JP2021123580A - カルボン酸塩、カルボン酸発生剤、レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法 - Google Patents
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- 239000000203 mixture Substances 0.000 title claims abstract description 158
- 150000007942 carboxylates Chemical class 0.000 title claims abstract description 104
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 8
- 150000001735 carboxylic acids Chemical class 0.000 title claims 4
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 claims abstract description 207
- 239000002253 acid Substances 0.000 claims abstract description 65
- 125000001183 hydrocarbyl group Chemical group 0.000 claims abstract 16
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 claims description 632
- -1 acryloyloxy group Chemical group 0.000 claims description 484
- 125000002723 alicyclic group Chemical group 0.000 claims description 239
- 125000001153 fluoro group Chemical group F* 0.000 claims description 111
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 claims description 107
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 105
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 105
- 125000002029 aromatic hydrocarbon group Chemical group 0.000 claims description 102
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 claims description 102
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 claims description 87
- 125000005843 halogen group Chemical group 0.000 claims description 83
- 125000001424 substituent group Chemical group 0.000 claims description 72
- 125000003545 alkoxy group Chemical group 0.000 claims description 58
- 125000005196 alkyl carbonyloxy group Chemical group 0.000 claims description 50
- 125000001931 aliphatic group Chemical group 0.000 claims description 46
- 125000004448 alkyl carbonyl group Chemical group 0.000 claims description 40
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims description 32
- 150000001734 carboxylic acid salts Chemical class 0.000 claims description 29
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 claims description 23
- ZCYVEMRRCGMTRW-UHFFFAOYSA-N 7553-56-2 Chemical group [I] ZCYVEMRRCGMTRW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 19
- 125000005010 perfluoroalkyl group Chemical group 0.000 claims description 19
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 18
- 125000003342 alkenyl group Chemical group 0.000 claims description 14
- 125000005083 alkoxyalkoxy group Chemical group 0.000 claims description 14
- 150000001721 carbon Chemical group 0.000 claims description 14
- 125000004183 alkoxy alkyl group Chemical group 0.000 claims description 12
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 11
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 11
- 238000001035 drying Methods 0.000 claims description 5
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 abstract description 2
- 150000002430 hydrocarbons Chemical group 0.000 description 421
- 229930195734 saturated hydrocarbon Natural products 0.000 description 202
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 110
- 229930195733 hydrocarbon Natural products 0.000 description 105
- 239000004215 Carbon black (E152) Substances 0.000 description 102
- 125000002496 methyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 description 89
- 239000000178 monomer Substances 0.000 description 79
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 description 69
- 125000001495 ethyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 41
- 125000002950 monocyclic group Chemical group 0.000 description 40
- MUBZPKHOEPUJKR-UHFFFAOYSA-N Oxalic acid Chemical compound OC(=O)C(O)=O MUBZPKHOEPUJKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 39
- 125000003367 polycyclic group Chemical group 0.000 description 39
- 150000001768 cations Chemical class 0.000 description 38
- 125000005073 adamantyl group Chemical group C12(CC3CC(CC(C1)C3)C2)* 0.000 description 36
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 35
- HEDRZPFGACZZDS-UHFFFAOYSA-N Chloroform Chemical compound ClC(Cl)Cl HEDRZPFGACZZDS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 34
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 28
- 125000001997 phenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(*)C([H])=C1[H] 0.000 description 28
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 28
- 125000001570 methylene group Chemical group [H]C([H])([*:1])[*:2] 0.000 description 27
- 125000004453 alkoxycarbonyl group Chemical group 0.000 description 26
- 125000000753 cycloalkyl group Chemical group 0.000 description 26
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 26
- 125000000816 ethylene group Chemical group [H]C([H])([*:1])C([H])([H])[*:2] 0.000 description 24
- 150000004945 aromatic hydrocarbons Chemical group 0.000 description 22
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 22
- 125000004051 hexyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 21
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 21
- 125000000113 cyclohexyl group Chemical group [H]C1([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])(*)C([H])([H])C1([H])[H] 0.000 description 20
- 125000001147 pentyl group Chemical group C(CCCC)* 0.000 description 20
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 20
- 125000000484 butyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 19
- 125000001436 propyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 19
- 0 *S(*)(CCO1)CC1=O Chemical compound *S(*)(CCO1)CC1=O 0.000 description 18
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 18
- 125000000999 tert-butyl group Chemical group [H]C([H])([H])C(*)(C([H])([H])[H])C([H])([H])[H] 0.000 description 18
- 150000001450 anions Chemical class 0.000 description 17
- 229910052740 iodine Inorganic materials 0.000 description 17
- 125000001449 isopropyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])(*)C([H])([H])[H] 0.000 description 17
- WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N Tetrahydrofuran Chemical compound C1CCOC1 WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 16
- 125000001511 cyclopentyl group Chemical group [H]C1([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])(*)C1([H])[H] 0.000 description 16
- 125000002023 trifluoromethyl group Chemical group FC(F)(F)* 0.000 description 16
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 16
- 125000000956 methoxy group Chemical group [H]C([H])([H])O* 0.000 description 15
- 125000001624 naphthyl group Chemical group 0.000 description 15
- 125000002868 norbornyl group Chemical group C12(CCC(CC1)C2)* 0.000 description 15
- 125000002347 octyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 14
- 238000000034 method Methods 0.000 description 13
- 235000006408 oxalic acid Nutrition 0.000 description 13
- 125000004430 oxygen atom Chemical group O* 0.000 description 13
- 150000001732 carboxylic acid derivatives Chemical class 0.000 description 12
- JOXIMZWYDAKGHI-UHFFFAOYSA-N toluene-4-sulfonic acid Chemical compound CC1=CC=C(S(O)(=O)=O)C=C1 JOXIMZWYDAKGHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 125000003258 trimethylene group Chemical group [H]C([H])([*:2])C([H])([H])C([H])([H])[*:1] 0.000 description 12
- 125000003710 aryl alkyl group Chemical group 0.000 description 11
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 description 11
- 125000001309 chloro group Chemical group Cl* 0.000 description 11
- 125000003187 heptyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 11
- 238000006116 polymerization reaction Methods 0.000 description 11
- 125000002914 sec-butyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])(*)C([H])([H])[H] 0.000 description 11
- 125000000383 tetramethylene group Chemical group [H]C([H])([*:1])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[*:2] 0.000 description 11
- WKBOTKDWSSQWDR-UHFFFAOYSA-N Bromine atom Chemical group [Br] WKBOTKDWSSQWDR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 125000001797 benzyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(C([H])=C1[H])C([H])([H])* 0.000 description 10
- 125000000640 cyclooctyl group Chemical group [H]C1([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])(*)C([H])([H])C([H])([H])C1([H])[H] 0.000 description 10
- 125000001301 ethoxy group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])O* 0.000 description 10
- 125000003178 carboxy group Chemical group [H]OC(*)=O 0.000 description 9
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 9
- CATSNJVOTSVZJV-UHFFFAOYSA-N heptan-2-one Chemical compound CCCCCC(C)=O CATSNJVOTSVZJV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 9
- OZAIFHULBGXAKX-UHFFFAOYSA-N 2-(2-cyanopropan-2-yldiazenyl)-2-methylpropanenitrile Chemical compound N#CC(C)(C)N=NC(C)(C)C#N OZAIFHULBGXAKX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 125000002777 acetyl group Chemical group [H]C([H])([H])C(*)=O 0.000 description 8
- 125000003668 acetyloxy group Chemical group [H]C([H])([H])C(=O)O[*] 0.000 description 8
- 125000005428 anthryl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C2C([H])=C3C(*)=C([H])C([H])=C([H])C3=C([H])C2=C1[H] 0.000 description 8
- 125000006267 biphenyl group Chemical group 0.000 description 8
- 125000002915 carbonyl group Chemical group [*:2]C([*:1])=O 0.000 description 8
- 125000002592 cumenyl group Chemical group C1(=C(C=CC=C1)*)C(C)C 0.000 description 8
- 125000004093 cyano group Chemical group *C#N 0.000 description 8
- 125000000582 cycloheptyl group Chemical group [H]C1([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])(*)C([H])([H])C1([H])[H] 0.000 description 8
- 125000001559 cyclopropyl group Chemical group [H]C1([H])C([H])([H])C1([H])* 0.000 description 8
- 125000005003 perfluorobutyl group Chemical group FC(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)* 0.000 description 8
- 125000005561 phenanthryl group Chemical group 0.000 description 8
- YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N tetrahydrofuran Natural products C=1C=COC=1 YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M tetramethylammonium hydroxide Chemical compound [OH-].C[N+](C)(C)C WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 8
- YEJRWHAVMIAJKC-UHFFFAOYSA-N 4-Butyrolactone Chemical group O=C1CCCO1 YEJRWHAVMIAJKC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- IMNFDUFMRHMDMM-UHFFFAOYSA-N N-Heptane Chemical compound CCCCCCC IMNFDUFMRHMDMM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 7
- 125000001995 cyclobutyl group Chemical group [H]C1([H])C([H])([H])C([H])(*)C1([H])[H] 0.000 description 7
- 125000004184 methoxymethyl group Chemical group [H]C([H])([H])OC([H])([H])* 0.000 description 7
- 150000002892 organic cations Chemical class 0.000 description 7
- 125000005004 perfluoroethyl group Chemical group FC(F)(F)C(F)(F)* 0.000 description 7
- 125000005008 perfluoropentyl group Chemical group FC(C(C(C(C(F)(F)F)(F)F)(F)F)(F)F)(F)* 0.000 description 7
- 125000005009 perfluoropropyl group Chemical group FC(C(C(F)(F)F)(F)F)(F)* 0.000 description 7
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 7
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 description 7
- 125000004434 sulfur atom Chemical group 0.000 description 7
- DKPFZGUDAPQIHT-UHFFFAOYSA-N Butyl acetate Natural products CCCCOC(C)=O DKPFZGUDAPQIHT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 125000005194 alkoxycarbonyloxy group Chemical group 0.000 description 6
- 125000004414 alkyl thio group Chemical group 0.000 description 6
- 125000004106 butoxy group Chemical group [*]OC([H])([H])C([H])([H])C(C([H])([H])[H])([H])[H] 0.000 description 6
- 125000004063 butyryl group Chemical group O=C([*])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 6
- 125000000000 cycloalkoxy group Chemical group 0.000 description 6
- 125000005112 cycloalkylalkoxy group Chemical group 0.000 description 6
- 125000002704 decyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 6
- 125000003438 dodecyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 6
- FUZZWVXGSFPDMH-UHFFFAOYSA-M hexanoate Chemical compound CCCCCC([O-])=O FUZZWVXGSFPDMH-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 6
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 6
- 125000005005 perfluorohexyl group Chemical group FC(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)* 0.000 description 6
- 125000001501 propionyl group Chemical group O=C([*])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 6
- 125000002572 propoxy group Chemical group [*]OC([H])([H])C(C([H])([H])[H])([H])[H] 0.000 description 6
- 239000011541 reaction mixture Substances 0.000 description 6
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 6
- 125000000391 vinyl group Chemical group [H]C([*])=C([H])[H] 0.000 description 6
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Cc1ccccc1 Chemical compound Cc1ccccc1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- NTIZESTWPVYFNL-UHFFFAOYSA-N Methyl isobutyl ketone Chemical compound CC(C)CC(C)=O NTIZESTWPVYFNL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- UIHCLUNTQKBZGK-UHFFFAOYSA-N Methyl isobutyl ketone Natural products CCC(C)C(C)=O UIHCLUNTQKBZGK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 125000000304 alkynyl group Chemical group 0.000 description 5
- 125000001316 cycloalkyl alkyl group Chemical group 0.000 description 5
- 125000004210 cyclohexylmethyl group Chemical group [H]C([H])(*)C1([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C1([H])[H] 0.000 description 5
- 125000005448 ethoxyethyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])OC([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 5
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 5
- 239000003925 fat Substances 0.000 description 5
- 125000003707 hexyloxy group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])O* 0.000 description 5
- 229940043265 methyl isobutyl ketone Drugs 0.000 description 5
- 125000001400 nonyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 5
- 150000002891 organic anions Chemical class 0.000 description 5
- 125000004115 pentoxy group Chemical group [*]OC([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C(C([H])([H])[H])([H])[H] 0.000 description 5
- 125000004351 phenylcyclohexyl group Chemical group C1(=CC=CC=C1)C1(CCCCC1)* 0.000 description 5
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 description 5
- 125000004206 2,2,2-trifluoroethyl group Chemical group [H]C([H])(*)C(F)(F)F 0.000 description 4
- 125000000094 2-phenylethyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(C([H])=C1[H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 4
- 125000000590 4-methylphenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C(=C([H])C([H])=C1*)C([H])([H])[H] 0.000 description 4
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- JUJWROOIHBZHMG-UHFFFAOYSA-N Pyridine Chemical compound C1=CC=NC=C1 JUJWROOIHBZHMG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 125000005074 adamantylmethyl group Chemical group 0.000 description 4
- 125000004369 butenyl group Chemical group C(=CCC)* 0.000 description 4
- 125000006612 decyloxy group Chemical group 0.000 description 4
- 125000001028 difluoromethyl group Chemical group [H]C(F)(F)* 0.000 description 4
- 238000001914 filtration Methods 0.000 description 4
- FFUAGWLWBBFQJT-UHFFFAOYSA-N hexamethyldisilazane Chemical compound C[Si](C)(C)N[Si](C)(C)C FFUAGWLWBBFQJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000003999 initiator Substances 0.000 description 4
- 125000000555 isopropenyl group Chemical group [H]\C([H])=C(\*)C([H])([H])[H] 0.000 description 4
- 150000002596 lactones Chemical group 0.000 description 4
- 125000002960 margaryl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 4
- 125000005447 octyloxy group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])O* 0.000 description 4
- 125000004368 propenyl group Chemical group C(=CC)* 0.000 description 4
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 4
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 4
- 125000003944 tolyl group Chemical group 0.000 description 4
- VNDYJBBGRKZCSX-UHFFFAOYSA-L zinc bromide Chemical compound Br[Zn]Br VNDYJBBGRKZCSX-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 4
- ARXJGSRGQADJSQ-UHFFFAOYSA-N 1-methoxypropan-2-ol Chemical compound COCC(C)O ARXJGSRGQADJSQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- WKBALTUBRZPIPZ-UHFFFAOYSA-N 2,6-di(propan-2-yl)aniline Chemical compound CC(C)C1=CC=CC(C(C)C)=C1N WKBALTUBRZPIPZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- WEVYAHXRMPXWCK-UHFFFAOYSA-N Acetonitrile Chemical compound CC#N WEVYAHXRMPXWCK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- ORILYTVJVMAKLC-UHFFFAOYSA-N Adamantane Natural products C1C(C2)CC3CC1CC2C3 ORILYTVJVMAKLC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N Benzene Chemical compound C1=CC=CC=C1 UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- XEKOWRVHYACXOJ-UHFFFAOYSA-N Ethyl acetate Chemical compound CCOC(C)=O XEKOWRVHYACXOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- BZLVMXJERCGZMT-UHFFFAOYSA-N Methyl tert-butyl ether Chemical compound COC(C)(C)C BZLVMXJERCGZMT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- ZMANZCXQSJIPKH-UHFFFAOYSA-N Triethylamine Chemical compound CCN(CC)CC ZMANZCXQSJIPKH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000001476 alcoholic effect Effects 0.000 description 3
- 125000005119 alkyl cycloalkyl group Chemical group 0.000 description 3
- 125000002729 alkyl fluoride group Chemical group 0.000 description 3
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 description 3
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 description 3
- 125000004744 butyloxycarbonyl group Chemical group 0.000 description 3
- 125000005708 carbonyloxy group Chemical group [*:2]OC([*:1])=O 0.000 description 3
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 3
- JHIVVAPYMSGYDF-UHFFFAOYSA-N cyclohexanone Chemical group O=C1CCCCC1 JHIVVAPYMSGYDF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 125000000118 dimethyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 description 3
- 125000003754 ethoxycarbonyl group Chemical group C(=O)(OCC)* 0.000 description 3
- JBTWLSYIZRCDFO-UHFFFAOYSA-N ethyl methyl carbonate Chemical compound CCOC(=O)OC JBTWLSYIZRCDFO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N ethylene glycol Natural products OCCO LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 125000004216 fluoromethyl group Chemical group [H]C([H])(F)* 0.000 description 3
- 238000005227 gel permeation chromatography Methods 0.000 description 3
- 125000006038 hexenyl group Chemical group 0.000 description 3
- RAXXELZNTBOGNW-UHFFFAOYSA-N imidazole Natural products C1=CNC=N1 RAXXELZNTBOGNW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 125000001160 methoxycarbonyl group Chemical group [H]C([H])([H])OC(*)=O 0.000 description 3
- 125000004108 n-butyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 3
- 125000004123 n-propyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 3
- 125000005187 nonenyl group Chemical group C(=CCCCCCCC)* 0.000 description 3
- 125000004365 octenyl group Chemical group C(=CCCCCCC)* 0.000 description 3
- 125000000913 palmityl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 3
- 125000002958 pentadecyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 3
- 125000002255 pentenyl group Chemical group C(=CCCC)* 0.000 description 3
- ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N phenol group Chemical group C1(=CC=CC=C1)O ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- LLHKCFNBLRBOGN-UHFFFAOYSA-N propylene glycol methyl ether acetate Chemical compound COCC(C)OC(C)=O LLHKCFNBLRBOGN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- 150000003376 silicon Chemical class 0.000 description 3
- 125000003003 spiro group Chemical group 0.000 description 3
- 125000004079 stearyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 3
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 3
- 125000001273 sulfonato group Chemical group [O-]S(*)(=O)=O 0.000 description 3
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 description 3
- BFKJFAAPBSQJPD-UHFFFAOYSA-N tetrafluoroethene Chemical group FC(F)=C(F)F BFKJFAAPBSQJPD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 125000002948 undecyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 3
- RUFPHBVGCFYCNW-UHFFFAOYSA-N 1-naphthylamine Chemical compound C1=CC=C2C(N)=CC=CC2=C1 RUFPHBVGCFYCNW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QQZOPKMRPOGIEB-UHFFFAOYSA-N 2-Oxohexane Chemical compound CCCCC(C)=O QQZOPKMRPOGIEB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WYGWHHGCAGTUCH-UHFFFAOYSA-N 2-[(2-cyano-4-methylpentan-2-yl)diazenyl]-2,4-dimethylpentanenitrile Chemical compound CC(C)CC(C)(C#N)N=NC(C)(C#N)CC(C)C WYGWHHGCAGTUCH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XLLIQLLCWZCATF-UHFFFAOYSA-N 2-methoxyethyl acetate Chemical compound COCCOC(C)=O XLLIQLLCWZCATF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XLSZMDLNRCVEIJ-UHFFFAOYSA-N 4-methylimidazole Chemical compound CC1=CNC=N1 XLSZMDLNRCVEIJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- FKNQCJSGGFJEIZ-UHFFFAOYSA-N 4-methylpyridine Chemical compound CC1=CC=NC=C1 FKNQCJSGGFJEIZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-M Acrylate Chemical compound [O-]C(=O)C=C NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- PAYRUJLWNCNPSJ-UHFFFAOYSA-N Aniline Chemical compound NC1=CC=CC=C1 PAYRUJLWNCNPSJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- URLKBWYHVLBVBO-UHFFFAOYSA-N Cc1ccc(C)cc1 Chemical compound Cc1ccc(C)cc1 URLKBWYHVLBVBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OTMSDBZUPAUEDD-UHFFFAOYSA-N Ethane Chemical compound CC OTMSDBZUPAUEDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CERQOIWHTDAKMF-UHFFFAOYSA-N Methacrylic acid Chemical compound CC(=C)C(O)=O CERQOIWHTDAKMF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- JLTDJTHDQAWBAV-UHFFFAOYSA-N N,N-dimethylaniline Chemical compound CN(C)C1=CC=CC=C1 JLTDJTHDQAWBAV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- AFBPFSWMIHJQDM-UHFFFAOYSA-N N-methylaniline Chemical compound CNC1=CC=CC=C1 AFBPFSWMIHJQDM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 241000209094 Oryza Species 0.000 description 2
- 235000007164 Oryza sativa Nutrition 0.000 description 2
- 125000004702 alkoxy alkyl carbonyl group Chemical group 0.000 description 2
- 150000003863 ammonium salts Chemical class 0.000 description 2
- RDOXTESZEPMUJZ-UHFFFAOYSA-N anisole Chemical compound COC1=CC=CC=C1 RDOXTESZEPMUJZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000004982 aromatic amines Chemical class 0.000 description 2
- 125000004350 aryl cycloalkyl group Chemical group 0.000 description 2
- 125000001231 benzoyloxy group Chemical group C(C1=CC=CC=C1)(=O)O* 0.000 description 2
- ZDZHCHYQNPQSGG-UHFFFAOYSA-N binaphthyl group Chemical group C1(=CC=CC2=CC=CC=C12)C1=CC=CC2=CC=CC=C12 ZDZHCHYQNPQSGG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000000480 butynyl group Chemical group [*]C#CC([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 2
- 239000011203 carbon fibre reinforced carbon Substances 0.000 description 2
- 150000001793 charged compounds Chemical class 0.000 description 2
- OEYIOHPDSNJKLS-UHFFFAOYSA-N choline Chemical compound C[N+](C)(C)CCO OEYIOHPDSNJKLS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229960001231 choline Drugs 0.000 description 2
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 2
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 description 2
- 125000000062 cyclohexylmethoxy group Chemical group [H]C([H])(O*)C1([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C1([H])[H] 0.000 description 2
- 125000002933 cyclohexyloxy group Chemical group C1(CCCCC1)O* 0.000 description 2
- 125000006547 cyclononyl group Chemical group [H]C1([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])(*)C([H])([H])C([H])([H])C1([H])[H] 0.000 description 2
- 125000004186 cyclopropylmethyl group Chemical group [H]C([H])(*)C1([H])C([H])([H])C1([H])[H] 0.000 description 2
- JQVDAXLFBXTEQA-UHFFFAOYSA-N dibutylamine Chemical compound CCCCNCCCC JQVDAXLFBXTEQA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MTHSVFCYNBDYFN-UHFFFAOYSA-N diethylene glycol Chemical class OCCOCCO MTHSVFCYNBDYFN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- DMBHHRLKUKUOEG-UHFFFAOYSA-N diphenylamine Chemical compound C=1C=CC=CC=1NC1=CC=CC=C1 DMBHHRLKUKUOEG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000010494 dissociation reaction Methods 0.000 description 2
- 230000005593 dissociations Effects 0.000 description 2
- LZCLXQDLBQLTDK-UHFFFAOYSA-N ethyl 2-hydroxypropanoate Chemical compound CCOC(=O)C(C)O LZCLXQDLBQLTDK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000002534 ethynyl group Chemical group [H]C#C* 0.000 description 2
- 238000004817 gas chromatography Methods 0.000 description 2
- 125000005446 heptyloxy group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])O* 0.000 description 2
- 125000000623 heterocyclic group Chemical group 0.000 description 2
- NAQMVNRVTILPCV-UHFFFAOYSA-N hexane-1,6-diamine Chemical compound NCCCCCCN NAQMVNRVTILPCV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000005980 hexynyl group Chemical group 0.000 description 2
- WGCNASOHLSPBMP-UHFFFAOYSA-N hydroxyacetaldehyde Natural products OCC=O WGCNASOHLSPBMP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000002768 hydroxyalkyl group Chemical group 0.000 description 2
- 125000004029 hydroxymethyl group Chemical group [H]OC([H])([H])* 0.000 description 2
- 125000000959 isobutyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])(C([H])([H])[H])C([H])([H])* 0.000 description 2
- 125000003253 isopropoxy group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])(O*)C([H])([H])[H] 0.000 description 2
- 150000002576 ketones Chemical class 0.000 description 2
- 125000005647 linker group Chemical group 0.000 description 2
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 2
- 238000004811 liquid chromatography Methods 0.000 description 2
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 2
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 description 2
- 125000004957 naphthylene group Chemical group 0.000 description 2
- 125000004998 naphthylethyl group Chemical group C1(=CC=CC2=CC=CC=C12)CC* 0.000 description 2
- 125000004923 naphthylmethyl group Chemical group C1(=CC=CC2=CC=CC=C12)C* 0.000 description 2
- 125000006611 nonyloxy group Chemical group 0.000 description 2
- 125000005071 nonynyl group Chemical group C(#CCCCCCCC)* 0.000 description 2
- RNVCVTLRINQCPJ-UHFFFAOYSA-N o-toluidine Chemical compound CC1=CC=CC=C1N RNVCVTLRINQCPJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000005069 octynyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C#C* 0.000 description 2
- RZXMPPFPUUCRFN-UHFFFAOYSA-N p-toluidine Chemical compound CC1=CC=C(N)C=C1 RZXMPPFPUUCRFN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000005981 pentynyl group Chemical group 0.000 description 2
- 125000005460 perfluorocycloalkyl group Chemical group 0.000 description 2
- 125000005459 perfluorocyclohexyl group Chemical group 0.000 description 2
- 125000005804 perfluoroheptyl group Chemical group FC(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)* 0.000 description 2
- 125000005007 perfluorooctyl group Chemical group FC(C(C(C(C(C(C(C(F)(F)F)(F)F)(F)F)(F)F)(F)F)(F)F)(F)F)(F)* 0.000 description 2
- 125000000843 phenylene group Chemical group C1(=C(C=CC=C1)*)* 0.000 description 2
- 125000004344 phenylpropyl group Chemical group 0.000 description 2
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 2
- 230000000379 polymerizing effect Effects 0.000 description 2
- 239000011148 porous material Substances 0.000 description 2
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 2
- 125000005767 propoxymethyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[#8]C([H])([H])* 0.000 description 2
- 125000002568 propynyl group Chemical group [*]C#CC([H])([H])[H] 0.000 description 2
- KIDHWZJUCRJVML-UHFFFAOYSA-N putrescine Chemical compound NCCCCN KIDHWZJUCRJVML-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UMJSCPRVCHMLSP-UHFFFAOYSA-N pyridine Natural products COC1=CC=CN=C1 UMJSCPRVCHMLSP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 2
- 238000010526 radical polymerization reaction Methods 0.000 description 2
