JP2009048689A - 磁気記録媒体の製造方法、及び磁気記録媒体 - Google Patents
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Abstract
【課題】インプリント用モールド構造体の凹凸部の略全面において均一な転写を効率よく行う磁気記録媒体の製造方法。
【解決手段】基板の一の表面上に、円周方向に沿って複数の凸部が同心円状に配列形成されたデータ領域の凹凸部と、基板の略中心部から放射状に複数の凸部が配列されることによって形成されたサーボ領域の凹凸部とを有するインプリント用モールド構造体を、基板上に形成されたインプリントレジスト層に押圧して凹凸パターンを転写する方法によって作製された磁気記録媒体であって、インプリントレジスト層の厚さをＴＨとし、インプリント用モールド構造体の表面上に形成された凹部の面積をＴＳＡとし、サーボ領域の凹凸部における凹部の面積をＴＳＳとし、前記インプリントレジスト組成物の体積収縮率をρとしたとき、数式（１）：０．１４＜ＴＨ・ρ・（ＴＳＳ／ＴＳＡ）＜２．１、及び数式（２）：０．０５≦ρ≦０．２１を満たすことを特徴。
【選択図】図１
【解決手段】基板の一の表面上に、円周方向に沿って複数の凸部が同心円状に配列形成されたデータ領域の凹凸部と、基板の略中心部から放射状に複数の凸部が配列されることによって形成されたサーボ領域の凹凸部とを有するインプリント用モールド構造体を、基板上に形成されたインプリントレジスト層に押圧して凹凸パターンを転写する方法によって作製された磁気記録媒体であって、インプリントレジスト層の厚さをＴＨとし、インプリント用モールド構造体の表面上に形成された凹部の面積をＴＳＡとし、サーボ領域の凹凸部における凹部の面積をＴＳＳとし、前記インプリントレジスト組成物の体積収縮率をρとしたとき、数式（１）：０．１４＜ＴＨ・ρ・（ＴＳＳ／ＴＳＡ）＜２．１、及び数式（２）：０．０５≦ρ≦０．２１を満たすことを特徴。
【選択図】図１
Description
本発明は、インプリント用モールド構造体を用いた磁気記録媒体の製造方法、及び該方法によって作製される磁気記録媒体に関する。
近年、高速性やコストパフォーマンス性に優れたハードディスクドライブが、ストレージ機器の主力として、携帯電話、小型音響機器や、ビデオカメラなどのポータブル機器に搭載され始めている。
そして、ポータブル機器に搭載される記録デバイスとしてのシェアの拡大に伴い、より一層の小型大容量化という要求に応える必要があり、記録密度を向上させる技術が求められている。
前記ハードディスクドライブの記録密度を高めるためには、磁気記録媒体におけるデータトラック間隔の狭小化や、磁気ヘッドの幅を狭小化するという手法が従来より用いられてきた。
しかしながら、前記データトラック間隔を狭めることにより、隣接トラック間の磁気の影響（クロストーク）や、熱揺らぎの影響が無視できなくなり、記録密度に限界があった。
一方、前記磁気ヘッドの幅を狭小化することによる面記録密度の向上にも限界があった。
そして、ポータブル機器に搭載される記録デバイスとしてのシェアの拡大に伴い、より一層の小型大容量化という要求に応える必要があり、記録密度を向上させる技術が求められている。
前記ハードディスクドライブの記録密度を高めるためには、磁気記録媒体におけるデータトラック間隔の狭小化や、磁気ヘッドの幅を狭小化するという手法が従来より用いられてきた。
しかしながら、前記データトラック間隔を狭めることにより、隣接トラック間の磁気の影響（クロストーク）や、熱揺らぎの影響が無視できなくなり、記録密度に限界があった。
一方、前記磁気ヘッドの幅を狭小化することによる面記録密度の向上にも限界があった。
そこで、前記クロストークによるノイズを解決する手段として、ディスクリートトラックメディアと呼ばれる形態の磁気記録媒体が提案されている。前記ディスクリートトラックメディアは、隣接するトラック間に非磁性のガードバンド領域を設けて個々のトラックを磁気的に分離したディスクリート構造とすることにより、隣接トラック間の磁気的干渉を低減したものである。
また、前記熱揺らぎによる減磁を解決する手段として、信号記録のための個々のビットを予め所定の形状パターンで備えたパターンドメディアと呼ばれる形態の磁気記録媒体が提案されている。
また、前記熱揺らぎによる減磁を解決する手段として、信号記録のための個々のビットを予め所定の形状パターンで備えたパターンドメディアと呼ばれる形態の磁気記録媒体が提案されている。
上記ディスクリートトラックメディアや、パターンドメディアを製造する際には、レジストパターン形成用モールド（「モールド」と称されることもある。）を用いて、磁気記録媒体の表面に形成されたレジスト層に所望のパターンを転写するインプリンティング法（インプリントプロセス）が用いられる（特許文献１参照）。
このインプリンティング法は、具体的には、加工対象となる基材上に、インプリントレジストとして、熱硬化性の樹脂、又は光硬化性の樹脂を塗布し、塗布された樹脂に対して、所望の形状に加工されたモールドを密着し、押圧して、前記樹脂を加熱、又は光照射により硬化させ、前記モールドを引き剥がすことで、該モールドに形成されたパターンに対応したパターンを形成し、このパターンをマスクとして用いてドライ、あるいはウェット方式のエッチングによるパターニングを行い、所望の磁気記録媒体を得る方法である。
このインプリンティング法は、具体的には、加工対象となる基材上に、インプリントレジストとして、熱硬化性の樹脂、又は光硬化性の樹脂を塗布し、塗布された樹脂に対して、所望の形状に加工されたモールドを密着し、押圧して、前記樹脂を加熱、又は光照射により硬化させ、前記モールドを引き剥がすことで、該モールドに形成されたパターンに対応したパターンを形成し、このパターンをマスクとして用いてドライ、あるいはウェット方式のエッチングによるパターニングを行い、所望の磁気記録媒体を得る方法である。
また、前記インプリンティング法については、ディスクリートトラックメディアや、パターンドメディアに超微細パターンを形成するための様々な検討がなされている（特許文献２〜３参照）。
しかしながら、上記プロセスによるディスクリートメディアや、パターンドメディアのパターン形成においては、部分的な狭い領域における均一なパターンの形成は良好であったが、メディア全面といった広範囲にわたって、均一なパターンを形成することは困難であるという問題があった。
しかしながら、上記プロセスによるディスクリートメディアや、パターンドメディアのパターン形成においては、部分的な狭い領域における均一なパターンの形成は良好であったが、メディア全面といった広範囲にわたって、均一なパターンを形成することは困難であるという問題があった。
特に、配列方向が異なる複数のパターンが形成されたディスクリートトラックメディアを作製する場合には、同様に配列方向が異なる複数の凹凸パターンが形成されたインプリント用モールド構造体を用いてインプリントレジスト層に前記凹凸パターンを転写するため、前記インプリントレジスト層を構成するインプリントレジスト組成物の流動に偏りができやすく、前記凹凸パターンの形状を変化させても、前記インプリントレジスト層の全面に均一な凹凸パターンを転写するには限界があった。
また、凹凸パターンを形成した磁気記録媒体を詳細に解析したところ、インプリント用モールド構造体の半径が大きくなるにつれて、磁気記録媒体に形成される凹凸パターンの成型精度が低下し、特に外径部分（周縁部分）における凹凸パターンの成型精度が著しく低下していることがわかった。
このような問題が発生するのは、インプリント用モールド構造体によって凹凸パターンが転写された後に行われるインプリントレジスト組成物の硬化工程における体積収縮が原因の一つであると考えられる。
具体的には、前述の光硬化性樹脂をインプリントレジスト組成物として用いた場合、光（例えば紫外線）の照射により、該インプリントレジスト組成物が収縮する際に生じる応力をインプリント用モールド構造体が受け、配列方向が異なる凹凸パターン同士で前記応力のかかり方が異なるため、該インプリント用モールド構造体上に形成された凹凸パターンの変形、及び凹凸パターンが転写されたインプリントレジスト層の破損を惹き起こす可能性があった。
このような問題が発生するのは、インプリント用モールド構造体によって凹凸パターンが転写された後に行われるインプリントレジスト組成物の硬化工程における体積収縮が原因の一つであると考えられる。
具体的には、前述の光硬化性樹脂をインプリントレジスト組成物として用いた場合、光（例えば紫外線）の照射により、該インプリントレジスト組成物が収縮する際に生じる応力をインプリント用モールド構造体が受け、配列方向が異なる凹凸パターン同士で前記応力のかかり方が異なるため、該インプリント用モールド構造体上に形成された凹凸パターンの変形、及び凹凸パターンが転写されたインプリントレジスト層の破損を惹き起こす可能性があった。
したがって、配列方向が異なる複数の凹凸パターンが形成された磁気記録媒体の歩留まりを低下させ、磁気記録媒体の性能を著しく低下させるという結果を招かないためにも、広範囲で均一に転写が行われることによって、効率よく磁気記録媒体を製造する方法が望まれていた。
本発明は、かかる現状に鑑みてなされたものであり、従来における前記諸問題を解決し、以下の目的を達成することを課題とする。即ち、本発明は、インプリントレジスト層に、インプリント用モールド構造体を押し当てる際に、該インプリント用モールド構造体の略全面において均一な転写を効率よく行うことができる磁気記録媒体の製造方法、及び磁気記録媒体を提供することを目的とする。
本発明者らは、鋭意検討の結果、インプリントレジスト層の略全面に対して均一な転写を実現するためには、データ領域、及びサーボ領域のそれぞれにおける凹凸パターンの半径方向に対する形状、並びに、前記インプリントレジスト層の組成物を硬化させる際の収縮率を考慮し、前記データ領域、及びサーボ領域のそれぞれにおける凹凸パターンの表面積と、インプリントレジスト層の組成物の物性等とを好適に組み合わせることによって前記課題が解決されることを知見した。
本発明は、本発明者らによる前記知見に基づくものであり、前記課題を解決するための手段としては、以下の通りである。即ち、
＜１＞ 基板と、該基板の一の表面上に、該表面を基準として一の方向に複数の凸部が配列されることによって形成されたデータ領域の凹凸部と、前記表面上に、該表面を基準として前記一の方向と異なる方向に複数の凸部が配列されることによって形成されたサーボ領域の凹凸部とを有するインプリント用モールド構造体を、磁気記録媒体の基板上に形成されたインプリントレジスト組成物よりなるインプリントレジスト層に押圧して前記データ領域の凹凸部、及び前記サーボ領域の凹凸部に基づく凹凸パターンを転写する転写工程を少なくとも含む磁気記録媒体の製造方法であって
前記インプリントレジスト層の厚さをＴＨとし、前記インプリント用モールド構造体の表面上に形成された凹部の面積をＴＳＡとし、前記サーボ領域の凹凸部における凹部の面積をＴＳＳとし、前記インプリントレジスト組成物の体積収縮率をρとしたとき、下記数式（１）〜（２）を満たすことを特徴とする磁気記録媒体の製造方法である。
０．１４＜ＴＨ・ρ・（ＴＳＳ／ＴＳＡ）＜２．１・・・・・・・・・・・数式（１）
０．０５≦ρ≦０．２１・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・数式（２）
＜２＞ 一の方向が円板状の基板の円周方向であり、前記一の方向と異なる方向が、前記基板の略中心部から放射状に延びる方向である前記＜１＞に記載の磁気記録媒体の製造方法である。
