JPS62213055A - 電子ビ−ムアニ−ル装置 - Google Patents
電子ビ−ムアニ−ル装置Info
- Publication number
- JPS62213055A JPS62213055A JP5617086A JP5617086A JPS62213055A JP S62213055 A JPS62213055 A JP S62213055A JP 5617086 A JP5617086 A JP 5617086A JP 5617086 A JP5617086 A JP 5617086A JP S62213055 A JPS62213055 A JP S62213055A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- sample
- electron beam
- annealed
- mask
- aperture
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 title claims abstract description 26
- 238000000137 annealing Methods 0.000 title claims description 16
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000004075 alteration Effects 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野］
本発明は電子ビームアニール装置に関する。
１従来力技術〕
従来、半導体基板等を熱処理する電子ビームアニール装
置としては、例えば、精機学会エネルギービーム分科会
績、リアライズ社１９８５年出版の［エネルギービーム
加工４２６８頁に記載されているように、ビームの断面
形状がほぼ長方形〈線状）である線状の電子ビームアニ
ール装置が用いられている。
置としては、例えば、精機学会エネルギービーム分科会
績、リアライズ社１９８５年出版の［エネルギービーム
加工４２６８頁に記載されているように、ビームの断面
形状がほぼ長方形〈線状）である線状の電子ビームアニ
ール装置が用いられている。
ｒ発明が解決しようとする問題点゛１
上述した従来の電子ビームアニール装置は、第２図に示
すように、試料１１の表面（線状電子ビームの照射面）
における線状電子ビーム４の幅（長辺の長さ）は、線状
カソード１の幅やレンズコイル（電子レンズ）５等の電
子銃や電子光学系によって調整されるが、線状カソード
１の熱安定性が良くないことや電子光学系に非軸対称系
を用いなければならないこと等の理由から、線状電子ビ
ームの幅を精度良く制御することは困難であった。
すように、試料１１の表面（線状電子ビームの照射面）
における線状電子ビーム４の幅（長辺の長さ）は、線状
カソード１の幅やレンズコイル（電子レンズ）５等の電
子銃や電子光学系によって調整されるが、線状カソード
１の熱安定性が良くないことや電子光学系に非軸対称系
を用いなければならないこと等の理由から、線状電子ビ
ームの幅を精度良く制御することは困難であった。
電子ビームアニールによってシリコン素子を形成するた
めに、絶縁物」二にシリコン結晶薄膜（Ｓ。
めに、絶縁物」二にシリコン結晶薄膜（Ｓ。
１ ： ５ｉｌｉｃｏｎ−Ｏｎ−Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ
）を形成する場合には、電子ビーム走査によって溶融・
固化した領域の両ｆｌ＋、１端で結晶粒界か発生しやす
いので、溶融領域の端、即ち、線状電子ビームの両端か
チップとチ・ツブの間の切しろ（幅約１００μ＋ｎ ）
の部分にくることが望まれるが、従来の電子ビームアニ
ール装置では、そのような精密な制御は不可能であると
いう問題点がある。
）を形成する場合には、電子ビーム走査によって溶融・
固化した領域の両ｆｌ＋、１端で結晶粒界か発生しやす
いので、溶融領域の端、即ち、線状電子ビームの両端か
チップとチ・ツブの間の切しろ（幅約１００μ＋ｎ ）
の部分にくることが望まれるが、従来の電子ビームアニ
ール装置では、そのような精密な制御は不可能であると
いう問題点がある。
本発明の目的は、アニールされる領域を精度良く規定で
きる電子ビームアニール装置を提供することにある。
きる電子ビームアニール装置を提供することにある。
Ｅ問題点を解決するための手段〕
本発明の電子ビームアニール装置は、試料のアニールす
べき領域を限定するための開口を有し前記試料の線状電
気ビームの照射面トに配置されるマスクと、前記試料を
移動させて前記照射面の所定の領域を前記開口に位置合
わせする駆動機構と、ビーム断面形状の長辺の長さが前
記開口の幅よりも大きい前記線状電子ビームを前記開口
を含むように走査する走査機構とを具備して構成される
。
べき領域を限定するための開口を有し前記試料の線状電
気ビームの照射面トに配置されるマスクと、前記試料を
移動させて前記照射面の所定の領域を前記開口に位置合
わせする駆動機構と、ビーム断面形状の長辺の長さが前
記開口の幅よりも大きい前記線状電子ビームを前記開口
を含むように走査する走査機構とを具備して構成される
。
［作用）
本発明の電子ビームアニール装置では、アニールすべき
