JP5194133B2 - イオンビーム装置 - Google Patents
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Description
本例のイオン顕微鏡は、更に、ガス電界電離イオン源1を真空排気するイオン源真空排気用ポンプ12、及び、試料室3を真空排気する試料室真空排気用ポンプ13を有する。
床20の上に配置された装置架台17の上には、防振機構19を介して、ベースプレート18が配置されている。ガス電界電離イオン源1、カラム2、及び、試料室3は、ベースプレート18によって支持されている。
装置架台17には支柱103が設けられている。支柱103によって、冷凍機40が支持されている。冷凍機40の振動は、支柱103を経由して、装置架台17に伝達される。しかしながら、防振機構19によって、冷凍機40の振動は、ベースプレート18には低減して伝達される。
圧縮機ユニット(コンプレッサ)16の振動は、床20を経由して、装置架台17に伝達される。装置架台17とベースプレート18との間には除振機構19が配置されており、床の高周波数の振動はガス電界電離イオン源1、イオンビーム照射系カラム2、真空試料室3などには伝達しにくいという特徴を持つ。従って、圧縮機ユニット(コンプレッサ)16の振動が、床20を経由して、ガス電界電離イオン源1、イオンビーム照射系カラム2、及び、試料室3に伝達しにくいという特徴を持つ。ここでは、床20の振動の原因として、冷凍機40及びコンプレッサ16を説明した。しかしながら、床20の振動の原因はこれに限定されるものではない。
本例では、装置架台17の上に防振機構19を設けたが、装置架台17の脚に防振機構19を設ける、あるいは両者を併用してもよい。
図1を参照して説明したように、コンプレッサ16の振動は、床20を経由して、装置架台17に伝達されるが、防振機構19によって、ベースプレート18に伝達されることが防止される。従って、コンプレッサ16の振動は、支柱104、及び、ポット43に伝達されることはない。
本例では、ポット43の径が大きい部分43Aに、図示しない輻射シールドが接続されており、この輻射シールドは、銅製の冷却伝導管57に接続されている。従って、冷却伝導棒53及び冷却伝導管57は常にポット43と同一の温度に保持される。
本例では、GM型冷凍機40を用いたが、その代わりに、パルス管冷凍機、又はスターリング型冷凍機を用いてもよい。また、本例では、冷凍機は、2つの冷却ステージを有するが、単一の冷却ステージを有するものでもよく、冷却ステージの数は特に限定されるものではない。
すなわち、本冷却機構は、圧縮機ユニットで発生させた第1の高圧ガスを膨張させて寒冷を発生する寒冷発生手段と、この寒冷発生手段の寒冷で冷却したポット43内のヘリウムガスである第2のガスで被冷却体であるエミッタティップ21を冷却する冷却機構である。
なお、本実施例の電磁石の代わりに、反磁性体ブロック周囲に永久磁石を配置しても良い。
こうして本実施例では、エミッタティップの極低温化を実現し、より大電流のイオンビームが得られるガス電界電離イオン源が提供され、ひいては高分解能観察が可能なイオン顕微鏡が提供されるという効果を奏する。
側壁28及び天板29は、エミッタティップ21を囲んでいる。引き出し電極24、側壁28、天板29、ベローズ62、絶縁材63、及び、フィラメントマウント23によって囲まれる空間を、イオン化室15と呼ぶ。
抵抗加熱器30は、引き出し電極24、側壁28等を脱ガス処理するために用いる。引き出し電極24、側壁28等を加熱することによって、それより脱ガス化する。抵抗加熱器30は、イオン化室15の外側に配置する。従って、抵抗加熱器自身が脱ガス化しても、それはイオン化室外で行われるから、イオン化室内は高真空化することができる。
なお、エミッタティップの固定方法、すなわち、サファイアベース52に接続されるエミッタティップマウントの一部に超電導体ブロックを用いた振動防止機構については後述する。
なお、本例では、タングステンの細線を用いたがモリブデンの細線を用いることもできる。また、本例では、白金の被覆を用いたが、イリジウム、レニウム、オスミウム、パラジュウム、ロジュウム等の被覆を用いることもできる。
出した。また、このビーム制限アパーチャを含む真空容器は約200℃に加熱可能なベーキングヒータ504を備えており真空排気しながらベーキングすることにより真空度を10−7Pa以下にすることが可能である。また、ビーム制限アパーチャの板500はプラズマを使ったクリーニングにより付着分子が少ない状態にしておくとさらに効果的である。なお、ビーム制限アパーチャを内包する真空容器を排気する真空ポンプ505はノーブルポンプ、イオンポンプ及び非蒸発ゲッタポンプなどが好適であり、特にターボ分子ポンプやロータリポンプを動作させない真空排気システムとすると、エミッタティップの振動が低下して高分解能の像が得られるという効果を奏する。
