JPH08203461A - 荷電粒子ビーム装置 - Google Patents
荷電粒子ビーム装置Info
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- JPH08203461A JPH08203461A JP7007919A JP791995A JPH08203461A JP H08203461 A JPH08203461 A JP H08203461A JP 7007919 A JP7007919 A JP 7007919A JP 791995 A JP791995 A JP 791995A JP H08203461 A JPH08203461 A JP H08203461A
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- base plate
- vibration
- charged particle
- particle beam
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Abstract
(57)【要約】
【構成】荷電子ビーム装置本体とベースプレートの間に
防振具を設置する。 【効果】音等の外乱で共振して発生したベースプレート
の振動が荷電子ビーム装置本体に伝わることを防振具に
よって遮断することができ、音等の外乱に強い荷電子ビ
ーム装置となる。
防振具を設置する。 【効果】音等の外乱で共振して発生したベースプレート
の振動が荷電子ビーム装置本体に伝わることを防振具に
よって遮断することができ、音等の外乱に強い荷電子ビ
ーム装置となる。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は荷電粒子ビーム装置に係
り、特に、音等の外乱に対して強い構成とした装置に関
する。
り、特に、音等の外乱に対して強い構成とした装置に関
する。
【0002】
【従来の技術】図2に従来の荷電粒子ビーム装置(この
例では走査形電子顕微鏡である)の構成を示す。ここで
は走査形電子顕微鏡を例にして説明する。走査形電子顕
微鏡装置の本体15は電子を発生しこれを収束して試料
上を走査する電子ビームカラム1,ステージを内蔵した
試料室2,電子ビームカラム1を真空排気するイオンポ
ンプ9,10,試料室2を真空排気するターボ分子ポン
プ7,試料を試料室内に導入するためのローダ室3とこ
れを真空排気するターボ分子ポンプ8で構成されてい
る。本体15は試料室2に設けられた固定ねじ13でベ
ースプレート5に固定されている。このベースプレート
5は防振具11を介して架台6に載っている。防振具1
1はスプリングコイルで床12からの振動がベースプレ
ートに伝わらないようになっている。このため、防振具
11と防振具11が支えている荷重とで作る共振周波数
を低くして、できるかぎり低周波の床振動をも遮断する
ように作られている。通常の共振周波数は数Hzであ
る。図中の4は試料送り装置で自動的に試料をローダ室
3に送りこむ装置で、半導体のウエハを試料とする場合
には一般的に用いられている。
例では走査形電子顕微鏡である)の構成を示す。ここで
は走査形電子顕微鏡を例にして説明する。走査形電子顕
微鏡装置の本体15は電子を発生しこれを収束して試料
上を走査する電子ビームカラム1,ステージを内蔵した
試料室2,電子ビームカラム1を真空排気するイオンポ
ンプ9,10,試料室2を真空排気するターボ分子ポン
プ7,試料を試料室内に導入するためのローダ室3とこ
れを真空排気するターボ分子ポンプ8で構成されてい
る。本体15は試料室2に設けられた固定ねじ13でベ
ースプレート5に固定されている。このベースプレート
5は防振具11を介して架台6に載っている。防振具1
1はスプリングコイルで床12からの振動がベースプレ
ートに伝わらないようになっている。このため、防振具
11と防振具11が支えている荷重とで作る共振周波数
を低くして、できるかぎり低周波の床振動をも遮断する
ように作られている。通常の共振周波数は数Hzであ
る。図中の4は試料送り装置で自動的に試料をローダ室
3に送りこむ装置で、半導体のウエハを試料とする場合
には一般的に用いられている。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】しかし、この構成では
防振具11は床12からの振動に対して有効に働くが、
音等の外乱は直接にベースプレート5と本体15に作用
してしまうため効果がない。特に、ベースプレート5は
本体と試料送り装置4を乗せる大きさを必要とするた
め、ベースプレート5自体の共振周波数が100Hz前
後になり、音の外乱に共振し、本体に振動を与えてしま
う欠点があった。ベースプレート5の厚みを増して共振
周波数を上げることも可能であるが、ベースプレート5
が重くなり過ぎるため実施は困難である。
防振具11は床12からの振動に対して有効に働くが、
音等の外乱は直接にベースプレート5と本体15に作用
してしまうため効果がない。特に、ベースプレート5は
本体と試料送り装置4を乗せる大きさを必要とするた
