まず、メモリセル周辺回路におけるテスト対策方法である迂回パス回路を用いた場合の回路構成について説明する。
図1は、本発明に係るLSI内部のメモリセル101及び迂回パス回路を用いたメモリセル周辺回路の構成例を示す図である。
メモリセル101は、フリップフロップ(Flip Flop)等の順序回路を用いてデータを記憶するRAM(Random Access Memory)、同期式SRAM(Static Random Access Memory)である。
メモリセル101は、アドレス入力端子n+1ビット(A0〜An)、データ入力端子n+1ビット(Di0〜Din)、データ出力端子n+1ビット(Do0〜Don)、ライトイネーブル(WEN:write enable)端子、CEN端子、CLK端子を備えている。
メモリセル101は、CEN端子へ0(L:Low)の信号が印加された時に動作可能(ローアクティブ:low active)な状態となる。また、メモリセル101は、ライトイネーブル(以下、「WEN」と言う。)端子へ0(L)の信号が印加された時に、データ書き込みが可能となる。また、メモリセル101は、リードイネーブル(REN:read enable)が常に動作可能となっている。
メモリセル101は、CEN、WENがローアクティブ時に、クロック(以下、「CLK」と言う。)端子へ、クロック信号が印加され、データ入力端子(Di0〜Din)へデータ信号が印加された場合、メモリ内へデータが書き込まれ、格納される。また、メモリセル101は、CENがローアクティブ時に、アドレス入力端子(A0〜An)へアドレス入力信号が印加された場合、格納されたデータを、データ出力端子(Do0〜Don)から読み出すことができる。
次に、LSI内部のメモリセル周辺回路は、迂回パス回路108、スキャンセル(スキャンレジスタを含む。)102、104、105、107、110、選択回路(MUX:multiplexer)106、109、組み合わせ回路103を備えている。
迂回パス回路108は、メモリセル101のデータ入力端子(Di0〜Din)とデータ出力端子(Do0〜Don)間の回路であって、メモリセル101を迂回するように構成された回路である。迂回パス回路108は、データ人力信号を、メモリセル101の後段の回路へ出力する。
スキャンセル102、104、105、107、110は、入力端子(D)、出力端子(Q)、CLK端子を備えたDフリップフロップ(以下、「D-FF」と言う。)で、印加された信号を一時的に保持し、クロック信号で、保持した信号を出力するができる。また、スキャンセル102、104、105、107、110は、アドレス入力及びデータ入出力のテストを行う際に、テスト信号の印加(制御)、テスト後の信号出力(観測)先として使用される。アドレス入力のテストでは、テスト信号がスキャンセル102へ印加され、テスト後の信号がスキャンセル104へ出力される。また、データ入出力のテストでは、テスト信号がスキャンセル107へ印加され、テスト後の信号がスキャンセル110へ出力される。スキャンセル105は、WEN端子及びCEN端子へ入力するための制御信号が印加される。
選択回路(以下、「MUX」と言う。)106、109は、複数個の入力端子、制御信号入力端子、出力端子を備えており、2つ以上の入力信号を、入力信号を選択制御信号に基づき選択し、1つの信号として出力する回路である。
MUX106は、テスト時と通常動作時によるメモリセル周辺回路の動作切り換えを制御する信号に基づき、メモリセル101のWEN端子、CEN端子へ印加する信号を切り換える。
MUX109は、テスト時と通常動作時によるメモリセル周辺回路の動作切り換えを制御する信号に基づき、迂回パス回路108から出力された信号と、メモリセル101のデータ出力端子(Do0〜Don)から出力された信号とを切り換えて出力する。
組み合わせ回路103は、複数個の排他的論理和(以下、「XOR」と言う。)回路をツリー状に構成した組み合わせ回路である。組み合わせ回路103は、アドレス入力信号を集約する。
次に、メモリセル101及び迂回パス回路を用いたメモリセル周辺回路は、ATPGEN信号、SCANEN信号、SYSTEM_CLK信号により制御される。
ATPGEN信号は、メモリセル周辺回路において、テスト時と通常動作時の動作切り換えを制御する信号であり、ATPGEN信号が1(H)の場合、テスト状態へ、ATPGEN信号が0(L)の場合、通常動作状態へ遷移するように制御する。ATPGEN信号は、MUX106、109の制御信号入力端子へ印加される。
SCANEN信号は、メモリセル101の動作を制御する信号であり、SCANEN信号が1(H)の場合、メモリセル101を停止状態へ、SCANEN信号が0(L)の場合、メモリセル101を書き込み可能な動作状態へ遷移するように制御する。SCANEN信号は、MUX106の入力端子へ印加され、ATPGEN信号が1(H)の場合、メモリセル101のWEN端子、CEN端子へ印加される。
SYSTEM_CLK信号は、システムクロック信号である。SYSTEM_CLK信号は、システムクロックと同期して動作するメモリセル101のCLK端子へ印加される。
以下に、迂回パス回路108を用いた方法によるテスト動作の流れについて説明する。
まず、迂回パス回路を用いる方法では、テスト状態を示す1(H)のATPGEN信号を発行し、MUX106、109の制御信号入力端子へ印加される。次に、低消費電力でテストを行うために、1(H)のSCANEN信号を発行し、0(L)のSYSTEM_CLK信号を発行する。その結果、メモリセル101のWEN端子及びCEN端子には、1(H)のATPGEN信号に基づき、MUX106によりSCANEN信号が選択され、1(H)のSCANEN信号が印加され、メモリセル101のCLK端子には、0(L)のSYSTEM_CLK信号が印加され、メモリセル101の動作を停止する。
アドレス入力に関するメモリセル周辺回路のテストは、アドレス入力データとしてスキャンセル102へ印加されたテスト信号が、組み合わせ回路103により集約され、集約された信号を、スキャンセル104で観測し、観測された信号が、正常パターンの期待値と一致しているか否かを判定する。
また、迂回パス回路108を用いた入出力データに関するメモリセル周辺回路のテストは、入力データとしてスキャンセル107へ印加されたテスト信号が、迂回パス回路108を介して、MUX109の入力端子へ印加され、1(H)のATPGE信号に基づき、印加されたテスト信号がMUX109により選択され、選択されたテスト信号がMUX109の出力端子から出力される。その後、MUX109から出力されたテスト信号は、後段の組み合わせ回路を介して、スキャンセル110へ印加され、スキャンセル110により観測された信号が、正常パターンの期待値を一致しているか否かを判定する。