加熱終了直後に、非蒸発ゲッタ材料513を500℃に加熱する。これにより非蒸発ゲッタ材料513は活性化され、ガス分子を吸着する。ただし、イオン材料ガスをヘリウムや、アルゴンなどの不活性ガスにした場合にはこれらを吸着しない。次に、真空ポンプとの間のバルブを閉めて、ボンベガス515との間のバルブ516を開けて一定量バッファタンク中にイオン材料ガスが溜まった後、バルブ516を閉める。すると、イオン源材料中に含まれる不純物ガスは非蒸発ゲッタ材料に吸着して、イオン源材料ガスが純化される。このガスを流量調整バルブで流量を制御して、イオン源中に導く。すなわち、イオン化室のエミッタティップ21周辺に導入する。すると、エミッタティップ21に付着する不純物ガス分子も飛躍的に減少し、イオンビーム電流が安定して、観察像に明るさのムラが無い試料観察を可能にするイオンビーム装置が提供される
また、図7では、イオン化室に非蒸発ゲッタ材料を用いている。本実施例では、イオン材料ガス供給配管25から放出されるガスが衝突する壁にゲッタ材料520を配置した。また、イオン化室外壁には加熱ヒータ30が備えられておりイオン化ガス導入前に、非蒸発ゲッタ材料520を加熱して活性化する。また、非蒸発ゲッタ材料から放出される不純物ガスがエミッタティップ21に直接向かわないように、エミッタティップには汚れ防止カバー521を設けた。そして、イオン源を極低温に冷却した後、イオン化ガスをイオン材料ガス供給配管25から供給する。このようにすると、エミッタティップに付着する不純物ガス分子が飛躍的に減少し、イオンビーム電流が安定して、観察像に明るさのムラが無い試料観察を可能にするイオンビーム装置が提供される
また、同様に試料室真空容器からイオン源真空容器に流入する不純物ガスがエミッタティップ先端に付着してイオンビーム電流を不安定にするという問題を見出した。このため、試料室の真空度をノーブルポンプ、イオンポンプ及び非蒸発ゲッタポンプで10−7Paまで排気して、イオン源真空容器に流入する不純物ガスをできるだけ減少するようにした。これにより、エミッタティップに付着する不純物ガス分子も飛躍的に減少し、イオンビーム電流が安定して、観察像に明るさのムラが無い試料観察を可能にするイオンビーム装置が提供される。
従って、5nmのビーム径に対する、エミッタティップの振動の影響は軽微である。ところが、本例では、縮小率が比較的大きく、1〜1/2程度である。従って、エミッタティップにおける10nmの振動は、縮小率が1/2の場合には試料上では5nmの振動となり、ビーム径に対する試料の振動が大きい。すなわち、例えば0.2nmの分解能を実現するためには、大きくともエミッタティップの振動を0.1nm以下にする必要がある。従来のイオン源はエミッタティップ先端の振動防止という観点では必ずしも十分でなかった。
以上述べたように、本発明によると、微小な径のイオンビームを生成し、かつエミッタティップの振動を防止することによって、試料表面の高分解能観察を実現することができる。また、本イオン源ではイオン化室の気密が高く、イオン化室の外側では真空度が高いためイオンビームが真空中のガスと衝突して中性化する割合が少ないため、大電流のイオンビームを試料に照射できるという効果を奏する。また、高温のヘリウムガス分子が引き出し電極と衝突する個数が少なくなり、エミッタティップおよび引き出し電極の冷却温度を下げることができ、大電流のイオンビームを試料に照射できるという効果を奏する。
なお、対物レンズ8の先端と試料9の表面までの距離は仕事距離と称される。本イオンビーム装置では仕事距離を2mm未満にすると、分解能は0.2nm未満となり、超分解能が実現する。従来は、ガリウムなどのイオンが用いられていたため試料からのスパッタ粒子が対物レンズを汚染して、正常動作を妨げる懸念があった。本発明によるイオン顕微鏡ではこの懸念が少なく超高分解能を実現できた。
次に、図11に本実施例でのエミッタティップ防振機構を示す。本実施例では、エミッタベースマウント64の一部に複数の永久磁石530を埋め込んだ振動防止機構を設けた。永久磁石530周囲には超電導体ブロック531が配置してあり、イオン化室側壁28に固定してある。エミッタティップすなわちイオン化室の冷却に伴い超電導体ブロック531を超電導状態にする。すると、超電導体ブロックは永久磁石530からの磁場を固定する、いわゆるピニング効果が表れる。すると、超電導体ブロック531と永久磁石530は非接触で固定されることになり、エミッタベースマウント64の先端に取り付けられたエミッタティップの振動が防止されることになる。また、超電導体ブロックは極低温のイオン化室側壁28に接続されているため、本防振機構は、エミッタティップに多量の熱を加えない。このため、エミッタティップが極低温に保たれ、エミッタティップからのイオンビーム電流を大きくできるという効果も奏する。
以上、本発明のガス電界電離イオン源およびイオンビーム装置によれば、冷却機構からの振動は、エミッタティップに伝達されにくく、エミッタベースマウントの固定機構が備えられているためエミッタティップの振動が防止され高分解能観察が可能となる。
