JPH0775157B2 - 電子ビ−ムアニ−ル装置 - Google Patents
電子ビ−ムアニ−ル装置Info
- Publication number
- JPH0775157B2 JPH0775157B2 JP61056170A JP5617086A JPH0775157B2 JP H0775157 B2 JPH0775157 B2 JP H0775157B2 JP 61056170 A JP61056170 A JP 61056170A JP 5617086 A JP5617086 A JP 5617086A JP H0775157 B2 JPH0775157 B2 JP H0775157B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- opening
- electron beam
- sample
- linear
- mask
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は電子ビームアニール装置に関する。
従来、半導体基板等を熱処理する電子ビームアニール装
置としては、例えば、精機学会エネルギービーム分科会
編、リアライズ社1985年出版の「エネルギービーム加
工」268頁に記載されているように、ビームの断面形状
がほぼ長方形（線状）である線状の電子ビームアニール
装置が用いられている。
置としては、例えば、精機学会エネルギービーム分科会
編、リアライズ社1985年出版の「エネルギービーム加
工」268頁に記載されているように、ビームの断面形状
がほぼ長方形（線状）である線状の電子ビームアニール
装置が用いられている。
上述した従来の電子ビームアニール装置は、第２図に示
すように、試料11の表面（線状電子ビームの照射面）に
おける線状電子ビーム４の幅（長辺の長さ）は、線状カ
ソード１の幅やレンズコイル（電子レンズ）５等の電子
銃や電子光学系によって調整されるが、線状カソード１
の熱安定性が良くないことや電子光学系に非軸対称系を
用いなければならないこと等の理由から、線状電子ビー
ムの幅を精度良く制御することは困難てあった。
すように、試料11の表面（線状電子ビームの照射面）に
おける線状電子ビーム４の幅（長辺の長さ）は、線状カ
ソード１の幅やレンズコイル（電子レンズ）５等の電子
銃や電子光学系によって調整されるが、線状カソード１
の熱安定性が良くないことや電子光学系に非軸対称系を
用いなければならないこと等の理由から、線状電子ビー
ムの幅を精度良く制御することは困難てあった。
電子ビームアニールによってシリコン素子を形成するた
めに、絶縁物上にシリコン結晶薄膜（SOI:Silicon−On
−Insulator）を形成する場合には、電子ビーム走査に
よって溶融・固化した領域の両側端で結晶粒界が発生し
やすいので、溶融領域の端、即ち、線状電子ビームの両
端がチップとチップの間の切しろ（幅約100μｍ）の部
分にくることが望まれるが、従来の電子ビームアニール
装置では、そのような精密な制御は不可能であるという
問題点がある。
めに、絶縁物上にシリコン結晶薄膜（SOI:Silicon−On
−Insulator）を形成する場合には、電子ビーム走査に
よって溶融・固化した領域の両側端で結晶粒界が発生し
やすいので、溶融領域の端、即ち、線状電子ビームの両
端がチップとチップの間の切しろ（幅約100μｍ）の部
分にくることが望まれるが、従来の電子ビームアニール
装置では、そのような精密な制御は不可能であるという
問題点がある。
本発明の目的は、アニールされる領域を精度良く規定で
きる電子ビームアニール装置を提供することにある。
きる電子ビームアニール装置を提供することにある。
本発明の電子ビームアニール装置は、試料のアニールす
べき領域を限定するための開口を有し前記試料の電子ビ
ーム照射面上に配置されるマスクと、前記試料を移動さ
せて前記照射面の所定の領域を前記開口に位置合わせす
る駆動機構と、前記開口の幅より大きい長辺で前記開口
の長さより小さい短辺の線状断面の電子ビームを放出す
る電子銃と、前記線状断面の電子ビームを前記開口を含
むように該開口の長さ方向に走査する走査機構とを備え
構成される。
べき領域を限定するための開口を有し前記試料の電子ビ
ーム照射面上に配置されるマスクと、前記試料を移動さ
せて前記照射面の所定の領域を前記開口に位置合わせす
る駆動機構と、前記開口の幅より大きい長辺で前記開口
の長さより小さい短辺の線状断面の電子ビームを放出す
る電子銃と、前記線状断面の電子ビームを前記開口を含
むように該開口の長さ方向に走査する走査機構とを備え
構成される。
本発明の電子ビームアニール装置では、アニールすべき
試料の電子ビームの照射面上に配置するマスクの開口幅
を所定の寸法に選び、かつ、マスクの開口と試料との相
対的な位置を所定の関係に合わせた後、マスクの開口幅
よりも大きい幅の線状電子ビームを開口の長さ方向に走
査することにより、アニール領域を精度良くマスクの開
口下の領域に限定することができる。
試料の電子ビームの照射面上に配置するマスクの開口幅
を所定の寸法に選び、かつ、マスクの開口と試料との相
対的な位置を所定の関係に合わせた後、マスクの開口幅