このように、迂回パス回路108を用いた方法は、低消費電力でテストを行うことができる。
しかし、迂回パス回路108を用いた方法は、入出力データに関するメモリセル101後段の周辺回路において、メモリセル101からの出力データと、メモリセル101の出力端子からMUX109の入力端子間のパスと、MUX109におけるATPGEN信号の入力端子が、テストされず、故障検出ができない。また、メモリセル101の出力端子からMUX109の入力端子間のパスとMUX109は、出力端子の数だけ存在するため、未検出の故障箇所が増加してしまう問題がある。
次に、メモリセル周辺回路におけるテスト対策方法であるトランスペアレントモードを用いた場合の回路構成について説明する。
まず、トランスペアレントモードについて説明する。
トランスペアレントモードとは、メモリセル201のアドレス入力端子(A0〜An)、WEN端子、CEN端子、CLK端子へ印加される信号を制御し、メモリセル201のデータ入力端子(Di0〜Din)へ入力されるデータを、一時的に保持し(キャプチャ動作)、順次、データ出力端子(Do0〜Don)からデータを出力(シフト動作)するように動作させるものであり、クロック信号と同期して動作するものである。よって、トランスペアレントモードは、メモリセル201をバッファセルのように動作させるものである。
図2は、本発明に係るLSI内部のメモリセル201及びトランスペアレントモードのメモリセル周辺回路の構成例を示す図である。
図2におけるメモリセル201およびメモリセル周辺回路の構成と、図1の回路の構成と違いは、入力データを迂回させる迂回パス回路108及び出力データを選択するMUX109がなく、メモリセル201をトランスペアレントモードとして動作させるための回路が付加された点であり、図2のメモリセル201及びメモリセル周辺回路が備える、スキャンセル(スキャンレジスタを含む。)202、206、207、211、212、MUX208、組み合わせ回路205は、図1の構成例で示す、スキャンセル102、104、105、107、110、MUX106、組み合わせ回路103と同じである。
よって、図2の説明では、図1と同様の構成例の説明を省略し、トランスペアレントモードを用いる方法において、付加された回路についてのみ説明する。
LSI内部のメモリセル周辺回路は、スキャンセル(スキャンレジスタを含む。)202、206、207、211、212、MUX208、210、組み合わせ回路205、反転(NOT)回路203、209、論理積(AND)回路204を備えている。
論理積(以下、「AND」と言う。)回路204は、入力信号に対し、論理積演算を行い、演算結果を出力する回路で、各アドレス入力端子(A0〜An)の前段に備えられている。AND回路204は、アドレス入力の信号と、テスト時と通常動作時の動作切り換えを制御する信号との論理積演算を行う。
反転(以下、「NOT」と言う。)回路203、209は、入力した信号を反転させ出力する回路で、NOT回路203は、テスト時と通常動作時のアドレス入力信号を制御するための信号を、NOT回路209はクロック信号を反転させる。
MUX210は、テスト時と通常動作時のクロック信号を制御する信号に基づき、反転したクロック信号と通常のクロック信号とを切り換え出力する。
次に、メモリセル201及びトランスペアレントモードのメモリセル周辺回路は、ATPGEN信号、SCANEN信号、SYSTEM_CLK信号により制御される。
ATPGEN信号は、メモリセル周辺回路において、テスト時と通常動作時の動作切り換えを制御する信号であり、ATPGEN信号が1(H)の場合、テスト状態へ、ATPGEN信号が0(L)の場合、通常動作状態へ遷移するように制御する。ATPGEN信号は、MUX208、210の制御信号入力端子へ、NOT回路203の入力端子へ印加される。
SCANEN信号は、メモリセル201の動作を制御する信号であり、SCANEN信号が1(H)の場合、メモリセル201へ一時的に保持されたデータをデータ出力端子(Do0〜Don)から読み出すシフト動作状態へ、SCANEN信号が0(L)の場合、データ入力端子(Di0〜Din)から入力されたデータをメモリセル201へ一時的に保持するキャプチャ動作状態へ遷移するように制御する。SCANEN信号は、MUX208の入力端子へ印加され、ATPGEN信号が1(H)の場合、メモリセル201のWEN端子、CEN端子へ印加される。
SYSTEM_CLK信号は、システムクロック信号である。SYSTEM_CLK信号は、MUX210の入力端子へ、NOT回路209の入力端子へ印加され、ATPGEN信号が1(H)の場合、NOT回路209により反転されたクロック信号が、ATPGEN信号が0(L)の場合、通常のクロック信号がメモリセル201のCLK端子へ印加される。
以下に、トランスペアレントモードを用いた方法によるテスト動作の流れについて説明する。
まず、トランスペアレントモードを用いる方法では、1(H)のATPGEN信号を発行し、MUX208、210により、入力端子に印加されたテスト信号を選択するように制御する。次に、メモリセル201をトランスペアレントモードで動作させテストを行うために、1(H)と0(L)を1サイクルとするSCANEN信号、SYSTEM_CLK信号を発行する。その結果、メモリセル201のWEN端子及びCEN端子には、1(H)のATPGEN信号に基づき、MUX208により選択されたSCANEN信号が印加され、メモリセル201のCLK端子には、MUX210により、NOT回路209で反転されたSYSTEM_CLK信号が印加され、メモリセル201をトランスペアレントモードとして動作する。
トランスペアレントモードを用いた入出力データに関するメモリセル周辺回路のテストは、入力データとしてスキャンセル211へ印加されたテスト信号が、メモリセル201のデータ入力端子(Di0〜Din)を介して、メモリセル201へ一時的に保持され、データ出力端子(Do0〜Don)から、順次、出力される。その後、メモリセル201のデータ出力端子(Do0〜Don)から出力された信号は、後段の組み合わせ回路を介して、スキャンセル212へ印加され、スキャンセル212により観測された信号が、正常パターンの期待値を一致しているか否かを判定する。
また、トランスペアレントモードを用いたテストの中で、アドレス入力に関するメモリセル周辺回路のテストは、メモリセル201をトランスペアレントモードで動作させるため、ATPGEN信号がNOT回路203により反転され、0(L)のATPGEN信号が、各アドレス入力端子(A0〜An)の前段に備わるAND回路204へ入力され、アドレス入力データとしてスキャンセル202へ印加されたテスト信号が、AND回路204により、0(L)の信号で出力される。