- 235000009566 rice Nutrition 0.000 description 2
- 125000005920 sec-butoxy group Chemical group 0.000 description 2
- 239000006228 supernatant Substances 0.000 description 2
- 125000004213 tert-butoxy group Chemical group [H]C([H])([H])C(O*)(C([H])([H])[H])C([H])([H])[H] 0.000 description 2
- VDZOOKBUILJEDG-UHFFFAOYSA-M tetrabutylammonium hydroxide Chemical compound [OH-].CCCC[N+](CCCC)(CCCC)CCCC VDZOOKBUILJEDG-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- GETQZCLCWQTVFV-UHFFFAOYSA-N trimethylamine Chemical compound CN(C)C GETQZCLCWQTVFV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229940102001 zinc bromide Drugs 0.000 description 2
- DTGKSKDOIYIVQL-WEDXCCLWSA-N (+)-borneol Chemical group C1C[C@@]2(C)[C@@H](O)C[C@@H]1C2(C)C DTGKSKDOIYIVQL-WEDXCCLWSA-N 0.000 description 1
- OQZAQBGJENJMHT-UHFFFAOYSA-N 1,3-dibromo-5-methoxybenzene Chemical compound COC1=CC(Br)=CC(Br)=C1 OQZAQBGJENJMHT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YBFHILNBYXCJKD-UHFFFAOYSA-N 1-(6-methylpyridin-3-yl)-2-(4-methylsulfonylphenyl)ethanone Chemical compound C1=NC(C)=CC=C1C(=O)CC1=CC=C(S(C)(=O)=O)C=C1 YBFHILNBYXCJKD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BMVXCPBXGZKUPN-UHFFFAOYSA-N 1-hexanamine Chemical compound CCCCCCN BMVXCPBXGZKUPN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OLPZCIDHOZATMA-UHFFFAOYSA-N 2,2-dioxooxathiiran-3-one Chemical compound O=C1OS1(=O)=O OLPZCIDHOZATMA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SMZOUWXMTYCWNB-UHFFFAOYSA-N 2-(2-methoxy-5-methylphenyl)ethanamine Chemical compound COC1=CC=C(C)C=C1CCN SMZOUWXMTYCWNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XGLVDUUYFKXKPL-UHFFFAOYSA-N 2-(2-methoxyethoxy)-n,n-bis[2-(2-methoxyethoxy)ethyl]ethanamine Chemical compound COCCOCCN(CCOCCOC)CCOCCOC XGLVDUUYFKXKPL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WBIBUCGCVLAPQG-UHFFFAOYSA-N 2-(2-pyridin-2-ylethyl)pyridine Chemical compound C=1C=CC=NC=1CCC1=CC=CC=N1 WBIBUCGCVLAPQG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OHKOAJUTRVTYSW-UHFFFAOYSA-N 2-[(2-aminophenyl)methyl]aniline Chemical compound NC1=CC=CC=C1CC1=CC=CC=C1N OHKOAJUTRVTYSW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HKEOCEQLCZEBMK-BQYQJAHWSA-N 2-[(e)-2-pyridin-2-ylethenyl]pyridine Chemical compound C=1C=CC=NC=1/C=C/C1=CC=CC=N1 HKEOCEQLCZEBMK-BQYQJAHWSA-N 0.000 description 1
- ZWRWGKGPUFESNE-UHFFFAOYSA-M 2-carboxyphenolate;tetrabutylazanium Chemical compound OC1=CC=CC=C1C([O-])=O.CCCC[N+](CCCC)(CCCC)CCCC ZWRWGKGPUFESNE-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- SVONRAPFKPVNKG-UHFFFAOYSA-N 2-ethoxyethyl acetate Chemical compound CCOCCOC(C)=O SVONRAPFKPVNKG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KIZQNNOULOCVDM-UHFFFAOYSA-M 2-hydroxyethyl(trimethyl)azanium;hydroxide Chemical compound [OH-].C[N+](C)(C)CCO KIZQNNOULOCVDM-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- JBIJLHTVPXGSAM-UHFFFAOYSA-N 2-naphthylamine Chemical compound C1=CC=CC2=CC(N)=CC=C21 JBIJLHTVPXGSAM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FMFHUEMLVAIBFI-UHFFFAOYSA-N 2-phenylethenyl acetate Chemical compound CC(=O)OC=CC1=CC=CC=C1 FMFHUEMLVAIBFI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FRKPCXYPIHAOFI-UHFFFAOYSA-N 3-methylaniline Chemical compound [CH2]C1=CC=CC(N)=C1 FRKPCXYPIHAOFI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WECDUOXQLAIPQW-UHFFFAOYSA-N 4,4'-Methylene bis(2-methylaniline) Chemical compound C1=C(N)C(C)=CC(CC=2C=C(C)C(N)=CC=2)=C1 WECDUOXQLAIPQW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UHBAPGWWRFVTFS-UHFFFAOYSA-N 4,4'-dipyridyl disulfide Chemical compound C=1C=NC=CC=1SSC1=CC=NC=C1 UHBAPGWWRFVTFS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DQRKTVIJNCVZAX-UHFFFAOYSA-N 4-(2-pyridin-4-ylethyl)pyridine Chemical compound C=1C=NC=CC=1CCC1=CC=NC=C1 DQRKTVIJNCVZAX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OGNCVVRIKNGJHQ-UHFFFAOYSA-N 4-(3-pyridin-4-ylpropyl)pyridine Chemical compound C=1C=NC=CC=1CCCC1=CC=NC=C1 OGNCVVRIKNGJHQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CBEVWPCAHIAUOD-UHFFFAOYSA-N 4-[(4-amino-3-ethylphenyl)methyl]-2-ethylaniline Chemical compound C1=C(N)C(CC)=CC(CC=2C=C(CC)C(N)=CC=2)=C1 CBEVWPCAHIAUOD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UHNUHZHQLCGZDA-UHFFFAOYSA-N 4-[2-(4-aminophenyl)ethyl]aniline Chemical compound C1=CC(N)=CC=C1CCC1=CC=C(N)C=C1 UHNUHZHQLCGZDA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000004172 4-methoxyphenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C(OC([H])([H])[H])=C([H])C([H])=C1* 0.000 description 1
- UQRONKZLYKUEMO-UHFFFAOYSA-N 4-methyl-1-(2,4,6-trimethylphenyl)pent-4-en-2-one Chemical group CC(=C)CC(=O)Cc1c(C)cc(C)cc1C UQRONKZLYKUEMO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- TYMLOMAKGOJONV-UHFFFAOYSA-N 4-nitroaniline Chemical compound NC1=CC=C([N+]([O-])=O)C=C1 TYMLOMAKGOJONV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XGJOFCCBFCHEHK-UHFFFAOYSA-N 4-pyridin-4-ylsulfanylpyridine Chemical compound C=1C=NC=CC=1SC1=CC=NC=C1 XGJOFCCBFCHEHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OZJPLYNZGCXSJM-UHFFFAOYSA-N 5-valerolactone Chemical group O=C1CCCCO1 OZJPLYNZGCXSJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-O Ammonium Chemical compound [NH4+] QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-O 0.000 description 1
- VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N Ammonium hydroxide Chemical compound [NH4+].[OH-] VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ROFVEXUMMXZLPA-UHFFFAOYSA-N Bipyridyl Chemical compound N1=CC=CC=C1C1=CC=CC=N1 ROFVEXUMMXZLPA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HGBVEJSXLQSKSD-UHFFFAOYSA-O C1C(CC2)OC1CC[NH+]2c1ccccc1 Chemical compound C1C(CC2)OC1CC[NH+]2c1ccccc1 HGBVEJSXLQSKSD-UHFFFAOYSA-O 0.000 description 1
- QVFHFKPGBODJJB-UHFFFAOYSA-O C1C[SH+]COC1 Chemical compound C1C[SH+]COC1 QVFHFKPGBODJJB-UHFFFAOYSA-O 0.000 description 1
- LINCZFXAOJEIGW-UHFFFAOYSA-N CC(C(OCC1(CC2C(C3)C1)CC23O)=O)(F)F Chemical compound CC(C(OCC1(CC2C(C3)C1)CC23O)=O)(F)F LINCZFXAOJEIGW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NSOVNJDVIRDRKE-UHFFFAOYSA-N CCCCC1(C2)C(C3)C2CC3(COC(C(F)(F)[S](O)([SH+](c2ccccc2)(c2ccccc2)c2ccccc2)(=O)=O)=O)C1 Chemical compound CCCCC1(C2)C(C3)C2CC3(COC(C(F)(F)[S](O)([SH+](c2ccccc2)(c2ccccc2)c2ccccc2)(=O)=O)=O)C1 NSOVNJDVIRDRKE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QYUVPQIXZNEDCD-UHFFFAOYSA-N CCc(cc1)ccc1[SH+](c1ccc(C)cc1)(c1ccc(C)cc1)[S](C(C(OCC1(CC2C(C3)C1)CC23O)=O)(F)F)(O)(=O)=O Chemical compound CCc(cc1)ccc1[SH+](c1ccc(C)cc1)(c1ccc(C)cc1)[S](C(C(OCC1(CC2C(C3)C1)CC23O)=O)(F)F)(O)(=O)=O QYUVPQIXZNEDCD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GKEZLJUKEPCFHW-UHFFFAOYSA-N Cc(cc1)ccc1[SH+](c1ccccc1)(c1ccccc1)[S](C(C(OCC(C1)(C2)C1(CC1C3)C1C23OC)=O)(F)F)(O)(=O)=O Chemical compound Cc(cc1)ccc1[SH+](c1ccccc1)(c1ccccc1)[S](C(C(OCC(C1)(C2)C1(CC1C3)C1C23OC)=O)(F)F)(O)(=O)=O GKEZLJUKEPCFHW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KRKNYBCHXYNGOX-UHFFFAOYSA-K Citrate Chemical compound [O-]C(=O)CC(O)(CC([O-])=O)C([O-])=O KRKNYBCHXYNGOX-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- MHZGKXUYDGKKIU-UHFFFAOYSA-N Decylamine Chemical compound CCCCCCCCCCN MHZGKXUYDGKKIU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RWSOTUBLDIXVET-UHFFFAOYSA-N Dihydrogen sulfide Chemical class S RWSOTUBLDIXVET-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XXRCUYVCPSWGCC-UHFFFAOYSA-N Ethyl pyruvate Chemical compound CCOC(=O)C(C)=O XXRCUYVCPSWGCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PIICEJLVQHRZGT-UHFFFAOYSA-N Ethylenediamine Chemical compound NCCN PIICEJLVQHRZGT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WJYIASZWHGOTOU-UHFFFAOYSA-N Heptylamine Chemical compound CCCCCCCN WJYIASZWHGOTOU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UDYUOZSCOQZMRT-UHFFFAOYSA-N IS1COCC1 Chemical compound IS1COCC1 UDYUOZSCOQZMRT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CERQOIWHTDAKMF-UHFFFAOYSA-M Methacrylate Chemical compound CC(=C)C([O-])=O CERQOIWHTDAKMF-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- FXHOOIRPVKKKFG-UHFFFAOYSA-N N,N-Dimethylacetamide Chemical compound CN(C)C(C)=O FXHOOIRPVKKKFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GSCCALZHGUWNJW-UHFFFAOYSA-N N-Cyclohexyl-N-methylcyclohexanamine Chemical compound C1CCCCC1N(C)C1CCCCC1 GSCCALZHGUWNJW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YJLYANLCNIKXMG-UHFFFAOYSA-N N-Methyldioctylamine Chemical compound CCCCCCCCN(C)CCCCCCCC YJLYANLCNIKXMG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 102220503509 N-terminal kinase-like protein_Y30F_mutation Human genes 0.000 description 1
- LIOWYJPKDRPYDU-UHFFFAOYSA-N O=C1C[SiH+]CCC1 Chemical compound O=C1C[SiH+]CCC1 LIOWYJPKDRPYDU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 description 1
- YZCKVEUIGOORGS-IGMARMGPSA-N Protium Chemical compound [1H] YZCKVEUIGOORGS-IGMARMGPSA-N 0.000 description 1
- YPWFISCTZQNZAU-UHFFFAOYSA-N Thiane Chemical group C1CCSCC1 YPWFISCTZQNZAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SLINHMUFWFWBMU-UHFFFAOYSA-N Triisopropanolamine Chemical compound CC(O)CN(CC(C)O)CC(C)O SLINHMUFWFWBMU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YGSDEFSMJLZEOE-UHFFFAOYSA-M [O-]C(c(cccc1)c1O)=O Chemical compound [O-]C(c(cccc1)c1O)=O YGSDEFSMJLZEOE-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- IYKFYARMMIESOX-SPJNRGJMSA-N adamantanone Chemical group C([C@H](C1)C2)[C@H]3C[C@@H]1C(=O)[C@@H]2C3 IYKFYARMMIESOX-SPJNRGJMSA-N 0.000 description 1
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 1
- 150000001335 aliphatic alkanes Chemical class 0.000 description 1
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 1
- 125000002877 alkyl aryl group Chemical group 0.000 description 1
- 150000001408 amides Chemical class 0.000 description 1
- 239000000908 ammonium hydroxide Substances 0.000 description 1
- 229940072049 amyl acetate Drugs 0.000 description 1
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 1
- PGMYKACGEOXYJE-UHFFFAOYSA-N anhydrous amyl acetate Natural products CCCCCOC(C)=O PGMYKACGEOXYJE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000004653 anthracenylene group Chemical group 0.000 description 1
- 125000004104 aryloxy group Chemical group 0.000 description 1
- 239000002585 base Substances 0.000 description 1
- VEZXCJBBBCKRPI-UHFFFAOYSA-N beta-propiolactone Chemical group O=C1CCO1 VEZXCJBBBCKRPI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000002529 biphenylenyl group Chemical group C1(=CC=CC=2C3=CC=CC=C3C12)* 0.000 description 1
- 229940043232 butyl acetate Drugs 0.000 description 1
- FGNLEIGUMSBZQP-UHFFFAOYSA-N cadaverine dihydrochloride Chemical compound Cl.Cl.NCCCCCN FGNLEIGUMSBZQP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 125000004122 cyclic group Chemical group 0.000 description 1
- 125000004850 cyclobutylmethyl group Chemical group C1(CCC1)C* 0.000 description 1
- 230000006837 decompression Effects 0.000 description 1
- 238000010511 deprotection reaction Methods 0.000 description 1
- CSYSRRCOBYEGPI-UHFFFAOYSA-N diazo(sulfonyl)methane Chemical compound [N-]=[N+]=C=S(=O)=O CSYSRRCOBYEGPI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- URQUNWYOBNUYJQ-UHFFFAOYSA-N diazonaphthoquinone Chemical compound C1=CC=C2C(=O)C(=[N]=[N])C=CC2=C1 URQUNWYOBNUYJQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012954 diazonium Substances 0.000 description 1
- 150000001989 diazonium salts Chemical class 0.000 description 1
- QVQGTNFYPJQJNM-UHFFFAOYSA-N dicyclohexylmethanamine Chemical compound C1CCCCC1C(N)C1CCCCC1 QVQGTNFYPJQJNM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LAWOZCWGWDVVSG-UHFFFAOYSA-N dioctylamine Chemical compound CCCCCCCCNCCCCCCCC LAWOZCWGWDVVSG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QPOWUYJWCJRLEE-UHFFFAOYSA-N dipyridin-2-ylmethanone Chemical compound C=1C=CC=NC=1C(=O)C1=CC=CC=N1 QPOWUYJWCJRLEE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004090 dissolution Methods 0.000 description 1
- 239000000975 dye Substances 0.000 description 1
- 239000003480 eluent Substances 0.000 description 1
- 150000002148 esters Chemical class 0.000 description 1
- 239000004210 ether based solvent Substances 0.000 description 1
- 125000005745 ethoxymethyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])OC([H])([H])* 0.000 description 1
- 229940116333 ethyl lactate Drugs 0.000 description 1
- 229940117360 ethyl pyruvate Drugs 0.000 description 1
- 125000004705 ethylthio group Chemical group C(C)S* 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 1
- 125000006343 heptafluoro propyl group Chemical group 0.000 description 1
- MNWFXJYAOYHMED-UHFFFAOYSA-M heptanoate Chemical compound CCCCCCC([O-])=O MNWFXJYAOYHMED-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 1
- 230000001939 inductive effect Effects 0.000 description 1
- 239000004615 ingredient Substances 0.000 description 1
- 239000003112 inhibitor Substances 0.000 description 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 238000004949 mass spectrometry Methods 0.000 description 1
- JJYPMNFTHPTTDI-UHFFFAOYSA-N meta-toluidine Natural products CC1=CC=CC(N)=C1 JJYPMNFTHPTTDI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000001434 methanylylidene group Chemical group [H]C#[*] 0.000 description 1
- UZKWTJUDCOPSNM-UHFFFAOYSA-N methoxybenzene Substances CCCCOC=C UZKWTJUDCOPSNM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000006357 methylene carbonyl group Chemical group [H]C([H])([*:1])C([*:2])=O 0.000 description 1
- 125000006366 methylene oxy carbonyl group Chemical group [H]C([H])([*:1])OC([*:2])=O 0.000 description 1
- 125000005699 methyleneoxy group Chemical group [H]C([H])([*:1])O[*:2] 0.000 description 1
- 125000002816 methylsulfanyl group Chemical group [H]C([H])([H])S[*] 0.000 description 1
- ZQJAONQEOXOVNR-UHFFFAOYSA-N n,n-di(nonyl)nonan-1-amine Chemical compound CCCCCCCCCN(CCCCCCCCC)CCCCCCCCC ZQJAONQEOXOVNR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CLZGJKHEVKJLLS-UHFFFAOYSA-N n,n-diheptylheptan-1-amine Chemical compound CCCCCCCN(CCCCCCC)CCCCCCC CLZGJKHEVKJLLS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DIAIBWNEUYXDNL-UHFFFAOYSA-N n,n-dihexylhexan-1-amine Chemical compound CCCCCCN(CCCCCC)CCCCCC DIAIBWNEUYXDNL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XTAZYLNFDRKIHJ-UHFFFAOYSA-N n,n-dioctyloctan-1-amine Chemical compound CCCCCCCCN(CCCCCCCC)CCCCCCCC XTAZYLNFDRKIHJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BBDGYADAMYMJNO-UHFFFAOYSA-N n-butyl-n-ethylbutan-1-amine Chemical compound CCCCN(CC)CCCC BBDGYADAMYMJNO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MTHFROHDIWGWFD-UHFFFAOYSA-N n-butyl-n-methylbutan-1-amine Chemical compound CCCCN(C)CCCC MTHFROHDIWGWFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YGNSGUIRANPPSW-UHFFFAOYSA-N n-decyl-n-ethyldecan-1-amine Chemical compound CCCCCCCCCCN(CC)CCCCCCCCCC YGNSGUIRANPPSW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ATBNMWWDBWBAHM-UHFFFAOYSA-N n-decyl-n-methyldecan-1-amine Chemical compound CCCCCCCCCCN(C)CCCCCCCCCC ATBNMWWDBWBAHM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GMTCPFCMAHMEMT-UHFFFAOYSA-N n-decyldecan-1-amine Chemical compound CCCCCCCCCCNCCCCCCCCCC GMTCPFCMAHMEMT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PZAHTXZMBSBSFM-UHFFFAOYSA-N n-ethyl-n-heptylheptan-1-amine Chemical compound CCCCCCCN(CC)CCCCCCC PZAHTXZMBSBSFM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZBZSKMOKRUBBGC-UHFFFAOYSA-N n-ethyl-n-hexylhexan-1-amine Chemical compound CCCCCCN(CC)CCCCCC ZBZSKMOKRUBBGC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GESMBXUFPAHBOJ-UHFFFAOYSA-N n-ethyl-n-nonylnonan-1-amine Chemical compound CCCCCCCCCN(CC)CCCCCCCCC GESMBXUFPAHBOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KYSDFVPIAZIJAW-UHFFFAOYSA-N n-ethyl-n-octyloctan-1-amine Chemical compound CCCCCCCCN(CC)CCCCCCCC KYSDFVPIAZIJAW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PXAVTVNEDPAYJP-UHFFFAOYSA-N n-ethyl-n-pentylpentan-1-amine Chemical compound CCCCCN(CC)CCCCC PXAVTVNEDPAYJP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000003136 n-heptyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- BXYHQXUPLKMYDE-UHFFFAOYSA-N n-heptyl-n-methylheptan-1-amine Chemical compound CCCCCCCN(C)CCCCCCC BXYHQXUPLKMYDE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NJWMENBYMFZACG-UHFFFAOYSA-N n-heptylheptan-1-amine Chemical compound CCCCCCCNCCCCCCC NJWMENBYMFZACG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000001280 n-hexyl group Chemical group C(CCCCC)* 0.000 description 1
- POMGZMHIXYRARC-UHFFFAOYSA-N n-hexyl-n-methylhexan-1-amine Chemical compound CCCCCCN(C)CCCCCC POMGZMHIXYRARC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PXSXRABJBXYMFT-UHFFFAOYSA-N n-hexylhexan-1-amine Chemical compound CCCCCCNCCCCCC PXSXRABJBXYMFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IITLRKXIQJEWFI-UHFFFAOYSA-N n-methyl-n-nonylnonan-1-amine Chemical compound CCCCCCCCCN(C)CCCCCCCCC IITLRKXIQJEWFI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JJRDPNRWFSHHKJ-UHFFFAOYSA-N n-methyl-n-pentylpentan-1-amine Chemical compound CCCCCN(C)CCCCC JJRDPNRWFSHHKJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MFHKEJIIHDNPQE-UHFFFAOYSA-N n-nonylnonan-1-amine Chemical compound CCCCCCCCCNCCCCCCCCC MFHKEJIIHDNPQE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000000740 n-pentyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- JACMPVXHEARCBO-UHFFFAOYSA-N n-pentylpentan-1-amine Chemical compound CCCCCNCCCCC JACMPVXHEARCBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HMMPCBAWTWYFLR-UHFFFAOYSA-N n-pyridin-2-ylpyridin-2-amine Chemical compound C=1C=CC=NC=1NC1=CC=CC=N1 HMMPCBAWTWYFLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000005246 nonafluorobutyl group Chemical group FC(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)* 0.000 description 1
- FJDUDHYHRVPMJZ-UHFFFAOYSA-N nonan-1-amine Chemical compound CCCCCCCCCN FJDUDHYHRVPMJZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QYSGYZVSCZSLHT-UHFFFAOYSA-N octafluoropropane Chemical compound FC(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)F QYSGYZVSCZSLHT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IOQPZZOEVPZRBK-UHFFFAOYSA-N octan-1-amine Chemical compound CCCCCCCCN IOQPZZOEVPZRBK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000006340 pentafluoro ethyl group Chemical group FC(F)(F)C(F)(F)* 0.000 description 1
- YVBBRRALBYAZBM-UHFFFAOYSA-N perfluorooctane Chemical compound FC(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)F YVBBRRALBYAZBM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229960004065 perflutren Drugs 0.000 description 1
- 125000005562 phenanthrylene group Chemical group 0.000 description 1
- XYFCBTPGUUZFHI-UHFFFAOYSA-O phosphonium Chemical compound [PH4+] XYFCBTPGUUZFHI-UHFFFAOYSA-O 0.000 description 1
- 150000004714 phosphonium salts Chemical class 0.000 description 1
- 229920002223 polystyrene Polymers 0.000 description 1
- 150000003141 primary amines Chemical class 0.000 description 1
- 125000004076 pyridyl group Chemical group 0.000 description 1
- 230000035484 reaction time Effects 0.000 description 1
- 150000003335 secondary amines Chemical class 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000003378 silver Chemical group 0.000 description 1
- 241000894007 species Species 0.000 description 1
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 1
- 239000003381 stabilizer Substances 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- BDHFUVZGWQCTTF-UHFFFAOYSA-M sulfonate Chemical compound [O-]S(=O)=O BDHFUVZGWQCTTF-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 150000003871 sulfonates Chemical class 0.000 description 1
- 150000003457 sulfones Chemical class 0.000 description 1
- 125000005931 tert-butyloxycarbonyl group Chemical group [H]C([H])([H])C(OC(*)=O)(C([H])([H])[H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 150000003512 tertiary amines Chemical class 0.000 description 1
- CPOUUWYFNYIYLQ-UHFFFAOYSA-M tetra(propan-2-yl)azanium;hydroxide Chemical compound [OH-].CC(C)[N+](C(C)C)(C(C)C)C(C)C CPOUUWYFNYIYLQ-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- RAOIDOHSFRTOEL-UHFFFAOYSA-N tetrahydrothiophene Chemical group C1CCSC1 RAOIDOHSFRTOEL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DCFYRBLFVWYBIJ-UHFFFAOYSA-M tetraoctylazanium;hydroxide Chemical compound [OH-].CCCCCCCC[N+](CCCCCCCC)(CCCCCCCC)CCCCCCCC DCFYRBLFVWYBIJ-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- RAOIDOHSFRTOEL-UHFFFAOYSA-O thiolan-1-ium Chemical group C1CC[SH+]C1 RAOIDOHSFRTOEL-UHFFFAOYSA-O 0.000 description 1
- IMFACGCPASFAPR-UHFFFAOYSA-N tributylamine Chemical compound CCCCN(CCCC)CCCC IMFACGCPASFAPR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000003866 trichloromethyl group Chemical group ClC(Cl)(Cl)* 0.000 description 1
- ABVVEAHYODGCLZ-UHFFFAOYSA-N tridecan-1-amine Chemical compound CCCCCCCCCCCCCN ABVVEAHYODGCLZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HADKRTWCOYPCPH-UHFFFAOYSA-M trimethylphenylammonium hydroxide Chemical compound [OH-].C[N+](C)(C)C1=CC=CC=C1 HADKRTWCOYPCPH-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- YFTHZRPMJXBUME-UHFFFAOYSA-N tripropylamine Chemical compound CCCN(CCC)CCC YFTHZRPMJXBUME-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000002221 trityl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C([H])C([H])=C1C([*])(C1=C(C(=C(C(=C1[H])[H])[H])[H])[H])C1=C([H])C([H])=C([H])C([H])=C1[H] 0.000 description 1
- 229910021642 ultra pure water Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012498 ultrapure water Substances 0.000 description 1
- 238000001291 vacuum drying Methods 0.000 description 1
- 125000005023 xylyl group Chemical group 0.000 description 1
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Abstract
【課題】良好なラインエッジラフネス（ＬＥＲ）を有するレジストパターンを製造することができるカルボン酸塩及びこれを含むレジスト組成物を提供する。
【解決手段】式（Ｉ）で表されるカルボン酸塩、酸発生剤及びレジスト組成物。
［式中Ｒ１はＦ又はＣ１〜４のフッ素化アルキル基；Ｒ２〜Ｒ４は夫々独立にハロゲン、Ｃ１〜４のフッ素化アルキル基又は−ＣＨ2−が−Ｏ−又は−ＣＯ−で置き換わっていてもよいＣ１〜１２の炭化水素基；ｍ２及びｍ３は０〜４の整数；ｍ４は０〜５の整数；Ｘ０は−ＣＨ2−が−Ｏ−、−Ｓ−、−ＣＯ−又は−ＳＯ２−に置き換わっていてもよいＣ１〜７２の炭化水素基］
【選択図】なし
【解決手段】式（Ｉ）で表されるカルボン酸塩、酸発生剤及びレジスト組成物。
［式中Ｒ１はＦ又はＣ１〜４のフッ素化アルキル基；Ｒ２〜Ｒ４は夫々独立にハロゲン、Ｃ１〜４のフッ素化アルキル基又は−ＣＨ2−が−Ｏ−又は−ＣＯ−で置き換わっていてもよいＣ１〜１２の炭化水素基；ｍ２及びｍ３は０〜４の整数；ｍ４は０〜５の整数；Ｘ０は−ＣＨ2−が−Ｏ−、−Ｓ−、−ＣＯ−又は−ＳＯ２−に置き換わっていてもよいＣ１〜７２の炭化水素基］
【選択図】なし
Description
本発明は、カルボン酸塩、カルボン酸発生剤、レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法に関する。
特許文献１には、下記式で表されるカルボン酸塩をカルボン酸発生剤として含有するレジスト組成物が記載されている。
特許文献２には、下記式で表される塩及び該塩を酸発生剤として含有するレジスト組成物が記載されている。
特許文献３には、下記式で表される塩を酸発生剤として含有するレジスト組成物が記載されている。
本発明は、上記の塩を含有するレジスト組成物によって形成されたレジストパターンよりも、ラインエッジラフネス（ＬＥＲ）が良好なレジストパターンを形成するカルボン酸塩を提供する。
本発明は、以下の発明を含む。
［１］式（Ｉ）で表されるカルボン酸塩。
［式（Ｉ）中、
Ｒ１は、フッ素原子又は炭素数１〜４のフッ素化アルキル基を表す。
Ｒ２、Ｒ３及びＲ４は、それぞれ独立に、ハロゲン原子、炭素数１〜４のフッ素化アルキル基又は炭素数１〜１２の炭化水素基を表し、該炭化水素基に含まれる−ＣＨ2−は、−Ｏ−又は−ＣＯ−で置き換わっていてもよい。
ｍ２は、０〜４のいずれかの整数を表し、ｍ２が２以上のとき、複数のＲ２は互いに同一であっても異なってもよい。
ｍ３は、０〜４のいずれかの整数を表し、ｍ３が２以上のとき、複数のＲ３は互いに同一であっても異なってもよい。
ｍ４は、０〜５のいずれかの整数を表し、ｍ４が２以上のとき、複数のＲ４は互いに同一であっても異なってもよい。
Ｘ０は、置換基を有してもよい炭素数１〜７２の炭化水素基を表し、該炭化水素基に含まれる−ＣＨ2−は、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＣＯ−又は−ＳＯ２−に置き換わっていてもよい。］
［２］Ｒ２、Ｒ３及びＲ４が、それぞれ独立に、フッ素原子、ヨウ素原子又は炭素数１〜４のペルフルオロアルキル基である［１］記載のカルボン酸塩。
［３］Ｘ０が、置換基を有してもよい炭素数１〜７２の脂肪族炭化水素基（該脂肪族炭化水素基に含まれる−ＣＨ2−は、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＣＯ−又は−ＳＯ２−に置き換わっていてもよい。）、置換基を有してもよい炭素数６〜３６の芳香族炭化水素基、式（ａａ）で表される基又は式（ｂｂ）で表される基である［１］又は［２］記載のカルボン酸塩。
［式（ａａ）中、
Ｘa及びＸbは、それぞれ独立に、−Ｏ−又は−Ｓ−を表す。
Ｘ１ａは、置換基を有してもよい炭素数１〜２４の炭化水素基を表し、該炭化水素基に含まれる−ＣＨ2−は、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＣＯ−又は−ＳＯ２−に置き換わっていてもよい。
Ｘ２ａは、置換基を有してもよい炭素数１〜４８の炭化水素基を表し、該炭化水素基に含まれる−ＣＨ2−は、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＣＯ−又は−ＳＯ２−に置き換わっていてもよい。
＊は、−ＣＯＯ−の炭素原子との結合位を表す。］
［式（ｂｂ）中、
ＬＡは、フッ素原子を有していてもよい炭素数１〜６のアルカンジイル基を表す。
ＬＢは、単結合又は炭素数１〜６のアルカンジイル基を表し、該アルカンジイル基に含まれる−ＣＨ2−は、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＣＯ−又は−ＳＯ２−に置き換わっていてもよい。
ＲＡは、置換基を有してもよい炭素数１〜３６の炭化水素基を表し、該炭化水素基に含まれる−ＣＨ2−は、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＣＯ−又は−ＳＯ２−に置き換わっていてもよい。
＊は、−ＣＯＯ−の炭素原子との結合位を表す。］
［４］Ｘ０が、フッ素原子もしくはヒドロキシ基を有してもよい炭素数３〜３６の脂環式炭化水素基（該脂環式炭化水素基に含まれる−ＣＨ2−は、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＣＯ−又は−ＳＯ２−に置き換わっていてもよい。）、炭素数３〜３６の脂環式炭化水素基と炭素数１〜１８の鎖式炭化水素基とを組み合わせた基（該脂環式炭化水素基に含まれる−ＣＨ2−は、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＣＯ−又は−ＳＯ２−に置き換わっていてもよく、該鎖式炭化水素基に含まれる−ＣＨ2−は、−Ｏ−又は−ＣＯ−に置き換わっていてもよく、該脂環式炭化水素基及び該鎖式炭化水素基は、フッ素原子又はヒドロキシ基を有してもよい。）、フッ素原子もしくはヒドロキシ基を有してもよい炭素数６〜３６の芳香族炭化水素基、式（ａａ）で表される基又は式（ｂｂ）で表される基である［３］記載のカルボン酸塩。
［５］［１］〜［４］のいずれかに記載のカルボン酸塩を含有するカルボン酸発生剤。
［６］［５］記載のカルボン酸発生剤、該カルボン酸発生剤以外の酸発生剤及び酸不安定基を有する樹脂を含有するレジスト組成物。
［７］酸不安定基を有する樹脂が、式（ａ１−１）で表される構造単位及び式（ａ１−２）で表される構造単位からなる群より選ばれる少なくとも１種を含む［６］記載のレジスト組成物。
［式（ａ１−１）及び式（ａ１−２）中、
Ｌa1及びＬa2は、それぞれ独立に、−Ｏ−又は＊−Ｏ−（ＣＨ２）ｋ１−ＣＯ−Ｏ−を表し、ｋ１は１〜７のいずれかの整数を表し、＊は−ＣＯ−との結合部位を表す。
Ｒa4及びＲa5は、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子又はハロゲン原子を有していてもよい炭素数１〜６のアルキル基を表す。
Ｒa6及びＲa7は、それぞれ独立に、炭素数１〜８のアルキル基、炭素数２〜８のアルケニル基、炭素数３〜１８の脂環式炭化水素基、炭素数６〜１８の芳香族炭化水素基又はこれらを組合せた基を表す。
ｍ１は、０〜１４のいずれかの整数を表す。
ｎ１は、０〜１０のいずれかの整数を表す。
ｎ１’は、０〜３のいずれかの整数を表す。］
［８］酸不安定基を有する樹脂が、式（ａ２−Ａ）で表される構造単位を含む［６］又は［７］記載のレジスト組成物。
［式（ａ２−Ａ）中、
Ｒa50は、水素原子、ハロゲン原子又はハロゲン原子を有していてもよい炭素数１〜６のアルキル基を表す。
Ｒa51は、ハロゲン原子、ヒドロキシ基、炭素数１〜６のアルキル基、炭素数１〜６のアルコキシ基、炭素数２〜１２のアルコキシアルキル基、炭素数２〜１２のアルコキシアルコキシ基、炭素数２〜４のアルキルカルボニル基、炭素数２〜４のアルキルカルボニルオキシ基、アクリロイルオキシ基又はメタクリロイルオキシ基を表す。
Ａa50は、単結合又は＊−Ｘa51−（Ａa52−Ｘa52）nｂ−を表し、＊は−Ｒa50が結合する炭素原子との結合位を表す。
Ａa52は、炭素数１〜６のアルカンジイル基を表す。
Ｘa51及びＸa52は、それぞれ独立に、−Ｏ−、−ＣＯ−Ｏ−又は−Ｏ−ＣＯ−を表す。
ｎｂは、０又は１を表す。
ｍｂは０〜４のいずれかの整数を表す。ｍｂが２以上のいずれかの整数である場合、複数のＲa51は互いに同一であっても異なってもよい。］
［９］（１）［６］〜［８］のいずれかに記載のレジスト組成物を基板上に塗布する工程、
（２）塗布後の組成物を乾燥させて組成物層を形成する工程、
（３）組成物層に露光する工程、
（４）露光後の組成物層を加熱する工程、及び
（５）加熱後の組成物層を現像する工程、を含むレジストパターンの製造方法。
［１］式（Ｉ）で表されるカルボン酸塩。
Ｒ１は、フッ素原子又は炭素数１〜４のフッ素化アルキル基を表す。
Ｒ２、Ｒ３及びＲ４は、それぞれ独立に、ハロゲン原子、炭素数１〜４のフッ素化アルキル基又は炭素数１〜１２の炭化水素基を表し、該炭化水素基に含まれる−ＣＨ2−は、−Ｏ−又は−ＣＯ−で置き換わっていてもよい。
ｍ２は、０〜４のいずれかの整数を表し、ｍ２が２以上のとき、複数のＲ２は互いに同一であっても異なってもよい。
ｍ３は、０〜４のいずれかの整数を表し、ｍ３が２以上のとき、複数のＲ３は互いに同一であっても異なってもよい。
ｍ４は、０〜５のいずれかの整数を表し、ｍ４が２以上のとき、複数のＲ４は互いに同一であっても異なってもよい。
Ｘ０は、置換基を有してもよい炭素数１〜７２の炭化水素基を表し、該炭化水素基に含まれる−ＣＨ2−は、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＣＯ−又は−ＳＯ２−に置き換わっていてもよい。］
［２］Ｒ２、Ｒ３及びＲ４が、それぞれ独立に、フッ素原子、ヨウ素原子又は炭素数１〜４のペルフルオロアルキル基である［１］記載のカルボン酸塩。
［３］Ｘ０が、置換基を有してもよい炭素数１〜７２の脂肪族炭化水素基（該脂肪族炭化水素基に含まれる−ＣＨ2−は、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＣＯ−又は−ＳＯ２−に置き換わっていてもよい。）、置換基を有してもよい炭素数６〜３６の芳香族炭化水素基、式（ａａ）で表される基又は式（ｂｂ）で表される基である［１］又は［２］記載のカルボン酸塩。
Ｘa及びＸbは、それぞれ独立に、−Ｏ−又は−Ｓ−を表す。
Ｘ１ａは、置換基を有してもよい炭素数１〜２４の炭化水素基を表し、該炭化水素基に含まれる−ＣＨ2−は、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＣＯ−又は−ＳＯ２−に置き換わっていてもよい。
Ｘ２ａは、置換基を有してもよい炭素数１〜４８の炭化水素基を表し、該炭化水素基に含まれる−ＣＨ2−は、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＣＯ−又は−ＳＯ２−に置き換わっていてもよい。
＊は、−ＣＯＯ−の炭素原子との結合位を表す。］
ＬＡは、フッ素原子を有していてもよい炭素数１〜６のアルカンジイル基を表す。
ＬＢは、単結合又は炭素数１〜６のアルカンジイル基を表し、該アルカンジイル基に含まれる−ＣＨ2−は、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＣＯ−又は−ＳＯ２−に置き換わっていてもよい。
ＲＡは、置換基を有してもよい炭素数１〜３６の炭化水素基を表し、該炭化水素基に含まれる−ＣＨ2−は、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＣＯ−又は−ＳＯ２−に置き換わっていてもよい。
＊は、−ＣＯＯ−の炭素原子との結合位を表す。］
［４］Ｘ０が、フッ素原子もしくはヒドロキシ基を有してもよい炭素数３〜３６の脂環式炭化水素基（該脂環式炭化水素基に含まれる−ＣＨ2−は、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＣＯ−又は−ＳＯ２−に置き換わっていてもよい。）、炭素数３〜３６の脂環式炭化水素基と炭素数１〜１８の鎖式炭化水素基とを組み合わせた基（該脂環式炭化水素基に含まれる−ＣＨ2−は、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＣＯ−又は−ＳＯ２−に置き換わっていてもよく、該鎖式炭化水素基に含まれる−ＣＨ2−は、−Ｏ−又は−ＣＯ−に置き換わっていてもよく、該脂環式炭化水素基及び該鎖式炭化水素基は、フッ素原子又はヒドロキシ基を有してもよい。）、フッ素原子もしくはヒドロキシ基を有してもよい炭素数６〜３６の芳香族炭化水素基、式（ａａ）で表される基又は式（ｂｂ）で表される基である［３］記載のカルボン酸塩。
［５］［１］〜［４］のいずれかに記載のカルボン酸塩を含有するカルボン酸発生剤。
［６］［５］記載のカルボン酸発生剤、該カルボン酸発生剤以外の酸発生剤及び酸不安定基を有する樹脂を含有するレジスト組成物。
［７］酸不安定基を有する樹脂が、式（ａ１−１）で表される構造単位及び式（ａ１−２）で表される構造単位からなる群より選ばれる少なくとも１種を含む［６］記載のレジスト組成物。
Ｌa1及びＬa2は、それぞれ独立に、−Ｏ−又は＊−Ｏ−（ＣＨ２）ｋ１−ＣＯ−Ｏ−を表し、ｋ１は１〜７のいずれかの整数を表し、＊は−ＣＯ−との結合部位を表す。
Ｒa4及びＲa5は、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子又はハロゲン原子を有していてもよい炭素数１〜６のアルキル基を表す。
Ｒa6及びＲa7は、それぞれ独立に、炭素数１〜８のアルキル基、炭素数２〜８のアルケニル基、炭素数３〜１８の脂環式炭化水素基、炭素数６〜１８の芳香族炭化水素基又はこれらを組合せた基を表す。
ｍ１は、０〜１４のいずれかの整数を表す。
ｎ１は、０〜１０のいずれかの整数を表す。
ｎ１’は、０〜３のいずれかの整数を表す。］
［８］酸不安定基を有する樹脂が、式（ａ２−Ａ）で表される構造単位を含む［６］又は［７］記載のレジスト組成物。
Ｒa50は、水素原子、ハロゲン原子又はハロゲン原子を有していてもよい炭素数１〜６のアルキル基を表す。
Ｒa51は、ハロゲン原子、ヒドロキシ基、炭素数１〜６のアルキル基、炭素数１〜６のアルコキシ基、炭素数２〜１２のアルコキシアルキル基、炭素数２〜１２のアルコキシアルコキシ基、炭素数２〜４のアルキルカルボニル基、炭素数２〜４のアルキルカルボニルオキシ基、アクリロイルオキシ基又はメタクリロイルオキシ基を表す。
Ａa50は、単結合又は＊−Ｘa51−（Ａa52−Ｘa52）nｂ−を表し、＊は−Ｒa50が結合する炭素原子との結合位を表す。
Ａa52は、炭素数１〜６のアルカンジイル基を表す。
Ｘa51及びＸa52は、それぞれ独立に、−Ｏ−、−ＣＯ−Ｏ−又は−Ｏ−ＣＯ−を表す。
ｎｂは、０又は１を表す。
ｍｂは０〜４のいずれかの整数を表す。ｍｂが２以上のいずれかの整数である場合、複数のＲa51は互いに同一であっても異なってもよい。］
［９］（１）［６］〜［８］のいずれかに記載のレジスト組成物を基板上に塗布する工程、