＜３＞ 基板の半径（ｒ）に対するデータ領域の凹凸部における面積変化率をＳＤ（ｒ）とし、インプリント用モールド構造体の半径（ｒ）に対するサーボ領域の凹凸部における面積変化率をＳＳ（ｒ）としたとき、下記数式（３）を満たす前記＜１＞から＜２＞のいずれかに記載の磁気記録媒体の製造方法である。
ＳＳ（ｒ）／ＳＤ（ｒ）∝ｒｘ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・数式（３）
ただし、上記数式（３）において、−０．５≦ｘ≦０．５である。
＜４＞ 下記数式（４）を満たす前記＜１＞から＜３＞のいずれかに記載の磁気記録媒体の製造方法である。
０．０５≦ＴＳＳ／ＴＳＡ≦０．３・・・・・・・・・・・・・数式（４）
＜５＞ インプリントレジスト組成物の粘度（Ｐ）が、０．５〜１０ｍＰａ・ｓである前記＜１＞から＜４＞のいずれかに記載の磁気記録媒体の製造方法である。
＜６＞ 前記＜１＞から＜５＞のいずれかに記載の磁気記録媒体の製造方法によって製造されたことを特徴とする磁気記録媒体である。
本発明は、本発明者らによる前記知見に基づくものであり、前記課題を解決するための手段としては、以下の通りである。即ち、
＜１＞ 基板と、該基板の一の表面上に、該表面を基準として一の方向に複数の凸部が配列されることによって形成されたデータ領域の凹凸部と、前記表面上に、該表面を基準として前記一の方向と異なる方向に複数の凸部が配列されることによって形成されたサーボ領域の凹凸部とを有するインプリント用モールド構造体を、磁気記録媒体の基板上に形成されたインプリントレジスト組成物よりなるインプリントレジスト層に押圧して前記データ領域の凹凸部、及び前記サーボ領域の凹凸部に基づく凹凸パターンを転写する転写工程を少なくとも含む磁気記録媒体の製造方法であって
前記インプリントレジスト層の厚さをＴＨとし、前記インプリント用モールド構造体の表面上に形成された凹部の面積をＴＳＡとし、前記サーボ領域の凹凸部における凹部の面積をＴＳＳとし、前記インプリントレジスト組成物の体積収縮率をρとしたとき、下記数式（１）〜（２）を満たすことを特徴とする磁気記録媒体の製造方法である。
０．１４＜ＴＨ・ρ・（ＴＳＳ／ＴＳＡ）＜２．１・・・・・・・・・・・数式（１）
０．０５≦ρ≦０．２１・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・数式（２）
＜２＞ 一の方向が円板状の基板の円周方向であり、前記一の方向と異なる方向が、前記基板の略中心部から放射状に延びる方向である前記＜１＞に記載の磁気記録媒体の製造方法である。
＜３＞ 基板の半径（ｒ）に対するデータ領域の凹凸部における面積変化率をＳＤ（ｒ）とし、インプリント用モールド構造体の半径（ｒ）に対するサーボ領域の凹凸部における面積変化率をＳＳ（ｒ）としたとき、下記数式（３）を満たす前記＜１＞から＜２＞のいずれかに記載の磁気記録媒体の製造方法である。
ＳＳ（ｒ）／ＳＤ（ｒ）∝ｒｘ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・数式（３）
ただし、上記数式（３）において、−０．５≦ｘ≦０．５である。
＜４＞ 下記数式（４）を満たす前記＜１＞から＜３＞のいずれかに記載の磁気記録媒体の製造方法である。
０．０５≦ＴＳＳ／ＴＳＡ≦０．３・・・・・・・・・・・・・数式（４）
＜５＞ インプリントレジスト組成物の粘度（Ｐ）が、０．５〜１０ｍＰａ・ｓである前記＜１＞から＜４＞のいずれかに記載の磁気記録媒体の製造方法である。
＜６＞ 前記＜１＞から＜５＞のいずれかに記載の磁気記録媒体の製造方法によって製造されたことを特徴とする磁気記録媒体である。
本発明によると、データ領域、及びサーボ領域のそれぞれにおける凹凸パターンの半径方向に対する形状、並びに、前記インプリントレジスト層の組成物を硬化させる際の収縮率を考慮し、前記データ領域、及びサーボ領域のそれぞれにおける凹凸パターンの表面積と、インプリントレジスト層の組成物の物性等とを好適に組み合わせることによって、インプリントレジスト層に対して、該インプリント用モールド構造体の凹凸部の略全面において均一な転写を効率よく行うことができる磁気記録媒体の製造方法、及び磁気記録媒体を提供することができる。
以下、本発明のインプリント用モールド構造体について図面を参照して説明する。
（インプリント用モールド構造体）
図１は、本発明のインプリント用モールド構造体の概略構成を示す平面図である。また、図２は、本発明のインプリント用モールド構造体の部分構成を示す平面図である。
図１〜２に示すように、インプリント用モールド構造体１は、加工対象物（例えば、後述する図４におけるインプリントレジスト２４）を押圧するものであり、円板状の基板２と、基板２の一の表面２ａ上に、該表面２ａを基準として同心円状に、所定の間隔で複数の凸部５が配列されることによって形成されたデータ領域の凹凸部３と、表面２ａ上に、該表面２ａを基準として複数の凸部８が半径方向に所定の間隔で配列されることによって形成されたサーボ領域の凹凸部６とを少なくとも有し、更に必要に応じて、その他の部材を備える。
（インプリント用モールド構造体）
図１は、本発明のインプリント用モールド構造体の概略構成を示す平面図である。また、図２は、本発明のインプリント用モールド構造体の部分構成を示す平面図である。
図１〜２に示すように、インプリント用モールド構造体１は、加工対象物（例えば、後述する図４におけるインプリントレジスト２４）を押圧するものであり、円板状の基板２と、基板２の一の表面２ａ上に、該表面２ａを基準として同心円状に、所定の間隔で複数の凸部５が配列されることによって形成されたデータ領域の凹凸部３と、表面２ａ上に、該表面２ａを基準として複数の凸部８が半径方向に所定の間隔で配列されることによって形成されたサーボ領域の凹凸部６とを少なくとも有し、更に必要に応じて、その他の部材を備える。
ここで、基板２の表面２ａ上において、データ領域の凹凸部３が形成された領域は、データ領域１１０であり、サーボ領域の凹凸部６が形成された領域は、サーボ領域１２０である。
そして、図１に示すように、サーボ領域１２０は、データ領域１１０を分断するように、円周方向において略等間隔で複数形成されている。
そして、図１に示すように、サーボ領域１２０は、データ領域１１０を分断するように、円周方向において略等間隔で複数形成されている。
また、基板２の半径方向（データ領域の凹凸部３が列設されている方向）を含む面におけるデータ領域の凹凸部３の断面形状は、略矩形をなしていることが好ましい。
なお、前記データ領域の凹凸部３の断面形状は、矩形に限られず、目的に応じて、後述するエッチング工程を制御することにより、任意の形状を選択することができる。
なお、前記データ領域の凹凸部３の断面形状は、矩形に限られず、目的に応じて、後述するエッチング工程を制御することにより、任意の形状を選択することができる。
また、基板２の円周方向（サーボ領域の凹凸部６が列設されている方向）を含む面におけるサーボ領域の凹凸部６の断面形状も、略矩形をなしていることが好ましい。
更に、基板２の表面２ａの法線方向から見た凸部８の形状（以下、凸部８の平面形状ということがある。）も、略矩形をなしていることが好ましい。
更に、基板２の表面２ａの法線方向から見た凸部８の形状（以下、凸部８の平面形状ということがある。）も、略矩形をなしていることが好ましい。
−その他の部材−
前記その他の部材としては、本発明の効果を損なわない限り特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、基板２上に層状に形成され、インプリントレジスト層に対して剥離機能を備えたモールド表層等が挙げられる。
前記その他の部材としては、本発明の効果を損なわない限り特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、基板２上に層状に形成され、インプリントレジスト層に対して剥離機能を備えたモールド表層等が挙げられる。
＜＜インプリントレジスト層＞＞
前記インプリントレジスト層は、インプリントレジスト組成物（以下、「インプリントレジスト液」ということがある。）を磁気記録媒体の基板に塗布することによって形成される層である。
インプリントレジスト層２５としては、特に制限はなく、目的に応じて公知のものの中から適宜選択することができるが、例えば、熱可塑性樹脂、及び光硬化性樹脂の少なくともいずれかを含有するインプリントレジスト組成物（以下、「インプリントレジスト液」ということがある。）を磁気記録媒体の基板４０に塗布することによって形成される層である。また、インプリントレジスト層１３を形成するインプリントレジスト組成物としては、例えば、ノボラック系樹脂、エポキシ樹脂、アクリル樹脂、有機ガラス樹脂、無機ガラス樹脂などが用いられる。
前記インプリントレジスト層の厚さとしては、モールド１の表面２ａ上に形成される凸部の高さに対して５％以上、２００％未満であることが好ましい。５％未満ではレジスト量が不足し、所望のレジストパターンを形成することができない。
インプリントレジスト層の厚さは、例えば、レジスト塗布基板より一部レジストを剥離、剥離後の段差をＡＦＭ装置（Ｄｉｍｅｎｓｉｏｎ５０００、日本ビーコ（株）製）にて測定することができる。
前記インプリントレジスト層は、インプリントレジスト組成物（以下、「インプリントレジスト液」ということがある。）を磁気記録媒体の基板に塗布することによって形成される層である。
インプリントレジスト層２５としては、特に制限はなく、目的に応じて公知のものの中から適宜選択することができるが、例えば、熱可塑性樹脂、及び光硬化性樹脂の少なくともいずれかを含有するインプリントレジスト組成物（以下、「インプリントレジスト液」ということがある。）を磁気記録媒体の基板４０に塗布することによって形成される層である。また、インプリントレジスト層１３を形成するインプリントレジスト組成物としては、例えば、ノボラック系樹脂、エポキシ樹脂、アクリル樹脂、有機ガラス樹脂、無機ガラス樹脂などが用いられる。
前記インプリントレジスト層の厚さとしては、モールド１の表面２ａ上に形成される凸部の高さに対して５％以上、２００％未満であることが好ましい。５％未満ではレジスト量が不足し、所望のレジストパターンを形成することができない。
インプリントレジスト層の厚さは、例えば、レジスト塗布基板より一部レジストを剥離、剥離後の段差をＡＦＭ装置（Ｄｉｍｅｎｓｉｏｎ５０００、日本ビーコ（株）製）にて測定することができる。
［インプリントレジスト組成物の粘度］
前記インプリントレジスト組成物の粘度は、例えば、超音波式粘度計などを用いて測定される。
このようにして測定された前記インプリントレジスト組成物の粘度Ｐは、０．５〜７０（ｍＰａ・ｓ）が好ましく、０．５〜１０（ｍＰａ・ｓ）がより好ましい。
前記インプリントレジスト組成物の粘度は、例えば、超音波式粘度計などを用いて測定される。
このようにして測定された前記インプリントレジスト組成物の粘度Ｐは、０．５〜７０（ｍＰａ・ｓ）が好ましく、０．５〜１０（ｍＰａ・ｓ）がより好ましい。
本発明に用いられるインプリント用モールド構造体は、前記インプリントレジスト層の厚さをＴＨとし、前記インプリントレジスト組成物の体積収縮率をρとしたとき、該インプリント用モールド構造体の表面上に形成された凹部の面積（ＴＳＡ）、及び前記サーボ領域の凹凸部における凹部の面積（ＴＳＳ）が、下記数式（１）〜（２）を満たすように形成されることが好ましい。
０．１４＜ＴＨ・ρ・（ＴＳＳ／ＴＳＡ）＜２．１・・・・・・・・・・・数式（１）
