JP5243232B2 - オニウム塩化合物、それを含む高分子化合物、前記高分子化合物を含む化学増幅型レジスト組成物、および前記組成物を用いたパターン形成方法 - Google Patents
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Description
R=(K1・λ)/(NA)
(式中、NA=nsinθ、R=解像度、λ=波長、NA=開口数、n=屈折率、θ=入射角)
前記式において、R1は水素、トリフルオロメチル、炭素数1〜5のアルキルまたは炭素数1〜5のアルコキシであり、Aは下記化学式2または3で表され、
本発明は下記化学式1で表される化合物を提供する。
前記A + は下記化学式4の化学式のうちのいずれか1つであることが好ましい。
ここで、R1’は水素、メチル、トリフルオロメチル、トリクロロメチル、トリブロモメチル、トリヨードメチルからなる群から選択されたものであり、MはLi、NaまたはKである。以下、本発明に係る前記化学式5の繰り返し単位、前記化学式6の繰り返し単位、および前記化学式7の繰り返し単位を含む高分子化合物の製造方法について説明する。
前記溶剤としては化学増幅型レジスト組成物に通常含まれるものを用いることができ、具体的にはプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、乳酸エチル、シクロヘキサノン、乳酸ブチル、プロピレングリコールモノメチルエーテルなどが挙げられる。
氷浴下でジフルオロスルホ酢酸エチルエステルナトリウム塩83gをメタノール160mlと1.2LのTHFに溶かし、水素化ホウ素ナトリウム(NaBH4)44gを徐々に滴加した。滴加が完了した後に氷浴を除去し、昇温して60℃で約4時間撹拌した。
前記合成例1で製造したジフルオロヒドロキシエタンスルホン酸ナトリウム塩68gとメタクリロイルクロライド54.6mlをジクロロメタン500mlに混ぜて撹拌した後、常温でN,N’−ジメチルアミノピリジン3.2g、AIBN(2,2’−Azobisisobutyronitrile、wako)50mgを入れて混合した。常温で滴下漏斗にトリエチルアミン104mlを準備して徐々に滴加した。常温で3時間撹拌した後、NMRによって反応有無を判断し反応を終結した。反応終結後、反応溶媒ジクロロメタンを減圧蒸留して除去し、水300mlを入れた後に炭酸カリウムを入れて飽和溶液を作った。2時間撹拌した後、生成された固体をフィルタして下記反応式2のように所望する構造の2−メチル−アクリル酸−2,2−ジフルオロ−2−スルホ−エチルエステルナトリウム塩81g(収率:86%)を取得し、その構造を1H NMRによって確認した(図1参照)。1H−NMR(DMSO、内部基準:テトラメチルシラン):(ppm)1.91(s、3H)、4.57〜4.67(t、2H)、5.77(s、1H)、6.11(s、1H)
前記合成例2で製造した2−メチル−アクリル酸−2,2−ジフルオロ−2−スルホ−エチルエステルナトリウム塩31gとジフェニルメチルフェニルスルホニウムトリフルオロメタンスルホニウム塩35gをジクロロメタン300ml、水300mlに溶かし入れ、二層反応をして3時間激しく撹拌した。
前記合成例1で製造したジフルオロヒドロキシエタンスルホン酸ナトリウム塩30gとアクリロイルクロライド20mlをジクロロメタン300mlに混合して撹拌した後、常温でN,N’−ジメチルアミノピリジン1.4g、重合防止剤38mgを入れて混合した。常温で滴加漏斗にトリエチルアミン45mlを準備して徐々に滴加した。常温で3時間撹拌した後、NMRによって反応有無を判断して反応を終結した。反応終結後、反応溶媒ジクロロメタンを減圧蒸留して除去し、水300mlを入れた後、炭酸カリウムを入れて飽和溶液を作った。2時間撹拌した後、生成された固体をフィルタして下記反応式のように所望する構造の2−アクリル酸−2,2−ジフルオロ−2−スルホ−エチルエステルナトリウム塩35g(収率:90%)を取得し、その構造を1H NMRによって確認した。