試料の電子ビームの照射面上に配置するマスクの開口幅
を所定の寸法にｊπび、がっ、マスクの開［］と試料と
の相対的な位置を所定の関係に合わぜな？糸、マスクの
開口幅よりも大きい幅の線状電子ビームを用いて走査す
ることにより、アニール領域を精度良くマスクの開に１
下の領域に限定することができる。
試料の電子ビームの照射面上に配置するマスクの開口幅
を所定の寸法にｊπび、がっ、マスクの開［］と試料と
の相対的な位置を所定の関係に合わぜな？糸、マスクの
開口幅よりも大きい幅の線状電子ビームを用いて走査す
ることにより、アニール領域を精度良くマスクの開に１
下の領域に限定することができる。
更に、アニール後に試ｔ’ｌを移動させ、他の所定の領
域とマスク開口部とを位置きわせしてがら再び電子ビー
ムで走査してアニールするという手順を繰返すことによ
り試料のアニールすべき領域ずべてを精度良くアニール
できる。
域とマスク開口部とを位置きわせしてがら再び電子ビー
ムで走査してアニールするという手順を繰返すことによ
り試料のアニールすべき領域ずべてを精度良くアニール
できる。
１１実施例］
次に、本発明の実施例について図面を参照して説明する
。
。
第１図は本発明の一実施例の概略側面図である。
第１図において、鏡筒７内の線状カソード１゜ウェネル
ト電極２及び陽極３を備える電子銃から発射された線状
電子ビーム４は、電子レンズであるレンズコイル５によ
って試料室８内の試料１１の表面（照射面）上に配置さ
れたマスク９の開口１０の幅よりも大きい幅を有する線
状電子ビーノ、として、試ｆ”［１表面上に結像される
。
ト電極２及び陽極３を備える電子銃から発射された線状
電子ビーム４は、電子レンズであるレンズコイル５によ
って試料室８内の試料１１の表面（照射面）上に配置さ
れたマスク９の開口１０の幅よりも大きい幅を有する線
状電子ビーノ、として、試ｆ”［１表面上に結像される
。
試料ボルダ１２の駆動系１３によって試料１１のアニー
ルすべき所定の領域がマスク９の開口１０に位置合わぜ
される。
ルすべき所定の領域がマスク９の開口１０に位置合わぜ
される。
走査コイル６により、線状電子ビーム４をマスク９の開
口１０が含まれるように走査することにより、開口１０
下の試料１１の所定の表面がアニールされる。
口１０が含まれるように走査することにより、開口１０
下の試料１１の所定の表面がアニールされる。
次に、駆動系１３により試料ボルダ１２を移動させ、試
料１１の他のアニールすべき領域をマスク９の開口１０
に位置合わせした後、再び線状電子ビームを操作してア
ニールする。
料１１の他のアニールすべき領域をマスク９の開口１０
に位置合わせした後、再び線状電子ビームを操作してア
ニールする。
このような走査を繰返すことにより、試料１１のすべて
の所定の領域を精度良くアニールすることができる。
の所定の領域を精度良くアニールすることができる。
一５＝
「発明の効果〕
以上説明したように本発明の電子ビームアニール装置は
、マスクと位置合わぜの駆動機構とを追加することによ
り、アニールされる試料表面の領域を精度良く規定する
ことができるという効果がある。
、マスクと位置合わぜの駆動機構とを追加することによ
り、アニールされる試料表面の領域を精度良く規定する
ことができるという効果がある。
更に、線状電子ビームの走査距離は試料全長の必要がな
くマスクの開口長より僅か大きければよいので、走査時
における収差の影響を小さくすることができると共に収
差補整が簡単になるという副次的効果がある。
くマスクの開口長より僅か大きければよいので、走査時
における収差の影響を小さくすることができると共に収
差補整が簡単になるという副次的効果がある。
第１図は本発明の一実施例の概略側面図、第２図は従来
の電子ビームアニール装置の一例の概略側面図である。 １・・・線状カソード、２・・・ウェネルト電極、３・
・・陽極、４・・・線状電子ビーム、５・・・レンズコ
イル、６・・・走査コイル、７・・・鏡筒、８・・・試
料室、９・・・マスク、１０・・・開口、１１・・・試
料、１２・・・試料ポルダ、１３・・駆動系。 第１回 Ｖ−２回
の電子ビームアニール装置の一例の概略側面図である。 １・・・線状カソード、２・・・ウェネルト電極、３・
・・陽極、４・・・線状電子ビーム、５・・・レンズコ
イル、６・・・走査コイル、７・・・鏡筒、８・・・試
料室、９・・・マスク、１０・・・開口、１１・・・試
料、１２・・・試料ポルダ、１３・・駆動系。 第１回 Ｖ−２回
Claims (1)
- 試料のアニールすべき領域を限定するための開口を有し
前記試料の線状電気ビームの照射面上に配置されるマス
クと、前記試料を移動させて前記照射面の所定の領域を
前記開口に位置合わせする駆動機構と、ビーム断面形状
の長辺の長さが前記開口の幅よりも大きい前記線状電子
ビームを前記開口を含むように走査する走査機構とを具
備することを特徴とする電子ビームアニール装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61056170A JPH0775157B2 (ja) | 1986-03-13 | 1986-03-13 | 電子ビ−ムアニ−ル装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61056170A JPH0775157B2 (ja) | 1986-03-13 | 1986-03-13 | 電子ビ−ムアニ−ル装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62213055A true JPS62213055A (ja) | 1987-09-18 |
