JP5194890B2 - 半導体集積回路 - Google Patents
半導体集積回路 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5194890B2 JP5194890B2 JP2008054413A JP2008054413A JP5194890B2 JP 5194890 B2 JP5194890 B2 JP 5194890B2 JP 2008054413 A JP2008054413 A JP 2008054413A JP 2008054413 A JP2008054413 A JP 2008054413A JP 5194890 B2 JP5194890 B2 JP 5194890B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- output
- signal
- input
- data
- test
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R31/00—Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
- G01R31/28—Testing of electronic circuits, e.g. by signal tracer
- G01R31/317—Testing of digital circuits
- G01R31/31725—Timing aspects, e.g. clock distribution, skew, propagation delay
- G01R31/31726—Synchronization, e.g. of test, clock or strobe signals; Signals in different clock domains; Generation of Vernier signals; Comparison and adjustment of the signals
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R31/00—Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
- G01R31/28—Testing of electronic circuits, e.g. by signal tracer
- G01R31/317—Testing of digital circuits
- G01R31/31712—Input or output aspects
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- General Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Tests Of Electronic Circuits (AREA)
- Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
- For Increasing The Reliability Of Semiconductor Memories (AREA)
- Test And Diagnosis Of Digital Computers (AREA)
Description
Claims (10)
- 外部データ入力端子に供給される入力データ信号を受けるデータ入力部と、
前記データ入力部で受けた入力データ信号を保持する記憶部と、
出力要求信号に応答してタイミング信号を生成するタイミング生成部と、
前記記憶部に保持された入力データ信号を前記タイミング信号に同期して出力データ信号として出力するデータ出力部と、
前記データ入力部で受けた入力データ信号を前記タイミング信号に同期して出力するテスト出力制御部と、
通常動作モード中に、前記データ出力部からの出力データ信号を外部データ出力端子に出力し、テストモード中に、前記テスト出力制御部からの入力データ信号を前記外部データ出力端子に出力するデータセレクタと
を備えていることを特徴とする半導体集積回路。 - 請求項1記載の半導体集積回路において、
前記外部データ出力端子から出力される出力データ信号を受けて動作し、ユーザ出力信号を生成する出力ユーザロジック回路と、
前記ユーザ出力信号を受ける出力レジスタと、
前記出力レジスタに接続されたスキャンパスと、
前記テストモード中に、前記出力レジスタに保持されたユーザ出力信号をスキャンパスを介して受け、受けた信号を期待値と比較するテスト制御部と
を備えていることを特徴とする半導体集積回路。 - 請求項2記載の半導体集積回路において、
前記外部データ入力端子に供給する入力データ信号を保持する入力レジスタと、
前記入力レジスタに接続されたスキャンパスと
を備え、
前記テスト制御部は、テスト用の入力データ信号をスキャンパスを介して前記入力レジスタに設定し、スキャンパスを介して受ける前記出力レジスタからのユーザ出力信号を期待値と比較することを特徴とする半導体集積回路。 - 請求項1ないし請求項3のいずれか1項記載の半導体集積回路において、
前記データ出力部は、前記記憶部からの出力データ信号を増幅し、保持するリードアンプであることを特徴とする半導体集積回路。 - 請求項1ないし請求項3のいずれか1項記載の半導体集積回路において、
前記データ出力部は、前記記憶部からの出力データ信号を出力するデータ出力バッファであることを特徴とする半導体集積回路。 - 請求項1ないし請求項5のいずれか1項記載の半導体集積回路において、
前記データ出力部から前記セレクタまで出力データ信号を伝達する通常信号線と、
前記テスト出力制御部から前記セレクタまで入力データ信号を伝達し、前記通常信号線と負荷が等しいテスト信号線と
を備えていることを特徴とする半導体集積回路。 - 請求項1記載の半導体集積回路において、
テスト入力信号を保持する入力レジスタと、
前記入力レジスタに接続されたスキャンパスと、
前記入力レジスタからの前記テスト入力信号を受けて動作し、入力データ信号を生成し、生成した入力データ信号を前記外部データ入力端子に出力する入力ユーザロジック回路と、
前記データ入力部に設けられ、前記入力データ信号を保持する保持部と、
前記保持部に接続されたスキャンパスと、
前記外部データ出力端子から出力される出力データ信号を受けて動作し、ユーザ出力信号を生成する出力ユーザロジック回路と、
前記ユーザ出力信号を保持する出力レジスタと、
前記出力レジスタに接続されたスキャンパスと、
前記テストモード中に、テスト入力信号をスキャンパスを介して前記入力レジスタおよび前記保持部に設定し、前記入力ユーザロジック回路、前記記憶部および前記出力ユーザロジック回路を動作し、前記保持部に保持された入力データ信号および前記出力レジスタに保持されたユーザ出力信号をスキャンパスを介して受け、受けた信号を期待値と比較するテスト制御部とを備えていることを特徴とする半導体集積回路。 - 請求項1ないし請求項7のいずれか1項記載の半導体集積回路において、
前記データ入力部は、入力データ信号をクロック信号に同期して受け、
前記記憶部は、前記出力要求信号に応答して動作を開始した後、クロック信号に非同期で出力データ信号をデータ出力部に出力し、
前記タイミング生成部は、前記出力要求信号を遅延させ前記タイミング信号として出力する遅延回路を有することを特徴とする半導体集積回路。 - 外部データ入力端子に供給される入力データ信号を受けるデータ入力部と、前記データ入力部で受けた入力データ信号を保持する記憶部と、出力要求信号に応答してタイミング信号を生成するタイミング生成部と、前記記憶部に保持された入力データ信号を前記タイミング信号に同期して出力データ信号として出力するデータ出力部とを有する機能ブロックと、