０．０５≦ρ≦０．２１・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・数式（２）
０．１４＜ＴＨ・ρ・（ＴＳＳ／ＴＳＡ）＜２．１・・・・・・・・・・・数式（１）
０．０５≦ρ≦０．２１・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・数式（２）
また、前記インプリントレジスト組成物の体積収縮率（ρ）は、熱機械分析装置（ＴＭ−９２００、アルバック理工社製）を用いて測定される。
また、前記インプリント用モールド構造体の表面上に形成された凹部の面積（ＴＳＡ）は、ＡＦＭ装置（Ｄｉｍｅｎｓｉｏｎ５０００、日本ビーコ（株）製）にて測定することができる。具体的には、上記評価装置にて１０μｍ□領域に対して表面形状を測定、モールド設計値に対する凹部形状加工状態を確認する（所望のパターンに対する加工寸法割合を算出）。所望パターンの凹部面積を算出、先述した加工寸法割合を掛け合わせて算出する。即ち、凸部の高さに対して９５％の高さに閾値を設定し、凹部の平均幅（ＷＭ）を測長し、原盤作製時の露光データに基づいて算出した設計凹部長（ＷＤ）を基に、加工寸法割合（ＷＭ／ＷＤ）を算出し、前記露光データに前記加工寸法割合を乗じて算出する。
なお、前記インプリント用モールド構造体の表面上に形成された凹部の面積（ＴＳＡ）は、インプリント用モールド構造体の表面上に形成された凹凸部におけるすべての凹部の面積であり、例えば、前記凹凸部がデータ領域の凹凸部とサーボ領域の凹凸部とから構成される場合、データ領域の凹凸部の面積（ＴＳＤ）と、サーボ領域の凹凸部の面積（ＴＳＳ）との和として表される。
なお、前記インプリント用モールド構造体の表面上に形成された凹部の面積（ＴＳＡ）は、インプリント用モールド構造体の表面上に形成された凹凸部におけるすべての凹部の面積であり、例えば、前記凹凸部がデータ領域の凹凸部とサーボ領域の凹凸部とから構成される場合、データ領域の凹凸部の面積（ＴＳＤ）と、サーボ領域の凹凸部の面積（ＴＳＳ）との和として表される。
また、前記サーボ領域の凹凸部における凹部の面積（ＴＳＳ）は、ＡＦＭ装置（Ｄｉｍｅｎｓｉｏｎ５０００、日本ビーコ（株）製）にて測定することができる。具体的には、上記評価装置にて、プリアンブル部に対して表面形状を測定、モールド設計値に対する凹部形状加工状態を確認する（所望のパターンに対する加工寸法割合を算出）。所望パターンの凹部面積を算出、先述した加工寸法割合を掛け合わせて算出する。
また、本発明に用いられるインプリント用モールド構造体は、該インプリント用モールド構造体の基板の半径（ｒ）に対するデータ領域の凹凸部における面積変化率をＳＤ（ｒ）とし、インプリント用モールド構造体の基板の半径（ｒ）に対するサーボ領域の凹凸部における面積変化率をＳＳ（ｒ）としたとき、下記数式（３）を満たすように形成される。
ＳＤ（ｒ）／ＳＳ（ｒ）∝ｒｘ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・数式（３）
ただし、上記数式（３）において、−０．５≦ｘ≦０．５である。
ＳＤ（ｒ）／ＳＳ（ｒ）∝ｒｘ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・数式（３）
ただし、上記数式（３）において、−０．５≦ｘ≦０．５である。
ここで、前記面積変化率（ＳＤ（ｒ））は、所望パターンでの各半径での凸部面積を算出する。この算出値に前記ＴＳＡで求めた加工寸法比を掛け合わせ、計算、導出する。
また、前記面積変化率（ＳＳ（ｒ））は、所望パターンでの各半径での凸部面積を算出する。この算出値に前記ＴＳＳで求めた加工寸法比を掛け合わせ、計算、導出する。
更に、本発明に用いられる磁気記録媒体は、下記数式（４）を満たすように形成されることが好ましい。
０．０５≦ＴＳＳ／ＴＳＡ≦０．３・・・・・・・・・・・・・数式（４）
０．０５≦ＴＳＳ／ＴＳＡ≦０．３・・・・・・・・・・・・・数式（４）
＜インプリント用モールド構造体の作製方法＞
以下、本発明に用いられるインプリント用モールド構造体の作製方法の例について図面を参照して説明する。なお、本発明に用いられるインプリント用モールド構造体は、下記の作製方法以外の作製方法により作製されたものであってもよい。
以下、本発明に用いられるインプリント用モールド構造体の作製方法の例について図面を参照して説明する。なお、本発明に用いられるインプリント用モールド構造体は、下記の作製方法以外の作製方法により作製されたものであってもよい。
―原盤の作製―
図３Ａ〜Ｂは、インプリント用モールド構造体を示す断面図である。図３Ａに示すように、まず、Ｓｉ基板１０上に、スピンコートなどでＰＭＭＡなどのフォトレジスト液を塗布し、フォトレジスト層２１を形成する。
その後、Ｓｉ基板１０を回転させながら、サーボ信号に対応して変調したレーザー光（又は電子ビーム）を照射し、フォトレジスト全面に所定のパターン、例えば各トラックに回転中心から半径方向に線状に延びるサーボ信号に相当するパターンを円周上の各フレームに対応する部分に露光する。
その後、フォトレジスト層２１を現像処理し、露光部分を除去して、除去後のフォトレジスト層２１のパターンをマスクにしてＲＩＥ（反応性イオンエッチング）などの選択エッチングを行い、凹凸形状を有する原盤１１を得る。
図３Ａ〜Ｂは、インプリント用モールド構造体を示す断面図である。図３Ａに示すように、まず、Ｓｉ基板１０上に、スピンコートなどでＰＭＭＡなどのフォトレジスト液を塗布し、フォトレジスト層２１を形成する。
その後、Ｓｉ基板１０を回転させながら、サーボ信号に対応して変調したレーザー光（又は電子ビーム）を照射し、フォトレジスト全面に所定のパターン、例えば各トラックに回転中心から半径方向に線状に延びるサーボ信号に相当するパターンを円周上の各フレームに対応する部分に露光する。
その後、フォトレジスト層２１を現像処理し、露光部分を除去して、除去後のフォトレジスト層２１のパターンをマスクにしてＲＩＥ（反応性イオンエッチング）などの選択エッチングを行い、凹凸形状を有する原盤１１を得る。
次に、図３Ｂに示すように、光硬化性樹脂を含有するインプリントレジスト液を塗布してなるインプリントレジスト層２４が一の面に形成された被加工基板３０に対して、原盤１１を押し当て、原盤１１上に形成された凹凸部のパターンがインプリントレジスト層２４に転写される。
ここで、前記被加工基板３０の材料としては、光透過性を有し、インプリント用モールド構造体１として機能する強度を有する材料であれば、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、石英（ＳｉＯ２）等が挙げられる。
また、前記「光透過性を有する」とは、具体的には、被加工基板３０にインプリントレジスト層が形成される一の面から出射するように、被加工基板３０の他の面から光を入射させた場合に、インプリントレジスト液が十分に硬化することを意味しており、少なくとも、前記他の面から前記一の面への光透過率が５０％以上であることを意味する。
また、前記「インプリント用モールド構造体として機能する強度を有する」とは、磁気記録媒体の基板上に形成されたインプリントレジスト層に対して、平均面圧力が４ｋｇｆ／ｃｍ２という条件下で押し当て、加圧しても、剥離可能に破損しない強度を意味する。
また、前記「光透過性を有する」とは、具体的には、被加工基板３０にインプリントレジスト層が形成される一の面から出射するように、被加工基板３０の他の面から光を入射させた場合に、インプリントレジスト液が十分に硬化することを意味しており、少なくとも、前記他の面から前記一の面への光透過率が５０％以上であることを意味する。
また、前記「インプリント用モールド構造体として機能する強度を有する」とは、磁気記録媒体の基板上に形成されたインプリントレジスト層に対して、平均面圧力が４ｋｇｆ／ｃｍ２という条件下で押し当て、加圧しても、剥離可能に破損しない強度を意味する。
――硬化工程――
その後、インプリントレジスト層２４に紫外線などの光を照射して転写されたパターンを硬化させる。
その後、インプリントレジスト層２４に紫外線などの光を照射して転写されたパターンを硬化させる。
――パターン形成工程――
その後、転写された凹凸パターンをマスクにして、ＲＩＥなどの選択エッチングを行い、図２に示すようなデータ領域の凹凸部３、及びサーボ領域の凹凸部４を有するモールド構造体１を得る。
その後、転写された凹凸パターンをマスクにして、ＲＩＥなどの選択エッチングを行い、図２に示すようなデータ領域の凹凸部３、及びサーボ領域の凹凸部４を有するモールド構造体１を得る。
（磁気記録媒体）
以下、前記インプリント用モールド構造体を用いて作製されたディスクリートトラックメディアや、パターンドメディアなどの磁気記録媒体を、図面を参照して説明する。但し、本発明に係る磁気記録媒体は、前記インプリント用モールド構造体を用いて製造されていれば、下記の製造方法以外の製造方法により作製されたものであってもよい。
以下、前記インプリント用モールド構造体を用いて作製されたディスクリートトラックメディアや、パターンドメディアなどの磁気記録媒体を、図面を参照して説明する。但し、本発明に係る磁気記録媒体は、前記インプリント用モールド構造体を用いて製造されていれば、下記の製造方法以外の製造方法により作製されたものであってもよい。
図４に示すように、磁性層５０と、インプリントレジスト液を塗布してなるインプリントレジスト層２５とがこの順に形成された磁気記録媒体の基板４０に対して、モールド構造体１を押し当て、加圧することにより、モールド構造体１上に形成されたデータ領域の凹凸部３、及びサーボ領域の凹凸部６のパターンがインプリントレジスト層２５に転写される。
ここで、磁気記録媒体の作製におけるインプリントレジスト層２５は、磁気記録媒体の作製における転写工程における転写精度を損なわない限り、インプリント用モールド構造体の作製におけるインプリントレジスト層２４と同じインプリントレジスト組成物を採用してもよい。
以下、特に断らない限り、インプリントレジスト層、及びインプリントレジスト組成物は、磁気記録媒体の作製におけるインプリントレジスト層２５、及び該インプリントレジスト層２５を形成するインプリントレジスト組成物を指すものとする。
以下、特に断らない限り、インプリントレジスト層、及びインプリントレジスト組成物は、磁気記録媒体の作製におけるインプリントレジスト層２５、及び該インプリントレジスト層２５を形成するインプリントレジスト組成物を指すものとする。
その後、データ領域の凹凸部３、及びサーボ領域の凹凸部６のパターンが転写されたインプリントレジスト層２５をマスクにして、ＲＩＥなどの選択エッチングを行い、モールド構造体１上に形成された凹凸部に基づく凹凸形状を磁性層５０に形成し、凹部に非磁性材料７０を埋め込み、表面を平坦化した後、必要に応じて、保護膜などを形成して磁気記録媒体１００を得る。
図５は、本発明の磁気記録媒体の構成を示す平面図である。
上記のようにして作製された本発明の磁気記録媒体は、図５に示すように、基板４０の一の表面上に、同心円状に、所定の間隔で形成された複数のデータ領域の磁性パターン部５１と、基板２の半径方向に所定の間隔で形成された複数のサーボ領域の磁性パターン部５２とが非磁性材料７０によって隔たれて形成されている。なお、図示はされていないが、基板４０は、インプリント用モールド構造体の基板２と同様の大きさの円板状であり、略中心部には同様の大きさの孔部が形成されている。
