JP2003068243A - イオンミリング装置 - Google Patents
イオンミリング装置Info
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- JP2003068243A JP2003068243A JP2001257136A JP2001257136A JP2003068243A JP 2003068243 A JP2003068243 A JP 2003068243A JP 2001257136 A JP2001257136 A JP 2001257136A JP 2001257136 A JP2001257136 A JP 2001257136A JP 2003068243 A JP2003068243 A JP 2003068243A
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- ion
- ion milling
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Abstract
(57)【要約】
【課題】小型で簡易なイオンガンを用いた装置で大きな
試料サイズのメモリチップの材質の異なる界面の断面観
察を可能とするミリング装置を提供する。 【解決手段】試料台１６に収納された試料１、試料台１
６、試料台１６を回転させるモータ１０、モータ１０の
支持台１１、支持台１１の取り付け角度ひいては試料台
１６の傾斜角度を調整してイオンビーム中心に対する試
料表面のなす傾斜角αを任意に調整可能な角度調整機構
１２、角度調整機構１２を介してモータ支持台１１ひい
てはモータ支持台１１を支持する支持体１３、該支持体
１３を上下調整機構１５と連結する連結軸１４を備え、
これらがフランジ２１に一体化され、これによって試料
１の交換時に試料台１６をイオンガンと向き合う位置か
ら真空外に移動させて広い空間内で試料１の挿脱が行え
るようにした。
試料サイズのメモリチップの材質の異なる界面の断面観
察を可能とするミリング装置を提供する。 【解決手段】試料台１６に収納された試料１、試料台１
６、試料台１６を回転させるモータ１０、モータ１０の
支持台１１、支持台１１の取り付け角度ひいては試料台
１６の傾斜角度を調整してイオンビーム中心に対する試
料表面のなす傾斜角αを任意に調整可能な角度調整機構
１２、角度調整機構１２を介してモータ支持台１１ひい
てはモータ支持台１１を支持する支持体１３、該支持体
１３を上下調整機構１５と連結する連結軸１４を備え、
これらがフランジ２１に一体化され、これによって試料
１の交換時に試料台１６をイオンガンと向き合う位置か
ら真空外に移動させて広い空間内で試料１の挿脱が行え
るようにした。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、走査型電子顕微鏡
や透過型電子顕微鏡により観察する半導体素子等の試料
の表面や断面を観察するため、試料をイオンビームによ
りスパッタエッチングするイオンミリング方法及びその
装置に関する。
や透過型電子顕微鏡により観察する半導体素子等の試料
の表面や断面を観察するため、試料をイオンビームによ
りスパッタエッチングするイオンミリング方法及びその
装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】例えば、走査型電子顕微鏡により試料の
断面を観察する場合、従来行なわれているイオンミリン
グ方法による試料加工について述べる。イオンビームに
より試料をスパッタエッチングする手法は、イオンビー
ムの照射面内に試料の回転中心が入ることを条件に、こ
の試料の回転中心をイオンビーム中心の試料表面照射位
置から所定の距離だけずらして回転させながら、３〜６
ＫＶのイオン化電圧を印加して発生するイオンビームを
照射し試料に平坦なエッチング加工部(断面観察部)を得
られるようにしている。また、試料の表面をイオンビー
ムの中心に対して所定角度だけ傾斜させながら試料の回
転中心をイオンビーム中心の試料表面照射位置から所定
の距離だけずらしてエッチングを行なっている（例え
ば、特開平３−３６２８５号公報）。この公知例は、イ
オンビーム中心の試料表面照射位置から試料の回転中心
までの所定距離をＲとし、イオンビーム中心の試料表面
照射位置とイオンガンとの間の距離をＬとした場合、Ｒ