（２）塗布後の組成物を乾燥させて組成物層を形成する工程、
（３）組成物層に露光する工程、
（４）露光後の組成物層を加熱する工程、及び
（５）加熱後の組成物層を現像する工程、を含むレジストパターンの製造方法。
本発明のカルボン酸塩を含有するレジスト組成物を用いることにより、良好なラインエッジラフネス（ＬＥＲ）でレジストパターンを製造することができる。
本明細書において、「（メタ）アクリル系モノマー」とは、「ＣＨ2＝ＣＨ−ＣＯ−」の構造を有するモノマー及び「ＣＨ2＝Ｃ（ＣＨ3）−ＣＯ−」の構造を有するモノマーからなる群より選ばれる少なくとも１種を意味する。同様に「（メタ）アクリレート」及び「（メタ）アクリル酸」とは、それぞれ「アクリレート及びメタクリレートからなる群より選ばれる少なくとも１種」及び「アクリル酸及びメタクリル酸からなる群より選ばれる少なくとも１種」を意味する。「ＣＨ2＝Ｃ（ＣＨ3）−ＣＯ−」又は「ＣＨ2＝ＣＨ−ＣＯ−」を有する構造単位が例示されている場合には、双方の基を有する構造単位が同様に例示されているものとする。また、本明細書中に記載する基において、直鎖構造と分岐構造の両方をとり得るものについては、そのいずれでもよい。「由来する」又は「誘導される」とは、その分子中に含まれる重合性Ｃ＝Ｃ結合が重合により−Ｃ−Ｃ−基となることを指す。「組み合わせた基」とは、例示した基を２種以上結合させた基を意味し、それら基の価数は結合形態によって適宜変更してもよい。立体異性体が存在する場合は、全ての立体異性体を含む。
本明細書において、「レジスト組成物の固形分」とは、レジスト組成物の総量から、後述する溶剤（Ｅ）を除いた成分の合計を意味する。
本明細書において、「レジスト組成物の固形分」とは、レジスト組成物の総量から、後述する溶剤（Ｅ）を除いた成分の合計を意味する。
〔式（Ｉ）で表されるカルボン酸塩〕
本発明は、式（Ｉ）で表されるカルボン酸塩（以下「カルボン酸塩（Ｉ）」又は「塩（Ｉ）」という場合がある）に関する。
カルボン酸塩（Ｉ）のうち、負電荷を有する側を「アニオン（Ｉ）」、正電荷を有する側を「カチオン（Ｉ）」と称することがある。
［式中、全ての符号は、それぞれ前記と同じ意味を表す。］
本発明は、式（Ｉ）で表されるカルボン酸塩（以下「カルボン酸塩（Ｉ）」又は「塩（Ｉ）」という場合がある）に関する。
カルボン酸塩（Ｉ）のうち、負電荷を有する側を「アニオン（Ｉ）」、正電荷を有する側を「カチオン（Ｉ）」と称することがある。
式（Ｉ）において、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３及びＲ４の炭素数１〜４のフッ素化アルキル基とは、フッ素原子を有する炭素数１〜４のアルキル基を表し、炭素数１〜４のペルフルオロアルキル基（トリフルオロメチル基、ペンタフルオロエチル基、ヘプタフルオロプロピル基、ノナフルオロブチル基）、並びに２，２，２−トリフルオロエチル基、３，３，３−トリフルオロプロピル基、４，４，４−トリフルオロブチル基、及び３，３，４，４，４−ペンタフルオロブチル基などが挙げられる。フッ素化アルキル基の炭素数は、好ましくは１〜３であり、より好ましくは１又は２である。
式（Ｉ）において、Ｒ２、Ｒ３及びＲ４のハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子及びヨウ素原子等が挙げられる。
式（Ｉ）において、Ｒ２、Ｒ３及びＲ４の炭素数１〜１２の炭化水素基としては、アルキル基等の鎖式炭化水素基、脂環式炭化水素基、芳香族炭化水素基及びこれらを組み合わせることにより形成される基が挙げられる。
アルキル基としては、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、２−エチルヘキシル基、オクチル基、ノニル基、デシル基、ウンデシル基及びドデシル基等が挙げられる。アルキル基の炭素数は、好ましくは１〜９であり、より好ましくは１〜６であり、さらに好ましくは１〜４であり、さらにより好ましくは１〜３である。
脂環式炭化水素基としては、単環式又は多環式のいずれでもよく、単環式の脂環式炭化水素基としては、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロヘプチル基、シクロオクチル基、シクロデシル基等のシクロアルキル基が挙げられる。多環式の脂環式炭化水素基としては、デカヒドロナフチル基、アダマンチル基、ノルボルニル基等が挙げられる。
脂環式炭化水素基としては、以下に表される基等が挙げられる。結合部位は任意の位置とすることができる。
脂環式炭化水素基の炭素数は、好ましくは３〜１０であり、より好ましくは３〜８である。
芳香族炭化水素基としては、フェニル基、ナフチル基等が挙げられる。芳香族炭化水素基の炭素数は、好ましくは６〜１０である。
式（Ｉ）において、Ｒ２、Ｒ３及びＲ４のハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子及びヨウ素原子等が挙げられる。
式（Ｉ）において、Ｒ２、Ｒ３及びＲ４の炭素数１〜１２の炭化水素基としては、アルキル基等の鎖式炭化水素基、脂環式炭化水素基、芳香族炭化水素基及びこれらを組み合わせることにより形成される基が挙げられる。
アルキル基としては、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、２−エチルヘキシル基、オクチル基、ノニル基、デシル基、ウンデシル基及びドデシル基等が挙げられる。アルキル基の炭素数は、好ましくは１〜９であり、より好ましくは１〜６であり、さらに好ましくは１〜４であり、さらにより好ましくは１〜３である。
脂環式炭化水素基としては、単環式又は多環式のいずれでもよく、単環式の脂環式炭化水素基としては、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロヘプチル基、シクロオクチル基、シクロデシル基等のシクロアルキル基が挙げられる。多環式の脂環式炭化水素基としては、デカヒドロナフチル基、アダマンチル基、ノルボルニル基等が挙げられる。
脂環式炭化水素基としては、以下に表される基等が挙げられる。結合部位は任意の位置とすることができる。
芳香族炭化水素基としては、フェニル基、ナフチル基等が挙げられる。芳香族炭化水素基の炭素数は、好ましくは６〜１０である。
組み合わせることにより形成される基としては、芳香族炭化水素基と鎖式炭化水素基とを組み合わせた基（例えば、芳香族炭化水素基−アルカンジイル基−＊、アルキル基−芳香族炭化水素基−＊）、脂環式炭化水素基と鎖式炭化水素基とを組み合わせた基（例えば、脂環式炭化水素基−アルカンジイル基−＊、アルキル基−脂環式炭化水素基−＊）、芳香族炭化水素基と脂環式炭化水素基とを組み合わせた基（例えば、芳香族炭化水素基−脂環式炭化水素基−＊、脂環式炭化水素基−芳香族炭化水素基−＊）が挙げられる。＊は結合部位を表す。
芳香族炭化水素基−アルカンジイル基−＊としては、ベンジル基、フェネチル基等のアラルキル基が挙げられる。
アルキル基−芳香族炭化水素基−＊としては、トリル基、キシリル基、クメニル基等が挙げられる。
脂環式炭化水素基−アルカンジイル基−＊としては、シクロヘキシルメチル基、シクロヘキシルエチル基、１−（アダマンタン−１−イル）メチル基、１−（アダマンタン−１−イル）−１−メチルエチル基等のシクロアルキルアルキル基等が挙げられる。
アルキル基−脂環式炭化水素基−＊としては、メチルシクロヘキシル基、ジメチルシクロヘキシル基、２−アルキルアダマンタン−２−イル基等のアルキル基を有するシクロアルキル基等が挙げられる。
芳香族炭化水素基−脂環式炭化水素基−＊としては、フェニルシクロヘキシル基等が挙げられる。
脂環式炭化水素基−芳香族炭化水素基−＊としては、シクロヘキシルフェニル基等が挙げられる。
なお、組み合わせにおいて、脂環式炭化水素基、芳香族炭化水素基、鎖式炭化水素基は、それぞれ２種以上を組み合わせてもよい。また、いずれの基がベンゼン環に結合していてもよい。
芳香族炭化水素基−アルカンジイル基−＊としては、ベンジル基、フェネチル基等のアラルキル基が挙げられる。
アルキル基−芳香族炭化水素基−＊としては、トリル基、キシリル基、クメニル基等が挙げられる。
脂環式炭化水素基−アルカンジイル基−＊としては、シクロヘキシルメチル基、シクロヘキシルエチル基、１−（アダマンタン−１−イル）メチル基、１−（アダマンタン−１−イル）−１−メチルエチル基等のシクロアルキルアルキル基等が挙げられる。
アルキル基−脂環式炭化水素基−＊としては、メチルシクロヘキシル基、ジメチルシクロヘキシル基、２−アルキルアダマンタン−２−イル基等のアルキル基を有するシクロアルキル基等が挙げられる。
芳香族炭化水素基−脂環式炭化水素基−＊としては、フェニルシクロヘキシル基等が挙げられる。
脂環式炭化水素基−芳香族炭化水素基−＊としては、シクロヘキシルフェニル基等が挙げられる。
なお、組み合わせにおいて、脂環式炭化水素基、芳香族炭化水素基、鎖式炭化水素基は、それぞれ２種以上を組み合わせてもよい。また、いずれの基がベンゼン環に結合していてもよい。
炭化水素基に含まれる−ＣＨ2−が、−Ｏ−又は−ＣＯ−に置き換わった基としては、ヒドロキシ基（メチル基中に含まれる−ＣＨ2−が、−Ｏ−に置き換わった基）、カルボキシ基（エチル基中に含まれる−ＣＨ2−ＣＨ2−が、−Ｏ−ＣＯ−に置き換わった基）、アルコキシ基（アルキル基中に含まれる任意の位置の−ＣＨ2−が、−Ｏ−に置き換わった基）、アルコキシカルボニル基（アルキル基中に含まれる任意の位置の−ＣＨ2−ＣＨ2−が、−Ｏ−ＣＯ−に置き換わった基）、アルキルカルボニル基（アルキル基中に含まれる任意の位置の−ＣＨ2−が、−ＣＯ−に置き換わった基）、アルキルカルボニルオキシ基（アルキル基中に含まれる任意の位置の−ＣＨ2−ＣＨ2−が、−ＣＯ−Ｏ−に置き換わった基）、シクロアルコキシ基、シクロアルキルアルコキシ基、アルコキシカルボニルオキシ基、芳香族炭化水素基−カルボニルオキシ基、これらの基のうち２種以上を組み合わせた基等が挙げられる。
アルコキシ基としては、炭素数１〜１１のアルコキシ基が挙げられ、例えば、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基、ペンチルオキシ基、ヘキシルオキシ基、オクチルオキシ基、２−エチルヘキシルオキシ基、ノニルオキシ基、デシルオキシ基、ウンデシルオキシ基等が挙げられる。アルコキシ基の炭素数は、好ましくは１〜９であり、より好ましくは１〜６であり、さらに好ましくは１〜４であり、さらにより好ましくは１〜３である。
アルコキシカルボニル基、アルキルカルボニル基及びアルキルカルボニルオキシ基は、上述したアルキル基又はアルコキシ基にカルボニル基又はカルボニルオキシ基が結合した基を表す。
アルコキシカルボニル基としては、炭素数２〜１１のアルコキシカルボニル基が挙げられ、例えば、メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基、ブトキシカルボニル基等が挙げられる。アルキルカルボニル基としては、炭素数２〜１２のアルキルカルボニル基が挙げられ、例えば、アセチル基、プロピオニル基及びブチリル基等が挙げられる。アルキルカルボニルオキシ基としては、炭素数２〜１１のアルキルカルボニルオキシ基が挙げられ、例えば、アセチルオキシ基、プロピオニルオキシ基、ブチリルオキシ基等が挙げられる。アルコキシカルボニル基の炭素数は、好ましくは２〜９であり、より好ましくは２〜６であり、さらに好ましくは２〜４であり、さらにより好ましくは２又は３である。アルキルカルボニル基の炭素数は、好ましくは２〜９であり、より好ましくは２〜６であり、さらに好ましくは２〜４であり、さらにより好ましくは２又は３である。アルキルカルボニルオキシ基の炭素数は、好ましくは２〜９であり、より好ましくは２〜６であり、さらに好ましくは２〜４であり、さらにより好ましくは２又は３である。
シクロアルコキシ基としては、炭素数３〜１１のシクロアルコキシ基が挙げられ、例えば、シクロヘキシルオキシ基等が挙げられる。シクロアルキルアルコキシ基としては、炭素数４〜１１のシクロアルキルアルコキシ基が挙げられ、例えば、シクロヘキシルメトキシ基等が挙げられる。アルコキシカルボニルオキシ基としては、炭素数２〜１０のアルコキシカルボニルオキシ基が挙げられ、例えば、ブトキシカルボニルオキシ基等が挙げられる。芳香族炭化水素基−カルボニルオキシ基としては、炭素数７〜１１の芳香族炭化水素基−カルボニルオキシ基が挙げられ、例えば、ベンゾイルオキシ基等が挙げられる。
また、脂環式炭化水素基に含まれる−ＣＨ２−が、−Ｏ−又は−ＣＯ−で置き換わった基としては、以下に表される基等が挙げられる。結合部位は任意の位置とすることができる。
炭化水素基に含まれる−ＣＨ２−が、−Ｏ−又は−ＣＯ−で置き換わっている場合、置き換わる前の炭素数を該炭化水素基の総炭素数とする。また、その数は、１つでもよいし、２以上でもよい。
アルコキシ基としては、炭素数１〜１１のアルコキシ基が挙げられ、例えば、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基、ペンチルオキシ基、ヘキシルオキシ基、オクチルオキシ基、２−エチルヘキシルオキシ基、ノニルオキシ基、デシルオキシ基、ウンデシルオキシ基等が挙げられる。アルコキシ基の炭素数は、好ましくは１〜９であり、より好ましくは１〜６であり、さらに好ましくは１〜４であり、さらにより好ましくは１〜３である。
アルコキシカルボニル基、アルキルカルボニル基及びアルキルカルボニルオキシ基は、上述したアルキル基又はアルコキシ基にカルボニル基又はカルボニルオキシ基が結合した基を表す。
アルコキシカルボニル基としては、炭素数２〜１１のアルコキシカルボニル基が挙げられ、例えば、メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基、ブトキシカルボニル基等が挙げられる。アルキルカルボニル基としては、炭素数２〜１２のアルキルカルボニル基が挙げられ、例えば、アセチル基、プロピオニル基及びブチリル基等が挙げられる。アルキルカルボニルオキシ基としては、炭素数２〜１１のアルキルカルボニルオキシ基が挙げられ、例えば、アセチルオキシ基、プロピオニルオキシ基、ブチリルオキシ基等が挙げられる。アルコキシカルボニル基の炭素数は、好ましくは２〜９であり、より好ましくは２〜６であり、さらに好ましくは２〜４であり、さらにより好ましくは２又は３である。アルキルカルボニル基の炭素数は、好ましくは２〜９であり、より好ましくは２〜６であり、さらに好ましくは２〜４であり、さらにより好ましくは２又は３である。アルキルカルボニルオキシ基の炭素数は、好ましくは２〜９であり、より好ましくは２〜６であり、さらに好ましくは２〜４であり、さらにより好ましくは２又は３である。
シクロアルコキシ基としては、炭素数３〜１１のシクロアルコキシ基が挙げられ、例えば、シクロヘキシルオキシ基等が挙げられる。シクロアルキルアルコキシ基としては、炭素数４〜１１のシクロアルキルアルコキシ基が挙げられ、例えば、シクロヘキシルメトキシ基等が挙げられる。アルコキシカルボニルオキシ基としては、炭素数２〜１０のアルコキシカルボニルオキシ基が挙げられ、例えば、ブトキシカルボニルオキシ基等が挙げられる。芳香族炭化水素基−カルボニルオキシ基としては、炭素数７〜１１の芳香族炭化水素基−カルボニルオキシ基が挙げられ、例えば、ベンゾイルオキシ基等が挙げられる。
また、脂環式炭化水素基に含まれる−ＣＨ２−が、−Ｏ−又は−ＣＯ−で置き換わった基としては、以下に表される基等が挙げられる。結合部位は任意の位置とすることができる。
Ｒ１は、フッ素原子又は炭素数１〜４のペルフルオロアルキル基であることが好ましく、フッ素原子又は炭素数１〜３のペルフルオロアルキル基であることがより好ましく、フッ素原子又はトリフルオロメチル基であることがさらに好ましく、トリフルオロメチル基であることがさらにより好ましい。
ｍ２は、０〜３のいずれかの整数であることが好ましく、０〜２のいずれかの整数であることがより好ましく、０又は２であることがさらに好ましい。
ｍ３は、０〜２のいずれかの整数であることが好ましく、０又は１であることがより好ましく、０であることがさらに好ましい。
ｍ４は、０〜４のいずれかの整数であることが好ましく、０〜３のいずれかの整数であることがより好ましく、０、１又は３であることがさらに好ましく、１又は３であることがさらにより好ましい。
Ｒ２、Ｒ３及びＲ４は、それぞれ独立に、ハロゲン原子、炭素数１〜４のフッ素化アルキル基又は炭素数１〜６のアルキル基（該アルキル基に含まれる−ＣＨ2−は、−Ｏ−又は−ＣＯ−で置き換わっていてもよい。）であることが好ましく、ハロゲン原子、炭素数１〜４のフッ素化アルキル基又は炭素数１〜４のアルキル基（該アルキル基に含まれる−ＣＨ2−は、−Ｏ−又は−ＣＯ−で置き換わっていてもよい。）であることがより好ましく、フッ素原子、ヨウ素原子、炭素数１〜４のペルフルオロアルキル基、炭素数１〜４のアルキル基、ヒドロキシ基、炭素数１〜３のアルコキシ基であることがさらに好ましく、フッ素原子、ヨウ素原子又は炭素数１〜４のペルフルオロアルキル基であることがより一層好ましく、フッ素原子、ヨウ素原子又はトリフルオロメチル基であることがさらに一層好ましい。
ｍ２は、０〜３のいずれかの整数であることが好ましく、０〜２のいずれかの整数であることがより好ましく、０又は２であることがさらに好ましい。
ｍ３は、０〜２のいずれかの整数であることが好ましく、０又は１であることがより好ましく、０であることがさらに好ましい。
ｍ４は、０〜４のいずれかの整数であることが好ましく、０〜３のいずれかの整数であることがより好ましく、０、１又は３であることがさらに好ましく、１又は３であることがさらにより好ましい。
Ｒ２、Ｒ３及びＲ４は、それぞれ独立に、ハロゲン原子、炭素数１〜４のフッ素化アルキル基又は炭素数１〜６のアルキル基（該アルキル基に含まれる−ＣＨ2−は、−Ｏ−又は−ＣＯ−で置き換わっていてもよい。）であることが好ましく、ハロゲン原子、炭素数１〜４のフッ素化アルキル基又は炭素数１〜４のアルキル基（該アルキル基に含まれる−ＣＨ2−は、−Ｏ−又は−ＣＯ−で置き換わっていてもよい。）であることがより好ましく、フッ素原子、ヨウ素原子、炭素数１〜４のペルフルオロアルキル基、炭素数１〜４のアルキル基、ヒドロキシ基、炭素数１〜３のアルコキシ基であることがさらに好ましく、フッ素原子、ヨウ素原子又は炭素数１〜４のペルフルオロアルキル基であることがより一層好ましく、フッ素原子、ヨウ素原子又はトリフルオロメチル基であることがさらに一層好ましい。
式（Ｉ）において、ヨウ素原子は、Ｓ＋に対してベンゼン環のо位、ｍ位、ｐ位のいずれに結合していてもよいが、ｍ又はｐ位に結合していることが好ましく、ｐ位に結合していることがより好ましい。
Ｒ１は、Ｓ＋に対してベンゼン環のо位、ｍ位、ｐ位のいずれに結合していてもよいが、ｍ又はｐ位に結合していることが好ましく、ｐ位に結合していることがより好ましい。
Ｒ２、Ｒ３及びＲ４は、それぞれ、Ｓ＋に対してベンゼン環のо位、ｍ位、ｐ位のいずれに結合していてもよい。中でも、Ｒ２は、ｍ位又はｐ位に結合していることが好ましく、Ｒ１がＳ＋に対してベンゼン環のｐ位に結合している場合には、ｍ位に結合していることがより好ましい。また、Ｒ３は、о位又はｍ位に結合していることが好ましく、ヨウ素原子がＳ＋に対してベンゼン環のｐ位に結合している場合には、о位に結合していることがより好ましい。Ｒ４は、ｍ位又はｐ位に結合していることが好ましく、少なくともｐ位に結合していることがより好ましい。
塩（Ｉ）におけるカチオンとしては、以下の式（Ｉ−ｃ−１）〜式（Ｉ−ｃ−２０）で表されるカチオン等が挙げられる。
Ｒ１は、Ｓ＋に対してベンゼン環のо位、ｍ位、ｐ位のいずれに結合していてもよいが、ｍ又はｐ位に結合していることが好ましく、ｐ位に結合していることがより好ましい。
Ｒ２、Ｒ３及びＲ４は、それぞれ、Ｓ＋に対してベンゼン環のо位、ｍ位、ｐ位のいずれに結合していてもよい。中でも、Ｒ２は、ｍ位又はｐ位に結合していることが好ましく、Ｒ１がＳ＋に対してベンゼン環のｐ位に結合している場合には、ｍ位に結合していることがより好ましい。また、Ｒ３は、о位又はｍ位に結合していることが好ましく、ヨウ素原子がＳ＋に対してベンゼン環のｐ位に結合している場合には、о位に結合していることがより好ましい。Ｒ４は、ｍ位又はｐ位に結合していることが好ましく、少なくともｐ位に結合していることがより好ましい。
塩（Ｉ）におけるカチオンとしては、以下の式（Ｉ−ｃ−１）〜式（Ｉ−ｃ−２０）で表されるカチオン等が挙げられる。
なかでも、式（Ｉ−ｃ−１）〜式（Ｉ−ｃ−６）、式（Ｉ−ｃ−１３）、式（Ｉ−ｃ−１４）、式（Ｉ−ｃ−１７）、式（Ｉ−ｃ−１８）で表されるカチオンが好ましく、式（Ｉ−ｃ−１）〜式（Ｉ−ｃ−４）、式（Ｉ−ｃ−１３）、式（Ｉ−ｃ−１４）、式（Ｉ−ｃ−１７）、式（Ｉ−ｃ−１８）で表されるカチオンがより好ましく、式（Ｉ−ｃ−１）、式（Ｉ−ｃ−３）、式（Ｉ−ｃ−１３）、式（Ｉ−ｃ−１４）、式（Ｉ−ｃ−１７）、式（Ｉ−ｃ−１８）で表されるカチオンがさらに好ましく、式（Ｉ−ｃ−１）、式（Ｉ−ｃ−１３）、式（Ｉ−ｃ−１４）、式（Ｉ−ｃ−１７）、式（Ｉ−ｃ−１８）で表されるカチオンがさらにより好ましい。
式（Ｉ）において、Ｘ０で表される炭化水素基としては、脂肪族炭化水素基（アルキル基、アルケニル基、アルキニル基等の鎖式炭化水素基及び脂環式炭化水素基）、芳香族炭化水素基及びこれらを組み合わせた基等が挙げられる。脂肪族炭化水素基に含まれる−ＣＨ2−は、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＣＯ−又は−ＳＯ２−に置き換わっていてもよい。
アルキル基としては、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、オクチル基、ノニル基等のアルキル基が挙げられる。アルキル基の炭素数は、好ましくは１〜１８であり、より好ましくは１〜１２であり、さらに好ましくは１〜９であり、より一層好ましくは１〜６であり、さらに一層好ましくは１〜４である。
アルケニル基としては、エテニル基、プロペニル基、イソプロペニル基、ブテニル基、イソブテニル基、ｔｅｒｔ−ブテニル基、ペンテニル基、ヘキセニル基、ヘプテニル基、オクテニル基、イソオクテニル基、ノネニル基が挙げられる。
アルキニル基としては、エチニル基、プロピニル基、イソプロピニル基、ブチニル基、イソブチニル基、ｔｅｒｔ−ブチニル基、ペンチニル基、ヘキシニル基、オクチニル基、ノニニル基等が挙げられる。
鎖式炭化水素基に含まれる−ＣＨ2−が、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＣＯ−又は−ＳＯ２−に置き換わった基としては、ヒドロキシ基（メチル基中に含まれる−ＣＨ2−が、−Ｏ−に置き換わった基）、カルボキシ基（エチル基中に含まれる−ＣＨ2−ＣＨ2−が、−Ｏ−ＣＯ−に置き換わった基）、アルコキシ基（アルキル基中に含まれる任意の位置の−ＣＨ2−が、−Ｏ−に置き換わった基）、アルコキシカルボニル基（アルキル基中に含まれる任意の位置の−ＣＨ2−ＣＨ2−が、−Ｏ−ＣＯ−に置き換わった基）、アルキルカルボニル基（アルキル基中に含まれる任意の位置の−ＣＨ2−が、−ＣＯ−に置き換わった基）、アルキルカルボニルオキシ基（アルキル基中に含まれる任意の位置の−ＣＨ2−ＣＨ2−が、−ＣＯ−Ｏ−に置き換わった基）、アルキルチオ基（アルキル基中に含まれる任意の位置の−ＣＨ2−が、−Ｓ−に置き換わった基）等が挙げられる。
アルコキシ基、アルコキシカルボニル基、アルキルカルボニル基、アルキルカルボニルオキシ基は、例えば、炭素数１〜１７のアルコキシ基、炭素数２〜１７のアルコキシカルボニル基、炭素数２〜１８のアルキルカルボニル基及び炭素数２〜１７のアルキルカルボニルオキシ基が挙げられ、上記と同様の基が挙げられる。アルキルチオ基としては、炭素数１〜１７のアルキルチオ基が挙げられ、例えば、メチルチオ基、エチルチオ基、プロピルチオ基等が挙げられる。
なお、アルケニル基、アルキニル基における置き換わりは、上述したアルキル基における置き換わりの例示において、任意の位置に炭素−炭素二重結合又は炭素−炭素三重結合を含むものであればよい。
脂環式炭化水素基は、単環式、多環式及びスピロ環のいずれでもよく、飽和及び不飽和のいずれでもよい。脂環式炭化水素基としては、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロへキシル基、シクロオクチル基、シクロノニル基、シクロデシル基、シクロドデシル基等の単環式シクロアルキル基、ノルボルニル基、アダマンチル基等の多環式シクロアルキル基が挙げられる。
脂環式炭化水素基及び脂環式炭化水素基に含まれる−ＣＨ2−が、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＣＯ−又は−ＳＯ２−に置き換わった基としては、具体的に、下記の基等が挙げられる。結合部位は任意の位置とすることができる。
アルキル基としては、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、オクチル基、ノニル基等のアルキル基が挙げられる。アルキル基の炭素数は、好ましくは１〜１８であり、より好ましくは１〜１２であり、さらに好ましくは１〜９であり、より一層好ましくは１〜６であり、さらに一層好ましくは１〜４である。
アルケニル基としては、エテニル基、プロペニル基、イソプロペニル基、ブテニル基、イソブテニル基、ｔｅｒｔ−ブテニル基、ペンテニル基、ヘキセニル基、ヘプテニル基、オクテニル基、イソオクテニル基、ノネニル基が挙げられる。
アルキニル基としては、エチニル基、プロピニル基、イソプロピニル基、ブチニル基、イソブチニル基、ｔｅｒｔ−ブチニル基、ペンチニル基、ヘキシニル基、オクチニル基、ノニニル基等が挙げられる。
鎖式炭化水素基に含まれる−ＣＨ2−が、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＣＯ−又は−ＳＯ２−に置き換わった基としては、ヒドロキシ基（メチル基中に含まれる−ＣＨ2−が、−Ｏ−に置き換わった基）、カルボキシ基（エチル基中に含まれる−ＣＨ2−ＣＨ2−が、−Ｏ−ＣＯ−に置き換わった基）、アルコキシ基（アルキル基中に含まれる任意の位置の−ＣＨ2−が、−Ｏ−に置き換わった基）、アルコキシカルボニル基（アルキル基中に含まれる任意の位置の−ＣＨ2−ＣＨ2−が、−Ｏ−ＣＯ−に置き換わった基）、アルキルカルボニル基（アルキル基中に含まれる任意の位置の−ＣＨ2−が、−ＣＯ−に置き換わった基）、アルキルカルボニルオキシ基（アルキル基中に含まれる任意の位置の−ＣＨ2−ＣＨ2−が、−ＣＯ−Ｏ−に置き換わった基）、アルキルチオ基（アルキル基中に含まれる任意の位置の−ＣＨ2−が、−Ｓ−に置き換わった基）等が挙げられる。
アルコキシ基、アルコキシカルボニル基、アルキルカルボニル基、アルキルカルボニルオキシ基は、例えば、炭素数１〜１７のアルコキシ基、炭素数２〜１７のアルコキシカルボニル基、炭素数２〜１８のアルキルカルボニル基及び炭素数２〜１７のアルキルカルボニルオキシ基が挙げられ、上記と同様の基が挙げられる。アルキルチオ基としては、炭素数１〜１７のアルキルチオ基が挙げられ、例えば、メチルチオ基、エチルチオ基、プロピルチオ基等が挙げられる。
なお、アルケニル基、アルキニル基における置き換わりは、上述したアルキル基における置き換わりの例示において、任意の位置に炭素−炭素二重結合又は炭素−炭素三重結合を含むものであればよい。
脂環式炭化水素基は、単環式、多環式及びスピロ環のいずれでもよく、飽和及び不飽和のいずれでもよい。脂環式炭化水素基としては、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロへキシル基、シクロオクチル基、シクロノニル基、シクロデシル基、シクロドデシル基等の単環式シクロアルキル基、ノルボルニル基、アダマンチル基等の多環式シクロアルキル基が挙げられる。
脂環式炭化水素基及び脂環式炭化水素基に含まれる−ＣＨ2−が、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＣＯ−又は−ＳＯ２−に置き換わった基としては、具体的に、下記の基等が挙げられる。結合部位は任意の位置とすることができる。
芳香族炭化水素基としては、フェニル基、ナフチル基、ビフェニル基、アントリル基、フェナントリル基、ビナフチル基等のアリール基等が挙げられる。芳香族炭化水素基の炭素数は、好ましくは６〜３６であり、より好ましくは６〜２４であり、さらに好ましくは６〜１８であり、より一層好ましくは６〜１４であり、さらに一層好ましくは６〜１０である。
組み合わせた基の場合、上述の基において価数の異なる基（アルカンジイル基、アルカントリイル基、アルカンテトライル基、シクロアルカンジイル基、シクロアルカントリイル基、シクロアルカンテトライル基等）が含まれていてもよい。
組み合わせた基の場合、上述の基において価数の異なる基（アルカンジイル基、アルカントリイル基、アルカンテトライル基、シクロアルカンジイル基、シクロアルカントリイル基、シクロアルカンテトライル基等）が含まれていてもよい。
組み合わせた基とは、
脂環式炭化水素基と鎖式炭化水素基とを組み合わせた基（該鎖式炭化水素基及び該脂環式炭化水素基に含まれる−ＣＨ2−は、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＣＯ−又は−ＳＯ２−に置き換わっていてもよい）、
鎖式炭化水素基と芳香族炭化水素基とを組み合わせた基（該鎖式炭化水素基に含まれる−ＣＨ2−は、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＣＯ−又は−ＳＯ２−に置き換わっていてもよい）、及び
脂環式炭化水素基と芳香族炭化水素基とを組み合わせた基（該脂環式炭化水素基に含まれる−ＣＨ2−は、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＣＯ−又は−ＳＯ２−に置き換わっていてもよい）を表す。
なお、組み合わせにおいて、脂環式炭化水素基、鎖式炭化水素基及び芳香族炭化水素基は、それぞれ２種以上を組み合わせてもよい。
具体的には、組み合わせた基としては、
アダマンチルメチレン基、シクロヘキシルメチレン基等の脂環式炭化水素基−鎖式炭化水素基−＊、（脂環式炭化水素基）２−鎖式炭化水素基−＊（該鎖式炭化水素基及び該脂環式炭化水素基に含まれる−ＣＨ2−は、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＣＯ−又は−ＳＯ２−に置き換わっていてもよい）、
メチルアダマンチル基、ジメチルアダマンチル基等の鎖式炭化水素基−脂環式炭化水素基−＊、（鎖式炭化水素基）２−脂環式炭化水素基−＊（該鎖式炭化水素基及び該脂環式炭化水素基に含まれる−ＣＨ2−は、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＣＯ−又は−ＳＯ２−に置き換わっていてもよい）、
トリル基、キシリル基等の鎖式炭化水素基−芳香族炭化水素基−＊（該鎖式炭化水素基に含まれる−ＣＨ2−は、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＣＯ−又は−ＳＯ２−に置き換わっていてもよい）、
メチルシクロヘキシルメチレン基等の鎖式炭化水素基−脂環式炭化水素基−鎖式炭化水素基−＊、（鎖式炭化水素基）２−脂環式炭化水素基−鎖式炭化水素基−＊、（鎖式炭化水素基−脂環式炭化水素基）２−鎖式炭化水素基−＊（該鎖式炭化水素基及び該脂環式炭化水素基に含まれる−ＣＨ2−は、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＣＯ−又は−ＳＯ２−に置き換わっていてもよい）、
ベンジル基等の芳香族炭化水素基−鎖式炭化水素基−＊（該鎖式炭化水素基に含まれる−ＣＨ2−は、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＣＯ−又は−ＳＯ２−に置き換わっていてもよい）、
トリルメチル基等の鎖式炭化水素基−芳香族炭化水素基−鎖式炭化水素基−＊（該鎖式炭化水素基に含まれる−ＣＨ2−は、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＣＯ−又は−ＳＯ２−に置き換わっていてもよい）、
メチルアダマンタンメチレンアダマンチル基、ジ（メチルアダマンタンメチレン）アダマンチル基等の鎖式炭化水素基−脂環式炭化水素基−鎖式炭化水素基−脂環式炭化水素基−＊、（鎖式炭化水素基−脂環式炭化水素基−鎖式炭化水素基）２−脂環式炭化水素基−＊、（鎖式炭化水素基−脂環式炭化水素基）２−鎖式炭化水素基−脂環式炭化水素基−＊、（鎖式炭化水素基）２−脂環式炭化水素基−鎖式炭化水素基−脂環式炭化水素基−＊（該鎖式炭化水素基及び該脂環式炭化水素基に含まれる−ＣＨ2−は、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＣＯ−又は−ＳＯ２−に置き換わっていてもよい）、
脂環式炭化水素基−鎖式炭化水素基−脂環式炭化水素基−鎖式炭化水素基−＊、（脂環式炭化水素基）２−鎖式炭化水素基−脂環式炭化水素基−鎖式炭化水素基−＊、（脂環式炭化水素基−鎖式炭化水素基）２−脂環式炭化水素基−鎖式炭化水素基−＊、（脂環式炭化水素基−鎖式炭化水素基−脂環式炭化水素基）２−鎖式炭化水素基−＊（該鎖式炭化水素基及び該脂環式炭化水素基に含まれる−ＣＨ2−は、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＣＯ−又は−ＳＯ２−に置き換わっていてもよい）、
鎖式炭化水素基−脂環式炭化水素基−鎖式炭化水素基−脂環式炭化水素基−鎖式炭化水素基−＊、（鎖式炭化水素基）２−脂環式炭化水素基−鎖式炭化水素基−脂環式炭化水素基−鎖式炭化水素基−＊、（鎖式炭化水素基−脂環式炭化水素基）２−鎖式炭化水素基−脂環式炭化水素基−鎖式炭化水素基−＊、（鎖式炭化水素基−脂環式炭化水素基−鎖式炭化水素基）２−脂環式炭化水素基−鎖式炭化水素基−＊、（鎖式炭化水素基−脂環式炭化水素基−鎖式炭化水素基−脂環式炭化水素基）２−鎖式炭化水素基−＊（該鎖式炭化水素基及び該脂環式炭化水素基に含まれる−ＣＨ2−は、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＣＯ−又は−ＳＯ２−に置き換わっていてもよい）、
等が挙げられる。ここで、＊はカルボニル基の炭素原子との結合位を表す。
脂環式炭化水素基と鎖式炭化水素基とを組み合わせた基（該鎖式炭化水素基及び該脂環式炭化水素基に含まれる−ＣＨ2−は、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＣＯ−又は−ＳＯ２−に置き換わっていてもよい）、
鎖式炭化水素基と芳香族炭化水素基とを組み合わせた基（該鎖式炭化水素基に含まれる−ＣＨ2−は、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＣＯ−又は−ＳＯ２−に置き換わっていてもよい）、及び
脂環式炭化水素基と芳香族炭化水素基とを組み合わせた基（該脂環式炭化水素基に含まれる−ＣＨ2−は、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＣＯ−又は−ＳＯ２−に置き換わっていてもよい）を表す。
なお、組み合わせにおいて、脂環式炭化水素基、鎖式炭化水素基及び芳香族炭化水素基は、それぞれ２種以上を組み合わせてもよい。
具体的には、組み合わせた基としては、
アダマンチルメチレン基、シクロヘキシルメチレン基等の脂環式炭化水素基−鎖式炭化水素基−＊、（脂環式炭化水素基）２−鎖式炭化水素基−＊（該鎖式炭化水素基及び該脂環式炭化水素基に含まれる−ＣＨ2−は、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＣＯ−又は−ＳＯ２−に置き換わっていてもよい）、
メチルアダマンチル基、ジメチルアダマンチル基等の鎖式炭化水素基−脂環式炭化水素基−＊、（鎖式炭化水素基）２−脂環式炭化水素基−＊（該鎖式炭化水素基及び該脂環式炭化水素基に含まれる−ＣＨ2−は、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＣＯ−又は−ＳＯ２−に置き換わっていてもよい）、
トリル基、キシリル基等の鎖式炭化水素基−芳香族炭化水素基−＊（該鎖式炭化水素基に含まれる−ＣＨ2−は、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＣＯ−又は−ＳＯ２−に置き換わっていてもよい）、
メチルシクロヘキシルメチレン基等の鎖式炭化水素基−脂環式炭化水素基−鎖式炭化水素基−＊、（鎖式炭化水素基）２−脂環式炭化水素基−鎖式炭化水素基−＊、（鎖式炭化水素基−脂環式炭化水素基）２−鎖式炭化水素基−＊（該鎖式炭化水素基及び該脂環式炭化水素基に含まれる−ＣＨ2−は、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＣＯ−又は−ＳＯ２−に置き換わっていてもよい）、
ベンジル基等の芳香族炭化水素基−鎖式炭化水素基−＊（該鎖式炭化水素基に含まれる−ＣＨ2−は、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＣＯ−又は−ＳＯ２−に置き換わっていてもよい）、
トリルメチル基等の鎖式炭化水素基−芳香族炭化水素基−鎖式炭化水素基−＊（該鎖式炭化水素基に含まれる−ＣＨ2−は、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＣＯ−又は−ＳＯ２−に置き換わっていてもよい）、
メチルアダマンタンメチレンアダマンチル基、ジ（メチルアダマンタンメチレン）アダマンチル基等の鎖式炭化水素基−脂環式炭化水素基−鎖式炭化水素基−脂環式炭化水素基−＊、（鎖式炭化水素基−脂環式炭化水素基−鎖式炭化水素基）２−脂環式炭化水素基−＊、（鎖式炭化水素基−脂環式炭化水素基）２−鎖式炭化水素基−脂環式炭化水素基−＊、（鎖式炭化水素基）２−脂環式炭化水素基−鎖式炭化水素基−脂環式炭化水素基−＊（該鎖式炭化水素基及び該脂環式炭化水素基に含まれる−ＣＨ2−は、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＣＯ−又は−ＳＯ２−に置き換わっていてもよい）、
脂環式炭化水素基−鎖式炭化水素基−脂環式炭化水素基−鎖式炭化水素基−＊、（脂環式炭化水素基）２−鎖式炭化水素基−脂環式炭化水素基−鎖式炭化水素基−＊、（脂環式炭化水素基−鎖式炭化水素基）２−脂環式炭化水素基−鎖式炭化水素基−＊、（脂環式炭化水素基−鎖式炭化水素基−脂環式炭化水素基）２−鎖式炭化水素基−＊（該鎖式炭化水素基及び該脂環式炭化水素基に含まれる−ＣＨ2−は、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＣＯ−又は−ＳＯ２−に置き換わっていてもよい）、
鎖式炭化水素基−脂環式炭化水素基−鎖式炭化水素基−脂環式炭化水素基−鎖式炭化水素基−＊、（鎖式炭化水素基）２−脂環式炭化水素基−鎖式炭化水素基−脂環式炭化水素基−鎖式炭化水素基−＊、（鎖式炭化水素基−脂環式炭化水素基）２−鎖式炭化水素基−脂環式炭化水素基−鎖式炭化水素基−＊、（鎖式炭化水素基−脂環式炭化水素基−鎖式炭化水素基）２−脂環式炭化水素基−鎖式炭化水素基−＊、（鎖式炭化水素基−脂環式炭化水素基−鎖式炭化水素基−脂環式炭化水素基）２−鎖式炭化水素基−＊（該鎖式炭化水素基及び該脂環式炭化水素基に含まれる−ＣＨ2−は、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＣＯ−又は−ＳＯ２−に置き換わっていてもよい）、
等が挙げられる。ここで、＊はカルボニル基の炭素原子との結合位を表す。
Ｘ０で表される炭化水素基に含まれる−ＣＨ2−は、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＣＯ−又は−ＳＯ２−に置き換わっている場合、置き換わる前の炭素数を該炭化水素基の総炭素数とする。また、Ｘ０で表される炭化水素基に置換基が結合する場合、置換する前の炭素数を該炭化水素基の総炭素数とする。
Ｘ０で表される炭化水素基は、１又は複数の置換基を有していてもよい。
置換基としては、ヒドロキシ基、ハロゲン原子、シアノ基、炭素数１〜１２のアルキル基、炭素数１〜１２のアルコキシ基、炭素数２〜１３のアルコキシカルボニル基、炭素数２〜１３のアルキルカルボニル基、炭素数２〜１３のアルキルカルボニルオキシ基、炭素数３〜１２の脂環式炭化水素基、炭素数６〜１０の芳香族炭化水素基又はこれらを組み合わせた基等が挙げられる。
ハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子等が挙げられる。ハロゲン原子は、中でもフッ素原子が好ましい。
炭素数１〜１２のアルキル基としては、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、オクチル基、ノニル基等が挙げられる。
炭素数１〜１２のアルコキシ基としては、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基、ペンチルオキシ基、ヘキシルオキシ基、オクチルオキシ基、２−エチルヘキシルオキシ基、ノニルオキシ基、デシルオキシ基、ウンデシルオキシ基、ドデシルオキシ基等が挙げられる。
炭素数２〜１３のアルコキシカルボニル基、炭素数２〜１３のアルキルカルボニル基及び炭素数２〜１３のアルキルカルボニルオキシ基は、上述したアルキル基又はアルコキシ基にカルボニル基又はカルボニルオキシ基が結合した基を表す。
炭素数２〜１３のアルコキシカルボニル基としては、メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基、ブトキシカルボニル基等が挙げられ、炭素数２〜１３のアルキルカルボニル基としては、アセチル基、プロピオニル基及びブチリル基等が挙げられ、炭素数２〜１３のアルキルカルボニルオキシ基としては、アセチルオキシ基、プロピオニルオキシ基、ブチリルオキシ基等が挙げられる。
炭素数３〜１２の脂環式炭化水素基としては、下記に示す基が挙げられる。＊＊はＸ０との結合位を表す。
炭素数６〜１０の芳香族炭化水素基としては、フェニル基、ナフチル基等のアリール基が挙げられる。
組み合わせた基としては、ヒドロキシ基と炭素数１〜１２のアルキル基とを組み合わせた基、炭素数１〜１２のアルキル基と炭素数６〜１０の芳香族炭化水素基とを組み合わせた基、炭素数３〜１２の脂環式炭化水素基と炭素数６〜１０の芳香族炭化水素基とを組み合わせた基等が挙げられる。
ヒドロキシ基と炭素数１〜１２のアルキル基とを組み合わせた基としては、ヒドロキシメチル基、ヒドロキシエチル基等の炭素数１〜１２のヒドロキシアルキル基等が挙げられる。
炭素数１〜１２のアルキル基と炭素数６〜１０の芳香族炭化水素基とを組み合わせた基としては、ベンジル基等の炭素数７〜２２のアラルキル基、トリル基、キシリル基等の炭素数７〜２２のアルキルアリール基が挙げられる。
炭素数３〜１２の脂環式炭化水素基と炭素数６〜１０の芳香族炭化水素基とを組み合わせた基としては、シクロヘキシルフェニル基等が挙げられる。
Ｘ０で表される炭化水素基は、１又は複数の置換基を有していてもよい。
置換基としては、ヒドロキシ基、ハロゲン原子、シアノ基、炭素数１〜１２のアルキル基、炭素数１〜１２のアルコキシ基、炭素数２〜１３のアルコキシカルボニル基、炭素数２〜１３のアルキルカルボニル基、炭素数２〜１３のアルキルカルボニルオキシ基、炭素数３〜１２の脂環式炭化水素基、炭素数６〜１０の芳香族炭化水素基又はこれらを組み合わせた基等が挙げられる。
ハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子等が挙げられる。ハロゲン原子は、中でもフッ素原子が好ましい。
炭素数１〜１２のアルキル基としては、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、オクチル基、ノニル基等が挙げられる。
炭素数１〜１２のアルコキシ基としては、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基、ペンチルオキシ基、ヘキシルオキシ基、オクチルオキシ基、２−エチルヘキシルオキシ基、ノニルオキシ基、デシルオキシ基、ウンデシルオキシ基、ドデシルオキシ基等が挙げられる。
炭素数２〜１３のアルコキシカルボニル基、炭素数２〜１３のアルキルカルボニル基及び炭素数２〜１３のアルキルカルボニルオキシ基は、上述したアルキル基又はアルコキシ基にカルボニル基又はカルボニルオキシ基が結合した基を表す。
炭素数２〜１３のアルコキシカルボニル基としては、メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基、ブトキシカルボニル基等が挙げられ、炭素数２〜１３のアルキルカルボニル基としては、アセチル基、プロピオニル基及びブチリル基等が挙げられ、炭素数２〜１３のアルキルカルボニルオキシ基としては、アセチルオキシ基、プロピオニルオキシ基、ブチリルオキシ基等が挙げられる。
炭素数３〜１２の脂環式炭化水素基としては、下記に示す基が挙げられる。＊＊はＸ０との結合位を表す。
組み合わせた基としては、ヒドロキシ基と炭素数１〜１２のアルキル基とを組み合わせた基、炭素数１〜１２のアルキル基と炭素数６〜１０の芳香族炭化水素基とを組み合わせた基、炭素数３〜１２の脂環式炭化水素基と炭素数６〜１０の芳香族炭化水素基とを組み合わせた基等が挙げられる。
ヒドロキシ基と炭素数１〜１２のアルキル基とを組み合わせた基としては、ヒドロキシメチル基、ヒドロキシエチル基等の炭素数１〜１２のヒドロキシアルキル基等が挙げられる。
炭素数１〜１２のアルキル基と炭素数６〜１０の芳香族炭化水素基とを組み合わせた基としては、ベンジル基等の炭素数７〜２２のアラルキル基、トリル基、キシリル基等の炭素数７〜２２のアルキルアリール基が挙げられる。
炭素数３〜１２の脂環式炭化水素基と炭素数６〜１０の芳香族炭化水素基とを組み合わせた基としては、シクロヘキシルフェニル基等が挙げられる。
Ｘ０で表される炭化水素基としては、好ましくは、置換基を有してもよい炭素数１〜７２の脂肪族炭化水素基（該脂肪族炭化水素基に含まれる−ＣＨ2−は、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＣＯ−又は−ＳＯ２−に置き換わっていてもよい。）、置換基を有してもよい炭素数６〜３６の芳香族炭化水素基、式（ａａ）で表される基又は式（ｂｂ）で表される基であり、
より好ましくは、ヒドロキシ基もしくはフッ素原子を有してもよい脂環式炭化水素基（該脂環式炭化水素基に含まれる−ＣＨ2−は、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＣＯ−又は−ＳＯ２−に置き換わっていてもよい。）、脂環式炭化水素基と鎖式炭化水素基とを組み合わせた基（該脂環式炭化水素基に含まれる−ＣＨ2−は、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＣＯ−又は−ＳＯ２−に置き換わっていてもよく、該鎖式炭化水素基に含まれる−ＣＨ2−は、−Ｏ−又は−ＣＯ−に置き換わっていてもよく、該脂環式炭化水素基及び該鎖式炭化水素基は、フッ素原子又はヒドロキシ基を有してもよい。）、フッ素原子もしくはヒドロキシ基を有してもよい芳香族炭化水素基、式（ａａ）で表される基又は式（ｂｂ）で表される基であり、
さらに好ましくは、＊−脂環式炭化水素基（該脂環式炭化水素基に含まれる−ＣＨ2−は、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＣＯ−又は−ＳＯ２−に置き換わっていてもよく、該脂環式炭化水素基は、ヒドロキシ基又はフッ素原子を有していてもよい。＊は−ＣＯＯ−の炭素原子との結合位を表す。）、＊−脂環式炭化水素基−鎖式炭化水素基（該脂環式炭化水素基に含まれる−ＣＨ2−は、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＣＯ−又は−ＳＯ２−に置き換わっていてもよく、該鎖式炭化水素基に含まれる−ＣＨ2−は、−Ｏ−又は−ＣＯ−に置き換わっていてもよく、該脂環式炭化水素基及び該鎖式炭化水素基は、フッ素原子又はヒドロキシ基を有してもよい。＊は−ＣＯＯ−の炭素原子との結合位を表す。）、＊−鎖式炭化水素基−脂環式炭化水素基（該鎖式炭化水素基に含まれる−ＣＨ2−は、−Ｏ−又は−ＣＯ−に置き換わっていてもよく、該脂環式炭化水素基に含まれる−ＣＨ2−は、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＣＯ−又は−ＳＯ２−に置き換わっていてもよく、該鎖式炭化水素基及び該脂環式炭化水素基は、フッ素原子又はヒドロキシ基を有してもよい。＊は−ＣＯＯ−の炭素原子との結合位を表す。）、フッ素原子もしくはヒドロキシ基を有してもよい芳香族炭化水素基、式（ａａ）で表される基又は式（ｂｂ）で表される基であり、
より一層好ましくは、＊−多環式の脂環式炭化水素基（該多環式の脂環式炭化水素基に含まれる−ＣＨ2−は、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＣＯ−又は−ＳＯ２−に置き換わっていてもよく、該多環式の脂環式炭化水素基は、ヒドロキシ基又はフッ素原子を有してもよい。＊は−ＣＯＯ−の炭素原子との結合位を表す。）、＊−多環式の脂環式炭化水素基−鎖式炭化水素基（該多環式の脂環式炭化水素基に含まれる−ＣＨ2−は、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＣＯ−又は−ＳＯ２−に置き換わっていてもよく、該鎖式炭化水素基に含まれる−ＣＨ2−は、−Ｏ−又は−ＣＯ−に置き換わっていてもよく、該多環式の脂環式炭化水素基及び該鎖式炭化水素基は、フッ素原子又はヒドロキシ基を有してもよい。＊は−ＣＯＯ−の炭素原子との結合位を表す。）、＊−鎖式炭化水素基−多環式の脂環式炭化水素基（該鎖式炭化水素基に含まれる−ＣＨ2−は、−Ｏ−又は−ＣＯ−に置き換わっていてもよく、該多環式の脂環式炭化水素基に含まれる−ＣＨ2−は、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＣＯ−又は−ＳＯ２−に置き換わっていてもよく、該鎖式炭化水素基及び該多環式の脂環式炭化水素基は、フッ素原子又はヒドロキシ基を有してもよい。＊は−ＣＯＯ−の炭素原子との結合位を表す。）、フッ素原子もしくはヒドロキシ基を有してもよい芳香族炭化水素基、式（ａａ）で表される基又は式（ｂｂ）で表される基であり、
特に好ましくは、アダマンタノン基、ヒドロキシアダマンチル基、アダマンチル基とアルキル基とを組み合わせた基（該アルキル基に含まれる−ＣＨ2−は、−Ｏ−又は−ＣＯ−に置き換わっていてもよい。）、式（Ｙ３０Ｆ）で表される基、フッ素原子もしくはヒドロキシ基を有するフェニル基、式（ａａ）で表される基又は式（ｂｂ）で表される基である。
上記の基において、脂環式炭化水素基の炭素数は、好ましくは３〜３６であり、より好ましくは３〜２４であり、さらに好ましくは３〜１８であり、より一層好ましくは３〜１６であり、さらに一層好ましくは３〜１２である。鎖式炭化水素基の炭素数は、好ましくは１〜１８であり、より好ましくは１〜１２であり、さらに好ましくは１〜９であり、より一層好ましくは１〜６であり、さらに一層好ましくは１〜４である。芳香族炭化水素基の炭素数は、好ましくは６〜３６であり、より好ましくは６〜２４であり、さらに好ましくは６〜１８であり、より一層好ましくは６〜１４であり、さらに一層好ましくは６〜１０である。
［式（ａａ）中、
Ｘa及びＸbは、それぞれ独立に、−Ｏ−又は−Ｓ−を表す。
Ｘ１ａは、置換基を有してもよい炭素数１〜２４の炭化水素基を表し、該炭化水素基に含まれる−ＣＨ2−は、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＣＯ−又は−ＳＯ２−に置き換わっていてもよい。
Ｘ２ａは、置換基を有してもよい炭素数１〜４８の炭化水素基を表し、該炭化水素基に含まれる−ＣＨ2−は、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＣＯ−又は−ＳＯ２−に置き換わっていてもよい。
＊は、−ＣＯＯ−の炭素原子との結合位を表す。］
［式（ｂｂ）中、
ＬＡは、フッ素原子を有していてもよい炭素数１〜６のアルカンジイル基を表す。
ＬＢは、単結合又は炭素数１〜６のアルカンジイル基を表し、該アルカンジイル基に含まれる−ＣＨ2−は、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＣＯ−又は−ＳＯ２−に置き換わっていてもよい。
ＲＡは、置換基を有してもよい炭素数１〜３６の炭化水素基を表し、該炭化水素基に含まれる−ＣＨ2−は、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＣＯ−又は−ＳＯ２−に置き換わっていてもよい。
＊は、−ＣＯＯ−の炭素原子との結合位を表す。］
より好ましくは、ヒドロキシ基もしくはフッ素原子を有してもよい脂環式炭化水素基（該脂環式炭化水素基に含まれる−ＣＨ2−は、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＣＯ−又は−ＳＯ２−に置き換わっていてもよい。）、脂環式炭化水素基と鎖式炭化水素基とを組み合わせた基（該脂環式炭化水素基に含まれる−ＣＨ2−は、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＣＯ−又は−ＳＯ２−に置き換わっていてもよく、該鎖式炭化水素基に含まれる−ＣＨ2−は、−Ｏ−又は−ＣＯ−に置き換わっていてもよく、該脂環式炭化水素基及び該鎖式炭化水素基は、フッ素原子又はヒドロキシ基を有してもよい。）、フッ素原子もしくはヒドロキシ基を有してもよい芳香族炭化水素基、式（ａａ）で表される基又は式（ｂｂ）で表される基であり、
さらに好ましくは、＊−脂環式炭化水素基（該脂環式炭化水素基に含まれる−ＣＨ2−は、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＣＯ−又は−ＳＯ２−に置き換わっていてもよく、該脂環式炭化水素基は、ヒドロキシ基又はフッ素原子を有していてもよい。＊は−ＣＯＯ−の炭素原子との結合位を表す。）、＊−脂環式炭化水素基−鎖式炭化水素基（該脂環式炭化水素基に含まれる−ＣＨ2−は、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＣＯ−又は−ＳＯ２−に置き換わっていてもよく、該鎖式炭化水素基に含まれる−ＣＨ2−は、−Ｏ−又は−ＣＯ−に置き換わっていてもよく、該脂環式炭化水素基及び該鎖式炭化水素基は、フッ素原子又はヒドロキシ基を有してもよい。＊は−ＣＯＯ−の炭素原子との結合位を表す。）、＊−鎖式炭化水素基−脂環式炭化水素基（該鎖式炭化水素基に含まれる−ＣＨ2−は、−Ｏ−又は−ＣＯ−に置き換わっていてもよく、該脂環式炭化水素基に含まれる−ＣＨ2−は、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＣＯ−又は−ＳＯ２−に置き換わっていてもよく、該鎖式炭化水素基及び該脂環式炭化水素基は、フッ素原子又はヒドロキシ基を有してもよい。＊は−ＣＯＯ−の炭素原子との結合位を表す。）、フッ素原子もしくはヒドロキシ基を有してもよい芳香族炭化水素基、式（ａａ）で表される基又は式（ｂｂ）で表される基であり、
より一層好ましくは、＊−多環式の脂環式炭化水素基（該多環式の脂環式炭化水素基に含まれる−ＣＨ2−は、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＣＯ−又は−ＳＯ２−に置き換わっていてもよく、該多環式の脂環式炭化水素基は、ヒドロキシ基又はフッ素原子を有してもよい。＊は−ＣＯＯ−の炭素原子との結合位を表す。）、＊−多環式の脂環式炭化水素基−鎖式炭化水素基（該多環式の脂環式炭化水素基に含まれる−ＣＨ2−は、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＣＯ−又は−ＳＯ２−に置き換わっていてもよく、該鎖式炭化水素基に含まれる−ＣＨ2−は、−Ｏ−又は−ＣＯ−に置き換わっていてもよく、該多環式の脂環式炭化水素基及び該鎖式炭化水素基は、フッ素原子又はヒドロキシ基を有してもよい。＊は−ＣＯＯ−の炭素原子との結合位を表す。）、＊−鎖式炭化水素基−多環式の脂環式炭化水素基（該鎖式炭化水素基に含まれる−ＣＨ2−は、−Ｏ−又は−ＣＯ−に置き換わっていてもよく、該多環式の脂環式炭化水素基に含まれる−ＣＨ2−は、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＣＯ−又は−ＳＯ２−に置き換わっていてもよく、該鎖式炭化水素基及び該多環式の脂環式炭化水素基は、フッ素原子又はヒドロキシ基を有してもよい。＊は−ＣＯＯ−の炭素原子との結合位を表す。）、フッ素原子もしくはヒドロキシ基を有してもよい芳香族炭化水素基、式（ａａ）で表される基又は式（ｂｂ）で表される基であり、
特に好ましくは、アダマンタノン基、ヒドロキシアダマンチル基、アダマンチル基とアルキル基とを組み合わせた基（該アルキル基に含まれる−ＣＨ2−は、−Ｏ−又は−ＣＯ−に置き換わっていてもよい。）、式（Ｙ３０Ｆ）で表される基、フッ素原子もしくはヒドロキシ基を有するフェニル基、式（ａａ）で表される基又は式（ｂｂ）で表される基である。
上記の基において、脂環式炭化水素基の炭素数は、好ましくは３〜３６であり、より好ましくは３〜２４であり、さらに好ましくは３〜１８であり、より一層好ましくは３〜１６であり、さらに一層好ましくは３〜１２である。鎖式炭化水素基の炭素数は、好ましくは１〜１８であり、より好ましくは１〜１２であり、さらに好ましくは１〜９であり、より一層好ましくは１〜６であり、さらに一層好ましくは１〜４である。芳香族炭化水素基の炭素数は、好ましくは６〜３６であり、より好ましくは６〜２４であり、さらに好ましくは６〜１８であり、より一層好ましくは６〜１４であり、さらに一層好ましくは６〜１０である。
Ｘa及びＸbは、それぞれ独立に、−Ｏ−又は−Ｓ−を表す。
Ｘ１ａは、置換基を有してもよい炭素数１〜２４の炭化水素基を表し、該炭化水素基に含まれる−ＣＨ2−は、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＣＯ−又は−ＳＯ２−に置き換わっていてもよい。
Ｘ２ａは、置換基を有してもよい炭素数１〜４８の炭化水素基を表し、該炭化水素基に含まれる−ＣＨ2−は、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＣＯ−又は−ＳＯ２−に置き換わっていてもよい。
＊は、−ＣＯＯ−の炭素原子との結合位を表す。］
［式（ｂｂ）中、
ＬＡは、フッ素原子を有していてもよい炭素数１〜６のアルカンジイル基を表す。
ＬＢは、単結合又は炭素数１〜６のアルカンジイル基を表し、該アルカンジイル基に含まれる−ＣＨ2−は、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＣＯ−又は−ＳＯ２−に置き換わっていてもよい。
ＲＡは、置換基を有してもよい炭素数１〜３６の炭化水素基を表し、該炭化水素基に含まれる−ＣＨ2−は、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＣＯ−又は−ＳＯ２−に置き換わっていてもよい。
＊は、−ＣＯＯ−の炭素原子との結合位を表す。］
Ｘa及びＸbは、同じ原子であることが好ましく、ともに酸素原子であることがより好ましい。
Ｘ１ａ及びＸ２ａで表される炭化水素基としては、脂肪族炭化水素基、芳香族炭化水素基又はこれらを２種以上組み合わせた基等が挙げられる。なお、これら炭化水素基は置換基を有していてもよい。また、これら炭化水素基に含まれる−ＣＨ2−は、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＣＯ−又は−ＳＯ２−に置き換わっていてもよい。ここで、炭化水素基の炭素数は、置換基を有さない、置き換わりのない炭化水素基の炭素数を意味する。
Ｘ１ａの脂肪族炭化水素基としては、アルカントリイル基等の鎖式炭化水素基、脂環式炭化水素基又はこれらを組み合わせた基が挙げられる。
アルカントリイル基としては、具体的には、メチン基、エタントリイル基、プロパントリイル基、ブタントリイル基、ペンタントリイル基、ヘキサントリイル基、ヘプタントリイル基、オクタントリイル基、ノナントリイル基、デカントリイル基、ウンデカントリイル基、ドデカントリイル基等が挙げられる。
アルカントリイル基としては、具体的には、メチン基、エタントリイル基、プロパントリイル基、ブタントリイル基、ペンタントリイル基、ヘキサントリイル基、ヘプタントリイル基、オクタントリイル基、ノナントリイル基、デカントリイル基、ウンデカントリイル基、ドデカントリイル基等が挙げられる。
脂環式炭化水素基は、単環式又は多環式のいずれであってもよい。
単環式の脂環式炭化水素基としては、シクロブタントリイル基、シクロペンタントリイル基、シクロヘキサントリイル基、シクロオクタントリイル基等が挙げられる。
多環式の脂環式炭化水素基としては、ノルボルナントリイル基、アダマンタントリイル基等が挙げられる。
芳香族炭化水素基としては、ベンゼントリイル基、ナフタレントリイル基、アントラセントリイル基等が挙げられる。
組み合わせた基の場合、上述の基において価数の異なる基（アルキル基、アルカンジイル基、アルカンテトライル基、シクロアルキル基、シクロアルカンジイル基、シクロアルカンテトライル基等）が含まれていてもよい。
単環式の脂環式炭化水素基としては、シクロブタントリイル基、シクロペンタントリイル基、シクロヘキサントリイル基、シクロオクタントリイル基等が挙げられる。
多環式の脂環式炭化水素基としては、ノルボルナントリイル基、アダマンタントリイル基等が挙げられる。
芳香族炭化水素基としては、ベンゼントリイル基、ナフタレントリイル基、アントラセントリイル基等が挙げられる。
組み合わせた基の場合、上述の基において価数の異なる基（アルキル基、アルカンジイル基、アルカンテトライル基、シクロアルキル基、シクロアルカンジイル基、シクロアルカンテトライル基等）が含まれていてもよい。
Ｘ１ａで表される炭化水素基は、炭素数が１〜２４であり、さらに１又は複数の置換基を有していてもよい。該置換基としては、ヒドロキシ基、ハロゲン原子、シアノ基、炭素数１〜１２のアルキル基、炭素数１〜１２のアルコキシ基、炭素数２〜１３のアルコキシカルボニル基、炭素数２〜１３のアルキルカルボニル基、炭素数２〜１３のアルキルカルボニルオキシ基、炭素数３〜１２の脂環式炭化水素基、炭素数６〜１０の芳香族炭化水素基又はこれらを組み合わせた基などが挙げられる。
ハロゲン原子、アルキル基、アルコキシ基、アルコキシカルボニル基、アルキルカルボニル基、アルキルカルボニルオキシ基、脂環式炭化水素基、芳香族炭化水素基及びこれらを組み合わせた基は、上記と同様の基が挙げられる。
ハロゲン原子、アルキル基、アルコキシ基、アルコキシカルボニル基、アルキルカルボニル基、アルキルカルボニルオキシ基、脂環式炭化水素基、芳香族炭化水素基及びこれらを組み合わせた基は、上記と同様の基が挙げられる。
Ｘ１ａで表される炭化水素基としては、置換基を有してもよい炭素数１〜６のアルカントリイル基又は置換基を有してもよい炭素数３〜１８の脂環式炭化水素基であることが好ましく、炭素数１〜６のアルカントリイル基、式（ｗ１−１）〜式（ｗ１−１１）で表される基であることがより好ましく、炭素数１〜６のアルカントリイル基、式（ｗ１−１）で表される基又は式（ｗ１−３）で表される基等の多環式炭化水素基、式（ｗ１−２）で表される基又は式（ｗ１−６）で表される基等の単環式炭化水素基であることがさらに好ましい。
［式（ｗ１−１）〜式（ｗ１−１１）中、
環は、ヒドロキシ基、ハロゲン原子、シアノ基、炭素数１〜１２のアルキル基、炭素数１〜１２のアルコキシ基、炭素数２〜１３のアルコキシカルボニル基、炭素数２〜１３のアルキルカルボニル基、炭素数２〜１３のアルキルカルボニルオキシ基、炭素数３〜１２の脂環式炭化水素基、炭素数６〜１０の芳香族炭化水素基又はこれらを組み合わせた基を有していてもよい。