上記のようにして作製された本発明の磁気記録媒体は、図５に示すように、基板４０の一の表面上に、同心円状に、所定の間隔で形成された複数のデータ領域の磁性パターン部５１と、基板２の半径方向に所定の間隔で形成された複数のサーボ領域の磁性パターン部５２とが非磁性材料７０によって隔たれて形成されている。なお、図示はされていないが、基板４０は、インプリント用モールド構造体の基板２と同様の大きさの円板状であり、略中心部には同様の大きさの孔部が形成されている。
ここで、基板４０の表面上において、データ領域の磁性パターン部５１が形成された領域は、データ領域１３０であり、前記表面上においてサーボ領域の磁性パターン部５２が形成された領域は、サーボ領域１４０である。
このような構成において、サーボ領域１４０は、データ領域１３０を分断するように、円周方向において略等間隔で複数形成されている。
このような構成において、サーボ領域１４０は、データ領域１３０を分断するように、円周方向において略等間隔で複数形成されている。
本発明の磁気記録媒体においても、基板４０の表面の法線方向から見たデータ領域の磁性パターン部５１の形状（以下、磁性パターン部５１の平面形状ということがある。）は、略矩形をなしている。
また、基板４０の表面の法線方向から見たサーボ領域の磁性パターン部５２の形状（以下、磁性パターン部５２の平面形状ということがある。）も、略矩形をなしている。
また、本発明の磁気記録媒体は、該磁気記録媒体の半径（ｒ）に対するデータ領域の磁性パターン部における面積変化率をＳ１（ｒ）とし、磁気記録媒体の半径（ｒ）に対するサーボ領域の磁性パターン部における面積変化率をＳ２（ｒ）としたとき、下記数式（５）を満たすように形成される。
Ｓ１（ｒ）／Ｓ２（ｒ）∝ｒｘ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・数式（５）
ただし、上記数式（５）において、−０．５≦ｘ≦０．５である。
Ｓ１（ｒ）／Ｓ２（ｒ）∝ｒｘ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・数式（５）
ただし、上記数式（５）において、−０．５≦ｘ≦０．５である。
ここで、前記面積変化率（Ｓ１（ｒ））は、所望パターンでの各半径でのデータ領域の磁性パターン部の面積を算出する。この算出値に前記ＴＳＡで求めた加工寸法比を掛け合わせ、計算、導出する。
また、前記面積変化率（Ｓ２（ｒ））は、所望パターンでの各半径でのサーボ領域の磁性パターン部の面積を算出する。この算出値に前記ＴＳＳで求めた加工寸法比を掛け合わせ、計算、導出する。
以下、本発明の実施例について説明するが、本発明は下記実施例に何ら限定されるものではない。
（実施例１）
＜インプリント用モールド構造体の作製＞
＜＜原盤の作製＞＞
直径８インチの円板状のＳｉ基板上に電子線レジストを、スピンコート法を用いて１００ｎｍの厚さに塗布した。
その後、回転式電子線露光装置にて所望のパターンを露光、現像することで、凹凸パターンを有する前記電子線レジストをＳｉ基板上に形成した。
凹凸パターンを有する前記電子線レジストをマスクとして、前記Ｓｉ基板に対して反応性イオンエッチング処理を行い、Ｓｉ基板上に凹凸形状を形成した。
残存した前記電子線レジストを、可溶溶剤にて洗浄することで除去し、乾燥した後に原盤を得た。
＜インプリント用モールド構造体の作製＞
＜＜原盤の作製＞＞
直径８インチの円板状のＳｉ基板上に電子線レジストを、スピンコート法を用いて１００ｎｍの厚さに塗布した。
その後、回転式電子線露光装置にて所望のパターンを露光、現像することで、凹凸パターンを有する前記電子線レジストをＳｉ基板上に形成した。
凹凸パターンを有する前記電子線レジストをマスクとして、前記Ｓｉ基板に対して反応性イオンエッチング処理を行い、Ｓｉ基板上に凹凸形状を形成した。
残存した前記電子線レジストを、可溶溶剤にて洗浄することで除去し、乾燥した後に原盤を得た。
ここで、前記凹凸パターンは、データ領域における凹凸パターンと、サーボ領域における凹凸パターンとに大別される。
データ領域は、凸部の巾：１２０ｎｍ、凹部の巾：３０ｎｍ（トラックピッチ＝１５０ｎｍ）の凹凸パターンとした。
サーボ領域に関しては、基準信号長を９０ｎｍとし、総セクタ数を２４０とし、プリアンブル部（４５ｂｉｔ）、ＳＡＭ部（１０ｂｉｔ）、ＳｅｃｔｏｒＣｏｄｅ部（８ｂｉｔ）、ＣｙｌｉｎｄｅｒＣｏｄｅ部（３２ｂｉｔ）、及びＢｕｒｓｔ部で構成されている。
前記ＳＡＭ部は、“００００１０１０１１”であり、前記ＳｅｃｔｏｒＣｏｄｅ部における凹凸パターンは、Ｂｉｎａｒｙ変換を用いて形成され、ＣｙｌｉｎｄｅｒＣｏｄｅ部における凹凸パターンは、Ｇｒａｙ変換を用いて形成される。
また、前記Ｂｕｒｓｔ部における凹凸パターンは、一般的な４バースト（各バーストは１６ｂｉｔ）である。
データ領域は、凸部の巾：１２０ｎｍ、凹部の巾：３０ｎｍ（トラックピッチ＝１５０ｎｍ）の凹凸パターンとした。
サーボ領域に関しては、基準信号長を９０ｎｍとし、総セクタ数を２４０とし、プリアンブル部（４５ｂｉｔ）、ＳＡＭ部（１０ｂｉｔ）、ＳｅｃｔｏｒＣｏｄｅ部（８ｂｉｔ）、ＣｙｌｉｎｄｅｒＣｏｄｅ部（３２ｂｉｔ）、及びＢｕｒｓｔ部で構成されている。
前記ＳＡＭ部は、“００００１０１０１１”であり、前記ＳｅｃｔｏｒＣｏｄｅ部における凹凸パターンは、Ｂｉｎａｒｙ変換を用いて形成され、ＣｙｌｉｎｄｅｒＣｏｄｅ部における凹凸パターンは、Ｇｒａｙ変換を用いて形成される。
また、前記Ｂｕｒｓｔ部における凹凸パターンは、一般的な４バースト（各バーストは１６ｂｉｔ）である。
その後、石英基板上にノボラック系レジスト（マイクロレジスト社ｍｒ−Ｉ ７０００Ｅ）を１００ｎｍ、スピンコート法（３，６００ｒｐｍ）によって形成した。
そして、原盤をモールドとして使用し、ナノインプリントを行った。ナノインプリント後の凹凸レジストパターンを元にエッチャントとしてＣＨＦ３を用いたＲＩＥでインプリント用モールド構造体１を得た。
そして、原盤をモールドとして使用し、ナノインプリントを行った。ナノインプリント後の凹凸レジストパターンを元にエッチャントとしてＣＨＦ３を用いたＲＩＥでインプリント用モールド構造体１を得た。
＜＜データ領域の凹凸部における凹部の面積変化率（ＳＤ）の測定＞＞
データ領域の凹凸部における凹部の面積変化率の測定（ＳＤ）を測定したところ、ｒ１．０であった。
データ領域の凹凸部における凹部の面積変化率の測定（ＳＤ）を測定したところ、ｒ１．０であった。
＜＜サーボ領域の凹凸部における凹部の面積変化率（ＳＳ）の測定＞＞
サーボ領域の凹凸部における凹部の面積変化率の測定（ＳＳ）を測定したところ、ｒ１．７であった。
サーボ領域の凹凸部における凹部の面積変化率の測定（ＳＳ）を測定したところ、ｒ１．７であった。
＜ＳＳ（ｒ）／ＳＤ（ｒ）の算出＞
上記結果から、ＳＳ（ｒ）／ＳＤ（ｒ）を計算したところ、ｒ０．７であり、−０．５≦ｘ≦０．５の範囲で半径ｒｘと比例関係ではないことが認められた。結果を表１に示す。
上記結果から、ＳＳ（ｒ）／ＳＤ（ｒ）を計算したところ、ｒ０．７であり、−０．５≦ｘ≦０．５の範囲で半径ｒｘと比例関係ではないことが認められた。結果を表１に示す。
＜磁気記録媒体の作製＞
２．５インチガラス基板上に、以下の手順で各層を形成し、磁気記録媒体を作製した。
作製した磁気記録媒体は、軟磁性層、第１の非磁性配向層、第２の非磁性配向層、磁性層（「磁気記録層」ということがある。）、保護層、及び潤滑剤層が順次形成されている。
なお、軟磁性膜、第１の非磁性配向層、第２の非磁性配向層、磁気記録層、及び保護層はスパッタリング法で形成し、潤滑剤層はディップ法で形成した。
２．５インチガラス基板上に、以下の手順で各層を形成し、磁気記録媒体を作製した。
作製した磁気記録媒体は、軟磁性層、第１の非磁性配向層、第２の非磁性配向層、磁性層（「磁気記録層」ということがある。）、保護層、及び潤滑剤層が順次形成されている。
なお、軟磁性膜、第１の非磁性配向層、第２の非磁性配向層、磁気記録層、及び保護層はスパッタリング法で形成し、潤滑剤層はディップ法で形成した。
＜軟磁性層の形成＞
軟磁性層として、ＣｏＺｒＮｂよりなる層を１００ｎｍの厚さで形成した。
具体的には、前記ガラス基板を、ＣｏＺｒＮｂターゲットと対向させて設置し、Ａｒガスを０．６Ｐａの圧になるように流入させ、ＤＣ １，５００Ｗで成膜した。
軟磁性層として、ＣｏＺｒＮｂよりなる層を１００ｎｍの厚さで形成した。
具体的には、前記ガラス基板を、ＣｏＺｒＮｂターゲットと対向させて設置し、Ａｒガスを０．６Ｐａの圧になるように流入させ、ＤＣ １，５００Ｗで成膜した。
＜第１の非磁性配向層の形成＞
第１の非磁性配向層として、５ｎｍの厚さのＴｉ層を形成した。
具体的に、第１の非磁性配向層は、Ｔｉターゲットと対向設置し、Ａｒガスを０．５Ｐａの圧になるように流入させ、ＤＣ １，０００Ｗで放電し、５ｎｍの厚さになるようにＴｉシード層を成膜した。
第１の非磁性配向層として、５ｎｍの厚さのＴｉ層を形成した。
具体的に、第１の非磁性配向層は、Ｔｉターゲットと対向設置し、Ａｒガスを０．５Ｐａの圧になるように流入させ、ＤＣ １，０００Ｗで放電し、５ｎｍの厚さになるようにＴｉシード層を成膜した。
＜第２の非磁性配向層の形成＞
その後、第２の非磁性配向層として、１０ｎｍの厚さのＲｕ層を形成した。
第１の非磁性配向層形成後に、Ｒｕターゲットと対向させて設置し、Ａｒガスを０．５Ｐａの圧になるように流入させ、ＤＣ １，０００Ｗで放電し、１０ｎｍの厚さになるように第２の非磁性配向層としてＲｕ層を成膜した。
その後、第２の非磁性配向層として、１０ｎｍの厚さのＲｕ層を形成した。
第１の非磁性配向層形成後に、Ｒｕターゲットと対向させて設置し、Ａｒガスを０．５Ｐａの圧になるように流入させ、ＤＣ １，０００Ｗで放電し、１０ｎｍの厚さになるように第２の非磁性配向層としてＲｕ層を成膜した。
＜磁気記録層の形成＞
その後、磁気記録層として、ＣｏＣｒＰｔＯ層を１５ｎｍの厚さで形成した。
具体的には、ＣｏＰｔＣｒターゲットと対向させて設置し、Ｏ２ ０．０４％を含むＡｒガスを、圧力が１８Ｐａとなるようにして流入させ、ＤＣ ２９０Ｗで放電し、磁気記録層を形成した。
その後、磁気記録層として、ＣｏＣｒＰｔＯ層を１５ｎｍの厚さで形成した。
具体的には、ＣｏＰｔＣｒターゲットと対向させて設置し、Ｏ２ ０．０４％を含むＡｒガスを、圧力が１８Ｐａとなるようにして流入させ、ＤＣ ２９０Ｗで放電し、磁気記録層を形成した。
＜保護層の形成＞
磁性層形成後に、Ｃターゲットと対向させて設置し、Ａｒガスを、圧力が０．５Ｐａになるように流入させ、ＤＣ １，０００Ｗで放電し、Ｃ保護層を４ｎｍの厚さで形成した。
なお、磁気記録媒体の保磁力は、３３４ｋＡ／ｍ（４．２ｋＯｅ）とした。
また、本実施例における磁気記録媒体の第１の非磁性材料は、例えば、ＰｔＯである。
磁性層形成後に、Ｃターゲットと対向させて設置し、Ａｒガスを、圧力が０．５Ｐａになるように流入させ、ＤＣ １，０００Ｗで放電し、Ｃ保護層を４ｎｍの厚さで形成した。
なお、磁気記録媒体の保磁力は、３３４ｋＡ／ｍ（４．２ｋＯｅ）とした。
また、本実施例における磁気記録媒体の第１の非磁性材料は、例えば、ＰｔＯである。
＜インプリントレジスト層の形成＞
前記保護層上に、アクリル系レジスト（ＰＡＫ−０１、東洋合成工業（株）製）を４５０ｎｍの厚さになるように、スピンコート法（３，６００ｒｐｍ）により、第１のインプリントレジスト層を形成した。
前記保護層上に、アクリル系レジスト（ＰＡＫ−０１、東洋合成工業（株）製）を４５０ｎｍの厚さになるように、スピンコート法（３，６００ｒｐｍ）により、第１のインプリントレジスト層を形成した。
＜転写工程＞
インプリントレジスト層が形成された基板に対して、上記モールドの凹凸部が形成された側の面を対向させて配置し、インプリントレジスト層が形成された基板を３ＭＰａの圧力にて１０秒間密着させ、紫外線を１０ｍＪ／ｃｍ２照射した。