よりも大きい幅の線状電子ビームを開口の長さ方向に走
査することにより、アニール領域を精度良くマスクの開
口下の領域に限定することができる。
更に、アニール後に試料を移動させ、他の所定の領域と
マスク開口部とを位置合わせしてから再び電子ビームで
走査してアニールするという手順を繰返すことにより試
料のアニールすべき領域すべてを精度良くアニールでき
る。
マスク開口部とを位置合わせしてから再び電子ビームで
走査してアニールするという手順を繰返すことにより試
料のアニールすべき領域すべてを精度良くアニールでき
る。
次に、本発明の実施例について図面を参照して説明す
る。
る。
第１図は本発明の一実施例の概略側面図である。
第１図において、鏡筒７内の線状カソード1,ウェネルト
電極２及び陽極３を備える電子銃から発射された線状電
子ビーム４は、電子レンズであるレンズコイル５によっ
て試料室８内の試料11の表面（照射面）上に配置された
マスク９の開口10の幅よりも大きい幅を有する線状電子
ビームとして、試料11表面上に結像される。
電極２及び陽極３を備える電子銃から発射された線状電
子ビーム４は、電子レンズであるレンズコイル５によっ
て試料室８内の試料11の表面（照射面）上に配置された
マスク９の開口10の幅よりも大きい幅を有する線状電子
ビームとして、試料11表面上に結像される。
試料ホルダ12の駆動系13によって試料11のアニールすべ
き所定の領域がマスク９の開口10に位置合わせされる。
き所定の領域がマスク９の開口10に位置合わせされる。
走査コイル６により、線状電子ビーム４をマスク９の開
口10が含まれるように開口10の長さ方向に走査すること
により、開口10下の試料11の所定の表面がアニールされ
る。
口10が含まれるように開口10の長さ方向に走査すること
により、開口10下の試料11の所定の表面がアニールされ
る。
次に、駆動系13により試料ホルダ12を移動させ、試料11
の他のアニールすべき領域をマスク９の開口10に位置合
わせした後、再び線状電子ビームを走査してアニールす
る。
の他のアニールすべき領域をマスク９の開口10に位置合
わせした後、再び線状電子ビームを走査してアニールす
る。
このような操作を繰返すことにより、試料11のすべての
所定の領域を精度良くアニールすることができる。
所定の領域を精度良くアニールすることができる。
以上説明したように本発明の電子ビームアニール装置
は、マスクと位置合わせの駆動機構とを追加することに
より、アニールされる試料表面の領域を精度良く規定す
ることができるという効果がある。
は、マスクと位置合わせの駆動機構とを追加することに
より、アニールされる試料表面の領域を精度良く規定す
ることができるという効果がある。
更に、線状電子ビームの走査距離は試料全長の必要がな
くマスクの開口長より僅か大きければよいので、走査時
における収差の影響を小さくすることができると共に収
差補整が簡単になるという副次的効果がある。
くマスクの開口長より僅か大きければよいので、走査時
における収差の影響を小さくすることができると共に収
差補整が簡単になるという副次的効果がある。
第１図は本発明の一実施例の概略側面図、第２図は従来
の電子ビームアニール装置の一例の概略側面図である。 １……線状カソード、２……ウェネルト電極、３……陽
極、４……線状電子ビーム、５……レンズコイル、６…
…走査コイル、７……鏡筒、８……試料室、９……マス
ク、10……開口、11……試料、12……試料ホルダ、13…
…駆動系。
の電子ビームアニール装置の一例の概略側面図である。 １……線状カソード、２……ウェネルト電極、３……陽
極、４……線状電子ビーム、５……レンズコイル、６…
…走査コイル、７……鏡筒、８……試料室、９……マス
ク、10……開口、11……試料、12……試料ホルダ、13…
…駆動系。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 河瀬 豊 東京都港区芝５丁目33番１号 日本電気株 式会社内 (72)発明者 中村 強 東京都港区芝５丁目33番１号 日本電気株 式会社内 (72)発明者 小林 英樹 東京都港区芝５丁目33番１号 日本電気株 式会社内 (56)参考文献 特開 昭61−64058（ＪＰ，Ａ) 実開 昭58−193541（ＪＰ，Ｕ)
Claims (1)
- 【請求項１】試料のアニールすべき領域を限定するため
の開口を有し前記試料の電子ビーム照射面上に配置され
るマスクと、前記試料を移動させて前記照射面の所定の
領域を前記開口に位置合せする駆動機構と、前記開口の
幅より大きい長辺で前記開口の長さより小さい短辺の線
状断面の電子ビームを放出する電子銃と、前記線状断面
の電子ビームを前記開口を含むように該開口の長さ方向
に走査する走査機構とを備えることを特徴とする電子ビ