＊は結合位を表す。］
環は、ヒドロキシ基、ハロゲン原子、シアノ基、炭素数１〜１２のアルキル基、炭素数１〜１２のアルコキシ基、炭素数２〜１３のアルコキシカルボニル基、炭素数２〜１３のアルキルカルボニル基、炭素数２〜１３のアルキルカルボニルオキシ基、炭素数３〜１２の脂環式炭化水素基、炭素数６〜１０の芳香族炭化水素基又はこれらを組み合わせた基を有していてもよい。
＊は結合位を表す。］
Ｘ２ａで表される炭化水素基の炭素数は、２〜４８であることが好ましく、４〜４８であることがより好ましく、６〜４４であることがさらに好ましく、８〜４０であることがより一層好ましく、１０〜３８であることがさらに一層好ましい。
Ｘ２ａにおける炭化水素基が有していてもよい置換基としては、ヒドロキシ基、ハロゲン原子、シアノ基、炭素数１〜１２のアルキル基、炭素数１〜１２のアルコキシ基、炭素数２〜１３のアルコキシカルボニル基、炭素数２〜１３のアルキルカルボニル基、炭素数２〜１３のアルキルカルボニルオキシ基、炭素数３〜１２の脂環式炭化水素基、炭素数６〜１０の芳香族炭化水素基又はこれらを組み合わせた基などが挙げられる。
ハロゲン原子、アルキル基、アルコキシ基、アルコキシカルボニル基、アルキルカルボニル基、アルキルカルボニルオキシ基、脂環式炭化水素基、芳香族炭化水素基及びこれらを組み合わせた基は、上記と同様の基が挙げられる。
Ｘ２ａで表される炭素数１〜４８の炭化水素基は、１つの置換基又は複数の置換基を有していてもよい。
ハロゲン原子、アルキル基、アルコキシ基、アルコキシカルボニル基、アルキルカルボニル基、アルキルカルボニルオキシ基、脂環式炭化水素基、芳香族炭化水素基及びこれらを組み合わせた基は、上記と同様の基が挙げられる。
Ｘ２ａで表される炭素数１〜４８の炭化水素基は、１つの置換基又は複数の置換基を有していてもよい。
Ｘ２ａにおける炭化水素基としては、直鎖状又は分岐状の鎖式炭化水素基（例えば、アルカンジイル基等）、単環式又は多環式の脂環式炭化水素基、芳香族炭化水素基が挙げられ、これらの基のうち２種以上を組み合わせたものでもよい。
具体的には、メチレン基、エチレン基、プロパン−１，３−ジイル基、ブタン−１，４−ジイル基、ペンタン−１，５−ジイル基、ヘキサン−１，６−ジイル基、ヘプタン−１，７−ジイル基、オクタン−１，８−ジイル基等の直鎖状アルカンジイル基；
エタン−１，１−ジイル基、プロパン−１，１−ジイル基、プロパン−１，２−ジイル基、プロパン−２，２−ジイル基、ペンタン−２，４−ジイル基、２−メチルプロパン−１，３−ジイル基、２−メチルプロパン−１，２−ジイル基、ペンタン−１，４−ジイル基、２−メチルブタン−１，４−ジイル基等の分岐状アルカンジイル基；
シクロブタン−１，３−ジイル基、シクロペンタン−１，３−ジイル基、シクロヘキサン−１，４−ジイル基、シクロオクタン−１，５−ジイル基等の単環式シクロアルカンジイル基である単環式の脂環式炭化水素基；
ノルボルナン−１，４−ジイル基、ノルボルナン−２，５−ジイル基、アダマンタン−１，５−ジイル基、アダマンタン−２，６−ジイル基等の多環式シクロアルカンジイル基である多環式の脂環式炭化水素基；
フェニレン基、ナフチレン基、ビフェニレン基、アントリレン基、フェナントリレン基、ビナフチレン基等の芳香族炭化水素基等が挙げられる。
組み合わせた基の場合、上述の基において価数の異なる基（アルキル基、アルカントリイル基、アルカンテトライル基、シクロアルキル基、シクロアルカントリイル基、シクロアルカンテトライル基等）が含まれていてもよい。
組み合わせた基としては、鎖式炭化水素基と脂環式炭化水素基を組み合わせた基、鎖式炭化水素基と芳香族炭化水素基を組み合わせた基、脂環式炭化水素基と芳香族炭化水素基を組み合わせた基等が挙げられ、具体的に、鎖式炭化水素基に１以上の脂環式炭化水素基が結合した基（例えば、−鎖式炭化水素基−脂環式炭化水素基、−鎖式炭化水素基−（脂環式炭化水素基）２等）、脂環式炭化水素基に１以上の鎖式炭化水素基が結合した基（例えば、−脂環式炭化水素基−鎖式炭化水素基、−脂環式炭化水素基−（鎖式炭化水素基）２等）、鎖式炭化水素基に１以上の脂環式炭化水素基と鎖式炭化水素基が結合した基（例えば、−鎖式炭化水素基−脂環式炭化水素基−鎖式炭化水素基、−鎖式炭化水素基−（脂環式炭化水素基−鎖式炭化水素基）２等）等が挙げられる。
具体的には、メチレン基、エチレン基、プロパン−１，３−ジイル基、ブタン−１，４−ジイル基、ペンタン−１，５−ジイル基、ヘキサン−１，６−ジイル基、ヘプタン−１，７−ジイル基、オクタン−１，８−ジイル基等の直鎖状アルカンジイル基；
エタン−１，１−ジイル基、プロパン−１，１−ジイル基、プロパン−１，２−ジイル基、プロパン−２，２−ジイル基、ペンタン−２，４−ジイル基、２−メチルプロパン−１，３−ジイル基、２−メチルプロパン−１，２−ジイル基、ペンタン−１，４−ジイル基、２−メチルブタン−１，４−ジイル基等の分岐状アルカンジイル基；
シクロブタン−１，３−ジイル基、シクロペンタン−１，３−ジイル基、シクロヘキサン−１，４−ジイル基、シクロオクタン−１，５−ジイル基等の単環式シクロアルカンジイル基である単環式の脂環式炭化水素基；
ノルボルナン−１，４−ジイル基、ノルボルナン−２，５−ジイル基、アダマンタン−１，５−ジイル基、アダマンタン−２，６−ジイル基等の多環式シクロアルカンジイル基である多環式の脂環式炭化水素基；
フェニレン基、ナフチレン基、ビフェニレン基、アントリレン基、フェナントリレン基、ビナフチレン基等の芳香族炭化水素基等が挙げられる。
組み合わせた基の場合、上述の基において価数の異なる基（アルキル基、アルカントリイル基、アルカンテトライル基、シクロアルキル基、シクロアルカントリイル基、シクロアルカンテトライル基等）が含まれていてもよい。
組み合わせた基としては、鎖式炭化水素基と脂環式炭化水素基を組み合わせた基、鎖式炭化水素基と芳香族炭化水素基を組み合わせた基、脂環式炭化水素基と芳香族炭化水素基を組み合わせた基等が挙げられ、具体的に、鎖式炭化水素基に１以上の脂環式炭化水素基が結合した基（例えば、−鎖式炭化水素基−脂環式炭化水素基、−鎖式炭化水素基−（脂環式炭化水素基）２等）、脂環式炭化水素基に１以上の鎖式炭化水素基が結合した基（例えば、−脂環式炭化水素基−鎖式炭化水素基、−脂環式炭化水素基−（鎖式炭化水素基）２等）、鎖式炭化水素基に１以上の脂環式炭化水素基と鎖式炭化水素基が結合した基（例えば、−鎖式炭化水素基−脂環式炭化水素基−鎖式炭化水素基、−鎖式炭化水素基−（脂環式炭化水素基−鎖式炭化水素基）２等）等が挙げられる。
Ｘ２ａにおける炭化水素基としては、
炭素数２〜１８の鎖式炭化水素基（該鎖式炭化水素基に含まれる−ＣＨ2−は、−Ｏ−又は−ＣＯ−に置き換わっていてもよく、該鎖式炭化水素基は、置換基を有していてもよい。）、
炭素数３〜１８の脂環式炭化水素基（該脂環式炭化水素基に含まれる−ＣＨ2−は、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＣＯ−又は−ＳＯ２−に置き換わっていてもよく、該脂環式炭化水素基は、置換基を有していてもよい。）、又は、
炭素数１〜１２の鎖式炭化水素基（該鎖式炭化水素基に含まれる−ＣＨ2−は、−Ｏ−又は−ＣＯ−に置き換わっていてもよい。）と炭素数３〜１８の脂環式炭化水素基（該脂環式炭化水素基に含まれる−ＣＨ2−は、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＣＯ−又は−ＳＯ２−に置き換わっていてもよい。）を組み合わせた基（該基は、置換基を有していてもよい。）であることが好ましく、
炭素数４〜１８の鎖式炭化水素基（該鎖式炭化水素基に含まれる−ＣＨ2−は、−Ｏ−又は−ＣＯ−に置き換わっていてもよく、該鎖式炭化水素基は、置換基を有していてもよい。）、又は、
炭素数１〜１２の鎖式炭化水素基（該鎖式炭化水素基に含まれる−ＣＨ2−は、−Ｏ−又は−ＣＯ−に置き換わっていてもよい。）と炭素数３〜１６の脂環式炭化水素基（該脂環式炭化水素基に含まれる−ＣＨ2−は、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＣＯ−又は−ＳＯ２−に置き換わっていてもよい。）を組み合わせた基（該基は、置換基を有していてもよい。）であることがより好ましく、
炭素数６〜１４の鎖式炭化水素基（該鎖式炭化水素基に含まれる−ＣＨ2−は、−Ｏ−又は−ＣＯ−に置き換わっていてもよく、該鎖式炭化水素基は、置換基を有していてもよい。）、又は、
炭素数１〜１２の鎖式炭化水素基（該鎖式炭化水素基に含まれる−ＣＨ2−は、−Ｏ−又は−ＣＯ−に置き換わっていてもよい。）と炭素数５〜１４の脂環式炭化水素基（該脂環式炭化水素基に含まれる−ＣＨ2−は、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＣＯ−又は−ＳＯ２−に置き換わっていてもよい。）を組み合わせた基（該基は、置換基を有していてもよい。）であることがさらに好ましい。
炭素数２〜１８の鎖式炭化水素基（該鎖式炭化水素基に含まれる−ＣＨ2−は、−Ｏ−又は−ＣＯ−に置き換わっていてもよく、該鎖式炭化水素基は、置換基を有していてもよい。）、
炭素数３〜１８の脂環式炭化水素基（該脂環式炭化水素基に含まれる−ＣＨ2−は、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＣＯ−又は−ＳＯ２−に置き換わっていてもよく、該脂環式炭化水素基は、置換基を有していてもよい。）、又は、
炭素数１〜１２の鎖式炭化水素基（該鎖式炭化水素基に含まれる−ＣＨ2−は、−Ｏ−又は−ＣＯ−に置き換わっていてもよい。）と炭素数３〜１８の脂環式炭化水素基（該脂環式炭化水素基に含まれる−ＣＨ2−は、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＣＯ−又は−ＳＯ２−に置き換わっていてもよい。）を組み合わせた基（該基は、置換基を有していてもよい。）であることが好ましく、
炭素数４〜１８の鎖式炭化水素基（該鎖式炭化水素基に含まれる−ＣＨ2−は、−Ｏ−又は−ＣＯ−に置き換わっていてもよく、該鎖式炭化水素基は、置換基を有していてもよい。）、又は、
炭素数１〜１２の鎖式炭化水素基（該鎖式炭化水素基に含まれる−ＣＨ2−は、−Ｏ−又は−ＣＯ−に置き換わっていてもよい。）と炭素数３〜１６の脂環式炭化水素基（該脂環式炭化水素基に含まれる−ＣＨ2−は、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＣＯ−又は−ＳＯ２−に置き換わっていてもよい。）を組み合わせた基（該基は、置換基を有していてもよい。）であることがより好ましく、
炭素数６〜１４の鎖式炭化水素基（該鎖式炭化水素基に含まれる−ＣＨ2−は、−Ｏ−又は−ＣＯ−に置き換わっていてもよく、該鎖式炭化水素基は、置換基を有していてもよい。）、又は、
炭素数１〜１２の鎖式炭化水素基（該鎖式炭化水素基に含まれる−ＣＨ2−は、−Ｏ−又は−ＣＯ−に置き換わっていてもよい。）と炭素数５〜１４の脂環式炭化水素基（該脂環式炭化水素基に含まれる−ＣＨ2−は、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＣＯ−又は−ＳＯ２−に置き換わっていてもよい。）を組み合わせた基（該基は、置換基を有していてもよい。）であることがさらに好ましい。
具体的に、Ｘ２ａにおける炭化水素基としては、例えば、
炭素数２〜１８のアルカンジイル基（該アルカンジイル基に含まれる−ＣＨ2−は、−Ｏ−又は−ＣＯ−に置き換わっていてもよく、該アルカンジイル基は、置換基を有していてもよい。）、
炭素数３〜１８の脂環式炭化水素基（該脂環式炭化水素基に含まれる−ＣＨ2−は、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＣＯ−又は−ＳＯ２−に置き換わっていてもよく、該脂環式炭化水素基は、置換基を有していてもよい。）、
炭素数１〜１２のアルカンジイル基（該アルカンジイル基に含まれる−ＣＨ2−は、−Ｏ−又は−ＣＯ−に置き換わっていてもよい。）と炭素数３〜１８の脂環式炭化水素基（該脂環式炭化水素基に含まれる−ＣＨ2−は、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＣＯ−又は−ＳＯ２−に置き換わっていてもよい。）とからなる基（該基は、置換基を有していてもよい。）、又は、
炭素数１〜１２のアルカンジイル基（該アルカンジイル基に含まれる−ＣＨ2−は、−Ｏ−又は−ＣＯ−に置き換わっていてもよい。）と炭素数３〜１８の脂環式炭化水素基と炭素数１〜１２のアルキル基（該アルキル基に含まれる−ＣＨ2−は、−Ｏ−又は−ＣＯ−に置き換わっていてもよい。）とからなる基（該基は、置換基を有していてもよい。）であることが好ましく、
炭素数４〜１８のアルカンジイル基（該アルカンジイル基に含まれる−ＣＨ2−は、−Ｏ−又は−ＣＯ−に置き換わっていてもよく、該アルカンジイル基は、置換基を有していてもよい。）、
炭素数１〜１２のアルカンジイル基（該アルカンジイル基に含まれる−ＣＨ2−は、−Ｏ−又は−ＣＯ−に置き換わっていてもよい。）と炭素数３〜１６の脂環式炭化水素基（該脂環式炭化水素基に含まれる−ＣＨ2−は、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＣＯ−又は−ＳＯ２−に置き換わっていてもよい。）とからなる基（該基は、置換基を有していてもよい。）、又は、
炭素数１〜１２のアルカンジイル基（該アルカンジイル基に含まれる−ＣＨ2−は、−Ｏ−又は−ＣＯ−に置き換わっていてもよい。）と炭素数３〜１６の脂環式炭化水素基と炭素数１〜１２のアルキル基（該アルキル基に含まれる−ＣＨ2−は、−Ｏ−又は−ＣＯ−に置き換わっていてもよい。）とからなる基（該基は、置換基を有していてもよい。）であることがより好ましく、
炭素数６〜１４のアルカンジイル基（該アルカンジイル基に含まれる−ＣＨ2−は、−Ｏ−又は−ＣＯ−に置き換わっていてもよく、該アルカンジイル基は、置換基を有していてもよい。）、
炭素数１〜１２のアルカンジイル基（該アルカンジイル基に含まれる−ＣＨ2−は、−Ｏ−又は−ＣＯ−に置き換わっていてもよい。）とアダマンタンジイル基（該アダマンタンジイル基に含まれる−ＣＨ2−は、−Ｏ−又は−ＣＯ−に置き換わっていてもよい。）とからなる基（該基は、置換基を有していてもよい。）、又は、
炭素数１〜１２のアルカンジイル基（該アルカンジイル基に含まれる−ＣＨ2−は、−Ｏ−又は−ＣＯ−に置き換わっていてもよい。）とアダマンタンジイル基と炭素数１〜１２のアルキル基（該アルキル基に含まれる−ＣＨ2−は、−Ｏ−又は−ＣＯ−に置き換わっていてもよい。）とからなる基（該基は、置換基を有していてもよい。）であることがさらに好ましい。
炭素数２〜１８のアルカンジイル基（該アルカンジイル基に含まれる−ＣＨ2−は、−Ｏ−又は−ＣＯ−に置き換わっていてもよく、該アルカンジイル基は、置換基を有していてもよい。）、
炭素数３〜１８の脂環式炭化水素基（該脂環式炭化水素基に含まれる−ＣＨ2−は、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＣＯ−又は−ＳＯ２−に置き換わっていてもよく、該脂環式炭化水素基は、置換基を有していてもよい。）、
炭素数１〜１２のアルカンジイル基（該アルカンジイル基に含まれる−ＣＨ2−は、−Ｏ−又は−ＣＯ−に置き換わっていてもよい。）と炭素数３〜１８の脂環式炭化水素基（該脂環式炭化水素基に含まれる−ＣＨ2−は、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＣＯ−又は−ＳＯ２−に置き換わっていてもよい。）とからなる基（該基は、置換基を有していてもよい。）、又は、
炭素数１〜１２のアルカンジイル基（該アルカンジイル基に含まれる−ＣＨ2−は、−Ｏ−又は−ＣＯ−に置き換わっていてもよい。）と炭素数３〜１８の脂環式炭化水素基と炭素数１〜１２のアルキル基（該アルキル基に含まれる−ＣＨ2−は、−Ｏ−又は−ＣＯ−に置き換わっていてもよい。）とからなる基（該基は、置換基を有していてもよい。）であることが好ましく、
炭素数４〜１８のアルカンジイル基（該アルカンジイル基に含まれる−ＣＨ2−は、−Ｏ−又は−ＣＯ−に置き換わっていてもよく、該アルカンジイル基は、置換基を有していてもよい。）、
炭素数１〜１２のアルカンジイル基（該アルカンジイル基に含まれる−ＣＨ2−は、−Ｏ−又は−ＣＯ−に置き換わっていてもよい。）と炭素数３〜１６の脂環式炭化水素基（該脂環式炭化水素基に含まれる−ＣＨ2−は、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＣＯ−又は−ＳＯ２−に置き換わっていてもよい。）とからなる基（該基は、置換基を有していてもよい。）、又は、
炭素数１〜１２のアルカンジイル基（該アルカンジイル基に含まれる−ＣＨ2−は、−Ｏ−又は−ＣＯ−に置き換わっていてもよい。）と炭素数３〜１６の脂環式炭化水素基と炭素数１〜１２のアルキル基（該アルキル基に含まれる−ＣＨ2−は、−Ｏ−又は−ＣＯ−に置き換わっていてもよい。）とからなる基（該基は、置換基を有していてもよい。）であることがより好ましく、
炭素数６〜１４のアルカンジイル基（該アルカンジイル基に含まれる−ＣＨ2−は、−Ｏ−又は−ＣＯ−に置き換わっていてもよく、該アルカンジイル基は、置換基を有していてもよい。）、
炭素数１〜１２のアルカンジイル基（該アルカンジイル基に含まれる−ＣＨ2−は、−Ｏ−又は−ＣＯ−に置き換わっていてもよい。）とアダマンタンジイル基（該アダマンタンジイル基に含まれる−ＣＨ2−は、−Ｏ−又は−ＣＯ−に置き換わっていてもよい。）とからなる基（該基は、置換基を有していてもよい。）、又は、
炭素数１〜１２のアルカンジイル基（該アルカンジイル基に含まれる−ＣＨ2−は、−Ｏ−又は−ＣＯ−に置き換わっていてもよい。）とアダマンタンジイル基と炭素数１〜１２のアルキル基（該アルキル基に含まれる−ＣＨ2−は、−Ｏ−又は−ＣＯ−に置き換わっていてもよい。）とからなる基（該基は、置換基を有していてもよい。）であることがさらに好ましい。
より具体的には、Ｘ２ａは、式（Ｘ２−１）で表される基、式（Ｘ２−２）で表される基、式（Ｘ２−３）で表される基又は式（Ｘ２−４）で表される基であることが好ましい。
［式中、
Ｒ1ｘ、Ｒ2ｘ、Ｒ3ｘ、Ｒ4ｘ、Ｒ5ｘ及びＲ6ｘは、それぞれ独立に、炭素数１〜６のアルキル基、炭素数５〜１２の脂環式炭化水素基又はこれらの２種以上の基を組み合わせた基を表し、該アルキル基及び該脂環式炭化水素基に含まれる−ＣＨ2−は、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＣＯ−又は−ＳＯ２−に置き換わっていてもよく、該アルキル基及び該脂環式炭化水素基は、置換基を有していてもよい。
＊は、Ｘa及びＸbとの結合位を表す。］
組み合わせた基は、上述したアルキル基と脂環式炭化水素基とを１つずつ組み合わせたものでも、いずれかを２以上又は双方を２以上組み合わせた基でもよい。この場合、組み合わせた基の炭素数は３９以下であり、３７以下が好ましい。
Ｒ1ｘ、Ｒ2ｘ、Ｒ3ｘ、Ｒ4ｘ、Ｒ5ｘ及びＲ6ｘは、それぞれ独立に、炭素数１〜６のアルキル基、炭素数５〜１２の脂環式炭化水素基又はこれらの２種以上の基を組み合わせた基を表し、該アルキル基及び該脂環式炭化水素基に含まれる−ＣＨ2−は、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＣＯ−又は−ＳＯ２−に置き換わっていてもよく、該アルキル基及び該脂環式炭化水素基は、置換基を有していてもよい。
＊は、Ｘa及びＸbとの結合位を表す。］
組み合わせた基は、上述したアルキル基と脂環式炭化水素基とを１つずつ組み合わせたものでも、いずれかを２以上又は双方を２以上組み合わせた基でもよい。この場合、組み合わせた基の炭素数は３９以下であり、３７以下が好ましい。
なかでも、Ｒ1ｘ、Ｒ2ｘ、Ｒ3ｘ、Ｒ4ｘ、Ｒ5ｘ及びＲ6ｘとしては、炭素数１〜６のアルキル基（該アルキル基に含まれる−ＣＨ2−は、−Ｏ−又は−ＣＯ−に置き換わっていてもよく、該アルキル基は、置換基を有していてもよい。）、炭素数５〜１２の脂環式炭化水素基（該脂環式炭化水素基に含まれる−ＣＨ2−は、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＣＯ−又は−ＳＯ２−に置き換わっていてもよく、該脂環式炭化水素基は、置換基を有していてもよい。）又は炭素数１〜６のアルキル基（該アルキル基に含まれる−ＣＨ2−は、−Ｏ−又は−ＣＯ−に置き換わっていてもよい。）と炭素数５〜１２の脂環式炭化水素基（該脂環式炭化水素基に含まれる−ＣＨ2−は、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＣＯ−又は−ＳＯ２−に置き換わっていてもよい。）とを組み合わせた基（該基は、置換基を有していてもよい。）であることが好ましく、メトキシ基、アダマンチル基（該アダマンチル基に含まれる−ＣＨ2−は、−Ｏ−又は−ＣＯ−に置き換わっていてもよく、該アダマンチル基は、置換基を有していてもよい。）又は炭素数１〜６のアルキル基（該アルキル基に含まれる−ＣＨ2−は、−Ｏ−又は−ＣＯ−に置き換わっていてもよい。）とアダマンチル基とを組み合わせた基（該基は、置換基を有していてもよい。）であることがより好ましい。
式（ｂｂ）において、ＬＡ及びＬＢにおける炭素数１〜６のアルカンジイル基としては、例えば、メチレン基、エチレン基、プロパン−１，３−ジイル基、ブタン−１，４−ジイル基、ペンタン−１，５−ジイル基、ヘキサン−１，６−ジイル基等の直鎖状アルカンジイル基；プロパン−１，２−ジイル基、１−メチルプロパン−１，３−ジイル基、２−メチルプロパン−１，３−ジイル基、２−メチルプロパン−１，２−ジイル基、１−メチルブタン−１，４−ジイル基、２−メチルブタン−１，４−ジイル基等の分岐状アルカンジイル基等が挙げられる。アルカンジイル基の炭素数は、好ましくは１〜４であり、より好ましくは１〜３である。
フッ素原子を有していてもよいアルカンジイル基としては、ジフルオロメチレン基、ペルフルオロエチレン基、ペルフルオロプロパンジイル基、ペルフルオロブタンジイル基及びペルフルオロペンタンジイル基等のペルフルオロアルカンジイル基等が挙げられる。
アルカンジイル基に含まれる−ＣＨ2−は、−Ｏ−又は−ＣＯ−に置き換わっている場合、置き換わる前の炭素数を該アルカンジイル基の総炭素数とする。アルカンジイル基は、ヒドロキシ基（メチル基中に含まれる−ＣＨ2−が、−Ｏ−に置き換わった基）、カルボキシ基（エチル基中に含まれる−ＣＨ2−ＣＨ2−が、−Ｏ−ＣＯ−に置き換わった基）、アルコキシ基（アルキル基中に含まれる任意の位置の−ＣＨ2−が、−Ｏ−に置き換わった基）、アルコキシカルボニル基（アルキル基中に含まれる任意の位置の−ＣＨ2−ＣＨ2−が、−Ｏ−ＣＯ−に置き換わった基）、アルキルカルボニル基（アルキル基中に含まれる任意の位置の−ＣＨ2−が、−ＣＯ−に置き換わった基）、アルキルカルボニルオキシ基（アルキル基中に含まれる任意の位置の−ＣＨ2−ＣＨ2−が、−ＣＯ−Ｏ−に置き換わった基）、アルカンジイルオキシ基（アルカンジイル基中に含まれる任意の位置の−ＣＨ2−が、−Ｏ−に置き換わった基）、アルカンジイルオキシカルボニル基（アルカンジイル基中に含まれる任意の位置の−ＣＨ2−ＣＨ2−が、−Ｏ−ＣＯ−に置き換わった基）、アルカンジイルカルボニル基（アルカンジイル基中に含まれる任意の位置の−ＣＨ2−が、−ＣＯ−に置き換わった基）、アルカンジイルカルボニルオキシ基（アルカンジイル基中に含まれる任意の位置の−ＣＨ2−ＣＨ2−が、−ＣＯ−Ｏ−に置き換わった基）を有していてもよい。
アルカンジイルオキシ基としては、例えば、メチレンオキシ基、エチレンオキシ基、プロパンジイルオキシ基、ブタンジイルオキシ基、ペンタンジイルオキシ基等が挙げられる。
アルカンジイルオキシカルボニル基としては、例えば、メチレンオキシカルボニル基、エチレンオキシカルボニル基、プロパンジイルオキシカルボニル基、ブタンジイルオキシカルボニル基等が挙げられる。
アルカンジイルカルボニル基としては、例えば、メチレンカルボニル基、エチレンカルボニル基、プロパンジイルカルボニル基、ブタンジイルカルボニル基、ペンタンジイルカルボニル基等が挙げられる。
アルカンジイルカルボニルオキシ基としては、例えば、メチレンカルボニルオキシ基、エチレンカルボニルオキシ基、プロパンジイルカルボニルオキシ基、ブタンジイルカルボニルオキシ基等が挙げられる。
ＬＡは、フッ素原子を有していてもよい炭素数１〜４のアルカンジイル基であることが好ましく、フッ素原子を有する炭素数１〜３のアルカンジイル基であることがより好ましい。
ＬＢは、単結合又は炭素数１〜３のアルカンジイル基（該アルカンジイル基に含まれる−ＣＨ2−は、−Ｏ−又は−ＣＯ−に置き換わっていてもよい）であることが好ましく、単結合、メチレン基又はエチレン基であることがより好ましい。
フッ素原子を有していてもよいアルカンジイル基としては、ジフルオロメチレン基、ペルフルオロエチレン基、ペルフルオロプロパンジイル基、ペルフルオロブタンジイル基及びペルフルオロペンタンジイル基等のペルフルオロアルカンジイル基等が挙げられる。
アルカンジイル基に含まれる−ＣＨ2−は、−Ｏ−又は−ＣＯ−に置き換わっている場合、置き換わる前の炭素数を該アルカンジイル基の総炭素数とする。アルカンジイル基は、ヒドロキシ基（メチル基中に含まれる−ＣＨ2−が、−Ｏ−に置き換わった基）、カルボキシ基（エチル基中に含まれる−ＣＨ2−ＣＨ2−が、−Ｏ−ＣＯ−に置き換わった基）、アルコキシ基（アルキル基中に含まれる任意の位置の−ＣＨ2−が、−Ｏ−に置き換わった基）、アルコキシカルボニル基（アルキル基中に含まれる任意の位置の−ＣＨ2−ＣＨ2−が、−Ｏ−ＣＯ−に置き換わった基）、アルキルカルボニル基（アルキル基中に含まれる任意の位置の−ＣＨ2−が、−ＣＯ−に置き換わった基）、アルキルカルボニルオキシ基（アルキル基中に含まれる任意の位置の−ＣＨ2−ＣＨ2−が、−ＣＯ−Ｏ−に置き換わった基）、アルカンジイルオキシ基（アルカンジイル基中に含まれる任意の位置の−ＣＨ2−が、−Ｏ−に置き換わった基）、アルカンジイルオキシカルボニル基（アルカンジイル基中に含まれる任意の位置の−ＣＨ2−ＣＨ2−が、−Ｏ−ＣＯ−に置き換わった基）、アルカンジイルカルボニル基（アルカンジイル基中に含まれる任意の位置の−ＣＨ2−が、−ＣＯ−に置き換わった基）、アルカンジイルカルボニルオキシ基（アルカンジイル基中に含まれる任意の位置の−ＣＨ2−ＣＨ2−が、−ＣＯ−Ｏ−に置き換わった基）を有していてもよい。
アルカンジイルオキシ基としては、例えば、メチレンオキシ基、エチレンオキシ基、プロパンジイルオキシ基、ブタンジイルオキシ基、ペンタンジイルオキシ基等が挙げられる。
アルカンジイルオキシカルボニル基としては、例えば、メチレンオキシカルボニル基、エチレンオキシカルボニル基、プロパンジイルオキシカルボニル基、ブタンジイルオキシカルボニル基等が挙げられる。
アルカンジイルカルボニル基としては、例えば、メチレンカルボニル基、エチレンカルボニル基、プロパンジイルカルボニル基、ブタンジイルカルボニル基、ペンタンジイルカルボニル基等が挙げられる。
アルカンジイルカルボニルオキシ基としては、例えば、メチレンカルボニルオキシ基、エチレンカルボニルオキシ基、プロパンジイルカルボニルオキシ基、ブタンジイルカルボニルオキシ基等が挙げられる。
ＬＡは、フッ素原子を有していてもよい炭素数１〜４のアルカンジイル基であることが好ましく、フッ素原子を有する炭素数１〜３のアルカンジイル基であることがより好ましい。
ＬＢは、単結合又は炭素数１〜３のアルカンジイル基（該アルカンジイル基に含まれる−ＣＨ2−は、−Ｏ−又は−ＣＯ−に置き換わっていてもよい）であることが好ましく、単結合、メチレン基又はエチレン基であることがより好ましい。
ＲＡにおける炭化水素基としては、脂肪族炭化水素基（アルキル基、アルケニル基、アルキニル基等の鎖式炭化水素基及び脂環式炭化水素基）、芳香族炭化水素基及びこれらを組み合わせることにより形成される基が挙げられる。
アルキル基としては、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、ｎ−ヘキシル基、ｎ−ヘプチル基、２−エチルヘキシル基、ｎ−オクチル基、ｎ−ノニル基、ｎ−デシル基、ｎ−ウンデシル基、ｎ−ドデシル基等が挙げられる。アルキル基の炭素数は、好ましくは１〜１８であり、より好ましくは１〜１２であり、さらに好ましくは１〜９であり、より一層好ましくは１〜６であり、さらに一層好ましくは１〜４である。
アルケニル基としては、エテニル基、プロペニル基、イソプロペニル基、ブテニル基、イソブテニル基、ｔｅｒｔ−ブテニル基、ペンテニル基、ヘキセニル基、ヘプテニル基、オクテニル基、イソオクテニル基、ノネニル基が挙げられる。
アルキニル基としては、エチニル基、プロピニル基、イソプロピニル基、ブチニル基、イソブチニル基、ｔｅｒｔ−ブチニル基、ペンチニル基、ヘキシニル基、オクチニル基、ノニニル基等が挙げられる。
鎖式炭化水素基に含まれる−ＣＨ2−が、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＣＯ−又は−ＳＯ２−に置き換わった基としては、ヒドロキシ基、カルボキシ基、アルコキシ基、アルコキシカルボニル基、アルキルカルボニル基、アルキルカルボニルオキシ基、アルキルチオ基等が挙げられる。
アルコキシ基、アルコキシカルボニル基、アルキルカルボニル基、アルキルカルボニルオキシ基及びアルキルチオ基としては、例えば、炭素数１〜１７のアルコキシ基、炭素数２〜１７のアルコキシカルボニル基、炭素数２〜１８のアルキルカルボニル基、炭素数２〜１７のアルキルカルボニルオキシ基及び炭素数１〜１７のアルキルチオ基が挙げられ、上述した基と同様の基が挙げられる。
脂環式炭化水素基としては、単環式、多環式及びスピロ環のいずれでもよく、飽和及び不飽和のいずれでもよい。単環式の脂環式炭化水素基としては、例えば、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロヘプチル基、シクロオクチル基、シクロノニル基、シクロデシル基、シクロドデシル基等の単環式シクロアルキル基が挙げられる。多環式の脂環式炭化水素基としては、例えば、デカヒドロナフチル基、アダマンチル基、ノルボルニル基等の多環式シクロアルキル基が挙げられる。
脂環式炭化水素基及び脂環式炭化水素基に含まれる−ＣＨ2−が、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＣＯ−又は−ＳＯ２−に置き換わった基としては、具体的に、上記の式（ｙ１）〜式（ｙ７１）で表される基等が挙げられる。脂環式炭化水素基の炭素数は、好ましくは３〜３６であり、より好ましくは３〜２４であり、さらに好ましくは３〜１８であり、より一層好ましくは３〜１６であり、さらに一層好ましくは３〜１２である。
芳香族炭化水素基としては、フェニル基、ナフチル基、ビフェニル基、アントリル基、フェナントリル基、ビナフチル基等のアリール基等が挙げられる。芳香族炭化水素基の炭素数は、好ましくは６〜３６であり、より好ましくは６〜２４であり、さらに好ましくは６〜１８であり、より一層好ましくは６〜１４であり、さらに一層好ましくは６〜１０である。
組み合わせた基の場合、上述の基において価数の異なる基（アルカンジイル基、アルカントリイル基、シクロアルカンジイル基、シクロアルカントリイル基等）が含まれていてもよい。
組み合わせることにより形成される基としては、芳香族炭化水素基と鎖式炭化水素基とを組み合わせた基（例えば、芳香族炭化水素基−アルカンジイル基−＊、アルキル基−芳香族炭化水素基−＊）、脂環式炭化水素基と鎖式炭化水素基とを組み合わせた基（例えば、脂環式炭化水素基−アルカンジイル基−＊、アルキル基−脂環式炭化水素基−＊）、芳香族炭化水素基と脂環式炭化水素基とを組み合わせた基（例えば、芳香族炭化水素基−脂環式炭化水素基−＊、脂環式炭化水素基−芳香族炭化水素基−＊）が挙げられる。＊は結合部位を表す。
芳香族炭化水素基−アルカンジイル基−＊としては、ベンジル基、フェネチル基等のアラルキル基が挙げられる。
アルキル基−芳香族炭化水素基−＊としては、トリル基、キシリル基、クメニル基等が挙げられる。
脂環式炭化水素基−アルカンジイル基−＊としては、シクロヘキシルメチル基、シクロヘキシルエチル基、１−（アダマンタン−１−イル）メチル基、１−（アダマンタン−１−イル）−１−メチルエチル基等のシクロアルキルアルキル基等が挙げられる。
アルキル基−脂環式炭化水素基−＊としては、メチルシクロヘキシル基、ジメチルシクロヘキシル基、２−アルキルアダマンタン−２−イル基等のアルキル基を有するシクロアルキル基等が挙げられる。
芳香族炭化水素基−脂環式炭化水素基−＊としては、フェニルアダマンチル基等が挙げられる。
脂環式炭化水素基−芳香族炭化水素基−＊としては、アダマンチルフェニル基等が挙げられる。
なお、組み合わせにおいて、脂環式炭化水素基、芳香族炭化水素基、鎖式炭化水素基は、それぞれ２種以上を組み合わせてもよい。また、いずれの基がＬＢに結合していてもよい。
炭化水素基に含まれる−ＣＨ２−が、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＣＯ−又は−ＳＯ２−に置き換わった基としては、上述した基の他に、シクロアルコキシ基、シクロアルキルアルコキシ基、アルコキシカルボニルオキシ基、芳香族炭化水素基−カルボニルオキシ基、これらの基のうち２種以上を組み合わせた基等も挙げられる。
シクロアルコキシ基としては、炭素数３〜１７のシクロアルコキシ基が挙げられ、例えば、シクロヘキシルオキシ基等が挙げられる。シクロアルキルアルコキシ基としては、炭素数４〜１７のシクロアルキルアルコキシ基が挙げられ、例えば、シクロヘキシルメトキシ基等が挙げられる。アルコキシカルボニルオキシ基としては、炭素数２〜１６のアルコキシカルボニルオキシ基が挙げられ、例えば、ブトキシカルボニルオキシ基等が挙げられる。芳香族炭化水素基−カルボニルオキシ基としては、炭素数７〜１７の芳香族炭化水素基−カルボニルオキシ基が挙げられ、例えば、ベンゾイルオキシ基等が挙げられる。
炭化水素基に含まれる−ＣＨ２−が、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＳＯ２−又は−ＣＯ−で置き換わっている場合、置き換わる前の炭素数を該炭化水素基の総炭素数とする。また、その数は、１つでもよいし、２以上でもよい。
アルキル基としては、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、ｎ−ヘキシル基、ｎ−ヘプチル基、２−エチルヘキシル基、ｎ−オクチル基、ｎ−ノニル基、ｎ−デシル基、ｎ−ウンデシル基、ｎ−ドデシル基等が挙げられる。アルキル基の炭素数は、好ましくは１〜１８であり、より好ましくは１〜１２であり、さらに好ましくは１〜９であり、より一層好ましくは１〜６であり、さらに一層好ましくは１〜４である。
アルケニル基としては、エテニル基、プロペニル基、イソプロペニル基、ブテニル基、イソブテニル基、ｔｅｒｔ−ブテニル基、ペンテニル基、ヘキセニル基、ヘプテニル基、オクテニル基、イソオクテニル基、ノネニル基が挙げられる。
アルキニル基としては、エチニル基、プロピニル基、イソプロピニル基、ブチニル基、イソブチニル基、ｔｅｒｔ−ブチニル基、ペンチニル基、ヘキシニル基、オクチニル基、ノニニル基等が挙げられる。
鎖式炭化水素基に含まれる−ＣＨ2−が、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＣＯ−又は−ＳＯ２−に置き換わった基としては、ヒドロキシ基、カルボキシ基、アルコキシ基、アルコキシカルボニル基、アルキルカルボニル基、アルキルカルボニルオキシ基、アルキルチオ基等が挙げられる。
アルコキシ基、アルコキシカルボニル基、アルキルカルボニル基、アルキルカルボニルオキシ基及びアルキルチオ基としては、例えば、炭素数１〜１７のアルコキシ基、炭素数２〜１７のアルコキシカルボニル基、炭素数２〜１８のアルキルカルボニル基、炭素数２〜１７のアルキルカルボニルオキシ基及び炭素数１〜１７のアルキルチオ基が挙げられ、上述した基と同様の基が挙げられる。
脂環式炭化水素基としては、単環式、多環式及びスピロ環のいずれでもよく、飽和及び不飽和のいずれでもよい。単環式の脂環式炭化水素基としては、例えば、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロヘプチル基、シクロオクチル基、シクロノニル基、シクロデシル基、シクロドデシル基等の単環式シクロアルキル基が挙げられる。多環式の脂環式炭化水素基としては、例えば、デカヒドロナフチル基、アダマンチル基、ノルボルニル基等の多環式シクロアルキル基が挙げられる。
脂環式炭化水素基及び脂環式炭化水素基に含まれる−ＣＨ2−が、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＣＯ−又は−ＳＯ２−に置き換わった基としては、具体的に、上記の式（ｙ１）〜式（ｙ７１）で表される基等が挙げられる。脂環式炭化水素基の炭素数は、好ましくは３〜３６であり、より好ましくは３〜２４であり、さらに好ましくは３〜１８であり、より一層好ましくは３〜１６であり、さらに一層好ましくは３〜１２である。
芳香族炭化水素基としては、フェニル基、ナフチル基、ビフェニル基、アントリル基、フェナントリル基、ビナフチル基等のアリール基等が挙げられる。芳香族炭化水素基の炭素数は、好ましくは６〜３６であり、より好ましくは６〜２４であり、さらに好ましくは６〜１８であり、より一層好ましくは６〜１４であり、さらに一層好ましくは６〜１０である。
組み合わせた基の場合、上述の基において価数の異なる基（アルカンジイル基、アルカントリイル基、シクロアルカンジイル基、シクロアルカントリイル基等）が含まれていてもよい。
組み合わせることにより形成される基としては、芳香族炭化水素基と鎖式炭化水素基とを組み合わせた基（例えば、芳香族炭化水素基−アルカンジイル基−＊、アルキル基−芳香族炭化水素基−＊）、脂環式炭化水素基と鎖式炭化水素基とを組み合わせた基（例えば、脂環式炭化水素基−アルカンジイル基−＊、アルキル基−脂環式炭化水素基−＊）、芳香族炭化水素基と脂環式炭化水素基とを組み合わせた基（例えば、芳香族炭化水素基−脂環式炭化水素基−＊、脂環式炭化水素基−芳香族炭化水素基−＊）が挙げられる。＊は結合部位を表す。
芳香族炭化水素基−アルカンジイル基−＊としては、ベンジル基、フェネチル基等のアラルキル基が挙げられる。
アルキル基−芳香族炭化水素基−＊としては、トリル基、キシリル基、クメニル基等が挙げられる。
脂環式炭化水素基−アルカンジイル基−＊としては、シクロヘキシルメチル基、シクロヘキシルエチル基、１−（アダマンタン−１−イル）メチル基、１−（アダマンタン−１−イル）−１−メチルエチル基等のシクロアルキルアルキル基等が挙げられる。
アルキル基−脂環式炭化水素基−＊としては、メチルシクロヘキシル基、ジメチルシクロヘキシル基、２−アルキルアダマンタン−２−イル基等のアルキル基を有するシクロアルキル基等が挙げられる。
芳香族炭化水素基−脂環式炭化水素基−＊としては、フェニルアダマンチル基等が挙げられる。
脂環式炭化水素基−芳香族炭化水素基−＊としては、アダマンチルフェニル基等が挙げられる。
なお、組み合わせにおいて、脂環式炭化水素基、芳香族炭化水素基、鎖式炭化水素基は、それぞれ２種以上を組み合わせてもよい。また、いずれの基がＬＢに結合していてもよい。
炭化水素基に含まれる−ＣＨ２−が、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＣＯ−又は−ＳＯ２−に置き換わった基としては、上述した基の他に、シクロアルコキシ基、シクロアルキルアルコキシ基、アルコキシカルボニルオキシ基、芳香族炭化水素基−カルボニルオキシ基、これらの基のうち２種以上を組み合わせた基等も挙げられる。
シクロアルコキシ基としては、炭素数３〜１７のシクロアルコキシ基が挙げられ、例えば、シクロヘキシルオキシ基等が挙げられる。シクロアルキルアルコキシ基としては、炭素数４〜１７のシクロアルキルアルコキシ基が挙げられ、例えば、シクロヘキシルメトキシ基等が挙げられる。アルコキシカルボニルオキシ基としては、炭素数２〜１６のアルコキシカルボニルオキシ基が挙げられ、例えば、ブトキシカルボニルオキシ基等が挙げられる。芳香族炭化水素基−カルボニルオキシ基としては、炭素数７〜１７の芳香族炭化水素基−カルボニルオキシ基が挙げられ、例えば、ベンゾイルオキシ基等が挙げられる。
炭化水素基に含まれる−ＣＨ２−が、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＳＯ２−又は−ＣＯ−で置き換わっている場合、置き換わる前の炭素数を該炭化水素基の総炭素数とする。また、その数は、１つでもよいし、２以上でもよい。
ＲＡの炭化水素基が有していてもよい置換基としては、ハロゲン原子、シアノ基、炭素数１〜１２のアルキル基（該アルキル基に含まれる−ＣＨ2−は、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＣＯ−又は−ＳＯ２−に置き換わっていてもよい）が挙げられる。
ハロゲン原子としては、上述した基と同様の基が挙げられる。
炭素数１〜１２のアルキル基としては、上述した基と同様の基が挙げられる。
アルキル基に含まれる−ＣＨ2−が、−Ｏ−又は−ＣＯ−に置き換わった基としては、ヒドロキシ基、カルボキシ基、アルコキシ基、アルコキシカルボニル基、アルキルカルボニル基、アルキルカルボニルオキシ基等が挙げられる。
アルコキシ基、アルコキシカルボニル基、アルキルカルボニル基及びアルキルカルボニルオキシ基としては、炭素数１〜１１のアルコキシ基、炭素数２〜１１のアルコキシカルボニル基、炭素数２〜１２のアルキルカルボニル基、炭素数２〜１１のアルキルカルボニルオキシ基が挙げられ、例えば、上述した基と同様の基が挙げられる。
ＲＡにおける炭化水素基は、１つの置換基又は複数の置換基を有していてもよい。
ハロゲン原子としては、上述した基と同様の基が挙げられる。
炭素数１〜１２のアルキル基としては、上述した基と同様の基が挙げられる。
アルキル基に含まれる−ＣＨ2−が、−Ｏ−又は−ＣＯ−に置き換わった基としては、ヒドロキシ基、カルボキシ基、アルコキシ基、アルコキシカルボニル基、アルキルカルボニル基、アルキルカルボニルオキシ基等が挙げられる。
アルコキシ基、アルコキシカルボニル基、アルキルカルボニル基及びアルキルカルボニルオキシ基としては、炭素数１〜１１のアルコキシ基、炭素数２〜１１のアルコキシカルボニル基、炭素数２〜１２のアルキルカルボニル基、炭素数２〜１１のアルキルカルボニルオキシ基が挙げられ、例えば、上述した基と同様の基が挙げられる。
ＲＡにおける炭化水素基は、１つの置換基又は複数の置換基を有していてもよい。
ＲＡにおける炭化水素基としては、置換基を有してもよい炭素数１〜１２のアルキル基（但し、該アルキル基に含まれる−ＣＨ2−は、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＣＯ−又は−ＳＯ２−に置き換わっていてもよい。）又は置換基を有してもよい炭素数３〜１８の環状炭化水素基（但し、該環状炭化水素基に含まれる−ＣＨ2−は、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＣＯ−又は−ＳＯ２−に置き換わっていてもよい。）であることが好ましく、フッ素原子、ヒドロキシ基又は炭素数１〜６のアルキル基を有してもよい炭素数３〜１８の環状炭化水素基（但し、該環状炭化水素基に含まれる−ＣＨ2−は、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＣＯ−又は−ＳＯ２−に置き換わっていてもよい。）であることが好ましい。
環状炭化水素基としては、単環式又は多環式の炭素数３〜１８の脂環式炭化水素基及び炭素数６〜１８の芳香族炭化水素基等の環状炭化水素基もしくはこれらを組み合わせた基等が挙げられる。
脂環式炭化水素基、芳香族炭化水素基、組み合わせた基としては、上述した基と同様のものが挙げられる。
なお、組み合わせにおいて、脂環式炭化水素基、芳香族炭化水素基は、それぞれ２種以上を組み合わせてもよい。また、いずれの基がＬＢに結合していてもよい。
脂環式炭化水素基、芳香族炭化水素基、組み合わせた基としては、上述した基と同様のものが挙げられる。
なお、組み合わせにおいて、脂環式炭化水素基、芳香族炭化水素基は、それぞれ２種以上を組み合わせてもよい。また、いずれの基がＬＢに結合していてもよい。
炭素数３〜１８の環状炭化水素基（該環状炭化水素基は、フッ素原子、ヒドロキシ基又は炭素数１〜６のアルキル基を有してもよく、該環状炭化水素基に含まれる−ＣＨ2−は、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＣＯ−又は−ＳＯ２−に置き換わっていてもよい。）は、
フッ素原子、ヒドロキシ基又は炭素数１〜４のアルキル基を有してもよい炭素数３〜１８の脂環式炭化水素基（該脂環式炭化水素基に含まれる−ＣＨ2−は、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＣＯ−又は−ＳＯ２−に置き換わっていてもよい。）、又は、
フッ素原子、ヒドロキシ基又は炭素数１〜４のアルキル基を有してもよい炭素数６〜１８の芳香族炭化水素基であることが好ましく、
フッ素原子、ヒドロキシ基又は炭素数１〜４のアルキル基を有してもよい炭素数３〜１８の脂環式炭化水素基（該脂環式炭化水素基に含まれる−ＣＨ2−は、−Ｏ−又は−ＣＯ−に置き換わっていてもよい。）であることがより好ましい。
脂環式炭化水素基としては、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロへキシル基、ノルボルニル基、アダマンチル基、下記の基（結合部位は任意の位置である）が好ましく、芳香族炭化水素基としては、フェニル基、ナフチル基が好ましい。
フッ素原子、ヒドロキシ基又は炭素数１〜４のアルキル基を有してもよい炭素数３〜１８の脂環式炭化水素基（該脂環式炭化水素基に含まれる−ＣＨ2−は、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＣＯ−又は−ＳＯ２−に置き換わっていてもよい。）、又は、
フッ素原子、ヒドロキシ基又は炭素数１〜４のアルキル基を有してもよい炭素数６〜１８の芳香族炭化水素基であることが好ましく、
フッ素原子、ヒドロキシ基又は炭素数１〜４のアルキル基を有してもよい炭素数３〜１８の脂環式炭化水素基（該脂環式炭化水素基に含まれる−ＣＨ2−は、−Ｏ−又は−ＣＯ−に置き換わっていてもよい。）であることがより好ましい。
脂環式炭化水素基としては、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロへキシル基、ノルボルニル基、アダマンチル基、下記の基（結合部位は任意の位置である）が好ましく、芳香族炭化水素基としては、フェニル基、ナフチル基が好ましい。
式（Ｉ）で表されるカルボン酸塩におけるカルボン酸アニオンとしては、下記に記載のカルボン酸アニオン等が挙げられる。
カルボン酸塩（Ｉ）の具体例として、上記したカチオンとアニオンとを任意に組み合わせた塩が挙げられる。カルボン酸塩（Ｉ）の具体例を下記表に示す。
下記表において、各符号は、上述のアニオンやカチオンを表す構造に付した符号を表す。たとえば、カルボン酸塩（Ｉ−１）は、式（Ｉ−ａ−１）で示されるカルボン酸アニオンと式（Ｉ−ｃ−１）で示されるカチオンとからなる塩であり、以下に示す塩である。
下記表において、各符号は、上述のアニオンやカチオンを表す構造に付した符号を表す。たとえば、カルボン酸塩（Ｉ−１）は、式（Ｉ−ａ−１）で示されるカルボン酸アニオンと式（Ｉ−ｃ−１）で示されるカチオンとからなる塩であり、以下に示す塩である。
なかでも、カルボン酸塩（Ｉ）としては、カルボン酸塩（Ｉ−１）〜カルボン酸塩（Ｉ−５）、カルボン酸塩（Ｉ−５５）〜カルボン酸塩（Ｉ−５９）、カルボン酸塩（Ｉ−１０９）〜カルボン酸塩（Ｉ−１１３）、カルボン酸塩（Ｉ−１６３）〜カルボン酸塩（Ｉ−１６７）、カルボン酸塩（Ｉ−２１７）〜カルボン酸塩（Ｉ−２２１）、カルボン酸塩（Ｉ−２７１）〜カルボン酸塩（Ｉ−２７５）、カルボン酸塩（Ｉ−３２５）〜カルボン酸塩（Ｉ−３２９）、カルボン酸塩（Ｉ−３７９）〜カルボン酸塩（Ｉ−３８３）、カルボン酸塩（Ｉ−４３３）〜カルボン酸塩（Ｉ−４３７）、カルボン酸塩（Ｉ−４８７）〜塩（Ｉ−４９１）、カルボン酸塩（Ｉ−５４１）〜カルボン酸塩（Ｉ−５４５）、カルボン酸塩（Ｉ−５９５）〜カルボン酸塩（Ｉ−５９９）、カルボン酸塩（Ｉ−６４９）〜カルボン酸塩（Ｉ−６５３）、カルボン酸塩（Ｉ−７０３）〜カルボン酸塩（Ｉ−７０７）、カルボン酸塩（Ｉ−７５７）〜カルボン酸塩（Ｉ−７６１）、カルボン酸塩（Ｉ−８１１）〜カルボン酸塩（Ｉ−８１５）、カルボン酸塩（Ｉ−８６５）〜カルボン酸塩（Ｉ−８９６）、カルボン酸塩（Ｉ−９１９）〜カルボン酸塩（Ｉ−９２３）、カルボン酸塩（Ｉ−９７３）〜カルボン酸塩（Ｉ−９７７）、カルボン酸塩（Ｉ−１０２７）〜カルボン酸塩（Ｉ−１０３１）、カルボン酸塩（Ｉ−１０８１）〜カルボン酸塩（Ｉ−１０９８）、カルボン酸塩（Ｉ−１１２０）〜カルボン酸塩（Ｉ−１１３７）、カルボン酸塩（Ｉ−１１５９）〜カルボン酸塩（Ｉ−１１７６）、カルボン酸塩（Ｉ−１１９８）〜カルボン酸塩（Ｉ−１２１５）、カルボン酸塩（Ｉ−１２３７）〜カルボン酸塩（Ｉ−１２５４）、カルボン酸塩（Ｉ−１２７６）〜カルボン酸塩（Ｉ−１２９３）、カルボン酸塩（Ｉ−１３１５）〜カルボン酸塩（Ｉ−１３３２）、カルボン酸塩（Ｉ−１３５４）〜カルボン酸塩（Ｉ−１３７１）、カルボン酸塩（Ｉ−１３９３）〜カルボン酸塩（Ｉ−１４１０）、カルボン酸塩（Ｉ−１４３２）〜カルボン酸塩（Ｉ−１４４９）、カルボン酸塩（Ｉ−１４７１）〜カルボン酸塩（Ｉ−１４８８）、カルボン酸塩（Ｉ−１５１０）〜カルボン酸塩（Ｉ−１５２７）、カルボン酸塩（Ｉ−１５４９）〜カルボン酸塩（Ｉ−１５６６）、カルボン酸塩（Ｉ−１５８８）〜カルボン酸塩（Ｉ−１６０５）、カルボン酸塩（Ｉ−１６２７）〜カルボン酸塩（Ｉ−１６４４）、カルボン酸塩（Ｉ−１６６６）〜カルボン酸塩（Ｉ−１６８３）、カルボン酸塩（Ｉ−１７０５）〜カルボン酸塩（Ｉ−１７２２）、カルボン酸塩（Ｉ−１７４４）〜カルボン酸塩（Ｉ−１７６１）、カルボン酸塩（Ｉ−１７８３）〜カルボン酸塩（Ｉ−１８００）、カルボン酸塩（Ｉ−１８２２）〜カルボン酸塩（Ｉ−１８３９）が好ましい。
＜カルボン酸塩（Ｉ）の製造方法＞
カルボン酸塩（Ｉ）は、式（Ｉ−ａ）で表される塩と、式（Ｉ−ｂ）で表される塩とを、溶剤中で反応させることにより製造することができる。
［式中、全ての符号は、それぞれ前記と同じ意味を表す。
ＲA、ＲB及びＲCは、それぞれ独立に、炭素数１〜１２の炭化水素基を表すか、又は、ＲA、ＲB及びＲCが一緒になって芳香環を形成してもよい。ＲDは、水素原子又は炭素数１〜１２の炭化水素基を表す。］
この反応における溶媒としては、クロロホルム、アセトニトリル、イオン交換水等が挙げられる。
反応温度は通常０℃〜８０℃であり、反応時間は通常０．５時間〜２４時間である。
カルボン酸塩（Ｉ）は、式（Ｉ−ａ）で表される塩と、式（Ｉ−ｂ）で表される塩とを、溶剤中で反応させることにより製造することができる。
ＲA、ＲB及びＲCは、それぞれ独立に、炭素数１〜１２の炭化水素基を表すか、又は、ＲA、ＲB及びＲCが一緒になって芳香環を形成してもよい。ＲDは、水素原子又は炭素数１〜１２の炭化水素基を表す。］
この反応における溶媒としては、クロロホルム、アセトニトリル、イオン交換水等が挙げられる。
反応温度は通常０℃〜８０℃であり、反応時間は通常０．５時間〜２４時間である。
式（Ｉ−ａ）で表される塩としては、下記式で表される塩等が挙げられ、市場より容易に入手することができ、また、公知の製法により容易に製造することができる。
式（Ｉ−ｂ）で表される塩は、特開２０１１−３９５０２号公報、特開２０１４−８８３６７号公報、特開２０１３−２００５６１号公報に記載された方法を参考にして合成することができ、以下で表される塩などが挙げられる。
〔カルボン酸発生剤〕
本発明のカルボン酸発生剤は、カルボン酸塩（Ｉ）を含有する酸発生剤である。本発明のカルボン酸塩（Ｉ）は、レジスト組成物中において、酸発生剤として作用させることができる。カルボン酸塩（Ｉ）をレジスト組成物中の酸発生剤として用いる場合、酸発生剤は１種のみ又は２種類以上のカルボン酸塩（Ｉ）を含有してもよい。
本発明のカルボン酸発生剤は、カルボン酸塩（Ｉ）以外のレジスト分野で公知のカルボン酸塩を含んでいてもよい。この場合、カルボン酸塩（Ｉ）とカルボン酸塩（Ｉ）以外のカルボン酸塩との含有量の比（質量比）は、通常、１：９９〜１００：０、好ましくは１：９９〜９９：１、より好ましくは２：９８〜９８：２、さらに好ましくは５：９５〜９５：５である。
本発明のカルボン酸発生剤は、カルボン酸塩（Ｉ）を含有する酸発生剤である。本発明のカルボン酸塩（Ｉ）は、レジスト組成物中において、酸発生剤として作用させることができる。カルボン酸塩（Ｉ）をレジスト組成物中の酸発生剤として用いる場合、酸発生剤は１種のみ又は２種類以上のカルボン酸塩（Ｉ）を含有してもよい。
本発明のカルボン酸発生剤は、カルボン酸塩（Ｉ）以外のレジスト分野で公知のカルボン酸塩を含んでいてもよい。この場合、カルボン酸塩（Ｉ）とカルボン酸塩（Ｉ）以外のカルボン酸塩との含有量の比（質量比）は、通常、１：９９〜１００：０、好ましくは１：９９〜９９：１、より好ましくは２：９８〜９８：２、さらに好ましくは５：９５〜９５：５である。
〔レジスト組成物〕
レジスト組成物は、本発明のカルボン酸塩（Ｉ）を含有するカルボン酸発生剤と、カルボン酸発生剤以外の酸発生剤（Ｂ）と、酸不安定基を有する樹脂（以下「樹脂（Ａ）」という場合がある）とを含有する。ここでの「酸不安定基」は、脱離基を有し、酸との接触により脱離基が脱離して、親水性基（例えば、ヒドロキシ基又はカルボキシ基）を形成する基を意味する。
レジスト組成物は、さらに、クエンチャー（以下「クエンチャー（Ｃ）」という場合がある）及び／又は溶剤（以下「溶剤（Ｅ）」という場合がある）を含有することが好ましい。
本発明のレジスト組成物においては、カルボン酸塩（Ｉ）の含有率は、レジスト組成物の固形分に対して、０．１質量％以上３５質量％以下が好ましく、０．５質量％以上３０質量％以下がより好ましく、１質量％以上２５質量％以下がさらに好ましい。
レジスト組成物は、本発明のカルボン酸塩（Ｉ）を含有するカルボン酸発生剤と、カルボン酸発生剤以外の酸発生剤（Ｂ）と、酸不安定基を有する樹脂（以下「樹脂（Ａ）」という場合がある）とを含有する。ここでの「酸不安定基」は、脱離基を有し、酸との接触により脱離基が脱離して、親水性基（例えば、ヒドロキシ基又はカルボキシ基）を形成する基を意味する。
レジスト組成物は、さらに、クエンチャー（以下「クエンチャー（Ｃ）」という場合がある）及び／又は溶剤（以下「溶剤（Ｅ）」という場合がある）を含有することが好ましい。
本発明のレジスト組成物においては、カルボン酸塩（Ｉ）の含有率は、レジスト組成物の固形分に対して、０．１質量％以上３５質量％以下が好ましく、０．５質量％以上３０質量％以下がより好ましく、１質量％以上２５質量％以下がさらに好ましい。
＜酸発生剤（Ｂ）＞
本発明のレジスト組成物において、カルボン酸塩（Ｉ）と酸発生剤（Ｂ）等との含有量の比（質量比；カルボン酸塩（Ｉ）：酸発生剤（Ｂ）等）は、通常、１：９９〜１００：０、好ましくは１：９９〜９９：１、より好ましくは２：９８〜９８：２、さらに好ましくは５：９５〜９５：５である。
また、本発明のレジスト組成物において、カルボン酸塩（Ｉ）及び酸発生剤（Ｂ）等の合計含有率は、樹脂（Ａ）１００質量部に対して、好ましくは１質量部以上（より好ましくは３質量部以上）、好ましくは５５質量部以下（より好ましくは５０質量部以下、さらに好ましくは４５質量部以下）である。
本発明のレジスト組成物において、カルボン酸塩（Ｉ）と酸発生剤（Ｂ）等との含有量の比（質量比；カルボン酸塩（Ｉ）：酸発生剤（Ｂ）等）は、通常、１：９９〜１００：０、好ましくは１：９９〜９９：１、より好ましくは２：９８〜９８：２、さらに好ましくは５：９５〜９５：５である。
また、本発明のレジスト組成物において、カルボン酸塩（Ｉ）及び酸発生剤（Ｂ）等の合計含有率は、樹脂（Ａ）１００質量部に対して、好ましくは１質量部以上（より好ましくは３質量部以上）、好ましくは５５質量部以下（より好ましくは５０質量部以下、さらに好ましくは４５質量部以下）である。
酸発生剤（Ｂ）は、非イオン系又はイオン系のいずれを用いてもよい。非イオン系酸発生剤としては、スルホネートエステル類（例えば２−ニトロベンジルエステル、芳香族スルホネート、オキシムスルホネート、Ｎ−スルホニルオキシイミド、スルホニルオキシケトン、ジアゾナフトキノン ４−スルホネート）、スルホン類（例えばジスルホン、ケトスルホン、スルホニルジアゾメタン）等が挙げられる。イオン系酸発生剤としては、オニウムカチオンを含むオニウム塩（例えばジアゾニウム塩、ホスホニウム塩、スルホニウム塩、ヨードニウム塩）が代表的である。オニウム塩のアニオンとしては、スルホン酸アニオン、スルホニルイミドアニオン、スルホニルメチドアニオン等が挙げられる。
酸発生剤（Ｂ）としては、特開昭６３−２６６５３号、特開昭５５−１６４８２４号、特開昭６２−６９２６３号、特開昭６３−１４６０３８号、特開昭６３−１６３４５２号、特開昭６２−１５３８５３号、特開昭６３−１４６０２９号、米国特許第３，７７９，７７８号、米国特許第３，８４９，１３７号、独国特許第３９１４４０７号、欧州特許第１２６，７１２号等に記載の放射線によって酸を発生する化合物を使用することができる。また、公知の方法で製造した化合物を使用してもよい。酸発生剤（Ｂ）は、２種以上を組み合わせて用いてもよい。
酸発生剤（Ｂ）は、好ましくはフッ素含有酸発生剤であり、より好ましくは式（Ｂ１）で表される塩（以下「酸発生剤（Ｂ１）」という場合がある。）である。
［式（Ｂ１）中、
Ｑb1及びＱb2は、それぞれ独立に、フッ素原子又は炭素数１〜６のペルフルオロアルキル基を表す。
Ｌb1は、炭素数１〜２４の２価の飽和炭化水素基を表し、該２価の飽和炭化水素基に含まれる−ＣＨ２−は、−Ｏ−又は−ＣＯ−に置き換わっていてもよく、該２価の飽和炭化水素基に含まれる水素原子は、フッ素原子又はヒドロキシ基で置換されていてもよい。
Ｙは、置換基を有していてもよいメチル基又は置換基を有していてもよい炭素数３〜２４の脂環式炭化水素基を表し、該脂環式炭化水素基に含まれる−ＣＨ２−は、−Ｏ−、−Ｓ（Ｏ）２−又は−ＣＯ−に置き換わっていてもよい。
Ｚ１＋は、有機カチオンを表す。］
Ｑb1及びＱb2は、それぞれ独立に、フッ素原子又は炭素数１〜６のペルフルオロアルキル基を表す。
Ｌb1は、炭素数１〜２４の２価の飽和炭化水素基を表し、該２価の飽和炭化水素基に含まれる−ＣＨ２−は、−Ｏ−又は−ＣＯ−に置き換わっていてもよく、該２価の飽和炭化水素基に含まれる水素原子は、フッ素原子又はヒドロキシ基で置換されていてもよい。
Ｙは、置換基を有していてもよいメチル基又は置換基を有していてもよい炭素数３〜２４の脂環式炭化水素基を表し、該脂環式炭化水素基に含まれる−ＣＨ２−は、−Ｏ−、−Ｓ（Ｏ）２−又は−ＣＯ−に置き換わっていてもよい。
Ｚ１＋は、有機カチオンを表す。］
Ｑb1及びＱb2の表すペルフルオロアルキル基としては、トリフルオロメチル基、ペルフルオロエチル基、ペルフルオロプロピル基、ペルフルオロイソプロピル基、ペルフルオロブチル基、ペルフルオロｓｅｃ−ブチル基、ペルフルオロｔｅｒｔ−ブチル基、ペルフルオロペンチル基及びペルフルオロヘキシル基等が挙げられる。
Ｑb1及びＱb2は、それぞれ独立に、フッ素原子又はトリフルオロメチル基であることが好ましく、ともにフッ素原子であることがより好ましい。
Ｑb1及びＱb2は、それぞれ独立に、フッ素原子又はトリフルオロメチル基であることが好ましく、ともにフッ素原子であることがより好ましい。
Ｌb1における２価の飽和炭化水素基としては、直鎖状アルカンジイル基、分岐状アルカンジイル基、単環式又は多環式の２価の脂環式飽和炭化水素基が挙げられ、これらの基のうち２種以上を組合せることにより形成される基でもよい。
具体的には、メチレン基、エチレン基、プロパン−１，３−ジイル基、ブタン−１，４−ジイル基、ペンタン−１，５−ジイル基、ヘキサン−１，６−ジイル基、ヘプタン−１，７−ジイル基、オクタン−１，８−ジイル基、ノナン−１，９−ジイル基、デカン−１，１０−ジイル基、ウンデカン−１，１１−ジイル基、ドデカン−１，１２−ジイル基、トリデカン−１，１３−ジイル基、テトラデカン−１，１４−ジイル基、ペンタデカン−１，１５−ジイル基、ヘキサデカン−１，１６−ジイル基及びヘプタデカン−１，１７−ジイル基等の直鎖状アルカンジイル基；
エタン−１，１−ジイル基、プロパン−１，１−ジイル基、プロパン−１，２−ジイル基、プロパン−２，２−ジイル基、ペンタン−２，４−ジイル基、２−メチルプロパン−１，３−ジイル基、２−メチルプロパン−１，２−ジイル基、ペンタン−１，４−ジイル基、２−メチルブタン−１，４−ジイル基等の分岐状アルカンジイル基；
シクロブタン−１，３−ジイル基、シクロペンタン−１，３−ジイル基、シクロヘキサン−１，４−ジイル基、シクロオクタン−１，５−ジイル基等のシクロアルカンジイル基である単環式の２価の脂環式飽和炭化水素基；
ノルボルナン−１，４−ジイル基、ノルボルナン−２，５−ジイル基、アダマンタン−１，５−ジイル基、アダマンタン−２，６−ジイル基等の多環式の２価の脂環式飽和炭化水素基等が挙げられる。
具体的には、メチレン基、エチレン基、プロパン−１，３−ジイル基、ブタン−１，４−ジイル基、ペンタン−１，５−ジイル基、ヘキサン−１，６−ジイル基、ヘプタン−１，７−ジイル基、オクタン−１，８−ジイル基、ノナン−１，９−ジイル基、デカン−１，１０−ジイル基、ウンデカン−１，１１−ジイル基、ドデカン−１，１２−ジイル基、トリデカン−１，１３−ジイル基、テトラデカン−１，１４−ジイル基、ペンタデカン−１，１５−ジイル基、ヘキサデカン−１，１６−ジイル基及びヘプタデカン−１，１７−ジイル基等の直鎖状アルカンジイル基；
エタン−１，１−ジイル基、プロパン−１，１−ジイル基、プロパン−１，２−ジイル基、プロパン−２，２−ジイル基、ペンタン−２，４−ジイル基、２−メチルプロパン−１，３−ジイル基、２−メチルプロパン−１，２−ジイル基、ペンタン−１，４−ジイル基、２−メチルブタン−１，４−ジイル基等の分岐状アルカンジイル基；
シクロブタン−１，３−ジイル基、シクロペンタン−１，３−ジイル基、シクロヘキサン−１，４−ジイル基、シクロオクタン−１，５−ジイル基等のシクロアルカンジイル基である単環式の２価の脂環式飽和炭化水素基；
ノルボルナン−１，４−ジイル基、ノルボルナン−２，５−ジイル基、アダマンタン−１，５−ジイル基、アダマンタン−２，６−ジイル基等の多環式の２価の脂環式飽和炭化水素基等が挙げられる。
Ｌb1で表される２価の飽和炭化水素基に含まれる−ＣＨ２−が−Ｏ−又は−ＣＯ−で置き換わった基としては、例えば、式（ｂ１−１）〜式（ｂ１−３）のいずれかで表される基が挙げられる。なお、式（ｂ１−１）〜式（ｂ１−３）で表される基及びそれらの具体例である式（ｂ１−４）〜式（ｂ１−１１）で表される基において、＊及び＊＊は結合位を表し、＊は−Ｙとの結合位を表す。
Ｌb2は、単結合又は炭素数１〜２２の２価の飽和炭化水素基を表し、該飽和炭化水素基に含まれる水素原子は、フッ素原子に置換されていてもよい。
Ｌb3は、単結合又は炭素数１〜２２の２価の飽和炭化水素基を表し、該飽和炭化水素基に含まれる水素原子は、フッ素原子又はヒドロキシ基に置換されていてもよく、該飽和炭化水素基に含まれる−ＣＨ２−は、−Ｏ−又は−ＣＯ−に置き換わっていてもよい。
ただし、Ｌb2とＬb3との炭素数合計は、２２以下である。
式（ｂ１−２）中、
Ｌb4は、単結合又は炭素数１〜２２の２価の飽和炭化水素基を表し、該飽和炭化水素基に含まれる水素原子は、フッ素原子に置換されていてもよい。
