JPS62145718A - 半導体単結晶層の製造方法 - Google Patents
半導体単結晶層の製造方法Info
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- JPS62145718A JPS62145718A JP28543285A JP28543285A JPS62145718A JP S62145718 A JPS62145718 A JP S62145718A JP 28543285 A JP28543285 A JP 28543285A JP 28543285 A JP28543285 A JP 28543285A JP S62145718 A JPS62145718 A JP S62145718A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明は、絶縁体上に薄膜状の半導体単結晶を形成する
半導体単結晶層の製造方法に関する。
半導体単結晶層の製造方法に関する。
近年、電子ビームやレーザビームによるアニールで、絶
縁膜上にシリコン単結晶層を形成する、所謂５ｏｌ（絶
縁膜上のシリコン）技術の開発が盛んに行われている。
縁膜上にシリコン単結晶層を形成する、所謂５ｏｌ（絶
縁膜上のシリコン）技術の開発が盛んに行われている。
さらに、ＳＯＩ膜を利用して素子を３次元的に形成する
、所謂３次元ＩＣの開発も進められている。
、所謂３次元ＩＣの開発も進められている。
ところで、電子ビームを用いてＳＯＩ膜を形成するには
、アニール面積を大きくするために、該ビームを走査す
る方法が採用されている。即ち、第１０図に示す如く試
料７１上のアニール領域７コ ｊ ・、−！毎に走査位置をＹ方向にずらしてアニール領域
７２の全体をアニールするようにしている。なお、走査
領域７３の幅は電子ビーム７４のビーム幅で決定され、
１行毎の電子ビーム７４のＹ方向移動量はビーム幅と等
しいものである。
、アニール面積を大きくするために、該ビームを走査す
る方法が採用されている。即ち、第１０図に示す如く試
料７１上のアニール領域７コ ｊ ・、−！毎に走査位置をＹ方向にずらしてアニール領域
７２の全体をアニールするようにしている。なお、走査
領域７３の幅は電子ビーム７４のビーム幅で決定され、
１行毎の電子ビーム７４のＹ方向移動量はビーム幅と等
しいものである。
しかしながら、この種の方法にあっては次のような問題
があった。即ち、ｎ行目を走査する際、ｎ−１行目を走
査したときの残留熱の影響で、ｎ行目のアニール状態は
走査方向と直交する方向に不均一となる。つまり、ｎ行
目のアニールにおける走査領域７３ｎのＹ方向の温度分
布が不均一なものとなる。このため、良質の単結晶層を
得ることは困難であった。
があった。即ち、ｎ行目を走査する際、ｎ−１行目を走
査したときの残留熱の影響で、ｎ行目のアニール状態は
走査方向と直交する方向に不均一となる。つまり、ｎ行
目のアニールにおける走査領域７３ｎのＹ方向の温度分
布が不均一なものとなる。このため、良質の単結晶層を
得ることは困難であった。
本発明は上記事情を考慮してなされたもので、その目的
とするところは、線状ビームを走査してアニールする際
に、各走査領域におけるアニール状態を均一にすること
ができ、絶縁体上に良質の単結晶層を形成することので
きる半導体単結晶の製造方法を提供することにある。
とするところは、線状ビームを走査してアニールする際
に、各走査領域におけるアニール状態を均一にすること
ができ、絶縁体上に良質の単結晶層を形成することので
きる半導体単結晶の製造方法を提供することにある。
本発明の骨子は、走査方向に対して直交する方向のビー
ム強度分布を非対称にしておくことで、各走査領域にお
けるアニール状態を均一化することにある。
ム強度分布を非対称にしておくことで、各走査領域にお
けるアニール状態を均一化することにある。
一導体単結晶層の製造方法において、前記エネルギ１１
−ビームの走査方向に対して直交する方向の強度１分布
を、走査の中心線に対して非対称にするよう◆ −１１，にした方法である。
−ビームの走査方向に対して直交する方向の強度１分布
を、走査の中心線に対して非対称にするよう◆ −１１，にした方法である。
本発明によれば、走査方向に対して直交する方向のビー
ム強度分布を非対称にしておくことで、該ビーム走査前
のビーム走査による残留熱の影響を少なくすることがで
きる。例えば、ビームの強度分布を、走査の中心線に対
して該走査の前のビーム走査領域に近い方を遠い方より
弱くしておくことにより、残留熱の影響の大きな部分で
ビーム強度を弱く、残留熱の影響が少ない部分でビーム
強度を強くすることができ、これにより各走査領域にお
けるアニール状態を均一化することができる。このため
、絶縁体上に良質の半導体単結晶を製造することができ