ームアニール装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61056170A JPH0775157B2 (ja) | 1986-03-13 | 1986-03-13 | 電子ビ−ムアニ−ル装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61056170A JPH0775157B2 (ja) | 1986-03-13 | 1986-03-13 | 電子ビ−ムアニ−ル装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62213055A JPS62213055A (ja) | 1987-09-18 |
| JPH0775157B2 true JPH0775157B2 (ja) | 1995-08-09 |
Family
ID=13019623
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61056170A Expired - Lifetime JPH0775157B2 (ja) | 1986-03-13 | 1986-03-13 | 電子ビ−ムアニ−ル装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0775157B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02258689A (ja) * | 1989-03-31 | 1990-10-19 | Canon Inc | 結晶質薄膜の形成方法 |
| JP2003068243A (ja) * | 2001-08-28 | 2003-03-07 | Hitachi Ltd | イオンミリング装置 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5731260B2 (ja) * | 1974-04-22 | 1982-07-03 |
-
1986
- 1986-03-13 JP JP61056170A patent/JPH0775157B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS62213055A (ja) | 1987-09-18 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4853545A (en) | Particle beam apparatus for low-error imaging of line-shaped subjects | |
| JP2648642B2 (ja) | 巾広ビームでイオンインプランテーションを行なう方法及び装置 | |
| KR100329347B1 (ko) | 블랭킹 애퍼처 어레이 유형의 대전 입자빔 리소그래피 시스템 | |
| US6838685B1 (en) | Ion beam apparatus, ion beam processing method and sample holder member | |
| US4393312A (en) | Variable-spot scanning in an electron beam exposure system | |
| JPH0775157B2 (ja) | 電子ビ−ムアニ−ル装置 | |
| US5910871A (en) | Magnetic head having track width specified by grooves formed with projection ion beam | |
| JPH0298921A (ja) | 電子銃およびその製造方法および該電子銃を備えた露光装置および該露光装置を用いる半導体装置の製造方法 | |
| JPH11340160A (ja) | レーザアニーリング装置及び方法 | |
| JPS62206821A (ja) | 電子ビ−ムアニ−ル装置 | |
| JPS62206820A (ja) | 電子ビ−ムアニ−ル装置 | |
| JPH05102018A (ja) | 電子線描画装置 | |
| JPS62145718A (ja) | 半導体単結晶層の製造方法 | |
| JP2001284205A (ja) | 荷電粒子ビーム描画装置 | |
| JPH0587014B2 (ja) | ||
| JP2529286B2 (ja) | 電子ビ−ム加工装置 | |
| JPH0389440A (ja) | 線源線状電子ビーム装置 | |
| JP2000252352A (ja) | 基板保持装置及びそれを有する荷電粒子線露光装置 | |
| JPS62206754A (ja) | 線状電子線発生装置 | |
| JPH10312954A (ja) | 電子ビーム露光装置 | |
| JPS62296355A (ja) | 電子ビ−ムアニ−ル装置 | |
| JPH0550267A (ja) | 電子ビーム加工装置 | |
| JPH0727864B2 (ja) | 電子ビーム加熱装置 | |
| JPS62206755A (ja) | 線状電子ビ−ム発生装置 | |
| Krimmel et al. | An inexpensive electron beam annealing apparatus with line focus, made from a converted electron welding machine |