本例の冷却機構4は、冷媒となるヘリウムガスをGM型冷凍機401および熱交換器402、405、410、414を用いて冷却して、これを圧縮機ユニット400により循環させる。コンプレッサ403で加圧された例えば0.9MPaの常温の温度300Kのヘリウムガスは配管409を通じて熱交換器402に流入し、後述する戻りの低温のヘリウムガスと熱交換して温度約60Kに冷却される。冷却されたヘリウムガスは断熱されたトランスファーチューブ404内の配管403を通じて輸送され、ガス電界電離イオン源1近くに配置された熱交換器405に流入する。ここで、熱交換器405に熱的に一体化された熱伝導体406を温度約65Kに冷却し、前記した輻射シールド等を冷却する。加温されたヘリウムガスは熱交換器405を流出し配管407を通じて、GM型冷凍機401の第1冷却ステージ408に熱的に一体化された熱交換器409に流入し、温度約50Kに冷却され、熱交換器410に流入する。後述する戻りの低温のヘリウムガスと熱交換して温度約15Kに冷却され、そののち、GM型冷凍機401の第2冷却ステージ411に熱的に一体化された熱交換器412に流入し、温度約9Kに冷却され、トランスファーチューブ404内の配管413を通じて輸送され、ガス電界電離イオン源1近くに配置された熱交換器414に流入し、熱交換器414で熱的に接続された良熱伝導体の冷却伝導棒53を温度約10Kに冷却する。熱交換器414で加温されたヘリウムガスは配管415を通じて熱交換器410、402に順次流入し、前述のヘリウムガスと熱交換してほぼ常温お温度約275Kになって、配管415を通じて圧縮機ユニット400に回収される。なお、前述した低音部は真空断熱容器416ないに収納され、トランスファーチューブ404とは、図示していないが断熱的に接続されている。また、真空断熱容器416内において、図示していないが低温部は輻射シールド板や、積層断熱材等により室温部からの輻射熱による熱侵入を防止している。
まず、超電導状態に無い温度でエミッタティップ位置を調整しておく。そして、エミッタティップ冷却に伴い超電導体ブロックを超電導状態にする。すると、超電導体ブロックは永久磁石からの磁場を固定する、いわゆるピニング効果が表れる。すると、永久磁石が配置されたエミッタティップマウントは、超電導体ブロックが配置されたイオン化室に非接触で固定されることになり、エミッタティップマウントの先端に取り付けられたエミッタティップの振動が防止されることになる。また、超電導体ブロックは極低温のイオン化室側壁28に接続されているため、本防振機構は、エミッタティップに多量の熱を加えない。このため、エミッタティップが極低温に保たれ、エミッタティップからのイオンビーム電流を大きくできるという効果も奏する。なお、エミッタベースマウントに超電導体ブロックを配置し、その周囲に永久磁石を配置して、これをイオン化室側壁に固定しても同様な効果が得られる。
また、本例では、GM型冷凍機40を用いたが、その代わりに、パルス管冷凍機、又はスターリング型冷凍機を用いてもよい。また、本例では、冷凍機は、2つの冷却ステージを有するが、単一の冷却ステージを有するものでもよく、冷却ステージの数は特に限定されるものではない。例えば、1段の冷却ステージを持つ小型のスターリング型冷凍を用いて、最低冷却温度を50Kとしたヘリウム循環冷凍機とすれば、コンパクトで低コストのイオンビーム装置を実現できる。また、この場合には、ヘリウムガスの代わりにネオンガスや水素を用いてもよい。
本例では、イオン化室15を開閉する開閉バルブが取り付けられている。開閉バルブは、蓋部材34を有する。図13Aは、蓋部材34が開けられた状態を示し、図13Bは、蓋部材34が閉じられた状態を示す。
本例によれば、イオン化室15に蓋部材34を設けることにより、引き出し電極の孔の寸法を小さくしても、真空粗引き時のコンダクタンスを増大化することが可能である。また、引き出し電極の孔の寸法を小さくすることにより、イオン化室15の密閉度を高くすることが可能となる。そのため、イオン化室15内の高真空化が可能となり、大電流のイオンビームが得られる。
ここで説明した配線構造は、図1、図10、及び図12に示した例においても適用可能である。
なお、試料室真空排気用ポンプ13として、ターボ分子ポンプを用いてもよい。しかしながら、装置の振動軽減構造を実現するのにはコストが要する。また、試料室に、ターボ分子ポンプが装着されていたとしても、イオンビームによる試料観察時にターボ分子ポンプを停止させておけば高分解能観察が可能であることがわかった。すなわち、本発明では、イオンビームによる試料観察時の試料室の主たる真空排気ポンプを、非蒸発ゲッタポンプとイオンポンプの組合せ、非蒸発ゲッタポンプとノーブルポンプの組合せ、又は、非蒸発ゲッタポンプとエクセルポンプの組合せによって構成する。ただし、装置構成として、ターボ分子ポンプを装着して、大気からの真空粗引きに用いたとしても、本発明の目的を妨げるものではない。
さらに、このとき1nm以下の分解能のイオン像と元素分析像を並べ、又は、重ねて表示してよい。それにより、試料表面を好適にキャラクタリゼーションできる。
また、本願の発明者は、イオンビームの加速電圧を50kV以上にして半導体試料上の構造寸法を計測すると精度よく計測できることを見出した。これはイオンビームによる試料のスパッタイールドが低下するため、試料の構造を破壊する程度が低くなり、寸法計測精度が向上することによる。特に、イオン化ガスとして、水素を用いるとスパッタイールドが低下し、寸法計測の精度が向上する。