外部データ出力端子からの出力データ信号を受けて動作する出力ユーザロジック回路と
を備えた半導体集積回路のテスト方法であって、
前記データ出力部からの出力データ信号をマスクし、
前記データ入力部で受けた入力データ信号を前記タイミング信号に同期して前記外部データ出力端子に出力し、
前記出力ユーザロジック回路から出力されるユーザ出力信号を期待値と比較することで、前記出力ユーザロジック回路の不良を検出することを特徴とする半導体集積回路のテスト方法。 - 請求項9記載の半導体集積回路のテスト方法において、
前記半導体集積回路は、
スキャンパスに接続された入力レジスタからの信号を受けて動作し、生成した入力データ信号を前記外部データ入力端子に出力する入力ユーザロジック回路と、前記データ入力部に設けられ、スキャンパスに接続され、入力データ信号を保持する保持部と、スキャンパスに接続され、前記出力ユーザロジック回路からのユーザ出力信号を保持する出力レジスタとを備え、
テスト入力信号をスキャンパスを介して前記入力レジスタおよび前記保持部に設定し、
前記入力レジスタに設定された前記テスト入力信号に応じて前記入力ユーザロジック回路を動作し、
前記保持部に設定されたテスト入力信号に応じて前記記憶部を動作し、
前記外部データ出力端子から出力される出力データ信号に応じて前記出力ユーザロジック回路を動作し、
前記入力ユーザロジック回路から出力される入力データ信号を前記保持部に保持し、
前記出力ユーザロジック回路から出力されるユーザ出力信号を前記出力レジスタに保持し、
前記保持部に保持された入力データ信号および前記出力レジスタに保持されたユーザ出力信号を期待値と比較することで、前記入力ユーザロジック回路および前記出力ユーザロジック回路の不良を検出することを特徴とする半導体集積回路のテスト方法。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008054413A JP5194890B2 (ja) | 2008-03-05 | 2008-03-05 | 半導体集積回路 |
US12/396,745 US7913138B2 (en) | 2008-03-05 | 2009-03-03 | Semiconductor integrated circuit |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008054413A JP5194890B2 (ja) | 2008-03-05 | 2008-03-05 | 半導体集積回路 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2009210449A JP2009210449A (ja) | 2009-09-17 |
JP5194890B2 true JP5194890B2 (ja) | 2013-05-08 |
Family
ID=41054855
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008054413A Expired - Fee Related JP5194890B2 (ja) | 2008-03-05 | 2008-03-05 | 半導体集積回路 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7913138B2 (ja) |
JP (1) | JP5194890B2 (ja) |
Families Citing this family (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4977045B2 (ja) * | 2008-01-16 | 2012-07-18 | 株式会社東芝 | 半導体集積回路及び半導体装置 |
JP2011081732A (ja) * | 2009-10-09 | 2011-04-21 | Elpida Memory Inc | 半導体装置及びその調整方法並びにデータ処理システム |
KR101036924B1 (ko) * | 2009-12-28 | 2011-05-25 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체 집적회로 |
US8381049B2 (en) * | 2010-04-30 | 2013-02-19 | Stmicroelectronics International N.V. | Apparatus and method for testing shadow logic |
JP5532134B2 (ja) * | 2010-07-29 | 2014-06-25 | 富士通株式会社 | 半導体集積回路装置、その制御方法及び情報処理装置 |
JP2013007710A (ja) * | 2011-06-27 | 2013-01-10 | Advantest Corp | 試験装置および試験方法 |
CN103091572A (zh) * | 2011-11-03 | 2013-05-08 | 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司 | 信号测试装置 |
US9069042B2 (en) * | 2013-11-05 | 2015-06-30 | Freescale Semiconductor, Inc. | Efficient apparatus and method for testing digital shadow logic around non-logic design structures |
KR20160029378A (ko) * | 2014-09-05 | 2016-03-15 | 에스케이하이닉스 주식회사 | 반도체 장치 |
CN104865517B (zh) * | 2015-06-12 | 2018-01-02 | 中国电子科技集团公司第四十七研究所 | 检测调试电路 |
JP6702560B2 (ja) * | 2017-02-21 | 2020-06-03 | 株式会社東芝 | 半導体集積回路 |
CN109408846B (zh) * | 2017-08-18 | 2024-03-08 | 三星电子株式会社 | 集成电路、非暂时性计算机可读介质以及计算系统 |
US11073553B2 (en) | 2017-12-29 | 2021-07-27 | Texas Instruments Incorporated | Dynamic generation of ATPG mode signals for testing multipath memory circuit |
Family Cites Families (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH07271629A (ja) * | 1994-03-29 | 1995-10-20 | Mitsubishi Electric Corp | マイクロコンピュータ |
US6489819B1 (en) * | 1998-10-27 | 2002-12-03 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Clock synchronous semiconductor memory device allowing testing by low speed tester |
JP2001235524A (ja) * | 2000-02-22 | 2001-08-31 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体集積回路装置およびそのテスト方法、ram/romテスト回路およびそのテスト方法 |