このように、トランスペアレントモードを用いた方法は、アドレス入出データに関するメモリセル201前段の周辺回路において、メモリセル201のアドレス入力端子(A0〜An)へ入力されるアドレス入力データが、固定された0(L)の信号になるため、スキャンセル202からメモリセル201のアドレス入力端子(A0〜An)間のパスで、縮退故障による0(L)固定の信号なのか否かを判断することができず、故障検出率を低下させてしまう問題がある。また、テスト時の消費電力や安定性を考慮し、LSIが搭載するメモリセル全てを同時に動作させないように、メモリセル201のCLK端子に入力するクロック及びCEN端子に入力する信号を制御し、特定のメモリセル201のみ動作させテストを実施した場合、停止させたメモリセル(例えば、LSIに搭載された、メモリセル201以外のメモリセル。)はシャドーロジックとなるため、複数のメモリセルのデータ出力を1つの比較器に取り込む回路によりテストを行う、メモリBISTの故障検出率を低下させてしまう。
本発明は、図1及び図2において説明を行った、迂回パス回路108を用いた方法とトランスペアレントモードを用いた方法における問題点を解決し、メモリセル周辺回路の故障検出率を向上させ、低消費電力でテストを行うことができる回路構成を提案するものである。
図3は、本発明の実施例に係るLSIテスタ40を用いたテストの流れを示す図である。
LSIテストは、テストパターン生成(以下、「TPG」と言う。)により生成されたテストデータをCUTへ印加し、出力解析(以下、「ORA」と言う。)により、CUTからの出力が、正常パターンである期待値と一致しているか否かを判断し、出荷テストを行うものであり、LSIテスタ等のチップ外のテスタを用いて行う。
以下に、図3を用いて、実施例のLSIテストの流れについて説明する。
まず、LSIテストを行う前に、テストパターン生成を行う端末(例えば、PC:Personal Computer等。)において、CUTの論理設計に基づき、TPGにあたるATPGツール30により、テストパターン31を生成し、故障シミュレータにより、期待値パターン32を検証しておく。
この前処理を行った後、LSIテストでは、生成されたテストパターン31を読み取り、読み取ったテストパターン31を基に、テストデータとなる信号の波形形成401を行い、プローバ403に備わる検査端子(外部ピン)を端子駆動402により駆動させ、検査台42に設置されたLSI43のCUT前段に備わるスキャンセル(スキャンレジスタを含む。)へ、テスト信号を印加する(スキャンセルを外部ピンから制御する。)。
次に、LSIテストでは、LSI43のCUT後段に備わるスキャンセルから、テスト信号に対する出力を出力検知404で検知し、検知された出力値と期待値パターン32の期待値とをパターン比較405により比較し、その比較結果を基に、出力結果解析により解析を行い、解析結果を出力する。
このように、LSIテスタを用いたテストは、予め用意しておいたテストパターンと期待値パターンを基に、テスト信号を、LSIテスタ40の備える外部端子から、CUTの前段に備わるスキャンセルへ印加し、その出力結果を、CUTの後段に備わるスキャンセルから検出し、パターン比較405により出力値を期待値とを比較することで、LSI43の出荷テストを行う。
図4は、本発明の実施例に係るモード設定手段60の構成例及び動作の流れを示す図である。
本発明は、メモリセル周辺回路の故障検出率を向上させ、低消費電力でテストを行うことができる回路構成を実現するため、図1に示す迂回パス回路108を用いた方法と、図2に示すトランスペアレントモードを用いた方法を組み合わせ、LSI43に搭載される複数個のメモリセルに対して、迂回パス回路用いるメモリセルとトランスペアレントモードを用いるメモリセルとを、テストを行う際に一度に設定する手段として、モード設定手段60を有している。
まず、モード設定手段60の構成例について説明する。
図4に示す、モード設定手段60の構成は、インストラクションレジスタ51、インストラクションデコーダ52、モード設定信号レジスタ53を備えている。
インストラクションレジスタ51は、トランスペアレントモードとして動作させるための命令コードを設定するためのレジスタで、IEEE1149.1(Institute of Electrical and Electronic Engineers 1149.1)に準拠したTAP(Test Access Port)のTDi端子から、命令コードが設定される。
インストラクションレジスタ51に設定される命令コードは、IEEE1149.1のユーザ命令コードを用いて、メモリセル毎に予め用意されている。例えば、LSI43に搭載されるメモリセルの内、メモリセルA、Zを迂回パスモード、メモリセルB、Yをトランスペアレントモードとして動作させるために、メモリセルA、B、X、Yに対応したユーザ命令コードを(例えば、「10001」、「10010」、「10011」、「10100」のような5ビットのコード。)を用意しておく。
インストラクションデコーダ52は、インストラクションレジスタ51に設定された命令コードを解読(デコード)するデコーダである。
モード設定信号レジスタ53は、インストラクションデコーダ52により解読(デコード)された、複数個のメモリセルに対する命令(モード設定)を保持するためのレジスタである。モード設定信号レジスタ53は、TAPのTRSTによりレジスタ内の設定を初期化することができる。
次に、モード設定手段60の動作の流れについて説明する。
モード設定手段60は、図4に示す通り、テストを行う前に実行される前処理であり、予め用意された、LSI43に搭載されるメモリセルの内、特定のメモリセルを迂回パスモードとして動作させるための命令コードを、TAPのTDi端子からインストラクションレジスタ51に設定し、インストラクションデコーダ52により解読(デコード)し、解読(デコード)された命令(モード設定)を、モード設定信号レジスタ53へ設定する。また、モード設定手段60は、複数個の命令コードを解読(デコード)する場合、インストラクションデコーダ52で解読(デコード)を行った命令コードをTAPのTDo端子へシフトし、インストラクションレジスタ51へ、解読(デコード)されていない命令コードを順次設定することで、複数個の命令コードを解読(デコード)し、解読された複数個の命令(モード設定)をモード設定信号レジスタ53へ設定する。
このように、モード設定手段60は、テストを行う前に、予め、LSI43に搭載される複数個のメモリセルに対して、テストの際に、迂回パスモードを用いるメモリセルを指定することができる。