以上、本発明によれば、イオンビームにより試料上の構造寸法を計測するのに好適な解析装置、イオンビームを用いた測長装置または検査装置が提供される。
本発明によれば、試料上の構造寸法を計測するのに好適なイオンビームを用いた測長装置または検査装置が提供される。
前記液体寒剤の容器の真空度計測、あるいは温度計測により上記真空ポンプの動作を制御して、前記液体寒剤の容器の温度を制御する制御装置を備えることを特徴とするイオンビーム装置。
ヘリウム、ネオン、アルゴン、クリプトン、キセノンなどの不活性ガスを用いて、供給配管に非蒸発ゲッタ材料を配置したことを特徴とするイオンビーム装置。
Claims (13)
- イオンビームを生成するためのガス電界電離イオン源と、
該ガス電界電離イオン源から引き出されたイオンビームを試料上で集束させる対物レンズと、
該対物レンズへのイオンビームの開き角を制限する可動のビーム制限アパーチャと、
前記試料を置く試料台と、
前記ガス電界電離イオン源と、前記対物レンズと、前記ビーム制限アパーチャと、前記試料台などを収納する真空容器と、を有し、
前記ガス電界電離イオン源は、イオンを生成するエミッタティップと、該エミッタティップを支持するエミッタベースマウントと、前記エミッタティップに対向して設けられた引き出し電極を有し且つ前記エミッタティップを囲むように構成されたイオン化室と、前記エミッタティップの近傍にガスを供給するガス供給管と、を有し、
前記エミッタベースマウントの前記真空容器に対する位置関係の変動を抑制するように、前記エミッタベースマウントと前記真空容器との間に非接触相互作用が働く機構を有することを特徴とするイオンビーム装置。 - 請求項1記載のイオンビーム装置において、
前記非接触相互作用が、イオンビーム引き出し方向もしくは前記イオンビーム引き出し方向に対して概略垂直方向のいずれかの方向に働くことを特徴とする特徴とするイオンビーム装置。 - 請求項1記載のイオンビーム装置において、
前記非接触相互作用が、前記エミッタベースマウントと前記真空容器との間に働く磁気的相互作用であることを特徴とする特徴とするイオンビーム装置。 - 請求項3記載のイオンビーム装置において、
前記エミッタベースマウントの少なくとも一部が、反磁性体の材料で構成されていることを特徴とするイオンビーム装置。 - 請求項3記載のイオンビーム装置において、
前記磁気的相互作用が、超電導物質によって構成された電磁石によって生じることを特徴とするイオンビーム装置。 - 請求項1記載のイオンビーム装置において、
前記エミッタベースマウントの少なくとも一部が、超電導物質で構成されていることを特徴とするイオンビーム装置。 - 請求項6記載のイオンビーム装置において、
前記イオンビームを引き出す時に、前記エミッタベースマウントの一部を冷却することにより当該部分が超電導状態であることを特徴とするイオンビーム装置。 - 請求項6記載のイオンビーム装置において、
前記エミッタベースマウントの周囲に、前記真空容器に固定された永久磁石が配置されていることを特徴とするイオンビーム装置。 - 請求項3記載のイオンビーム装置において、
前記エミッタベースマウントの少なくとも一部に永久磁石が配置され、
前記エミッタベースマウントの周囲に、前記真空容器に固定されたバルク超電導が配置されていることを特徴とするイオンビーム装置。 - 請求項3記載のイオンビーム装置において、
前記エミッタベースマウントに永久磁石を配置し、前記イオン化室の側壁にバルク超電導を配置したことを特徴とするイオンビーム装置。 - 請求項3記載のイオンビーム装置において、
前記エミッタベースマウントにバルク超電導を配置し、前記イオン化室の側壁に永久磁石を配置したことを特徴とするイオンビーム装置。 - 請求項6記載のイオンビーム装置において、
前記エミッタベースマウント周囲に配置された磁場強度分布制御機構により、前記エミッタベースマウントの位置を制御することを特徴とするイオンビーム装置。 - 請求項12記載のイオンビーム装置において、
前記磁場強度分布制御機構が、前記エミッタベースマウント周囲に配置された複数の電磁石の磁場強度を制御する機構であることを特徴とするイオンビーム装置。
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JP5898454B2 (ja) * | 2011-10-20 | 2016-04-06 | 株式会社日立ハイテクサイエンス | 集束イオンビーム装置 |
JP6085150B2 (ja) * | 2012-03-16 | 2017-02-22 | 株式会社日立ハイテクサイエンス | 試料作製装置及び試料作製方法 |
JP5936430B2 (ja) * | 2012-04-27 | 2016-06-22 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 荷電粒子顕微鏡 |