め、ベースプレート5自体の共振周波数が100Hz前
後になり、音の外乱に共振し、本体に振動を与えてしま
う欠点があった。ベースプレート5の厚みを増して共振
周波数を上げることも可能であるが、ベースプレート5
が重くなり過ぎるため実施は困難である。
【0004】本発明の目的はこのような欠点を解消し
て、音等の外乱に対応できる現実的な荷電子ビーム装置
を提供することにある。
て、音等の外乱に対応できる現実的な荷電子ビーム装置
を提供することにある。
【0005】
【課題を解決するための手段】上述の欠点を解決するた
め、本発明は、本体を防振具を介してベースプレートに
固定することである。ここで本体と防振具で作られる共
振周波数はベースプレート自体の共振周波数よりも低い
周波数に設定する。
め、本発明は、本体を防振具を介してベースプレートに
固定することである。ここで本体と防振具で作られる共
振周波数はベースプレート自体の共振周波数よりも低い
周波数に設定する。
【0006】
【作用】この構成にするとベースプレートの音等の外乱
による共振振動が本体に伝わらないことから音等の外乱
に強い構成となる。
による共振振動が本体に伝わらないことから音等の外乱
に強い構成となる。
【0007】
【実施例】本発明の実施例を図1を用いて説明する。電
子ビームカラム1,試料室2,イオンポンプ9,10,
ローダ室3,ターブ分子ポンプ7,8からなる本体15
が本体防振具14を介してベースプレート5に固定され
ている。本体防振具14の共振周波数は20Hzに設定
されている。試料送り装置4はベースプレート5の上設
置されている。ベースプレート5は防振具11に載り、
床からの振動を遮断している。防振具11の共振周波数
は2Hzに設定されている。一般的なベースプレートの
大きさは1ないし2m2 で、厚さは30mm程度である。
このようなベースプレートの共振周波数は50ないし2
00Hzの範囲になる。本体防振具14の共振周波数は
20Hzに設定されていることから、ベースプレート5
が外乱により共振した振動は本体防振具14で遮断され
る。
子ビームカラム1,試料室2,イオンポンプ9,10,
ローダ室3,ターブ分子ポンプ7,8からなる本体15
が本体防振具14を介してベースプレート5に固定され
ている。本体防振具14の共振周波数は20Hzに設定
されている。試料送り装置4はベースプレート5の上設
置されている。ベースプレート5は防振具11に載り、
床からの振動を遮断している。防振具11の共振周波数
は2Hzに設定されている。一般的なベースプレートの
大きさは1ないし2m2 で、厚さは30mm程度である。
このようなベースプレートの共振周波数は50ないし2
00Hzの範囲になる。本体防振具14の共振周波数は
20Hzに設定されていることから、ベースプレート5
が外乱により共振した振動は本体防振具14で遮断され
る。
【0008】試料送り装置4とローダ室3間は1mm以下
の機械精度が要求されるが、20Hzに共振周波数を持つ
本体防振具14は位置ずれが小さく容易に1mm以下の機
械的な位置精度が得られる。
の機械精度が要求されるが、20Hzに共振周波数を持つ
本体防振具14は位置ずれが小さく容易に1mm以下の機
械的な位置精度が得られる。
【0009】本発明の要点は低周波の振動を含む床振動
はベースプレート5の下に置かれた防振具11で遮断
し、外乱で起こるベースプレート5の中間の周波数の振
動は本体防振具14で遮断することである。さらに数値
で具体的に言うならば、防振具11の共振周波数は10
Hz未満とし、防振具14の共振周波数は10Hz以上
とする。
はベースプレート5の下に置かれた防振具11で遮断
し、外乱で起こるベースプレート5の中間の周波数の振
動は本体防振具14で遮断することである。さらに数値
で具体的に言うならば、防振具11の共振周波数は10
Hz未満とし、防振具14の共振周波数は10Hz以上
とする。
【0010】図3は本発明の他の実施例である。図1の
実施例では音等の外乱によるベースプレート5の振動を
本体防振具14によって遮断した。しかし、本体15に
直接に入る外乱については対策がなされていない。この
実施例では、音を遮断するカバー16を設けている。カ
バー16はベースプレート5に固定されているため音等
の外乱によってカバー16が振動しても本体15を振動
させることはない。
実施例では音等の外乱によるベースプレート5の振動を
本体防振具14によって遮断した。しかし、本体15に
直接に入る外乱については対策がなされていない。この
実施例では、音を遮断するカバー16を設けている。カ
バー16はベースプレート5に固定されているため音等
の外乱によってカバー16が振動しても本体15を振動
させることはない。
【0011】なお、これまでの説明は走査形電子顕微鏡
に適用した例で説明したが、本発明は電子ビームやイオ
ン等の荷電粒子ビーム装置に適用できる。
に適用した例で説明したが、本発明は電子ビームやイオ
ン等の荷電粒子ビーム装置に適用できる。
【0012】
【発明の効果】本発明によれば、荷電子ビーム装置の本
体15とベースプレート5の間に防振具を設けることに