以上の工程を終了した後、インプリントレジスト層が形成された基板から前記モールドを剥離した。
その後、前記モールドの凹凸部に基づく凹凸パターンをインプリントレジスト層に転写することによって、該インプリントレジスト層に形成された凹凸パターンのうち、凹部に残存したインプリントレジスト層を、Ｏ２反応性化学エッチングにて除去した。このＯ２反応性化学エッチングは、前記凹部において前記磁性層が露出するように行われる。
インプリントレジスト層が形成された基板に対して、上記モールドの凹凸部が形成された側の面を対向させて配置し、インプリントレジスト層が形成された基板を３ＭＰａの圧力にて１０秒間密着させ、紫外線を１０ｍＪ／ｃｍ２照射した。
以上の工程を終了した後、インプリントレジスト層が形成された基板から前記モールドを剥離した。
その後、前記モールドの凹凸部に基づく凹凸パターンをインプリントレジスト層に転写することによって、該インプリントレジスト層に形成された凹凸パターンのうち、凹部に残存したインプリントレジスト層を、Ｏ２反応性化学エッチングにて除去した。このＯ２反応性化学エッチングは、前記凹部において前記磁性層が露出するように行われる。
＜磁性パターン部形成工程＞
前記凹部に残存したインプリントレジスト層を除去した後に、磁性層の凹凸形状の加工を実施した。
磁性層の加工としては、イオンビームエッチング法を用いた。
具体的には、Ａｒガスを用い、イオン加速エネルギーは５００ｅＶとし、磁性層に対して垂直方向よりイオンビームを入射した。
このようにして磁性層を加工した後、Ｏ２反応性化学エッチングにて、磁性層（未加工部分）上に残存したレジストを除去する。
その後、ディップ法により、ＰＦＰＥ潤滑剤を２ｎｍの厚さに塗布した。
前記凹部に残存したインプリントレジスト層を除去した後に、磁性層の凹凸形状の加工を実施した。
磁性層の加工としては、イオンビームエッチング法を用いた。
具体的には、Ａｒガスを用い、イオン加速エネルギーは５００ｅＶとし、磁性層に対して垂直方向よりイオンビームを入射した。
このようにして磁性層を加工した後、Ｏ２反応性化学エッチングにて、磁性層（未加工部分）上に残存したレジストを除去する。
その後、ディップ法により、ＰＦＰＥ潤滑剤を２ｎｍの厚さに塗布した。
＜非磁性パターン部形成工程＞
上記磁性層を加工した後に、磁性材料を含む層として、厚さが５０ｎｍとなるように、スパッタリングを実施してＳｉＯ２層を形成し、イオンビームエッチングにて磁性層と、非磁性層とが面一になるように、ＳｉＯ２層を除去した。
上記磁性層を加工した後に、磁性材料を含む層として、厚さが５０ｎｍとなるように、スパッタリングを実施してＳｉＯ２層を形成し、イオンビームエッチングにて磁性層と、非磁性層とが面一になるように、ＳｉＯ２層を除去した。
＜＜レジストパターンの成形性の評価＞＞
サーボ領域被覆前の基体を用い、データ領域と、サーボ領域との間のレジスト形状を比較し、ＮＩＬの均一性の評価を以下のように実施した。
まず、前記垂直磁気記録媒体の中間体を破断し、走査型電子顕微鏡（ＦＥ−ＳＥＭ Ｓ８００、日立製作所（株）製）を用いて、破断後の断面に対するデータ領域の残レジスト膜厚、サーボ領域におけるバースト部の残レジスト膜厚を測長した。
なお、サーボ領域におけるバースト部の残レジスト膜厚と、データ領域の残レジスト膜厚との比が０．８〜１．０であれば“○”、０．８未満であれば“×”と評価した。
また、１ディスクに対して半径１５，２０，２５，３０ｍｍ、ほぼ等角度間隔で８カ所の上記測定を行い、これらの平均値を算出し、レジストパターンの成形性（平均）を評価した。
また、上記測定より導出したサーボ領域の残膜厚に対するデータ領域の残膜厚との比の３σ値を算出し、０．１未満であれば“○”、０．１以上であれば“×”と評価した。結果を表１に示す。
サーボ領域被覆前の基体を用い、データ領域と、サーボ領域との間のレジスト形状を比較し、ＮＩＬの均一性の評価を以下のように実施した。
まず、前記垂直磁気記録媒体の中間体を破断し、走査型電子顕微鏡（ＦＥ−ＳＥＭ Ｓ８００、日立製作所（株）製）を用いて、破断後の断面に対するデータ領域の残レジスト膜厚、サーボ領域におけるバースト部の残レジスト膜厚を測長した。
なお、サーボ領域におけるバースト部の残レジスト膜厚と、データ領域の残レジスト膜厚との比が０．８〜１．０であれば“○”、０．８未満であれば“×”と評価した。
また、１ディスクに対して半径１５，２０，２５，３０ｍｍ、ほぼ等角度間隔で８カ所の上記測定を行い、これらの平均値を算出し、レジストパターンの成形性（平均）を評価した。
また、上記測定より導出したサーボ領域の残膜厚に対するデータ領域の残膜厚との比の３σ値を算出し、０．１未満であれば“○”、０．１以上であれば“×”と評価した。結果を表１に示す。
＜磁気記録媒体の評価＞
＜＜サーボ信号の品位の評価＞＞
評価装置として、協同電子社製ＬＳ−９０を用い、リード巾１３０ｎｍ、ライト巾２２０ｎｍのＧＭＲヘッドを装着した。
磁性層を加工した後の垂直磁気記録媒体の基板に対して、半径２０ｍｍ〜３２ｍｍの領域を１ｍｍ間隔で、プリアンブル部のＴＡＡ（Ｔｒａｃｋ Ａｖｅｒａｇｅ Ａｍｐｌｉｔｕｄｅ）再生出力を全セクタ分検出する。
全測定箇所のプリアンブル部の平均出力を算出し、この平均出力に対して８０％以下の出力となる測定箇所の数について、下記評価基準に基づき、評価した。なお、下記評価において、使用可能な評価は“○”、及び“△”である。
＜＜サーボ信号の品位の評価＞＞
評価装置として、協同電子社製ＬＳ−９０を用い、リード巾１３０ｎｍ、ライト巾２２０ｎｍのＧＭＲヘッドを装着した。
磁性層を加工した後の垂直磁気記録媒体の基板に対して、半径２０ｍｍ〜３２ｍｍの領域を１ｍｍ間隔で、プリアンブル部のＴＡＡ（Ｔｒａｃｋ Ａｖｅｒａｇｅ Ａｍｐｌｉｔｕｄｅ）再生出力を全セクタ分検出する。
全測定箇所のプリアンブル部の平均出力を算出し、この平均出力に対して８０％以下の出力となる測定箇所の数について、下記評価基準に基づき、評価した。なお、下記評価において、使用可能な評価は“○”、及び“△”である。
［評価基準］
○：１個以内
△：２〜４個
×：５個以上
○：１個以内
△：２〜４個
×：５個以上
（実施例２）
＜インプリント用モールド構造体の作製＞
実施例１におけるＴＳＳ／ＴＳＡを表１のように変更した以外は、実施例１と同様にして、実施例２のインプリント用モールド構造体を作製した。
＜インプリント用モールド構造体の作製＞
実施例１におけるＴＳＳ／ＴＳＡを表１のように変更した以外は、実施例１と同様にして、実施例２のインプリント用モールド構造体を作製した。
＜ＳＳ（ｒ）／ＳＤ（ｒ）の算出＞
実施例１と同様にして、データ領域の凹凸部における凹部の面積変化率（ＳＤ（ｒ））、及びサーボ領域の凹凸部における凹部の面積変化率（ＳＳ（ｒ））を測定し、ＳＳ（ｒ）／ＳＤ（ｒ）を計算したところ、ｒ０．５であり、−０．５≦ｘ≦０．５の範囲で半径ｒｘと比例関係であることが認められた。結果を表１に示す。
実施例１と同様にして、データ領域の凹凸部における凹部の面積変化率（ＳＤ（ｒ））、及びサーボ領域の凹凸部における凹部の面積変化率（ＳＳ（ｒ））を測定し、ＳＳ（ｒ）／ＳＤ（ｒ）を計算したところ、ｒ０．５であり、−０．５≦ｘ≦０．５の範囲で半径ｒｘと比例関係であることが認められた。結果を表１に示す。
＜磁気記録媒体の作製＞
上記において作製したインプリント用モールド構造体を用いて、レジスト、及びその厚さを表１に示すように変更した以外は実施例１と同様にして、実施例２の磁気記録媒体を作製した。
上記において作製したインプリント用モールド構造体を用いて、レジスト、及びその厚さを表１に示すように変更した以外は実施例１と同様にして、実施例２の磁気記録媒体を作製した。
＜レジストパターンの成形性の評価＞
実施例１と同様にして、レジストパターンの成形性を評価した。結果を表１に示す。
実施例１と同様にして、レジストパターンの成形性を評価した。結果を表１に示す。
＜磁気記録媒体の評価＞
作製した磁気記録媒体について、実施例１と同様にして、サーボ信号の品位を評価した。結果を表１に示す。
作製した磁気記録媒体について、実施例１と同様にして、サーボ信号の品位を評価した。結果を表１に示す。
（実施例３）
＜インプリント用モールド構造体の作製＞
実施例２におけるデータ領域の凹凸部における凹部の面積変化率（ＳＤ（ｒ））、及びサーボ領域の凹凸部における凹部の面積変化率（ＳＳ（ｒ））を表１のように変更した以外は、実施例２と同様にして、実施例３のインプリント用モールド構造体を作製した。
＜インプリント用モールド構造体の作製＞
実施例２におけるデータ領域の凹凸部における凹部の面積変化率（ＳＤ（ｒ））、及びサーボ領域の凹凸部における凹部の面積変化率（ＳＳ（ｒ））を表１のように変更した以外は、実施例２と同様にして、実施例３のインプリント用モールド構造体を作製した。
＜ＳＳ（ｒ）／ＳＤ（ｒ）の算出＞
実施例１と同様にして、データ領域の凹凸部における凹部の面積変化率（ＳＤ（ｒ））、及びサーボ領域の凹凸部における凹部の面積変化率（ＳＳ（ｒ））を測定し、ＳＳ（ｒ）／ＳＤ（ｒ）を計算したところ、ｒ０であり、−０．５≦ｘ≦０．５の範囲で半径ｒｘと比例関係であることが認められた。結果を表１に示す。
実施例１と同様にして、データ領域の凹凸部における凹部の面積変化率（ＳＤ（ｒ））、及びサーボ領域の凹凸部における凹部の面積変化率（ＳＳ（ｒ））を測定し、ＳＳ（ｒ）／ＳＤ（ｒ）を計算したところ、ｒ０であり、−０．５≦ｘ≦０．５の範囲で半径ｒｘと比例関係であることが認められた。結果を表１に示す。
＜磁気記録媒体の作製＞
上記において作製したインプリント用モールド構造体を用いて、実施例２と同様にして、実施例３の磁気記録媒体を作製した。
上記において作製したインプリント用モールド構造体を用いて、実施例２と同様にして、実施例３の磁気記録媒体を作製した。
＜レジストパターンの成形性の評価＞
実施例１と同様にして、レジストパターンの成形性を評価した。結果を表１に示す。
実施例１と同様にして、レジストパターンの成形性を評価した。結果を表１に示す。
＜磁気記録媒体の評価＞
作製した磁気記録媒体について、実施例１と同様にして、サーボ信号の品位を評価した。結果を表１に示す。
作製した磁気記録媒体について、実施例１と同様にして、サーボ信号の品位を評価した。結果を表１に示す。
（実施例４）
＜インプリント用モールド構造体の作製＞
実施例２における凹部の面積変化率（ＳＤ（ｒ））、及びサーボ領域の凹凸部における凹部の面積変化率（ＳＳ（ｒ））を表１のように変更した以外は、実施例２と同様にして、実施例４のインプリント用モールド構造体を作製した。
＜インプリント用モールド構造体の作製＞
実施例２における凹部の面積変化率（ＳＤ（ｒ））、及びサーボ領域の凹凸部における凹部の面積変化率（ＳＳ（ｒ））を表１のように変更した以外は、実施例２と同様にして、実施例４のインプリント用モールド構造体を作製した。
＜ＳＳ（ｒ）／ＳＤ（ｒ）の算出＞
実施例１と同様にして、データ領域の凹凸部における凹部の面積変化率（ＳＤ（ｒ））、及びサーボ領域の凹凸部における凹部の面積変化率（ＳＳ（ｒ））を測定し、ＳＳ（ｒ）／ＳＤ（ｒ）を計算したところ、ｒ−０．５であり、−０．５≦ｘ≦０．５の範囲で半径ｒｘと比例関係であることが認められた。結果を表１に示す。
実施例１と同様にして、データ領域の凹凸部における凹部の面積変化率（ＳＤ（ｒ））、及びサーボ領域の凹凸部における凹部の面積変化率（ＳＳ（ｒ））を測定し、ＳＳ（ｒ）／ＳＤ（ｒ）を計算したところ、ｒ−０．５であり、−０．５≦ｘ≦０．５の範囲で半径ｒｘと比例関係であることが認められた。結果を表１に示す。