JP6166551B2 (ja) * | 2013-02-25 | 2017-07-19 | ギガフォトン株式会社 | ターゲット供給装置及び極端紫外光生成装置 |
GB2513151B (en) * | 2013-04-17 | 2015-05-20 | Siemens Plc | Improved thermal contact between cryogenic refrigerators and cooled components |
JP6207884B2 (ja) * | 2013-06-05 | 2017-10-04 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 荷電粒子線装置 |
JP2015018804A (ja) * | 2013-07-08 | 2015-01-29 | カール ツァイス マイクロスコーピー エルエルシー | 荷電粒子ビームシステム及びその作動方法 |
US9530611B2 (en) | 2013-07-08 | 2016-12-27 | Carl Zeiss Microscopy, Llc | Charged particle beam system and method of operating a charged particle beam system |
JP6373096B2 (ja) * | 2013-07-08 | 2018-08-15 | カール ツァイス マイクロスコーピー エルエルシー | 荷電粒子ビームシステム及びその作動方法 |
JP6490917B2 (ja) * | 2013-08-23 | 2019-03-27 | 株式会社日立ハイテクサイエンス | 修正装置 |
JP6198942B2 (ja) * | 2014-05-09 | 2017-09-20 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | イオンミリング装置、及び試料加工方法 |
KR101613172B1 (ko) * | 2014-09-11 | 2016-04-18 | (주)화인솔루션 | 대향 전극을 갖는 이온 소스 |
WO2016084162A1 (ja) * | 2014-11-26 | 2016-06-02 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | イオンビーム装置 |
DE112015006104B4 (de) * | 2015-03-25 | 2022-05-19 | Hitachi High-Tech Corporation | Elektronenmikroskop |
DE112015006787B4 (de) * | 2015-09-25 | 2021-11-25 | Hitachi High-Tech Corporation | Ionenätzsystem |
KR102119457B1 (ko) * | 2015-11-17 | 2020-06-05 | (주)화인솔루션 | 대향 전극을 갖는 이온 소스 |
WO2017098574A1 (ja) * | 2015-12-08 | 2017-06-15 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | アンチコンタミネーショントラップおよびその制御方法、ならびに荷電粒子線装置 |
EP3391031B1 (en) * | 2015-12-17 | 2021-11-10 | Oulun Yliopisto | Apparatus and method for optically detecting the emissions of a plasma produced in a conductive liquid by means of two electrodes having areas of different size in contact with the liquid |
US10354830B2 (en) * | 2016-04-06 | 2019-07-16 | Carl Zeiss Microscopy, Llc | Charged particle beam system |
JP6608769B2 (ja) * | 2016-07-05 | 2019-11-20 | 株式会社日立ハイテクサイエンス | イオンビーム装置 |
JP6633986B2 (ja) * | 2016-07-20 | 2020-01-22 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 荷電粒子線装置 |
JP6900026B2 (ja) * | 2017-03-27 | 2021-07-07 | 株式会社日立ハイテクサイエンス | 荷電粒子ビーム装置 |
JP6814301B2 (ja) * | 2017-09-07 | 2021-01-13 | 株式会社日立ハイテク | 電子銃および電子ビーム応用装置 |