Ｌb5は、単結合又は炭素数１〜２２の２価の飽和炭化水素基を表し、該飽和炭化水素基に含まれる水素原子は、フッ素原子又はヒドロキシ基に置換されていてもよく、該飽和炭化水素基に含まれる−ＣＨ２−は、−Ｏ−又は−ＣＯ−に置き換わっていてもよい。
ただし、Ｌb4とＬb5との炭素数合計は、２２以下である。
式（ｂ１−３）中、
Ｌb6は、単結合又は炭素数１〜２３の２価の飽和炭化水素基を表し、該飽和炭化水素基に含まれる水素原子は、フッ素原子又はヒドロキシ基に置換されていてもよい。
Ｌb7は、単結合又は炭素数１〜２３の２価の飽和炭化水素基を表し、該飽和炭化水素基に含まれる水素原子は、フッ素原子又はヒドロキシ基に置換されていてもよく、該飽和炭化水素基に含まれる−ＣＨ２−は、−Ｏ−又は−ＣＯ−に置き換わっていてもよい。
ただし、Ｌb6とＬb7との炭素数合計は、２３以下である。］
式（ｂ１−１）〜式（ｂ１−３）で表される基においては、飽和炭化水素基に含まれる−ＣＨ２−が−Ｏ−又は−ＣＯ−に置き換わっている場合、置き換わる前の炭素数を該飽和炭化水素基の炭素数とする。
２価の飽和炭化水素基としては、Ｌb1の２価の飽和炭化水素基と同様のものが挙げられる。
２価の飽和炭化水素基としては、Ｌb1の２価の飽和炭化水素基と同様のものが挙げられる。
Ｌb2は、好ましくは単結合である。
Ｌb3は、好ましくは炭素数１〜４の２価の飽和炭化水素基である。
Ｌb4は、好ましくは炭素数１〜８の２価の飽和炭化水素基であり、該２価の飽和炭化水素基に含まれる水素原子はフッ素原子に置換されていてもよい。
Ｌb5は、好ましくは単結合又は炭素数１〜８の２価の飽和炭化水素基である。
Ｌb6は、好ましくは単結合又は炭素数１〜４の２価の飽和炭化水素基であり、該飽和炭化水素基に含まれる水素原子はフッ素原子に置換されていてもよい。
Ｌb7は、好ましくは単結合又は炭素数１〜１８の２価の飽和炭化水素基であり、該飽和炭化水素基に含まれる水素原子はフッ素原子又はヒドロキシ基に置換されていてもよく、該２価の飽和炭化水素基に含まれる−ＣＨ２−は−Ｏ−又は−ＣＯ−に置き換わっていてもよい。
Ｌb3は、好ましくは炭素数１〜４の２価の飽和炭化水素基である。
Ｌb4は、好ましくは炭素数１〜８の２価の飽和炭化水素基であり、該２価の飽和炭化水素基に含まれる水素原子はフッ素原子に置換されていてもよい。
Ｌb5は、好ましくは単結合又は炭素数１〜８の２価の飽和炭化水素基である。
Ｌb6は、好ましくは単結合又は炭素数１〜４の２価の飽和炭化水素基であり、該飽和炭化水素基に含まれる水素原子はフッ素原子に置換されていてもよい。
Ｌb7は、好ましくは単結合又は炭素数１〜１８の２価の飽和炭化水素基であり、該飽和炭化水素基に含まれる水素原子はフッ素原子又はヒドロキシ基に置換されていてもよく、該２価の飽和炭化水素基に含まれる−ＣＨ２−は−Ｏ−又は−ＣＯ−に置き換わっていてもよい。
Ｌb1で表される２価の飽和炭化水素基に含まれる−ＣＨ２−が−Ｏ−又は−ＣＯ−で置き換わった基としては、式（ｂ１−１）又は式（ｂ１−３）で表される基が好ましい。
式（ｂ１−１）で表される基としては、式（ｂ１−４）〜式（ｂ１−８）でそれぞれ表される基が挙げられる。
［式（ｂ１−４）中、
Ｌb8は、単結合又は炭素数１〜２２の２価の飽和炭化水素基を表し、該飽和炭化水素基に含まれる水素原子は、フッ素原子又はヒドロキシ基に置換されていてもよい。
式（ｂ１−５）中、
Ｌb9は、炭素数１〜２０の２価の飽和炭化水素基を表し、該２価の飽和炭化水素基に含まれる−ＣＨ２−は−Ｏ−又は−ＣＯ−に置き換わっていてもよい。
Ｌb10は、単結合又は炭素数１〜１９の２価の飽和炭化水素基を表し、該２価の飽和炭化水素基に含まれる水素原子は、フッ素原子又はヒドロキシ基に置換されていてもよい。
ただし、Ｌb9及びＬb10の合計炭素数は２０以下である。
式（ｂ１−６）中、
Ｌb11は、炭素数１〜２１の２価の飽和炭化水素基を表す。
Ｌb12は、単結合又は炭素数１〜２０の２価の飽和炭化水素基を表し、該２価の飽和炭化水素基に含まれる水素原子は、フッ素原子又はヒドロキシ基に置換されていてもよい。
ただし、Ｌb11及びＬb12の合計炭素数は２１以下である。
式（ｂ１−７）中、
Ｌb13は、炭素数１〜１９の２価の飽和炭化水素基を表す。
Ｌb14は、単結合又は炭素数１〜１８の２価の飽和炭化水素基を表し、該２価の飽和炭化水素基に含まれる−ＣＨ２−は−Ｏ−又は−ＣＯ−に置き換わっていてもよい。
Ｌb15は、単結合又は炭素数１〜１８の２価の飽和炭化水素基を表し、該２価の飽和炭化水素基に含まれる水素原子は、フッ素原子又はヒドロキシ基に置換されていてもよい。
ただし、Ｌb13〜Ｌb15の合計炭素数は１９以下である。
式（ｂ１−８）中、
Ｌb16は、炭素数１〜１８の２価の飽和炭化水素基を表し、該２価の飽和炭化水素基に含まれる−ＣＨ２−は−Ｏ−又は−ＣＯ−に置き換わっていてもよい。
Ｌb17は、炭素数１〜１８の２価の飽和炭化水素基を表す。
Ｌb18は、単結合又は炭素数１〜１７の２価の飽和炭化水素基を表し、該２価の飽和炭化水素基に含まれる水素原子は、フッ素原子又はヒドロキシ基に置換されていてもよい。
ただし、Ｌb16〜Ｌb18の合計炭素数は１９以下である。］
Ｌb8は、単結合又は炭素数１〜２２の２価の飽和炭化水素基を表し、該飽和炭化水素基に含まれる水素原子は、フッ素原子又はヒドロキシ基に置換されていてもよい。
式（ｂ１−５）中、
Ｌb9は、炭素数１〜２０の２価の飽和炭化水素基を表し、該２価の飽和炭化水素基に含まれる−ＣＨ２−は−Ｏ−又は−ＣＯ−に置き換わっていてもよい。
Ｌb10は、単結合又は炭素数１〜１９の２価の飽和炭化水素基を表し、該２価の飽和炭化水素基に含まれる水素原子は、フッ素原子又はヒドロキシ基に置換されていてもよい。
ただし、Ｌb9及びＬb10の合計炭素数は２０以下である。
式（ｂ１−６）中、
Ｌb11は、炭素数１〜２１の２価の飽和炭化水素基を表す。
Ｌb12は、単結合又は炭素数１〜２０の２価の飽和炭化水素基を表し、該２価の飽和炭化水素基に含まれる水素原子は、フッ素原子又はヒドロキシ基に置換されていてもよい。
ただし、Ｌb11及びＬb12の合計炭素数は２１以下である。
式（ｂ１−７）中、
Ｌb13は、炭素数１〜１９の２価の飽和炭化水素基を表す。
Ｌb14は、単結合又は炭素数１〜１８の２価の飽和炭化水素基を表し、該２価の飽和炭化水素基に含まれる−ＣＨ２−は−Ｏ−又は−ＣＯ−に置き換わっていてもよい。
Ｌb15は、単結合又は炭素数１〜１８の２価の飽和炭化水素基を表し、該２価の飽和炭化水素基に含まれる水素原子は、フッ素原子又はヒドロキシ基に置換されていてもよい。
ただし、Ｌb13〜Ｌb15の合計炭素数は１９以下である。
式（ｂ１−８）中、
Ｌb16は、炭素数１〜１８の２価の飽和炭化水素基を表し、該２価の飽和炭化水素基に含まれる−ＣＨ２−は−Ｏ−又は−ＣＯ−に置き換わっていてもよい。
Ｌb17は、炭素数１〜１８の２価の飽和炭化水素基を表す。
Ｌb18は、単結合又は炭素数１〜１７の２価の飽和炭化水素基を表し、該２価の飽和炭化水素基に含まれる水素原子は、フッ素原子又はヒドロキシ基に置換されていてもよい。
ただし、Ｌb16〜Ｌb18の合計炭素数は１９以下である。］
Ｌb8は、好ましくは炭素数１〜４の２価の飽和炭化水素基である。
Ｌb9は、好ましくは炭素数１〜８の２価の飽和炭化水素基である。
Ｌb10は、好ましくは単結合又は炭素数１〜１９の２価の飽和炭化水素基であり、より好ましくは単結合又は炭素数１〜８の２価の飽和炭化水素基である。
Ｌb11は、好ましくは炭素数１〜８の２価の飽和炭化水素基である。
Ｌb12は、好ましくは単結合又は炭素数１〜８の２価の飽和炭化水素基である。
Ｌb13は、好ましくは炭素数１〜１２の２価の飽和炭化水素基である。
Ｌb14は、好ましくは単結合又は炭素数１〜６の２価の飽和炭化水素基である。
Ｌb15は、好ましくは単結合又は炭素数１〜１８の２価の飽和炭化水素基であり、より好ましくは単結合又は炭素数１〜８の２価の飽和炭化水素基である。
Ｌb16は、好ましくは炭素数１〜１２の２価の飽和炭化水素基である。
Ｌb17は、好ましくは炭素数１〜６の２価の飽和炭化水素基である。
Ｌb18は、好ましくは単結合又は炭素数１〜１７の２価の飽和炭化水素基であり、より好ましくは単結合又は炭素数１〜４の２価の飽和炭化水素基である。
Ｌb9は、好ましくは炭素数１〜８の２価の飽和炭化水素基である。
Ｌb10は、好ましくは単結合又は炭素数１〜１９の２価の飽和炭化水素基であり、より好ましくは単結合又は炭素数１〜８の２価の飽和炭化水素基である。
Ｌb11は、好ましくは炭素数１〜８の２価の飽和炭化水素基である。
Ｌb12は、好ましくは単結合又は炭素数１〜８の２価の飽和炭化水素基である。
Ｌb13は、好ましくは炭素数１〜１２の２価の飽和炭化水素基である。
Ｌb14は、好ましくは単結合又は炭素数１〜６の２価の飽和炭化水素基である。
Ｌb15は、好ましくは単結合又は炭素数１〜１８の２価の飽和炭化水素基であり、より好ましくは単結合又は炭素数１〜８の２価の飽和炭化水素基である。
Ｌb16は、好ましくは炭素数１〜１２の２価の飽和炭化水素基である。
Ｌb17は、好ましくは炭素数１〜６の２価の飽和炭化水素基である。
Ｌb18は、好ましくは単結合又は炭素数１〜１７の２価の飽和炭化水素基であり、より好ましくは単結合又は炭素数１〜４の２価の飽和炭化水素基である。
式（ｂ１−３）で表される基としては、式（ｂ１−９）〜式（ｂ１−１１）でそれぞれ表される基が挙げられる。
［式（ｂ１−９）中、
Ｌb19は、単結合又は炭素数１〜２３の２価の飽和炭化水素基を表し、該飽和炭化水素基に含まれる水素原子は、フッ素原子に置換されていてもよい。
Ｌb20は、単結合又は炭素数１〜２３の２価の飽和炭化水素基を表し、該飽和炭化水素基に含まれる水素原子は、フッ素原子、ヒドロキシ基又はアルキルカルボニルオキシ基に置換されていてもよい。該アルキルカルボニルオキシ基に含まれる−ＣＨ2−は、−Ｏ−又は−ＣＯ−に置き換わっていてもよく、該アルキルカルボニルオキシ基に含まれる水素原子は、ヒドロキシ基に置換されていてもよい。
ただし、Ｌb19及びＬb20の合計炭素数は２３以下である。
式（ｂ１−１０）中、
Ｌb21は、単結合又は炭素数１〜２１の２価の飽和炭化水素基を表し、該飽和炭化水素基に含まれる水素原子は、フッ素原子に置換されていてもよい。
Ｌb22は、単結合又は炭素数１〜２１の２価の飽和炭化水素基を表す。
Ｌb23は、単結合又は炭素数１〜２１の２価の飽和炭化水素基を表し、該飽和炭化水素基に含まれる水素原子は、フッ素原子、ヒドロキシ基又はアルキルカルボニルオキシ基に置換されていてもよい。該アルキルカルボニルオキシ基に含まれる−ＣＨ2−は、−Ｏ−又は−ＣＯ−に置き換わっていてもよく、該アルキルカルボニルオキシ基に含まれる水素原子は、ヒドロキシ基に置換されていてもよい。
ただし、Ｌb21、Ｌb22及びＬb23の合計炭素数は２１以下である。
式（ｂ１−１１）中、
Ｌb24は、単結合又は炭素数１〜２０の２価の飽和炭化水素基を表し、該飽和炭化水素基に含まれる水素原子は、フッ素原子に置換されていてもよい。
Ｌb25は、炭素数１〜２１の２価の飽和炭化水素基を表す。
Ｌb26は、単結合又は炭素数１〜２０の２価の飽和炭化水素基を表し、該飽和炭化水素基に含まれる水素原子は、フッ素原子、ヒドロキシ基又はアルキルカルボニルオキシ基に置換されていてもよい。該アルキルカルボニルオキシ基に含まれる−ＣＨ2−は、−Ｏ−又は−ＣＯ−に置き換わっていてもよく、該アルキルカルボニルオキシ基に含まれる水素原子は、ヒドロキシ基に置換されていてもよい。
ただし、Ｌb24、Ｌb25及びＬb26の合計炭素数は２１以下である。］
Ｌb19は、単結合又は炭素数１〜２３の２価の飽和炭化水素基を表し、該飽和炭化水素基に含まれる水素原子は、フッ素原子に置換されていてもよい。
Ｌb20は、単結合又は炭素数１〜２３の２価の飽和炭化水素基を表し、該飽和炭化水素基に含まれる水素原子は、フッ素原子、ヒドロキシ基又はアルキルカルボニルオキシ基に置換されていてもよい。該アルキルカルボニルオキシ基に含まれる−ＣＨ2−は、−Ｏ−又は−ＣＯ−に置き換わっていてもよく、該アルキルカルボニルオキシ基に含まれる水素原子は、ヒドロキシ基に置換されていてもよい。
ただし、Ｌb19及びＬb20の合計炭素数は２３以下である。
式（ｂ１−１０）中、
Ｌb21は、単結合又は炭素数１〜２１の２価の飽和炭化水素基を表し、該飽和炭化水素基に含まれる水素原子は、フッ素原子に置換されていてもよい。
Ｌb22は、単結合又は炭素数１〜２１の２価の飽和炭化水素基を表す。
Ｌb23は、単結合又は炭素数１〜２１の２価の飽和炭化水素基を表し、該飽和炭化水素基に含まれる水素原子は、フッ素原子、ヒドロキシ基又はアルキルカルボニルオキシ基に置換されていてもよい。該アルキルカルボニルオキシ基に含まれる−ＣＨ2−は、−Ｏ−又は−ＣＯ−に置き換わっていてもよく、該アルキルカルボニルオキシ基に含まれる水素原子は、ヒドロキシ基に置換されていてもよい。
ただし、Ｌb21、Ｌb22及びＬb23の合計炭素数は２１以下である。
式（ｂ１−１１）中、
Ｌb24は、単結合又は炭素数１〜２０の２価の飽和炭化水素基を表し、該飽和炭化水素基に含まれる水素原子は、フッ素原子に置換されていてもよい。
Ｌb25は、炭素数１〜２１の２価の飽和炭化水素基を表す。
Ｌb26は、単結合又は炭素数１〜２０の２価の飽和炭化水素基を表し、該飽和炭化水素基に含まれる水素原子は、フッ素原子、ヒドロキシ基又はアルキルカルボニルオキシ基に置換されていてもよい。該アルキルカルボニルオキシ基に含まれる−ＣＨ2−は、−Ｏ−又は−ＣＯ−に置き換わっていてもよく、該アルキルカルボニルオキシ基に含まれる水素原子は、ヒドロキシ基に置換されていてもよい。
ただし、Ｌb24、Ｌb25及びＬb26の合計炭素数は２１以下である。］
なお、式（ｂ１−９）で表される基から式（ｂ１−１１）で表される基においては、飽和炭化水素基に含まれる水素原子がアルキルカルボニルオキシ基に置換されている場合、置き換わる前の炭素数を該飽和炭化水素基の炭素数とする。
アルキルカルボニルオキシ基としては、アセチルオキシ基、プロピオニルオキシ基、ブチリルオキシ基、シクロヘキシルカルボニルオキシ基、アダマンチルカルボニルオキシ基等が挙げられる。
式（ｂ１−４）で表される基としては、以下のものが挙げられる。
式（ｂ１−５）で表される基としては、以下のものが挙げられる。
式（ｂ１−６）で表される基としては、以下のものが挙げられる。
式（ｂ１−７）で表される基としては、以下のものが挙げられる。
式（ｂ１−８）で表される基としては、以下のものが挙げられる。
式（ｂ１−２）で表される基としては、以下のものが挙げられる。
式（ｂ１−９）で表される基としては、以下のものが挙げられる。
式（ｂ１−１０）で表される基としては、以下のものが挙げられる。
式（ｂ１−１１）で表される基としては、以下のものが挙げられる。
Ｙで表される脂環式炭化水素基としては、式（Ｙ１）〜式（Ｙ１１）、式（Ｙ３６）〜式（Ｙ３８）で表される基が挙げられる。
Ｙで表される脂環式炭化水素基に含まれる−ＣＨ２−が−Ｏ−、−Ｓ（Ｏ）２−又は−ＣＯ−で置き換わる場合、その数は１つでもよいし、２以上でもよい。そのような基としては、式（Ｙ１２）〜式（Ｙ３５）、式（Ｙ３９）〜式（Ｙ４３）で表される基が挙げられる。＊はＬb1との結合手を表す。
Ｙで表される脂環式炭化水素基に含まれる−ＣＨ２−が−Ｏ−、−Ｓ（Ｏ）２−又は−ＣＯ−で置き換わる場合、その数は１つでもよいし、２以上でもよい。そのような基としては、式（Ｙ１２）〜式（Ｙ３５）、式（Ｙ３９）〜式（Ｙ４３）で表される基が挙げられる。＊はＬb1との結合手を表す。
Ｙで表される脂環式炭化水素基としては、好ましくは式（Ｙ１）〜式（Ｙ２０）、式（Ｙ２６）、式（Ｙ２７）、式（Ｙ３０）、式（Ｙ３１）、式（Ｙ３９）〜式（Ｙ４３）のいずれかで表される基であり、より好ましくは式（Ｙ１１）、式（Ｙ１５）、式（Ｙ１６）、式（Ｙ２０）、式（Ｙ２６）、式（Ｙ２７）、式（Ｙ３０）、式（Ｙ３１）、式（Ｙ３９）、式（Ｙ４０）、式（Ｙ４２）又は式（Ｙ４３）で表される基であり、さらに好ましくは式（Ｙ１１）、式（Ｙ１５）、式（Ｙ２０）、式（Ｙ２６）、式（Ｙ２７）、式（Ｙ３０）、式（Ｙ３１）、式（Ｙ３９）、式（Ｙ４０）、式（Ｙ４２）又は式（Ｙ４３）で表される基である。
Ｙで表される脂環式炭化水素基が式（Ｙ２８）〜式（Ｙ３５）、式（Ｙ３９）、式（Ｙ４０）、式（Ｙ４２）又は式（Ｙ４３）等の酸素原子を含むスピロ環である場合には、２つの酸素原子間のアルカンジイル基は、１以上のフッ素原子を有することが好ましい。また、ケタール構造に含まれるアルカンジイル基のうち、酸素原子に隣接するメチレン基には、フッ素原子が置換されていないのが好ましい。
Ｙで表される脂環式炭化水素基が式（Ｙ２８）〜式（Ｙ３５）、式（Ｙ３９）、式（Ｙ４０）、式（Ｙ４２）又は式（Ｙ４３）等の酸素原子を含むスピロ環である場合には、２つの酸素原子間のアルカンジイル基は、１以上のフッ素原子を有することが好ましい。また、ケタール構造に含まれるアルカンジイル基のうち、酸素原子に隣接するメチレン基には、フッ素原子が置換されていないのが好ましい。
Ｙで表されるメチル基の置換基としては、ハロゲン原子、ヒドロキシ基、炭素数３〜１６の脂環式炭化水素基、炭素数６〜１８の芳香族炭化水素基、グリシジルオキシ基、−（ＣＨ２）ｊａ−ＣＯ−Ｏ−Ｒｂ１基又は−（ＣＨ２）ｊａ−Ｏ−ＣＯ−Ｒｂ１基（式中、Ｒｂ１は、炭素数１〜１６のアルキル基、炭素数３〜１６の脂環式炭化水素基、炭素数６〜１８の芳香族炭化水素基又はこれらを組み合わせた基を表し、該アルキル基及び該脂環式炭化水素基に含まれる−ＣＨ２−は、−Ｏ−、−ＳＯ２−又は−ＣＯ−に置き換わっていてもよく、該アルキル基、該脂環式炭化水素基及び該芳香族炭化水素基に含まれる水素原子は、ヒドロキシ基又はフッ素原子に置き換わっていてもよい。ｊａは、０〜４のいずれかの整数を表す。）等が挙げられる。
Ｙで表される脂環式炭化水素基の置換基としては、ハロゲン原子、ヒドロキシ基、ヒドロキシ基で置換されていてもよい炭素数１〜１６のアルキル基（該アルキル基に含まれる−ＣＨ２−は、−Ｏ−又は−ＣＯ−で置き換わっていてもよい。）、炭素数３〜１６の脂環式炭化水素基、炭素数６〜１８の芳香族炭化水素基、炭素数７〜２１のアラルキル基、グリシジルオキシ基、−（ＣＨ２）ｊａ−ＣＯ−Ｏ−Ｒｂ１基又は−（ＣＨ２）ｊａ−Ｏ−ＣＯ−Ｒｂ１基（式中、Ｒｂ１は、炭素数１〜１６のアルキル基、炭素数３〜１６の脂環式炭化水素基、炭素数６〜１８の芳香族炭化水素基又はこれらを組み合わせた基を表し、該アルキル基及び該脂環式炭化水素基に含まれる−ＣＨ２−は、−Ｏ−、−ＳＯ２−又は−ＣＯ−に置き換わっていてもよく、該アルキル基、該脂環式炭化水素基及び該芳香族炭化水素基に含まれる水素原子は、ヒドロキシ基又はフッ素原子に置き換わっていてもよい。ｊａは、０〜４のいずれかの整数を表す。）等が挙げられる。
Ｙで表される脂環式炭化水素基の置換基としては、ハロゲン原子、ヒドロキシ基、ヒドロキシ基で置換されていてもよい炭素数１〜１６のアルキル基（該アルキル基に含まれる−ＣＨ２−は、−Ｏ−又は−ＣＯ−で置き換わっていてもよい。）、炭素数３〜１６の脂環式炭化水素基、炭素数６〜１８の芳香族炭化水素基、炭素数７〜２１のアラルキル基、グリシジルオキシ基、−（ＣＨ２）ｊａ−ＣＯ−Ｏ−Ｒｂ１基又は−（ＣＨ２）ｊａ−Ｏ−ＣＯ−Ｒｂ１基（式中、Ｒｂ１は、炭素数１〜１６のアルキル基、炭素数３〜１６の脂環式炭化水素基、炭素数６〜１８の芳香族炭化水素基又はこれらを組み合わせた基を表し、該アルキル基及び該脂環式炭化水素基に含まれる−ＣＨ２−は、−Ｏ−、−ＳＯ２−又は−ＣＯ−に置き換わっていてもよく、該アルキル基、該脂環式炭化水素基及び該芳香族炭化水素基に含まれる水素原子は、ヒドロキシ基又はフッ素原子に置き換わっていてもよい。ｊａは、０〜４のいずれかの整数を表す。）等が挙げられる。
ハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子及びヨウ素原子等が挙げられる。
脂環式炭化水素基としては、例えば、シクロペンチル基、シクロへキシル基、メチルシクロヘキシル基、ジメチルシクロへキシル基、シクロヘプチル基、シクロオクチル基、ノルボルニル基、アダマンチル基等が挙げられる。脂環式炭化水素基は鎖式炭化水素基を有していてもよく、メチルシクロヘキシル基、ジメチルシクロへキシル基等が挙げられる。脂環式炭化水素基の炭素数は、好ましくは３〜１２であり、より好ましくは３〜１０である。
芳香族炭化水素基としては、例えば、フェニル基、ナフチル基、アントリル基、ビフェニル基、フェナントリル基等のアリール基等が挙げられる。芳香族炭化水素基は、鎖式炭化水素基又は脂環式炭化水素基を有していてもよく、炭素数１〜１８の鎖式炭化水素基を有する芳香族炭化水素基（トリル基、キシリル基、クメニル基、メシチル基、ｐ−エチルフェニル基、ｐ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル基、２，６−ジエチルフェニル基、２−メチル−６−エチルフェニル基等）及び炭素数３〜１８の脂環式炭化水素基を有する芳香族炭化水素基（ｐ−シクロへキシルフェニル基、ｐ−アダマンチルフェニル基等）等が挙げられる。芳香族炭化水素基の炭素数は、好ましくは６〜１４であり、より好ましくは６〜１０である。
アルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、２−エチルヘキシル基、オクチル基、ノニル基、デシル基、ウンデシル基、ドデシル基等が挙げられる。アルキル基の炭素数は、好ましくは１〜１２であり、より好ましくは１〜６であり、さらに好ましくは１〜４である。
ヒドロキシ基で置換されているアルキル基としては、ヒドロキシメチル基、ヒドロキシエチル基等のヒドロキシアルキル基が挙げられる。
アラルキル基としては、ベンジル基、フェネチル基、フェニルプロピル基、ナフチルメチル基及びナフチルエチル基等が挙げられる。
アルキル基に含まれる−ＣＨ２−が−Ｏ−、−Ｓ（Ｏ）２−又は−ＣＯ−等で置き換わった基としては、アルコキシ基、アルコキシカルボニル基、アルキルカルボニル基、アルキルカルボニルオキシ基又はこれらを組み合わせた基などが挙げられる。
アルコキシ基としては、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基、ペンチルオキシ基、ヘキシルオキシ基、ヘプチルオキシ基、オクチルオキシ基、デシルオキシ基及びドデシルオキシ基等が挙げられる。アルコキシ基の炭素数は、好ましくは１〜１２であり、より好ましくは１〜６であり、さらに好ましくは１〜４である。
アルコキシカルボニル基としては、例えば、メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基、ブトキシカルボニル基等が挙げられる。アルコキシカルボニル基の炭素数は、好ましくは２〜１２であり、より好ましくは２〜６であり、さらに好ましくは２〜４である。
アルキルカルボニル基としては、例えば、アセチル基、プロピオニル基及びブチリル基等が挙げられる。アルキルカルボニル基の炭素数は、好ましくは２〜１２であり、より好ましくは２〜６であり、さらに好ましくは２〜４である。
アルキルカルボニルオキシ基としては、例えば、アセチルオキシ基、プロピオニルオキシ基、ブチリルオキシ基等が挙げられる。アルキルカルボニルオキシ基の炭素数は、好ましくは２〜１２であり、より好ましくは２〜６であり、さらに好ましくは２〜４である。
組み合わせた基としては、例えば、アルコキシ基とアルキル基とを組み合わせた基、アルコキシ基とアルコキシ基とを組み合わせた基、アルコキシ基とアルキルカルボニル基とを組み合わせた基、アルコキシ基とアルキルカルボニルオキシ基とを組み合わせた基等が挙げられる。
アルコキシ基とアルキル基とを組み合わせた基としては、例えば、メトキシメチル基、メトキシエチル基、エトキシエチル基、エトキシメチル基等のアルコキシアルキル基等が挙げられる。アルコキシアルキル基の炭素数は、好ましくは２〜１２であり、より好ましくは２〜６であり、さらに好ましくは２〜４である。
アルコキシ基とアルコキシ基とを組み合わせた基としては、メトキシメトキシ基、メトキシエトキシ基、エトキシメトキシ基、エトキシエトキシ基等のアルコキシアルコキシ基等が挙げられる。アルコキシアルコキシ基の炭素数は、好ましくは２〜１２であり、より好ましくは２〜６であり、さらに好ましくは２〜４である。
アルコキシ基とアルキルカルボニル基とを組み合わせた基としては、メトキシアセチル基、メトキシプロピオニル基、エトキシアセチル基、エトキシプロピオニル基等のアルコキシアルキルカルボニル基等が挙げられる。アルコキシアルキルカルボニル基の炭素数は、好ましくは３〜１３であり、より好ましくは３〜７であり、さらに好ましくは３〜５である。
アルコキシ基とアルキルカルボニルオキシ基とを組み合わせた基としては、メトキシアセチルオキシ基、メトキシプロピオニルオキシ基、エトキシアセチルオキシ基、エトキシプロピオニルオキシ基等のアルコキシアルキルカルボニルオキシ基等が挙げられる。アルコキシアルキルカルボニルオキシ基の炭素数は、好ましくは３〜１３であり、より好ましくは３〜７であり、さらに好ましくは３〜５である。
脂環式炭化水素基に含まれる−ＣＨ２−が−Ｏ−、−Ｓ（Ｏ）２−又は−ＣＯ−等で置き換わった基としては、式（Ｙ１２）〜式（Ｙ３５）、式（Ｙ３９）〜式（Ｙ４３）で表される基等が挙げられる。
脂環式炭化水素基としては、例えば、シクロペンチル基、シクロへキシル基、メチルシクロヘキシル基、ジメチルシクロへキシル基、シクロヘプチル基、シクロオクチル基、ノルボルニル基、アダマンチル基等が挙げられる。脂環式炭化水素基は鎖式炭化水素基を有していてもよく、メチルシクロヘキシル基、ジメチルシクロへキシル基等が挙げられる。脂環式炭化水素基の炭素数は、好ましくは３〜１２であり、より好ましくは３〜１０である。
芳香族炭化水素基としては、例えば、フェニル基、ナフチル基、アントリル基、ビフェニル基、フェナントリル基等のアリール基等が挙げられる。芳香族炭化水素基は、鎖式炭化水素基又は脂環式炭化水素基を有していてもよく、炭素数１〜１８の鎖式炭化水素基を有する芳香族炭化水素基（トリル基、キシリル基、クメニル基、メシチル基、ｐ−エチルフェニル基、ｐ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル基、２，６−ジエチルフェニル基、２−メチル−６−エチルフェニル基等）及び炭素数３〜１８の脂環式炭化水素基を有する芳香族炭化水素基（ｐ−シクロへキシルフェニル基、ｐ−アダマンチルフェニル基等）等が挙げられる。芳香族炭化水素基の炭素数は、好ましくは６〜１４であり、より好ましくは６〜１０である。
アルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、２−エチルヘキシル基、オクチル基、ノニル基、デシル基、ウンデシル基、ドデシル基等が挙げられる。アルキル基の炭素数は、好ましくは１〜１２であり、より好ましくは１〜６であり、さらに好ましくは１〜４である。
ヒドロキシ基で置換されているアルキル基としては、ヒドロキシメチル基、ヒドロキシエチル基等のヒドロキシアルキル基が挙げられる。
アラルキル基としては、ベンジル基、フェネチル基、フェニルプロピル基、ナフチルメチル基及びナフチルエチル基等が挙げられる。
アルキル基に含まれる−ＣＨ２−が−Ｏ−、−Ｓ（Ｏ）２−又は−ＣＯ−等で置き換わった基としては、アルコキシ基、アルコキシカルボニル基、アルキルカルボニル基、アルキルカルボニルオキシ基又はこれらを組み合わせた基などが挙げられる。
アルコキシ基としては、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基、ペンチルオキシ基、ヘキシルオキシ基、ヘプチルオキシ基、オクチルオキシ基、デシルオキシ基及びドデシルオキシ基等が挙げられる。アルコキシ基の炭素数は、好ましくは１〜１２であり、より好ましくは１〜６であり、さらに好ましくは１〜４である。
アルコキシカルボニル基としては、例えば、メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基、ブトキシカルボニル基等が挙げられる。アルコキシカルボニル基の炭素数は、好ましくは２〜１２であり、より好ましくは２〜６であり、さらに好ましくは２〜４である。
アルキルカルボニル基としては、例えば、アセチル基、プロピオニル基及びブチリル基等が挙げられる。アルキルカルボニル基の炭素数は、好ましくは２〜１２であり、より好ましくは２〜６であり、さらに好ましくは２〜４である。
アルキルカルボニルオキシ基としては、例えば、アセチルオキシ基、プロピオニルオキシ基、ブチリルオキシ基等が挙げられる。アルキルカルボニルオキシ基の炭素数は、好ましくは２〜１２であり、より好ましくは２〜６であり、さらに好ましくは２〜４である。
組み合わせた基としては、例えば、アルコキシ基とアルキル基とを組み合わせた基、アルコキシ基とアルコキシ基とを組み合わせた基、アルコキシ基とアルキルカルボニル基とを組み合わせた基、アルコキシ基とアルキルカルボニルオキシ基とを組み合わせた基等が挙げられる。
アルコキシ基とアルキル基とを組み合わせた基としては、例えば、メトキシメチル基、メトキシエチル基、エトキシエチル基、エトキシメチル基等のアルコキシアルキル基等が挙げられる。アルコキシアルキル基の炭素数は、好ましくは２〜１２であり、より好ましくは２〜６であり、さらに好ましくは２〜４である。
アルコキシ基とアルコキシ基とを組み合わせた基としては、メトキシメトキシ基、メトキシエトキシ基、エトキシメトキシ基、エトキシエトキシ基等のアルコキシアルコキシ基等が挙げられる。アルコキシアルコキシ基の炭素数は、好ましくは２〜１２であり、より好ましくは２〜６であり、さらに好ましくは２〜４である。
アルコキシ基とアルキルカルボニル基とを組み合わせた基としては、メトキシアセチル基、メトキシプロピオニル基、エトキシアセチル基、エトキシプロピオニル基等のアルコキシアルキルカルボニル基等が挙げられる。アルコキシアルキルカルボニル基の炭素数は、好ましくは３〜１３であり、より好ましくは３〜７であり、さらに好ましくは３〜５である。
アルコキシ基とアルキルカルボニルオキシ基とを組み合わせた基としては、メトキシアセチルオキシ基、メトキシプロピオニルオキシ基、エトキシアセチルオキシ基、エトキシプロピオニルオキシ基等のアルコキシアルキルカルボニルオキシ基等が挙げられる。アルコキシアルキルカルボニルオキシ基の炭素数は、好ましくは３〜１３であり、より好ましくは３〜７であり、さらに好ましくは３〜５である。
脂環式炭化水素基に含まれる−ＣＨ２−が−Ｏ−、−Ｓ（Ｏ）２−又は−ＣＯ−等で置き換わった基としては、式（Ｙ１２）〜式（Ｙ３５）、式（Ｙ３９）〜式（Ｙ４３）で表される基等が挙げられる。
Ｙとしては、以下のものが挙げられる。
式（Ｂ１）で表される塩におけるアニオンとしては、式（Ｂ１−Ａ−１）〜式（Ｂ１−Ａ−５９）で表されるアニオン〔以下、式番号に応じて「アニオン（Ｂ１−Ａ−１）」等という場合がある。〕が好ましく、式（Ｂ１−Ａ−１）〜式（Ｂ１−Ａ−４）、式（Ｂ１−Ａ−９）、式（Ｂ１−Ａ−１０）、式（Ｂ１−Ａ−２４）〜式（Ｂ１−Ａ−３３）、式（Ｂ１−Ａ−３６）〜式（Ｂ１−Ａ−４０）、式（Ｂ１−Ａ−４７）〜式（Ｂ１−Ａ−５９）のいずれかで表されるアニオンがより好ましい。
Ｑb1及びＱb2は、上記と同じ意味を表す。
式（Ｂ１）で表される塩におけるアニオンとしては、具体的には、特開２０１０−２０４６４６号公報に記載されたアニオンが挙げられる。
好ましい式（Ｂ１）で表される塩におけるアニオンとしては、式（Ｂ１ａ−１）〜式（Ｂ１ａ−３８）でそれぞれ表されるアニオンが挙げられる。
Ｚ１＋の有機カチオンとしては、有機オニウムカチオン、有機スルホニウムカチオン、有機ヨードニウムカチオン、有機アンモニウムカチオン、ベンゾチアゾリウムカチオン及び有機ホスホニウムカチオン等が挙げられる。これらの中でも、有機スルホニウムカチオン及び有機ヨードニウムカチオンが好ましく、アリールスルホニウムカチオンがより好ましい。具体的には、式（ｂ２−１）〜式（ｂ２−４）のいずれかで表されるカチオン（以下、式番号に応じて「カチオン（ｂ２−１）」等という場合がある。）が挙げられる。
式（ｂ２−１）〜式（ｂ２−４）において、
Ｒb4〜Ｒb6は、それぞれ独立に、炭素数１〜３０の鎖式炭化水素基、炭素数３〜３６の脂環式炭化水素基又は炭素数６〜３６の芳香族炭化水素基を表し、該鎖式炭化水素基に含まれる水素原子は、ヒドロキシ基、炭素数１〜１２のアルコキシ基、炭素数３〜１２の脂環式炭化水素基又は炭素数６〜１８の芳香族炭化水素基で置換されていてもよく、該脂環式炭化水素基に含まれる水素原子は、ハロゲン原子、炭素数１〜１８の脂肪族炭化水素基、炭素数２〜４のアルキルカルボニル基又はグリシジルオキシ基で置換されていてもよく、該芳香族炭化水素基に含まれる水素原子は、ハロゲン原子、ヒドロキシ基、炭素数１〜１８の脂肪族炭化水素基、炭素数１〜１２のフッ化アルキル基又は炭素数１〜１２のアルコキシ基で置換されていてもよい。
Ｒb4とＲb5とは、互いに結合してそれらが結合する硫黄原子と一緒になって環を形成してもよく、該環に含まれる−ＣＨ2−は、−Ｏ−、−Ｓ−又は−ＣＯ−に置き換わってもよい。
Ｒb7及びＲb8は、それぞれ独立に、ハロゲン原子、ヒドロキシ基、炭素数１〜１２の脂肪族炭化水素基又は炭素数１〜１２のアルコキシ基を表す。
ｍ２及びｎ２は、それぞれ独立に０〜５のいずれかの整数を表す。
ｍ２が２以上のとき、複数のＲb7は同一でも異なってもよく、ｎ２が２以上のとき、複数のＲb8は同一でも異なってもよい。
Ｒb9及びＲb10は、それぞれ独立に、炭素数１〜３６の鎖式炭化水素基又は炭素数３〜３６の脂環式炭化水素基を表す。
Ｒb9とＲb10とは、互いに結合してそれらが結合する硫黄原子と一緒になって環を形成してもよく、該環に含まれる−ＣＨ2−は、−Ｏ−、−Ｓ−又は−ＣＯ−に置き換わってもよい。
Ｒb11は、水素原子、炭素数１〜３６の鎖式炭化水素基、炭素数３〜３６の脂環式炭化水素基又は炭素数６〜１８の芳香族炭化水素基を表す。
Ｒb12は、炭素数１〜１２の鎖式炭化水素基、炭素数３〜１８の脂環式炭化水素基又は炭素数６〜１８の芳香族炭化水素基を表し、該鎖式炭化水素基に含まれる水素原子は、炭素数６〜１８の芳香族炭化水素基で置換されていてもよく、該芳香族炭化水素基に含まれる水素原子は、炭素数１〜１２のアルコキシ基又は炭素数１〜１２のアルキルカルボニルオキシ基で置換されていてもよい。
Ｒb11とＲb12とは、互いに結合してそれらが結合する−ＣＨ−ＣＯ−を含めて環を形成していてもよく、該環に含まれる−ＣＨ2−は、−Ｏ−、−Ｓ−又は−ＣＯ−に置き換わってもよい。
Ｒb13〜Ｒb18は、それぞれ独立に、ハロゲン原子、ヒドロキシ基、炭素数１〜１２の脂肪族炭化水素基又は炭素数１〜１２のアルコキシ基を表す。
Ｌb31は、硫黄原子又は酸素原子を表す。
ｏ２、ｐ２、ｓ２、及びｔ２は、それぞれ独立に、０〜５のいずれかの整数を表す。
ｑ２及びｒ２は、それぞれ独立に、０〜４のいずれかの整数を表す。
ｕ２は０又は１を表す。
ｏ２が２以上のとき、複数のＲb13は同一又は相異なり、ｐ２が２以上のとき、複数のＲb14は同一又は相異なり、ｑ２が２以上のとき、複数のＲb15は同一又は相異なり、ｒ２が２以上のとき、複数のＲb16は同一又は相異なり、ｓ２が２以上のとき、複数のＲb17は同一又は相異なり、ｔ２が２以上のとき、複数のＲb18は同一又は相異なる。
脂肪族炭化水素基とは、鎖式炭化水素基及び脂環式炭化水素基を表す。
鎖式炭化水素基としては、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、オクチル基及び２−エチルヘキシル基のアルキル基が挙げられる。
特に、Ｒb9〜Ｒb12の鎖式炭化水素基は、好ましくは炭素数１〜１２である。
脂環式炭化水素基としては、単環式又は多環式のいずれでもよく、単環式の脂環式炭化水素基としては、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロへキシル基、シクロヘプチル基、シクロオクチル基、シクロデシル基等のシクロアルキル基が挙げられる。多環式の脂環式炭化水素基としては、デカヒドロナフチル基、アダマンチル基、ノルボルニル基及び下記の基等が挙げられる。
特に、Ｒb9〜Ｒb12の脂環式炭化水素基は、好ましくは炭素数３〜１８、より好ましくは炭素数４〜１２である。
水素原子が脂肪族炭化水素基で置換された脂環式炭化水素基としては、メチルシクロヘキシル基、ジメチルシクロへキシル基、２−メチルアダマンタン−２−イル基、２−エチルアダマンタン−２−イル基、２−イソプロピルアダマンタン−２−イル基、メチルノルボルニル基、イソボルニル基等が挙げられる。水素原子が脂肪族炭化水素基で置換された脂環式炭化水素基においては、脂環式炭化水素基と脂肪族炭化水素基との合計炭素数が好ましくは２０以下である。
フッ化アルキル基とは、フッ素原子を有する炭素数１〜１２のアルキル基を表し、フルオロメチル基、ジフルオロメチル基、トリフルオロメチル基、ペルフルオロブチル等が挙げられる。フッ化アルキル基の炭素数は、好ましくは１〜９であり、より好ましくは１〜６であり、さらに好ましくは１〜４である。
芳香族炭化水素基としては、フェニル基、ビフェニル基、ナフチル基、フェナントリル基等のアリール基が挙げられる。芳香族炭化水素基は、鎖式炭化水素基又は脂環式炭化水素基を有していてもよく、鎖式炭化水素基を有する芳香族炭化水素基としてトリル基、キシリル基、クメニル基、メシチル基、ｐ−エチルフェニル基、ｐ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル基、２，６−ジエチルフェニル基、２−メチル−６−エチルフェニル基等が挙げられ、脂環式炭化水素基を有する芳香族炭化水素基としてｐ−シクロへキシルフェニル基、ｐ−アダマンチルフェニル基等が挙げられる。なお、芳香族炭化水素基が、鎖式炭化水素基又は脂環式炭化水素基を有する場合は、炭素数１〜１８の鎖式炭化水素基及び炭素数３〜１８の脂環式炭化水素基が好ましい。
水素原子がアルコキシ基で置換された芳香族炭化水素基としては、ｐ−メトキシフェニル基等が挙げられる。
水素原子が芳香族炭化水素基で置換された鎖式炭化水素基としては、ベンジル基、フェネチル基、フェニルプロピル基、トリチル基、ナフチルメチル基、ナフチルエチル基等のアラルキル基が挙げられる。
アルコキシ基としては、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基、ペンチルオキシ基、ヘキシルオキシ基、ヘプチルオキシ基、オクチルオキシ基、デシルオキシ基及びドデシルオキシ基等が挙げられる。
アルキルカルボニル基としては、アセチル基、プロピオニル基及びブチリル基等が挙げられる。
ハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子及びヨウ素原子等が挙げられる。
アルキルカルボニルオキシ基としては、メチルカルボニルオキシ基、エチルカルボニルオキシ基、プロピルカルボニルオキシ基、イソプロピルカルボニルオキシ基、ブチルカルボニルオキシ基、ｓｅｃ−ブチルカルボニルオキシ基、ｔｅｒｔ−ブチルカルボニルオキシ基、ペンチルカルボニルオキシ基、ヘキシルカルボニルオキシ基、オクチルカルボニルオキシ基及び２−エチルヘキシルカルボニルオキシ基等が挙げられる。
Ｒb4とＲb5とが互いに結合してそれらが結合する硫黄原子と一緒になって形成する環は、単環式、多環式、芳香族性、非芳香族性、飽和及び不飽和のいずれの環であってもよい。この環は、炭素数３〜１８の環が挙げられ、好ましくは炭素数４〜１８の環である。また、硫黄原子を含む環は、３員環〜１２員環が挙げられ、好ましくは３員環〜７員環であり、例えば下記の環が挙げられる。＊は結合位を表す。
Ｒb9とＲb10とが一緒になって形成する環は、単環式、多環式、芳香族性、非芳香族性、飽和及び不飽和のいずれの環であってもよい。この環は、３員環〜１２員環が挙げられ、好ましくは３員環〜７員環である。例えば、チオラン−１−イウム環（テトラヒドロチオフェニウム環）、チアン−１−イウム環、１，４−オキサチアン−４−イウム環等が挙げられる。
Ｒb11とＲb12とが一緒になって形成する環は、単環式、多環式、芳香族性、非芳香族性、飽和及び不飽和のいずれの環であってもよい。この環は、３員環〜１２員環が挙げられ、好ましくは３員環〜７員環である。オキソシクロヘプタン環、オキソシクロヘキサン環、オキソノルボルナン環、オキソアダマンタン環等が挙げられる。
Ｒb4〜Ｒb6は、それぞれ独立に、炭素数１〜３０の鎖式炭化水素基、炭素数３〜３６の脂環式炭化水素基又は炭素数６〜３６の芳香族炭化水素基を表し、該鎖式炭化水素基に含まれる水素原子は、ヒドロキシ基、炭素数１〜１２のアルコキシ基、炭素数３〜１２の脂環式炭化水素基又は炭素数６〜１８の芳香族炭化水素基で置換されていてもよく、該脂環式炭化水素基に含まれる水素原子は、ハロゲン原子、炭素数１〜１８の脂肪族炭化水素基、炭素数２〜４のアルキルカルボニル基又はグリシジルオキシ基で置換されていてもよく、該芳香族炭化水素基に含まれる水素原子は、ハロゲン原子、ヒドロキシ基、炭素数１〜１８の脂肪族炭化水素基、炭素数１〜１２のフッ化アルキル基又は炭素数１〜１２のアルコキシ基で置換されていてもよい。
Ｒb4とＲb5とは、互いに結合してそれらが結合する硫黄原子と一緒になって環を形成してもよく、該環に含まれる−ＣＨ2−は、−Ｏ−、−Ｓ−又は−ＣＯ−に置き換わってもよい。
Ｒb7及びＲb8は、それぞれ独立に、ハロゲン原子、ヒドロキシ基、炭素数１〜１２の脂肪族炭化水素基又は炭素数１〜１２のアルコキシ基を表す。
ｍ２及びｎ２は、それぞれ独立に０〜５のいずれかの整数を表す。
ｍ２が２以上のとき、複数のＲb7は同一でも異なってもよく、ｎ２が２以上のとき、複数のＲb8は同一でも異なってもよい。
Ｒb9及びＲb10は、それぞれ独立に、炭素数１〜３６の鎖式炭化水素基又は炭素数３〜３６の脂環式炭化水素基を表す。
Ｒb9とＲb10とは、互いに結合してそれらが結合する硫黄原子と一緒になって環を形成してもよく、該環に含まれる−ＣＨ2−は、−Ｏ−、−Ｓ−又は−ＣＯ−に置き換わってもよい。
Ｒb11は、水素原子、炭素数１〜３６の鎖式炭化水素基、炭素数３〜３６の脂環式炭化水素基又は炭素数６〜１８の芳香族炭化水素基を表す。
Ｒb12は、炭素数１〜１２の鎖式炭化水素基、炭素数３〜１８の脂環式炭化水素基又は炭素数６〜１８の芳香族炭化水素基を表し、該鎖式炭化水素基に含まれる水素原子は、炭素数６〜１８の芳香族炭化水素基で置換されていてもよく、該芳香族炭化水素基に含まれる水素原子は、炭素数１〜１２のアルコキシ基又は炭素数１〜１２のアルキルカルボニルオキシ基で置換されていてもよい。
Ｒb11とＲb12とは、互いに結合してそれらが結合する−ＣＨ−ＣＯ−を含めて環を形成していてもよく、該環に含まれる−ＣＨ2−は、−Ｏ−、−Ｓ−又は−ＣＯ−に置き換わってもよい。
Ｒb13〜Ｒb18は、それぞれ独立に、ハロゲン原子、ヒドロキシ基、炭素数１〜１２の脂肪族炭化水素基又は炭素数１〜１２のアルコキシ基を表す。
Ｌb31は、硫黄原子又は酸素原子を表す。
ｏ２、ｐ２、ｓ２、及びｔ２は、それぞれ独立に、０〜５のいずれかの整数を表す。
ｑ２及びｒ２は、それぞれ独立に、０〜４のいずれかの整数を表す。
ｕ２は０又は１を表す。
ｏ２が２以上のとき、複数のＲb13は同一又は相異なり、ｐ２が２以上のとき、複数のＲb14は同一又は相異なり、ｑ２が２以上のとき、複数のＲb15は同一又は相異なり、ｒ２が２以上のとき、複数のＲb16は同一又は相異なり、ｓ２が２以上のとき、複数のＲb17は同一又は相異なり、ｔ２が２以上のとき、複数のＲb18は同一又は相異なる。
脂肪族炭化水素基とは、鎖式炭化水素基及び脂環式炭化水素基を表す。
鎖式炭化水素基としては、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、オクチル基及び２−エチルヘキシル基のアルキル基が挙げられる。
特に、Ｒb9〜Ｒb12の鎖式炭化水素基は、好ましくは炭素数１〜１２である。
脂環式炭化水素基としては、単環式又は多環式のいずれでもよく、単環式の脂環式炭化水素基としては、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロへキシル基、シクロヘプチル基、シクロオクチル基、シクロデシル基等のシクロアルキル基が挙げられる。多環式の脂環式炭化水素基としては、デカヒドロナフチル基、アダマンチル基、ノルボルニル基及び下記の基等が挙げられる。
水素原子が脂肪族炭化水素基で置換された脂環式炭化水素基としては、メチルシクロヘキシル基、ジメチルシクロへキシル基、２−メチルアダマンタン−２−イル基、２−エチルアダマンタン−２−イル基、２−イソプロピルアダマンタン−２−イル基、メチルノルボルニル基、イソボルニル基等が挙げられる。水素原子が脂肪族炭化水素基で置換された脂環式炭化水素基においては、脂環式炭化水素基と脂肪族炭化水素基との合計炭素数が好ましくは２０以下である。
フッ化アルキル基とは、フッ素原子を有する炭素数１〜１２のアルキル基を表し、フルオロメチル基、ジフルオロメチル基、トリフルオロメチル基、ペルフルオロブチル等が挙げられる。フッ化アルキル基の炭素数は、好ましくは１〜９であり、より好ましくは１〜６であり、さらに好ましくは１〜４である。
芳香族炭化水素基としては、フェニル基、ビフェニル基、ナフチル基、フェナントリル基等のアリール基が挙げられる。芳香族炭化水素基は、鎖式炭化水素基又は脂環式炭化水素基を有していてもよく、鎖式炭化水素基を有する芳香族炭化水素基としてトリル基、キシリル基、クメニル基、メシチル基、ｐ−エチルフェニル基、ｐ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル基、２，６−ジエチルフェニル基、２−メチル−６−エチルフェニル基等が挙げられ、脂環式炭化水素基を有する芳香族炭化水素基としてｐ−シクロへキシルフェニル基、ｐ−アダマンチルフェニル基等が挙げられる。なお、芳香族炭化水素基が、鎖式炭化水素基又は脂環式炭化水素基を有する場合は、炭素数１〜１８の鎖式炭化水素基及び炭素数３〜１８の脂環式炭化水素基が好ましい。
水素原子がアルコキシ基で置換された芳香族炭化水素基としては、ｐ−メトキシフェニル基等が挙げられる。
水素原子が芳香族炭化水素基で置換された鎖式炭化水素基としては、ベンジル基、フェネチル基、フェニルプロピル基、トリチル基、ナフチルメチル基、ナフチルエチル基等のアラルキル基が挙げられる。
アルコキシ基としては、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基、ペンチルオキシ基、ヘキシルオキシ基、ヘプチルオキシ基、オクチルオキシ基、デシルオキシ基及びドデシルオキシ基等が挙げられる。
アルキルカルボニル基としては、アセチル基、プロピオニル基及びブチリル基等が挙げられる。
ハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子及びヨウ素原子等が挙げられる。
アルキルカルボニルオキシ基としては、メチルカルボニルオキシ基、エチルカルボニルオキシ基、プロピルカルボニルオキシ基、イソプロピルカルボニルオキシ基、ブチルカルボニルオキシ基、ｓｅｃ−ブチルカルボニルオキシ基、ｔｅｒｔ−ブチルカルボニルオキシ基、ペンチルカルボニルオキシ基、ヘキシルカルボニルオキシ基、オクチルカルボニルオキシ基及び２−エチルヘキシルカルボニルオキシ基等が挙げられる。
Ｒb4とＲb5とが互いに結合してそれらが結合する硫黄原子と一緒になって形成する環は、単環式、多環式、芳香族性、非芳香族性、飽和及び不飽和のいずれの環であってもよい。この環は、炭素数３〜１８の環が挙げられ、好ましくは炭素数４〜１８の環である。また、硫黄原子を含む環は、３員環〜１２員環が挙げられ、好ましくは３員環〜７員環であり、例えば下記の環が挙げられる。＊は結合位を表す。
Ｒb11とＲb12とが一緒になって形成する環は、単環式、多環式、芳香族性、非芳香族性、飽和及び不飽和のいずれの環であってもよい。この環は、３員環〜１２員環が挙げられ、好ましくは３員環〜７員環である。オキソシクロヘプタン環、オキソシクロヘキサン環、オキソノルボルナン環、オキソアダマンタン環等が挙げられる。
カチオン（ｂ２−１）〜カチオン（ｂ２−４）の中でも、好ましくは、カチオン（ｂ２−１）である。
カチオン（ｂ２−１）としては、以下のカチオンが挙げられる。
カチオン（ｂ２−１）としては、以下のカチオンが挙げられる。
カチオン（ｂ２−２）としては、以下のカチオン等が挙げられる。
カチオン（ｂ２−３）としては、以下のカチオン等が挙げられる。
カチオン（ｂ２−４）としては、以下のカチオン等が挙げられる。
酸発生剤（Ｂ）は、上述のアニオン及び上述の有機カチオンの組合せであり、これらは任意に組合せることができる。酸発生剤（Ｂ）としては、好ましくは式（Ｂ１ａ−１）〜式（Ｂ１ａ−３）、式（Ｂ１ａ−７）〜式（Ｂ１ａ−１６）、式（Ｂ１ａ−１８）、式（Ｂ１ａ−１９）、式（Ｂ１ａ−２２）〜式（Ｂ１ａ−３８）のいずれかで表されるアニオンと、カチオン（ｂ２−１）、カチオン（ｂ２−３）又はカチオン（ｂ２−４）との組合せが挙げられる。
酸発生剤（Ｂ）としては、好ましくは式（Ｂ１−１）〜式（Ｂ１−５６）でそれぞれ表されるものが挙げられる。中でもアリールスルホニウムカチオンを含むものが好ましく、式（Ｂ１−１）〜式（Ｂ１−３）、式（Ｂ１−５）〜式（Ｂ１−７）、式（Ｂ１−１１）〜式（Ｂ１−１４）、式（Ｂ１−２０）〜式（Ｂ１−２６）、式（Ｂ１−２９）、式（Ｂ１−３１）〜式（Ｂ１−５６）で表されるものがとりわけ好ましい。
＜樹脂（Ａ）＞
樹脂（Ａ）は、酸不安定基を有する構造単位（以下「構造単位（ａ１）」という場合がある）を含む。樹脂（Ａ）は、さらに、構造単位（ａ１）以外の構造単位を含むことが好ましい。構造単位（ａ１）以外の構造単位としては、酸不安定基を有さない構造単位（以下「構造単位（ｓ）」という場合がある）、構造単位（ａ１）及び構造単位（ｓ）以外の構造単位（例えば、後述するハロゲン原子を有する構造単位（以下「構造単位（ａ４）」という場合がある）、後述する非脱離炭化水素基を有する構造単位（以下「構造単位（ａ５）」という場合がある）及びその他の当該分野で公知のモノマーに由来する構造単位等が挙げられる。
樹脂（Ａ）は、酸不安定基を有する構造単位（以下「構造単位（ａ１）」という場合がある）を含む。樹脂（Ａ）は、さらに、構造単位（ａ１）以外の構造単位を含むことが好ましい。構造単位（ａ１）以外の構造単位としては、酸不安定基を有さない構造単位（以下「構造単位（ｓ）」という場合がある）、構造単位（ａ１）及び構造単位（ｓ）以外の構造単位（例えば、後述するハロゲン原子を有する構造単位（以下「構造単位（ａ４）」という場合がある）、後述する非脱離炭化水素基を有する構造単位（以下「構造単位（ａ５）」という場合がある）及びその他の当該分野で公知のモノマーに由来する構造単位等が挙げられる。
〈構造単位（ａ１）〉
構造単位（ａ１）は、酸不安定基を有するモノマー（以下「モノマー（ａ１）」という場合がある）から導かれる。
樹脂（Ａ）に含まれる酸不安定基は、式（１）で表される基（以下、基（１）とも記す）及び／又は式（２）で表される基（以下、基（２）とも記す）が好ましい。
［式（１）中、Ｒa1、Ｒa２及びＲa3は、それぞれ独立に、炭素数１〜８のアルキル基、炭素数２〜８のアルケニル基、炭素数３〜２０の脂環式炭化水素基、炭素数６〜１８の芳香族炭化水素基又はこれらを組み合わせた基を表すか、Ｒa1及びＲa2は互いに結合してそれらが結合する炭素原子とともに炭素数３〜２０の脂環式炭化水素基を形成する。
ｍａ及びｎａは、それぞれ独立して、０又は１を表し、ｍａ及びｎａの少なくとも一方は１を表す。
＊は結合部位を表す。］
［式（２）中、Ｒａ１’及びＲａ２’は、それぞれ独立に、水素原子又は炭素数１〜１２の炭化水素基を表し、Ｒａ３’は、炭素数１〜２０の炭化水素基を表すか、Ｒａ２’及びＲａ３’は互いに結合してそれらが結合する炭素原子及びＸとともに炭素数３〜２０の複素環を形成し、該炭化水素基及び該複素環に含まれる−ＣＨ２−は、−Ｏ−又は−Ｓ−で置き換わってもよい。
Ｘは、酸素原子又は硫黄原子を表す。
ｎａ’は、０又は１を表す。
＊は結合部位を表す。］
構造単位（ａ１）は、酸不安定基を有するモノマー（以下「モノマー（ａ１）」という場合がある）から導かれる。
樹脂（Ａ）に含まれる酸不安定基は、式（１）で表される基（以下、基（１）とも記す）及び／又は式（２）で表される基（以下、基（２）とも記す）が好ましい。
ｍａ及びｎａは、それぞれ独立して、０又は１を表し、ｍａ及びｎａの少なくとも一方は１を表す。
＊は結合部位を表す。］
Ｘは、酸素原子又は硫黄原子を表す。
ｎａ’は、０又は１を表す。
＊は結合部位を表す。］
Ｒａ１、Ｒａ２及びＲａ３におけるアルキル基としては、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基等が挙げられる。
Ｒａ１、Ｒａ２及びＲａ３におけるアルケニル基としては、エテニル基、プロペニル基、イソプロペニル基、ブテニル基、イソブテニル基、ｔｅｒｔ−ブテニル基、ペンテニル基、ヘキセニル基、ヘプテニル基、オクテニル基、イソオクテニル基、ノネニル基が挙げられる。
Ｒａ１、Ｒａ２及びＲａ３における脂環式炭化水素基は、単環式及び多環式のいずれでもよい。単環式の脂環式炭化水素基としては、シクロペンチル基、シクロへキシル基、シクロヘプチル基、シクロオクチル基等のシクロアルキル基が挙げられる。多環式の脂環式炭化水素基としては、デカヒドロナフチル基、アダマンチル基、ノルボルニル基及び下記の基（＊は結合部位を表す。）等が挙げられる。Ｒａ１、Ｒａ２及びＲａ３の脂環式炭化水素基の炭素数は、好ましくは３〜１６である。
Ｒａ１、Ｒａ２及びＲａ３における芳香族炭化水素基としては、フェニル基、ナフチル基、アントリル基、ビフェニル基、フェナントリル基等のアリール基が挙げられる。
組み合わせた基としては、上述したアルキル基と脂環式炭化水素基とを組み合わせた基（例えば、メチルシクロヘキシル基、ジメチルシクロへキシル基、メチルノルボルニル基、シクロヘキシルメチル基、アダマンチルメチル基、アダマンチルジメチル基、ノルボルニルエチル基等のアルキルシクロアルキル基又はシクロアルキルアルキル基）、ベンジル基等のアラルキル基、アルキル基を有する芳香族炭化水素基（ｐ−メチルフェニル基、ｐ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル基、トリル基、キシリル基、クメニル基、メシチル基、２，６−ジエチルフェニル基、２−メチル−６−エチルフェニル基等）、脂環式炭化水素基を有する芳香族炭化水素基（ｐ−シクロヘキシルフェニル基、ｐ−アダマンチルフェニル基等）、フェニルシクロヘキシル基等のアリール−シクロアルキル基等が挙げられる。
好ましくは、ｍａは０であり、ｎａは１である。
Ｒａ１及びＲａ２が互いに結合して脂環式炭化水素基を形成する場合の−Ｃ（Ｒa1）（Ｒa2）（Ｒa3）としては、下記の環が挙げられる。脂環式炭化水素基は、好ましくは炭素数３〜１２である。＊は−Ｏ−との結合部位を表す。
Ｒａ１、Ｒａ２及びＲａ３におけるアルケニル基としては、エテニル基、プロペニル基、イソプロペニル基、ブテニル基、イソブテニル基、ｔｅｒｔ−ブテニル基、ペンテニル基、ヘキセニル基、ヘプテニル基、オクテニル基、イソオクテニル基、ノネニル基が挙げられる。
Ｒａ１、Ｒａ２及びＲａ３における脂環式炭化水素基は、単環式及び多環式のいずれでもよい。単環式の脂環式炭化水素基としては、シクロペンチル基、シクロへキシル基、シクロヘプチル基、シクロオクチル基等のシクロアルキル基が挙げられる。多環式の脂環式炭化水素基としては、デカヒドロナフチル基、アダマンチル基、ノルボルニル基及び下記の基（＊は結合部位を表す。）等が挙げられる。Ｒａ１、Ｒａ２及びＲａ３の脂環式炭化水素基の炭素数は、好ましくは３〜１６である。
組み合わせた基としては、上述したアルキル基と脂環式炭化水素基とを組み合わせた基（例えば、メチルシクロヘキシル基、ジメチルシクロへキシル基、メチルノルボルニル基、シクロヘキシルメチル基、アダマンチルメチル基、アダマンチルジメチル基、ノルボルニルエチル基等のアルキルシクロアルキル基又はシクロアルキルアルキル基）、ベンジル基等のアラルキル基、アルキル基を有する芳香族炭化水素基（ｐ−メチルフェニル基、ｐ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル基、トリル基、キシリル基、クメニル基、メシチル基、２，６−ジエチルフェニル基、２−メチル−６−エチルフェニル基等）、脂環式炭化水素基を有する芳香族炭化水素基（ｐ−シクロヘキシルフェニル基、ｐ−アダマンチルフェニル基等）、フェニルシクロヘキシル基等のアリール−シクロアルキル基等が挙げられる。
好ましくは、ｍａは０であり、ｎａは１である。
Ｒａ１及びＲａ２が互いに結合して脂環式炭化水素基を形成する場合の−Ｃ（Ｒa1）（Ｒa2）（Ｒa3）としては、下記の環が挙げられる。脂環式炭化水素基は、好ましくは炭素数３〜１２である。＊は−Ｏ−との結合部位を表す。
Ｒａ１’、Ｒａ２’及びＲａ３’における炭化水素基としては、アルキル基、脂環式炭化水素基、芳香族炭化水素基及びこれらを組み合わせることにより形成される基等が挙げられる。
アルキル基及び脂環式炭化水素基は、Ｒａ１、Ｒａ２及びＲａ３で挙げた基と同様のものが挙げられる。
芳香族炭化水素基としては、フェニル基、ナフチル基、アントリル基、ビフェニル基、フェナントリル基等のアリール基が挙げられる。
組み合わせた基としては、上述したアルキル基と脂環式炭化水素基とを組み合わせた基（例えば、メチルシクロヘキシル基、ジメチルシクロへキシル基、メチルノルボルニル基、シクロヘキシルメチル基、アダマンチルメチル基、アダマンチルジメチル基、ノルボルニルエチル基等のアルキルシクロアルキル基又はシクロアルキルアルキル基）、アラルキル基（ベンジル基等）、アルキル基を有する芳香族炭化水素基（ｐ−メチルフェニル基、ｐ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル基、トリル基、キシリル基、クメニル基、メシチル基、２，６−ジエチルフェニル基、２−メチル−６−エチルフェニル基等）、脂環式炭化水素基を有する芳香族炭化水素基（ｐ−シクロヘキシルフェニル基、ｐ−アダマンチルフェニル基等）、芳香族炭化水素基を有する脂環式炭化水素基（フェニルシクロヘキシル基等）等が挙げられる。
Ｒａ２’及びＲａ３’が互いに結合してそれらが結合する炭素原子及びＸとともに複素環を形成する場合、−Ｃ（Ｒa1’）（Ｒa2’）−Ｘ−Ｒa3’としては、下記の環が挙げられる。＊は、結合部位を表す。
Ｒａ１’及びＲａ２’のうち、少なくとも１つは水素原子であることが好ましい。
ｎａ’は、好ましくは０である。
アルキル基及び脂環式炭化水素基は、Ｒａ１、Ｒａ２及びＲａ３で挙げた基と同様のものが挙げられる。
芳香族炭化水素基としては、フェニル基、ナフチル基、アントリル基、ビフェニル基、フェナントリル基等のアリール基が挙げられる。
組み合わせた基としては、上述したアルキル基と脂環式炭化水素基とを組み合わせた基（例えば、メチルシクロヘキシル基、ジメチルシクロへキシル基、メチルノルボルニル基、シクロヘキシルメチル基、アダマンチルメチル基、アダマンチルジメチル基、ノルボルニルエチル基等のアルキルシクロアルキル基又はシクロアルキルアルキル基）、アラルキル基（ベンジル基等）、アルキル基を有する芳香族炭化水素基（ｐ−メチルフェニル基、ｐ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル基、トリル基、キシリル基、クメニル基、メシチル基、２，６−ジエチルフェニル基、２−メチル−６−エチルフェニル基等）、脂環式炭化水素基を有する芳香族炭化水素基（ｐ−シクロヘキシルフェニル基、ｐ−アダマンチルフェニル基等）、芳香族炭化水素基を有する脂環式炭化水素基（フェニルシクロヘキシル基等）等が挙げられる。
Ｒａ２’及びＲａ３’が互いに結合してそれらが結合する炭素原子及びＸとともに複素環を形成する場合、−Ｃ（Ｒa1’）（Ｒa2’）−Ｘ−Ｒa3’としては、下記の環が挙げられる。＊は、結合部位を表す。
ｎａ’は、好ましくは０である。
基（１）としては、以下の基が挙げられる。
式（１）においてＲａ１、Ｒａ２及びＲａ３がアルキル基であり、ｍａ＝０であり、ｎａ＝１である基。当該基としては、ｔｅｒｔ−ブトキシカルボニル基が好ましい。
式（１）において、Ｒa1、Ｒa2が、これらが結合する炭素原子と一緒になってアダマンチル基を形成し、Ｒa3がアルキル基であり、ｍａ＝０であり、ｎａ＝１である基。
式（１）において、Ｒa1及びＲa2がそれぞれ独立してアルキル基であり、Ｒa3がアダマンチル基であり、ｍａ＝０であり、ｎａ＝１である基。
基（１）としては、具体的には以下の基が挙げられる。＊は結合部位を表す。
式（１）においてＲａ１、Ｒａ２及びＲａ３がアルキル基であり、ｍａ＝０であり、ｎａ＝１である基。当該基としては、ｔｅｒｔ−ブトキシカルボニル基が好ましい。
式（１）において、Ｒa1、Ｒa2が、これらが結合する炭素原子と一緒になってアダマンチル基を形成し、Ｒa3がアルキル基であり、ｍａ＝０であり、ｎａ＝１である基。
式（１）において、Ｒa1及びＲa2がそれぞれ独立してアルキル基であり、Ｒa3がアダマンチル基であり、ｍａ＝０であり、ｎａ＝１である基。
基（１）としては、具体的には以下の基が挙げられる。＊は結合部位を表す。
基（２）の具体例としては、以下の基が挙げられる。＊は結合部位を表す。
モノマー（ａ１）は、好ましくは、酸不安定基とエチレン性不飽和結合とを有するモノマー、より好ましくは酸不安定基を有する（メタ）アクリル系モノマーである。
酸不安定基を有する（メタ）アクリル系モノマーのうち、好ましくは、炭素数５〜２０の脂環式炭化水素基を有するものが挙げられる。脂環式炭化水素基のような嵩高い構造を有するモノマー（ａ１）に由来する構造単位を有する樹脂（Ａ）をレジスト組成物に使用すれば、レジストパターンの解像度を向上させることができる。
基（１）を有する（メタ）アクリル系モノマーに由来する構造単位として、式（ａ１−０）で表される構造単位（以下、構造単位（ａ１−０）という場合がある。）、式（ａ１−１）で表される構造単位（以下、構造単位（ａ１−１）という場合がある。）又は式（ａ１−２）で表される構造単位（以下、構造単位（ａ１−２）という場合がある。）が挙げられる。好ましくは、構造単位（ａ１−１）及び構造単位（ａ１−２）からなる群から選ばれる少なくとも１種の構造単位である。これらは単独で使用してもよく、２種以上を併用してもよい。
［式（ａ１−０）、式（ａ１−１）及び式（ａ１−２）中、
Ｌa01、Ｌａ１及びＬａ２は、それぞれ独立に、−Ｏ−又は＊−Ｏ−（ＣＨ２）ｋ１−ＣＯ−Ｏ−を表し、ｋ１は１〜７のいずれかの整数を表し、＊は−ＣＯ−との結合部位を表す。
Ｒa01、Ｒａ４及びＲａ５は、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子又はハロゲン原子を有していてもよい炭素数１〜６のアルキル基を表す。
Ｒa02、Ｒa03及びＲa04は、それぞれ独立に、炭素数１〜８のアルキル基、炭素数３〜１８の脂環式炭化水素基、炭素数６〜１８の芳香族炭化水素基又はこれらを組み合わせた基を表す。
Ｒａ６及びＲａ７は、それぞれ独立に、炭素数１〜８のアルキル基、炭素数２〜８のアルケニル基、炭素数３〜１８の脂環式炭化水素基、炭素数６〜１８の芳香族炭化水素基又はこれらを組合せることにより形成される基を表す。
ｍ１は０〜１４のいずれかの整数を表す。
ｎ１は０〜１０のいずれかの整数を表す。
ｎ１’は０〜３のいずれかの整数を表す。］
Ｌa01、Ｌａ１及びＬａ２は、それぞれ独立に、−Ｏ−又は＊−Ｏ−（ＣＨ２）ｋ１−ＣＯ−Ｏ−を表し、ｋ１は１〜７のいずれかの整数を表し、＊は−ＣＯ−との結合部位を表す。
Ｒa01、Ｒａ４及びＲａ５は、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子又はハロゲン原子を有していてもよい炭素数１〜６のアルキル基を表す。
Ｒa02、Ｒa03及びＲa04は、それぞれ独立に、炭素数１〜８のアルキル基、炭素数３〜１８の脂環式炭化水素基、炭素数６〜１８の芳香族炭化水素基又はこれらを組み合わせた基を表す。
Ｒａ６及びＲａ７は、それぞれ独立に、炭素数１〜８のアルキル基、炭素数２〜８のアルケニル基、炭素数３〜１８の脂環式炭化水素基、炭素数６〜１８の芳香族炭化水素基又はこれらを組合せることにより形成される基を表す。