＜磁気記録媒体の作製＞
上記において作製したインプリント用モールド構造体を用いて、実施例２と同様にして、実施例４の磁気記録媒体を作製した。
上記において作製したインプリント用モールド構造体を用いて、実施例２と同様にして、実施例４の磁気記録媒体を作製した。
＜レジストパターンの成形性の評価＞
実施例１と同様にして、レジストパターンの成形性を評価した。結果を表１に示す。
実施例１と同様にして、レジストパターンの成形性を評価した。結果を表１に示す。
＜磁気記録媒体の評価＞
作製した磁気記録媒体について、実施例１と同様にして、サーボ信号の品位を評価した。結果を表１に示す。
作製した磁気記録媒体について、実施例１と同様にして、サーボ信号の品位を評価した。結果を表１に示す。
（実施例５）
＜インプリント用モールド構造体の作製＞
実施例２における凹部の面積変化率（ＳＤ（ｒ））、及びサーボ領域の凹凸部における凹部の面積変化率（ＳＳ（ｒ））を表１のように変更した以外は、実施例２と同様にして、実施例５のインプリント用モールド構造体を作製した。
＜インプリント用モールド構造体の作製＞
実施例２における凹部の面積変化率（ＳＤ（ｒ））、及びサーボ領域の凹凸部における凹部の面積変化率（ＳＳ（ｒ））を表１のように変更した以外は、実施例２と同様にして、実施例５のインプリント用モールド構造体を作製した。
＜ＳＳ（ｒ）／ＳＤ（ｒ）の算出＞
実施例１と同様にして、データ領域の凹凸部における凹部の面積変化率（ＳＤ（ｒ））、及びサーボ領域の凹凸部における凹部の面積変化率（ＳＳ（ｒ））を測定し、ＳＳ（ｒ）／ＳＤ（ｒ）を計算したところ、ｒ０．７であり、−０．５≦ｘ≦０．５の範囲で半径ｒｘと比例関係ではないことが認められた。結果を表１に示す。
実施例１と同様にして、データ領域の凹凸部における凹部の面積変化率（ＳＤ（ｒ））、及びサーボ領域の凹凸部における凹部の面積変化率（ＳＳ（ｒ））を測定し、ＳＳ（ｒ）／ＳＤ（ｒ）を計算したところ、ｒ０．７であり、−０．５≦ｘ≦０．５の範囲で半径ｒｘと比例関係ではないことが認められた。結果を表１に示す。
＜磁気記録媒体の作製＞
上記において作製したインプリント用モールド構造体を用いて、実施例２と同様にして、実施例５の磁気記録媒体を作製した。
上記において作製したインプリント用モールド構造体を用いて、実施例２と同様にして、実施例５の磁気記録媒体を作製した。
＜レジストパターンの成形性の評価＞
実施例１と同様にして、レジストパターンの成形性を評価した。結果を表１に示す。
実施例１と同様にして、レジストパターンの成形性を評価した。結果を表１に示す。
＜磁気記録媒体の評価＞
作製した磁気記録媒体について、実施例１と同様にして、サーボ信号の品位を評価した。結果を表１に示す。
作製した磁気記録媒体について、実施例１と同様にして、サーボ信号の品位を評価した。結果を表１に示す。
（実施例６）
＜インプリント用モールド構造体の作製＞
実施例２における凹部の面積変化率（ＳＤ（ｒ））、及びサーボ領域の凹凸部における凹部の面積変化率（ＳＳ（ｒ））を表１のように変更した以外は、実施例２と同様にして、実施例６のインプリント用モールド構造体を作製した。
＜インプリント用モールド構造体の作製＞
実施例２における凹部の面積変化率（ＳＤ（ｒ））、及びサーボ領域の凹凸部における凹部の面積変化率（ＳＳ（ｒ））を表１のように変更した以外は、実施例２と同様にして、実施例６のインプリント用モールド構造体を作製した。
＜ＳＳ（ｒ）／ＳＤ（ｒ）の算出＞
実施例１と同様にして、データ領域の凹凸部における凹部の面積変化率（ＳＤ（ｒ））、及びサーボ領域の凹凸部における凹部の面積変化率（ＳＳ（ｒ））を測定し、ＳＳ（ｒ）／ＳＤ（ｒ）を計算したところ、ｒ−０．７であり、−０．５≦ｘ≦０．５の範囲で半径ｒｘと比例関係ではなかった。結果を表１に示す。
実施例１と同様にして、データ領域の凹凸部における凹部の面積変化率（ＳＤ（ｒ））、及びサーボ領域の凹凸部における凹部の面積変化率（ＳＳ（ｒ））を測定し、ＳＳ（ｒ）／ＳＤ（ｒ）を計算したところ、ｒ−０．７であり、−０．５≦ｘ≦０．５の範囲で半径ｒｘと比例関係ではなかった。結果を表１に示す。
＜磁気記録媒体の作製＞
上記において作製したインプリント用モールド構造体を用いて、実施例２と同様にして、実施例６の磁気記録媒体を作製した。
上記において作製したインプリント用モールド構造体を用いて、実施例２と同様にして、実施例６の磁気記録媒体を作製した。
＜レジストパターンの成形性の評価＞
実施例１と同様にして、レジストパターンの成形性を評価した。結果を表１に示す。
実施例１と同様にして、レジストパターンの成形性を評価した。結果を表１に示す。
＜磁気記録媒体の評価＞
作製した磁気記録媒体について、実施例１と同様にして、サーボ信号の品位を評価した。結果を表１に示す。
作製した磁気記録媒体について、実施例１と同様にして、サーボ信号の品位を評価した。結果を表１に示す。
（実施例７）
＜インプリント用モールド構造体の作製＞
実施例２におけるＴＳＳ／ＴＳＡを表１のように変更した以外は、実施例２と同様にして、実施例７のインプリント用モールド構造体を作製した。
＜インプリント用モールド構造体の作製＞
実施例２におけるＴＳＳ／ＴＳＡを表１のように変更した以外は、実施例２と同様にして、実施例７のインプリント用モールド構造体を作製した。
＜ＳＳ（ｒ）／ＳＤ（ｒ）の算出＞
実施例１と同様にして、データ領域の凹凸部における凹部の面積変化率（ＳＤ（ｒ））、及びサーボ領域の凹凸部における凹部の面積変化率（ＳＳ（ｒ））を測定し、ＳＳ（ｒ）／ＳＤ（ｒ）を計算したところ、ｒ０であり、−０．５≦ｘ≦０．５の範囲で半径ｒｘと比例関係であることが認められた。結果を表１に示す。
実施例１と同様にして、データ領域の凹凸部における凹部の面積変化率（ＳＤ（ｒ））、及びサーボ領域の凹凸部における凹部の面積変化率（ＳＳ（ｒ））を測定し、ＳＳ（ｒ）／ＳＤ（ｒ）を計算したところ、ｒ０であり、−０．５≦ｘ≦０．５の範囲で半径ｒｘと比例関係であることが認められた。結果を表１に示す。
＜磁気記録媒体の作製＞
上記において作製したインプリント用モールド構造体を用いて、実施例２と同様にして、実施例７の磁気記録媒体を作製した。
上記において作製したインプリント用モールド構造体を用いて、実施例２と同様にして、実施例７の磁気記録媒体を作製した。
＜レジストパターンの成形性の評価＞
実施例１と同様にして、レジストパターンの成形性を評価した。結果を表１に示す。
実施例１と同様にして、レジストパターンの成形性を評価した。結果を表１に示す。
＜磁気記録媒体の評価＞
作製した磁気記録媒体について、実施例１と同様にして、サーボ信号の品位を評価した。結果を表１に示す。
作製した磁気記録媒体について、実施例１と同様にして、サーボ信号の品位を評価した。結果を表１に示す。
（実施例８）
＜インプリント用モールド構造体の作製＞
実施例２におけるＴＳＳ／ＴＳＡを表１のように変更した以外は、実施例２と同様にして、実施例８のインプリント用モールド構造体を作製した。
＜インプリント用モールド構造体の作製＞
実施例２におけるＴＳＳ／ＴＳＡを表１のように変更した以外は、実施例２と同様にして、実施例８のインプリント用モールド構造体を作製した。
＜ＳＳ（ｒ）／ＳＤ（ｒ）の算出＞
実施例１と同様にして、データ領域の凹凸部における凹部の面積変化率（ＳＤ（ｒ））、及びサーボ領域の凹凸部における凹部の面積変化率（ＳＳ（ｒ））を測定し、ＳＳ（ｒ）／ＳＤ（ｒ）を計算したところ、ｒ０であり、−０．５≦ｘ≦０．５の範囲で半径ｒｘと比例関係であることが認められた。結果を表１に示す。
実施例１と同様にして、データ領域の凹凸部における凹部の面積変化率（ＳＤ（ｒ））、及びサーボ領域の凹凸部における凹部の面積変化率（ＳＳ（ｒ））を測定し、ＳＳ（ｒ）／ＳＤ（ｒ）を計算したところ、ｒ０であり、−０．５≦ｘ≦０．５の範囲で半径ｒｘと比例関係であることが認められた。結果を表１に示す。
＜磁気記録媒体の作製＞
上記において作製したインプリント用モールド構造体を用いて、レジストの厚さを表１に示すように変更した以外は実施例２と同様にして、実施例８の磁気記録媒体を作製した。
上記において作製したインプリント用モールド構造体を用いて、レジストの厚さを表１に示すように変更した以外は実施例２と同様にして、実施例８の磁気記録媒体を作製した。
＜レジストパターンの成形性の評価＞
実施例１と同様にして、レジストパターンの成形性を評価した。結果を表１に示す。
実施例１と同様にして、レジストパターンの成形性を評価した。結果を表１に示す。
＜磁気記録媒体の評価＞
作製した磁気記録媒体について、実施例１と同様にして、サーボ信号の品位を評価した。結果を表１に示す。
作製した磁気記録媒体について、実施例１と同様にして、サーボ信号の品位を評価した。結果を表１に示す。
（実施例９）
＜インプリント用モールド構造体の作製＞
実施例８と同様のインプリント用モールド構造体を作製した。
＜インプリント用モールド構造体の作製＞
実施例８と同様のインプリント用モールド構造体を作製した。
＜ＳＳ（ｒ）／ＳＤ（ｒ）の算出＞
実施例１と同様にして、データ領域の凹凸部における凹部の面積変化率（ＳＤ（ｒ））、及びサーボ領域の凹凸部における凹部の面積変化率（ＳＳ（ｒ））を測定し、ＳＳ（ｒ）／ＳＤ（ｒ）を計算したところ、ｒ０であり、−０．５≦ｘ≦０．５の範囲で半径ｒｘと比例関係であることが認められた。結果を表１に示す。
実施例１と同様にして、データ領域の凹凸部における凹部の面積変化率（ＳＤ（ｒ））、及びサーボ領域の凹凸部における凹部の面積変化率（ＳＳ（ｒ））を測定し、ＳＳ（ｒ）／ＳＤ（ｒ）を計算したところ、ｒ０であり、−０．５≦ｘ≦０．５の範囲で半径ｒｘと比例関係であることが認められた。結果を表１に示す。
＜磁気記録媒体の作製＞
上記において作製したインプリント用モールド構造体を用いて、レジスト、及びその厚さを表１に示すように変更した以外は実施例８と同様にして、実施例９の磁気記録媒体を作製した。
上記において作製したインプリント用モールド構造体を用いて、レジスト、及びその厚さを表１に示すように変更した以外は実施例８と同様にして、実施例９の磁気記録媒体を作製した。
＜レジストパターンの成形性の評価＞
実施例１と同様にして、レジストパターンの成形性を評価した。結果を表１に示す。
実施例１と同様にして、レジストパターンの成形性を評価した。結果を表１に示す。
＜磁気記録媒体の評価＞
作製した磁気記録媒体について、実施例１と同様にして、サーボ信号の品位を評価した。結果を表１に示す。
作製した磁気記録媒体について、実施例１と同様にして、サーボ信号の品位を評価した。結果を表１に示す。
（実施例１０）
＜インプリント用モールド構造体の作製＞
実施例８と同様のインプリント用モールド構造体を作製した。
＜インプリント用モールド構造体の作製＞
実施例８と同様のインプリント用モールド構造体を作製した。
＜ＳＳ（ｒ）／ＳＤ（ｒ）の算出＞
実施例１と同様にして、データ領域の凹凸部における凹部の面積変化率（ＳＤ（ｒ））、及びサーボ領域の凹凸部における凹部の面積変化率（ＳＳ（ｒ））を測定し、ＳＳ（ｒ）／ＳＤ（ｒ）を計算したところ、ｒ０であり、−０．５≦ｘ≦０．５の範囲で半径ｒｘと比例関係であることが認められた。結果を表１に示す。
実施例１と同様にして、データ領域の凹凸部における凹部の面積変化率（ＳＤ（ｒ））、及びサーボ領域の凹凸部における凹部の面積変化率（ＳＳ（ｒ））を測定し、ＳＳ（ｒ）／ＳＤ（ｒ）を計算したところ、ｒ０であり、−０．５≦ｘ≦０．５の範囲で半径ｒｘと比例関係であることが認められた。結果を表１に示す。
＜磁気記録媒体の作製＞