これによって、LSIテストでは、モード設定手段60によりモード設定信号レジスタ53に設定した命令(モード設定)を基に、図4に示すモード設定信号(MEM_BYPASS信号)を各メモリセルへ発行し、迂回パスモードのメモリセルとトランスペアレントモードのメモリセルの動作制御を実現している。
図5は、本発明の実施例に係るLSI43内部のメモリセル301及び主要なメモリセル周辺回路の構成例を示す図である。
図5におけるメモリセル301は、図1、図2の構成例で示すメモリセル101、201と同じである。よって、図5におけるメモリセル301の説明は省略する。
LSI43内部のメモリセル周辺回路は、迂回パス回路317、スキャンセル(スキャンレジスタを含む。)302、307、310、316、319、MUX308、311、312、314、315、318、組み合わせ回路306、NOT回路303、313、AND回路305、309、論理和(OR)回路304を備えている。
迂回パス回路317は、メモリセル301のデータ入力端子(Di0〜Din)とデータ出力端子(Do0〜Don)間の回路であって、メモリセル301を迂回するように構成された回路である。迂回パス回路317は、データ人力信号を、メモリセル301の後段の回路へ出力する。
スキャンセル302、307、310、316、319は、入力端子(D)、出力端子(Q)、CLK端子を備えたD-FFで、印加された信号を一時的に保持し、クロックの1(H)の信号で、保持した信号を出力するができる。また、スキャンセル302、307、310、316、319は、アドレス入力及びデータ入出力に関するメモリセル周辺回路のテストを行う際に、テスト信号印加(制御)、テスト後の信号出力(観測)先として使用される。アドレス入力のテストでは、テスト信号がスキャンセル302へ印加され、テスト後の信号がスキャンセル307へ出力される。また、データ入出力のテストでは、テスト信号がスキャンセル316へ印加され、テスト後の信号がスキャンセル319へ出力される。スキャンセル310は、WEN端子及びCEN端子へ入力するための制御信号が印加される。
MUX308、311、312、314、315、318は、複数個の入力端子、制御信号入力端子、出力端子を備えており、2つ以上の入力信号を、テスト時と通常動作時の動作切り換えを制御する信号に基づき選択し、1つの信号として出力する回路である。MUX308、311、312、314、315、318は、テスト時と通常動作時による出力信号を切り換え出力する。また、MUX308、311、314は、迂回パスモードとトランスペアレントモードによる出力信号を切り換え出力する。
組み合わせ回路306は、複数個のXOR回路をツリー状に構成した組み合わせ回路である。組み合わせ回路103は、アドレス入力信号を集約する。
NOT回路303、313は、入力した信号を反転させ出力する回路で、NOT回路303は、テスト時と通常動作時のアドレス入力信号を制御するための信号を、NOT回路313はシステムクロック信号を反転させる。
AND回路305、309は、入力信号に対し、論理積演算を行い、演算結果を出力する回路である。AND回路305は、各アドレス入力端子(A0〜An)の前段に備えられており、アドレス入力の信号と、テスト時と通常動作時のアドレス入力信号を制御するための制御信号との論理積演算を行う。また、AND回路309は、MUX308の後段に備えられており、MUX308から出力された信号と、テスト時と通常動作時の動作切り換えを制御する信号との論理積演算を行う。
論理和(以下、「OR」と言う。)回路304は、入力信号に対し、論理和演算を行い、演算結果を出力する回路で、NOT回路303後段に備えられており、NOT回路303により反転された、メモリセル周辺回路におけるテスト時と通常動作時の動作切り換えを制御する信号と、モード設定手段60により設定され、テストを行う際に発行されるモード設定信号との論理和演算を行う。
次に、本発明の実施例に係るLSI43内部のメモリセル301及び主要なメモリセル周辺回路は、ATPGEN信号、SCANEN信号、SYSTEM_CLK信号、MEM_BYPASS信号により制御される。
ATPGEN信号は、メモリセル周辺回路において、テスト時と通常動作時の動作切り換えを制御する信号であり、ATPGEN信号が1(H)の場合、テスト状態へ、ATPGEN信号が0(L)の場合、通常動作状態へ遷移するように制御する。ATPGEN信号は、MUX308、312、315、318の制御信号入力端子へ、AND回路309の入力端子へ、NOT回路309の入力端子へ印加される。
SCANEN信号は、メモリセル301の動作を制御する信号であり、SCANEN信号が1(H)の場合、メモリセル301へ一時的に保持されたデータを、データ出力端子(Do0〜Don)から読み出すシフト動作状態へ、SCANEN信号が0(L)の場合、データ入力端子(Di0〜Din)から入力されたデータを、メモリセル301へ一時的に保持するキャプチャ動作状態へ遷移するように制御する。SCANEN信号は、MUX311の入力端子へ印加される。
SYSTEM_CLK信号は、システムクロック信号である。SYSTEM_CLK信号は、MUX315の入力端子へ、NOT回路313の入力端子へ印加される。
MEM_BYPASS信号は、モード設定手段60により、モード設定信号レジスタ53に設定した命令(モード設定)を基に、モード設定信号として各メモリセルへ発行され、迂回パスモードのメモリセル301とトランスペアレントモードのメモリセル301の動作を制御する信号であり、MEM_BYPASS信号が1(H)の場合、迂回パスモードとして動作させ、MEM_BYPASS信号が0(L)の場合、トランスペアレントモードとして動作させるように制御する。MEM_BYPASS信号は、MUX308、311、314の制御信号入力端子へ印加され、OR回路304の入力端子へ印加される。
次に、LSI43内部のメモリセル周辺回路は、アドレス設定手段61、選択信号発生手段62、動作制御信号供給手段63、クロック反転手段64、選択手段65を有している。
アドレス設定手段61は、トランスペアレントモードの場合、メモリセル301のアドレス入力へ、0(L)のアドレス入力データを設定するように、メモリセル301前段に備えられたAND回路305の入力端子へ制御信号を印加する。アドレス設定手段61は、NOT回路303、OR回路304で構成されており、AND回路305の前段に備わっている。アドレス設定手段61は、NOT回路303の入力端子へATPGEN信号が印加され、反転されたATPGEN信号とMEM_BYPASS信号が、OR回路304の入力端子へ印加され、その演算結果が、OR回路304の出力端子から出力される。
図6に、本発明の実施例に係るアドレス設定手段61のタイムチャートの例を示す。