ｍ１は０〜１４のいずれかの整数を表す。
ｎ１は０〜１０のいずれかの整数を表す。
ｎ１’は０〜３のいずれかの整数を表す。］
Ｒa01、Ｒa4及びＲa5は、好ましくは水素原子又はメチル基であり、さらに好ましくはメチル基である。
Ｌa01、Ｌａ１及びＬａ２は、好ましくは酸素原子又は＊−Ｏ−（ＣＨ２）ｋ０１−ＣＯ−Ｏ−であり（但し、ｋ０１は、好ましくは１〜４のいずれかの整数、より好ましくは１である。）、より好ましくは酸素原子である。
Ｒa02、Ｒa03、Ｒa04、Ｒａ６及びＲａ７におけるアルキル基、アルケニル基、脂環式炭化水素基、芳香族炭化水素基及びこれらを組合せた基としては、式（１）のＲａ１、Ｒａ２及びＲａ３で挙げた基と同様の基が挙げられる。
Ｒa02、Ｒa03、及びＲa04におけるアルキル基は、好ましくは炭素数１〜６のアルキル基であり、より好ましくはメチル基又はエチル基であり、さらに好ましくはメチル基である。
Ｒａ６及びＲａ７におけるアルキル基は、好ましくは炭素数１〜６のアルキル基であり、より好ましくはメチル基、エチル基、イソプロピル基又はｔ−ブチル基であり、さらに好ましくはエチル基、イソプロピル基又はｔ−ブチル基である。
Ｒａ６及びＲａ７におけるアルケニル基は、好ましくは炭素数２〜６のアルケニル基であり、より好ましくはエテニル基、プロペニル基、イソプロペニル基又はブテニル基である。
Ｒa02、Ｒa03、Ｒa04、Ｒａ６及びＲａ７の脂環式炭化水素基の炭素数は、好ましくは５〜１２であり、より好ましくは５〜１０である。
Ｒa02、Ｒa03、Ｒa04、Ｒａ６及びＲａ７の芳香族炭化水素基の炭素数は、好ましくは６〜１２であり、より好ましくは６〜１０である。
アルキル基と脂環式炭化水素基とを組合せた基は、これらアルキル基と脂環式炭化水素基とを組合せた合計炭素数が、１８以下であることが好ましい。
アルキル基と芳香族炭化水素基とを組合せた基は、これらアルキル基と芳香族炭化水素基とを組合せた合計炭素数が、１８以下であることが好ましい。
Ｒa02及びＲa03は、好ましくは炭素数１〜６のアルキル基又は炭素数６〜１２の芳香族炭化水素基であり、より好ましくはメチル基、エチル基、フェニル基又はナフチル基である。
Ｒa04は、好ましくは炭素数１〜６のアルキル基又は炭素数５〜１２の脂環式炭化水素基であり、より好ましくはメチル基、エチル基、シクロヘキシル基又はアダマンチル基である。
Ｒａ６及びＲａ７は、それぞれ独立に、好ましくは炭素数１〜６のアルキル基、炭素数２〜６のアルケニル基又は炭素数６〜１２の芳香族炭化水素基であり、より好ましくはメチル基、エチル基、イソプロピル基、ｔ−ブチル基、エテニル基、フェニル基又はナフチル基であり、さらに好ましくはエチル基、イソプロピル基、ｔ−ブチル基、エテニル基又はフェニル基である。
ｍ１は、好ましくは０〜３のいずれかの整数であり、より好ましくは０又は１である。
ｎ１は、好ましくは０〜３のいずれかの整数であり、より好ましくは０又は１である。
ｎ１’は好ましくは０又は１である。
Ｌa01、Ｌａ１及びＬａ２は、好ましくは酸素原子又は＊−Ｏ−（ＣＨ２）ｋ０１−ＣＯ−Ｏ−であり（但し、ｋ０１は、好ましくは１〜４のいずれかの整数、より好ましくは１である。）、より好ましくは酸素原子である。
Ｒa02、Ｒa03、Ｒa04、Ｒａ６及びＲａ７におけるアルキル基、アルケニル基、脂環式炭化水素基、芳香族炭化水素基及びこれらを組合せた基としては、式（１）のＲａ１、Ｒａ２及びＲａ３で挙げた基と同様の基が挙げられる。
Ｒa02、Ｒa03、及びＲa04におけるアルキル基は、好ましくは炭素数１〜６のアルキル基であり、より好ましくはメチル基又はエチル基であり、さらに好ましくはメチル基である。
Ｒａ６及びＲａ７におけるアルキル基は、好ましくは炭素数１〜６のアルキル基であり、より好ましくはメチル基、エチル基、イソプロピル基又はｔ−ブチル基であり、さらに好ましくはエチル基、イソプロピル基又はｔ−ブチル基である。
Ｒａ６及びＲａ７におけるアルケニル基は、好ましくは炭素数２〜６のアルケニル基であり、より好ましくはエテニル基、プロペニル基、イソプロペニル基又はブテニル基である。
Ｒa02、Ｒa03、Ｒa04、Ｒａ６及びＲａ７の脂環式炭化水素基の炭素数は、好ましくは５〜１２であり、より好ましくは５〜１０である。
Ｒa02、Ｒa03、Ｒa04、Ｒａ６及びＲａ７の芳香族炭化水素基の炭素数は、好ましくは６〜１２であり、より好ましくは６〜１０である。
アルキル基と脂環式炭化水素基とを組合せた基は、これらアルキル基と脂環式炭化水素基とを組合せた合計炭素数が、１８以下であることが好ましい。
アルキル基と芳香族炭化水素基とを組合せた基は、これらアルキル基と芳香族炭化水素基とを組合せた合計炭素数が、１８以下であることが好ましい。
Ｒa02及びＲa03は、好ましくは炭素数１〜６のアルキル基又は炭素数６〜１２の芳香族炭化水素基であり、より好ましくはメチル基、エチル基、フェニル基又はナフチル基である。
Ｒa04は、好ましくは炭素数１〜６のアルキル基又は炭素数５〜１２の脂環式炭化水素基であり、より好ましくはメチル基、エチル基、シクロヘキシル基又はアダマンチル基である。
Ｒａ６及びＲａ７は、それぞれ独立に、好ましくは炭素数１〜６のアルキル基、炭素数２〜６のアルケニル基又は炭素数６〜１２の芳香族炭化水素基であり、より好ましくはメチル基、エチル基、イソプロピル基、ｔ−ブチル基、エテニル基、フェニル基又はナフチル基であり、さらに好ましくはエチル基、イソプロピル基、ｔ−ブチル基、エテニル基又はフェニル基である。
ｍ１は、好ましくは０〜３のいずれかの整数であり、より好ましくは０又は１である。
ｎ１は、好ましくは０〜３のいずれかの整数であり、より好ましくは０又は１である。
ｎ１’は好ましくは０又は１である。
構造単位（ａ１−０）としては、例えば、式（ａ１−０−１）〜式（ａ１−０−１８）のいずれかで表される構造単位及び構造単位（ａ１−０）におけるＲa01に相当するメチル基が水素原子に置き換わった構造単位が挙げられ、式（ａ１−０−１）〜式（ａ１−０−１０）、式（ａ１−０−１３）、式（ａ１−０−１４）のいずれかで表される構造単位が好ましい。
構造単位（ａ１−１）としては、例えば、特開２０１０−２０４６４６号公報に記載されたモノマーに由来する構造単位が挙げられる。中でも、式（ａ１−１−１）〜式（ａ１−１−７）のいずれかで表される構造単位及び構造単位（ａ１−１）におけるＲａ４に相当するメチル基が水素原子に置き換わった構造単位が好ましく、式（ａ１−１−１）〜式（ａ１−１−４）のいずれかで表される構造単位がより好ましい。
構造単位（ａ１−２）としては、式（ａ１−２−１）〜式（ａ１−２−１２）のいずれかで表される構造単位及び構造単位（ａ１−２）におけるＲａ５に相当するメチル基が水素原子に置き換わった構造単位が挙げられ、式（ａ１−２−２）、式（ａ１−２−５）、式（ａ１−２−６）及び式（ａ１−２−１０）〜式（ａ１−２−１２）のいずれかで表される構造単位が好ましい。
樹脂（Ａ）が構造単位（ａ１−０）を含む場合、その含有率は、樹脂（Ａ）の全構造単位に対して、通常５〜６０モル％であり、好ましくは５〜５０モル％であり、より好ましくは１０〜４０モル％である。
樹脂（Ａ）が構造単位（ａ１−１）及び／又は構造単位（ａ１−２）を含む場合、これらの合計含有率は、樹脂（Ａ）の全構造単位に対して、通常１０〜９５モル％であり、好ましくは１５〜８５モル％であり、より好ましくは１５〜８０モル％であり、さらに好ましくは２０〜８０モル％であり、さらにより好ましくは２０〜７５モル％である。
樹脂（Ａ）が構造単位（ａ１−１）及び／又は構造単位（ａ１−２）を含む場合、これらの合計含有率は、樹脂（Ａ）の全構造単位に対して、通常１０〜９５モル％であり、好ましくは１５〜８５モル％であり、より好ましくは１５〜８０モル％であり、さらに好ましくは２０〜８０モル％であり、さらにより好ましくは２０〜７５モル％である。
構造単位（ａ１）において基（２）を有する構造単位としては、式（ａ１−４）で表される構造単位（以下、「構造単位（ａ１−４）」という場合がある。）が挙げられる。
［式（ａ１−４）中、
Ｒa32は、水素原子、ハロゲン原子、又は、ハロゲン原子を有していてもよい炭素数１〜６のアルキル基を表す。
Ｒa33は、ハロゲン原子、ヒドロキシ基、炭素数１〜６のアルキル基、炭素数１〜６のアルコキシ基、炭素数２〜１２のアルコキシアルキル基、炭素数２〜１２のアルコキシアルコキシ基、炭素数２〜４のアルキルカルボニル基、炭素数２〜４のアルキルカルボニルオキシ基、アクリロイルオキシ基又はメタクリロイルオキシ基を表す。
Ａa30は、単結合又は＊−Ｘa31−（Ａa32−Ｘa32）nc−を表し、＊は−Ｒa32が結合する炭素原子との結合部位を表す。
Ａa32は、炭素数１〜６のアルカンジイル基を表す。
Ｘa31及びＸa32は、それぞれ独立に、−Ｏ−、−ＣＯ−Ｏ−又は−Ｏ−ＣＯ−を表す。
ｎｃは、０又は１を表す。
ｌａは０〜４のいずれかの整数を表す。ｌａが２以上のいずれかの整数である場合、複数のＲa33は互いに同一であっても異なってもよい。
Ｒa34及びＲa35はそれぞれ独立に、水素原子又は炭素数１〜１２の炭化水素基を表し、Ｒa36は、炭素数１〜２０の炭化水素基を表すか、Ｒa35及びＲa36は互いに結合してそれらが結合する−Ｃ−Ｏ−とともに炭素数２〜２０の２価の炭化水素基を形成し、該炭化水素基及び該２価の炭化水素基に含まれる−ＣＨ2−は、−Ｏ−又は−Ｓ−で置き換わってもよい。］
Ｒa32は、水素原子、ハロゲン原子、又は、ハロゲン原子を有していてもよい炭素数１〜６のアルキル基を表す。
Ｒa33は、ハロゲン原子、ヒドロキシ基、炭素数１〜６のアルキル基、炭素数１〜６のアルコキシ基、炭素数２〜１２のアルコキシアルキル基、炭素数２〜１２のアルコキシアルコキシ基、炭素数２〜４のアルキルカルボニル基、炭素数２〜４のアルキルカルボニルオキシ基、アクリロイルオキシ基又はメタクリロイルオキシ基を表す。
Ａa30は、単結合又は＊−Ｘa31−（Ａa32−Ｘa32）nc−を表し、＊は−Ｒa32が結合する炭素原子との結合部位を表す。
Ａa32は、炭素数１〜６のアルカンジイル基を表す。
Ｘa31及びＸa32は、それぞれ独立に、−Ｏ−、−ＣＯ−Ｏ−又は−Ｏ−ＣＯ−を表す。
ｎｃは、０又は１を表す。
ｌａは０〜４のいずれかの整数を表す。ｌａが２以上のいずれかの整数である場合、複数のＲa33は互いに同一であっても異なってもよい。
Ｒa34及びＲa35はそれぞれ独立に、水素原子又は炭素数１〜１２の炭化水素基を表し、Ｒa36は、炭素数１〜２０の炭化水素基を表すか、Ｒa35及びＲa36は互いに結合してそれらが結合する−Ｃ−Ｏ−とともに炭素数２〜２０の２価の炭化水素基を形成し、該炭化水素基及び該２価の炭化水素基に含まれる−ＣＨ2−は、−Ｏ−又は−Ｓ−で置き換わってもよい。］
Ｒa32及びＲa33におけるハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子及び臭素原子等が挙げられる。
Ｒa32におけるハロゲン原子を有していてもよい炭素数１〜６のアルキル基としては、トリフルオロメチル基、ジフルオロメチル基、メチル基、ペルフルオロエチル基、２，２，２−トリフルオロエチル基、１，１，２，２−テトラフルオロエチル基、エチル基、ペルフルオロプロピル基、２，２，３，３，３−ペンタフルオロプロピル基、プロピル基、ペルフルオロブチル基、１，１，２，２，３，３，４，４−オクタフルオロブチル基、ブチル基、ペルフルオロペンチル基、２，２，３，３，４，４，５，５，５−ノナフルオロペンチル基、ペンチル基、ヘキシル基及びペルフルオロヘキシル基が挙げられる。
Ｒa32は、水素原子又は炭素数１〜４のアルキル基が好ましく、水素原子、メチル基又はエチル基がより好ましく、水素原子又はメチル基がさらに好ましい。
Ｒa33におけるアルキル基としては、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基が挙げられる。
Ｒa33におけるアルコキシ基としては、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、イソプロポキシ基、ブトキシ基、ｓｅｃ−ブトキシ基、ｔｅｒｔ−ブトキシ基、ペンチルオキシ基、ヘキシルオキシ基が挙げられる。アルコキシ基は、炭素数１〜４のアルコキシ基が好ましく、メトキシ基又はエトキシ基がより好ましく、メトキシ基がさらに好ましい。
Ｒa33におけるアルコキシアルキル基としては、メトキシメチル基、エトキシエチル基、プロポキシメチル基、イソプロポキシメチル基、ブトキシメチル基、ｓｅｃ−ブトキシメチル基、ｔｅｒｔ−ブトキシメチル基が挙げられる。アルコキシアルキル基は、炭素数２〜８のアルコキシアルキル基が好ましく、メトキシメチル基又はエトキシエチル基がより好ましく、メトキシメチル基がさらに好ましい。
Ｒa33におけるアルコキシアルコキシ基としては、メトキシメトキシ基、メトキシエトキシ基、エトキシメトキシ基、エトキシエトキシ基、プロポキシメトキシ基、イソプロポキシメトキシ基、ブトキシメトキシ基、ｓｅｃ−ブトキシメトキシ基、ｔｅｒｔ−ブトキシメトキシ基が挙げられる。アルコキシアルコキシ基は、炭素数２〜８のアルコキシアルコキシ基が好ましく、メトキシエトキシ基又はエトキシエトキシ基がより好ましい。
Ｒa33におけるアルキルカルボニル基としては、アセチル基、プロピオニル基及びブチリル基等が挙げられる。アルキルカルボニル基は、炭素数２〜３のアルキルカルボニル基が好ましく、アセチル基がより好ましい。
Ｒa33におけるアルキルカルボニルオキシ基としては、アセチルオキシ基、プロピオニルオキシ基及びブチリルオキシ基が挙げられる。アルキルカルボニルオキシ基は、炭素数２〜３のアルキルカルボニルオキシ基が好ましく、アセチルオキシ基がより好ましい。
Ｒa33は、ハロゲン原子、ヒドロキシ基、炭素数１〜４のアルキル基、炭素数１〜４のアルコキシ基又は炭素数２〜８のアルコキシアルコキシ基が好ましく、フッ素原子、ヨウ素原子、ヒドロキシ基、メチル基、メトキシ基、エトキシ基、エトキシエトキシ基又はエトキシメトキシ基がより好ましく、フッ素原子、ヨウ素原子、ヒドロキシ基、メチル基、メトキシ基又はエトキシエトキシ基がさらに好ましい。
Ｒa32におけるハロゲン原子を有していてもよい炭素数１〜６のアルキル基としては、トリフルオロメチル基、ジフルオロメチル基、メチル基、ペルフルオロエチル基、２，２，２−トリフルオロエチル基、１，１，２，２−テトラフルオロエチル基、エチル基、ペルフルオロプロピル基、２，２，３，３，３−ペンタフルオロプロピル基、プロピル基、ペルフルオロブチル基、１，１，２，２，３，３，４，４−オクタフルオロブチル基、ブチル基、ペルフルオロペンチル基、２，２，３，３，４，４，５，５，５−ノナフルオロペンチル基、ペンチル基、ヘキシル基及びペルフルオロヘキシル基が挙げられる。
Ｒa32は、水素原子又は炭素数１〜４のアルキル基が好ましく、水素原子、メチル基又はエチル基がより好ましく、水素原子又はメチル基がさらに好ましい。
Ｒa33におけるアルキル基としては、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基が挙げられる。
Ｒa33におけるアルコキシ基としては、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、イソプロポキシ基、ブトキシ基、ｓｅｃ−ブトキシ基、ｔｅｒｔ−ブトキシ基、ペンチルオキシ基、ヘキシルオキシ基が挙げられる。アルコキシ基は、炭素数１〜４のアルコキシ基が好ましく、メトキシ基又はエトキシ基がより好ましく、メトキシ基がさらに好ましい。
Ｒa33におけるアルコキシアルキル基としては、メトキシメチル基、エトキシエチル基、プロポキシメチル基、イソプロポキシメチル基、ブトキシメチル基、ｓｅｃ−ブトキシメチル基、ｔｅｒｔ−ブトキシメチル基が挙げられる。アルコキシアルキル基は、炭素数２〜８のアルコキシアルキル基が好ましく、メトキシメチル基又はエトキシエチル基がより好ましく、メトキシメチル基がさらに好ましい。
Ｒa33におけるアルコキシアルコキシ基としては、メトキシメトキシ基、メトキシエトキシ基、エトキシメトキシ基、エトキシエトキシ基、プロポキシメトキシ基、イソプロポキシメトキシ基、ブトキシメトキシ基、ｓｅｃ−ブトキシメトキシ基、ｔｅｒｔ−ブトキシメトキシ基が挙げられる。アルコキシアルコキシ基は、炭素数２〜８のアルコキシアルコキシ基が好ましく、メトキシエトキシ基又はエトキシエトキシ基がより好ましい。
Ｒa33におけるアルキルカルボニル基としては、アセチル基、プロピオニル基及びブチリル基等が挙げられる。アルキルカルボニル基は、炭素数２〜３のアルキルカルボニル基が好ましく、アセチル基がより好ましい。
Ｒa33におけるアルキルカルボニルオキシ基としては、アセチルオキシ基、プロピオニルオキシ基及びブチリルオキシ基が挙げられる。アルキルカルボニルオキシ基は、炭素数２〜３のアルキルカルボニルオキシ基が好ましく、アセチルオキシ基がより好ましい。
Ｒa33は、ハロゲン原子、ヒドロキシ基、炭素数１〜４のアルキル基、炭素数１〜４のアルコキシ基又は炭素数２〜８のアルコキシアルコキシ基が好ましく、フッ素原子、ヨウ素原子、ヒドロキシ基、メチル基、メトキシ基、エトキシ基、エトキシエトキシ基又はエトキシメトキシ基がより好ましく、フッ素原子、ヨウ素原子、ヒドロキシ基、メチル基、メトキシ基又はエトキシエトキシ基がさらに好ましい。
＊−Ｘa31−（Ａa32−Ｘa32）nc−としては、＊−Ｏ−、＊−ＣＯ−Ｏ−、＊−Ｏ−ＣＯ−、＊−ＣＯ−Ｏ−Ａa32−ＣＯ−Ｏ−、＊−Ｏ−ＣＯ−Ａa32−Ｏ−、＊−Ｏ−Ａa32−ＣＯ−Ｏ−、＊−ＣＯ−Ｏ−Ａa32−Ｏ−ＣＯ−、＊−Ｏ−ＣＯ−Ａa32−Ｏ−ＣＯ−、が挙げられる。なかでも、＊−ＣＯ−Ｏ−、＊−ＣＯ−Ｏ−Ａa32−ＣＯ−Ｏ−又は＊−Ｏ−Ａa32−ＣＯ−Ｏ−が好ましい。
Ａa32におけるアルカンジイル基としては、メチレン基、エチレン基、プロパン−１，３−ジイル基、プロパン−１，２−ジイル基、ブタン−１，４−ジイル基、ペンタン−１，５−ジイル基、ヘキサン−１，６−ジイル基、ブタン−１，３−ジイル基、２−メチルプロパン−１，３−ジイル基、２−メチルプロパン−１，２−ジイル基、ペンタン−１，４−ジイル基及び２−メチルブタン−１，４−ジイル基等が挙げられる。
Ａa32は、メチレン基又はエチレン基であることが好ましい。
Ａa32は、メチレン基又はエチレン基であることが好ましい。
Ａa30は、単結合、＊−ＣＯ−Ｏ−又は＊−ＣＯ−Ｏ−Ａa32−ＣＯ−Ｏ−であることが好ましく、単結合、＊−ＣＯ−Ｏ−又は＊−ＣＯ−Ｏ−ＣＨ2−ＣＯ−Ｏ−であることがより好ましく、単結合又は＊−ＣＯ−Ｏ−であることがさらに好ましい。
ｌａは０、１又は２が好ましく、０又は１がより好ましく、０がさらに好ましい。
Ｒa34、Ｒa35及びＲa36における炭化水素基としては、アルキル基、脂環式炭化水素基、芳香族炭化水素基及びこれらを組み合わせた基が挙げられる。
アルキル基としては、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基等が挙げられる。
脂環式炭化水素基は、単環式及び多環式のいずれでもよい。単環式の脂環式炭化水素基としては、シクロペンチル基、シクロへキシル基、シクロヘプチル基、シクロオクチル基等のシクロアルキル基が挙げられる。多環式の脂環式炭化水素基としては、デカヒドロナフチル基、アダマンチル基、ノルボルニル基及び下記の基（＊は結合部位を表す。）等が挙げられる。
芳香族炭化水素基としては、フェニル基、ナフチル基、アントリル基、ビフェニル基、フェナントリル基等のアリール基が挙げられる。
組み合わせた基としては、上述したアルキル基と脂環式炭化水素基とを組み合わせた基（例えば、メチルシクロヘキシル基、ジメチルシクロへキシル基、メチルノルボルニル基、シクロヘキシルメチル基、アダマンチルメチル基、アダマンチルジメチル基、ノルボルニルエチル基等のアルキルシクロアルキル基又はシクロアルキルアルキル基）、ベンジル基等のアラルキル基、アルキル基を有する芳香族炭化水素基（ｐ−メチルフェニル基、ｐ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル基、トリル基、キシリル基、クメニル基、メシチル基、２，６−ジエチルフェニル基、２−メチル−６−エチルフェニル基等）、脂環式炭化水素基を有する芳香族炭化水素基（ｐ−シクロヘキシルフェニル基、ｐ−アダマンチルフェニル基等）、フェニルシクロヘキシル基等のアリール−シクロヘキシル基等が挙げられる。特に、Ｒa36としては、炭素数１〜１８のアルキル基、炭素数３〜１８の脂環式炭化水素基、炭素数６〜１８の芳香族炭化水素基又はこれらを組み合わせることにより形成される基が挙げられる。
Ｒa34、Ｒa35及びＲa36における炭化水素基としては、アルキル基、脂環式炭化水素基、芳香族炭化水素基及びこれらを組み合わせた基が挙げられる。
アルキル基としては、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基等が挙げられる。
脂環式炭化水素基は、単環式及び多環式のいずれでもよい。単環式の脂環式炭化水素基としては、シクロペンチル基、シクロへキシル基、シクロヘプチル基、シクロオクチル基等のシクロアルキル基が挙げられる。多環式の脂環式炭化水素基としては、デカヒドロナフチル基、アダマンチル基、ノルボルニル基及び下記の基（＊は結合部位を表す。）等が挙げられる。
組み合わせた基としては、上述したアルキル基と脂環式炭化水素基とを組み合わせた基（例えば、メチルシクロヘキシル基、ジメチルシクロへキシル基、メチルノルボルニル基、シクロヘキシルメチル基、アダマンチルメチル基、アダマンチルジメチル基、ノルボルニルエチル基等のアルキルシクロアルキル基又はシクロアルキルアルキル基）、ベンジル基等のアラルキル基、アルキル基を有する芳香族炭化水素基（ｐ−メチルフェニル基、ｐ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル基、トリル基、キシリル基、クメニル基、メシチル基、２，６−ジエチルフェニル基、２−メチル−６−エチルフェニル基等）、脂環式炭化水素基を有する芳香族炭化水素基（ｐ−シクロヘキシルフェニル基、ｐ−アダマンチルフェニル基等）、フェニルシクロヘキシル基等のアリール−シクロヘキシル基等が挙げられる。特に、Ｒa36としては、炭素数１〜１８のアルキル基、炭素数３〜１８の脂環式炭化水素基、炭素数６〜１８の芳香族炭化水素基又はこれらを組み合わせることにより形成される基が挙げられる。
Ｒa34は、好ましくは、水素原子である。
Ｒa35は、好ましくは、水素原子、炭素数１〜１２のアルキル基又は炭素数３〜１２の脂環式炭化水素基であり、より好ましくはメチル基又はエチル基である。
Ｒa36の炭化水素基は、好ましくは、炭素数１〜１８のアルキル基、炭素数３〜１８の脂環式炭化水素基、炭素数６〜１８の芳香族炭化水素基又はこれらを組み合わせることにより形成される基であり、より好ましくは、炭素数１〜１８のアルキル基、炭素数３〜１８の脂環式炭化水素基又は炭素数７〜１８のアラルキル基である。Ｒa36におけるアルキル基及び脂環式炭化水素基は、無置換であることが好ましい。Ｒa36における芳香族炭化水素基は、炭素数６〜１０のアリールオキシ基を有する芳香環が好ましい。
Ｒa35は、好ましくは、水素原子、炭素数１〜１２のアルキル基又は炭素数３〜１２の脂環式炭化水素基であり、より好ましくはメチル基又はエチル基である。
Ｒa36の炭化水素基は、好ましくは、炭素数１〜１８のアルキル基、炭素数３〜１８の脂環式炭化水素基、炭素数６〜１８の芳香族炭化水素基又はこれらを組み合わせることにより形成される基であり、より好ましくは、炭素数１〜１８のアルキル基、炭素数３〜１８の脂環式炭化水素基又は炭素数７〜１８のアラルキル基である。Ｒa36におけるアルキル基及び脂環式炭化水素基は、無置換であることが好ましい。Ｒa36における芳香族炭化水素基は、炭素数６〜１０のアリールオキシ基を有する芳香環が好ましい。
構造単位（ａ１−４）における−ＯＣ（Ｒa34）（Ｒa35）−Ｏ−Ｒa36は、酸（例えばｐ−トルエンスルホン酸）と接触して脱離し、ヒドロキシ基を形成する。
−ＯＣ（Ｒa34）（Ｒa35）−Ｏ−Ｒa36は、ベンゼン環のｏ−位又はｐ−位に結合することが好ましく、ｐ−位に結合することがより好ましい。
構造単位（ａ１−４）としては、例えば、特開２０１０−２０４６４６号公報に記載されたモノマー由来の構造単位が挙げられる。好ましくは、式（ａ１−４−１）〜式（ａ１−４−１８）でそれぞれ表される構造単位及び構造単位（ａ１−４）におけるＲａ３２に相当する水素原子がメチル基に置き換わった構造単位が挙げられ、より好ましくは、式（ａ１−４−１）〜式（ａ１−４−５）、式（ａ１−４−１０）、式（ａ１−４−１３）、式（ａ１−４−１４）でそれぞれ表される構造単位が挙げられる。
樹脂（Ａ）が、構造単位（ａ１−４）を含む場合、その含有率は、樹脂（Ａ）の全構造単位の合計に対して、５〜６０モル％であることが好ましく、５〜５０モル％であることがより好ましく、１０〜４０モル％であることがさらに好ましい。
−ＯＣ（Ｒa34）（Ｒa35）−Ｏ−Ｒa36は、ベンゼン環のｏ−位又はｐ−位に結合することが好ましく、ｐ−位に結合することがより好ましい。
構造単位（ａ１−４）としては、例えば、特開２０１０−２０４６４６号公報に記載されたモノマー由来の構造単位が挙げられる。好ましくは、式（ａ１−４−１）〜式（ａ１−４−１８）でそれぞれ表される構造単位及び構造単位（ａ１−４）におけるＲａ３２に相当する水素原子がメチル基に置き換わった構造単位が挙げられ、より好ましくは、式（ａ１−４−１）〜式（ａ１−４−５）、式（ａ１−４−１０）、式（ａ１−４−１３）、式（ａ１−４−１４）でそれぞれ表される構造単位が挙げられる。
基（２）を有する（メタ）アクリル系モノマーに由来する構造単位としては、式（ａ１−５）で表される構造単位（以下「構造単位（ａ１−５）」という場合がある）も挙げられる。
式（ａ１−５）中、
Ｒa8は、ハロゲン原子を有していてもよい炭素数１〜６のアルキル基、水素原子又はハロゲン原子を表す。
Ｚa1は、単結合又は＊−（ＣＨ2）h3−ＣＯ−Ｌ54−を表し、ｈ３は１〜４のいずれかの整数を表し、＊は、Ｌ51との結合位を表す。
Ｌ51、Ｌ52、Ｌ53及びＬ54は、それぞれ独立に、−Ｏ−又は−Ｓ−を表す。
ｓ１は、１〜３のいずれかの整数を表す。
ｓ１’は、０〜３のいずれかの整数を表す。
Ｒa8は、ハロゲン原子を有していてもよい炭素数１〜６のアルキル基、水素原子又はハロゲン原子を表す。
Ｚa1は、単結合又は＊−（ＣＨ2）h3−ＣＯ−Ｌ54−を表し、ｈ３は１〜４のいずれかの整数を表し、＊は、Ｌ51との結合位を表す。
Ｌ51、Ｌ52、Ｌ53及びＬ54は、それぞれ独立に、−Ｏ−又は−Ｓ−を表す。
ｓ１は、１〜３のいずれかの整数を表す。
ｓ１’は、０〜３のいずれかの整数を表す。
ハロゲン原子としては、フッ素原子及び塩素原子が挙げられ、フッ素原子が好ましい。
ハロゲン原子を有していてもよい炭素数１〜６のアルキル基としては、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、フルオロメチル基及びトリフルオロメチル基が挙げられる。
式（ａ１−５）においては、Ｒa8は、水素原子、メチル基又はトリフルオロメチル基が好ましい。
Ｌ51は、酸素原子が好ましい。
Ｌ52及びＬ53のうち、一方が−Ｏ−であり、他方が−Ｓ−であることが好ましい。
ｓ１は、１が好ましい。
ｓ１’は、０〜２のいずれかの整数が好ましい。
Ｚa1は、単結合又は＊−ＣＨ2−ＣＯ−Ｏ−が好ましい。
ハロゲン原子を有していてもよい炭素数１〜６のアルキル基としては、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、フルオロメチル基及びトリフルオロメチル基が挙げられる。
式（ａ１−５）においては、Ｒa8は、水素原子、メチル基又はトリフルオロメチル基が好ましい。
Ｌ51は、酸素原子が好ましい。
Ｌ52及びＬ53のうち、一方が−Ｏ−であり、他方が−Ｓ−であることが好ましい。
ｓ１は、１が好ましい。
ｓ１’は、０〜２のいずれかの整数が好ましい。
Ｚa1は、単結合又は＊−ＣＨ2−ＣＯ−Ｏ−が好ましい。
構造単位（ａ１−５）としては、例えば、特開２０１０−６１１１７号公報に記載されたモノマー由来の構造単位が挙げられる。中でも、式（ａ１−５−１）〜式（ａ１−５−４）でそれぞれ表される構造単位が好ましく、式（ａ１−５−１）又は式（ａ１−５−２）で表される構造単位がより好ましい。
樹脂（Ａ）が、構造単位（ａ１−５）を含む場合、その含有率は、樹脂（Ａ）の全構造単位に対して、１〜５０モル％が好ましく、３〜４５モル％がより好ましく、５〜４０モル％がさらに好ましく、５〜３０モル％がさらにより好ましい。
構造単位（ａ１）としては、例えば、式（ａ１−０Ｘ）で表される構造単位（以下、構造単位（ａ１−０Ｘ）という場合がある。）も挙げられる。
［式（ａ１−０Ｘ）中、
Ｒｘ１は、水素原子又はメチル基を表す。
Ｒｘ２及びＲｘ３は、それぞれ独立に、炭素数１〜６の飽和炭化水素基を表す。
Ａｒｘ１は、炭素数６〜３６の芳香族炭化水素基を表す。］
Ｒｘ１は、水素原子又はメチル基を表す。
Ｒｘ２及びＲｘ３は、それぞれ独立に、炭素数１〜６の飽和炭化水素基を表す。
Ａｒｘ１は、炭素数６〜３６の芳香族炭化水素基を表す。］
Ｒｘ２及びＲｘ３の飽和炭化水素基としては、アルキル基、脂環式炭化水素基及びこれらの組合せることにより形成される基が挙げられる。
アルキル基としては、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基等が挙げられる。
脂環式炭化水素基は、単環式又は多環式のいずれでもよく、単環式の脂環式炭化水素基としては、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基等が挙げられる。
Ａｒｘ１の芳香族炭化水素基としては、フェニル基、ナフチル基、アントリル基等の炭素数６〜３６のアリール基が挙げられる。
芳香族炭化水素基は、好ましくは炭素数６〜２４であり、より好ましくは炭素数６〜１８であり、さらに好ましくは、フェニル基である。
Ａｒｘ１は、好ましくは炭素数６〜１８の芳香族炭化水素基であり、より好ましくはフェニル基又はナフチル基であり、さらに好ましくは、フェニル基である。
Ｒｘ１、Ｒｘ２及びＲｘ３は、それぞれ独立に、メチル基又はエチル基であることが好ましく、メチル基であることがより好ましい。
アルキル基としては、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基等が挙げられる。
脂環式炭化水素基は、単環式又は多環式のいずれでもよく、単環式の脂環式炭化水素基としては、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基等が挙げられる。
Ａｒｘ１の芳香族炭化水素基としては、フェニル基、ナフチル基、アントリル基等の炭素数６〜３６のアリール基が挙げられる。
芳香族炭化水素基は、好ましくは炭素数６〜２４であり、より好ましくは炭素数６〜１８であり、さらに好ましくは、フェニル基である。
Ａｒｘ１は、好ましくは炭素数６〜１８の芳香族炭化水素基であり、より好ましくはフェニル基又はナフチル基であり、さらに好ましくは、フェニル基である。
Ｒｘ１、Ｒｘ２及びＲｘ３は、それぞれ独立に、メチル基又はエチル基であることが好ましく、メチル基であることがより好ましい。
構造単位（ａ１−０Ｘ）としては、以下に記載の構造単位及び構造単位（ａ１−０Ｘ）におけるＲｘ１に相当するメチル基が水素原子に置き換わった構造単位が挙げられる。構造単位（ａ１−０Ｘ）は、構造単位（ａ１−０Ｘ−１）〜構造単位（ａ１−０Ｘ−３）であることが好ましい。
樹脂（Ａ）が、構造単位（ａ１−０Ｘ）を含む場合、その含有率は、樹脂（Ａ）における全モノマーに対して、５〜６０モル％であることが好ましく、５〜５０モル％であることがより好ましく、１０〜４０モル％であることがさらに好ましい。
樹脂（Ａ）は、構造単位（ａ１−０Ｘ）を２種以上含有していてもよい。
樹脂（Ａ）は、構造単位（ａ１−０Ｘ）を２種以上含有していてもよい。
また、構造単位（ａ１）としては、以下の構造単位も挙げられる。
樹脂（Ａ）が上記構造単位を含む場合、その含有率は、樹脂（Ａ）の全構造単位に対して、５〜６０モル％が好ましく、５〜５０モル％がより好ましく、１０〜４０モル％がさらに好ましい。
〈構造単位（ｓ）〉
構造単位（ｓ）は、酸不安定基を有さないモノマー（以下「モノマー（ｓ）」という場合がある）から導かれる。構造単位（ｓ）を導くモノマーは、レジスト分野で公知の酸不安定基を有さないモノマーを使用できる。
構造単位（ｓ）としては、ヒドロキシ基又はラクトン環を有するのが好ましい。ヒドロキシ基を有し、かつ酸不安定基を有さない構造単位（以下「構造単位（ａ２）」という場合がある）及び／又はラクトン環を有し、かつ酸不安定基を有さない構造単位（以下「構造単位（ａ３）」という場合がある）を含む樹脂を本発明のレジスト組成物に使用すれば、レジストパターンの解像度及び基板との密着性を向上させることができる。
構造単位（ｓ）は、酸不安定基を有さないモノマー（以下「モノマー（ｓ）」という場合がある）から導かれる。構造単位（ｓ）を導くモノマーは、レジスト分野で公知の酸不安定基を有さないモノマーを使用できる。
構造単位（ｓ）としては、ヒドロキシ基又はラクトン環を有するのが好ましい。ヒドロキシ基を有し、かつ酸不安定基を有さない構造単位（以下「構造単位（ａ２）」という場合がある）及び／又はラクトン環を有し、かつ酸不安定基を有さない構造単位（以下「構造単位（ａ３）」という場合がある）を含む樹脂を本発明のレジスト組成物に使用すれば、レジストパターンの解像度及び基板との密着性を向上させることができる。
〈構造単位（ａ２）〉
構造単位（ａ２）が有するヒドロキシ基は、アルコール性ヒドロキシ基でも、フェノール性ヒドロキシ基でもよい。
本発明のレジスト組成物からレジストパターンを製造するとき、露光光源としてＫｒＦエキシマレーザ（２４８ｎｍ）、電子線又はＥＵＶ（超紫外光）等の高エネルギー線を用いる場合には、構造単位（ａ２）として、フェノール性ヒドロキシ基を有する構造単位（ａ２）が好ましく、後述する構造単位（ａ２−Ａ）を用いることがより好ましい。また、ＡｒＦエキシマレーザ（１９３ｎｍ）等を用いる場合には、構造単位（ａ２）として、アルコール性ヒドロキシ基を有する構造単位（ａ２）が好ましく、後述する構造単位（ａ２−１）を用いることがより好ましい。構造単位（ａ２）としては、１種を単独で含んでいてもよく、２種以上を含んでいてもよい。
構造単位（ａ２）が有するヒドロキシ基は、アルコール性ヒドロキシ基でも、フェノール性ヒドロキシ基でもよい。
本発明のレジスト組成物からレジストパターンを製造するとき、露光光源としてＫｒＦエキシマレーザ（２４８ｎｍ）、電子線又はＥＵＶ（超紫外光）等の高エネルギー線を用いる場合には、構造単位（ａ２）として、フェノール性ヒドロキシ基を有する構造単位（ａ２）が好ましく、後述する構造単位（ａ２−Ａ）を用いることがより好ましい。また、ＡｒＦエキシマレーザ（１９３ｎｍ）等を用いる場合には、構造単位（ａ２）として、アルコール性ヒドロキシ基を有する構造単位（ａ２）が好ましく、後述する構造単位（ａ２−１）を用いることがより好ましい。構造単位（ａ２）としては、１種を単独で含んでいてもよく、２種以上を含んでいてもよい。
構造単位（ａ２）においてフェノール性ヒドロキシ基を有する構造単位としては式（ａ２−Ａ）で表される構造単位（以下「構造単位（ａ２−Ａ）」という場合がある）が挙げられる。
［式（ａ２−Ａ）中、
Ｒa50は、水素原子、ハロゲン原子又はハロゲン原子を有していてもよい炭素数１〜６のアルキル基を表す。
Ｒa51は、ハロゲン原子、ヒドロキシ基、炭素数１〜６のアルキル基、炭素数１〜６のアルコキシ基、炭素数２〜１２のアルコキシアルキル基、炭素数２〜１２のアルコキシアルコキシ基、炭素数２〜４のアルキルカルボニル基、炭素数２〜４のアルキルカルボニルオキシ基、アクリロイルオキシ基又はメタクリロイルオキシ基を表す。
Ａa50は、単結合又は＊−Ｘa51−（Ａa52−Ｘa52）nｂ−を表し、＊は−Ｒa50が結合する炭素原子との結合部位を表す。
Ａa52は、炭素数１〜６のアルカンジイル基を表す。
Ｘa51及びＸa52は、それぞれ独立に、−Ｏ−、−ＣＯ−Ｏ−又は−Ｏ−ＣＯ−を表す。
ｎｂは、０又は１を表す。
ｍｂは０〜４のいずれかの整数を表す。ｍｂが２以上のいずれかの整数である場合、複数のＲa51は互いに同一であっても異なってもよい。］
Ｒa50は、水素原子、ハロゲン原子又はハロゲン原子を有していてもよい炭素数１〜６のアルキル基を表す。
Ｒa51は、ハロゲン原子、ヒドロキシ基、炭素数１〜６のアルキル基、炭素数１〜６のアルコキシ基、炭素数２〜１２のアルコキシアルキル基、炭素数２〜１２のアルコキシアルコキシ基、炭素数２〜４のアルキルカルボニル基、炭素数２〜４のアルキルカルボニルオキシ基、アクリロイルオキシ基又はメタクリロイルオキシ基を表す。
Ａa50は、単結合又は＊−Ｘa51−（Ａa52−Ｘa52）nｂ−を表し、＊は−Ｒa50が結合する炭素原子との結合部位を表す。
Ａa52は、炭素数１〜６のアルカンジイル基を表す。
Ｘa51及びＸa52は、それぞれ独立に、−Ｏ−、−ＣＯ−Ｏ−又は−Ｏ−ＣＯ−を表す。
ｎｂは、０又は１を表す。
ｍｂは０〜４のいずれかの整数を表す。ｍｂが２以上のいずれかの整数である場合、複数のＲa51は互いに同一であっても異なってもよい。］
Ｒa50及びＲa51におけるハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子及び臭素原子等が挙げられる。
Ｒa50におけるハロゲン原子を有していてもよい炭素数１〜６のアルキル基としては、トリフルオロメチル基、ジフルオロメチル基、メチル基、ペルフルオロエチル基、２，２，２−トリフルオロエチル基、１，１，２，２−テトラフルオロエチル基、エチル基、ペルフルオロプロピル基、２，２，３，３，３−ペンタフルオロプロピル基、プロピル基、ペルフルオロブチル基、１，１，２，２，３，３，４，４−オクタフルオロブチル基、ブチル基、ペルフルオロペンチル基、２，２，３，３，４，４，５，５，５−ノナフルオロペンチル基、ペンチル基、ヘキシル基及びペルフルオロヘキシル基が挙げられる。
Ｒa50は、水素原子又は炭素数１〜４のアルキル基が好ましく、水素原子、メチル基又はエチル基がより好ましく、水素原子又はメチル基がさらに好ましい。
Ｒa51におけるアルキル基としては、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基が挙げられる。アルキル基は、炭素数１〜４のアルキル基が好ましく、メチル基又はエチル基がより好ましく、メチル基がさらに好ましい。
Ｒa51におけるアルコキシ基としては、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、イソプロポキシ基、ブトキシ基、ｓｅｃ−ブトキシ基、ｔｅｒｔ−ブトキシ基が挙げられる。アルコキシ基は、炭素数１〜４のアルコキシ基が好ましく、メトキシ基又はエトキシ基がより好ましく、メトキシ基がさらに好ましい。
Ｒa51におけるアルコキシアルキル基としては、メトキシメチル基、エトキシエチル基、プロポキシメチル基、イソプロポキシメチル基、ブトキシメチル基、ｓｅｃ−ブトキシメチル基、ｔｅｒｔ−ブトキシメチル基が挙げられる。アルコキシアルキル基は、炭素数２〜８のアルコキシアルキル基が好ましく、メトキシメチル基又はエトキシエチル基がより好ましく、メトキシメチル基がさらに好ましい。
Ｒa51におけるアルコキシアルコキシ基としては、メトキシメトキシ基、メトキシエトキシ基、エトキシメトキシ基、エトキシエトキシ基、プロポキシメトキシ基、イソプロポキシメトキシ基、ブトキシメトキシ基、ｓｅｃ−ブトキシメトキシ基、ｔｅｒｔ−ブトキシメトキシ基が挙げられる。アルコキシアルコキシ基は、炭素数２〜８のアルコキシアルコキシ基が好ましく、メトキシエトキシ基又はエトキシエトキシ基がより好ましい。
Ｒa51におけるアルキルカルボニル基としては、アセチル基、プロピオニル基及びブチリル基等が挙げられる。アルキルカルボニル基は、炭素数２〜３のアルキルカルボニル基が好ましく、アセチル基がより好ましい。
Ｒa51におけるアルキルカルボニルオキシ基としては、アセチルオキシ基、プロピオニルオキシ基及びブチリルオキシ基が挙げられる。アルキルカルボニルオキシ基は、炭素数２〜３のアルキルカルボニルオキシ基が好ましく、アセチルオキシ基がより好ましい。
Ｒa51は、ハロゲン原子、ヒドロキシ基、炭素数１〜４のアルキル基、炭素数１〜４のアルコキシ基又は炭素数２〜８のアルコキシアルコキシ基が好ましく、フッ素原子、ヨウ素原子、ヒドロキシ基、メチル基、メトキシ基、エトキシ基、エトキシエトキシ基又はエトキシメトキシ基がより好ましく、フッ素原子、ヨウ素原子、ヒドロキシ基、メチル基、メトキシ基又はエトキシエトキシ基がさらに好ましい。
Ｒa50におけるハロゲン原子を有していてもよい炭素数１〜６のアルキル基としては、トリフルオロメチル基、ジフルオロメチル基、メチル基、ペルフルオロエチル基、２，２，２−トリフルオロエチル基、１，１，２，２−テトラフルオロエチル基、エチル基、ペルフルオロプロピル基、２，２，３，３，３−ペンタフルオロプロピル基、プロピル基、ペルフルオロブチル基、１，１，２，２，３，３，４，４−オクタフルオロブチル基、ブチル基、ペルフルオロペンチル基、２，２，３，３，４，４，５，５，５−ノナフルオロペンチル基、ペンチル基、ヘキシル基及びペルフルオロヘキシル基が挙げられる。
Ｒa50は、水素原子又は炭素数１〜４のアルキル基が好ましく、水素原子、メチル基又はエチル基がより好ましく、水素原子又はメチル基がさらに好ましい。
Ｒa51におけるアルキル基としては、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基が挙げられる。アルキル基は、炭素数１〜４のアルキル基が好ましく、メチル基又はエチル基がより好ましく、メチル基がさらに好ましい。
Ｒa51におけるアルコキシ基としては、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、イソプロポキシ基、ブトキシ基、ｓｅｃ−ブトキシ基、ｔｅｒｔ−ブトキシ基が挙げられる。アルコキシ基は、炭素数１〜４のアルコキシ基が好ましく、メトキシ基又はエトキシ基がより好ましく、メトキシ基がさらに好ましい。
Ｒa51におけるアルコキシアルキル基としては、メトキシメチル基、エトキシエチル基、プロポキシメチル基、イソプロポキシメチル基、ブトキシメチル基、ｓｅｃ−ブトキシメチル基、ｔｅｒｔ−ブトキシメチル基が挙げられる。アルコキシアルキル基は、炭素数２〜８のアルコキシアルキル基が好ましく、メトキシメチル基又はエトキシエチル基がより好ましく、メトキシメチル基がさらに好ましい。
Ｒa51におけるアルコキシアルコキシ基としては、メトキシメトキシ基、メトキシエトキシ基、エトキシメトキシ基、エトキシエトキシ基、プロポキシメトキシ基、イソプロポキシメトキシ基、ブトキシメトキシ基、ｓｅｃ−ブトキシメトキシ基、ｔｅｒｔ−ブトキシメトキシ基が挙げられる。アルコキシアルコキシ基は、炭素数２〜８のアルコキシアルコキシ基が好ましく、メトキシエトキシ基又はエトキシエトキシ基がより好ましい。
Ｒa51におけるアルキルカルボニル基としては、アセチル基、プロピオニル基及びブチリル基等が挙げられる。アルキルカルボニル基は、炭素数２〜３のアルキルカルボニル基が好ましく、アセチル基がより好ましい。
Ｒa51におけるアルキルカルボニルオキシ基としては、アセチルオキシ基、プロピオニルオキシ基及びブチリルオキシ基が挙げられる。アルキルカルボニルオキシ基は、炭素数２〜３のアルキルカルボニルオキシ基が好ましく、アセチルオキシ基がより好ましい。
Ｒa51は、ハロゲン原子、ヒドロキシ基、炭素数１〜４のアルキル基、炭素数１〜４のアルコキシ基又は炭素数２〜８のアルコキシアルコキシ基が好ましく、フッ素原子、ヨウ素原子、ヒドロキシ基、メチル基、メトキシ基、エトキシ基、エトキシエトキシ基又はエトキシメトキシ基がより好ましく、フッ素原子、ヨウ素原子、ヒドロキシ基、メチル基、メトキシ基又はエトキシエトキシ基がさらに好ましい。
＊−Ｘa51−（Ａa52−Ｘa52）nb−としては、＊−Ｏ−、＊−ＣＯ−Ｏ−、＊−Ｏ−ＣＯ−、＊−ＣＯ−Ｏ−Ａa52−ＣＯ−Ｏ−、＊−Ｏ−ＣＯ−Ａa52−Ｏ−、＊−Ｏ−Ａa52−ＣＯ−Ｏ−、＊−ＣＯ−Ｏ−Ａa52−Ｏ−ＣＯ−、＊−Ｏ−ＣＯ−Ａa52−Ｏ−ＣＯ−、が挙げられる。なかでも、＊−ＣＯ−Ｏ−、＊−ＣＯ−Ｏ−Ａa52−ＣＯ−Ｏ−又は＊−Ｏ−Ａa52−ＣＯ−Ｏ−が好ましい。
Ａa52におけるアルカンジイル基としては、メチレン基、エチレン基、プロパン−１，３−ジイル基、プロパン−１，２−ジイル基、ブタン−１，４−ジイル基、ペンタン−１，５−ジイル基、ヘキサン−１，６−ジイル基、ブタン−１，３−ジイル基、２−メチルプロパン−１，３−ジイル基、２−メチルプロパン−１，２−ジイル基、ペンタン−１，４−ジイル基及び２−メチルブタン−１，４−ジイル基等が挙げられる。
Ａa52は、メチレン基又はエチレン基であることが好ましい。
Ａa50は、単結合、＊−ＣＯ−Ｏ−又は＊−ＣＯ−Ｏ−Ａa52−ＣＯ−Ｏ−であることが好ましく、単結合、＊−ＣＯ−Ｏ−又は＊−ＣＯ−Ｏ−ＣＨ2−ＣＯ−Ｏ−であることがより好ましく、単結合又は＊−ＣＯ−Ｏ−であることがさらに好ましい。
ｍｂは０、１又は２が好ましく、０又は１がより好ましく、０がさらに好ましい。
ヒドロキシ基は、ベンゼン環のオルト位又はパラ位に結合することが好ましく、パラ位に結合することがより好ましい。
Ａa52におけるアルカンジイル基としては、メチレン基、エチレン基、プロパン−１，３−ジイル基、プロパン−１，２−ジイル基、ブタン−１，４−ジイル基、ペンタン−１，５−ジイル基、ヘキサン−１，６−ジイル基、ブタン−１，３−ジイル基、２−メチルプロパン−１，３−ジイル基、２−メチルプロパン−１，２−ジイル基、ペンタン−１，４−ジイル基及び２−メチルブタン−１，４−ジイル基等が挙げられる。
Ａa52は、メチレン基又はエチレン基であることが好ましい。
Ａa50は、単結合、＊−ＣＯ−Ｏ−又は＊−ＣＯ−Ｏ−Ａa52−ＣＯ−Ｏ−であることが好ましく、単結合、＊−ＣＯ−Ｏ−又は＊−ＣＯ−Ｏ−ＣＨ2−ＣＯ−Ｏ−であることがより好ましく、単結合又は＊−ＣＯ−Ｏ−であることがさらに好ましい。
ｍｂは０、１又は２が好ましく、０又は１がより好ましく、０がさらに好ましい。
ヒドロキシ基は、ベンゼン環のオルト位又はパラ位に結合することが好ましく、パラ位に結合することがより好ましい。
構造単位（ａ２−Ａ）としては、特開２０１０−２０４６３４号公報、特開２０１２−１２５７７号公報に記載されているモノマー由来の構造単位が挙げられる。
構造単位（ａ２−Ａ）としては、式（ａ２−２−１）〜式（ａ２−２−１６）で表される構造単位及び式（ａ２−２−１）〜式（ａ２−２−１６）で表される構造単位において、構造単位（ａ２−Ａ）におけるＲa50に相当するメチル基が水素原子に置き換わった構造単位が挙げられる。構造単位（ａ２−Ａ）は、式（ａ２−２−１）で表される構造単位、式（ａ２−２−３）で表される構造単位、式（ａ２−２−６）で表される構造単位、式（ａ２−２−８）で表される構造単位及び式（ａ２−２−１２）〜式（ａ２−２−１４）で表される構造単位ならびにこれらの構造単位において、構造単位（ａ２−Ａ）におけるＲa50に相当するメチル基が水素原子に置き換わった構造単位であることが好ましい。
樹脂（Ａ）中に構造単位（ａ２−Ａ）が含まれる場合の構造単位（ａ２−Ａ）の含有率は、全構造単位に対して、好ましくは５〜８０モル％であり、より好ましくは１０〜７０モル％であり、さらに好ましくは１５〜６５モル％であり、さらにより好ましくは２０〜６５モル％である。
構造単位（ａ２−Ａ）は、例えば構造単位（ａ１−４）を用いて重合した後、ｐ−トルエンスルホン酸等の酸で処理することにより、樹脂（Ａ）に含ませることができる。また、アセトキシスチレン等を用いて重合した後、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド等のアルカリで処理することにより、構造単位（ａ２−Ａ）を樹脂（Ａ）に含ませることができる。
構造単位（ａ２−Ａ）としては、式（ａ２−２−１）〜式（ａ２−２−１６）で表される構造単位及び式（ａ２−２−１）〜式（ａ２−２−１６）で表される構造単位において、構造単位（ａ２−Ａ）におけるＲa50に相当するメチル基が水素原子に置き換わった構造単位が挙げられる。構造単位（ａ２−Ａ）は、式（ａ２−２−１）で表される構造単位、式（ａ２−２−３）で表される構造単位、式（ａ２−２−６）で表される構造単位、式（ａ２−２−８）で表される構造単位及び式（ａ２−２−１２）〜式（ａ２−２−１４）で表される構造単位ならびにこれらの構造単位において、構造単位（ａ２−Ａ）におけるＲa50に相当するメチル基が水素原子に置き換わった構造単位であることが好ましい。
構造単位（ａ２−Ａ）は、例えば構造単位（ａ１−４）を用いて重合した後、ｐ−トルエンスルホン酸等の酸で処理することにより、樹脂（Ａ）に含ませることができる。また、アセトキシスチレン等を用いて重合した後、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド等のアルカリで処理することにより、構造単位（ａ２−Ａ）を樹脂（Ａ）に含ませることができる。
構造単位（ａ２）においてアルコール性ヒドロキシ基を有する構造単位としては、式（ａ２−１）で表される構造単位（以下「構造単位（ａ２−１）」という場合がある。）が挙げられる。
式（ａ２−１）中、
Ｌa3は、−Ｏ−又は＊−Ｏ−（ＣＨ2）k2−ＣＯ−Ｏ−を表し、
ｋ２は１〜７のいずれかの整数を表す。＊は−ＣＯ−との結合部位を表す。
Ｒa14は、水素原子又はメチル基を表す。
Ｒa15及びＲa16は、それぞれ独立に、水素原子、メチル基又はヒドロキシ基を表す。
ｏ１は、０〜１０のいずれかの整数を表す。
Ｌa3は、−Ｏ−又は＊−Ｏ−（ＣＨ2）k2−ＣＯ−Ｏ−を表し、
ｋ２は１〜７のいずれかの整数を表す。＊は−ＣＯ−との結合部位を表す。
Ｒa14は、水素原子又はメチル基を表す。
Ｒa15及びＲa16は、それぞれ独立に、水素原子、メチル基又はヒドロキシ基を表す。
ｏ１は、０〜１０のいずれかの整数を表す。
式（ａ２−１）では、Ｌa3は、好ましくは、−Ｏ−、−Ｏ−（ＣＨ2）f1−ＣＯ−Ｏ−であり（前記ｆ１は、１〜４のいずれかの整数を表す）、より好ましくは−Ｏ−である。
Ｒa14は、好ましくはメチル基である。
Ｒa15は、好ましくは水素原子である。
Ｒa16は、好ましくは水素原子又はヒドロキシ基である。
ｏ１は、好ましくは０〜３のいずれかの整数、より好ましくは０又は１である。
Ｒa14は、好ましくはメチル基である。
Ｒa15は、好ましくは水素原子である。
Ｒa16は、好ましくは水素原子又はヒドロキシ基である。
ｏ１は、好ましくは０〜３のいずれかの整数、より好ましくは０又は１である。
構造単位（ａ２−１）としては、例えば、特開２０１０−２０４６４６号公報に記載されたモノマーに由来する構造単位が挙げられる。式（ａ２−１−１）〜式（ａ２−１−６）のいずれかで表される構造単位が好ましく、式（ａ２−１−１）〜式（ａ２−１−４）のいずれかで表される構造単位がより好ましく、式（ａ２−１−１）又は式（ａ２−１−３）で表される構造単位がさらに好ましい。
樹脂（Ａ）が構造単位（ａ２−１）を含む場合、その含有率は、樹脂（Ａ）の全構造単位に対して、通常１〜４５モル％であり、好ましくは１〜４０モル％であり、より好ましくは１〜３５モル％であり、さらに好ましくは１〜２０モル％であり、さらにより好ましくは１〜１０モル％である。
〈構造単位（ａ３）〉
構造単位（ａ３）が有するラクトン環は、β−プロピオラクトン環、γ−ブチロラクトン環、δ−バレロラクトン環のような単環でもよく、単環式のラクトン環と他の環との縮合環でもよい。好ましくは、γ−ブチロラクトン環、アダマンタンラクトン環、又は、γ−ブチロラクトン環構造を含む橋かけ環（例えば下式（ａ３−２）で表される構造単位）が挙げられる。
構造単位（ａ３）は、好ましくは、式（ａ３−１）、式（ａ３−２）、式（ａ３−３）又は式（ａ３−４）で表される構造単位である。これらの１種を単独で含有してもよく、２種以上を含有してもよい。
［式（ａ３−１）、式（ａ３−２）、式（ａ３−３）及び式（ａ３−４）中、
Ｌａ４、Ｌａ５及びＬａ６は、それぞれ独立に、−Ｏ−又は＊−Ｏ−（ＣＨ２）ｋ３−ＣＯ−Ｏ−（ｋ３は１〜７のいずれかの整数を表す。）で表される基を表す。
Ｌａ７は、−Ｏ−、＊−Ｏ−Ｌａ８−Ｏ−、＊−Ｏ−Ｌａ８−ＣＯ−Ｏ−、＊−Ｏ−Ｌａ８−ＣＯ−Ｏ−Ｌａ９−ＣＯ−Ｏ−又は＊−Ｏ−Ｌａ８−Ｏ−ＣＯ−Ｌａ９−Ｏ−を表す。
Ｌａ８及びＬａ９は、それぞれ独立に、炭素数１〜６のアルカンジイル基を表す。
＊はカルボニル基との結合部位を表す。
Ｒａ１８、Ｒａ１９及びＲａ２０は、それぞれ独立に、水素原子又はメチル基を表す。
Ｒａ２４は、水素原子、ハロゲン原子又はハロゲン原子を有していてもよい炭素数１〜６のアルキル基を表す。
Ｘａ３は、−ＣＨ２−又は酸素原子を表す。
Ｒａ２１は炭素数１〜４の脂肪族炭化水素基を表す。
Ｒａ２２、Ｒａ２３及びＲａ２５は、それぞれ独立に、カルボキシ基、シアノ基又は炭素数１〜４の脂肪族炭化水素基を表す。
ｐ１は０〜５のいずれかの整数を表す。
ｑ１は、０〜３のいずれかの整数を表す。
ｒ１は、０〜３のいずれかの整数を表す。
ｗ１は、０〜８のいずれかの整数を表す。
ｐ１、ｑ１、ｒ１及び／又はｗ１が２以上のとき、複数のＲａ２１、Ｒａ２２、Ｒａ２３及び／又はＲａ２５は互いに同一でも異なっていてもよい。］
構造単位（ａ３）が有するラクトン環は、β−プロピオラクトン環、γ−ブチロラクトン環、δ−バレロラクトン環のような単環でもよく、単環式のラクトン環と他の環との縮合環でもよい。好ましくは、γ−ブチロラクトン環、アダマンタンラクトン環、又は、γ−ブチロラクトン環構造を含む橋かけ環（例えば下式（ａ３−２）で表される構造単位）が挙げられる。
構造単位（ａ３）は、好ましくは、式（ａ３−１）、式（ａ３−２）、式（ａ３−３）又は式（ａ３−４）で表される構造単位である。これらの１種を単独で含有してもよく、２種以上を含有してもよい。
［式（ａ３−１）、式（ａ３−２）、式（ａ３−３）及び式（ａ３−４）中、
Ｌａ４、Ｌａ５及びＬａ６は、それぞれ独立に、−Ｏ−又は＊−Ｏ−（ＣＨ２）ｋ３−ＣＯ−Ｏ−（ｋ３は１〜７のいずれかの整数を表す。）で表される基を表す。
Ｌａ７は、−Ｏ−、＊−Ｏ−Ｌａ８−Ｏ−、＊−Ｏ−Ｌａ８−ＣＯ−Ｏ−、＊−Ｏ−Ｌａ８−ＣＯ−Ｏ−Ｌａ９−ＣＯ−Ｏ−又は＊−Ｏ−Ｌａ８−Ｏ−ＣＯ−Ｌａ９−Ｏ−を表す。
Ｌａ８及びＬａ９は、それぞれ独立に、炭素数１〜６のアルカンジイル基を表す。
＊はカルボニル基との結合部位を表す。
Ｒａ１８、Ｒａ１９及びＲａ２０は、それぞれ独立に、水素原子又はメチル基を表す。
Ｒａ２４は、水素原子、ハロゲン原子又はハロゲン原子を有していてもよい炭素数１〜６のアルキル基を表す。
Ｘａ３は、−ＣＨ２−又は酸素原子を表す。
Ｒａ２１は炭素数１〜４の脂肪族炭化水素基を表す。
Ｒａ２２、Ｒａ２３及びＲａ２５は、それぞれ独立に、カルボキシ基、シアノ基又は炭素数１〜４の脂肪族炭化水素基を表す。
ｐ１は０〜５のいずれかの整数を表す。
ｑ１は、０〜３のいずれかの整数を表す。
ｒ１は、０〜３のいずれかの整数を表す。
ｗ１は、０〜８のいずれかの整数を表す。
ｐ１、ｑ１、ｒ１及び／又はｗ１が２以上のとき、複数のＲａ２１、Ｒａ２２、Ｒａ２３及び／又はＲａ２５は互いに同一でも異なっていてもよい。］
Ｒａ２１、Ｒａ２２、Ｒａ２３及びＲａ２５における脂肪族炭化水素基としては、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基及びｔｅｒｔ−ブチル基等のアルキル基が挙げられる。
Ｒａ２４におけるハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子及びヨウ素原子が挙げられる。
Ｒａ２４におけるアルキル基としては、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ペンチル基及びヘキシル基等が挙げられ、好ましくは炭素数１〜４のアルキル基が挙げられ、より好ましくはメチル基又はエチル基が挙げられる。
Ｒａ２４におけるハロゲン原子を有するアルキル基としては、トリフルオロメチル基、ペルフルオロエチル基、ペルフルオロプロピル基、ペルフルオロイソプロピル基、ペルフルオロブチル基、ペルフルオロｓｅｃ−ブチル基、ペルフルオロｔｅｒｔ−ブチル基、ペルフルオロペンチル基、ペルフルオロヘキシル基、トリクロロメチル基、トリブロモメチル基、トリヨードメチル基等が挙げられる。
Ｒａ２４におけるハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子及びヨウ素原子が挙げられる。
Ｒａ２４におけるアルキル基としては、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ペンチル基及びヘキシル基等が挙げられ、好ましくは炭素数１〜４のアルキル基が挙げられ、より好ましくはメチル基又はエチル基が挙げられる。
Ｒａ２４におけるハロゲン原子を有するアルキル基としては、トリフルオロメチル基、ペルフルオロエチル基、ペルフルオロプロピル基、ペルフルオロイソプロピル基、ペルフルオロブチル基、ペルフルオロｓｅｃ−ブチル基、ペルフルオロｔｅｒｔ−ブチル基、ペルフルオロペンチル基、ペルフルオロヘキシル基、トリクロロメチル基、トリブロモメチル基、トリヨードメチル基等が挙げられる。
Ｌａ８及びＬａ９におけるアルカンジイル基としては、メチレン基、エチレン基、プロパン−１，３−ジイル基、プロパン−１，２−ジイル基、ブタン−１，４−ジイル基、ペンタン−１，５−ジイル基、ヘキサン−１，６−ジイル基、ブタン−１，３−ジイル基、２−メチルプロパン−１，３−ジイル基、２−メチルプロパン−１，２−ジイル基、ペンタン−１，４−ジイル基及び２−メチルブタン−１，４−ジイル基等が挙げられる。
式（ａ３−１）〜式（ａ３−３）において、Ｌａ４〜Ｌａ６は、それぞれ独立に、好ましくは−Ｏ−又は、＊−Ｏ−（ＣＨ２）ｋ３−ＣＯ−Ｏ−において、ｋ３が１〜４のいずれかの整数である基、より好ましくは−Ｏ−及び、＊−Ｏ−ＣＨ２−ＣＯ−Ｏ−、さらに好ましくは酸素原子である。
Ｒａ１８〜Ｒａ２１は、好ましくはメチル基である。
Ｒａ２２及びＲａ２３は、それぞれ独立に、好ましくはカルボキシ基、シアノ基又はメチル基である。
ｐ１、ｑ１及びｒ１は、それぞれ独立に、好ましくは０〜２のいずれかの整数であり、より好ましくは０又は１である。
Ｒａ１８〜Ｒａ２１は、好ましくはメチル基である。
Ｒａ２２及びＲａ２３は、それぞれ独立に、好ましくはカルボキシ基、シアノ基又はメチル基である。
ｐ１、ｑ１及びｒ１は、それぞれ独立に、好ましくは０〜２のいずれかの整数であり、より好ましくは０又は１である。
式（ａ３−４）において、Ｒａ２４は、好ましくは水素原子又は炭素数１〜４のアルキル基であり、より好ましくは水素原子、メチル基又はエチル基であり、さらに好ましくは水素原子又はメチル基である。
Ｒａ２５は、好ましくはカルボキシ基、シアノ基又はメチル基である。
Ｌａ７は、好ましくは−Ｏ−又は＊−Ｏ−Ｌａ８−ＣＯ−Ｏ−であり、より好ましくは−Ｏ−、−Ｏ−ＣＨ２−ＣＯ−Ｏ−又は−Ｏ−Ｃ２Ｈ４−ＣＯ−Ｏ−である。
ｗ１は、好ましくは０〜２のいずれかの整数であり、より好ましくは０又は１である。
特に、式（ａ３−４）は、式（ａ３−４）’が好ましい。
（式中、Ｒａ２４、Ｌａ７は、上記と同じ意味を表す。）
Ｒａ２５は、好ましくはカルボキシ基、シアノ基又はメチル基である。
Ｌａ７は、好ましくは−Ｏ−又は＊−Ｏ−Ｌａ８−ＣＯ−Ｏ−であり、より好ましくは−Ｏ−、−Ｏ−ＣＨ２−ＣＯ−Ｏ−又は−Ｏ−Ｃ２Ｈ４−ＣＯ−Ｏ−である。
ｗ１は、好ましくは０〜２のいずれかの整数であり、より好ましくは０又は１である。
特に、式（ａ３−４）は、式（ａ３−４）’が好ましい。
構造単位（ａ３）としては、特開２０１０−２０４６４６号公報に記載されたモノマー、特開２０００−１２２２９４号公報に記載されたモノマー、特開２０１２−４１２７４号公報に記載されたモノマーに由来の構造単位が挙げられる。構造単位（ａ３）としては、式（ａ３−１−１）、式（ａ３−１−２）、式（ａ３−２−１）、式（ａ３−２−２）、式（ａ３−３−１）、式（ａ３−３−２）及び式（ａ３−４−１）〜式（ａ３−４−１２）のいずれかで表される構造単位及び、前記構造単位において、式（ａ３−１）〜式（ａ３−４）におけるＲａ１８、Ｒａ１９、Ｒａ２０及びＲａ２４に相当するメチル基が水素原子に置き換わった構造単位が好ましい。
樹脂（Ａ）が構造単位（ａ３）を含む場合、その合計含有率は、樹脂（Ａ）の全構造単位に対して、通常１〜７０モル％であり、好ましくは１〜６５モル％であり、より好ましくは１〜６０モル％である。
また、構造単位（ａ３−１）、構造単位（ａ３−２）、構造単位（ａ３−３）又は構造単位（ａ３−４）の含有率は、それぞれ、樹脂（Ａ）の全構造単位に対して、１〜６０モル％が好ましく、１〜５０モル％がより好ましく、１〜５０モル％がさらに好ましい。
また、構造単位（ａ３−１）、構造単位（ａ３−２）、構造単位（ａ３−３）又は構造単位（ａ３−４）の含有率は、それぞれ、樹脂（Ａ）の全構造単位に対して、１〜６０モル％が好ましく、１〜５０モル％がより好ましく、１〜５０モル％がさらに好ましい。
〈構造単位（ａ４）〉
構造単位（ａ４）としては、以下の構造単位が挙げられる。
［式（ａ４）中、
Ｒ41は、水素原子又はメチル基を表す。
Ｒ42は、炭素数１〜２４のフッ素原子を有する飽和炭化水素基を表し、該飽和炭化水素基に含まれる−ＣＨ2−は、−Ｏ−又は−ＣＯ−に置き換わっていてもよい。］
Ｒ42で表される飽和炭化水素基は、鎖式飽和炭化水素基及び単環又は多環の脂環式飽和炭化水素基、並びに、これらを組み合わせることにより形成される基等が挙げられる。
構造単位（ａ４）としては、以下の構造単位が挙げられる。
Ｒ41は、水素原子又はメチル基を表す。
Ｒ42は、炭素数１〜２４のフッ素原子を有する飽和炭化水素基を表し、該飽和炭化水素基に含まれる−ＣＨ2−は、−Ｏ−又は−ＣＯ−に置き換わっていてもよい。］
Ｒ42で表される飽和炭化水素基は、鎖式飽和炭化水素基及び単環又は多環の脂環式飽和炭化水素基、並びに、これらを組み合わせることにより形成される基等が挙げられる。
鎖式飽和炭化水素基としては、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、デシル基、ドデシル基、ペンタデシル基、ヘキサデシル基、ヘプタデシル基及びオクタデシル基が挙げられる。
単環又は多環の脂環式飽和炭化水素基としては、シクロペンチル基、シクロへキシル基、シクロヘプチル基、シクロオクチル基等のシクロアルキル基；デカヒドロナフチル基、アダマンチル基、ノルボルニル基及び下記の基（＊は結合部位を表す。）等の多環式の脂環式飽和炭化水素基が挙げられる。
組み合わせにより形成される基としては、１以上のアルキル基又は１以上のアルカンジイル基と、１以上の脂環式飽和炭化水素基とを組み合わせることにより形成される基が挙げられ、−アルカンジイル基−脂環式飽和炭化水素基、−脂環式飽和炭化水素基−アルキル基、−アルカンジイル基−脂環式飽和炭化水素基−アルキル基等が挙げられる。
単環又は多環の脂環式飽和炭化水素基としては、シクロペンチル基、シクロへキシル基、シクロヘプチル基、シクロオクチル基等のシクロアルキル基；デカヒドロナフチル基、アダマンチル基、ノルボルニル基及び下記の基（＊は結合部位を表す。）等の多環式の脂環式飽和炭化水素基が挙げられる。
構造単位（ａ４）としては、式（ａ４−０）、式（ａ４−１）、式（ａ４−２）、式（ａ４−３）及び式（ａ４−４）からなる群から選択される少なくとも１つで表される構造単位が挙げられる。
［式（ａ４−０）中、
Ｒ5ａは、水素原子又はメチル基を表す。
Ｌ4ａは、単結合又は炭素数１〜４のアルカンジイル基を表す。
Ｌ3ａは、炭素数１〜８のペルフルオロアルカンジイル基又は炭素数３〜１２のペルフルオロシクロアルカンジイル基を表す。
Ｒ6ａは、水素原子又はフッ素原子を表す。］
Ｒ5ａは、水素原子又はメチル基を表す。
Ｌ4ａは、単結合又は炭素数１〜４のアルカンジイル基を表す。