前記合成例4で製造した2−アクリル酸−2,2−ジフルオロ−2−スルホ−エチルエステルナトリウム塩20gとジフェニルメチルフェニルスルホニウムトリフルオロメタンスルホニウム塩35gをジクロロメタン200ml、水200mlに溶かし入れ、二層反応をして3時間激しく撹拌した。撹拌が完了した後に有機層を取り、19F NMRによって反応の進行程度を確認した。反応が終結した後、有機層を集めて溶媒を除去し、良溶媒であるジクロロメタンと貧溶媒であるヘキサンを用いて洗浄し、溶媒を除去して減圧乾燥し、2−アクリル酸−2,2−ジフルオロ−2−スルホ−エチルエステルジフェニルフルオロフェニルスルホニウム塩(2−acrylic acid−2,2−difluoro−2−sulfo−ethyl ester diphenyl fluorophenyl sulfonium salt)36g(収率89%)を収得し、その構造を1H NMRによって確認した。1H−NMR(クロロホルム−d3、内部基準:テトラメチルシラン):(ppm)1.95(s、3H)、2.43(s、3H)、4.82(t、2H)、5.78(d、1H)、6.00(dd、1H)、6.28(d、1H)7.43〜7.80(m、14H)
重合用単量体2−メチル2−アダマンチルアクリレート/γ−ブチロラクチルメタクリレート/3−ヒドロキシ1−アダマンチルメタクリレート/2−メチルアクリル酸−2,2−ジフルオロ−2−スルホ−エチルエステルジフェニルフルオロフェニルスルホニウム塩の各々を13g/8.4g/11.6g/10gずつ1,2−ジクロロエタン58gに先に溶かした。その次、250mlフラスコにノルボルネン3.7g、重合開始剤としてAIBN2.5g、および重合溶媒として1,2−ジクロロエタン117gを入れた後、窒素ガス注入下、常温で1時間撹拌した。反応槽の温度を65℃に維持し、前記のビーカーに溶かした重合用単量体を1時間にかけて徐々に滴加した後に16時間反応させ、重合が完了した溶液を常温に冷却させた。常温に冷却された反応溶液をヘキサンに沈殿させた後に濾過した。濾過時には同一の溶媒で数回洗浄した後に減圧乾燥し、化学式13で表される重合体37g(収率79%)を得た。
重合用単量体2−メチルペンチルアクリレート/γ−ブチロラクチルメタクリレート/3−ヒドロキシ1−アダマンチルメタクリレート/2−メチルアクリル酸−2,2−ジフルオロ−2−スルホ−エチルエステルジフェニルフルオロフェニルスルホニウム塩の各々を15.2g/10g/10/4gずつ1,2−ジクロロエタン49gに先に溶かした。その次、250mlフラスコにノルボルネン3.7g、重合開始剤としてAIBN5g、および重合溶媒として1,2−ジクロロエタン98gを入れた後、窒素ガス注入下、常温で1時間撹拌した。反応槽の温度を65℃に維持し、前記のビーカーに溶かした重合用単量体を1時間にかけて徐々に滴加した後に16時間反応させ、重合が完了した溶液を常温に冷却させた。常温に冷却された反応溶液をヘキサンに沈殿させた後に濾過した。濾過時には同一の溶媒で数回洗浄した後に減圧乾燥し、化学式14で表される重合体31g(収率81%)を得た。
重合用単量体2−メチル2−アダマンチルアクリレート/γ−ブチロラクチルメタクリレート/2−メチルアクリル酸−2,2−ジフルオロ−2−スルホ−エチルエステルジフェニルフルオロフェニルスルホニウム塩の各々を10.9g/7.7g/10gずつ1,2−ジクロロエタン65gに先に溶かした。その次、250mlフラスコにビシクロ[2.2.1]ヘプト−5−テン−2−プロパン酸、β−ヒドロキシ、1,1−ジメチルエチルエステル(Bicyclo[2.2.1]hept−5−ene−2−propanoic acid、β−hydroxy−1,1−dimethylethyl ester、以下、BHPという)23g、重合開始剤としてAIBN5g、および重合溶媒として1,2−ジクロロエタン131gを入れた後、窒素ガス注入下、常温で1時間撹拌した。反応槽の温度を65℃に維持し、前記のビーカーに溶かした重合用単量体を1時間にかけて徐々に滴加した後に16時間反応させ、重合が完了した溶液を常温に冷却させた。常温に冷却された反応溶液をヘキサンに沈殿させた後に濾過した。濾過時には同一の溶媒で数回洗浄した後に減圧乾燥し、化学式15で表される重合体34g(収率66%)を得た。