、３次元ＩＣ等の製造に極めて有効である。
ム強度分布を非対称にしておくことで、該ビーム走査前
のビーム走査による残留熱の影響を少なくすることがで
きる。例えば、ビームの強度分布を、走査の中心線に対
して該走査の前のビーム走査領域に近い方を遠い方より
弱くしておくことにより、残留熱の影響の大きな部分で
ビーム強度を弱く、残留熱の影響が少ない部分でビーム
強度を強くすることができ、これにより各走査領域にお
けるアニール状態を均一化することができる。このため
、絶縁体上に良質の半導体単結晶を製造することができ
、３次元ＩＣ等の製造に極めて有効である。
まず、実施例を説明する前に、本発明の基本原されてい
る。電子ビーム１４はＸ方向に走査されると共に、１行
の走査毎にＹ方向に移動され次の行で再びＸ方向に走査
される。ここで、ビーム１・、１４の走査方向くＸ方向
）と直交する方向（Ｙ方向）のビーム強度分布を第１図
（ｂ）に示す如く非対称にする。より詳しくは、ｎ行目
の走査に際し、ｎ−１行目の走査領域に近い方を遠い方
よりも弱くする。
る。電子ビーム１４はＸ方向に走査されると共に、１行
の走査毎にＹ方向に移動され次の行で再びＸ方向に走査
される。ここで、ビーム１・、１４の走査方向くＸ方向
）と直交する方向（Ｙ方向）のビーム強度分布を第１図
（ｂ）に示す如く非対称にする。より詳しくは、ｎ行目
の走査に際し、ｎ−１行目の走査領域に近い方を遠い方
よりも弱くする。
上記のビーム強度分布により、残留熱の影響によるアニ
ールの不均一化を防止することができる。
ールの不均一化を防止することができる。
即ち、ｎ行目の走査に関し、ｎ−１行目のビーム走査の
影響で、走査領域１３ｒＬでは、ｎ−１行目の走査領域
１３ｎ−ｘに近い方の温度が遠い方の温度より高くなる
。この温度差を、第１図（ｂ）に示す非対称のビーム強
度分布により補正することにより、均一な温度分布を得
ることができるのである。
影響で、走査領域１３ｒＬでは、ｎ−１行目の走査領域
１３ｎ−ｘに近い方の温度が遠い方の温度より高くなる
。この温度差を、第１図（ｂ）に示す非対称のビーム強
度分布により補正することにより、均一な温度分布を得
ることができるのである。
以下、本発明の詳細を図示の実施例によって説明する。
第２図は本発明の一実施例方法に使用した電子“１
１された電子ビームは集束レンズ２２及び対物レン・２
・１ ＼、１ズ２３により集束されて試料２４上に照射される
−と共に、走査コイル２５により試料２４上で走査され
る。走査コイル２５は、実際にはビームをＸ方向（紙面
左右方向）に偏向するＸ方向偏向コイ′ルと、ビームを
Ｙ方向（紙面表裏方向）に偏向するＹ方向偏向コイルと
から構成されている。また、レンズ２２の主面にはアパ
ーチャマスク２６が配置され、電子銃２１とレンズ２２
との間にはビームを０Ｎ−ＯＦＦするためのブランキン
グ電極２７が配置されている。
・１ ＼、１ズ２３により集束されて試料２４上に照射される
−と共に、走査コイル２５により試料２４上で走査され
る。走査コイル２５は、実際にはビームをＸ方向（紙面
左右方向）に偏向するＸ方向偏向コイ′ルと、ビームを
Ｙ方向（紙面表裏方向）に偏向するＹ方向偏向コイルと
から構成されている。また、レンズ２２の主面にはアパ
ーチャマスク２６が配置され、電子銃２１とレンズ２２
との間にはビームを０Ｎ−ＯＦＦするためのブランキン
グ電極２７が配置されている。
ここまでの構成は通常の電子ビームアニール装置と同様
であり、この装置がこれと異なる点は、前記レンズ２２
と走査コイル２５との間にビームを高速偏向するための
偏向板２８を設けたことにある。即ち、偏向板２８はＹ
方向に対向配置され、ビームをＹ方向に高速偏向するも
のとなっている。
であり、この装置がこれと異なる点は、前記レンズ２２
と走査コイル２５との間にビームを高速偏向するための
偏向板２８を設けたことにある。即ち、偏向板２８はＹ
方向に対向配置され、ビームをＹ方向に高速偏向するも
のとなっている。
偏向板２８には、偏向電圧発生回路２９から高周波電圧
（高周波波形）が印加される。なお、偏向板２８の配置
位置は、必ずしもレンズ２２と走査コイル２５との間に
限るものではなく、対物レンズ２３の下方であってもよ
い。
（高周波波形）が印加される。なお、偏向板２８の配置
位置は、必ずしもレンズ２２と走査コイル２５との間に
限るものではなく、対物レンズ２３の下方であってもよ
い。
偏向電圧発生回路２９は、第３図に示す如く任意波形発
生器３１及びこの波形発生器３１の出力を増幅する増幅
器３２から構成され、この増幅器３２の出力電圧が前記
偏向板２８に印加される。
生器３１及びこの波形発生器３１の出力を増幅する増幅
器３２から構成され、この増幅器３２の出力電圧が前記
偏向板２８に印加される。
任意波形発生器３１により高周波を発生させると、ビー