は−０.１Ｌ＋３≦Ｒ≧０.１５Ｌ＋１の条件を満たすこ
とによって、小型で簡易なイオンガンを用いることがで
き安価で実用的な装置を提供している。また、距離Ｌが
２１ｍｍの時、偏心量が１.６ｍｍから４.０ｍｍの間で
実用的なエッチング平坦度が得られることも確認されて
いる。さらに、１つの試料に対してミリングできる個所
は１個所である。
断面を観察する場合、従来行なわれているイオンミリン
グ方法による試料加工について述べる。イオンビームに
より試料をスパッタエッチングする手法は、イオンビー
ムの照射面内に試料の回転中心が入ることを条件に、こ
の試料の回転中心をイオンビーム中心の試料表面照射位
置から所定の距離だけずらして回転させながら、３〜６
ＫＶのイオン化電圧を印加して発生するイオンビームを
照射し試料に平坦なエッチング加工部(断面観察部)を得
られるようにしている。また、試料の表面をイオンビー
ムの中心に対して所定角度だけ傾斜させながら試料の回
転中心をイオンビーム中心の試料表面照射位置から所定
の距離だけずらしてエッチングを行なっている（例え
ば、特開平３−３６２８５号公報）。この公知例は、イ
オンビーム中心の試料表面照射位置から試料の回転中心
までの所定距離をＲとし、イオンビーム中心の試料表面
照射位置とイオンガンとの間の距離をＬとした場合、Ｒ
は−０.１Ｌ＋３≦Ｒ≧０.１５Ｌ＋１の条件を満たすこ
とによって、小型で簡易なイオンガンを用いることがで
き安価で実用的な装置を提供している。また、距離Ｌが
２１ｍｍの時、偏心量が１.６ｍｍから４.０ｍｍの間で
実用的なエッチング平坦度が得られることも確認されて
いる。さらに、１つの試料に対してミリングできる個所
は１個所である。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】走査型電子顕微鏡用イ
オンミリング装置を取りまく環境としては、高機能化を
追求した半導体デバイスの開発が急速に進んでいること
から、最近は複数の異なるメモリチップを積層化（例え
ば、３チップ積層）し、一つのパッケージの中に実装し
たチップサイズパッケージ（ＣＳＰ）として寸法が大き
くなっている。これらのデバイスを評価するためには、
断面試料を作成して解析するが、断面を機械研磨、鏡面
研磨だけでは材質の異なる試料界面の解析が困難で、最
終仕上げとしてフラットなミリングの出来る装置が要求
されてきた。このように積層化が進むとチップサイズパ
ッケージの外形形状が大きくなり、さらに、１個の試料
に対して複数箇所の断面観察がしたいという要求も出て
きた。しかし、イオンビーム中心の試料表面照射位置と
イオンガンとの間の距離Ｌが２１ｍｍの時、偏心量が
１.６ｍｍから４.０ｍｍの間で実用的なエッチング平坦
度が得られることから、イオンガンに干渉しない試料の
半径が２１ｍｍ以内となる。すなわち、直径４２ｍｍを
越える大きな試料の場合、試料台へ装着する時と試料台
から取り出す時にイオンガンと干渉しない工夫が必要で
ある。本発明は以上の点に鑑みてなされたもので、従来
よりも大型になった試料（メモリチップ）の複数箇所の
部位にフラットなミリングを行い材質の異なる界面の断
面観察が行えて、かつ安価で実用的なイオンミリング装
置を提供することにある。
オンミリング装置を取りまく環境としては、高機能化を
追求した半導体デバイスの開発が急速に進んでいること
から、最近は複数の異なるメモリチップを積層化（例え
ば、３チップ積層）し、一つのパッケージの中に実装し
たチップサイズパッケージ（ＣＳＰ）として寸法が大き
くなっている。これらのデバイスを評価するためには、
断面試料を作成して解析するが、断面を機械研磨、鏡面
研磨だけでは材質の異なる試料界面の解析が困難で、最
終仕上げとしてフラットなミリングの出来る装置が要求
されてきた。このように積層化が進むとチップサイズパ
ッケージの外形形状が大きくなり、さらに、１個の試料
に対して複数箇所の断面観察がしたいという要求も出て
きた。しかし、イオンビーム中心の試料表面照射位置と
イオンガンとの間の距離Ｌが２１ｍｍの時、偏心量が
１.６ｍｍから４.０ｍｍの間で実用的なエッチング平坦
度が得られることから、イオンガンに干渉しない試料の
半径が２１ｍｍ以内となる。すなわち、直径４２ｍｍを
越える大きな試料の場合、試料台へ装着する時と試料台
から取り出す時にイオンガンと干渉しない工夫が必要で
ある。本発明は以上の点に鑑みてなされたもので、従来