重合用単量体2−イソプロピルアダマンチルメタクリレート/γ−ブチロラクチルメタクリレート/3−ヒドロキシ1−アダマンチルメタクリレート/2−メチルアクリル酸−2,2−ジフルオロ−2−スルホ−エチルエステルジフェニルフルオロフェニルスルホニウム塩の各々を18.1g/10.0g/15g/10gずつ1,2−ジクロロエタン74gに先に溶かした。その次、250mlフラスコにノルボルネン5.6g、重合開始剤としてAIBN6.4g、および重合溶媒として1,2−ジクロロエタン148gを入れた後、窒素ガス注入下、常温で1時間撹拌した。反応槽の温度を65℃に維持し、前記のビーカーに溶かした重合用単量体を1時間にかけて徐々に滴加した後に16時間反応させ、重合が完了した溶液を常温に冷却させた。常温に冷却された反応溶液をヘキサンに沈殿させた後に濾過した。濾過時には同一の溶媒で数回洗浄した後に減圧乾燥し、化学式16で表される重合体52g(収率88%)を得た。
重合用単量体2−メチル−2−アダマンチルアクリレート/γ−ブチロラクチルメタクリレート/2−メチルアクリル酸−2,2−ジフルオロ−2−スルホ−エチルエステルジフェニルフルオロフェニルスルホニウム塩の各々を22g/16.8g/10gずつ1,2−ジクロロエタン68gに先に溶かした。その次、250mlフラスコにノルボルネン5.6g、重合開始剤としてAIBN6.4g、および重合溶媒として1,2−ジクロロエタン136gを入れた後、窒素ガス注入下、常温で1時間撹拌した。反応槽の温度を65℃に維持し、前記のビーカーに溶かした重合用単量体を1時間にかけて徐々に滴加した後に16時間反応させ、重合が完了した溶液を常温に冷却させた。常温に冷却された反応溶液をヘキサンに沈殿させた後に濾過した。濾過時には同一の溶媒で数回洗浄した後に減圧乾燥し、化学式17で表される重合体54g(収率90%)を得た。
重合用単量体2−メチル2−シクロペンチルアクリレート/γ−ブチロラクチルメタクリレート/3−ヒドロキシ1−アダマンチルメタクリレート/2−メチルアクリル酸−2,2−ジフルオロ−2−スルホ−エチルエステルジフェニルフルオロフェニルスルホニウム塩の各々を13.7g/10.1g/11.6g/10gずつ1,2−ジクロロエタン64gに先に溶かした。その次、250mlフラスコにノルボルネン5.6g、重合開始剤としてAIBN6.4g、および重合溶媒として1,2−ジクロロエタン128gを入れた後、窒素ガス注入下、常温で1時間撹拌した。反応槽の温度を65℃に維持し、前記のビーカーに溶かした重合用単量体を1時間にかけて徐々に滴加した後に16時間反応させ、重合が完了した溶液を常温に冷却させた。常温に冷却された反応溶液をヘキサンに沈殿させた後に濾過した。濾過時には同一の溶媒で数回洗浄した後に減圧乾燥し、化学式18で表される重合体53g(収率92%)を得た。
重合用単量体2−メチル2−アダマンチルメタクリレート/γ−ブチロラクチルメタクリレート/3−ヒドロキシ 1−アダマンチルメタクリレートの各々を10.0g/7.3g/10.1gずつ混合して、1,4−ジオキサン82gに溶かした後、反応槽の温度を徐々に65℃に上げた。反応温度を65℃に維持して16時間反応させ、重合が完了した溶液を常温に冷却させた。常温に冷却された反応溶液をヘキサンに沈殿させた後に濾過し、濾過時には同一の溶媒で数回洗浄した後に減圧乾燥し、化学式19で表される重合体25g(収率91%)を得た。
実施例1
前記合成例6で得られた重合体(化学式15で表される化合物)100質量部に対し、酸発生剤としてトリフェニルスルホニウムノナフレート2.5質量部と塩基性添加剤としてテトラメチルアンモニウムヒドロキシド0.75質量部をプロピレングリコールメチルエーテルアセテート1,000質量部に溶解させた後、0.2μm薄膜フィルタで濾過してレジスト組成物を調製した。
前記合成例7、8、9で得られた重合体(化学式16、17、18)を用いることを除いては、前記実施例1と同様に次の表1に示すレジスト組成物を調製した後、ポジティブレジストパターンを形成した後に各種の物性評価を実施し、その結果は次の表1に示す。