Ｌ3ａは、炭素数１〜８のペルフルオロアルカンジイル基又は炭素数３〜１２のペルフルオロシクロアルカンジイル基を表す。
Ｒ6ａは、水素原子又はフッ素原子を表す。］
Ｌ4ａにおけるアルカンジイル基としては、メチレン基、エチレン基、プロパン−１，３−ジイル基、ブタン−１，４−ジイル基等の直鎖状アルカンジイル基、エタン−１，１−ジイル基、プロパン−１，２−ジイル基、ブタン−１，３−ジイル基、２−メチルプロパン−１，３−ジイル基及び２−メチルプロパン−１，２−ジイル基等の分岐状アルカンジイル基が挙げられる。
Ｌ3ａにおけるペルフルオロアルカンジイル基としては、ジフルオロメチレン基、ペルフルオロエチレン基、ペルフルオロプロパン−１，１−ジイル基、ペルフルオロプロパン−１，３−ジイル基、ペルフルオロプロパン−１，２−ジイル基、ペルフルオロプロパン−２，２−ジイル基、ペルフルオロブタン−１，４−ジイル基、ペルフルオロブタン−２，２−ジイル基、ペルフルオロブタン−１，２−ジイル基、ペルフルオロペンタン−１，５−ジイル基、ペルフルオロペンタン−２，２−ジイル基、ペルフルオロペンタン−３，３−ジイル基、ペルフルオロヘキサン−１，６−ジイル基、ペルフルオロヘキサン−２，２−ジイル基、ペルフルオロヘキサン−３，３−ジイル基、ペルフルオロヘプタン−１，７−ジイル基、ペルフルオロヘプタン−２，２−ジイル基、ペルフルオロヘプタン−３，４−ジイル基、ペルフルオロヘプタン−４，４−ジイル基、ペルフルオロオクタン−１，８−ジイル基、ペルフルオロオクタン−２，２−ジイル基、ペルフルオロオクタン−３，３−ジイル基、ペルフルオロオクタン−４，４−ジイル基等が挙げられる。
Ｌ3ａにおけるペルフルオロシクロアルカンジイル基としては、ペルフルオロシクロヘキサンジイル基、ペルフルオロシクロペンタンジイル基、ペルフルオロシクロヘプタンジイル基、ペルフルオロアダマンタンジイル基等が挙げられる。
Ｌ3ａにおけるペルフルオロシクロアルカンジイル基としては、ペルフルオロシクロヘキサンジイル基、ペルフルオロシクロペンタンジイル基、ペルフルオロシクロヘプタンジイル基、ペルフルオロアダマンタンジイル基等が挙げられる。
Ｌ4ａは、好ましくは単結合、メチレン基又はエチレン基であり、より好ましくは、単結合、メチレン基である。
Ｌ3ａは、好ましくは炭素数１〜６のペルフルオロアルカンジイル基であり、より好ましくは炭素数１〜３のペルフルオロアルカンジイル基である。
Ｌ3ａは、好ましくは炭素数１〜６のペルフルオロアルカンジイル基であり、より好ましくは炭素数１〜３のペルフルオロアルカンジイル基である。
構造単位（ａ４−０）としては、以下に示す構造単位及び下記構造単位中の構造単位（ａ４−０）におけるＲ５ａに相当するメチル基が水素原子に置き換わった構造単位が挙げられる。
Ｒa41は、水素原子又はメチル基を表す。
Ｒa42は、置換基を有していてもよい炭素数１〜２０の飽和炭化水素基を表し、該飽和炭化水素基に含まれる−ＣＨ２−は、−Ｏ−又は−ＣＯ−に置き換わっていてもよい。
Ａa41は、置換基を有していてもよい炭素数１〜６のアルカンジイル基又は式（ａ−ｇ１）で表される基を表す。ただし、Ａa41及びＲa42のうち少なくとも１つは、置換基としてハロゲン原子（好ましくはフッ素原子）を有する。
ｓは０又は１を表す。
Ａa42及びＡa44は、それぞれ独立に、置換基を有していてもよい炭素数１〜５の２価の飽和炭化水素基を表す。
Ａa43は、単結合又は置換基を有していてもよい炭素数１〜５の２価の脂肪族炭化水素基を表す。
Ｘa41及びＸa42は、それぞれ独立に、−Ｏ−、−ＣＯ−、−ＣＯ−Ｏ−又は−Ｏ−ＣＯ−を表す。
ただし、Ａa42、Ａa43、Ａa44、Ｘa41及びＸa42の炭素数の合計は７以下である。〕
＊は結合部位であり、右側の＊が−Ｏ−ＣＯ−Ｒa42との結合部位である。］
Ｒa42における飽和炭化水素基としては、鎖式飽和炭化水素基及び単環又は多環の脂環式飽和炭化水素基、並びに、これらを組み合わせることにより形成される基等が挙げられる。
鎖式飽和炭化水素基としては、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、デシル基、ドデシル基、ペンタデシル基、ヘキサデシル基、ヘプタデシル基及びオクタデシル基が挙げられる。
単環又は多環の脂環式飽和炭化水素基としては、シクロペンチル基、シクロへキシル基、シクロヘプチル基、シクロオクチル基等のシクロアルキル基；デカヒドロナフチル基、アダマンチル基、ノルボルニル基及び下記の基（＊は結合部位を表す。）等の多環式の脂環式飽和炭化水素基が挙げられる。
組み合わせにより形成される基としては、１以上のアルキル基又は１以上のアルカンジイル基と、１以上の脂環式飽和炭化水素基とを組み合わせることにより形成される基が挙げられ、−アルカンジイル基−脂環式飽和炭化水素基、−脂環式飽和炭化水素基−アルキル基、−アルカンジイル基−脂環式飽和炭化水素基−アルキル基等が挙げられる。
単環又は多環の脂環式飽和炭化水素基としては、シクロペンチル基、シクロへキシル基、シクロヘプチル基、シクロオクチル基等のシクロアルキル基；デカヒドロナフチル基、アダマンチル基、ノルボルニル基及び下記の基（＊は結合部位を表す。）等の多環式の脂環式飽和炭化水素基が挙げられる。
Ｒa42が有する置換基としては、ハロゲン原子及び式（ａ−ｇ３）で表される基からなる群から選択される少なくとも１種が挙げられる。ハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子及びヨウ素原子が挙げられ、好ましくはフッ素原子である。
［式（ａ−ｇ３）中、
Ｘa43は、酸素原子、カルボニル基、＊−Ｏ−ＣＯ−又は＊−ＣＯ−Ｏ−を表す。
Ａa45は、ハロゲン原子を有していてもよい炭素数１〜１７の脂肪族炭化水素基を表す。
＊はＲa42との結合部位を表す。］
ただし、Ｒa42−Ｘa43−Ａa45において、Ｒa42がハロゲン原子を有しない場合は、Ａa45は、少なくとも１つのハロゲン原子を有する炭素数１〜１７の脂肪族炭化水素基を表す。
Ｘa43は、酸素原子、カルボニル基、＊−Ｏ−ＣＯ−又は＊−ＣＯ−Ｏ−を表す。
Ａa45は、ハロゲン原子を有していてもよい炭素数１〜１７の脂肪族炭化水素基を表す。
＊はＲa42との結合部位を表す。］
ただし、Ｒa42−Ｘa43−Ａa45において、Ｒa42がハロゲン原子を有しない場合は、Ａa45は、少なくとも１つのハロゲン原子を有する炭素数１〜１７の脂肪族炭化水素基を表す。
Ａa45における脂肪族炭化水素基としては、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、デシル基、ドデシル基、ペンタデシル基、ヘキサデシル基、ヘプタデシル基及びオクタデシル基等のアルキル基；シクロペンチル基、シクロへキシル基、シクロヘプチル基、シクロオクチル基等の単環式の脂環式炭化水素基；並びにデカヒドロナフチル基、アダマンチル基、ノルボルニル基及び下記の基（＊は結合位を表す。）等の多環式の脂環式炭化水素基が挙げられる。
組み合わせにより形成される基としては、１以上のアルキル基又は１以上のアルカンジイル基と、１以上の脂環式炭化水素基とを組み合わせることにより形成される基が挙げられ、−アルカンジイル基−脂環式炭化水素基、−脂環式炭化水素基−アルキル基、−アルカンジイル基−脂環式炭化水素基−アルキル基等が挙げられる。
Ｒa42は、ハロゲン原子を有していてもよい飽和炭化水素基が好ましく、ハロゲン原子を有するアルキル基及び／又は式（ａ−ｇ３）で表される基を有する飽和炭化水素基がより好ましい。
Ｒa42がハロゲン原子を有する飽和炭化水素基である場合、好ましくはフッ素原子を有する飽和炭化水素基であり、より好ましくはペルフルオロアルキル基又はペルフルオロシクロアルキル基であり、さらに好ましくは炭素数が１〜６のペルフルオロアルキル基であり、特に好ましくは炭素数１〜３のペルフルオロアルキル基である。ペルフルオロアルキル基としては、ペルフルオロメチル基、ペルフルオロエチル基、ペルフルオロプロピル基、ペルフルオロブチル基、ペルフルオロペンチル基、ペルフルオロヘキシル基、ペルフルオロヘプチル基及びペルフルオロオクチル基等が挙げられる。ペルフルオロシクロアルキル基としては、ペルフルオロシクロヘキシル基等が挙げられる。
Ｒa42が、式（ａ−ｇ３）で表される基を有する飽和炭化水素基である場合、式（ａ−ｇ３）で表される基に含まれる炭素数を含めて、Ｒa42の総炭素数は、１５以下が好ましく、１２以下がより好ましい。式（ａ−ｇ３）で表される基を置換基として有する場合、その数は１個が好ましい。
Ｒa42がハロゲン原子を有する飽和炭化水素基である場合、好ましくはフッ素原子を有する飽和炭化水素基であり、より好ましくはペルフルオロアルキル基又はペルフルオロシクロアルキル基であり、さらに好ましくは炭素数が１〜６のペルフルオロアルキル基であり、特に好ましくは炭素数１〜３のペルフルオロアルキル基である。ペルフルオロアルキル基としては、ペルフルオロメチル基、ペルフルオロエチル基、ペルフルオロプロピル基、ペルフルオロブチル基、ペルフルオロペンチル基、ペルフルオロヘキシル基、ペルフルオロヘプチル基及びペルフルオロオクチル基等が挙げられる。ペルフルオロシクロアルキル基としては、ペルフルオロシクロヘキシル基等が挙げられる。
Ｒa42が、式（ａ−ｇ３）で表される基を有する飽和炭化水素基である場合、式（ａ−ｇ３）で表される基に含まれる炭素数を含めて、Ｒa42の総炭素数は、１５以下が好ましく、１２以下がより好ましい。式（ａ−ｇ３）で表される基を置換基として有する場合、その数は１個が好ましい。
Ｒa42が式（ａ−ｇ３）で表される基を有する飽和炭化水素基である場合、Ｒa42は、さらに好ましくは式（ａ−ｇ２）で表される基である。
［式（ａ−ｇ２）中、
Ａa46は、ハロゲン原子を有していてもよい炭素数１〜１７の２価の飽和炭化水素基を表す。
Ｘa44は、＊＊−Ｏ−ＣＯ−又は＊＊−ＣＯ−Ｏ−を表す（＊＊はＡa46との結合部位を表す。）。
Ａa47は、ハロゲン原子を有していてもよい炭素数１〜１７の脂肪族炭化水素基を表す。
ただし、Ａa46、Ａa47及びＸa44の炭素数の合計は１８以下であり、Ａa46及びＡa47のうち、少なくとも一方は、少なくとも１つのハロゲン原子を有する。
＊はカルボニル基との結合部位を表す。］
Ａa46は、ハロゲン原子を有していてもよい炭素数１〜１７の２価の飽和炭化水素基を表す。
Ｘa44は、＊＊−Ｏ−ＣＯ−又は＊＊−ＣＯ−Ｏ−を表す（＊＊はＡa46との結合部位を表す。）。
Ａa47は、ハロゲン原子を有していてもよい炭素数１〜１７の脂肪族炭化水素基を表す。
ただし、Ａa46、Ａa47及びＸa44の炭素数の合計は１８以下であり、Ａa46及びＡa47のうち、少なくとも一方は、少なくとも１つのハロゲン原子を有する。
＊はカルボニル基との結合部位を表す。］
Ａa46の飽和炭化水素基の炭素数は１〜６が好ましく、１〜３がより好ましい。
Ａa47の脂肪族炭化水素基の炭素数は４〜１５が好ましく、５〜１２がより好ましく、Ａa47は、シクロヘキシル基又はアダマンチル基がさらに好ましい。
Ａa47の脂肪族炭化水素基の炭素数は４〜１５が好ましく、５〜１２がより好ましく、Ａa47は、シクロヘキシル基又はアダマンチル基がさらに好ましい。
式（ａ−ｇ２）で表される基の好ましい構造は、以下の構造である（＊はカルボニル基との結合部位である）。
Ａa41におけるアルカンジイル基としては、メチレン基、エチレン基、プロパン−１，３−ジイル基、ブタン−１，４−ジイル基、ペンタン−１，５−ジイル基、ヘキサン−１，６−ジイル基等の直鎖状アルカンジイル基；プロパン−１，２−ジイル基、ブタン−１，３−ジイル基、２−メチルプロパン−１，２−ジイル基、１−メチルブタン−１，４−ジイル基、２−メチルブタン−１，４−ジイル基等の分岐状アルカンジイル基が挙げられる。
Ａa41の表すアルカンジイル基における置換基としては、ヒドロキシ基及び炭素数１〜６のアルコキシ基等が挙げられる。
Ａa41は、好ましくは炭素数１〜４のアルカンジイル基であり、より好ましくは炭素数２〜４のアルカンジイル基であり、さらに好ましくはエチレン基である。
Ａa41の表すアルカンジイル基における置換基としては、ヒドロキシ基及び炭素数１〜６のアルコキシ基等が挙げられる。
Ａa41は、好ましくは炭素数１〜４のアルカンジイル基であり、より好ましくは炭素数２〜４のアルカンジイル基であり、さらに好ましくはエチレン基である。
式（ａ−ｇ１）で表される基におけるＡａ４２、Ａａ４３及びＡａ４４の表す２価の飽和炭化水素基としては、直鎖又は分岐のアルカンジイル基及び単環又は多環の２価の脂環式飽和炭化水素基、並びに、アルカンジイル基及び２価の脂環式飽和炭化水素基を組合せることにより形成される基等が挙げられる。具体的には、メチレン基、エチレン基、プロパン−１，３−ジイル基、プロパン−１，２−ジイル基、ブタン−１，４−ジイル基、１−メチルプロパン−１，３−ジイル基、２−メチルプロパン−１，３−ジイル基、２−メチルプロパン−１，２−ジイル基等が挙げられる。
Ａａ４２、Ａａ４３及びＡａ４４の表す２価の飽和炭化水素基の置換基としては、ヒドロキシ基及び炭素数１〜６のアルコキシ基等が挙げられる。
ｓは、０であることが好ましい。
Ａａ４２、Ａａ４３及びＡａ４４の表す２価の飽和炭化水素基の置換基としては、ヒドロキシ基及び炭素数１〜６のアルコキシ基等が挙げられる。
ｓは、０であることが好ましい。
式（ａ−ｇ１）で表される基において、Ｘa42が−Ｏ−、−ＣＯ−、−ＣＯ−Ｏ−又は−Ｏ−ＣＯ−である基としては、以下の基等が挙げられる。以下の例示において、＊及び＊＊はそれぞれ結合位を表わし、＊＊が−Ｏ−ＣＯ−Ｒa42との結合部位である。
式（ａ４−１）で表される構造単位としては、以下に示す構造単位及び下記構造単位中の式（ａ４−１）で表される構造単位におけるＲa41に相当するメチル基が水素原子に置き換わった構造単位が挙げられる。
式（ａ４−１）で表される構造単位としては、式（ａ４−２）で表される構造単位が好ましい。
［式（ａ４−２）中、
Ｒf5は、水素原子又はメチル基を表す。
Ｌ44は、炭素数１〜６のアルカンジイル基を表し、該アルカンジイル基に含まれる−ＣＨ2−は、−Ｏ−又は−ＣＯ−に置き換わっていてもよい。
Ｒf6は、炭素数１〜２０のフッ素原子を有する飽和炭化水素基を表す。
ただし、Ｌ44及びＲf6の合計炭素数の上限は２１である。］
Ｒf5は、水素原子又はメチル基を表す。
Ｌ44は、炭素数１〜６のアルカンジイル基を表し、該アルカンジイル基に含まれる−ＣＨ2−は、−Ｏ−又は−ＣＯ−に置き換わっていてもよい。
Ｒf6は、炭素数１〜２０のフッ素原子を有する飽和炭化水素基を表す。
ただし、Ｌ44及びＲf6の合計炭素数の上限は２１である。］
Ｌ44のアルカンジイル基は、Ａa41で例示したものと同様の基が挙げられる。
Ｒf6の飽和炭化水素基は、Ｒa42で例示したものと同様の基が挙げられる。
Ｌ44におけるアルカンジイル基としては、炭素数２〜４のアルカンジイル基が好ましく、エチレン基がより好ましい。
Ｒf6の飽和炭化水素基は、Ｒa42で例示したものと同様の基が挙げられる。
Ｌ44におけるアルカンジイル基としては、炭素数２〜４のアルカンジイル基が好ましく、エチレン基がより好ましい。
式（ａ４−２）で表される構造単位としては、例えば、式（ａ４−１−１）〜式（ａ４−１−１１）でそれぞれ表される構造単位が挙げられる。構造単位（ａ４−２）におけるＲf５に相当するメチル基が水素原子に置き換わった構造単位も式（ａ４−２）で表される構造単位として挙げられる。
Ｒf7は、水素原子又はメチル基を表す。
Ｌ5は、炭素数１〜６のアルカンジイル基を表す。
Ａf13は、フッ素原子を有していてもよい炭素数１〜１８の２価の飽和炭化水素基を表す。
Ｘf12は、＊−Ｏ−ＣＯ−又は＊−ＣＯ−Ｏ−（＊はＡf13との結合部位を表す。）を表す。
Ａf14は、フッ素原子を有していてもよい炭素数１〜１７の飽和炭化水素基を表す。
但し、Ａf13及びＡf14の少なくとも１つは、フッ素原子を有し、Ｌ5、Ａf13及びＡf14の合計炭素数の上限は２０である。］
Ｌ5におけるアルカンジイル基としては、Ａa41のアルカンジイル基で例示したものと同様の基が挙げられる。
Ａf13におけるフッ素原子を有していてもよい２価の飽和炭化水素基としては、好ましくはフッ素原子を有していてもよい２価の鎖式飽和炭化水素基及びフッ素原子を有していてもよい２価の脂環式飽和炭化水素基であり、より好ましくはペルフルオロアルカンジイル基である。
フッ素原子を有していてもよい２価の鎖式飽和炭化水素基としては、メチレン基、エチレン基、プロパンジイル基、ブタンジイル基及びペンタンジイル基等のアルカンジイル基；ジフルオロメチレン基、ペルフルオロエチレン基、ペルフルオロプロパンジイル基、ペルフルオロブタンジイル基及びペルフルオロペンタンジイル基等のペルフルオロアルカンジイル基等が挙げられる。
フッ素原子を有していてもよい２価の脂環式飽和炭化水素基は、単環式及び多環式のいずれでもよい。単環式の基としては、シクロヘキサンジイル基及びペルフルオロシクロヘキサンジイル基等が挙げられる。多環式の基としては、アダマンタンジイル基、ノルボルナンジイル基、ペルフルオロアダマンタンジイル基等が挙げられる。
Ａf13におけるフッ素原子を有していてもよい２価の飽和炭化水素基としては、好ましくはフッ素原子を有していてもよい２価の鎖式飽和炭化水素基及びフッ素原子を有していてもよい２価の脂環式飽和炭化水素基であり、より好ましくはペルフルオロアルカンジイル基である。
フッ素原子を有していてもよい２価の鎖式飽和炭化水素基としては、メチレン基、エチレン基、プロパンジイル基、ブタンジイル基及びペンタンジイル基等のアルカンジイル基；ジフルオロメチレン基、ペルフルオロエチレン基、ペルフルオロプロパンジイル基、ペルフルオロブタンジイル基及びペルフルオロペンタンジイル基等のペルフルオロアルカンジイル基等が挙げられる。
フッ素原子を有していてもよい２価の脂環式飽和炭化水素基は、単環式及び多環式のいずれでもよい。単環式の基としては、シクロヘキサンジイル基及びペルフルオロシクロヘキサンジイル基等が挙げられる。多環式の基としては、アダマンタンジイル基、ノルボルナンジイル基、ペルフルオロアダマンタンジイル基等が挙げられる。
Ａf14の飽和炭化水素基及びフッ素原子を有していてもよい飽和炭化水素基は、Ｒa42で例示したものと同様の基が挙げられる。なかでも、トリフルオロメチル基、ジフルオロメチル基、メチル基、ペルフルオロエチル基、２，２，２−トリフルオロエチル基、１，１，２，２−テトラフルオロエチル基、エチル基、ペルフルオロプロピル基、２，２，３，３，３−ペンタフルオロプロピル基、プロピル基、ペルフルオロブチル基、１，１，２，２，３，３，４，４−オクタフルオロブチル基、ブチル基、ペルフルオロペンチル基、２，２，３，３，４，４，５，５，５−ノナフルオロペンチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ペルフルオロヘキシル基、ヘプチル基、ペルフルオロヘプチル基、オクチル基及びペルフルオロオクチル基等のフッ化アルキル基、シクロプロピルメチル基、シクロプロピル基、シクロブチルメチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、ペルフルオロシクロヘキシル基、アダマンチル基、アダマンチルメチル基、アダマンチルジメチル基、ノルボルニル基、ノルボルニルメチル基、ペルフルオロアダマンチル基、ペルフルオロアダマンチルメチル基等が好ましい。
式（ａ４−３）において、Ｌ5は、エチレン基が好ましい。
Ａf13の２価の飽和炭化水素基は、炭素数１〜６の２価の鎖式飽和炭化水素基及び炭素数３〜１２の２価の脂環式飽和炭化水素基を含む基が好ましく、炭素数２〜３の２価の鎖式炭化水素基がさらに好ましい。
Ａf14の飽和炭化水素基は、炭素数３〜１２の鎖式飽和炭化水素基及び炭素数３〜１２の脂環式飽和炭化水素基を含む基が好ましく、炭素数３〜１０の鎖式飽和炭化水素基及び炭素数３〜１０の脂環式飽和炭化水素基を含む基がさらに好ましい。なかでも、Ａf14は、好ましくは炭素数３〜１２の脂環式飽和炭化水素基を含む基であり、より好ましくは、シクロプロピルメチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、ノルボルニル基及びアダマンチル基である。
Ａf13の２価の飽和炭化水素基は、炭素数１〜６の２価の鎖式飽和炭化水素基及び炭素数３〜１２の２価の脂環式飽和炭化水素基を含む基が好ましく、炭素数２〜３の２価の鎖式炭化水素基がさらに好ましい。
Ａf14の飽和炭化水素基は、炭素数３〜１２の鎖式飽和炭化水素基及び炭素数３〜１２の脂環式飽和炭化水素基を含む基が好ましく、炭素数３〜１０の鎖式飽和炭化水素基及び炭素数３〜１０の脂環式飽和炭化水素基を含む基がさらに好ましい。なかでも、Ａf14は、好ましくは炭素数３〜１２の脂環式飽和炭化水素基を含む基であり、より好ましくは、シクロプロピルメチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、ノルボルニル基及びアダマンチル基である。
式（ａ４−３）で表される構造単位としては、例えば、式（ａ４−１’−１）〜式（ａ４−１’−１１）でそれぞれ表される構造単位が挙げられる。構造単位（ａ４−３）におけるＲf７に相当するメチル基が水素原子に置き換わった構造単位も式（ａ４−３）で表される構造単位として挙げられる。
構造単位（ａ４）としては、式（ａ４−４）で表される構造単位も挙げられる。
［式（ａ４−４）中、
Ｒf21は、水素原子又はメチル基を表す。
Ａf21は、−（ＣＨ2）j1−、−（ＣＨ2）j2−Ｏ−（ＣＨ2）j3−又は−（ＣＨ2）j4−ＣＯ−Ｏ−（ＣＨ2）j5−を表す。
ｊ１〜ｊ５は、それぞれ独立に、１〜６のいずれかの整数を表す。
Ｒf22は、フッ素原子を有する炭素数１〜１０の飽和炭化水素基を表す。］
Ｒf21は、水素原子又はメチル基を表す。
Ａf21は、−（ＣＨ2）j1−、−（ＣＨ2）j2−Ｏ−（ＣＨ2）j3−又は−（ＣＨ2）j4−ＣＯ−Ｏ−（ＣＨ2）j5−を表す。
ｊ１〜ｊ５は、それぞれ独立に、１〜６のいずれかの整数を表す。
Ｒf22は、フッ素原子を有する炭素数１〜１０の飽和炭化水素基を表す。］
Ｒf22の飽和炭化水素基は、Ｒa42で表される飽和炭化水素基と同じものが挙げられる。Ｒf22は、フッ素原子を有する炭素数１〜１０のアルキル基又はフッ素原子を有する炭素数１〜１０の脂環式飽和炭化水素基が好ましく、フッ素原子を有する炭素数１〜１０のアルキル基がより好ましく、フッ素原子を有する炭素数１〜６のアルキル基がさらに好ましい。
式（ａ４−４）においては、Ａf21としては、−（ＣＨ2）ｊ1−が好ましく、エチレン基又はメチレン基がより好ましく、メチレン基がさらに好ましい。
式（ａ４−４）においては、Ａf21としては、−（ＣＨ2）ｊ1−が好ましく、エチレン基又はメチレン基がより好ましく、メチレン基がさらに好ましい。
式（ａ４−４）で表される構造単位としては、例えば、以下の構造単位及び以下の式で表される構造単位において、構造単位（ａ４−４）におけるＲf21に相当するメチル基が水素原子に置き換わった構造単位が挙げられる。
樹脂（Ａ）が、構造単位（ａ４）を含む場合、その含有率は、樹脂（Ａ）の全構造単位に対して、１〜２０モル％が好ましく、２〜１５モル％がより好ましく、３〜１０モル％がさらに好ましい。
〈構造単位（ａ５）〉
構造単位（ａ５）が有する非脱離炭化水素基としては、直鎖、分岐又は環状の炭化水素基を有する基が挙げられる。なかでも、構造単位（ａ５）は、脂環式炭化水素基を有する基が好ましい。
構造単位（ａ５）としては、例えば、式（ａ５−１）で表される構造単位が挙げられる。
［式（ａ５−１）中、
Ｒ51は、水素原子又はメチル基を表す。
Ｒ52は、炭素数３〜１８の脂環式炭化水素基を表し、該脂環式炭化水素基に含まれる水素原子は炭素数１〜８の脂肪族炭化水素基で置換されていてもよい。
Ｌ55は、単結合又は炭素数１〜１８の２価の飽和炭化水素基を表し、該飽和炭化水素基に含まれる−ＣＨ２−は、−Ｏ−又は−ＣＯ−に置き換わっていてもよい。］
構造単位（ａ５）が有する非脱離炭化水素基としては、直鎖、分岐又は環状の炭化水素基を有する基が挙げられる。なかでも、構造単位（ａ５）は、脂環式炭化水素基を有する基が好ましい。
構造単位（ａ５）としては、例えば、式（ａ５−１）で表される構造単位が挙げられる。
Ｒ51は、水素原子又はメチル基を表す。
Ｒ52は、炭素数３〜１８の脂環式炭化水素基を表し、該脂環式炭化水素基に含まれる水素原子は炭素数１〜８の脂肪族炭化水素基で置換されていてもよい。
Ｌ55は、単結合又は炭素数１〜１８の２価の飽和炭化水素基を表し、該飽和炭化水素基に含まれる−ＣＨ２−は、−Ｏ−又は−ＣＯ−に置き換わっていてもよい。］
Ｒ52における脂環式炭化水素基としては、単環式及び多環式のいずれでもよい。単環式の脂環式炭化水素基としては、例えば、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基及びシクロヘキシル基が挙げられる。多環式の脂環式炭化水素基としては、例えば、アダマンチル基及びノルボルニル基等が挙げられる。
炭素数１〜８の脂肪族炭化水素基は、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、オクチル基及び２−エチルヘキシル基等のアルキル基が挙げられる。
置換基を有する脂環式炭化水素基としては、３−メチルアダマンチル基などが挙げられる。
Ｒ52は、好ましくは、無置換の炭素数３〜１８の脂環式炭化水素基であり、より好ましくは、アダマンチル基、ノルボルニル基又はシクロヘキシル基である。
炭素数１〜８の脂肪族炭化水素基は、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、オクチル基及び２−エチルヘキシル基等のアルキル基が挙げられる。
置換基を有する脂環式炭化水素基としては、３−メチルアダマンチル基などが挙げられる。
Ｒ52は、好ましくは、無置換の炭素数３〜１８の脂環式炭化水素基であり、より好ましくは、アダマンチル基、ノルボルニル基又はシクロヘキシル基である。
Ｌ55における２価の飽和炭化水素基としては、２価の鎖式飽和炭化水素基及び２価の脂環式飽和炭化水素基が挙げられ、好ましくは２価の鎖式飽和炭化水素基である。
２価の鎖式飽和炭化水素基としては、例えば、メチレン基、エチレン基、プロパンジイル基、ブタンジイル基及びペンタンジイル基等のアルカンジイル基が挙げられる。
２価の脂環式飽和炭化水素基は、単環式及び多環式のいずれでもよい。単環式の脂環式飽和炭化水素基としては、シクロペンタンジイル基及びシクロヘキサンジイル基等のシクロアルカンジイル基が挙げられる。多環式の２価の脂環式飽和炭化水素基としては、アダマンタンジイル基及びノルボルナンジイル基等が挙げられる。
２価の鎖式飽和炭化水素基としては、例えば、メチレン基、エチレン基、プロパンジイル基、ブタンジイル基及びペンタンジイル基等のアルカンジイル基が挙げられる。
２価の脂環式飽和炭化水素基は、単環式及び多環式のいずれでもよい。単環式の脂環式飽和炭化水素基としては、シクロペンタンジイル基及びシクロヘキサンジイル基等のシクロアルカンジイル基が挙げられる。多環式の２価の脂環式飽和炭化水素基としては、アダマンタンジイル基及びノルボルナンジイル基等が挙げられる。
Ｌ55の表す２価の飽和炭化水素基に含まれる−ＣＨ２−が、−Ｏ−又は−ＣＯ−で置き換わった基としては、例えば、式（Ｌ１−１）〜式（Ｌ１−４）で表される基が挙げられる。下記式中、＊及び＊＊は結合部位を表し、＊は酸素原子との結合部位を表す。
式（Ｌ１−１）中、
Ｘx1は、＊−Ｏ−ＣＯ−又は＊−ＣＯ−Ｏ−を表す（＊はＬx１との結合部位を表す。）。
Ｌx1は、炭素数１〜１６の２価の脂肪族飽和炭化水素基を表す。
Ｌx2は、単結合又は炭素数１〜１５の２価の脂肪族飽和炭化水素基を表す。
ただし、Ｌx1及びＬx2の合計炭素数は、１６以下である。
式（Ｌ１−２）中、
Ｌx3は、炭素数１〜１７の２価の脂肪族飽和炭化水素基を表す。
Ｌx4は、単結合又は炭素数１〜１６の２価の脂肪族飽和炭化水素基を表す。
ただし、Ｌx3及びＬx4の合計炭素数は、１７以下である。
式（Ｌ１−３）中、
Ｌx5は、炭素数１〜１５の２価の脂肪族飽和炭化水素基を表す。
Ｌx6及びＬx7は、それぞれ独立に、単結合又は炭素数１〜１４の２価の脂肪族飽和炭化水素基を表す。
ただし、Ｌx5、Ｌx6及びＬx7の合計炭素数は、１５以下である。
式（Ｌ１−４）中、
Ｌx8及びＬx9は、単結合又は炭素数１〜１２の２価の脂肪族飽和炭化水素基を表す。
Ｗx1は、炭素数３〜１５の２価の脂環式飽和炭化水素基を表す。
ただし、Ｌx8、Ｌx9及びＷx1の合計炭素数は、１５以下である。
Ｘx1は、＊−Ｏ−ＣＯ−又は＊−ＣＯ−Ｏ−を表す（＊はＬx１との結合部位を表す。）。
Ｌx1は、炭素数１〜１６の２価の脂肪族飽和炭化水素基を表す。
Ｌx2は、単結合又は炭素数１〜１５の２価の脂肪族飽和炭化水素基を表す。
ただし、Ｌx1及びＬx2の合計炭素数は、１６以下である。
式（Ｌ１−２）中、
Ｌx3は、炭素数１〜１７の２価の脂肪族飽和炭化水素基を表す。
Ｌx4は、単結合又は炭素数１〜１６の２価の脂肪族飽和炭化水素基を表す。
ただし、Ｌx3及びＬx4の合計炭素数は、１７以下である。
式（Ｌ１−３）中、
Ｌx5は、炭素数１〜１５の２価の脂肪族飽和炭化水素基を表す。
Ｌx6及びＬx7は、それぞれ独立に、単結合又は炭素数１〜１４の２価の脂肪族飽和炭化水素基を表す。
ただし、Ｌx5、Ｌx6及びＬx7の合計炭素数は、１５以下である。
式（Ｌ１−４）中、
Ｌx8及びＬx9は、単結合又は炭素数１〜１２の２価の脂肪族飽和炭化水素基を表す。
Ｗx1は、炭素数３〜１５の２価の脂環式飽和炭化水素基を表す。
ただし、Ｌx8、Ｌx9及びＷx1の合計炭素数は、１５以下である。
Ｌx1は、好ましくは、炭素数１〜８の２価の脂肪族飽和炭化水素基、より好ましくは、メチレン基又はエチレン基である。
Ｌx2は、好ましくは、単結合又は炭素数１〜８の２価の脂肪族飽和炭化水素基、より好ましくは、単結合である。
Ｌx3は、好ましくは、炭素数１〜８の２価の脂肪族飽和炭化水素基である。
Ｌx4は、好ましくは、単結合又は炭素数１〜８の２価の脂肪族飽和炭化水素基である。
Ｌx5は、好ましくは、炭素数１〜８の２価の脂肪族飽和炭化水素基、より好ましくは、メチレン基又はエチレン基である。
Ｌx6は、好ましくは、単結合又は炭素数１〜８の２価の脂肪族飽和炭化水素基、より好ましくは、メチレン基又はエチレン基である。
Ｌx7は、好ましくは、単結合又は炭素数１〜８の２価の脂肪族飽和炭化水素基である。
Ｌx8は、好ましくは、単結合又は炭素数１〜８の２価の脂肪族飽和炭化水素基、より好ましくは、単結合又はメチレン基である。
Ｌx9は、好ましくは、単結合又は炭素数１〜８の２価の脂肪族飽和炭化水素基、より好ましくは、単結合又はメチレン基である。
Ｗx1は、好ましくは、炭素数３〜１０の２価の脂環式飽和炭化水素基、より好ましくは、シクロヘキサンジイル基又はアダマンタンジイル基である。
Ｌx2は、好ましくは、単結合又は炭素数１〜８の２価の脂肪族飽和炭化水素基、より好ましくは、単結合である。
Ｌx3は、好ましくは、炭素数１〜８の２価の脂肪族飽和炭化水素基である。
Ｌx4は、好ましくは、単結合又は炭素数１〜８の２価の脂肪族飽和炭化水素基である。
Ｌx5は、好ましくは、炭素数１〜８の２価の脂肪族飽和炭化水素基、より好ましくは、メチレン基又はエチレン基である。
Ｌx6は、好ましくは、単結合又は炭素数１〜８の２価の脂肪族飽和炭化水素基、より好ましくは、メチレン基又はエチレン基である。
Ｌx7は、好ましくは、単結合又は炭素数１〜８の２価の脂肪族飽和炭化水素基である。
Ｌx8は、好ましくは、単結合又は炭素数１〜８の２価の脂肪族飽和炭化水素基、より好ましくは、単結合又はメチレン基である。
Ｌx9は、好ましくは、単結合又は炭素数１〜８の２価の脂肪族飽和炭化水素基、より好ましくは、単結合又はメチレン基である。
Ｗx1は、好ましくは、炭素数３〜１０の２価の脂環式飽和炭化水素基、より好ましくは、シクロヘキサンジイル基又はアダマンタンジイル基である。
式（Ｌ１−１）で表される基としては、例えば、以下に示す２価の基が挙げられる。
式（Ｌ１−２）で表される基としては、例えば、以下に示す２価の基が挙げられる。
式（Ｌ１−３）で表される基としては、例えば、以下に示す２価の基が挙げられる。
式（Ｌ１−４）で表される基としては、例えば、以下に示す２価の基が挙げられる。
Ｌ55は、好ましくは、単結合又は式（Ｌ１−１）で表される基である。
構造単位（ａ５−１）としては、以下に示す構造単位及び下記構造単位中の構造単位（ａ５−１）におけるＲ51に相当するメチル基が水素原子に置き換わった構造単位が挙げられる。
樹脂（Ａ）が、構造単位（ａ５）を含む場合、その含有率は、樹脂（Ａ）の全構造単位に対して、１〜３０モル％が好ましく、２〜２０モル％がより好ましく、３〜１５モル％がさらに好ましい。
＜構造単位（ＩＩ）＞
樹脂（Ａ）は、さらに、露光により分解して酸を発生する構造単位（以下、「構造単位（ＩＩ）」という場合がある）を含有していてもよい。構造単位（ＩＩ）としては、具体的には特開２０１６−７９２３５号公報に記載の構造単位が挙げられ、側鎖にスルホナート基若しくはカルボキシレート基と有機カチオンとを有する構造単位又は側鎖にスルホニオ基と有機アニオンとを有する構造単位であることが好ましい。
樹脂（Ａ）は、さらに、露光により分解して酸を発生する構造単位（以下、「構造単位（ＩＩ）」という場合がある）を含有していてもよい。構造単位（ＩＩ）としては、具体的には特開２０１６−７９２３５号公報に記載の構造単位が挙げられ、側鎖にスルホナート基若しくはカルボキシレート基と有機カチオンとを有する構造単位又は側鎖にスルホニオ基と有機アニオンとを有する構造単位であることが好ましい。
側鎖にスルホナート基若しくはカルボキシレート基と有機カチオンとを有する構造単位は、式（ＩＩ−２−Ａ’）で表される構造単位であることが好ましい。
［式（ＩＩ−２−Ａ’）中、
ＸIII3は、炭素数１〜１８の２価の飽和炭化水素基を表し、該飽和炭化水素基に含まれる−ＣＨ２−は、−Ｏ−、−Ｓ−又は−ＣＯ−に置き換わっていてもよく、該飽和炭化水素基に含まれる水素原子は、ハロゲン原子、ハロゲン原子を有していてもよい炭素数１〜６のアルキル基又はヒドロキシ基で置き換わっていてもよい。
Ａx1は、炭素数１〜８のアルカンジイル基を表し、該アルカンジイル基に含まれる水素原子は、フッ素原子又は炭素数１〜６のペルフルオロアルキル基で置換されていてもよい。
ＲＡ−は、スルホナート基又はカルボキシレート基を表す。
ＲIII3は、水素原子、ハロゲン原子又はハロゲン原子を有していてもよい炭素数１〜６のアルキル基を表す。
ＺＡ＋は、有機カチオンを表す。］
ＸIII3は、炭素数１〜１８の２価の飽和炭化水素基を表し、該飽和炭化水素基に含まれる−ＣＨ２−は、−Ｏ−、−Ｓ−又は−ＣＯ−に置き換わっていてもよく、該飽和炭化水素基に含まれる水素原子は、ハロゲン原子、ハロゲン原子を有していてもよい炭素数１〜６のアルキル基又はヒドロキシ基で置き換わっていてもよい。
Ａx1は、炭素数１〜８のアルカンジイル基を表し、該アルカンジイル基に含まれる水素原子は、フッ素原子又は炭素数１〜６のペルフルオロアルキル基で置換されていてもよい。
ＲＡ−は、スルホナート基又はカルボキシレート基を表す。
ＲIII3は、水素原子、ハロゲン原子又はハロゲン原子を有していてもよい炭素数１〜６のアルキル基を表す。
ＺＡ＋は、有機カチオンを表す。］
ＲIII3で表されるハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子及びヨウ素原子等が挙げられる。
ＲIII3で表されるハロゲン原子を有していてもよい炭素数１〜６のアルキル基としては、Ｒa8で表されるハロゲン原子を有していてもよい炭素数１〜６のアルキル基と同じものが挙げられる。
Ａx1で表される炭素数１〜８のアルカンジイル基としては、メチレン基、エチレン基、プロパン−１，３−ジイル基、ブタン−１，４−ジイル基、ペンタン−１，５−ジイル基、ヘキサン−１，６−ジイル基、エタン−１，１−ジイル基、プロパン−１，１−ジイル基、プロパン−１，２−ジイル基、プロパン−２，２−ジイル基、ペンタン−２，４−ジイル基、２−メチルプロパン−１，３−ジイル基、２−メチルプロパン−１，２−ジイル基、ペンタン−１，４−ジイル基、２−メチルブタン−１，４−ジイル基等が挙げられる。
Ａx1において置換されていてもよい炭素数１〜６のペルフルオロアルキル基としては、トリフルオロメチル基、ペルフルオロエチル基、ペルフルオロプロピル基、ペルフルオロイソプロピル基、ペルフルオロブチル基、ペルフルオロsec-ブチル基、ペルフルオロtert-ブチル基、ペルフルオロペンチル基、ペルフルオロヘキシル基等が挙げられる。
ＸIII3で表される炭素数１〜１８の２価の飽和炭化水素基としては、直鎖又は分岐状アルカンジイル基、単環式又は多環式の２価の脂環飽和炭化水素基が挙げられ、これらの組み合わせであってもよい。
具体的には、メチレン基、エチレン基、プロパン−１，３−ジイル基、プロパン−１，２−ジイル基、ブタン−１，４−ジイル基、ペンタン−１，５−ジイル基、ヘキサン−１，６−ジイル基、ヘプタン−１，７−ジイル基、オクタン−１，８−ジイル基、ノナン−１，９−ジイル基、デカン−１，１０−ジイル基、ウンデカン−１，１１−ジイル基、ドデカン−１，１２−ジイル基等の直鎖状アルカンジイル基；ブタン−１，３−ジイル基、２−メチルプロパン−１，３−ジイル基、２−メチルプロパン−１，２−ジイル基、ペンタン−１，４−ジイル基、２−メチルブタン−１，４−ジイル基等の分岐状アルカンジイル基；シクロブタン−１，３−ジイル基、シクロペンタン−１，３−ジイル基、シクロヘキサン−１，４−ジイル基、シクロオクタン−１，５−ジイル基等のシクロアルカンジイル基；ノルボルナン−１，４−ジイル基、ノルボルナン−２，５−ジイル基、アダマンタン−１，５−ジイル基、アダマンタン−２，６−ジイル基等の２価の多環式脂環式飽和炭化水素基等が挙げられる。
飽和炭化水素基に含まれる−ＣＨ２−が、−Ｏ−、−Ｓ−又は−ＣＯ−で置き換わったものとしては、例えば式（Ｘ１）〜式（Ｘ５３）で表される２価の基が挙げられる。ただし、飽和炭化水素基に含まれる−ＣＨ２−が、−Ｏ−、−Ｓ−又は−ＣＯ−で置き換わる前の炭素数はそれぞれ１７以下である。下記式において、＊及び＊＊は結合部位を表し、＊はＡｘ１との結合部位を表す。
ＲIII3で表されるハロゲン原子を有していてもよい炭素数１〜６のアルキル基としては、Ｒa8で表されるハロゲン原子を有していてもよい炭素数１〜６のアルキル基と同じものが挙げられる。
Ａx1で表される炭素数１〜８のアルカンジイル基としては、メチレン基、エチレン基、プロパン−１，３−ジイル基、ブタン−１，４−ジイル基、ペンタン−１，５−ジイル基、ヘキサン−１，６−ジイル基、エタン−１，１−ジイル基、プロパン−１，１−ジイル基、プロパン−１，２−ジイル基、プロパン−２，２−ジイル基、ペンタン−２，４−ジイル基、２−メチルプロパン−１，３−ジイル基、２−メチルプロパン−１，２−ジイル基、ペンタン−１，４−ジイル基、２−メチルブタン−１，４−ジイル基等が挙げられる。
Ａx1において置換されていてもよい炭素数１〜６のペルフルオロアルキル基としては、トリフルオロメチル基、ペルフルオロエチル基、ペルフルオロプロピル基、ペルフルオロイソプロピル基、ペルフルオロブチル基、ペルフルオロsec-ブチル基、ペルフルオロtert-ブチル基、ペルフルオロペンチル基、ペルフルオロヘキシル基等が挙げられる。
ＸIII3で表される炭素数１〜１８の２価の飽和炭化水素基としては、直鎖又は分岐状アルカンジイル基、単環式又は多環式の２価の脂環飽和炭化水素基が挙げられ、これらの組み合わせであってもよい。
具体的には、メチレン基、エチレン基、プロパン−１，３−ジイル基、プロパン−１，２−ジイル基、ブタン−１，４−ジイル基、ペンタン−１，５−ジイル基、ヘキサン−１，６−ジイル基、ヘプタン−１，７−ジイル基、オクタン−１，８−ジイル基、ノナン−１，９−ジイル基、デカン−１，１０−ジイル基、ウンデカン−１，１１−ジイル基、ドデカン−１，１２−ジイル基等の直鎖状アルカンジイル基；ブタン−１，３−ジイル基、２−メチルプロパン−１，３−ジイル基、２−メチルプロパン−１，２−ジイル基、ペンタン−１，４−ジイル基、２−メチルブタン−１，４−ジイル基等の分岐状アルカンジイル基；シクロブタン−１，３−ジイル基、シクロペンタン−１，３−ジイル基、シクロヘキサン−１，４−ジイル基、シクロオクタン−１，５−ジイル基等のシクロアルカンジイル基；ノルボルナン−１，４−ジイル基、ノルボルナン−２，５−ジイル基、アダマンタン−１，５−ジイル基、アダマンタン−２，６−ジイル基等の２価の多環式脂環式飽和炭化水素基等が挙げられる。
飽和炭化水素基に含まれる−ＣＨ２−が、−Ｏ−、−Ｓ−又は−ＣＯ−で置き換わったものとしては、例えば式（Ｘ１）〜式（Ｘ５３）で表される２価の基が挙げられる。ただし、飽和炭化水素基に含まれる−ＣＨ２−が、−Ｏ−、−Ｓ−又は−ＣＯ−で置き換わる前の炭素数はそれぞれ１７以下である。下記式において、＊及び＊＊は結合部位を表し、＊はＡｘ１との結合部位を表す。
Ｘ3は、２価の炭素数１〜１６の飽和炭化水素基を表す。
Ｘ4は、２価の炭素数１〜１５の飽和炭化水素基を表す。
Ｘ5は、２価の炭素数１〜１３の飽和炭化水素基を表す。
Ｘ6は、２価の炭素数１〜１４の飽和炭化水素基を表す。
Ｘ7は、３価の炭素数１〜１４の飽和炭化水素基を表す。
Ｘ8は、２価の炭素数１〜１３の飽和炭化水素基を表す。
Ｘ4は、２価の炭素数１〜１５の飽和炭化水素基を表す。
Ｘ5は、２価の炭素数１〜１３の飽和炭化水素基を表す。
Ｘ6は、２価の炭素数１〜１４の飽和炭化水素基を表す。
Ｘ7は、３価の炭素数１〜１４の飽和炭化水素基を表す。
Ｘ8は、２価の炭素数１〜１３の飽和炭化水素基を表す。
式（ＩＩ−２−Ａ’）中のＺＡ＋は、酸発生剤（Ｂ１）におけるカチオンＺ１＋と同様のものが挙げられる。
式（ＩＩ−２−Ａ’）で表される構造単位は、式（ＩＩ−２−Ａ）で表される構造単位であることが好ましい。
［式（ＩＩ−２−Ａ）中、
ＲIII3、ＸIII3及びＺＡ＋は、上記と同じ意味を表す。
ｚ２Ａは、０〜６のいずれかの整数を表す。
ＲIII2及びＲIII4は、それぞれ独立して、水素原子、フッ素原子又は炭素数１〜６のペルフルオロアルキル基を表し、ｚ２Ａが２以上のとき、複数のＲIII2及びＲIII4は互いに同一であってもよいし、異なっていてもよい。
Ｑａ及びＱｂは、それぞれ独立して、フッ素原子又は炭素数１〜６のペルフルオロアルキル基を表す。］
ＲIII2、ＲIII４、Ｑａ及びＱｂで表される炭素数１〜６のペルフルオロアルキル基としては、前述のＱｂ１で表される炭素数１〜６のペルフルオロアルキル基と同じものが挙げられる。
ＲIII3、ＸIII3及びＺＡ＋は、上記と同じ意味を表す。
ｚ２Ａは、０〜６のいずれかの整数を表す。
ＲIII2及びＲIII4は、それぞれ独立して、水素原子、フッ素原子又は炭素数１〜６のペルフルオロアルキル基を表し、ｚ２Ａが２以上のとき、複数のＲIII2及びＲIII4は互いに同一であってもよいし、異なっていてもよい。
Ｑａ及びＱｂは、それぞれ独立して、フッ素原子又は炭素数１〜６のペルフルオロアルキル基を表す。］
ＲIII2、ＲIII４、Ｑａ及びＱｂで表される炭素数１〜６のペルフルオロアルキル基としては、前述のＱｂ１で表される炭素数１〜６のペルフルオロアルキル基と同じものが挙げられる。
式（ＩＩ−２−Ａ）で表される構造単位は、式（ＩＩ−２−Ａ−１）で表される構造単位であることが好ましい。
［式（ＩＩ−２−Ａ−１）中、
ＲIII2、ＲIII3、ＲIII4、Ｑa、Ｑb及びＺＡ＋は、上記と同じ意味を表す。
ＲIII5は、炭素数１〜１２の飽和炭化水素基を表す。
ｚ２Ａ１は、０〜６のいずれかの整数を表す。
ＸI2は、炭素数１〜１１の２価の飽和炭化水素基を表し、該飽和炭化水素基に含まれる−ＣＨ２−は、−Ｏ−、−Ｓ−又は−ＣＯ−に置き換わっていてもよく、該飽和炭化水素基に含まれる水素原子は、ハロゲン原子又はヒドロキシ基で置換されていてもよい。］
ＲIII5で表される炭素数１〜１２の飽和炭化水素基としては、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ノニル基、デシル基、ウンデシル基及びドデシル基等の直鎖又は分岐のアルキル基が挙げられる。
ＸI2で表される２価の飽和炭化水素基としては、ＸIII3で表される２価の飽和炭化水素基と同様のものが挙げられる。
ＲIII2、ＲIII3、ＲIII4、Ｑa、Ｑb及びＺＡ＋は、上記と同じ意味を表す。
ＲIII5は、炭素数１〜１２の飽和炭化水素基を表す。
ｚ２Ａ１は、０〜６のいずれかの整数を表す。
ＸI2は、炭素数１〜１１の２価の飽和炭化水素基を表し、該飽和炭化水素基に含まれる−ＣＨ２−は、−Ｏ−、−Ｓ−又は−ＣＯ−に置き換わっていてもよく、該飽和炭化水素基に含まれる水素原子は、ハロゲン原子又はヒドロキシ基で置換されていてもよい。］
ＲIII5で表される炭素数１〜１２の飽和炭化水素基としては、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ノニル基、デシル基、ウンデシル基及びドデシル基等の直鎖又は分岐のアルキル基が挙げられる。
ＸI2で表される２価の飽和炭化水素基としては、ＸIII3で表される２価の飽和炭化水素基と同様のものが挙げられる。
式（ＩＩ−２−Ａ−１）で表される構造単位としては、式（ＩＩ−２−Ａ−２）で表される構造単位がさらに好ましい。
［式（ＩＩ−２−Ａ−２）中、
ＲIII3、ＲIII5及びＺＡ＋は、上記と同じ意味を表す。
ｍＡ及びｎＡは、それぞれ独立に、１又は２を表す。］
ＲIII3、ＲIII5及びＺＡ＋は、上記と同じ意味を表す。
ｍＡ及びｎＡは、それぞれ独立に、１又は２を表す。］
式（ＩＩ−２−Ａ’）で表される構造単位としては、例えば、以下の構造単位、ＲIII3のメチル基に相当する基が、水素原子、ハロゲン原子（例えば、フッ素原子）又はハロゲン原子を有していてもよい炭素数１〜６のアルキル基（例えば、トリフルオロメチル基等）に置き換わった構造単位及び国際公開第２０１２／０５００１５号記載の構造単位が挙げられる。ＺＡ＋は、有機カチオンを表す。
側鎖にスルホニオ基と有機アニオンとを有する構造単位は、式（ＩＩ−１−１）で表される構造単位であることが好ましい。
［式（ＩＩ−１−１）中、
ＡII1は、単結合又は２価の連結基を表す。
ＲII1は、炭素数６〜１８の２価の芳香族炭化水素基を表す。
ＲII2及びＲII3は、それぞれ独立して、炭素数１〜１８の炭化水素基を表し、ＲII2及びＲII3は互いに結合してそれらが結合する硫黄原子とともに環を形成していてもよい。
ＲII4は、水素原子、ハロゲン原子又はハロゲン原子を有してもよい炭素数１〜６のアルキル基を表す。
Ａ−は、有機アニオンを表す。］
ＲII1で表される炭素数６〜１８の２価の芳香族炭化水素基としては、フェニレン基及びナフチレン基等が挙げられる。
ＲII2及びＲII3で表される炭化水素基としては、アルキル基、脂環式炭化水素基、芳香族炭化水素基及びこれらを組み合わせることにより形成される基等が挙げられる。
アルキル基及び脂環式炭化水素基は、上記と同様のものが挙げられる。
芳香族炭化水素基としては、フェニル基、ナフチル基、アントリル基、ビフェニル基、フェナントリル基等のアリール基が挙げられる。
組み合わせた基としては、上述したアルキル基と脂環式炭化水素基とを組み合わせた基、ベンジル基等のアラルキル基、アルキル基を有する芳香族炭化水素基（ｐ−メチルフェニル基、ｐ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル基、トリル基、キシリル基、クメニル基、メシチル基、２，６−ジエチルフェニル基、２−メチル−６−エチルフェニル基等）、脂環式炭化水素基を有する芳香族炭化水素基（ｐ−シクロヘキシルフェニル基、ｐ−アダマンチルフェニル基等）、フェニルシクロヘキシル基等のアリール−シクロアルキル基等が挙げられる。
ＲII4で表されるハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子及びヨウ素原子等が挙げられる。
ＲII4で表されるハロゲン原子を有していてもよい炭素数１〜６のアルキル基としては、Ｒa8で表されるハロゲン原子を有していてもよい炭素数１〜６のアルキル基と同じものが挙げられる。
ＡII1で表される２価の連結基としては、例えば、炭素数１〜１８の２価の飽和炭化水素基が挙げられ、該２価の飽和炭化水素基に含まれる−ＣＨ２−は、−Ｏ−、−Ｓ−又は−ＣＯ−で置き換わっていてもよい。具体的には、ＸIII3で表される炭素数１〜１８の２価の飽和炭化水素基と同じものが挙げられる。
ＡII1は、単結合又は２価の連結基を表す。
ＲII1は、炭素数６〜１８の２価の芳香族炭化水素基を表す。
ＲII2及びＲII3は、それぞれ独立して、炭素数１〜１８の炭化水素基を表し、ＲII2及びＲII3は互いに結合してそれらが結合する硫黄原子とともに環を形成していてもよい。
ＲII4は、水素原子、ハロゲン原子又はハロゲン原子を有してもよい炭素数１〜６のアルキル基を表す。
Ａ−は、有機アニオンを表す。］
ＲII1で表される炭素数６〜１８の２価の芳香族炭化水素基としては、フェニレン基及びナフチレン基等が挙げられる。
ＲII2及びＲII3で表される炭化水素基としては、アルキル基、脂環式炭化水素基、芳香族炭化水素基及びこれらを組み合わせることにより形成される基等が挙げられる。
アルキル基及び脂環式炭化水素基は、上記と同様のものが挙げられる。
芳香族炭化水素基としては、フェニル基、ナフチル基、アントリル基、ビフェニル基、フェナントリル基等のアリール基が挙げられる。
組み合わせた基としては、上述したアルキル基と脂環式炭化水素基とを組み合わせた基、ベンジル基等のアラルキル基、アルキル基を有する芳香族炭化水素基（ｐ−メチルフェニル基、ｐ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル基、トリル基、キシリル基、クメニル基、メシチル基、２，６−ジエチルフェニル基、２−メチル−６−エチルフェニル基等）、脂環式炭化水素基を有する芳香族炭化水素基（ｐ−シクロヘキシルフェニル基、ｐ−アダマンチルフェニル基等）、フェニルシクロヘキシル基等のアリール−シクロアルキル基等が挙げられる。
ＲII4で表されるハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子及びヨウ素原子等が挙げられる。
ＲII4で表されるハロゲン原子を有していてもよい炭素数１〜６のアルキル基としては、Ｒa8で表されるハロゲン原子を有していてもよい炭素数１〜６のアルキル基と同じものが挙げられる。
ＡII1で表される２価の連結基としては、例えば、炭素数１〜１８の２価の飽和炭化水素基が挙げられ、該２価の飽和炭化水素基に含まれる−ＣＨ２−は、−Ｏ−、−Ｓ−又は−ＣＯ−で置き換わっていてもよい。具体的には、ＸIII3で表される炭素数１〜１８の２価の飽和炭化水素基と同じものが挙げられる。
式（ＩＩ−１−１）中のカチオンを含む構造単位としては、以下で表される構造単位及びＲII4のメチル基に相当する基が、水素原子、ハロゲン原子（例えば、フッ素原子）又はハロゲン原子を有していてもよい炭素数１〜６のアルキル基（例えば、トリフルオロメチル基等）等に置き換わった構造単位などが挙げられる。
Ａ−で表される有機アニオンとしては、スルホン酸アニオン、スルホニルイミドアニオン、スルホニルメチドアニオン及びカルボン酸アニオン等が挙げられる。Ａ−で表される有機アニオンは、スルホン酸アニオンが好ましく、スルホン酸アニオンとしては、前述の式（Ｂ１）で表される塩に含まれるアニオンであることがより好ましい。
Ａ−で表されるスルホニルイミドアニオンとしては、以下のものが挙げられる。
スルホニルメチドアニオンとしては、以下のものが挙げられる。
カルボン酸アニオンとしては、以下のものが挙げられる。
式（ＩＩ−１−１）で表される構造単位としては、以下で表される構造単位などが挙げられる。
樹脂（Ａ）中に、構造単位（ＩＩ）を含有する場合の構造単位（ＩＩ）の含有率は、樹脂（Ａ）の全構造単位に対して、好ましくは１〜２０モル％であり、より好ましくは２〜１５モル％であり、さらに好ましくは３〜１０モル％である。
樹脂（Ａ）は、上述の構造単位以外の構造単位を含んでいてもよく、このような構造単位としては、当技術分野で周知の構造単位が挙げられる。
樹脂（Ａ）は、好ましくは、構造単位（ａ１）と構造単位（ｓ）とからなる樹脂である。
構造単位（ａ１）は、好ましくは構造単位（ａ１−０）、構造単位（ａ１−１）及び構造単位（ａ１−２）（好ましくはシクロヘキシル基、又はシクロペンチル基を有する該構造単位）からなる群から選ばれる少なくとも一種であり、より好ましくは少なくとも二種であり、さらに好ましくは、構造単位（ａ１−１）及び／又は構造単位（ａ１−２）である。
構造単位（ｓ）は、好ましくは構造単位（ａ２）及び構造単位（ａ３）からなる群から選ばれる少なくとも一種である。構造単位（ａ２）は、好ましくは式（ａ２−Ａ）で表される構造単位又は式（ａ２−１）で表される構造単位である。構造単位（ａ３）は、好ましくは式（ａ３−１）で表される構造単位、式（ａ３−２）で表される構造単位及び式（ａ３−４）で表される構造単位からなる群から選ばれる少なくとも一種である。
構造単位（ａ１）は、好ましくは構造単位（ａ１−０）、構造単位（ａ１−１）及び構造単位（ａ１−２）（好ましくはシクロヘキシル基、又はシクロペンチル基を有する該構造単位）からなる群から選ばれる少なくとも一種であり、より好ましくは少なくとも二種であり、さらに好ましくは、構造単位（ａ１−１）及び／又は構造単位（ａ１−２）である。
構造単位（ｓ）は、好ましくは構造単位（ａ２）及び構造単位（ａ３）からなる群から選ばれる少なくとも一種である。構造単位（ａ２）は、好ましくは式（ａ２−Ａ）で表される構造単位又は式（ａ２−１）で表される構造単位である。構造単位（ａ３）は、好ましくは式（ａ３−１）で表される構造単位、式（ａ３−２）で表される構造単位及び式（ａ３−４）で表される構造単位からなる群から選ばれる少なくとも一種である。
樹脂（Ａ）を構成する各構造単位は、１種のみ又は２種以上を組み合わせて用いてもよく、これら構造単位を導くモノマーを用いて、公知の重合法（例えばラジカル重合法）によって製造することができる。樹脂（Ａ）が有する各構造単位の含有率は、重合に用いるモノマーの使用量で調整できる。
樹脂（Ａ）の重量平均分子量は、好ましくは、２，０００以上（より好ましくは２，５００以上、さらに好ましくは３，０００以上）、５０，０００以下（より好ましくは３０，０００以下、さらに好ましくは１５，０００以下）である。本明細書では、重量平均分子量は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィーで実施例に記載の条件により求めた値である。
樹脂（Ａ）の重量平均分子量は、好ましくは、２，０００以上（より好ましくは２，５００以上、さらに好ましくは３，０００以上）、５０，０００以下（より好ましくは３０，０００以下、さらに好ましくは１５，０００以下）である。本明細書では、重量平均分子量は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィーで実施例に記載の条件により求めた値である。
＜樹脂（Ａ）以外の樹脂＞
本発明のレジスト組成物は、樹脂（Ａ）以外の樹脂を併用してもよい。
樹脂（Ａ）以外の樹脂としては、例えば、構造単位（ａ４）又は構造単位（ａ５）を含有する樹脂（以下、樹脂（Ｘ）という場合がある）等が挙げられる。
樹脂（Ｘ）としては、なかでも、構造単位（ａ４）を含む樹脂が好ましい。
樹脂（Ｘ）において、構造単位（ａ４）の含有率は、樹脂（Ｘ）の全構造単位の合計に対して、３０モル％以上であることが好ましく、４０モル％以上であることがより好ましく、４５モル％以上であることがさらに好ましい。
樹脂（Ｘ）がさらに有していてもよい構造単位としては、構造単位（ａ２）、構造単位（ａ３）及びその他の公知のモノマーに由来する構造単位が挙げられる。中でも、樹脂（Ｘ）は、構造単位（ａ４）及び／又は構造単位（ａ５）のみからなる樹脂であることが好ましく、構造単位（ａ４）のみからなる樹脂であることがより好ましい。
樹脂（Ｘ）を構成する各構造単位は、１種のみ又は２種以上を組合せて用いてもよく、これら構造単位を誘導するモノマーを用いて、公知の重合法（例えばラジカル重合法）によって製造することができる。樹脂（Ｘ）が有する各構造単位の含有率は、重合に用いるモノマーの使用量で調整できる。
樹脂（Ｘ）の重量平均分子量は、好ましくは６，０００以上（より好ましくは７，０００以上）、８０，０００以下（より好ましくは６０，０００以下）である。樹脂（Ｘ）の重量平均分子量の測定手段は、樹脂（Ａ）の場合と同様である。
また、レジスト組成物が樹脂（Ｘ）を含む場合、その含有量は、樹脂（Ａ）１００質量部に対して、好ましくは１〜６０質量部であり、より好ましくは１〜５０質量部であり、さらに好ましくは１〜４０質量部であり、より一層好ましくは１〜３０質量部であり、さらに一層好ましくは１〜８質量部である。
本発明のレジスト組成物は、樹脂（Ａ）以外の樹脂を併用してもよい。
樹脂（Ａ）以外の樹脂としては、例えば、構造単位（ａ４）又は構造単位（ａ５）を含有する樹脂（以下、樹脂（Ｘ）という場合がある）等が挙げられる。
樹脂（Ｘ）としては、なかでも、構造単位（ａ４）を含む樹脂が好ましい。
樹脂（Ｘ）において、構造単位（ａ４）の含有率は、樹脂（Ｘ）の全構造単位の合計に対して、３０モル％以上であることが好ましく、４０モル％以上であることがより好ましく、４５モル％以上であることがさらに好ましい。
樹脂（Ｘ）がさらに有していてもよい構造単位としては、構造単位（ａ２）、構造単位（ａ３）及びその他の公知のモノマーに由来する構造単位が挙げられる。中でも、樹脂（Ｘ）は、構造単位（ａ４）及び／又は構造単位（ａ５）のみからなる樹脂であることが好ましく、構造単位（ａ４）のみからなる樹脂であることがより好ましい。
樹脂（Ｘ）を構成する各構造単位は、１種のみ又は２種以上を組合せて用いてもよく、これら構造単位を誘導するモノマーを用いて、公知の重合法（例えばラジカル重合法）によって製造することができる。樹脂（Ｘ）が有する各構造単位の含有率は、重合に用いるモノマーの使用量で調整できる。
樹脂（Ｘ）の重量平均分子量は、好ましくは６，０００以上（より好ましくは７，０００以上）、８０，０００以下（より好ましくは６０，０００以下）である。樹脂（Ｘ）の重量平均分子量の測定手段は、樹脂（Ａ）の場合と同様である。
また、レジスト組成物が樹脂（Ｘ）を含む場合、その含有量は、樹脂（Ａ）１００質量部に対して、好ましくは１〜６０質量部であり、より好ましくは１〜５０質量部であり、さらに好ましくは１〜４０質量部であり、より一層好ましくは１〜３０質量部であり、さらに一層好ましくは１〜８質量部である。
レジスト組成物における樹脂（Ａ）の含有率は、レジスト組成物の固形分に対して、８０質量％以上９９質量％以下であることが好ましく、９０質量％以上９９質量％以下がより好ましい。また、樹脂（Ａ）以外の樹脂を含む場合は、樹脂（Ａ）と樹脂（Ａ）以外の樹脂との合計含有率は、レジスト組成物の固形分に対して、８０質量％以上９９質量％以下であることが好ましく、９０質量％以上９９質量％以下がより好ましい。レジスト組成物の固形分及びこれに対する樹脂の含有率は、液体クロマトグラフィー又はガスクロマトグラフィー等の公知の分析手段で測定することができる。
＜溶剤（Ｅ）＞
溶剤（Ｅ）の含有率は、レジスト組成物中、通常９０質量％以上９９．９質量％以下であり、好ましくは９２質量％以上９９質量％以下であり、より好ましくは９４質量％以上９９質量％以下である。溶剤（Ｅ）の含有率は、例えば液体クロマトグラフィー又はガスクロマトグラフィー等の公知の分析手段で測定できる。
溶剤（Ｅ）としては、エチルセロソルブアセテート、メチルセロソルブアセテート及びプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート等のグリコールエーテルエステル類；プロピレングリコールモノメチルエーテル等のグリコールエーテル類；乳酸エチル、酢酸ブチル、酢酸アミル及びピルビン酸エチル等のエステル類；アセトン、メチルイソブチルケトン、２−ヘプタノン及びシクロヘキサノン等のケトン類；γ−ブチロラクトン等の環状エステル類；等を挙げることができる。溶剤（Ｅ）の１種を単独で使用してもよく、２種以上を使用してもよい。
溶剤（Ｅ）の含有率は、レジスト組成物中、通常９０質量％以上９９．９質量％以下であり、好ましくは９２質量％以上９９質量％以下であり、より好ましくは９４質量％以上９９質量％以下である。溶剤（Ｅ）の含有率は、例えば液体クロマトグラフィー又はガスクロマトグラフィー等の公知の分析手段で測定できる。
溶剤（Ｅ）としては、エチルセロソルブアセテート、メチルセロソルブアセテート及びプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート等のグリコールエーテルエステル類；プロピレングリコールモノメチルエーテル等のグリコールエーテル類；乳酸エチル、酢酸ブチル、酢酸アミル及びピルビン酸エチル等のエステル類；アセトン、メチルイソブチルケトン、２−ヘプタノン及びシクロヘキサノン等のケトン類；γ−ブチロラクトン等の環状エステル類；等を挙げることができる。溶剤（Ｅ）の１種を単独で使用してもよく、２種以上を使用してもよい。
＜クエンチャー（Ｃ）＞
クエンチャー（Ｃ）は、塩基性の含窒素有機化合物又は酸発生剤（Ｂ）から発生する酸よりも酸性度の弱い酸を発生する塩（但し、式（Ｉ）で表されるカルボン酸塩を除く。）が挙げられる。レジスト組成物がクエンチャー（Ｃ）を含有する場合、クエンチャー（Ｃ）の含有量は、レジスト組成物の固形分量を基準に、０．０１〜１５質量％程度であることが好ましく、０．０１〜１０質量％程度であることがより好ましく、０．０１〜７質量％程度であることがさらに好ましく、０．１〜３質量％程度であることがさらにより好ましい。
塩基性の含窒素有機化合物としては、アミン及びアンモニウム塩が挙げられる。アミンとしては、脂肪族アミン及び芳香族アミンが挙げられる。脂肪族アミンとしては、第一級アミン、第二級アミン及び第三級アミンが挙げられる。
アミンとしては、１−ナフチルアミン、２−ナフチルアミン、アニリン、ジイソプロピルアニリン、２−，３−又は４−メチルアニリン、４−ニトロアニリン、Ｎ−メチルアニリン、Ｎ，Ｎ−ジメチルアニリン、ジフェニルアミン、ヘキシルアミン、ヘプチルアミン、オクチルアミン、ノニルアミン、デシルアミン、ジブチルアミン、ジペンチルアミン、ジヘキシルアミン、ジヘプチルアミン、ジオクチルアミン、ジノニルアミン、ジデシルアミン、トリエチルアミン、トリメチルアミン、トリプロピルアミン、トリブチルアミン、トリペンチルアミン、トリヘキシルアミン、トリヘプチルアミン、トリオクチルアミン、トリノニルアミン、トリデシルアミン、メチルジブチルアミン、メチルジペンチルアミン、メチルジヘキシルアミン、メチルジシクロヘキシルアミン、メチルジヘプチルアミン、メチルジオクチルアミン、メチルジノニルアミン、メチルジデシルアミン、エチルジブチルアミン、エチルジペンチルアミン、エチルジヘキシルアミン、エチルジヘプチルアミン、エチルジオクチルアミン、エチルジノニルアミン、エチルジデシルアミン、ジシクロヘキシルメチルアミン、トリス〔２−（２−メトキシエトキシ）エチル〕アミン、トリイソプロパノールアミン、エチレンジアミン、テトラメチレンジアミン、ヘキサメチレンジアミン、４，４’−ジアミノ−１，２−ジフェニルエタン、４，４’−ジアミノ−３，３’−ジメチルジフェニルメタン、４，４’−ジアミノ−３，３’−ジエチルジフェニルメタン、２，２’−メチレンビスアニリン、イミダゾール、４−メチルイミダゾール、ピリジン、４−メチルピリジン、１，２−ジ（２−ピリジル）エタン、１，２−ジ（４−ピリジル）エタン、１，２−ジ（２−ピリジル）エテン、１，２−ジ（４−ピリジル）エテン、１，３−ジ（４−ピリジル）プロパン、１，２−ジ（４−ピリジルオキシ）エタン、ジ（２−ピリジル）ケトン、４，４’−ジピリジルスルフィド、４，４’−ジピリジルジスルフィド、２，２’−ジピリジルアミン、２，２’−ジピコリルアミン、ビピリジン等が挙げられ、好ましくはジイソプロピルアニリン等の芳香族アミンが挙げられ、より好ましくは２，６−ジイソプロピルアニリンが挙げられる。