図6(a)は、迂回パスモード時のタイムチャートであり、ATPGEN信号をAに、MEM_BYPASS信号をBに、出力信号をCに示す。また、図6(b)は、トランスペアレントモード時のタイムチャートであり、ATPGEN信号をAに、MEM_BYPASS信号をBに、出力信号をCに示す。
アドレス設定手段61は、図6(a)の迂回パスモードの場合(MEM_BYPASS信号が1(H)の場合)、図6(a)のA及びBに示す通り、1(H)のATPGEN信号、MEM_BYPASS信号が印加される。その結果、アドレス設定手段61は、NOT回路303により、0(L)のATPGEN信号へ反転され、反転された0(L)のATPGEN信号と1(H)のMEM_BYPASS信号が、OR回路304の入力端子へ印加され、図6(a)のCに示す、1(H)の信号が出力される。よって、図6(a)の迂回パスモードの場合は、アドレス設定手段61の後段に備わるAND回路305の入力端子へ印加される制御信号が、1(H)であるため、スキャンセル302へ印加されたテスト信号が、組み合わせ回路を介して、メモリセル301のアドレス入力端子(A0〜An)へアドレス入力データとして印加される。
また、アドレス設定手段61は、図6(b)のトランスペアレントモードの場合(MEM_BYPASS信号が0(L)の場合)、図6(b)のA及びBに示す通り、1(H)のATPGEN信号、0(L)のMEM_BYPASS信号が印加される。その結果、アドレス設定手段61は、NOT回路303により、0(L)のATPGEN信号へ反転され、反転された0(L)のATPGEN信号と0(L)のMEM_BYPASS信号が、OR回路304の入力端子へ印加され、図6(b)のCに示す、0(L)の信号が出力される。よって、図6(b)のトランスペアレントモードの場合は、アドレス設定手段61の後段に備わるAND回路305の入力端子へ印加される制御信号が、0(L)であるため、メモリセル301のアドレス入力端子(A0〜An)へ、0(L)の信号がアドレス入力データとして印加される。
このように、アドレス設定手段61は、迂回パスモードの場合、スキャンセル302に印加されたテスト信号を、メモリセル301へアドレス入力データとして設定し、トランスペアレントモードの場合、メモリセル301へ、0(L)のアドレス入力データを設定する。
これによって、アドレス設定手段61は、迂回パスモードの場合とトランスペアレントモードの場合において、メモリセル301のアドレス入力データを制御することを実現している。
選択信号発生手段62は、迂回パスモードの場合、迂回パス回路317からの出力データをMUX318により選択し、トランスペアレントモードの場合、メモリセル301のデータ出力端子(Do0〜Don)から出力された出力データをMUX318により選択するように制御する信号を発生する。選択信号発生手段62は、MUX318、AND回路309で構成されており、スキャンセル307の後段に備わっている。選択信号発生手段62は、MUX318の入力端子へスキャンセル307から出力された信号が印加され、もう一方の入力端子へ1(H)の信号が印加される。また、選択信号発生手段62は、MUX318の制御信号入力端子へ、MEM_BYPASS信号が印加されており、MEM_BYPASS信号に基づき、入力端子に印加された信号を選択する。次に、選択信号発生手段62は、MUX318により選択され出力された信号とATPGEN信号とを、AND回路309の入力端子へ印加し、その演算結果が、AND回路309の出力端子から出力される。
図7に、本発明の実施例に係る選択信号発生手段62のタイムチャートの例を示す。
図7(a)は、迂回パスモード時のタイムチャートであり、スキャンセル307へ印加されたテスト信号をAに、ATPGEN信号をBに、MEM_BYPASS信号をCに、出力信号をDに示す。また、図7(b)は、トランスペアレントモード時のタイムチャートであり、スキャンセル307へ印加されたテスト信号をAに、ATPGEN信号をBに、MEM_BYPASS信号をCに、出力信号をDに示す。
選択信号発生手段62は、図7(a)の迂回パスモードの場合(MEM_BYPASS信号が1(H)の場合)、図7(a)のB及びCに示す通り、1(H)のATPGEN信号、MEM_BYPASS信号が印加される。また、選択信号発生手段62は、スキャンセル307の前段に備わる組み合わせ回路306により集約され出力されたアドレス入力信号が、スキャンセル307へ印加され、図7(a)のAに示すような信号となる。その結果、選択信号発生手段62は、1(H)のMEM_BYPASS信号に基づき、MUX308により、1(H)の信号が選択され、1(H)のATPGEN信号と、MUX308により選択された1(H)の信号が、AND回路309の入力端子へ印加され、図7(a)のDに示す、1(H)の信号が発生される。よって、図7(a)の迂回パスモードの場合は、選択信号発生手段62の後段に備わるMUX318の制御信号入力端子へ1(H)の信号が印加され、迂回パス回路317からの出力データがMUX318により選択される。
選択信号発生手段62は、図7(b)のトランスペアレントモードの場合(MEM_BYPASS信号が0(L)の場合)、図7(b)のB及びCに示す通り、1(H)のATPGEN信号、0(L)のMEM_BYPASS信号が印加される。また、選択信号発生手段62は、アドレス設定手段61により0(L)のアドレス入力データとなっているため、スキャンセル307から出力される信号は、図7(b)のAに示す通り、0(L)の信号となる。その結果、選択信号発生手段62は、0(L)のMEM_BYPASS信号に基づき、MUX308により、スキャンセル307からの入力信号0(L)が選択され、1(H)のATPGEN信号と、MUX308により選択された0(L)の信号が、AND回路309の入力端子へ印加され、図7(b)のDに示す、0(L)の信号が発生される。よって、図7(b)のトランスペアレントモードの場合は、選択信号発生手段62の後段に備わるMUX318の制御信号入力端子へ0(L)の信号が印加され、メモリセル301のデータ出力端子(Do0〜Don)から出力された出力データがMUX318により選択される。
このように、選択信号発生手段62は、迂回パスモードの場合、迂回パス回路317からの出力データを選択し、トランスペアレントモードの場合、メモリセル301のデータ出力端子(Do0〜Don)から出力された出力データを選択するように制御する信号を発生する。
これによって、選択信号発生手段62は、迂回パスモードの場合とトランスペアレントモードの場合において、メモリセル301の入出力データを制御することを実現している。