よりも大型になった試料（メモリチップ）の複数箇所の
部位にフラットなミリングを行い材質の異なる界面の断
面観察が行えて、かつ安価で実用的なイオンミリング装
置を提供することにある。
【０００４】
【課題を解決するための手段】上記した目的を達成する
ために、本発明では、以下のような手段を講じた点に特
徴がある。イオンビームの照射面内に試料の回転中心が
入ることを条件に、試料の回転中心をイオンビーム中心
の試料表面照射位置から所定の距離だけずらしてエッチ
ングするイオンミリング装置において、試料台に収納さ
れた試料（メモリチップ）の複数個所にエッチングをす
るため、試料のエッチングする面を試料台より露出させ
エッチングしない面はマスキング（遮蔽）するように構
成する。試料は円形及び円形以外（例えば長方形）の両
方の形状であっても試料台の中で移動可能に収納できる
構造の回転体移動機構を備えたものを提案する。さら
に、試料台への試料の挿脱はイオンガンの位置から試料
台を遠ざけるように移動してから行い、つまり、ミリン
グする時の位置とは別の位置で試料交換を行えるように
したことである。
ために、本発明では、以下のような手段を講じた点に特
徴がある。イオンビームの照射面内に試料の回転中心が
入ることを条件に、試料の回転中心をイオンビーム中心
の試料表面照射位置から所定の距離だけずらしてエッチ
ングするイオンミリング装置において、試料台に収納さ
れた試料（メモリチップ）の複数個所にエッチングをす
るため、試料のエッチングする面を試料台より露出させ
エッチングしない面はマスキング（遮蔽）するように構
成する。試料は円形及び円形以外（例えば長方形）の両
方の形状であっても試料台の中で移動可能に収納できる
構造の回転体移動機構を備えたものを提案する。さら
に、試料台への試料の挿脱はイオンガンの位置から試料
台を遠ざけるように移動してから行い、つまり、ミリン
グする時の位置とは別の位置で試料交換を行えるように
したことである。
【０００５】
【発明の実施の形態】本発明の実施例に基づき説明す
る。まず、図１により、本発明に係るイオンミリング装
置の構成を説明する。図１において、試料室（真空容
器）２は、真空排気系８によって５×１０‐4Ｐａ程度
の真空に排気される。この試料室２には、イオンビーム
９を放出するイオンガン４が気密を保たれて取り付けら
れている。試料室２には、試料１（図３参照）を載置、
支持する回転体としての機能の試料台１６、試料１及び
試料台１６を回転させるモータ１０、モータ１０の支持
台１１、支持台１１の取り付け角度ひいては試料台１６
の傾斜角度を調整してイオンビーム中心に対する試料表
面のなす傾斜角αを任意に調整可能な角度調整機構１
２、角度調整機構１２を介してモータ支持台１１ひいて
は試料台１６を支持する支持体１３等を備える。ここ
で、支持体１３は、前記回転体１６及び角度調整機構１
２を支持しながらこの回転体１６及び角度調整機構１２
を前記イオンビーム中心に対して垂直な一方向（矢印方
向）に一体的に移動させて、試料１表面上の回転中心を
イオンビーム９中心の試料表面照射位置から任意の距離
だけずらすことが可能な回転体移動調整機構を構成す
る。すなわち、支持台１３と連結している連結軸１４と
連結軸１４を上下させる上下調整機構１５（図２に示
す）によって支持台１３を矢印のごとく上下に移動させ
てイオンビーム９の中心と試料１の回転中心の間隔（ず
れ量換言すれば偏心量に相当）を調整する。３は、試料
１のイオンミリング状態を観察する観察窓で気密を保た
れて取り付けられている。イオンガン４はガスボンベ５
の減圧弁で０.３Kg／cm（ゲージ圧）程度に減圧された
ガスがガス流量コントロールユニット６で流量調整され
供給される。この導入ガスは、アルゴンガスを用いる。
高電圧電源７は、導入ガスをイオン化してイオンガン４
からイオンビーム９を放出させる電源である。次に図２
について説明する。図２は図１の矢印Ａから見た図であ
る。図２においてフランジ２１は試料室２の側壁２０に
気密を保って取り付けられ、フランジ２１端面下部に設
けられている上下調整機構１５と支持体１３は連結軸１
４を介して連結している。上下調整機構１５は支持台２
４に螺合している調整つまみ２３を回転させることによ
って上下し、これによって連結軸１４は上下し、ひいて
は支持体１３、試料台１６が上下することになる。さら
に、側壁２０には軸２２がフランジ２１を貫通して固着