アンモニウム塩としては、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド、テトライソプロピルアンモニウムヒドロキシド、テトラブチルアンモニウムヒドロキシド、テトラヘキシルアンモニウムヒドロキシド、テトラオクチルアンモニウムヒドロキシド、フェニルトリメチルアンモニウムヒドロキシド、３−（トリフルオロメチル）フェニルトリメチルアンモニウムヒドロキシド、テトラ−ｎ−ブチルアンモニウムサリチラート及びコリン等が挙げられる。
クエンチャー（Ｃ）は、塩基性の含窒素有機化合物又は酸発生剤（Ｂ）から発生する酸よりも酸性度の弱い酸を発生する塩（但し、式（Ｉ）で表されるカルボン酸塩を除く。）が挙げられる。レジスト組成物がクエンチャー（Ｃ）を含有する場合、クエンチャー（Ｃ）の含有量は、レジスト組成物の固形分量を基準に、０．０１〜１５質量％程度であることが好ましく、０．０１〜１０質量％程度であることがより好ましく、０．０１〜７質量％程度であることがさらに好ましく、０．１〜３質量％程度であることがさらにより好ましい。
塩基性の含窒素有機化合物としては、アミン及びアンモニウム塩が挙げられる。アミンとしては、脂肪族アミン及び芳香族アミンが挙げられる。脂肪族アミンとしては、第一級アミン、第二級アミン及び第三級アミンが挙げられる。
アミンとしては、１−ナフチルアミン、２−ナフチルアミン、アニリン、ジイソプロピルアニリン、２−，３−又は４−メチルアニリン、４−ニトロアニリン、Ｎ−メチルアニリン、Ｎ，Ｎ−ジメチルアニリン、ジフェニルアミン、ヘキシルアミン、ヘプチルアミン、オクチルアミン、ノニルアミン、デシルアミン、ジブチルアミン、ジペンチルアミン、ジヘキシルアミン、ジヘプチルアミン、ジオクチルアミン、ジノニルアミン、ジデシルアミン、トリエチルアミン、トリメチルアミン、トリプロピルアミン、トリブチルアミン、トリペンチルアミン、トリヘキシルアミン、トリヘプチルアミン、トリオクチルアミン、トリノニルアミン、トリデシルアミン、メチルジブチルアミン、メチルジペンチルアミン、メチルジヘキシルアミン、メチルジシクロヘキシルアミン、メチルジヘプチルアミン、メチルジオクチルアミン、メチルジノニルアミン、メチルジデシルアミン、エチルジブチルアミン、エチルジペンチルアミン、エチルジヘキシルアミン、エチルジヘプチルアミン、エチルジオクチルアミン、エチルジノニルアミン、エチルジデシルアミン、ジシクロヘキシルメチルアミン、トリス〔２−（２−メトキシエトキシ）エチル〕アミン、トリイソプロパノールアミン、エチレンジアミン、テトラメチレンジアミン、ヘキサメチレンジアミン、４，４’−ジアミノ−１，２−ジフェニルエタン、４，４’−ジアミノ−３，３’−ジメチルジフェニルメタン、４，４’−ジアミノ−３，３’−ジエチルジフェニルメタン、２，２’−メチレンビスアニリン、イミダゾール、４−メチルイミダゾール、ピリジン、４−メチルピリジン、１，２−ジ（２−ピリジル）エタン、１，２−ジ（４−ピリジル）エタン、１，２−ジ（２−ピリジル）エテン、１，２−ジ（４−ピリジル）エテン、１，３−ジ（４−ピリジル）プロパン、１，２−ジ（４−ピリジルオキシ）エタン、ジ（２−ピリジル）ケトン、４，４’−ジピリジルスルフィド、４，４’−ジピリジルジスルフィド、２，２’−ジピリジルアミン、２，２’−ジピコリルアミン、ビピリジン等が挙げられ、好ましくはジイソプロピルアニリン等の芳香族アミンが挙げられ、より好ましくは２，６−ジイソプロピルアニリンが挙げられる。
アンモニウム塩としては、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド、テトライソプロピルアンモニウムヒドロキシド、テトラブチルアンモニウムヒドロキシド、テトラヘキシルアンモニウムヒドロキシド、テトラオクチルアンモニウムヒドロキシド、フェニルトリメチルアンモニウムヒドロキシド、３−（トリフルオロメチル）フェニルトリメチルアンモニウムヒドロキシド、テトラ−ｎ−ブチルアンモニウムサリチラート及びコリン等が挙げられる。
酸発生剤（Ｂ）から発生する酸よりも酸性度の弱い酸を発生する塩における酸性度は、酸解離定数（ｐＫａ）で示される。酸発生剤（Ｂ）から発生する酸よりも酸性度の弱い酸を発生する塩は、該塩から発生する酸の酸解離定数が、通常−３＜ｐＫａの塩であり、好ましくは−１＜ｐＫａ＜７の塩であり、より好ましくは０＜ｐＫａ＜５の塩である。
酸発生剤（Ｂ）から発生する酸よりも酸性度の弱い酸を発生する塩としては、下記式で表される塩、特開２０１５−１４７９２６号公報記載の式（Ｄ）で表される塩（以下、「弱酸分子内塩（Ｄ）」という場合がある。）、並びに特開２０１２−２２９２０６号公報、特開２０１２−６９０８号公報、特開２０１２−７２１０９号公報、特開２０１１−３９５０２号公報及び特開２０１１−１９１７４５号公報記載の塩が挙げられる。好ましくは、酸発生剤（Ｂ）から発生する酸よりも酸性度の弱いカルボン酸を発生する塩（カルボン酸アニオンを有する塩）であり、より好ましくは、弱酸分子内塩（Ｄ）である。
酸発生剤（Ｂ）から発生する酸よりも酸性度の弱い酸を発生する塩としては、下記式で表される塩、特開２０１５−１４７９２６号公報記載の式（Ｄ）で表される塩（以下、「弱酸分子内塩（Ｄ）」という場合がある。）、並びに特開２０１２−２２９２０６号公報、特開２０１２−６９０８号公報、特開２０１２−７２１０９号公報、特開２０１１−３９５０２号公報及び特開２０１１−１９１７４５号公報記載の塩が挙げられる。好ましくは、酸発生剤（Ｂ）から発生する酸よりも酸性度の弱いカルボン酸を発生する塩（カルボン酸アニオンを有する塩）であり、より好ましくは、弱酸分子内塩（Ｄ）である。
弱酸分子内塩（Ｄ）としては、以下の塩が挙げられる。
〈その他の成分〉
本発明のレジスト組成物は、必要に応じて、上述の成分以外の成分（以下「その他の成分（Ｆ）」という場合がある。）を含有していてもよい。その他の成分（Ｆ）に特に限定はなく、レジスト分野で公知の添加剤、例えば、増感剤、溶解抑止剤、界面活性剤、安定剤、染料等を利用できる。
本発明のレジスト組成物は、必要に応じて、上述の成分以外の成分（以下「その他の成分（Ｆ）」という場合がある。）を含有していてもよい。その他の成分（Ｆ）に特に限定はなく、レジスト分野で公知の添加剤、例えば、増感剤、溶解抑止剤、界面活性剤、安定剤、染料等を利用できる。
〈レジスト組成物の調製〉
本発明のレジスト組成物は、カルボン酸塩（Ｉ）、樹脂（Ａ）及び酸発生剤（Ｂ）、並びに、必要に応じて、樹脂（Ａ）以外の樹脂、溶剤（Ｅ）、クエンチャー（Ｃ）及びその他の成分（Ｆ）を混合することにより調製することができる。混合順は任意であり、特に限定されるものではない。混合する際の温度は、１０〜４０℃から、樹脂等の種類や樹脂等の溶剤（Ｅ）に対する溶解度等に応じて適切な温度を選ぶことができる。混合時間は、混合温度に応じて、０．５〜２４時間の中から適切な時間を選ぶことができる。なお、混合手段も特に制限はなく、攪拌混合等を用いることができる。
各成分を混合した後は、孔径０．００３〜０．２μｍ程度のフィルターを用いてろ過することが好ましい。
本発明のレジスト組成物は、カルボン酸塩（Ｉ）、樹脂（Ａ）及び酸発生剤（Ｂ）、並びに、必要に応じて、樹脂（Ａ）以外の樹脂、溶剤（Ｅ）、クエンチャー（Ｃ）及びその他の成分（Ｆ）を混合することにより調製することができる。混合順は任意であり、特に限定されるものではない。混合する際の温度は、１０〜４０℃から、樹脂等の種類や樹脂等の溶剤（Ｅ）に対する溶解度等に応じて適切な温度を選ぶことができる。混合時間は、混合温度に応じて、０．５〜２４時間の中から適切な時間を選ぶことができる。なお、混合手段も特に制限はなく、攪拌混合等を用いることができる。
各成分を混合した後は、孔径０．００３〜０．２μｍ程度のフィルターを用いてろ過することが好ましい。
〈レジストパターンの製造方法〉
本発明のレジストパターンの製造方法は、
（１）本発明のレジスト組成物を基板上に塗布する工程、
（２）塗布後の組成物を乾燥させて組成物層を形成する工程、
（３）組成物層に露光する工程、
（４）露光後の組成物層を加熱する工程、及び
（５）加熱後の組成物層を現像する工程を含む。
レジスト組成物を基板上に塗布するには、スピンコーター等、通常、用いられる装置によって行うことができる。基板としては、シリコンウェハ等の無機基板が挙げられる。レジスト組成物を塗布する前に、基板を洗浄してもよく、基板上に反射防止膜等が形成されていてもよい。
塗布後の組成物を乾燥することにより、溶剤を除去し、組成物層を形成する。乾燥は、例えば、ホットプレート等の加熱装置を用いて溶剤を蒸発させること（いわゆるプリベーク）により行うか、あるいは減圧装置を用いて行う。加熱温度は、５０〜２００℃であることが好ましく、加熱時間は、１０〜１８０秒間であることが好ましい。また、減圧乾燥する際の圧力は、１〜１．０×１０5Ｐａ程度であることが好ましい。
得られた組成物層に、通常、露光機を用いて露光する。露光機は、液浸露光機であってもよい。露光光源としては、ＫｒＦエキシマレーザ（波長２４８ｎｍ）、ＡｒＦエキシマレーザ（波長１９３ｎｍ）、Ｆ2エキシマレーザ（波長１５７ｎｍ）のような紫外域のレーザ光を放射するもの、固体レーザ光源（ＹＡＧ又は半導体レーザ等）からのレーザ光を波長変換して遠紫外域または真空紫外域の高調波レーザ光を放射するもの、電子線や、超紫外光（ＥＵＶ）を照射するもの等、種々のものを用いることができる。尚、本明細書において、これらの放射線を照射することを総称して「露光」という場合がある。露光の際、通常、求められるパターンに相当するマスクを介して露光が行われる。露光光源が電子線の場合は、マスクを用いずに直接描画により露光してもよい。
露光後の組成物層を、酸不安定基における脱保護反応を促進するために加熱処理（いわゆるポストエキスポジャーベーク）を行う。加熱温度は、通常５０〜２００℃程度、好ましくは７０〜１５０℃程度である。
加熱後の組成物層を、通常、現像装置を用いて、現像液を利用して現像する。現像方法としては、ディップ法、パドル法、スプレー法、ダイナミックディスペンス法等が挙げられる。現像温度は、例えば、５〜６０℃であることが好ましく、現像時間は、例えば、５〜３００秒間であることが好ましい。現像液の種類を以下のとおりに選択することにより、ポジ型レジストパターン又はネガ型レジストパターンを製造できる。
本発明のレジスト組成物からポジ型レジストパターンを製造する場合は、現像液としてアルカリ現像液を用いる。アルカリ現像液は、この分野で用いられる各種のアルカリ性水溶液であればよい。例えば、テトラメチルアンモニウムヒドロキシドや（２−ヒドロキシエチル）トリメチルアンモニウムヒドロキシド（通称コリン）の水溶液等が挙げられる。アルカリ現像液には、界面活性剤が含まれていてもよい。
現像後レジストパターンを超純水で洗浄し、次いで、基板及びパターン上に残った水を除去することが好ましい。
本発明のレジスト組成物からネガ型レジストパターンを製造する場合は、現像液として有機溶剤を含む現像液（以下「有機系現像液」という場合がある）を用いる。
有機系現像液に含まれる有機溶剤としては、２−ヘキサノン、２−ヘプタノン等のケトン溶剤；プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート等のグリコールエーテルエステル溶剤；酢酸ブチル等のエステル溶剤；プロピレングリコールモノメチルエーテル等のグリコールエーテル溶剤；Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド等のアミド溶剤；アニソール等の芳香族炭化水素溶剤等が挙げられる。
有機系現像液中、有機溶剤の含有率は、９０質量％以上１００質量％以下が好ましく、９５質量％以上１００質量％以下がより好ましく、実質的に有機溶剤のみであることがさらに好ましい。
中でも、有機系現像液としては、酢酸ブチル及び／又は２−ヘプタノンを含む現像液が好ましい。有機系現像液中、酢酸ブチル及び２−ヘプタノンの合計含有率は、５０質量％以上１００質量％以下が好ましく、９０質量％以上１００質量％以下がより好ましく、実質的に酢酸ブチル及び／又は２−ヘプタノンのみであることがさらに好ましい。
有機系現像液には、界面活性剤が含まれていてもよい。また、有機系現像液には、微量の水分が含まれていてもよい。
現像の際、有機系現像液とは異なる種類の溶剤に置換することにより、現像を停止してもよい。
現像後のレジストパターンをリンス液で洗浄することが好ましい。リンス液としては、レジストパターンを溶解しないものであれば特に制限はなく、一般的な有機溶剤を含む溶液を使用することができ、好ましくはアルコール溶剤又はエステル溶剤である。
洗浄後は、基板及びパターン上に残ったリンス液を除去することが好ましい。
本発明のレジストパターンの製造方法は、
（１）本発明のレジスト組成物を基板上に塗布する工程、
（２）塗布後の組成物を乾燥させて組成物層を形成する工程、
（３）組成物層に露光する工程、
（４）露光後の組成物層を加熱する工程、及び
（５）加熱後の組成物層を現像する工程を含む。
レジスト組成物を基板上に塗布するには、スピンコーター等、通常、用いられる装置によって行うことができる。基板としては、シリコンウェハ等の無機基板が挙げられる。レジスト組成物を塗布する前に、基板を洗浄してもよく、基板上に反射防止膜等が形成されていてもよい。
塗布後の組成物を乾燥することにより、溶剤を除去し、組成物層を形成する。乾燥は、例えば、ホットプレート等の加熱装置を用いて溶剤を蒸発させること（いわゆるプリベーク）により行うか、あるいは減圧装置を用いて行う。加熱温度は、５０〜２００℃であることが好ましく、加熱時間は、１０〜１８０秒間であることが好ましい。また、減圧乾燥する際の圧力は、１〜１．０×１０5Ｐａ程度であることが好ましい。
得られた組成物層に、通常、露光機を用いて露光する。露光機は、液浸露光機であってもよい。露光光源としては、ＫｒＦエキシマレーザ（波長２４８ｎｍ）、ＡｒＦエキシマレーザ（波長１９３ｎｍ）、Ｆ2エキシマレーザ（波長１５７ｎｍ）のような紫外域のレーザ光を放射するもの、固体レーザ光源（ＹＡＧ又は半導体レーザ等）からのレーザ光を波長変換して遠紫外域または真空紫外域の高調波レーザ光を放射するもの、電子線や、超紫外光（ＥＵＶ）を照射するもの等、種々のものを用いることができる。尚、本明細書において、これらの放射線を照射することを総称して「露光」という場合がある。露光の際、通常、求められるパターンに相当するマスクを介して露光が行われる。露光光源が電子線の場合は、マスクを用いずに直接描画により露光してもよい。
露光後の組成物層を、酸不安定基における脱保護反応を促進するために加熱処理（いわゆるポストエキスポジャーベーク）を行う。加熱温度は、通常５０〜２００℃程度、好ましくは７０〜１５０℃程度である。
加熱後の組成物層を、通常、現像装置を用いて、現像液を利用して現像する。現像方法としては、ディップ法、パドル法、スプレー法、ダイナミックディスペンス法等が挙げられる。現像温度は、例えば、５〜６０℃であることが好ましく、現像時間は、例えば、５〜３００秒間であることが好ましい。現像液の種類を以下のとおりに選択することにより、ポジ型レジストパターン又はネガ型レジストパターンを製造できる。
本発明のレジスト組成物からポジ型レジストパターンを製造する場合は、現像液としてアルカリ現像液を用いる。アルカリ現像液は、この分野で用いられる各種のアルカリ性水溶液であればよい。例えば、テトラメチルアンモニウムヒドロキシドや（２−ヒドロキシエチル）トリメチルアンモニウムヒドロキシド（通称コリン）の水溶液等が挙げられる。アルカリ現像液には、界面活性剤が含まれていてもよい。
現像後レジストパターンを超純水で洗浄し、次いで、基板及びパターン上に残った水を除去することが好ましい。
本発明のレジスト組成物からネガ型レジストパターンを製造する場合は、現像液として有機溶剤を含む現像液（以下「有機系現像液」という場合がある）を用いる。
有機系現像液に含まれる有機溶剤としては、２−ヘキサノン、２−ヘプタノン等のケトン溶剤；プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート等のグリコールエーテルエステル溶剤；酢酸ブチル等のエステル溶剤；プロピレングリコールモノメチルエーテル等のグリコールエーテル溶剤；Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド等のアミド溶剤；アニソール等の芳香族炭化水素溶剤等が挙げられる。
有機系現像液中、有機溶剤の含有率は、９０質量％以上１００質量％以下が好ましく、９５質量％以上１００質量％以下がより好ましく、実質的に有機溶剤のみであることがさらに好ましい。
中でも、有機系現像液としては、酢酸ブチル及び／又は２−ヘプタノンを含む現像液が好ましい。有機系現像液中、酢酸ブチル及び２−ヘプタノンの合計含有率は、５０質量％以上１００質量％以下が好ましく、９０質量％以上１００質量％以下がより好ましく、実質的に酢酸ブチル及び／又は２−ヘプタノンのみであることがさらに好ましい。
有機系現像液には、界面活性剤が含まれていてもよい。また、有機系現像液には、微量の水分が含まれていてもよい。
現像の際、有機系現像液とは異なる種類の溶剤に置換することにより、現像を停止してもよい。
現像後のレジストパターンをリンス液で洗浄することが好ましい。リンス液としては、レジストパターンを溶解しないものであれば特に制限はなく、一般的な有機溶剤を含む溶液を使用することができ、好ましくはアルコール溶剤又はエステル溶剤である。
洗浄後は、基板及びパターン上に残ったリンス液を除去することが好ましい。
〈用途〉
本発明のレジスト組成物は、ＫｒＦエキシマレーザ露光用のレジスト組成物、ＡｒＦエキシマレーザ露光用のレジスト組成物、電子線（ＥＢ）露光用のレジスト組成物又はＥＵＶ露光用のレジスト組成物、特に電子線（ＥＢ）露光用のレジスト組成物又はＥＵＶ露光用のレジスト組成物として好適であり、半導体の微細加工に有用である。
本発明のレジスト組成物は、ＫｒＦエキシマレーザ露光用のレジスト組成物、ＡｒＦエキシマレーザ露光用のレジスト組成物、電子線（ＥＢ）露光用のレジスト組成物又はＥＵＶ露光用のレジスト組成物、特に電子線（ＥＢ）露光用のレジスト組成物又はＥＵＶ露光用のレジスト組成物として好適であり、半導体の微細加工に有用である。
実施例を挙げて、本発明をさらに具体的に説明する。例中、含有量ないし使用量を表す「％」及び「部」は、特記しないかぎり質量基準である。
重量平均分子量は、ゲルパーミュエーションクロマトグラフィーにより求めた値である。なお、ゲルパーミュエーションクロマトグラフィーの分析条件は下記のとおりである。
カラム：TSKgel Multipore HXL-M x 3+guardcolumn（東ソー社製）
溶離液：テトラヒドロフラン
流量：1.0mL／min
検出器：RI検出器
カラム温度：40℃
注入量：100μl
分子量標準：標準ポリスチレン（東ソー社製）
化合物の構造は、質量分析（ＬＣはＡｇｉｌｅｎｔ製１１００型、ＭＡＳＳはＡｇｉｌｅｎｔ製ＬＣ／ＭＳＤ型）を用い、分子イオンピークを測定することで確認した。以下の実施例ではこの分子イオンピークの値を「ＭＡＳＳ」で示す。
重量平均分子量は、ゲルパーミュエーションクロマトグラフィーにより求めた値である。なお、ゲルパーミュエーションクロマトグラフィーの分析条件は下記のとおりである。
カラム：TSKgel Multipore HXL-M x 3+guardcolumn（東ソー社製）
溶離液：テトラヒドロフラン
流量：1.0mL／min
検出器：RI検出器
カラム温度：40℃
注入量：100μl
分子量標準：標準ポリスチレン（東ソー社製）
化合物の構造は、質量分析（ＬＣはＡｇｉｌｅｎｔ製１１００型、ＭＡＳＳはＡｇｉｌｅｎｔ製ＬＣ／ＭＳＤ型）を用い、分子イオンピークを測定することで確認した。以下の実施例ではこの分子イオンピークの値を「ＭＡＳＳ」で示す。
実施例１：式（Ｉ−２）で表される塩の合成
式（Ｉ−２−ａ）で表される塩０．６７部、式（Ｉ−２−ｂ）で表される塩０．３０部及びクロロホルム１０部を混合し、２３℃で１２時間攪拌した。得られた混合物に、５％シュウ酸水溶液５部を加えて２３℃で３０分間攪拌した後、分液して有機層を取り出した。得られた有機層にイオン交換水５部を加えて２３℃で３０分間攪拌した後、分液して有機層を取り出した。この水洗操作を５回繰り返した。得られた有機層を濃縮することにより、式（Ｉ−２）で表される塩０．６４部を得た。
ＭＡＳＳ（ＥＳＩ（＋）Ｓｐｅｃｔｒｕｍ）：Ｍ＋ ５２５．０
ＭＡＳＳ（ＥＳＩ（−）Ｓｐｅｃｔｒｕｍ）：Ｍ− １９３．１
ＭＡＳＳ（ＥＳＩ（＋）Ｓｐｅｃｔｒｕｍ）：Ｍ＋ ５２５．０
ＭＡＳＳ（ＥＳＩ（−）Ｓｐｅｃｔｒｕｍ）：Ｍ− １９３．１
実施例２：式（Ｉ−４）で表される塩の合成
式（Ｉ−２−ａ）で表される塩０．６７部、式（Ｉ−４−ｂ）で表される塩０．４４部及びクロロホルム１０部を混合し、２３℃で１２時間攪拌した。得られた混合物に、５％シュウ酸水溶液５部を加えて２３℃で３０分間攪拌した後、分液して有機層を取り出した。得られた有機層にイオン交換水５部を加えて２３℃で３０分間攪拌した後、分液して有機層を取り出した。この水洗操作を５回繰り返した。得られた有機層を濃縮することにより、式（Ｉ−４）で表される塩０．７６部を得た。
ＭＡＳＳ（ＥＳＩ（＋）Ｓｐｅｃｔｒｕｍ）：Ｍ＋ ５２５．０
ＭＡＳＳ（ＥＳＩ（−）Ｓｐｅｃｔｒｕｍ）：Ｍ− ３３７．１
ＭＡＳＳ（ＥＳＩ（＋）Ｓｐｅｃｔｒｕｍ）：Ｍ＋ ５２５．０
ＭＡＳＳ（ＥＳＩ（−）Ｓｐｅｃｔｒｕｍ）：Ｍ− ３３７．１
実施例３：式（Ｉ−５）で表される塩の合成
式（Ｉ−２−ａ）で表される塩０．６７部、式（Ｉ−５−ｂ）で表される塩０．２４部及びクロロホルム１０部を混合し、２３℃で１２時間攪拌した。得られた混合物に、５％シュウ酸水溶液５部を加えて２３℃で３０分間攪拌した後、分液して有機層を取り出した。得られた有機層にイオン交換水５部を加えて２３℃で３０分間攪拌した後、分液して有機層を取り出した。この水洗操作を５回繰り返した。得られた有機層を濃縮することにより、式（Ｉ−５）で表される塩０．６１部を得た。
ＭＡＳＳ（ＥＳＩ（＋）Ｓｐｅｃｔｒｕｍ）：Ｍ＋ ５２５．０
ＭＡＳＳ（ＥＳＩ（−）Ｓｐｅｃｔｒｕｍ）：Ｍ− １３７．０
ＭＡＳＳ（ＥＳＩ（＋）Ｓｐｅｃｔｒｕｍ）：Ｍ＋ ５２５．０
ＭＡＳＳ（ＥＳＩ（−）Ｓｐｅｃｔｒｕｍ）：Ｍ− １３７．０
実施例４：式（Ｉ−１１０）で表される塩の合成
式（Ｉ−１１０−ａ）で表される塩０．５７部、式（Ｉ−２−ｂ）で表される塩０．３０部及びクロロホルム１０部を混合し、２３℃で１２時間攪拌した。得られた混合物に、５％シュウ酸水溶液５部を加えて２３℃で３０分間攪拌した後、分液して有機層を取り出した。得られた有機層にイオン交換水５部を加えて２３℃で３０分間攪拌した後、分液して有機層を取り出した。この水洗操作を５回繰り返した。得られた有機層を濃縮することにより、式（Ｉ−１１０）で表される塩０．５５部を得た。
ＭＡＳＳ（ＥＳＩ（＋）Ｓｐｅｃｔｒｕｍ）：Ｍ＋ ４２５．０
ＭＡＳＳ（ＥＳＩ（−）Ｓｐｅｃｔｒｕｍ）：Ｍ− １９３．１
ＭＡＳＳ（ＥＳＩ（＋）Ｓｐｅｃｔｒｕｍ）：Ｍ＋ ４２５．０
ＭＡＳＳ（ＥＳＩ（−）Ｓｐｅｃｔｒｕｍ）：Ｍ− １９３．１
実施例５：式（Ｉ−１０８４）で表される塩の合成
ピリジン４．４９部と、式（Ｉ−１０８４−ｂ）で表される化合物１４．６７部と、テトラヒドロフラン２５部とを混合した溶液を式（Ｉ−１０８４−ａ）で表される化合物１０部と、テトラヒドロフラン１０部とを混合した溶液に、０℃で滴下した。得られた混合物を、２３℃で１時間攪拌した。反応混合溶液にイオン交換水３０部を加え、酢酸エチルにより抽出した。抽出した有機層を減圧濃縮した後、ｎ−ヘプタンを追加し攪拌を１時間行なった。混合溶液を静置し、上澄みを除去し、乾燥することで、式（Ｉ−１０８４−ｃ）で表される塩２２．９１部を得た。
式（Ｉ−２−ａ）で表される塩０．６７部、式（Ｉ−１０８４−ｃ）で表される塩０．６１部及びクロロホルム１０部を混合し、２３℃で１２時間攪拌した。得られた混合物に、５％シュウ酸水溶液５部を加えて２３℃で３０分間攪拌した後、分液して有機層を取り出した。得られた有機層にイオン交換水５部を加えて２３℃で３０分間攪拌した後、分液して有機層を取り出した。この水洗操作を５回繰り返した。得られた有機層を濃縮することにより、式（Ｉ−１０８４）で表される塩０．８９部を得た。
ＭＡＳＳ（ＥＳＩ（＋）Ｓｐｅｃｔｒｕｍ）：Ｍ＋ ５２５．０
ＭＡＳＳ（ＥＳＩ（−）Ｓｐｅｃｔｒｕｍ）：Ｍ− ５３１．１
ＭＡＳＳ（ＥＳＩ（＋）Ｓｐｅｃｔｒｕｍ）：Ｍ＋ ５２５．０
ＭＡＳＳ（ＥＳＩ（−）Ｓｐｅｃｔｒｕｍ）：Ｍ− ５３１．１
実施例６：式（Ｉ−６５２）で表される塩の合成
式（Ｉ−６５２−ａ）で表される化合物５．８０部及びテトラヒドロフラン１１．６０部を混合し、２３℃で３０分間攪拌した後、１０℃まで冷却した混合物を、マグネシウム０．６３部に滴下することにより式（Ｉ−６５２−ｂ）で表されるグリニャール溶液を得た。得られた式（Ｉ−６５２−ｂ）で表されるグリニャール溶液に、臭化亜鉛１．９７部を添加し、さらに、５０℃で３時間攪拌することにより、式（Ｉ−６５２−ｃ）で表される化合物を含む溶液を得た。式（Ｉ−６５２−ｄ）で表される化合物２．９３部、式（Ｉ−６５２−ｅ）で表される化合物７．１６部及びテトラヒドロフラン１０部を混合し、２３℃で３０分間攪拌した後、式（Ｉ−６５２−ｃ）で表される化合物を含む溶液を添加した。得られた反応混合物に、さらに、式（Ｉ−６５２−ｅ）で表される化合物２．８７部を添加し、さらに、２３℃で１８時間攪拌した。得られた反応混合物に、１Ｎ塩酸５部及びクロロホルム３０部を加えて２３℃で３０分間攪拌した後、分液して有機層を取り出した。得られた有機層にイオン交換水１５部を加えて２３℃で３０分間攪拌した後、分液して有機層を取り出した。この水洗操作を５回繰り返した。得られた有機層を濃縮した後、濃縮残渣に、ｔｅｒｔ−ブチルメチルエーテル３０部を加えて、２３℃で３０分間攪拌した後、ろ過することにより、式（Ｉ−６５２−ｆ）で表される塩０．８９部を得た。
式（Ｉ−６５２−ｆ）で表される塩０．７３部、式（Ｉ−４−ｂ）で表される塩０．４４部及びクロロホルム１０部を混合し、２３℃で１２時間攪拌した。得られた混合物に、５％シュウ酸水溶液５部を加えて２３℃で３０分間攪拌した後、分液して有機層を取り出した。得られた有機層にイオン交換水５部を加えて２３℃で３０分間攪拌した後、分液して有機層を取り出した。この水洗操作を５回繰り返した。得られた有機層を濃縮することにより、式（Ｉ−６５２）で表される塩０．７８部を得た。
ＭＡＳＳ（ＥＳＩ（＋）Ｓｐｅｃｔｒｕｍ）：Ｍ＋ ５８２．９
ＭＡＳＳ（ＥＳＩ（−）Ｓｐｅｃｔｒｕｍ）：Ｍ− ３３７．１
ＭＡＳＳ（ＥＳＩ（＋）Ｓｐｅｃｔｒｕｍ）：Ｍ＋ ５８２．９
ＭＡＳＳ（ＥＳＩ（−）Ｓｐｅｃｔｒｕｍ）：Ｍ− ３３７．１
実施例７：式（Ｉ−７０６）で表される塩の合成
式（Ｉ−７０６−ａ）で表される化合物４．５１部及びテトラヒドロフラン９．０２部を混合し、２３℃で３０分間攪拌した後、１０℃まで冷却した混合物を、マグネシウム０．６３部に滴下することにより式（Ｉ−７０６−ｂ）で表されるグリニャール溶液を得た。得られた式（Ｉ−７０６−ｂ）で表されるグリニャール溶液に、臭化亜鉛１．９７部を添加し、さらに、５０℃で３時間攪拌することにより、式（Ｉ−７０６−ｃ）で表される化合物を含む溶液を得た。式（Ｉ−６５２−ｄ）で表される化合物２．９３部、式（Ｉ−６５２−ｅ）で表される化合物７．１６部及びテトラヒドロフラン１０部を混合し、２３℃で３０分間攪拌した後、式（Ｉ−７０６−ｃ）で表される化合物を含む溶液を添加した。得られた反応混合物に、さらに、式（Ｉ−６５２−ｅ）で表される化合物２．８７部を添加し、さらに、２３℃で１８時間攪拌した。得られた反応混合物に、１Ｎ塩酸５部及びクロロホルム３０部を加えて２３℃で３０分間攪拌した後、分液して有機層を取り出した。得られた有機層にイオン交換水１５部を加えて２３℃で３０分間攪拌した後、分液して有機層を取り出した。この水洗操作を５回繰り返した。得られた有機層を濃縮した後、濃縮残渣に、ｔｅｒｔ−ブチルメチルエーテル３０部を加えて、２３℃で３０分間攪拌した後、ろ過することにより、式（Ｉ−７０６−ｆ）で表される塩０．７５部を得た。
式（Ｉ−７０６−ｆ）で表される塩０．６８部、式（Ｉ−４−ｂ）で表される塩０．４４部及びクロロホルム１０部を混合し、２３℃で１２時間攪拌した。得られた混合物に、５％シュウ酸水溶液５部を加えて２３℃で３０分間攪拌した後、分液して有機層を取り出した。得られた有機層にイオン交換水５部を加えて２３℃で３０分間攪拌した後、分液して有機層を取り出した。この水洗操作を５回繰り返した。得られた有機層を濃縮することにより、式（Ｉ−７０６）で表される塩０．７４部を得た。
ＭＡＳＳ（ＥＳＩ（＋）Ｓｐｅｃｔｒｕｍ）：Ｍ＋ ５３２．９
ＭＡＳＳ（ＥＳＩ（−）Ｓｐｅｃｔｒｕｍ）：Ｍ− ３３７．１
ＭＡＳＳ（ＥＳＩ（＋）Ｓｐｅｃｔｒｕｍ）：Ｍ＋ ５３２．９
ＭＡＳＳ（ＥＳＩ（−）Ｓｐｅｃｔｒｕｍ）：Ｍ− ３３７．１
実施例８：式（Ｉ−８６８）で表される塩の合成
式（Ｉ−８６８−ａ）で表される化合物２．６９部、式（Ｉ−８６８−ｂ）で表される化合物１５．１８部及びテトラヒドロフラン３０部を混合し、２３℃で３０分間攪拌した後、５℃まで冷却した。得られた混合物に、式（Ｉ−８６８−ｃ）で表される化合物２．４４部を添加し、５℃で３０分間攪拌した後、さらに、５０℃で１０時間攪拌した。得られた反応混合物を２３℃まで冷却した後、イオン交換水２０部及びクロロホルム５０部を加えて２３℃で３０分間攪拌した後、分液して有機層を取り出した。得られた有機層にイオン交換水２０部を加えて２３℃で３０分間攪拌した後、分液して有機層を取り出した。この水洗操作を５回繰り返した。得られた有機層を濃縮した後、濃縮残渣に、ｔｅｒｔ−ブチルメチルエーテル３０部を加えて２３℃で３０分間攪拌した後、上澄み液を除去し、濃縮することにより、式（Ｉ−８６８−ｄ）で表される塩０．９６部を得た。
式（Ｉ−８６８−ｄ）で表される塩０．６５部、式（Ｉ−４−ｂ）で表される塩０．４４部及びクロロホルム１０部を混合し、２３℃で１２時間攪拌した。得られた混合物に、５％シュウ酸水溶液５部を加えて２３℃で３０分間攪拌した後、分液して有機層を取り出した。得られた有機層にイオン交換水５部を加えて２３℃で３０分間攪拌した後、分液して有機層を取り出した。この水洗操作を５回繰り返した。得られた有機層を濃縮することにより、式（Ｉ−８６８）で表される塩０．６９部を得た。
ＭＡＳＳ（ＥＳＩ（＋）Ｓｐｅｃｔｒｕｍ）：Ｍ＋ ４９６．９
ＭＡＳＳ（ＥＳＩ（−）Ｓｐｅｃｔｒｕｍ）：Ｍ− ３３７．１
ＭＡＳＳ（ＥＳＩ（＋）Ｓｐｅｃｔｒｕｍ）：Ｍ＋ ４９６．９
ＭＡＳＳ（ＥＳＩ（−）Ｓｐｅｃｔｒｕｍ）：Ｍ− ３３７．１
合成例１：式（ＩＸ−４）で表される塩の合成
式（ＩＸ−４−ａ）で表される塩０．５５部、式（Ｉ−２−ｂ）で表される塩０．３０部及びクロロホルム１０部を混合し、２３℃で１２時間攪拌した。得られた混合物に、５％シュウ酸水溶液５部を加えて２３℃で３０分間攪拌した後、分液して有機層を取り出した。得られた有機層にイオン交換水５部を加えて２３℃で３０分間攪拌した後、分液して有機層を取り出した。この水洗操作を５回繰り返した。得られた有機層を濃縮することにより、式（ＩＸ−４）で表される塩０．５６部を得た。
ＭＡＳＳ（ＥＳＩ（＋）Ｓｐｅｃｔｒｕｍ）：Ｍ＋ ４６７．１
ＭＡＳＳ（ＥＳＩ（−）Ｓｐｅｃｔｒｕｍ）：Ｍ− １９３．１
ＭＡＳＳ（ＥＳＩ（−）Ｓｐｅｃｔｒｕｍ）：Ｍ− １９３．１
合成例２：式（ＩＸ−５）で表される塩の合成
式（ＩＸ−５−ａ）で表される塩０．４１部、式（Ｉ−２−ｂ）で表される塩０．３０部及びクロロホルム１０部を混合し、２３℃で１２時間攪拌した。得られた混合物に、５％シュウ酸水溶液５部を加えて２３℃で３０分間攪拌した後、分液して有機層を取り出した。得られた有機層にイオン交換水５部を加えて２３℃で３０分間攪拌した後、分液して有機層を取り出した。この水洗操作を５回繰り返した。得られた有機層を濃縮することにより、式（ＩＸ−５）で表される塩０．４９部を得た。
ＭＡＳＳ（ＥＳＩ（＋）Ｓｐｅｃｔｒｕｍ）：Ｍ＋ ３３１．１
ＭＡＳＳ（ＥＳＩ（−）Ｓｐｅｃｔｒｕｍ）：Ｍ− １９３．１
ＭＡＳＳ（ＥＳＩ（−）Ｓｐｅｃｔｒｕｍ）：Ｍ− １９３．１
合成例３：式（ＩＸ−６）で表される塩の合成
式（ＩＸ−６−ａ）で表される塩０．４７部、式（Ｉ−２−ｂ）で表される塩０．３０部及びクロロホルム１０部を混合し、２３℃で１２時間攪拌した。得られた混合物に、５％シュウ酸水溶液５部を加えて２３℃で３０分間攪拌した後、分液して有機層を取り出した。得られた有機層にイオン交換水５部を加えて２３℃で３０分間攪拌した後、分液して有機層を取り出した。この水洗操作を５回繰り返した。得られた有機層を濃縮することにより、式（ＩＸ−６）で表される塩０．５１部を得た。
ＭＡＳＳ（ＥＳＩ（＋）Ｓｐｅｃｔｒｕｍ）：Ｍ＋ ３８９．０
ＭＡＳＳ（ＥＳＩ（−）Ｓｐｅｃｔｒｕｍ）：Ｍ− １９３．１
ＭＡＳＳ（ＥＳＩ（−）Ｓｐｅｃｔｒｕｍ）：Ｍ− １９３．１
合成例４：式（ＩＸ−７）で表される塩の合成
式（ＩＸ−７−ａ）で表される塩０．４０部、式（Ｉ−２−ｂ）で表される塩０．３０部及びクロロホルム１０部を混合し、２３℃で１２時間攪拌した。得られた混合物に、５％シュウ酸水溶液５部を加えて２３℃で３０分間攪拌した後、分液して有機層を取り出した。得られた有機層にイオン交換水５部を加えて２３℃で３０分間攪拌した後、分液して有機層を取り出した。この水洗操作を５回繰り返した。得られた有機層を濃縮することにより、式（ＩＸ−７）で表される塩０．４５部を得た。
ＭＡＳＳ（ＥＳＩ（＋）Ｓｐｅｃｔｒｕｍ）：Ｍ＋ ３１７．１
ＭＡＳＳ（ＥＳＩ（−）Ｓｐｅｃｔｒｕｍ）：Ｍ− １９３．１
ＭＡＳＳ（ＥＳＩ（−）Ｓｐｅｃｔｒｕｍ）：Ｍ− １９３．１
合成例５：式（ＩＸ−８）で表される塩の合成
式（ＩＸ−８−ａ）で表される塩０．３６部、式（Ｉ−２−ｂ）で表される塩０．３０部及びクロロホルム１０部を混合し、２３℃で１２時間攪拌した。得られた混合物に、５％シュウ酸水溶液５部を加えて２３℃で３０分間攪拌した後、分液して有機層を取り出した。得られた有機層にイオン交換水５部を加えて２３℃で３０分間攪拌した後、分液して有機層を取り出した。この水洗操作を５回繰り返した。得られた有機層を濃縮することにより、式（ＩＸ−８）で表される塩０．４２部を得た。
ＭＡＳＳ（ＥＳＩ（＋）Ｓｐｅｃｔｒｕｍ）：Ｍ＋ ２８１．１
ＭＡＳＳ（ＥＳＩ（−）Ｓｐｅｃｔｒｕｍ）：Ｍ− １９３．１
ＭＡＳＳ（ＥＳＩ（−）Ｓｐｅｃｔｒｕｍ）：Ｍ− １９３．１
樹脂の合成
樹脂（Ａ）の合成に使用した化合物（モノマー）を下記に示す。以下、これらの化合物をその式番号に応じて、「モノマー（ａ１−１−３）」等という。
樹脂（Ａ）の合成に使用した化合物（モノマー）を下記に示す。以下、これらの化合物をその式番号に応じて、「モノマー（ａ１−１−３）」等という。
合成例６〔樹脂Ａ１の合成〕
モノマーとして、モノマー（ａ１−４−２）、モノマー（ａ１−１−３）及びモノマー（ａ１−２−６）を用い、そのモル比〔モノマー（ａ１−４−２）：モノマー（ａ１−１−３）：モノマー（ａ１−２−６）〕が、３８：２４：３８の割合となるように混合し、さらに、このモノマー混合物に、全モノマーの合計質量に対して、１．５質量倍のメチルイソブチルケトンを混合した。得られた混合物に、開始剤としてアゾビスイソブチロニトリルを全モノマーの合計モル数に対して、７ｍｏｌ％となるように添加し、これを８５℃で約５時間加熱することで重合を行った。その後、重合反応液に、全モノマーの合計質量に対して、２．０質量倍のｐ−トルエンスルホン酸水溶液（２．５重量％）を加え、６時間攪拌した後、分液した。得られた有機層を、大量のｎ−ヘプタンに注ぎ樹脂を析出させ、ろ過・回収することにより、重量平均分子量が約５．３×１０３である樹脂Ａ１（共重合体）を収率７８％で得た。この樹脂Ａ１は、以下の構造単位を有するものである。
モノマーとして、モノマー（ａ１−４−２）、モノマー（ａ１−１−３）及びモノマー（ａ１−２−６）を用い、そのモル比〔モノマー（ａ１−４−２）：モノマー（ａ１−１−３）：モノマー（ａ１−２−６）〕が、３８：２４：３８の割合となるように混合し、さらに、このモノマー混合物に、全モノマーの合計質量に対して、１．５質量倍のメチルイソブチルケトンを混合した。得られた混合物に、開始剤としてアゾビスイソブチロニトリルを全モノマーの合計モル数に対して、７ｍｏｌ％となるように添加し、これを８５℃で約５時間加熱することで重合を行った。その後、重合反応液に、全モノマーの合計質量に対して、２．０質量倍のｐ−トルエンスルホン酸水溶液（２．５重量％）を加え、６時間攪拌した後、分液した。得られた有機層を、大量のｎ−ヘプタンに注ぎ樹脂を析出させ、ろ過・回収することにより、重量平均分子量が約５．３×１０３である樹脂Ａ１（共重合体）を収率７８％で得た。この樹脂Ａ１は、以下の構造単位を有するものである。
合成例７〔樹脂Ａ２の合成〕
モノマーとして、モノマー（ａ１−４−２）及びモノマー（ａ１−２−６）を用い、そのモル比〔モノマー（ａ１−４−２）：モノマー（ａ１−２−６）〕が、３８：６２の割合となるように混合し、さらに、このモノマー混合物に、全モノマーの合計質量に対して、１．５質量倍のメチルイソブチルケトンを混合した。得られた混合物に、開始剤としてアゾビスイソブチロニトリルを全モノマーの合計モル数に対して、７ｍｏｌ％となるように添加し、これを８５℃で約５時間加熱することで重合を行った。その後、重合反応液に、全モノマーの合計質量に対して、２．０質量倍のｐ−トルエンスルホン酸水溶液（２．５重量％）を加え、６時間攪拌した後、分液した。得られた有機層を、大量のｎ−ヘプタンに注ぎ樹脂を析出させ、ろ過・回収することにより、重量平均分子量が約５．４×１０３である樹脂Ａ２（共重合体）を収率８９％で得た。この樹脂Ａ２は、以下の構造単位を有するものである。
モノマーとして、モノマー（ａ１−４−２）及びモノマー（ａ１−２−６）を用い、そのモル比〔モノマー（ａ１−４−２）：モノマー（ａ１−２−６）〕が、３８：６２の割合となるように混合し、さらに、このモノマー混合物に、全モノマーの合計質量に対して、１．５質量倍のメチルイソブチルケトンを混合した。得られた混合物に、開始剤としてアゾビスイソブチロニトリルを全モノマーの合計モル数に対して、７ｍｏｌ％となるように添加し、これを８５℃で約５時間加熱することで重合を行った。その後、重合反応液に、全モノマーの合計質量に対して、２．０質量倍のｐ−トルエンスルホン酸水溶液（２．５重量％）を加え、６時間攪拌した後、分液した。得られた有機層を、大量のｎ−ヘプタンに注ぎ樹脂を析出させ、ろ過・回収することにより、重量平均分子量が約５．４×１０３である樹脂Ａ２（共重合体）を収率８９％で得た。この樹脂Ａ２は、以下の構造単位を有するものである。
合成例８〔樹脂Ａ３の合成〕
モノマーとして、モノマー（ａ１−２−６）、モノマー（ａ２−１−３）、モノマー（ａ３−４−２）及びモノマー（ａ１−４−２）を用い、そのモル比〔モノマー（ａ１−２−６）：モノマー（ａ２−１−３）：モノマー（ａ３−４−２）：モノマー（ａ１−４−２）〕が、５３：３：１２：３２の割合となるように混合し、さらに、このモノマー混合物に、全モノマーの合計質量に対して、１．５質量倍のメチルイソブチルケトンを混合した。得られた混合物に、開始剤としてアゾビスイソブチロニトリル及びアゾビス（２，４−ジメチルバレロニトリル）を全モノマー量に対して各々、１．２ｍｏｌ％及び３．６ｍｏｌ％添加し、これらを７３℃で約５時間加熱した。その後、重合反応液に、全モノマーの合計質量に対して、２．０質量倍のｐ−トルエンスルホン酸水溶液（２．５重量％）を加え、１２時間攪拌した後、分液した。回収された有機層を、大量のｎ−ヘプタンに注ぎ樹脂を析出させ、ろ過・回収することにより、重量平均分子量が約５．３×１０３である樹脂Ａ３を収率８８％で得た。この樹脂Ａ３は、以下の構造単位を有するものである。
モノマーとして、モノマー（ａ１−２−６）、モノマー（ａ２−１−３）、モノマー（ａ３−４−２）及びモノマー（ａ１−４−２）を用い、そのモル比〔モノマー（ａ１−２−６）：モノマー（ａ２−１−３）：モノマー（ａ３−４−２）：モノマー（ａ１−４−２）〕が、５３：３：１２：３２の割合となるように混合し、さらに、このモノマー混合物に、全モノマーの合計質量に対して、１．５質量倍のメチルイソブチルケトンを混合した。得られた混合物に、開始剤としてアゾビスイソブチロニトリル及びアゾビス（２，４−ジメチルバレロニトリル）を全モノマー量に対して各々、１．２ｍｏｌ％及び３．６ｍｏｌ％添加し、これらを７３℃で約５時間加熱した。その後、重合反応液に、全モノマーの合計質量に対して、２．０質量倍のｐ−トルエンスルホン酸水溶液（２．５重量％）を加え、１２時間攪拌した後、分液した。回収された有機層を、大量のｎ−ヘプタンに注ぎ樹脂を析出させ、ろ過・回収することにより、重量平均分子量が約５．３×１０３である樹脂Ａ３を収率８８％で得た。この樹脂Ａ３は、以下の構造単位を有するものである。
合成例９〔樹脂Ａ４の合成〕
モノマーとして、モノマー（ａ１−２−６）、モノマー（ａ２−１−３）、モノマー（ａ３−４−２）及びモノマー（ａ１−４−１３）を用い、そのモル比〔モノマー（ａ１−２−６）：モノマー（ａ２−１−３）：モノマー（ａ３−４−２）：モノマー（ａ１−４−１３）〕が、５３：３：１２：３２の割合となるように混合し、さらに、このモノマー混合物に、全モノマーの合計質量に対して、１．５質量倍のメチルイソブチルケトンを混合した。得られた混合物に、開始剤としてアゾビスイソブチロニトリル及びアゾビス（２，４−ジメチルバレロニトリル）を全モノマー量に対して各々、１．２ｍｏｌ％及び３．６ｍｏｌ％添加し、これらを７３℃で約５時間加熱した。その後、重合反応液に、全モノマーの合計質量に対して、２．０質量倍のｐ−トルエンスルホン酸水溶液（２．５重量％）を加え、１２時間攪拌した後、分液した。回収された有機層を、大量のｎ−ヘプタンに注ぎ樹脂を析出させ、ろ過・回収することにより、重量平均分子量が約５．１×１０３である樹脂Ａ４を収率７９％で得た。この樹脂Ａ４は、以下の構造単位を有するものである。
モノマーとして、モノマー（ａ１−２−６）、モノマー（ａ２−１−３）、モノマー（ａ３−４−２）及びモノマー（ａ１−４−１３）を用い、そのモル比〔モノマー（ａ１−２−６）：モノマー（ａ２−１−３）：モノマー（ａ３−４−２）：モノマー（ａ１−４−１３）〕が、５３：３：１２：３２の割合となるように混合し、さらに、このモノマー混合物に、全モノマーの合計質量に対して、１．５質量倍のメチルイソブチルケトンを混合した。得られた混合物に、開始剤としてアゾビスイソブチロニトリル及びアゾビス（２，４−ジメチルバレロニトリル）を全モノマー量に対して各々、１．２ｍｏｌ％及び３．６ｍｏｌ％添加し、これらを７３℃で約５時間加熱した。その後、重合反応液に、全モノマーの合計質量に対して、２．０質量倍のｐ−トルエンスルホン酸水溶液（２．５重量％）を加え、１２時間攪拌した後、分液した。回収された有機層を、大量のｎ−ヘプタンに注ぎ樹脂を析出させ、ろ過・回収することにより、重量平均分子量が約５．１×１０３である樹脂Ａ４を収率７９％で得た。この樹脂Ａ４は、以下の構造単位を有するものである。
＜レジスト組成物の調製＞
表２に示すように、以下の各成分を混合し、得られた混合物を孔径０．２μｍのフッ素樹脂製フィルターで濾過することにより、レジスト組成物を調製した。
表２に示すように、以下の各成分を混合し、得られた混合物を孔径０．２μｍのフッ素樹脂製フィルターで濾過することにより、レジスト組成物を調製した。
＜樹脂＞
Ａ１〜Ａ４：樹脂Ａ１〜樹脂Ａ４
＜酸発生剤（Ｂ）＞
Ｂ１−２５：式（Ｂ１−２５）で表される塩；特開２０１１−１２６８６９号公報記載の方法で合成
＜カルボン酸塩（Ｉ）＞
Ｉ−２：式（Ｉ−２）で表される塩
Ｉ−４：式（Ｉ−４）で表される塩
Ｉ−５：式（Ｉ−５）で表される塩
Ｉ−１１０：式（Ｉ−１１０）で表される塩
Ｉ−６５２：式（Ｉ−６５２）で表される塩
Ｉ−７０６：式（Ｉ−７０６）で表される塩
Ｉ−８６８：式（Ｉ−８６８）で表される塩
Ｉ−１０８４：式（Ｉ−１０８４）で表される塩
＜クエンチャー（Ｃ）＞
ＩＸ−１：
ＩＸ−２：
ＩＸ−３：
ＩＸ−４：式（ＩＸ−４）で表される塩
ＩＸ−５：式（ＩＸ−５）で表される塩
ＩＸ−６：式（ＩＸ−６）で表される塩
ＩＸ−７：式（ＩＸ−７）で表される塩
ＩＸ−８：式（ＩＸ−８）で表される塩
＜溶剤＞
プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート ４００部
プロピレングリコールモノメチルエーテル １００部
γ−ブチロラクトン ５部
Ａ１〜Ａ４：樹脂Ａ１〜樹脂Ａ４
＜酸発生剤（Ｂ）＞
Ｂ１−２５：式（Ｂ１−２５）で表される塩；特開２０１１−１２６８６９号公報記載の方法で合成
Ｉ−２：式（Ｉ−２）で表される塩
Ｉ−４：式（Ｉ−４）で表される塩
Ｉ−５：式（Ｉ−５）で表される塩
Ｉ−１１０：式（Ｉ−１１０）で表される塩
Ｉ−６５２：式（Ｉ−６５２）で表される塩
Ｉ−７０６：式（Ｉ−７０６）で表される塩
Ｉ−８６８：式（Ｉ−８６８）で表される塩
Ｉ−１０８４：式（Ｉ−１０８４）で表される塩
＜クエンチャー（Ｃ）＞
ＩＸ−１：
ＩＸ−２：
ＩＸ−３：
ＩＸ−５：式（ＩＸ−５）で表される塩
ＩＸ−６：式（ＩＸ−６）で表される塩
ＩＸ−７：式（ＩＸ−７）で表される塩
ＩＸ−８：式（ＩＸ−８）で表される塩
＜溶剤＞
プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート ４００部
プロピレングリコールモノメチルエーテル １００部
γ−ブチロラクトン ５部
（レジスト組成物の電子線露光評価：アルカリ現像）
６インチのシリコンウェハを、ダイレクトホットプレート上で、ヘキサメチルジシラザンを用いて９０℃で６０秒処理した。このシリコンウェハに、レジスト組成物を、組成物層の膜厚が０．０４μｍとなるようにスピンコートした。その後、ダイレクトホットプレート上で、表２の「PB」欄に示す温度で６０秒間プリベークして組成物層を形成した。 ウェハ上に形成された組成物層に、電子線描画機〔（株）日立製作所製の「ＨＬ−８００Ｄ ５０ｋｅＶ」〕を用い、露光量を段階的に変化させてラインアンドスペースパターン（ピッチ６０ｎｍ／ライン幅３０ｎｍ）を直接描画した。
露光後、ホットプレート上にて表２の「PEB」欄に示す温度で６０秒間ポストエキスポジャーベークを行い、さらに現像液として２．３８質量％テトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液で６０秒間のパドル現像を行うことにより、レジストパターンを得た。
得られたレジストパターン（ラインアンドスペースパターン）を走査型電子顕微鏡で観察し、ピッチ６０ｎｍのラインアンドスペースパターンのライン幅とスペース幅とが１：１となる露光量を実効感度とした。
６インチのシリコンウェハを、ダイレクトホットプレート上で、ヘキサメチルジシラザンを用いて９０℃で６０秒処理した。このシリコンウェハに、レジスト組成物を、組成物層の膜厚が０．０４μｍとなるようにスピンコートした。その後、ダイレクトホットプレート上で、表２の「PB」欄に示す温度で６０秒間プリベークして組成物層を形成した。 ウェハ上に形成された組成物層に、電子線描画機〔（株）日立製作所製の「ＨＬ−８００Ｄ ５０ｋｅＶ」〕を用い、露光量を段階的に変化させてラインアンドスペースパターン（ピッチ６０ｎｍ／ライン幅３０ｎｍ）を直接描画した。
露光後、ホットプレート上にて表２の「PEB」欄に示す温度で６０秒間ポストエキスポジャーベークを行い、さらに現像液として２．３８質量％テトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液で６０秒間のパドル現像を行うことにより、レジストパターンを得た。
得られたレジストパターン（ラインアンドスペースパターン）を走査型電子顕微鏡で観察し、ピッチ６０ｎｍのラインアンドスペースパターンのライン幅とスペース幅とが１：１となる露光量を実効感度とした。
ラインエッジラフネス評価（ＬＥＲ）：実効感度で製造されたレジストパターンの側壁面の凹凸の振れ幅を走査型電子顕微鏡で測定し、ラインエッジラフネスを求めた。その結果を表３に示す。
比較組成物１〜３、参考組成物１〜５と比較して、組成物１〜１２は、ラインエッジラフネス（ＬＥＲ）が良好であった。
比較組成物１〜３、参考組成物１〜５と比較して、組成物１〜１２は、ラインエッジラフネス（ＬＥＲ）が良好であった。
（レジスト組成物の電子線露光評価：有機溶剤現像）
６インチのシリコンウェハを、ダイレクトホットプレート上で、ヘキサメチルジシラザンを用いて９０℃で６０秒処理した。このシリコンウェハに、レジスト組成物を、組成物層の膜厚が０．０４μｍとなるようにスピンコートした。その後、ダイレクトホットプレート上で、表２の「PB」欄に示す温度で６０秒間プリベークして組成物層を形成した。
ウェハ上に形成された組成物層に、電子線描画機〔（株）エリオニクス製の「ＥＬＳ−Ｆ１２５ １２５ｋｅＶ」〕を用い、露光量を段階的に変化させて、現像後にラインアンドスペースパターン（ピッチ６０ｎｍ／ライン幅３０ｎｍ）になるように直接描画した。
露光後、ホットプレート上にて表２の「PEB」欄に示す温度で６０秒間ポストエキスポジャーベークを行った。次いで、このシリコンウェハ上の組成物層を、現像液として酢酸ブチル（東京化成工業（株）製）を用いて、２３℃で２０秒間ダイナミックディスペンス法によって現像を行うことにより、レジストパターンを得た。
得られたレジストパターン（ラインアンドスペースパターン）を走査型電子顕微鏡で観察し、ピッチ６０ｎｍのラインアンドスペースパターンのライン幅とスペース幅とが１：１となる露光量を実効感度とした。
６インチのシリコンウェハを、ダイレクトホットプレート上で、ヘキサメチルジシラザンを用いて９０℃で６０秒処理した。このシリコンウェハに、レジスト組成物を、組成物層の膜厚が０．０４μｍとなるようにスピンコートした。その後、ダイレクトホットプレート上で、表２の「PB」欄に示す温度で６０秒間プリベークして組成物層を形成した。
ウェハ上に形成された組成物層に、電子線描画機〔（株）エリオニクス製の「ＥＬＳ−Ｆ１２５ １２５ｋｅＶ」〕を用い、露光量を段階的に変化させて、現像後にラインアンドスペースパターン（ピッチ６０ｎｍ／ライン幅３０ｎｍ）になるように直接描画した。
露光後、ホットプレート上にて表２の「PEB」欄に示す温度で６０秒間ポストエキスポジャーベークを行った。次いで、このシリコンウェハ上の組成物層を、現像液として酢酸ブチル（東京化成工業（株）製）を用いて、２３℃で２０秒間ダイナミックディスペンス法によって現像を行うことにより、レジストパターンを得た。
得られたレジストパターン（ラインアンドスペースパターン）を走査型電子顕微鏡で観察し、ピッチ６０ｎｍのラインアンドスペースパターンのライン幅とスペース幅とが１：１となる露光量を実効感度とした。
ラインエッジラフネス評価（ＬＥＲ）：実効感度で製造されたレジストパターンの側壁面の凹凸の振れ幅を走査型電子顕微鏡で測定し、ラインエッジラフネスを求めた。その結果を表４に示す。
比較組成物４〜６、参考組成物６〜１０と比較して、組成物１３〜２４でのレジストパターンの側壁面の凹凸の振れ幅が小さく、ラインエッジラフネス評価が良好であった。
比較組成物４〜６、参考組成物６〜１０と比較して、組成物１３〜２４でのレジストパターンの側壁面の凹凸の振れ幅が小さく、ラインエッジラフネス評価が良好であった。
本発明のカルボン酸塩及び該カルボン酸塩を含有するレジスト組成物は、ラインエッジラフネスが良好であり、半導体の微細加工に有用である。
Claims (9)
- 式（Ｉ）で表されるカルボン酸塩。
［式（Ｉ）中、
Ｒ１は、フッ素原子又は炭素数１〜４のフッ素化アルキル基を表す。
Ｒ２、Ｒ３及びＲ４は、それぞれ独立に、ハロゲン原子、炭素数１〜４のフッ素化アルキル基又は炭素数１〜１２の炭化水素基を表し、該炭化水素基に含まれる−ＣＨ2−は、−Ｏ−又は−ＣＯ−で置き換わっていてもよい。
ｍ２は、０〜４のいずれかの整数を表し、ｍ２が２以上のとき、複数のＲ２は互いに同一であっても異なってもよい。
ｍ３は、０〜４のいずれかの整数を表し、ｍ３が２以上のとき、複数のＲ３は互いに同一であっても異なってもよい。
ｍ４は、０〜５のいずれかの整数を表し、ｍ４が２以上のとき、複数のＲ４は互いに同一であっても異なってもよい。
Ｘ０は、置換基を有してもよい炭素数１〜７２の炭化水素基を表し、該炭化水素基に含まれる−ＣＨ2−は、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＣＯ−又は−ＳＯ２−に置き換わっていてもよい。］ - Ｒ２、Ｒ３及びＲ４が、それぞれ独立に、フッ素原子、ヨウ素原子又は炭素数１〜４のペルフルオロアルキル基である請求項１記載のカルボン酸塩。
- Ｘ０が、置換基を有してもよい炭素数１〜７２の脂肪族炭化水素基（該脂肪族炭化水素基に含まれる−ＣＨ2−は、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＣＯ−又は−ＳＯ２−に置き換わっていてもよい。）、置換基を有してもよい炭素数６〜３６の芳香族炭化水素基、式（ａａ）で表される基又は式（ｂｂ）で表される基である請求項１又は２記載のカルボン酸塩。
［式（ａａ）中、
Ｘa及びＸbは、それぞれ独立に、−Ｏ−又は−Ｓ−を表す。
Ｘ１ａは、置換基を有してもよい炭素数１〜２４の炭化水素基を表し、該炭化水素基に含まれる−ＣＨ2−は、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＣＯ−又は−ＳＯ２−に置き換わっていてもよい。
Ｘ２ａは、置換基を有してもよい炭素数１〜４８の炭化水素基を表し、該炭化水素基に含まれる−ＣＨ2−は、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＣＯ−又は−ＳＯ２−に置き換わっていてもよい。
＊は、−ＣＯＯ−の炭素原子との結合位を表す。］
［式（ｂｂ）中、
ＬＡは、フッ素原子を有していてもよい炭素数１〜６のアルカンジイル基を表す。
ＬＢは、単結合又は炭素数１〜６のアルカンジイル基を表し、該アルカンジイル基に含まれる−ＣＨ2−は、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＣＯ−又は−ＳＯ２−に置き換わっていてもよい。
ＲＡは、置換基を有してもよい炭素数１〜３６の炭化水素基を表し、該炭化水素基に含まれる−ＣＨ2−は、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＣＯ−又は−ＳＯ２−に置き換わっていてもよい。
＊は、−ＣＯＯ−の炭素原子との結合位を表す。］ - Ｘ０が、フッ素原子もしくはヒドロキシ基を有してもよい炭素数３〜３６の脂環式炭化水素基（該脂環式炭化水素基に含まれる−ＣＨ2−は、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＣＯ−又は−ＳＯ２−に置き換わっていてもよい。）、炭素数３〜３６の脂環式炭化水素基と炭素数１〜１８の鎖式炭化水素基とを組み合わせた基（該脂環式炭化水素基に含まれる−ＣＨ2−は、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＣＯ−又は−ＳＯ２−に置き換わっていてもよく、該鎖式炭化水素基に含まれる−ＣＨ2−は、−Ｏ−又は−ＣＯ−に置き換わっていてもよく、該脂環式炭化水素基及び該鎖式炭化水素基は、フッ素原子又はヒドロキシ基を有してもよい。）、フッ素原子もしくはヒドロキシ基を有してもよい炭素数６〜３６の芳香族炭化水素基、式（ａａ）で表される基又は式（ｂｂ）で表される基である請求項３記載のカルボン酸塩。
- 請求項１〜４のいずれかに記載のカルボン酸塩を含有するカルボン酸発生剤。
- 請求項５に記載のカルボン酸発生剤、該カルボン酸発生剤以外の酸発生剤及び酸不安定基を有する樹脂を含有するレジスト組成物。
- 酸不安定基を有する樹脂が、式（ａ１−１）で表される構造単位及び式（ａ１−２）で表される構造単位からなる群より選ばれる少なくとも１種を含む請求項６記載のレジスト組成物。
［式（ａ１−１）及び式（ａ１−２）中、
Ｌa1及びＬa2は、それぞれ独立に、−Ｏ−又は＊−Ｏ−（ＣＨ２）k1−ＣＯ−Ｏ−を表し、ｋ１は１〜７のいずれかの整数を表し、＊は−ＣＯ−との結合部位を表す。
Ｒa4及びＲa5は、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子又はハロゲン原子を有していてもよい炭素数１〜６のアルキル基を表す。
Ｒa6及びＲa7は、それぞれ独立に、炭素数１〜８のアルキル基、炭素数２〜８のアルケニル基、炭素数３〜１８の脂環式炭化水素基、炭素数６〜１８の芳香族炭化水素基又はこれらを組合せた基を表す。
ｍ１は、０〜１４のいずれかの整数を表す。
ｎ１は、０〜１０のいずれかの整数を表す。
ｎ１’は、０〜３のいずれかの整数を表す。］ - 酸不安定基を有する樹脂が、式（ａ２−Ａ）で表される構造単位を含む請求項６又は７記載のレジスト組成物。
［式（ａ２−Ａ）中、
Ｒa50は、水素原子、ハロゲン原子又はハロゲン原子を有していてもよい炭素数１〜６のアルキル基を表す。
Ｒa51は、ハロゲン原子、ヒドロキシ基、炭素数１〜６のアルキル基、炭素数１〜６のアルコキシ基、炭素数２〜１２のアルコキシアルキル基、炭素数２〜１２のアルコキシアルコキシ基、炭素数２〜４のアルキルカルボニル基、炭素数２〜４のアルキルカルボニルオキシ基、アクリロイルオキシ基又はメタクリロイルオキシ基を表す。
Ａa50は、単結合又は＊−Ｘa51−（Ａa52−Ｘa52）nｂ−を表し、＊は−Ｒa50が結合する炭素原子との結合部位を表す。
Ａa52は、炭素数１〜６のアルカンジイル基を表す。
Ｘa51及びＸa52は、それぞれ独立に、−Ｏ−、−ＣＯ−Ｏ−又は−Ｏ−ＣＯ−を表す。
ｎｂは、０又は１を表す。
ｍｂは０〜４のいずれかの整数を表す。ｍｂが２以上のいずれかの整数である場合、複数のＲa51は互いに同一であっても異なってもよい。］ - （１）請求項６〜８のいずれかに記載のレジスト組成物を基板上に塗布する工程、
（２）塗布後の組成物を乾燥させて組成物層を形成する工程、
（３）組成物層に露光する工程、
（４）露光後の組成物層を加熱する工程、及び
（５）加熱後の組成物層を現像する工程、
を含むレジストパターンの製造方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2020018903 | 2020-02-06 | ||
| JP2020018903 | 2020-02-06 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2021123580A true JP2021123580A (ja) | 2021-08-30 |
Family
ID=74572581
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2021003519A Pending JP2021123580A (ja) | 2020-02-06 | 2021-01-13 | カルボン酸塩、カルボン酸発生剤、レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US11739056B2 (ja) |
| JP (1) | JP2021123580A (ja) |
| KR (1) | KR20210100551A (ja) |
| BE (1) | BE1028011B1 (ja) |
| TW (1) | TW202138345A (ja) |
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| WO2024029354A1 (ja) * | 2022-08-01 | 2024-02-08 | サンアプロ株式会社 | スルホニウム塩、及び前記スルホニウム塩を含む酸発生剤 |
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| JP5970926B2 (ja) | 2011-04-13 | 2016-08-17 | 住友化学株式会社 | 塩、レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法 |
| JP6212873B2 (ja) | 2012-02-23 | 2017-10-18 | 住友化学株式会社 | レジスト組成物及び塩 |
| JP6207065B2 (ja) | 2012-10-01 | 2017-10-04 | 住友化学株式会社 | 塩、レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法 |
| JP2015147925A (ja) | 2014-01-10 | 2015-08-20 | 住友化学株式会社 | 樹脂及びレジスト組成物 |
| JP6423681B2 (ja) | 2014-10-14 | 2018-11-14 | 住友化学株式会社 | 樹脂、レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法 |
| JP2019168475A (ja) | 2016-08-08 | 2019-10-03 | Jsr株式会社 | 化学増幅型レジスト材料及びレジストパターン形成方法 |
| JP7129167B2 (ja) | 2017-01-20 | 2022-09-01 | 住友化学株式会社 | レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法 |
| JP6645464B2 (ja) * | 2017-03-17 | 2020-02-14 | 信越化学工業株式会社 | レジスト材料及びパターン形成方法 |
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-
2021
- 2021-01-13 JP JP2021003519A patent/JP2021123580A/ja active Pending
- 2021-02-02 TW TW110103748A patent/TW202138345A/zh unknown
- 2021-02-03 US US17/166,322 patent/US11739056B2/en active Active
- 2021-02-04 KR KR1020210016175A patent/KR20210100551A/ko active Search and Examination
- 2021-02-04 BE BE20215082A patent/BE1028011B1/fr active IP Right Grant
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2021185678A (ja) * | 2017-07-07 | 2021-12-09 | Ｔｖｓ Ｒｅｇｚａ株式会社 | 受信装置 |
| WO2024029354A1 (ja) * | 2022-08-01 | 2024-02-08 | サンアプロ株式会社 | スルホニウム塩、及び前記スルホニウム塩を含む酸発生剤 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| BE1028011A1 (fr) | 2021-08-18 |
| US20210263416A1 (en) | 2021-08-26 |
| TW202138345A (zh) | 2021-10-16 |
| KR20210100551A (ko) | 2021-08-17 |
| BE1028011B1 (fr) | 2022-01-26 |
| US11739056B2 (en) | 2023-08-29 |
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Legal Events
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|---|---|---|---|
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