| JPH0775157B2 JPH0775157B2 (ja) | 1995-08-09 |
Family
ID=13019623
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61056170A Expired - Lifetime JPH0775157B2 (ja) | 1986-03-13 | 1986-03-13 | 電子ビ−ムアニ−ル装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0775157B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5795396A (en) * | 1989-03-31 | 1998-08-18 | Canon Kabushiki Kaisha | Apparatus for forming crystalline film |
| JP2003068243A (ja) * | 2001-08-28 | 2003-03-07 | Hitachi Ltd | イオンミリング装置 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS50140994A (ja) * | 1974-04-22 | 1975-11-12 |
-
1986
- 1986-03-13 JP JP61056170A patent/JPH0775157B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS50140994A (ja) * | 1974-04-22 | 1975-11-12 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5795396A (en) * | 1989-03-31 | 1998-08-18 | Canon Kabushiki Kaisha | Apparatus for forming crystalline film |
| JP2003068243A (ja) * | 2001-08-28 | 2003-03-07 | Hitachi Ltd | イオンミリング装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0775157B2 (ja) | 1995-08-09 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPS5871545A (ja) | 可変成形ビ−ム電子光学系 | |
| US4393312A (en) | Variable-spot scanning in an electron beam exposure system | |
| US4136285A (en) | Method for irradiating a specimen by corpuscular-beam radiation | |
| JPS62213055A (ja) | 電子ビ−ムアニ−ル装置 | |
| EP0035556B1 (en) | Electron beam system | |
| JPS6051261B2 (ja) | 荷電粒子ビ−ム描画装置 | |
| JP2000340492A (ja) | 電子線露光用マスクとそれを用いた半導体装置製造方法 | |
| JPS62206821A (ja) | 電子ビ−ムアニ−ル装置 | |
| JPH0298921A (ja) | 電子銃およびその製造方法および該電子銃を備えた露光装置および該露光装置を用いる半導体装置の製造方法 | |
| JPS62206820A (ja) | 電子ビ−ムアニ−ル装置 | |
| GB2133618A (en) | Fabricating semiconductor circuits | |
| JPS62296355A (ja) | 電子ビ−ムアニ−ル装置 | |
| JP2001284205A (ja) | 荷電粒子ビーム描画装置 | |
| JPH0587014B2 (ja) | ||
| JPS63272032A (ja) | 荷電ビ−ム描画方法 | |
| JP2850411B2 (ja) | 線状電子ビーム用遮蔽マスク | |
| JPS59160128A (ja) | レ−ザビ−ム偏向方式 | |
| JPS62296353A (ja) | 電子ビ−ムアニ−ル装置 | |
| JPS62229645A (ja) | 集束イオンビ−ム装置 | |
| JPS63200455A (ja) | 線状電子ビ−ム装置 | |
| JPH0727864B2 (ja) | 電子ビーム加熱装置 | |
| JPH01143217A (ja) | 電子ビーム描画装置 | |
| JPH0542099B2 (ja) | ||
| JPS58115741A (ja) | 複合ビ−ム照射装置 | |
| JPS6054154A (ja) | 電子ビ−ムアニ−ル装置 |