動作制御信号供給手段63は、迂回パスモードの場合、1(H)の信号を、トランスペアレントモードの場合、メモリセル301の動作を制御するSCANEN信号を、メモリセル301のWEN端子、CEN端子へ印加するように制御する信号を供給する。選択信号発生手段62は、MUX311で構成されており、MUX312の前段に備わっている。選択信号発生手段62は、MUX311の入力端子へ1(H)の信号が印加され、もう一方の入力端子へ、SCANEN信号が印加され、MUX311の出力端子から選択された信号が出力される。
図8に、本発明の実施例に係る動作制御信号供給手段63のタイムチャートの例を示す。
図8(a)は、迂回パスモード時のタイムチャートであり、SCANEN信号をAに、MEM_BYPASS信号をBに、出力信号をCに、WEN端子へ印加される信号をDに、CEN端子へ印加される信号をEに示す。また、図8(b)は、トランスペアレントモード時のタイムチャートであり、SCANEN信号をAに、MEM_BYPASS信号をBに、出力信号をCに、WEN端子へ印加される信号をDに、CEN端子へ印加される信号をEに示す。
動作制御信号供給手段63は、図8(a)の迂回パスモードの場合(MEM_BYPASS信号が1(H)の場合)、図8(a)のA及びBに示す通り、0(L)と1(H)を1サイクルとするSCANEN信号、1(H)のMEM_BYPASS信号が印加される。その結果、動作制御信号供給手段63は、1(H)のMEM_BYPASS信号に基づき、MUX311により、1(H)の信号が選択され、MUX311の出力端子より、図8(a)のCに示す、1(H)の信号が出力される。よって、図8(a)の迂回パスモードの場合は、動作制御信号手段63の後段に備わるMUX312の制御信号入力端子へ1(H)の信号が印加され、MUX312の制御信号入力端子へ印加された1(H)のATPGEN信号に基づき、図8(a)のD及びEに示す、1(H)の信号が、メモリセル301のWEN端子、CEN端子へ印加される。
動作制御信号供給手段63は、図8(b)のトランスペアレントモードの場合(MEM_BYPASS信号が0(L)の場合)、図8(b)のA及びBに示す通り、0(L)と1(H)と1サイクルとするSCANEN信号、0(L)のMEM_BYPASS信号が印加される。その結果、動作制御信号供給手段63は、0(L)のMEM_BYPASS信号に基づき、MUX311により、0(L)と1(H)を1サイクルとするSCANEN信号が選択され、MUX311の出力端子より、図8(b)のCに示す、SCANEN信号が出力される。よって、図8(b)のトランスペアレントモードの場合は、動作制御信号手段63の後段に備わるMUX312の制御信号入力端子へSCANEN信号が印加され、MUX312の制御信号入力端子へ印加された1(H)のATPGEN信号に基づき、図8(b)のD及びEに示す、SCANEN信号が、メモリセル301のWEN端子、CEN端子へ印加される。
このように、動作制御信号供給手段63は、迂回パスモードの場合、1(H)の信号を、トランスペアレントモードの場合、0(L)と1(H)を1サイクルとするSCANEN信号を、メモリセル301のWEN端子、CEN端子へ印加するように制御する信号を供給する。
これによって、動作制御信号供給手段63は、迂回パスモードの場合、メモリセル301を停止させ、トランスペアレントモードの場合、メモリセル301のデータ入力端子(Di0〜Din)へ印加されたデータ信号を、順次、データ出力端子(Do0〜Don)から出力するように制御することを実現している。
クロック反転手段64は、迂回パスモードの場合、0(L)の信号を、トランスペアレントモードの場合、メモリセル301の動作を制御するため反転させたSYSTEM_CLK信号を、メモリセル301のCLK端子へ印加する。クロック反転手段64は、MUX314で構成されており、MUX315の前段に備わっている。クロック反転手段64は、MUX314の入力端子へ0(L)の信号が印加され、もう一方の入力端子へ、NOT回路313により反転されたSYSTEM_CLK信号が印加され、MUX314の出力端子から選択されたクロック信号が出力される。
図9に、本発明の実施例に係るクロック反転手段64のタイムチャートの例を示す。
図9(a)は、迂回パスモード時のタイムチャートであり、SYSTEM_CLK信号をAに、MEM_BYPASS信号をBに、出力信号をCに、CLK端子へ印加される信号をDに示す。また、図9(b)は、トランスペアレントモード時のタイムチャートであり、SYSTEM_CLK信号をAに、MEM_BYPASS信号をBに、出力信号をCに、CLK端子へ印加される信号をDに示す。
クロック反転手段64は、図9(a)の迂回パスモードの場合(MEM_BYPASS信号が1(H)の場合)、図9(a)のA及びBに示す通り、0(L)と1(H)を1サイクルとするSYSTEM_CLK信号、1(H)のMEM_BYPASS信号が印加される。その結果、クロック反転手段64は、1(H)のMEM_BYPASS信号に基づき、MUX314により、0(L)の信号が選択され、MUX314の出力端子より、図9(a)のCに示す、0(L)の信号が出力される。よって、図9(a)の迂回パスモードの場合は、クロック反転手段64の後段に備わるMUX315の制御信号入力端子へ0(L)の信号が印加され、MUX315の制御信号入力端子へ印加された1(H)のATPGEN信号に基づき、図9(a)のDに示す、0(L)の信号が、メモリセル301のCLK端子へ印加される。
クロック反転手段64は、図9(b)のトランスペアレントモードの場合(MEM_BYPASS信号が0(L)の場合)、図9(b)のA及びBに示す通り、0(L)と1(H)と1サイクルとするSYSTEM_CLK信号、0(L)のMEM_BYPASS信号が印加される。その結果、クロック反転手段64は、0(L)のMEM_BYPASS信号に基づき、MUX314により、前段のNOT回路313により反転され1(H)と0(L)を1サイクルとするSYSTEM_CLK信号が選択され、MUX314の出力端子より、図9(b)のCに示す、反転されたSYSTEM_CLK信号が出力される。よって、図9(b)のトランスペアレントモードの場合は、クロック反転手段64の後段に備わるMUX315の制御信号入力端子へ、反転されたSYSTEM_CLK信号が印加され、MUX315の制御信号入力端子へ印加された1(H)のATPGEN信号に基づき、図9(b)のDに示す、反転されたSYSTEM_CLK信号が、メモリセル301のCLK端子へ印加される。
このように、クロック反転手段64は、迂回パスモードの場合、0(L)の信号を、トランスペアレントモードの場合、1(H)と0(L)を1サイクルとする反転されたSYSTEM_CLK信号を、メモリセル301のCLK端子へ印加する。