ムはＹ方向に高速偏向され、これにより疑似線状ビーム
３３が形成される。
ムはＹ方向に高速偏向され、これにより疑似線状ビーム
３３が形成される。
第４図（ａ）〜（Ｃ）に示す如きビーム強度分布が生じ
る理由は、Ｙ方向に関してビームの存在確率分布が異な
るからである。
る理由は、Ｙ方向に関してビームの存在確率分布が異な
るからである。
次に、上記装置を用いたビームアニール方法について説
明する。
明する。
試料としては、第５図に示す如く単結晶Ｓ１ウエハ５１
上にＳｉＯ２等の絶縁膜５２及び多結晶Ｓｉ膜５３を堆
積し、さらにその上に８ｉ０２等の保護膜５４を堆積し
たものを用いた。電子ビームの加速電圧を１０［ＫＶ］
、高速偏向の振り幅を５００［μｍ］として、ビーム強
度分布が非対称の疑似線状電子ビームを用いた。このビ
ームをピッチ５００ ［μＴｒＬ］、速度１０ ［ｃＩ
Ｒ／ｓｅｃ ］で前記第１図（ａ）に示す如く走査する
ことにより、１×１Ｅｃｍ口］の領域をアニールしたと
ころ、第４図（ａ）〜（Ｃ）のいずれの波形を用いた場
合１’：”１１“このように本実施例方法によれば、電
子ビーム（−」；□ の走査方向に対して直交する方向の強度分布を、海査の
中心線に対して該走査前のビーム走査領域に近い方を遠
い方よりも弱くすることにより、各走査領域におけるア
ニール状態を均一化することができる。このため、絶縁
膜上に良質の単結晶Ｓ１層を形成することができ、その
有用性は絶大である。
上にＳｉＯ２等の絶縁膜５２及び多結晶Ｓｉ膜５３を堆
積し、さらにその上に８ｉ０２等の保護膜５４を堆積し
たものを用いた。電子ビームの加速電圧を１０［ＫＶ］
、高速偏向の振り幅を５００［μｍ］として、ビーム強
度分布が非対称の疑似線状電子ビームを用いた。このビ
ームをピッチ５００ ［μＴｒＬ］、速度１０ ［ｃＩ
Ｒ／ｓｅｃ ］で前記第１図（ａ）に示す如く走査する
ことにより、１×１Ｅｃｍ口］の領域をアニールしたと
ころ、第４図（ａ）〜（Ｃ）のいずれの波形を用いた場
合１’：”１１“このように本実施例方法によれば、電
子ビーム（−」；□ の走査方向に対して直交する方向の強度分布を、海査の
中心線に対して該走査前のビーム走査領域に近い方を遠
い方よりも弱くすることにより、各走査領域におけるア
ニール状態を均一化することができる。このため、絶縁
膜上に良質の単結晶Ｓ１層を形成することができ、その
有用性は絶大である。
第６図乃至第９図はそれぞれ他の実施例を説明するため
の図である。
の図である。
第６図は電子銃を改良した例で、太さを４００［μＴｒ
Ｌ］から８００ ［μｍ］まで徐々に変化させた５ ［
ｍ］のカソード６１を用いて、前記第４図（ａ＞に示す
ような強度分布を持つ線状電子ビームを形成した。加速
電圧１０［ＫＶ］の該電子ビームをピッチ５［ｓ］、速
度１ ［１１１１１１／８ｅＯ］で走査することにより
５Ｘ５［ｃｌＲロコの領域をアニールしたところ、走査
方向に対して垂直な方向に均一に溶融・固化したアニー
ル面を得ることができた。
Ｌ］から８００ ［μｍ］まで徐々に変化させた５ ［
ｍ］のカソード６１を用いて、前記第４図（ａ＞に示す
ような強度分布を持つ線状電子ビームを形成した。加速
電圧１０［ＫＶ］の該電子ビームをピッチ５［ｓ］、速
度１ ［１１１１１１／８ｅＯ］で走査することにより
５Ｘ５［ｃｌＲロコの領域をアニールしたところ、走査
方向に対して垂直な方向に均一に溶融・固化したアニー
ル面を得ることができた。
゛、′″１シて傾斜させて配置し、カソード６２からの
電子ム の放出量を変化させて前記第４図（ａ）に示すよ一：
、−：うな強度分布を持つ線状電子ビームを形成した。
電子ム の放出量を変化させて前記第４図（ａ）に示すよ一：
、−：うな強度分布を持つ線状電子ビームを形成した。
′ｂ口連速電圧１０ＫＶ］の該電子ビームをピッチ’、
”５ ［ｍ ］ 、速度１［＃ＩＩｌ／ＳｅＣ］テ走査
すルコトニ、′ より、前記第６図に示すカソードを用いた場合と同様の
効果が得られた。
”５ ［ｍ ］ 、速度１［＃ＩＩｌ／ＳｅＣ］テ走査
すルコトニ、′ より、前記第６図に示すカソードを用いた場合と同様の
効果が得られた。
第８図はビームの断面形状を変えた例で、くさび型の開
口部を有するアパーチャマスク６６を用いて、長さ５［
ａｍｌの線状カソード６５から放出される電子ビームを
整形し、前記第４図（ａ＞に示すような強度分布を持つ
線状電子ビームを形成した。ここで、アパーチャマスク
６６は第９図に示す如く２枚の板体６６ａ、６６ｂ及び
これらを連結するビン６７から構成され、開口部のくさ
びの角度を増減することにより、ビーム強度分布を変化
させることでできるようになっている。そして、得られ
た線状電子ビームを用いて、加速電圧１０［ＫＶ］の該
電子ビームをピッチ５［ｓ＋１、速度１ ［ｓ／ｓｅｃ
］で走査することにより、上記第６図及び第７図の例
と同様の効果が得られた。