より、音等による外乱によるベースプレート5の振動が
本体15に伝わることを防止でき、振動のない安定した
走査像を得ることができる。
体15とベースプレート5の間に防振具を設けることに
より、音等による外乱によるベースプレート5の振動が
本体15に伝わることを防止でき、振動のない安定した
走査像を得ることができる。
【図1】従来の荷電子ビーム装置の構成と問題点の説明
図。
図。
【図2】本発明の実施例の構成の説明図。
【図3】本発明の他の実施例の説明図。
1…電子ビームカラム、2…試料室、3…ローダ室、4
…試料送り装置、5…ベースプレート、6…架台、7,
8…ターボ分子ポンプ、9,10…イオンポンプ、11
…防振具、12…床、13…固定ねじ、14…本体防振
具、15…本体、16…カバー。
…試料送り装置、5…ベースプレート、6…架台、7,
8…ターボ分子ポンプ、9,10…イオンポンプ、11
…防振具、12…床、13…固定ねじ、14…本体防振
具、15…本体、16…カバー。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 金友 正文 東京都国分寺市東恋ケ窪一丁目280番地 株式会社日立製作所中央研究所内 (72)発明者 瀬谷 英一 東京都国分寺市東恋ケ窪一丁目280番地 株式会社日立製作所中央研究所内 (72)発明者 菅谷 昌和 東京都国分寺市東恋ケ窪一丁目280番地 株式会社日立製作所中央研究所内
Claims (4)
- 【請求項1】荷電粒子ビームカラムと、ステージを内蔵
した試料室と、前記荷電粒子ビームカラムと前記試料室
を真空排気する排気装置から構成される荷電粒子ビーム
装置本体と荷電粒子ビーム装置本体を搭載するベースプ
レートと、前記ベースプレートを支持する架台とからな
る装置において、前記荷電粒子ビーム装置本体と前記ベ
ースプレートの間および前記ベースプレートと架台の間
の2箇所に振動を遮断するための防振具を備えたことを
特徴とする荷電粒子ビーム装置。 - 【請求項2】荷電粒子ビーム装置本体とベースプレート
の間の振動を遮断するための防振具の共振周波数が前記
ベースプレートと架台の間に設けた防振具の共振周波数
よりも高く設定されていることを特徴とする荷電粒子ビ
ーム装置。 - 【請求項3】荷電粒子ビーム装置本体とベースプレート
の間の振動を遮断するための防振具の共振周波数が10
Hz以上に設定され、前記ベースプレートと架台の間に
設けた防振具の共振周波数が10Hz未満に設定されて
いることを特徴とする荷電粒子ビーム装置。 - 【請求項4】ベースプレート上に搭載された荷電粒子ビ
ームカラム,試料室,排気装置の一部分を覆うためのカ
バーが前記ベースプレートに固定して組み立てられ、前
記荷電粒子ビームカラム,前記試料室,前記排気装置に
接触していないことを特徴とする荷電粒子ビーム装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP7007919A JPH08203461A (ja) | 1995-01-23 | 1995-01-23 | 荷電粒子ビーム装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP7007919A JPH08203461A (ja) | 1995-01-23 | 1995-01-23 | 荷電粒子ビーム装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH08203461A true JPH08203461A (ja) | 1996-08-09 |
Family
ID=11678944
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP7007919A Pending JPH08203461A (ja) | 1995-01-23 | 1995-01-23 | 荷電粒子ビーム装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH08203461A (ja) |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008052946A (ja) * | 2006-08-23 | 2008-03-06 | Jeol Ltd | ビーム応用装置 |
WO2009147894A1 (ja) * | 2008-06-05 | 2009-12-10 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | イオンビーム装置 |
DE112010002774T5 (de) | 2009-06-30 | 2012-10-18 | Hitachi High-Technologies Corporation | Ionenmikroskop |
JP2014135291A (ja) * | 2009-01-15 | 2014-07-24 | Hitachi High-Technologies Corp | イオンビーム装置 |
JP2015018808A (ja) * | 2013-07-08 | 2015-01-29 | カール ツァイス マイクロスコーピー エルエルシー | 荷電粒子ビームシステム及びその作動方法 |
US9530611B2 (en) | 2013-07-08 | 2016-12-27 | Carl Zeiss Microscopy, Llc | Charged particle beam system and method of operating a charged particle beam system |
-
1995
- 1995-01-23 JP JP7007919A patent/JPH08203461A/ja active Pending
Cited By (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008052946A (ja) * | 2006-08-23 | 2008-03-06 | Jeol Ltd | ビーム応用装置 |
US8779380B2 (en) | 2008-06-05 | 2014-07-15 | Hitachi High-Technologies Corporation | Ion beam device |
WO2009147894A1 (ja) * | 2008-06-05 | 2009-12-10 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | イオンビーム装置 |
US9508521B2 (en) | 2008-06-05 | 2016-11-29 | Hitachi High-Technologies Corporation | Ion beam device |
JP5097823B2 (ja) * | 2008-06-05 | 2012-12-12 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | イオンビーム装置 |
JP2014135291A (ja) * | 2009-01-15 | 2014-07-24 | Hitachi High-Technologies Corp | イオンビーム装置 |
US8455841B2 (en) | 2009-06-30 | 2013-06-04 | Hitachi High-Technologies Corporation | Ion microscope |
DE112010002774T5 (de) | 2009-06-30 | 2012-10-18 | Hitachi High-Technologies Corporation | Ionenmikroskop |
DE112010002774B4 (de) | 2009-06-30 | 2019-12-05 | Hitachi High-Technologies Corporation | Ionenmikroskop |
JP2015018808A (ja) * | 2013-07-08 | 2015-01-29 | カール ツァイス マイクロスコーピー エルエルシー | 荷電粒子ビームシステム及びその作動方法 |
US9530611B2 (en) | 2013-07-08 | 2016-12-27 | Carl Zeiss Microscopy, Llc | Charged particle beam system and method of operating a charged particle beam system |
US9530612B2 (en) | 2013-07-08 | 2016-12-27 | Carl Zeiss Microscopy, Llc | Charged particle beam system and method of operating a charged particle beam system |
US9536699B2 (en) | 2013-07-08 | 2017-01-03 | Carl Zeiss Microscopy, Llc | Charged particle beam system and method of operating a charged particle beam system |
US9627172B2 (en) | 2013-07-08 | 2017-04-18 | Carl Zeiss Microscopy, Llc | Charged particle beam system and method of operating a charged particle beam system |
US9640364B2 (en) | 2013-07-08 | 2017-05-02 | Carl Zeiss Microscopy, Llc | Charged particle beam system and method of operating a charged particle beam system |
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