上記において作製したインプリント用モールド構造体を用いて、レジストの厚さを表１に示すように変更した以外は実施例２と同様にして、実施例８の磁気記録媒体を作製した。
上記において作製したインプリント用モールド構造体を用いて、レジストの厚さを表１に示すように変更した以外は実施例２と同様にして、実施例８の磁気記録媒体を作製した。
＜レジストパターンの成形性の評価＞
実施例１と同様にして、レジストパターンの成形性を評価した。結果を表１に示す。
実施例１と同様にして、レジストパターンの成形性を評価した。結果を表１に示す。
＜磁気記録媒体の評価＞
作製した磁気記録媒体について、実施例１と同様にして、サーボ信号の品位を評価した。結果を表１に示す。
作製した磁気記録媒体について、実施例１と同様にして、サーボ信号の品位を評価した。結果を表１に示す。
（実施例１１）
＜インプリント用モールド構造体の作製＞
実施例１０におけるＴＳＳ／ＴＳＡを表１のように変更した以外は、実施例１０と同様にして、実施例１１のインプリント用モールド構造体を作製した。
＜インプリント用モールド構造体の作製＞
実施例１０におけるＴＳＳ／ＴＳＡを表１のように変更した以外は、実施例１０と同様にして、実施例１１のインプリント用モールド構造体を作製した。
＜ＳＳ（ｒ）／ＳＤ（ｒ）の算出＞
実施例１と同様にして、データ領域の凹凸部における凹部の面積変化率（ＳＤ（ｒ））、及びサーボ領域の凹凸部における凹部の面積変化率（ＳＳ（ｒ））を測定し、ＳＳ（ｒ）／ＳＤ（ｒ）を計算したところ、ｒ０であり、−０．５≦ｘ≦０．５の範囲で半径ｒｘと比例関係であることが認められた。結果を表１に示す。
実施例１と同様にして、データ領域の凹凸部における凹部の面積変化率（ＳＤ（ｒ））、及びサーボ領域の凹凸部における凹部の面積変化率（ＳＳ（ｒ））を測定し、ＳＳ（ｒ）／ＳＤ（ｒ）を計算したところ、ｒ０であり、−０．５≦ｘ≦０．５の範囲で半径ｒｘと比例関係であることが認められた。結果を表１に示す。
＜磁気記録媒体の作製＞
上記において作製したインプリント用モールド構造体を用いて、実施例１０と同様にして、実施例１１の磁気記録媒体を作製した。
上記において作製したインプリント用モールド構造体を用いて、実施例１０と同様にして、実施例１１の磁気記録媒体を作製した。
＜レジストパターンの成形性の評価＞
実施例１と同様にして、レジストパターンの成形性を評価した。結果を表１に示す。
実施例１と同様にして、レジストパターンの成形性を評価した。結果を表１に示す。
＜磁気記録媒体の評価＞
作製した磁気記録媒体について、実施例１と同様にして、サーボ信号の品位を評価した。結果を表１に示す。
作製した磁気記録媒体について、実施例１と同様にして、サーボ信号の品位を評価した。結果を表１に示す。
＜磁気記録媒体の作製＞
上記において作製したインプリント用モールド構造体を用いて、実施例１０と同様にして、実施例１１の磁気記録媒体を作製した。
上記において作製したインプリント用モールド構造体を用いて、実施例１０と同様にして、実施例１１の磁気記録媒体を作製した。
＜レジストパターンの成形性の評価＞
実施例１と同様にして、レジストパターンの成形性を評価した。結果を表１に示す。
実施例１と同様にして、レジストパターンの成形性を評価した。結果を表１に示す。
＜磁気記録媒体の評価＞
作製した磁気記録媒体について、実施例１と同様にして、サーボ信号の品位を評価した。結果を表１に示す。
作製した磁気記録媒体について、実施例１と同様にして、サーボ信号の品位を評価した。結果を表１に示す。
（実施例１２）
＜インプリント用モールド構造体の作製＞
実施例１と同様のインプリント用モールド構造体を作製した。
＜インプリント用モールド構造体の作製＞
実施例１と同様のインプリント用モールド構造体を作製した。
＜ＳＳ（ｒ）／ＳＤ（ｒ）の算出＞
実施例１と同様にして、データ領域の凹凸部における凹部の面積変化率（ＳＤ（ｒ））、及びサーボ領域の凹凸部における凹部の面積変化率（ＳＳ（ｒ））を測定し、ＳＳ（ｒ）／ＳＤ（ｒ）を計算したところ、ｒ−０．７であり、−０．５≦ｘ≦０．５の範囲で半径ｒｘと比例関係ではなかった。結果を表１に示す。
実施例１と同様にして、データ領域の凹凸部における凹部の面積変化率（ＳＤ（ｒ））、及びサーボ領域の凹凸部における凹部の面積変化率（ＳＳ（ｒ））を測定し、ＳＳ（ｒ）／ＳＤ（ｒ）を計算したところ、ｒ−０．７であり、−０．５≦ｘ≦０．５の範囲で半径ｒｘと比例関係ではなかった。結果を表１に示す。
＜磁気記録媒体の作製＞
上記において作製したインプリント用モールド構造体を用いて、実施例１と同様にして、実施例１２の磁気記録媒体を作製した。
上記において作製したインプリント用モールド構造体を用いて、実施例１と同様にして、実施例１２の磁気記録媒体を作製した。
＜レジストパターンの成形性の評価＞
実施例１と同様にして、レジストパターンの成形性を評価した。結果を表１に示す。
実施例１と同様にして、レジストパターンの成形性を評価した。結果を表１に示す。
＜磁気記録媒体の評価＞
作製した磁気記録媒体について、実施例１と同様にして、サーボ信号の品位を評価した。結果を表１に示す。
作製した磁気記録媒体について、実施例１と同様にして、サーボ信号の品位を評価した。結果を表１に示す。
（実施例１３）
＜インプリント用モールド構造体の作製＞
実施例１と同様のインプリント用モールド構造体を作製した。
＜インプリント用モールド構造体の作製＞
実施例１と同様のインプリント用モールド構造体を作製した。
＜ＳＳ（ｒ）／ＳＤ（ｒ）の算出＞
実施例１と同様にして、データ領域の凹凸部における凹部の面積変化率（ＳＤ（ｒ））、及びサーボ領域の凹凸部における凹部の面積変化率（ＳＳ（ｒ））を測定し、ＳＳ（ｒ）／ＳＤ（ｒ）を計算したところ、ｒ−０．７であり、−０．５≦ｘ≦０．５の範囲で半径ｒｘと比例関係ではなかった。結果を表１に示す。
実施例１と同様にして、データ領域の凹凸部における凹部の面積変化率（ＳＤ（ｒ））、及びサーボ領域の凹凸部における凹部の面積変化率（ＳＳ（ｒ））を測定し、ＳＳ（ｒ）／ＳＤ（ｒ）を計算したところ、ｒ−０．７であり、−０．５≦ｘ≦０．５の範囲で半径ｒｘと比例関係ではなかった。結果を表１に示す。
＜磁気記録媒体の作製＞
上記において作製したインプリント用モールド構造体を用いて、インプリントレジスト組成物をアセトンで２倍に希釈したものを用いた以外は実施例１と同様にして、実施例１３の磁気記録媒体を作製した。
上記において作製したインプリント用モールド構造体を用いて、インプリントレジスト組成物をアセトンで２倍に希釈したものを用いた以外は実施例１と同様にして、実施例１３の磁気記録媒体を作製した。
＜レジストパターンの成形性の評価＞
実施例１と同様にして、レジストパターンの成形性を評価した。結果を表１に示す。
実施例１と同様にして、レジストパターンの成形性を評価した。結果を表１に示す。
＜磁気記録媒体の評価＞
作製した磁気記録媒体について、実施例１と同様にして、サーボ信号の品位を評価した。結果を表１に示す。
作製した磁気記録媒体について、実施例１と同様にして、サーボ信号の品位を評価した。結果を表１に示す。
（比較例１）
＜インプリント用モールド構造体の作製＞
実施例３と同様のインプリント用モールド構造体を作製した。
＜インプリント用モールド構造体の作製＞
実施例３と同様のインプリント用モールド構造体を作製した。
＜ＳＳ（ｒ）／ＳＤ（ｒ）の算出＞
実施例１と同様にして、データ領域の凹凸部における凹部の面積変化率（ＳＤ（ｒ））、及びサーボ領域の凹凸部における凹部の面積変化率（ＳＳ（ｒ））を測定し、ＳＳ（ｒ）／ＳＤ（ｒ）を計算したところ、ｒ０であり、−０．５≦ｘ≦０．５の範囲で半径ｒｘと比例関係であることが認められた。結果を表１に示す。
実施例１と同様にして、データ領域の凹凸部における凹部の面積変化率（ＳＤ（ｒ））、及びサーボ領域の凹凸部における凹部の面積変化率（ＳＳ（ｒ））を測定し、ＳＳ（ｒ）／ＳＤ（ｒ）を計算したところ、ｒ０であり、−０．５≦ｘ≦０．５の範囲で半径ｒｘと比例関係であることが認められた。結果を表１に示す。
＜磁気記録媒体の作製＞
上記において作製したインプリント用モールド構造体を用いて、レジストを表１に示したものに変更した以外は実施例３と同様にして、比較例１の磁気記録媒体を作製した。
上記において作製したインプリント用モールド構造体を用いて、レジストを表１に示したものに変更した以外は実施例３と同様にして、比較例１の磁気記録媒体を作製した。
＜レジストパターンの成形性の評価＞
実施例１と同様にして、レジストパターンの成形性を評価した。結果を表１に示す。
実施例１と同様にして、レジストパターンの成形性を評価した。結果を表１に示す。
＜磁気記録媒体の評価＞
作製した磁気記録媒体について、実施例１と同様にして、サーボ信号の品位を評価した。結果を表１に示す。
作製した磁気記録媒体について、実施例１と同様にして、サーボ信号の品位を評価した。結果を表１に示す。
（比較例２）
＜インプリント用モールド構造体の作製＞
実施例３と同様のインプリント用モールド構造体を作製した。
＜インプリント用モールド構造体の作製＞
実施例３と同様のインプリント用モールド構造体を作製した。
＜ＳＳ（ｒ）／ＳＤ（ｒ）の算出＞
実施例１と同様にして、データ領域の凹凸部における凹部の面積変化率（ＳＤ（ｒ））、及びサーボ領域の凹凸部における凹部の面積変化率（ＳＳ（ｒ））を測定し、ＳＳ（ｒ）／ＳＤ（ｒ）を計算したところ、ｒ０であり、−０．５≦ｘ≦０．５の範囲で半径ｒｘと比例関係であることが認められた。結果を表１に示す。
実施例１と同様にして、データ領域の凹凸部における凹部の面積変化率（ＳＤ（ｒ））、及びサーボ領域の凹凸部における凹部の面積変化率（ＳＳ（ｒ））を測定し、ＳＳ（ｒ）／ＳＤ（ｒ）を計算したところ、ｒ０であり、−０．５≦ｘ≦０．５の範囲で半径ｒｘと比例関係であることが認められた。結果を表１に示す。
＜磁気記録媒体の作製＞
上記において作製したインプリント用モールド構造体を用いて、レジストを表１に示したものに変更した以外は比較例１と同様にして、比較例２の磁気記録媒体を作製した。
上記において作製したインプリント用モールド構造体を用いて、レジストを表１に示したものに変更した以外は比較例１と同様にして、比較例２の磁気記録媒体を作製した。
＜レジストパターンの成形性の評価＞
実施例１と同様にして、レジストパターンの成形性を評価した。結果を表１に示す。
実施例１と同様にして、レジストパターンの成形性を評価した。結果を表１に示す。
＜磁気記録媒体の評価＞
作製した磁気記録媒体について、実施例１と同様にして、サーボ信号の品位を評価した。結果を表１に示す。
作製した磁気記録媒体について、実施例１と同様にして、サーボ信号の品位を評価した。結果を表１に示す。
（比較例３）
＜インプリント用モールド構造体の作製＞
実施例３におけるＴＳＳ／ＴＳＡを表１のように変更した以外は、実施例３と同様にして、比較例３のインプリント用モールド構造体を作製した。
＜インプリント用モールド構造体の作製＞
実施例３におけるＴＳＳ／ＴＳＡを表１のように変更した以外は、実施例３と同様にして、比較例３のインプリント用モールド構造体を作製した。
＜ＳＳ（ｒ）／ＳＤ（ｒ）の算出＞
実施例１と同様にして、データ領域の凹凸部における凹部の面積変化率（ＳＤ（ｒ））、及びサーボ領域の凹凸部における凹部の面積変化率（ＳＳ（ｒ））を測定し、ＳＳ（ｒ）／ＳＤ（ｒ）を計算したところ、ｒ０であり、−０．５≦ｘ≦０．５の範囲で半径ｒｘと比例関係であることが認められた。結果を表１に示す。