US11037753B2 (en) * | 2018-07-03 | 2021-06-15 | Kla Corporation | Magnetically microfocused electron emission source |
JP7189078B2 (ja) * | 2019-05-14 | 2022-12-13 | 株式会社日立製作所 | ガス電界電離イオン源 |
KR20210151969A (ko) * | 2019-05-21 | 2021-12-14 | 주식회사 히타치하이테크 | 전자총 및 전자총을 구비한 하전 입자선 장치 |
DE102019133658A1 (de) * | 2019-12-10 | 2021-06-10 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Vorrichtung und Verfahren zum Bearbeiten einer mikrostrukturierten Komponente |
US20230176088A1 (en) * | 2020-05-08 | 2023-06-08 | Rutgers, The State University Of New Jersey | Damping base for modular scanning probe microscope head |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS61250928A (ja) * | 1985-04-27 | 1986-11-08 | Jeol Ltd | ガスフエ−ズイオン源 |
JPS6378440A (ja) * | 1986-09-19 | 1988-04-08 | Hitachi Ltd | 電界放射形電子顕微鏡 |
JPH01176635A (ja) * | 1987-12-29 | 1989-07-13 | Sony Corp | イオンビーム装置 |
JPH07282759A (ja) * | 1995-04-05 | 1995-10-27 | Sony Corp | 集束イオンビーム装置とパターン形成方法 |
WO2005124815A1 (ja) * | 2004-06-16 | 2005-12-29 | Hitachi High-Technologies Corporation | 電子線源および電子線応用装置 |
Family Cites Families (24)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5885242A (ja) | 1981-11-13 | 1983-05-21 | Hitachi Ltd | 点状イオン源 |
JPS6185060A (ja) * | 1984-09-29 | 1986-04-30 | Toshiba Corp | 非接触位置決め装置 |
JPH01132038A (ja) * | 1987-11-18 | 1989-05-24 | Toshiba Corp | 質量分析装置 |
JPH01221847A (ja) * | 1988-03-01 | 1989-09-05 | Agency Of Ind Science & Technol | ガスフェーズイオン源における高圧導入部 |
JPH04286843A (ja) | 1991-03-18 | 1992-10-12 | Hitachi Ltd | 走査形電子顕微鏡及びその類似装置の可動絞り装置 |
JP2575370Y2 (ja) * | 1992-03-06 | 1998-06-25 | 日新電機株式会社 | イオン注入装置 |
JPH08203461A (ja) * | 1995-01-23 | 1996-08-09 | Hitachi Ltd | 荷電粒子ビーム装置 |
US6538254B1 (en) | 1997-07-22 | 2003-03-25 | Hitachi, Ltd. | Method and apparatus for sample fabrication |
US6828566B2 (en) | 1997-07-22 | 2004-12-07 | Hitachi Ltd | Method and apparatus for specimen fabrication |
JP3358605B2 (ja) | 1999-12-03 | 2002-12-24 | 日本電気株式会社 | 球状デバイスの露光装置とその露光方法 |
JP4178741B2 (ja) | 2000-11-02 | 2008-11-12 | 株式会社日立製作所 | 荷電粒子線装置および試料作製装置 |
JP3965037B2 (ja) | 2001-10-12 | 2007-08-22 | 東芝三菱電機産業システム株式会社 | 直流用真空遮断装置 |
US9159527B2 (en) * | 2003-10-16 | 2015-10-13 | Carl Zeiss Microscopy, Llc | Systems and methods for a gas field ionization source |