これによって、クロック反転手段64は、迂回パスモードの場合、メモリセル301を停止させ、トランスペアレントモードの場合、メモリセル301のデータ入力端子(Di0〜Din)へ印加されたデータ信号を、順次、データ出力端子(Do0〜Don)から出力するように制御することを実現している。
選択手段65は、迂回パスモードの場合、迂回パス回路317からのデータ信号を、トランスペアレントモードの場合、メモリセル301のデータ出力端子(Do0〜Don)から出力されたデータ信号を選択する。選択手段65は、MUX318で構成されており、メモリセル301の後段に備わっている。選択手段65は、MUX318の入力端子へ迂回パス回路317からのデータ信号が印加され、もう一方の入力端子へ、メモリセル301のデータ出力端子(Do0〜Don)から出力されたデータ信号が印加され、MUX318の出力端子から選択されたデータ信号が出力される。
選択手段65は、迂回パスモードの場合(MEM_BYPASS信号が1(H)の場合)、選択信号発生手段62により発生された1(H)の選択制御信号が、MUX318の制御信号入力端子へ印加される。その結果、選択手段65は、1(H)の選択制御信号に基づき、MUX318により、迂回パス回路317からのデータ信号が選択され、MUX318の出力端子より、選択されたデータ信号が出力される。
選択手段65は、トランスペアレントモードの場合(MEM_BYPASS信号が0(L)の場合)、選択信号発生手段62により発生された0(L)の選択制御信号が、MUX318の制御信号入力端子へ印加される。その結果、選択手段65は、0(L)の選択制御信号に基づき、MUX318により、メモリセル301のデータ出力端子(Do0〜Don)から出力されたデータ信号が選択され、MUX318の出力端子より、選択されたデータ信号が出力される。
このように、選択手段65は、迂回パスモードの場合、迂回パス回路317からのデータ信号を、トランスペアレントモードの場合、メモリセル301のデータ出力端子(Do0〜Don)から出力されたデータ信号を、MUX318により選択する。
これによって、選択手段65は、迂回パスモードの場合とトランスペアレントモードの場合において、メモリセル301の入出力データを制御し、入出力データに関するメモリセル周辺回路のテストを行うことができる。
図10、11は、本発明の実施例に係るメモリセル301及びメモリセル周辺回路において、製品テストを行った場合のタイミングチャートの例を示すものである。
図10は、本発明の実施例に係るアドレス入力に関するメモリセル周辺回路テスト時のタイムチャートの例を示す図である。また、アドレス入力に関するメモリセル周辺回路のテストは、トランスペアレントモードでは行えないため、迂回パスモードで動作するよう、モード設定手段60により、モード設定信号レジスタ53に設定した命令(モード設定)に従い1(H)のMEM_BYPASS信号が発行され、メモリセル301が迂回パスモードとして動作し、テストを行う。
図10は、スキャンセル302の後段に備わる組み合わせ回路の出力信号をA、B、C及びDに、メモリセル301の前段に備わりアドレス入力データを制御するAND回路305の出力信号をE、F、G及びHに、アドレス入力データを集約する組み合わせ回路306の出力信号をIに示す。
まず、アドレス入力に関するメモリセル周辺回路のテストは、スキャンセル302へデータ信号が印加される。印加されたデータ信号は、スキャンセル302の後段に備わる組み合わせ回路へ印加される。また、アドレス入力に関するメモリセル周辺回路のテストでは、1(H)のATPGEN信号と1(H)のMEM_BYPASS信号に基づき、アドレス設定手段61により、1(H)の信号が出力される。よって、スキャンセル302へ印加されたテスト信号が組み合わせ回路へ印加され、図10に示すA、B、C及びDのような信号が、組み合わせ回路から出力された場合、組み合わせ回路の後段に備わるAND回路305の入力端子へ印加され、AND回路305のもう一方の入力端子には、アドレス設定手段61により出力された1(H)の信号が印加され、図10に示すE、F、G及びHのような信号が出力される。
次に、AND回路305から出力された信号は、組み合わせ回路306の入力端子へ印加され、アドレス入力データとして集約される。集約された信号は、図10のIに示すような信号となり、組み合わせ回路306の出力端子から出力され、スキャンセル307へ印加される。
また、アドレス入力に関するメモリセル周辺回路のテストは、低消費電力対応のため、メモリセル301を停止させた状態で行う。そのため、メモリセル301のWEN端子、CEN端子へは、1(H)のATPGEN信号と、1(H)のMEM_BYPASS信号に基づき、動作制御信号供給手段63により、1(H)のSCANEN信号が印加され、メモリセル301のCLK端子へは、1(H)のATPGEN信号と、1(H)のMEM_BYPASS信号に基づき、クロック反転手段64により、0(L)のSYSTEM_CLK信号が印加され、メモリセル301を停止させる。
このように、アドレス入力に関するメモリセル周辺回路のテストは、スキャンセル302へ、アドレス入力のテストパターンであるデータ信号が印加され、アドレス入力に関するメモリ周辺回路を介して、スキャンセル307へ信号を出力し、その出力値を、正常パターンである期待値と比較することで、アドレス入力に関するメモリセル周辺回路が故障しているか否かを判断することができる。
これによって、トランスペアレントモードを用いてテストを行った際、テストを行うことが出来なかったアドレス入力に関するメモリセル周辺回路に対し、迂回パスモードとして動作するように制御することでテストすることが可能となり、故障検出率を向上させることができる。
図11は、本発明の実施例に係る入出力データに関するメモリセル周辺回路のテスト時のタイムチャートの例を示す図である。
図11(a)は、迂回パスモード時のタイムチャートであり、スキャンセル316の後段に備わる組み合わせ回路の出力信号をA、B、C及びDに、メモリセル301の後段に備わるMUX318の出力信号をE、F、G及びHに示す。
まず、入出力データに関するメモリセル周辺回路のテストは、スキャンセル316へデータ信号が印加される。印加されたデータ信号は、スキャンセル316の後段に備わる組み合わせ回路へ印加される。よって、組み合わせ回路から図11(a)に示すA、B、C及びDのような信号が出力された場合、迂回パス回路317を介して、メモリセル301の後段に備わるMUX318の入力端子へ印加される。この時、MUX318の制御信号入力端子へは、1(H)のATPGEN信号と、モード設定手段60により、モード設定信号レジスタ53に設定した命令(モード設定)に従い発行された1(H)のMEM_BYPASS信号に基づき、選択信号発生手段62により発生された1(H)の選択制御信号が印加される。その結果、MUX318は、印加された1(H)の選択制御信号により、迂回パス回路317から印加されたデータ信号を選択し、出力端子から、図11(a)に示すE、F、G及びHのような信号を出力する。