されて、フランジ２１が左方向に移動できるようになっ
ている。次に図３について説明する。図３（a）（b）
（c）において試料台１６の中に収納されている試料１
と試料１のエッチングする面をカバー１７の孔１８によ
って露出させて、それ以外の部分をカバー１７でマスキ
ング（遮蔽）している。（a）は円形形状の試料１のほ
ぼ中心部をエッチングする場合を示し、（b）は円形形
状の試料１の周辺部をエッチングする場合を示す。この
ように試料台１６に収納された試料１は試料台１６の中
で移動させることによって任意の部位を選択し複数箇所
にエッチングが行えるようになっている。（c）は円形
以外（例えば長方形）の形状の試料１´をエッチングす
る場合を示す。試料１は例えば、半導体デバイスで複数
の異なるメモリチップを積層化したものであり、これら
のメモリチップの場合はエッチングを容易に行えるよう
にすることから樹脂に包埋固定されている。これらの試
料１を試料台１６の中で移動させる作業及び交換する作
業の時は図２のようにフランジ２１を左方向に移動させ
て真空外に引き出して行う。この場合、イオンガン４と
干渉する心配がないので試料台の直径は４２ｍｍを越え
てもよく移動及び交換作業は容易に行うことができる。
このような装置により調整されるイオンビームと試料の
位置関係について図１と図３を用いて説明する。イオン
ガン４より放出されるイオンビーム９はカバー１７の孔
１８を通って試料１の表面に照射される。カバー１７の
孔１８以外の部分は試料１の表面をマスキング（遮蔽）
しておりイオンビーム９は照射されず、孔１８で露出さ
れている表面のみに照射される。イオンガン４と試料１
の表面照射位置の間の距離はＬで表されている。試料１
は、回転体である試料台１６の回転に合わせて回転して
おり、試料の表面に照射されるイオンビーム９の中心と
回転体１６の回転中心はＲだけ偏心（ずれて）してい
る。この偏心量Ｒは図１におけるモータ１５を回転させ
ることにより支持台１３を矢印のごとく上下に移動させ
調整される。更に、イオンビーム９の中心が試料１の表
面に対してなす角度αは図１における角度調整機構１２
によって調整される。一般的な偏心量Ｒの範囲はＬが２
１ｍｍの時、１.６ｍｍから４.０ｍｍの間であれば実用
的なエッチング平坦度の試料が得られることが確認され
ている。平坦にミリングされる面積としてはφ５ｍｍで
あることも確認されており、このことから孔１８の大き
さはφ５ｍｍ程度でよいことが分かる。
る。まず、図１により、本発明に係るイオンミリング装
置の構成を説明する。図１において、試料室（真空容
器）２は、真空排気系８によって５×１０‐4Ｐａ程度
の真空に排気される。この試料室２には、イオンビーム
９を放出するイオンガン４が気密を保たれて取り付けら
れている。試料室２には、試料１（図３参照）を載置、
支持する回転体としての機能の試料台１６、試料１及び
試料台１６を回転させるモータ１０、モータ１０の支持
台１１、支持台１１の取り付け角度ひいては試料台１６
の傾斜角度を調整してイオンビーム中心に対する試料表
面のなす傾斜角αを任意に調整可能な角度調整機構１
２、角度調整機構１２を介してモータ支持台１１ひいて
は試料台１６を支持する支持体１３等を備える。ここ
で、支持体１３は、前記回転体１６及び角度調整機構１
２を支持しながらこの回転体１６及び角度調整機構１２
を前記イオンビーム中心に対して垂直な一方向（矢印方
向）に一体的に移動させて、試料１表面上の回転中心を
イオンビーム９中心の試料表面照射位置から任意の距離
だけずらすことが可能な回転体移動調整機構を構成す
る。すなわち、支持台１３と連結している連結軸１４と
連結軸１４を上下させる上下調整機構１５（図２に示
す）によって支持台１３を矢印のごとく上下に移動させ
てイオンビーム９の中心と試料１の回転中心の間隔（ず
れ量換言すれば偏心量に相当）を調整する。３は、試料
１のイオンミリング状態を観察する観察窓で気密を保た
れて取り付けられている。イオンガン４はガスボンベ５
の減圧弁で０.３Kg／cm（ゲージ圧）程度に減圧された
ガスがガス流量コントロールユニット６で流量調整され
供給される。この導入ガスは、アルゴンガスを用いる。
高電圧電源７は、導入ガスをイオン化してイオンガン４
からイオンビーム９を放出させる電源である。次に図２
について説明する。図２は図１の矢印Ａから見た図であ
る。図２においてフランジ２１は試料室２の側壁２０に
気密を保って取り付けられ、フランジ２１端面下部に設