JP3892788B2 (ja) * | 2002-09-30 | 2007-03-14 | 株式会社東芝 | 同期型半導体記憶装置及びそのテスト方法 |
US6944039B1 (en) * | 2003-12-12 | 2005-09-13 | Netlogic Microsystems, Inc. | Content addressable memory with mode-selectable match detect timing |
JP2005235368A (ja) * | 2004-01-21 | 2005-09-02 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体集積回路の検査方法 |
JP4332056B2 (ja) * | 2004-04-01 | 2009-09-16 | Okiセミコンダクタ株式会社 | 半導体集積回路 |
JP2006004509A (ja) | 2004-06-17 | 2006-01-05 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体集積回路およびハードマクロ回路 |
JP4707053B2 (ja) * | 2005-06-06 | 2011-06-22 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体集積回路装置 |
JP4693526B2 (ja) * | 2005-07-06 | 2011-06-01 | 株式会社東芝 | 半導体集積回路、および、半導体集積回路のテスト方法 |
JP4682077B2 (ja) * | 2006-03-30 | 2011-05-11 | 株式会社リコー | 半導体集積回路 |
-
2008
- 2008-03-05 JP JP2008054413A patent/JP5194890B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2009
- 2009-03-03 US US12/396,745 patent/US7913138B2/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2009210449A (ja) | 2009-09-17 |
US20090228752A1 (en) | 2009-09-10 |
US7913138B2 (en) | 2011-03-22 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5194890B2 (ja) | 半導体集積回路 | |
KR100890750B1 (ko) | 메모리 칩과 로직 칩을 탑재하여, 메모리 칩의 시험을가능하게 한 반도체 장치 | |
US7724574B2 (en) | Semiconductor memory device and data write and read method thereof | |
US8724410B2 (en) | Semiconductor memory device and method for testing same | |
JP5554476B2 (ja) | 半導体記憶装置および半導体記憶装置の試験方法 | |
US7911861B2 (en) | Semiconductor memory device and method of testing semiconductor memory device | |
US8125843B2 (en) | Semiconductor memory device and method for testing the same | |
US6807116B2 (en) | Semiconductor circuit device capable of accurately testing embedded memory | |
US7047461B2 (en) | Semiconductor integrated circuit device with test data output nodes for parallel test results output | |
US6208571B1 (en) | Semiconductor memory device, circuit board mounted with semiconductor memory device, and method for testing interconnection between a semiconductor memory device with a circuit board | |
JP3797810B2 (ja) | 半導体装置 | |
US7457179B2 (en) | Semiconductor memory device, system and method of testing same | |
US20080165596A1 (en) | Semiconductor memory device and method thereof | |
US6275428B1 (en) | Memory-embedded semiconductor integrated circuit device and method for testing same | |
JP5169597B2 (ja) | 集積回路および試験方法 | |
US8274854B2 (en) | Semiconductor storage device and method for producing semiconductor storage device | |
US8050135B2 (en) | Semiconductor memory device | |
US8386858B2 (en) | Semiconductor memory device | |
JP2003007097A (ja) | 半導体記憶装置およびそのテスト方法 | |
JP2002243801A (ja) | 半導体集積回路 | |
JP4985462B2 (ja) | 集積回路、集積回路の動作試験方法および動作試験プログラム | |
JP5060794B2 (ja) | 半導体記憶装置 | |
JPH1166889A (ja) | 高速試験機能つきメモリ | |
JP2010211885A (ja) | 半導体装置および半導体装置の製造方法 | |
JP2006200956A (ja) | 半導体集積装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20101119 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20120210 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20120626 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20120809 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20130108 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20130121 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20160215 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |