химии им. Г.А. Разуваева Российской академии наук (ИМХ РАН) Фотополимеризующаяся композиция для одностадийного получения полимерного нанопористого материала с гидрофобной поверхностью пор, нанопористый полимерный материал с селективными сорбирующими свойствами, способ его получения, способ одностадийного формирования на его основе водоотделяющих фильтрующих элементов и способ очистки органических жидкостей от воды
TW201627431A (zh) * 2014-12-25 2016-08-01 Fujifilm Corp 壓印用光硬化性組成物、圖案形成方法及元件製造方法
TWI645252B (zh) 2014-12-25 2018-12-21 日商富士軟片股份有限公司 壓印用光硬化性組成物、圖案形成方法及元件製造方法
CN105668557B (zh) * 2016-01-14 2017-08-25 哈尔滨工业大学 一种基于固相光化学反应的表面石墨烯的定点化学修饰方法
CN110462786B (zh) * 2017-03-23 2023-04-25 Agc株式会社 压印用固化性组合物、复制模具及其制造方法
KR20180115396A (ko) * 2017-04-12 2018-10-23 삼성디스플레이 주식회사 광경화성 조성물 및 이로부터 제조된 패턴 형성체
KR20210097737A (ko) * 2018-11-26 2021-08-09 샌트랄 글래스 컴퍼니 리미티드 감광성 수지 조성물, 함불소 수지 경화물의 제조 방법, 함불소 수지, 함불소 수지막, 뱅크 및 표시 소자
CN111319175B (zh) * 2019-01-15 2022-06-07 陈龙 耳机壳及其制作方法
US11718580B2 (en) 2019-05-08 2023-08-08 Meta Platforms Technologies, Llc Fluorene derivatized monomers and polymers for volume Bragg gratings
US11780819B2 (en) 2019-11-27 2023-10-10 Meta Platforms Technologies, Llc Aromatic substituted alkane-core monomers and polymers thereof for volume Bragg gratings
US11879024B1 (en) * 2020-07-14 2024-01-23 Meta Platforms Technologies, Llc Soft mold formulations for surface relief grating fabrication with imprinting lithography

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6131411A (ja) * 1984-07-23 1986-02-13 Suriibondo:Kk 硬化性組成物
JPH10120738A (ja) * 1996-10-17 1998-05-12 Toagosei Co Ltd 含フッ素グラフトポリマーの製造方法
JPH1160646A (ja) * 1997-08-27 1999-03-02 Central Glass Co Ltd 粉体塗料用組成物
JPH11181032A (ja) * 1997-12-19 1999-07-06 Nippon Mektron Ltd 含フッ素グラフト共重合体の製造法
JP2002105141A (ja) * 2000-09-28 2002-04-10 Jsr Corp 硬化性組成物およびその硬化物

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2468664A (en) * 1945-08-28 1949-04-26 Du Pont Tetrafluoroethylene copolymers
US5439621A (en) * 1993-04-12 1995-08-08 Minnesota Mining And Manufacturing Company Method of making an array of variable focal length microlenses
US5635331A (en) * 1994-10-13 1997-06-03 Minnesota Mining And Manufacturing Company Substrate and a color proofing article having release agent/adhesive mixture coated thereon
US6482742B1 (en) 2000-07-18 2002-11-19 Stephen Y. Chou Fluid pressure imprint lithography
US6334960B1 (en) 1999-03-11 2002-01-01 Board Of Regents, The University Of Texas System Step and flash imprint lithography
US6306563B1 (en) * 1999-06-21 2001-10-23 Corning Inc. Optical devices made from radiation curable fluorinated compositions
US6417284B1 (en) * 1999-09-30 2002-07-09 Nexpress Solutions Llc Adhesion priming composition for fluoropolymer coatings
US6929899B2 (en) * 2001-01-25 2005-08-16 E. I. Du Pont De Nemours And Company Fluorinated photopolymer composition and waveguide device
US6548219B2 (en) * 2001-01-26 2003-04-15 International Business Machines Corporation Substituted norbornene fluoroacrylate copolymers and use thereof in lithographic photoresist compositions
US7060774B2 (en) * 2002-02-28 2006-06-13 Merck Patent Gesellschaft Prepolymer material, polymer material, imprinting process and their use
US6949325B2 (en) * 2003-09-16 2005-09-27 International Business Machines Corporation Negative resist composition with fluorosulfonamide-containing polymer
JP4655043B2 (ja) 2004-11-30 2011-03-23 旭硝子株式会社 モールド、および転写微細パターンを有する基材の製造方法

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6131411A (ja) * 1984-07-23 1986-02-13 Suriibondo:Kk 硬化性組成物
JPH10120738A (ja) * 1996-10-17 1998-05-12 Toagosei Co Ltd 含フッ素グラフトポリマーの製造方法
JPH1160646A (ja) * 1997-08-27 1999-03-02 Central Glass Co Ltd 粉体塗料用組成物
JPH11181032A (ja) * 1997-12-19 1999-07-06 Nippon Mektron Ltd 含フッ素グラフト共重合体の製造法
JP2002105141A (ja) * 2000-09-28 2002-04-10 Jsr Corp 硬化性組成物およびその硬化物

Also Published As

Publication number Publication date
CN101160331A (zh) 2008-04-09
CN101160331B (zh) 2010-12-15
JPWO2006114958A1 (ja) 2008-12-18
EP1873174B1 (en) 2010-07-21
DE602006015628D1 (de) 2010-09-02
KR20080000598A (ko) 2008-01-02
WO2006114958A1 (ja) 2006-11-02
EP1873174A4 (en) 2009-09-02
US20080107870A1 (en) 2008-05-08
EP1873174A1 (en) 2008-01-02
KR101319775B1 (ko) 2013-10-17
US8540925B2 (en) 2013-09-24

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5286784B2 (ja) 光硬化性組成物、微細パターン形成体およびその製造方法
JP5182644B2 (ja) ワイヤグリッド型偏光子およびその製造方法
JP5617632B2 (ja) 光硬化性組成物および表面に微細パターンを有する成形体の製造方法
JP5594147B2 (ja) 光硬化性組成物および表面に微細パターンを有する成形体の製造方法
CN101679568B (zh) 光固化性组合物及表面具有精细图案的成形体的制造方法
WO2009148138A1 (ja) ナノインプリント用モールド、その製造方法および表面に微細凹凸構造を有する樹脂成形体ならびにワイヤグリッド型偏光子の製造方法
JP2007001250A (ja) 微細パターン形成体の製造方法
TW201035126A (en) Photocurable composition and method for producing molded article having surface micropattern
WO2010071134A1 (ja) 光硬化性材料の製造方法、光硬化性材料および物品
JP2009214323A (ja) 微細パターンを有する物品の製造装置および製造方法
JP2012156357A (ja) 表面に微細パターンを有する成型体の製造方法
JP2006150741A (ja) 転写層にパターンを形成する方法
TWI662087B (zh) 光壓印用硬化性組成物、圖案形成方法及圖案
TWI643893B (zh) 光壓印用硬化性組成物、圖案形成方法及圖案
ES2348995T3 (es) Composicion fotoendurecible, articulo con un micro-patron y su procedimiento de produccion.
JP2011012163A (ja) 光硬化性材料の製造方法、光硬化性材料および物品

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20090210

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20120522

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20120713

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821

Effective date: 20120717

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20130507

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20130520

R151 Written notification of patent or utility model registration

Ref document number: 5286784

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R151

S533 Written request for registration of change of name

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250