US7939800B2 (en) * | 2005-10-19 | 2011-05-10 | ICT, Integrated Circuit Testing, Gesellschaft fur Halbleiterpruftechnik mbH | Arrangement and method for compensating emitter tip vibrations |
WO2007067296A2 (en) * | 2005-12-02 | 2007-06-14 | Alis Corporation | Ion sources, systems and methods |
JP4795847B2 (ja) | 2006-05-17 | 2011-10-19 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 電子レンズ及びそれを用いた荷電粒子線装置 |
EP1936653B1 (en) * | 2006-12-18 | 2014-01-15 | ICT Integrated Circuit Testing Gesellschaft für Halbleiterprüftechnik mbH | Gas field ion source for multiple applications |
EP2031633B1 (en) * | 2007-08-27 | 2012-09-19 | ICT Integrated Circuit Testing Gesellschaft für Halbleiterprüftechnik mbH | Charged particle device with a gas ion source with high mechanical stability |
JP4887344B2 (ja) * | 2007-12-14 | 2012-02-29 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | ガス電界電離イオン源,走査荷電粒子顕微鏡,光軸調整方法、及び試料観察方法 |
JP5086105B2 (ja) * | 2008-01-07 | 2012-11-28 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | ガス電界電離イオン源 |
EP2124244B1 (en) * | 2008-05-21 | 2011-08-03 | ICT, Integrated Circuit Testing Gesellschaft für Halbleiterprüftechnik mbH | Ultra high precision measurement tool with control loop |
US8779380B2 (en) * | 2008-06-05 | 2014-07-15 | Hitachi High-Technologies Corporation | Ion beam device |
US8263943B2 (en) * | 2009-01-15 | 2012-09-11 | Hitachi High-Technologies Corporation | Ion beam device |
JP5969586B2 (ja) * | 2014-12-26 | 2016-08-17 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | イオンビーム装置 |
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Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS61250928A (ja) * | 1985-04-27 | 1986-11-08 | Jeol Ltd | ガスフエ−ズイオン源 |
JPS6378440A (ja) * | 1986-09-19 | 1988-04-08 | Hitachi Ltd | 電界放射形電子顕微鏡 |
JPH01176635A (ja) * | 1987-12-29 | 1989-07-13 | Sony Corp | イオンビーム装置 |
JPH07282759A (ja) * | 1995-04-05 | 1995-10-27 | Sony Corp | 集束イオンビーム装置とパターン形成方法 |
WO2005124815A1 (ja) * | 2004-06-16 | 2005-12-29 | Hitachi High-Technologies Corporation | 電子線源および電子線応用装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
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US8563944B2 (en) | 2013-10-22 |
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