前記比較合成例で合成した化学式19で表される化合物である純粋メタクリレート重合体を用いることを除いては、次の表2に示す組成を用いて前記実施例1と同じ方法によってレジスト組成物を調製した。得られた各組成物溶液に対してArFエキシマレーザ露光装置(レンズ開口数0.75)を使って前記実施例1と同様にポジティブレジストパターンを形成した後に各種評価を実施し、その結果を次の表2に示す。
Claims (12)
- 下記化学式5の繰り返し単位、下記化学式6の繰り返し単位、および下記化学式7aまたは7bの繰り返し単位を含む高分子化合物。
前記式において、R1は水素、トリフルオロメチル、炭素数1〜5のアルキルまたは炭素数1〜5のアルコキシであり、Aは下記化学式2、3、または4−d”で表され、
前記式において、R2、R3、R4、R5、およびR6は、各々独立に、炭素数1〜20の置換もしくは非置換のアルキル基、炭素数3〜10の置換もしくは非置換のアリル基、炭素数1〜10の置換もしくは非置換のペルフルオロアルキル基、置換もしくは非置換のベンジル基または炭素数6〜30の置換もしくは非置換のアリール基であり、前記R2、R3、およびR4のうちの2つ以上が互いに連結され、飽和もしくは不飽和の炭素環または飽和もしくは不飽和の複素環を形成することができる。
前記式において、R7は水素原子、炭素数1〜30のアルキル基、またはエーテル基、エステル基、カルボニル基、アセタール基、エポキシ基、ニトリル基またはアルデヒド基を含む炭素数1〜30のアルキル基であり、R8は水素、メチル基またはトリフルオロメチル基である。
- 互いに異なる3種の前記化学式6の繰り返し単位を含む請求項1に記載の高分子化合物。
- 前記高分子化合物は下記化学式9のうちのいずれか1つで表される請求項2に記載の高分子化合物。
下記化学式9において、Aは下記化学式2、3、または4−d”で表され、
前記化学式2または3において、R2、R3、R4、R5、およびR6は、各々独立に、炭素数1〜20の置換もしくは非置換のアルキル基、炭素数3〜10の置換もしくは非置換のアリル基、炭素数1〜10の置換もしくは非置換のペルフルオロアルキル基、置換もしくは非置換のベンジル基または炭素数6〜30の置換もしくは非置換のアリール基であり、前記R2、R3、およびR4のうちの2つ以上が互いに連結され、飽和もしくは不飽和の炭素環または飽和もしくは不飽和の複素環を形成することができる。
- 酸不安定基を有する繰り返し単位、並びにヒドロキシ基、ラクトン環基、またはヒドロキシ基およびラクトン環基を含む繰り返し単位をさらに含む請求項1に記載の高分子化合物。
- 請求項1から5のいずれか記載の高分子化合物と、酸発生剤と、溶解抑制剤、塩基性添加剤、消泡剤、界面活性剤、酸拡散調節剤および接着補助剤からなる群より選択される1種以上の添加剤と、溶剤とを含む化学増幅型レジスト組成物。
- 前記高分子化合物内の−(SO3)−(A)+の含量が化学増幅型レジスト組成物の総固形分含量100質量部に対し0.5質量部〜15質量部である請求項6に記載の化学増幅型レジスト組成物。
- 前記高分子化合物の含量が化学増幅型レジスト組成物の3質量%以上である請求項6に
記載の化学増幅型レジスト組成物。 - 前記高分子化合物の含量が化学増幅型レジスト組成物の5質量%以上である請求項6に記載の化学増幅型レジスト組成物。
- (a)請求項6記載の化学増幅型レジスト組成物を基板上に塗布するステップと、
(b)前記化学増幅型レジスト組成物が塗布された基板を加熱処理した後、高エネルギー線で露光するステップと、
(c)前記(b)ステップの結果物を現像液で現像するステップと、を含むパターン形成方法。 - 前記高エネルギー線で露光するステップでは紫外線照射、X線照射またはe−ビーム照射を用いる請求項10に記載のパターン形成方法。
- 前記高エネルギー線の波長が180nm〜250nmである請求項10に記載のパターン形成方法。
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