口部を有するアパーチャマスク６６を用いて、長さ５［
ａｍｌの線状カソード６５から放出される電子ビームを
整形し、前記第４図（ａ＞に示すような強度分布を持つ
線状電子ビームを形成した。ここで、アパーチャマスク
６６は第９図に示す如く２枚の板体６６ａ、６６ｂ及び
これらを連結するビン６７から構成され、開口部のくさ
びの角度を増減することにより、ビーム強度分布を変化
させることでできるようになっている。そして、得られ
た線状電子ビームを用いて、加速電圧１０［ＫＶ］の該
電子ビームをピッチ５［ｓ＋１、速度１ ［ｓ／ｓｅｃ
］で走査することにより、上記第６図及び第７図の例
と同様の効果が得られた。
なお、本発明は上述した各実施例に限定される力：ロフ
ァイルは、残留熱の影響度合い等に応じて適１＝＝ｊｔ
宜定めればよい。また、実施例ではエネルギービ、ゝ 〜ムとして電子ビームを用いたが、レーザビームのｌ ：”を用いることも可能である。さらに、アニールすニ
ー、その他、本発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々す
るための模式図、第２図は本発明の一実施例方法に使用
した電子ビームアニール装置を示す概略構成図、第３図
は上記装置の要部構成を示す模式図、第４図（ａ）〜（
Ｃ）は任意波形とビーム強度分布との関係を示す模式図
、第５図は上記実施例方法に用いた試料構造を示す断面
図、第６図乃至第９図はそれぞれ他の実施例を説明する
ための図、第１０図は従来方法の問題点を説明するため
の模式図である。
ァイルは、残留熱の影響度合い等に応じて適１＝＝ｊｔ
宜定めればよい。また、実施例ではエネルギービ、ゝ 〜ムとして電子ビームを用いたが、レーザビームのｌ ：”を用いることも可能である。さらに、アニールすニ
ー、その他、本発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々す
るための模式図、第２図は本発明の一実施例方法に使用
した電子ビームアニール装置を示す概略構成図、第３図
は上記装置の要部構成を示す模式図、第４図（ａ）〜（
Ｃ）は任意波形とビーム強度分布との関係を示す模式図
、第５図は上記実施例方法に用いた試料構造を示す断面
図、第６図乃至第９図はそれぞれ他の実施例を説明する
ための図、第１０図は従来方法の問題点を説明するため
の模式図である。
１１．２４・・・試料、１２・・・アニール領域、１３
・・・走査領域、１４．３３・・・疑似線状電子ビーム
、２１・・・電子銃、２２・・・集束レンズ、２３・・
・対物レ６６・・・アパーチャマスク。
・・・走査領域、１４．３３・・・疑似線状電子ビーム
、２１・・・電子銃、２２・・・集束レンズ、２３・・
・対物レ６６・・・アパーチャマスク。
（ａ）
（ｂ）
第１図
第２図
第７図
第８図
第９図
Claims (6)
- （１）絶縁体上に形成された多結晶若しくは非晶質の半
導体薄膜を、エネルギービームの走査により順次溶融・
固化して単結晶化する半導体単結晶層の製造方法におい
て、前記エネルギービームの走査方向に対して直交する
方向の強度分布を、走査の中心線に対して非対称にした
ことを特徴とする半導体単結晶層の製造方法。 - （２）前記エネルギービーム強度の強度分布を、走査の
中心線に対して該走査前のビーム走査領域に近い方を遠
い方よりも弱くしたことを特徴とする特許請求の範囲第
１項記載の半導体単結晶層の製造方法。 - （３）前記エネルギービームの強度分布を非対称にする
手段として、スポット状のカソードから放出される電子
ビームを、偏向板を用いて正負非対称な高周波により高
速偏向させることを特徴とする特許請求の範囲第１項又
は第２項記載の半導体単結晶層の製造方法。 - （４）前記エネルギービームの強度分布を非対称にする
手段として、線状のカソードから放出される電子ビーム
を用い、且つ線状のカソードの太さを変化させ、放出さ
れる電子の量をカソード各部で変化させたことを特徴と
する特許請求の範囲第１項又は第２項記載の半導体単結
晶層の製造方法。 - （５）前記エネルギービームの強度分布を非対称にする
手段として、線状のカソードから放出される電子ビーム
を用い、且つ線状のカソードとウェネルト電極との位置
関係を変化させ、放出される電子の量をカソード各部で
変化させたことを特徴とする特許請求の範囲第１項又は
第２項記載の半導体単結晶層の製造方法。 - （６）前記エネルギービームの強度分布を非対称にする
手段として、くさび型の開口部を持つアパーチャマスク
を用い、前記走査の中心線に対するビームの形状を非対
称にしたことを特徴とする特許請求の範囲第１項又は第