けられている上下調整機構１５と支持体１３は連結軸１
４を介して連結している。上下調整機構１５は支持台２
４に螺合している調整つまみ２３を回転させることによ
って上下し、これによって連結軸１４は上下し、ひいて
は支持体１３、試料台１６が上下することになる。さら
に、側壁２０には軸２２がフランジ２１を貫通して固着
されて、フランジ２１が左方向に移動できるようになっ
ている。次に図３について説明する。図３（a）（b）
（c）において試料台１６の中に収納されている試料１
と試料１のエッチングする面をカバー１７の孔１８によ
って露出させて、それ以外の部分をカバー１７でマスキ
ング（遮蔽）している。（a）は円形形状の試料１のほ
ぼ中心部をエッチングする場合を示し、（b）は円形形
状の試料１の周辺部をエッチングする場合を示す。この
ように試料台１６に収納された試料１は試料台１６の中
で移動させることによって任意の部位を選択し複数箇所
にエッチングが行えるようになっている。（c）は円形
以外（例えば長方形）の形状の試料１´をエッチングす
る場合を示す。試料１は例えば、半導体デバイスで複数
の異なるメモリチップを積層化したものであり、これら
のメモリチップの場合はエッチングを容易に行えるよう
にすることから樹脂に包埋固定されている。これらの試
料１を試料台１６の中で移動させる作業及び交換する作
業の時は図２のようにフランジ２１を左方向に移動させ
て真空外に引き出して行う。この場合、イオンガン４と
干渉する心配がないので試料台の直径は４２ｍｍを越え
てもよく移動及び交換作業は容易に行うことができる。
このような装置により調整されるイオンビームと試料の
位置関係について図１と図３を用いて説明する。イオン
ガン４より放出されるイオンビーム９はカバー１７の孔
１８を通って試料１の表面に照射される。カバー１７の
孔１８以外の部分は試料１の表面をマスキング（遮蔽）
しておりイオンビーム９は照射されず、孔１８で露出さ
れている表面のみに照射される。イオンガン４と試料１
の表面照射位置の間の距離はＬで表されている。試料１
は、回転体である試料台１６の回転に合わせて回転して
おり、試料の表面に照射されるイオンビーム９の中心と
回転体１６の回転中心はＲだけ偏心（ずれて）してい
る。この偏心量Ｒは図１におけるモータ１５を回転させ
ることにより支持台１３を矢印のごとく上下に移動させ
調整される。更に、イオンビーム９の中心が試料１の表
面に対してなす角度αは図１における角度調整機構１２
によって調整される。一般的な偏心量Ｒの範囲はＬが２
１ｍｍの時、１.６ｍｍから４.０ｍｍの間であれば実用
的なエッチング平坦度の試料が得られることが確認され
ている。平坦にミリングされる面積としてはφ５ｍｍで
あることも確認されており、このことから孔１８の大き
さはφ５ｍｍ程度でよいことが分かる。
【０００６】
【発明の効果】以上のように本発明のイオンミリング装
置によれば、コリメートされないイオンビーム、換言す
れば小型で簡易なイオンガンを用いた装置においても直
径４２ｍｍを越える大きな試料をイオンスパッタエッチ
ングにより試料の断面観察を行うことが可能となる。ミ
リングする面は複数箇所行え、かつミリングしない面は
カバーで遮蔽されているので、ミリングした削りかすが
付着することもない。
置によれば、コリメートされないイオンビーム、換言す
れば小型で簡易なイオンガンを用いた装置においても直
径４２ｍｍを越える大きな試料をイオンスパッタエッチ
ングにより試料の断面観察を行うことが可能となる。ミ
リングする面は複数箇所行え、かつミリングしない面は
カバーで遮蔽されているので、ミリングした削りかすが
付着することもない。
【図１】本発明の一実施例であるミリング装置の概略図
である。
である。
【図２】図１をＡ方向からみた図である。
【図３】（a）はイオンビームが試料の中心部に照射さ
れることを示す図、（b）はイオンビームが試料の周辺
部に照射されることを示す図、（c）は長方形状の試料
が試料台に収納されていることを示す図である。
れることを示す図、（b）はイオンビームが試料の周辺
部に照射されることを示す図、（c）は長方形状の試料
が試料台に収納されていることを示す図である。
１…試料、 ２…試料室、４…イオンガン、９…イオン
ビーム、１１…支持台、１２…角度調整機構、１５…上
下調整機構、１６…回転体、１７…カバー、２１…フラ
ンジ、２２…固定軸。