次に、MUX318から出力された信号は、後段の組み合わせ回路を介して、スキャンセル319へ印加される。
また、入出力データに関するメモリセル周辺回路のテストは、低消費電力対応のため、迂回パスモードの場合、メモリセル301を停止させた状態で行う。そのため、メモリセル301のWEN端子、CEN端子へは、1(H)のATPGEN信号と、1(H)のMEM_BYPASS信号に基づき、動作制御信号供給手段63により、1(H)のSCANEN信号が印加され、メモリセル301のCLK端子へは、1(H)のATPGEN信号と、1(H)のMEM_BYPASS信号に基づき、クロック反転手段64により、0(L)のSYSTEM_CLK信号が印加され、メモリセル301を停止させる。
このように、入出力データに関するメモリセル周辺回路のテストは、スキャンセル316へ、入力データのテストパターンであるデータ信号が印加され、迂回パス回路317を介して、スキャンセル319へ信号を出力し、その出力値を、正常パターンである期待値と比較することで、入出力データに関するメモリセル周辺回路が故障しているか否かを判断することができる。
これによって、低消費電力に対応し、トランスペアレントモードを用いてテストを行った際、メモリBISTの故障検出率低下の原因であった、停止したメモリセル301における入出力データに関するメモリセル周辺回路に対し、迂回パスモードとして動作するように制御することでテストすることが可能となり、故障検出率を向上させることができる。
図11(b)は、トランスペアレントモード時のタイムチャートであり、メモリセル301のCLK端子へ印加される信号をAに、WEN端子へ印加される信号をBに、CEN端子へ印加される信号をCに、スキャンセル316の後段に備わる組み合わせ回路の出力信号をD、E、F及びGに、メモリセル301のデータ出力端子(Do0〜Don)から出力される信号をH、I、J及びKに示す。
まず、入出力データに関するメモリセル周辺回路のテストは、スキャンセル316へデータ信号が印加される。印加されたデータ信号は、スキャンセル316の後段に備わる組み合わせ回路へ印加される。よって、組み合わせ回路から図11(b)に示すD、E、F及びGのような信号が出力された場合、メモリセル301のデータ入力端子(Di0〜Din)へ印加される。
また、入出力データに関するメモリセル周辺回路のテストは、メモリセル301をトランスペアレントモードで動作させるため、メモリセル301のWEN端子、CEN端子へは、1(H)のATPGEN信号と、0(L)のMEM_BYPASS信号に基づき、動作制御信号供給手段63により、0(L)と1(H)を1サイクルとするSCANEN信号が印加され、メモリセル301のCLK端子へは、1(H)のATPGEN信号と、1(H)のMEM_BYPASS信号に基づき、クロック反転手段64により、1(H)と0(L)を1サイクルとする反転されたSYSTEM_CLK信号が印加され、メモリセル301をトランスペアレントモードとして、スキャンシフトとキャプチャ動作を交互に動作する。
よって、メモリセル301は、印加されたデータ信号を、順次、データ出力端子(Do0〜Don)へ、図11(b)に示すH、I、J及びKのような信号を出力し、MUX318の入力端子へ印加され、MUX318の制御信号入力端子へは、1(H)のATPGEN信号と、トモード設定手段60により、モード設定信号レジスタ53に設定した命令(モード設定)に従い発行された0(L)のMEM_BYPASS信号に基づき、選択信号発生手段62により発生された0(L)の選択制御信号が印加される。その結果、MUX318は、印加された0(L)の選択制御信号により、メモリセル301のデータ出力端子(Do0〜Don)から印加されたデータ信号を選択し、出力端子から、図11(b)に示すH、I、J及びKと同様の信号を出力する。
次に、MUX318から出力された信号は、後段の組み合わせ回路を介して、スキャンセル319へ印加される。
このように、入出力データに関するメモリセル周辺回路のテストは、スキャンセル316へ、入力データのテストパターンであるデータ信号が印加され、トランスペアレントモードで動作するメモリセル301のデータ入出力端子(Di0〜Din、Do0〜Don)を介して、スキャンセル319へ信号を出力し、その出力値を、正常パターンである期待値と比較することで、入出力データに関するメモリセル周辺回路が故障しているか否かを判断することができる。
これによって、迂回パスモードでテストを行った際、テストを行うことが出来なかったメモリセル301からの出力データと、メモリセル301のデータ出力端子(Do0〜Don)からMUX318の入力端子間のパスと、MUX318における選択制御信号の入力端子に対し、トランスペアレントモードとしてメモリセル301を動作するように制御することでテストすることが可能となり、故障検出率を向上させることができる。
以上のように、本発明の実施例によれば、迂回パス回路317を用いる方法と、メモリセル301をトランスペアレントモードとして動作させる方法とを組み合わせ、アドレス設定手段61、選択信号発生手段62、動作制御信号供給手段63、クロック反転手段64、選択手段65を有するメモリセル周辺回路を構成し、モード設定手段60によりモード設定信号レジスタ53へ設定した命令(モード設定)に従い、LSI43が搭載するメモリセル毎に、モード設定信号(MEM_BYPASS信号)を発行し、迂回パスモードとトランスペアレントモードを設定することで、迂回パスモードのメモリセルとトランスペアレントモードのメモリセルとの動作を制御することができ、低消費電力でテストが行え、迂回パス回路317を用いた方法の問題点である、テストを行うことができないメモリセル301からの出力データと、メモリセル301のデータ出力端子(Do0〜Don)からMUX318の入力端子間のパスと、MUX318における選択制御信号の入力端子に対し、テストを行うことができ、トランスペアレントモードを用いた方法で問題となっている、テストを行うことができないアドレス入力に関するメモリセル周辺回路に対し、テストを行うことができ、メモリセル周辺回路の故障検出率を向上させ、低消費電力でテストを行うことができる。
各実施例に基づき本発明の説明を行ってきたが、上記実施例に挙げた形状に、その他の要素との組み合わせ等、ここで示した要件に、本発明が限定されるものではない。
これらの点に関しては、本発明の主旨をそこなわない範囲で変更することが可能であり、その応用形態に応じて適切に定めることができる。