２項記載の半導体単結晶の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60285432A JPH07118446B2 (ja) | 1985-12-20 | 1985-12-20 | 半導体単結晶層の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60285432A JPH07118446B2 (ja) | 1985-12-20 | 1985-12-20 | 半導体単結晶層の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62145718A true JPS62145718A (ja) | 1987-06-29 |
| JPH07118446B2 JPH07118446B2 (ja) | 1995-12-18 |
Family
ID=17691445
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60285432A Expired - Lifetime JPH07118446B2 (ja) | 1985-12-20 | 1985-12-20 | 半導体単結晶層の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07118446B2 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6450408A (en) * | 1987-08-21 | 1989-02-27 | Agency Ind Science Techn | Manufacture of semiconductor single crystal layer |
| JPH01162323A (ja) * | 1987-12-19 | 1989-06-26 | Agency Of Ind Science & Technol | 半導体単結晶層の製造方法 |
| JPH031526A (ja) * | 1989-05-29 | 1991-01-08 | Toshiba Corp | 半導体単結晶層の製造方法 |
| US7473656B2 (en) * | 2003-10-23 | 2009-01-06 | International Business Machines Corporation | Method for fast and local anneal of anti-ferromagnetic (AF) exchange-biased magnetic stacks |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57128024A (en) * | 1981-01-30 | 1982-08-09 | Fujitsu Ltd | Single crystallization for non-single crystalline semiconductor layer |
-
1985
- 1985-12-20 JP JP60285432A patent/JPH07118446B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57128024A (en) * | 1981-01-30 | 1982-08-09 | Fujitsu Ltd | Single crystallization for non-single crystalline semiconductor layer |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6450408A (en) * | 1987-08-21 | 1989-02-27 | Agency Ind Science Techn | Manufacture of semiconductor single crystal layer |
| JPH01162323A (ja) * | 1987-12-19 | 1989-06-26 | Agency Of Ind Science & Technol | 半導体単結晶層の製造方法 |
| JPH031526A (ja) * | 1989-05-29 | 1991-01-08 | Toshiba Corp | 半導体単結晶層の製造方法 |
| US7473656B2 (en) * | 2003-10-23 | 2009-01-06 | International Business Machines Corporation | Method for fast and local anneal of anti-ferromagnetic (AF) exchange-biased magnetic stacks |
| US8105445B2 (en) | 2003-10-23 | 2012-01-31 | International Business Machines Corporation | