JP5212370B2 - 半導体装置 - Google Patents
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Description
図1は、本発明の第1の実施形態による半導体記憶装置の構成例を示すブロック図である。半導体記憶装置は、例えばDRAMである。メモリコア120は、例えば4個に分割されたメモリセルブロック121a,121b,121c,121dを有する。各メモリセルブロック121a,121b,121c,121dは、複数のメモリセルを有し、データの書き込み及び読み出しを行うことができる。第1のメモリセルブロック121aは、第1のブロック制御回路123a及びリークカット制御回路122aにより制御される。第2のメモリセルブロック121bは、第2のブロック制御回路123b及び第2のリークカット制御回路122bにより制御される。第3のメモリセルブロック121cは、第3のブロック制御回路123c及び第3のリークカット制御回路122cにより制御される。第4のメモリセルブロック121dは、第4のブロック制御回路123d及び第4のリークカット制御回路122dにより制御される。
図12は、本発明の第2の実施形態による半導体記憶装置の構成例を示すブロック図である。本実施形態(図12)は、第1の実施形態(図1)に対して、ヒューズ回路101の代わりに半導体チップ1201及びモードセレクタ1202を設けたものである。以下、本実施形態が第1の実施形態と異なる点を説明する。半導体チップ1201は、例えばCPUであり、外部から半導体記憶装置の外部端子を介してモードセレクタ1202にモード信号を出力する。モードセレクタ1202は、半導体チップ1201からのモード信号に応じて、モード信号TLCUTDSBPZ,TALWAYSLCPZ,TLCUTDSBCZ,TALWAYSLCCZを出力する。
図13は、本発明の第3の実施形態による半導体記憶装置の構成例を示すブロック図である。本実施形態(図13)は、第1の実施形態(図1)に対して、モードレジスタ1301及びパーシャルリフレッシュ制御回路1302を追加したものである。以下、本実施形態が第1の実施形態と異なる点を説明する。モードレジスタ(コンフィグレーションレジスタ)1301は、コマンド、データ及びアドレスに応じて、パーシャルリフレッシュモードの設定を行う。パーシャルリフレッシュ制御回路1302は、モードレジスタ1301のパーシャルリフレッシュモードに応じて、1/2パーシャルエントリ信号sr1p2z又は1/4パーシャルエントリ信号sr1p4zを出力する。1/2パーシャルエントリ信号sr1p2zが第3のリークカット制御回路122c及び第4のリークカット制御回路122dに出力されると、第3のメモリセルブロック121c及び第4のメモリセルブロック121dはリフレッシュ動作を行わず、第1のメモリセルブロック121a及び第2のメモリセルブロック121bのみリフレッシュ動作を行う。1/4パーシャルエントリ信号sr1p4zが第2のリークカット制御回路122b、第3のリークカット制御回路122c及び第4のリークカット制御回路122dに出力されると、第2のメモリセルブロック121b、第3のメモリセルブロック121c及び第4のメモリセルブロック121dはリフレッシュ動作を行わず、第1のメモリセルブロック121aのみリフレッシュ動作を行う。
図19は、本発明の第4の実施形態による半導体記憶装置の構成例を示すブロック図である。本実施形態(図19)は、第1の実施形態(図1)に対して、温度センサ102及びセルフリフレッシュタイマ103の代わりに温度特性リニア型オシレータ1901を設けたものである。以下、本実施形態が第1の実施形態と異なる点を説明する。温度特性リニア型オシレータ1901は、温度センサ102及びセルフリフレッシュタイマ103の機能を有し、温度信号templowz及びリフレッシュ周期信号SRTZを出力する。
Claims (6)
- 温度を検出する温度検出素子と、
電源線から電源電圧が供給されて動作する内部回路と、
前記電源線及び前記内部回路の間に接続されるスイッチと、
前記温度検出素子により検出された温度が閾値よりも高いときには前記内部回路の動作時に前記スイッチをオンして前記内部回路の非動作時に前記スイッチをオフし、前記温度検出素子により検出された温度が前記閾値よりも低いときには前記内部回路の動作時及び非動作時に前記スイッチをオンするように制御し、前記閾値が、前記閾値より高い第1の温度においては、前記スイッチのオン及びオフの切り替え制御に起因する交流電流が、前記切り替え制御を行わず前記スイッチを動作時及び非動作時の両方でオンした場合の前記内部回路のスタンバイ時のリーク電流であるオフリーク電流よりも小さくなり、前記閾値より低い第2の温度においては、前記オフリーク電流が前記交流電流よりも小さくなるように設定された制御回路と、
データを記憶するメモリセルとを有し、
前記内部回路は、前記メモリセルの動作を制御する回路であり、
前記メモリセルは、前記温度検出素子により検出された温度が閾値より高いときには、データを保持するために第1のリフレッシュ周期でリフレッシュ動作を行い、前記温度検出素子により検出された温度が閾値より低いときには、データを保持するために前記第1のリフレッシュ周期より長い第2のリフレッシュ周期でリフレッシュ動作を行うことを特徴とする半導体装置。 - 前記制御回路は、起動時には前記温度検出素子により検出された温度にかかわらず前記スイッチをオフするように制御することを特徴とする請求項1記載の半導体装置。
- さらに、第1のモード、第2のモード又は第3のモードを設定するモード設定回路を有し、
前記制御回路は、前記第1のモードが設定されているときには、前記温度検出素子により検出された温度が閾値よりも高いときには前記内部回路の動作時に前記スイッチをオンして前記内部回路の非動作時に前記スイッチをオフし、前記温度検出素子により検出された温度が閾値よりも低いときには前記内部回路の動作時及び非動作時に前記スイッチをオンし、前記第2のモードが設定されているときには、前記温度検出素子により検出された温度にかかわらず前記内部回路の動作時に前記スイッチをオンして前記内部回路の非動作時に前記スイッチをオフし、前記第3のモードが設定されているときには、前記温度検出素子により検出された温度にかかわらず前記内部回路の動作時及び非動作時に前記スイッチをオンするように制御することを特徴とする請求項1又は2記載の半導体装置。 - 前記メモリセルは、複数のブロックに分割されていることを特徴とする請求項1〜3のいずれか1項に記載の半導体装置。
- 前記内部回路は、前記メモリセルのブロック毎に動作を制御する複数の内部回路を有し、
前記スイッチは、前記複数の内部回路毎に設けられ、
前記制御回路は、前記複数の内部回路の前記スイッチを制御する複数の制御回路を有することを特徴とする請求項4記載の半導体装置。 - 前記メモリセルは、前記ブロック単位でリフレッシュ動作が行われ、
前記制御回路は、対応するメモリセルのブロックのリフレッシュ動作を抑制するためのリフレッシュ抑制信号が入力されると、前記温度検出素子により検出された温度にかかわらず前記内部回路の非動作時に前記スイッチをオフすることを特徴とする請求項4又は5記載の半導体装置。
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