実施例１と同様にして、データ領域の凹凸部における凹部の面積変化率（ＳＤ（ｒ））、及びサーボ領域の凹凸部における凹部の面積変化率（ＳＳ（ｒ））を測定し、ＳＳ（ｒ）／ＳＤ（ｒ）を計算したところ、ｒ０であり、−０．５≦ｘ≦０．５の範囲で半径ｒｘと比例関係であることが認められた。結果を表１に示す。
＜磁気記録媒体の作製＞
上記において作製したインプリント用モールド構造体を用いて、レジストを表１に示したものに変更した以外は実施例３と同様にして、比較例３の磁気記録媒体を作製した。
上記において作製したインプリント用モールド構造体を用いて、レジストを表１に示したものに変更した以外は実施例３と同様にして、比較例３の磁気記録媒体を作製した。
＜レジストパターンの成形性の評価＞
実施例１と同様にして、レジストパターンの成形性を評価した。結果を表１に示す。
実施例１と同様にして、レジストパターンの成形性を評価した。結果を表１に示す。
＜磁気記録媒体の評価＞
作製した磁気記録媒体について、実施例１と同様にして、サーボ信号の品位を評価した。結果を表１に示す。
作製した磁気記録媒体について、実施例１と同様にして、サーボ信号の品位を評価した。結果を表１に示す。
（比較例４）
＜インプリント用モールド構造体の作製＞
実施例３と同様のインプリント用モールド構造体を作製した。
＜インプリント用モールド構造体の作製＞
実施例３と同様のインプリント用モールド構造体を作製した。
＜ＳＳ（ｒ）／ＳＤ（ｒ）の算出＞
実施例１と同様にして、データ領域の凹凸部における凹部の面積変化率（ＳＤ（ｒ））、及びサーボ領域の凹凸部における凹部の面積変化率（ＳＳ（ｒ））を測定し、ＳＳ（ｒ）／ＳＤ（ｒ）を計算したところ、ｒ０であり、−０．５≦ｘ≦０．５の範囲で半径ｒｘと比例関係であることが認められた。結果を表１に示す。
実施例１と同様にして、データ領域の凹凸部における凹部の面積変化率（ＳＤ（ｒ））、及びサーボ領域の凹凸部における凹部の面積変化率（ＳＳ（ｒ））を測定し、ＳＳ（ｒ）／ＳＤ（ｒ）を計算したところ、ｒ０であり、−０．５≦ｘ≦０．５の範囲で半径ｒｘと比例関係であることが認められた。結果を表１に示す。
＜磁気記録媒体の作製＞
上記において作製したインプリント用モールド構造体を用いて、レジストの厚さを表１に示すように変更した以外は実施例３と同様にして、比較例４の磁気記録媒体を作製した。
上記において作製したインプリント用モールド構造体を用いて、レジストの厚さを表１に示すように変更した以外は実施例３と同様にして、比較例４の磁気記録媒体を作製した。
＜レジストパターンの成形性の評価＞
実施例１と同様にして、レジストパターンの成形性を評価した。結果を表１に示す。
実施例１と同様にして、レジストパターンの成形性を評価した。結果を表１に示す。
＜磁気記録媒体の評価＞
作製した磁気記録媒体について、実施例１と同様にして、サーボ信号の品位を評価した。結果を表１に示す。
作製した磁気記録媒体について、実施例１と同様にして、サーボ信号の品位を評価した。結果を表１に示す。
（比較例５）
＜インプリント用モールド構造体の作製＞
実施例３と同様のインプリント用モールド構造体を作製した。
＜インプリント用モールド構造体の作製＞
実施例３と同様のインプリント用モールド構造体を作製した。
＜ＳＳ（ｒ）／ＳＤ（ｒ）の算出＞
実施例１と同様にして、データ領域の凹凸部における凹部の面積変化率（ＳＤ（ｒ））、及びサーボ領域の凹凸部における凹部の面積変化率（ＳＳ（ｒ））を測定し、ＳＳ（ｒ）／ＳＤ（ｒ）を計算したところ、ｒ０であり、−０．５≦ｘ≦０．５の範囲で半径ｒｘと比例関係であることが認められた。結果を表１に示す。
実施例１と同様にして、データ領域の凹凸部における凹部の面積変化率（ＳＤ（ｒ））、及びサーボ領域の凹凸部における凹部の面積変化率（ＳＳ（ｒ））を測定し、ＳＳ（ｒ）／ＳＤ（ｒ）を計算したところ、ｒ０であり、−０．５≦ｘ≦０．５の範囲で半径ｒｘと比例関係であることが認められた。結果を表１に示す。
＜磁気記録媒体の作製＞
上記において作製したインプリント用モールド構造体を用いて、レジストの厚さを表１に示すように変更した以外は実施例３と同様にして、比較例５の磁気記録媒体を作製した。
上記において作製したインプリント用モールド構造体を用いて、レジストの厚さを表１に示すように変更した以外は実施例３と同様にして、比較例５の磁気記録媒体を作製した。
＜レジストパターンの成形性の評価＞
実施例１と同様にして、レジストパターンの成形性を評価した。結果を表１に示す。
実施例１と同様にして、レジストパターンの成形性を評価した。結果を表１に示す。
＜磁気記録媒体の評価＞
作製した磁気記録媒体について、実施例１と同様にして、サーボ信号の品位を評価した。結果を表１に示す。
作製した磁気記録媒体について、実施例１と同様にして、サーボ信号の品位を評価した。結果を表１に示す。
表１に示すように、数式（１）〜（２）を満たす実施例１〜１３によれば、数式（１）〜（２）を満たさない比較例１〜５に対して、転写性が高いインプリント用モールド構造体を提供することができた。
また、数式（１）〜（２）を満たす実施例１〜１３において作製されたインプリント用モールド構造体を用いることにより、数式（１）〜（２）を満たさない比較例１〜５よりも、記録再生特性に優れた磁気記録媒体を提供することができた。
また、数式（１）〜（２）を満たす実施例１〜１３において作製されたインプリント用モールド構造体を用いることにより、数式（１）〜（２）を満たさない比較例１〜５よりも、記録再生特性に優れた磁気記録媒体を提供することができた。
１ モールド構造体
２ 基板
２ａ 表面
３ データ領域の凹凸部
４ 凹部
５ 凸部
６ サーボ領域の凹凸部
７ 凹部
８ 凸部
１０ Ｓｉ基板
１１ Ｓｉ原盤
２１ フォトレジスト層
２４ インプリントレジスト層
２５ インプリントレジスト層
３０ 被加工基板
４０ 磁気記録媒体の基板
５０ 磁性層
７０ 非磁性材料
１００ 磁気記録媒体
１１０ データ領域
１２０ サーボ領域
１３０ データ領域
１４０ サーボ領域
２ 基板
２ａ 表面
３ データ領域の凹凸部
４ 凹部
５ 凸部
６ サーボ領域の凹凸部
７ 凹部
８ 凸部
１０ Ｓｉ基板
１１ Ｓｉ原盤
２１ フォトレジスト層
２４ インプリントレジスト層
２５ インプリントレジスト層
３０ 被加工基板
４０ 磁気記録媒体の基板
５０ 磁性層
７０ 非磁性材料
１００ 磁気記録媒体
１１０ データ領域
１２０ サーボ領域
１３０ データ領域
１４０ サーボ領域
Claims (6)
- 基板と、該基板の一の表面上に、該表面を基準として一の方向に複数の凸部が配列されることによって形成されたデータ領域の凹凸部と、前記表面上に、該表面を基準として前記一の方向と異なる方向に複数の凸部が配列されることによって形成されたサーボ領域の凹凸部とを有するインプリント用モールド構造体を、磁気記録媒体の基板上に形成されたインプリントレジスト組成物よりなるインプリントレジスト層に押圧して前記データ領域の凹凸部、及び前記サーボ領域の凹凸部に基づく凹凸パターンを転写する転写工程を少なくとも含む磁気記録媒体の製造方法であって、
前記インプリントレジスト層の厚さをＴＨとし、前記インプリント用モールド構造体の表面上に形成された凹部の面積をＴＳＡとし、前記サーボ領域の凹凸部における凹部の面積をＴＳＳとし、前記インプリントレジスト組成物の体積収縮率をρとしたとき、下記数式（１）〜（２）を満たすことを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
０．１４＜ＴＨ・ρ・（ＴＳＳ／ＴＳＡ）＜２．１・・・・・・・・・・・数式（１）
０．０５≦ρ≦０．２１・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・数式（２） - 一の方向が円板状の基板の円周方向であり、前記一の方向と異なる方向が、前記基板の略中心部から放射状に延びる方向である請求項１に記載の磁気記録媒体の製造方法。
- 基板の半径（ｒ）に対するデータ領域の凹凸部における面積変化率をＳＤ（ｒ）とし、前記基板の半径（ｒ）に対するサーボ領域の凹凸部における面積変化率をＳＳ（ｒ）としたとき、下記数式（３）を満たす請求項１から２のいずれかに記載の磁気記録媒体の製造方法。
ＳＳ（ｒ）／ＳＤ（ｒ）∝ｒｘ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・数式（３）
ただし、上記数式（３）において、−０．５≦ｘ≦０．５である。 - 下記数式（４）を満たす請求項１から３のいずれかに記載の磁気記録媒体の製造方法。
０．０５≦ＴＳＳ／ＴＳＡ≦０．３・・・・・・・・・・・・・数式（４） - インプリントレジスト組成物の粘度（Ｐ）が、０．５〜１０ｍＰａ・ｓである請求項１から４のいずれかに記載の磁気記録媒体の製造方法。
- 請求項１から５のいずれかに記載の磁気記録媒体の製造方法によって製造されたことを特徴とする磁気記録媒体。
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|---|---|---|---|
| JP2007212265A JP2009048689A (ja) | 2007-08-16 | 2007-08-16 | 磁気記録媒体の製造方法、及び磁気記録媒体 |
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|---|---|
| JP2009048689A true JP2009048689A (ja) | 2009-03-05 |
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ID=40500765
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| JP2007212265A Abandoned JP2009048689A (ja) | 2007-08-16 | 2007-08-16 | 磁気記録媒体の製造方法、及び磁気記録媒体 |
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|---|---|
| JP (1) | JP2009048689A (ja) |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| JPH07262698A (ja) * | 1994-03-22 | 1995-10-13 | Sony Corp | ディスク駆動装置 |
| JP2006031847A (ja) * | 2004-07-16 | 2006-02-02 | Toshiba Corp | 磁気ディスク媒体及び磁気ディスク装置 |
| WO2006114958A1 (ja) * | 2005-04-21 | 2006-11-02 | Asahi Glass Company, Limited | 光硬化性組成物、微細パターン形成体およびその製造方法 |
| JP2006309823A (ja) * | 2005-04-26 | 2006-11-09 | Tdk Corp | 情報記録媒体、記録再生装置およびスタンパー |
| JP2007095116A (ja) * | 2005-09-27 | 2007-04-12 | Toshiba Corp | 磁気記録媒体用スタンパ、それを用いた磁気記録媒体の製造方法、および磁気記録媒体用スタンパの製造方法 |
-
2007
- 2007-08-16 JP JP2007212265A patent/JP2009048689A/ja not_active Abandoned
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