ビーム、１１…支持台、１２…角度調整機構、１５…上
下調整機構、１６…回転体、１７…カバー、２１…フラ
ンジ、２２…固定軸。
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(72)発明者 宮澤 宏一
茨城県ひたちなか市大字市毛1040番地 株
式会社日立サイエンスシステムズ内
(72)発明者 浮穴 基英
茨城県ひたちなか市大字市毛1040番地 株
式会社日立サイエンスシステムズ内
Ｆターム(参考） 5C001 AA01 CC07
5C034 BB06
Claims (5)
- 【請求項１】 イオンビームの照射面内に試料の回転中
心が入ることを条件に、前記試料の回転中心をイオンビ
ーム中心の試料表面照射位置から所定の距離だけずらし
てエッチングするイオンミリング装置において試料台に
収納された前記試料の複数個所にエッチングが行えるよ
うに構成したことを特徴とするイオンミリング装置。 - 【請求項２】 前記試料台に収納された前記試料はエッ
チングする面を前記試料台より露出させエッチングしな
い面はマスキング（遮蔽）するように構成したことを特
徴とするイオンミリング装置。 - 【請求項３】 前記試料は前記試料台の中で移動可能に
収納されていることを特徴とするイオンミリング装置。 - 【請求項４】 前記試料は円形及び円形以外（例えば長
方形）の両方の形状であることを特徴とする請求項３に
記載のイオンミリング装置。 - 【請求項５】 前記試料台は試料を挿脱するときミリン
グする位置から試料台を移動できるように構成したこと
を特徴とする請求項３に記載のイオンミリング装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001257136A JP2003068243A (ja) | 2001-08-28 | 2001-08-28 | イオンミリング装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001257136A JP2003068243A (ja) | 2001-08-28 | 2001-08-28 | イオンミリング装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003068243A true JP2003068243A (ja) | 2003-03-07 |
Family
ID=19084845
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001257136A Pending JP2003068243A (ja) | 2001-08-28 | 2001-08-28 | イオンミリング装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2003068243A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP5619002B2 (ja) * | 2009-07-30 | 2014-11-05 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | イオンミリング装置 |
| JP2020194789A (ja) * | 2020-08-11 | 2020-12-03 | 株式会社日立ハイテク | イオンミリング方法、およびイオンミリング装置 |
| KR20210056407A (ko) | 2018-11-12 | 2021-05-18 | 주식회사 히타치하이테크 | 화상 형성 방법 및 화상 형성 시스템 |
| US11621141B2 (en) | 2016-02-26 | 2023-04-04 | Hitachi High-Tech Corporation | Ion milling device and ion milling method |
Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| JPS5656634A (en) * | 1979-10-16 | 1981-05-18 | Jeol Ltd | Setting method of wafer to exposure room |
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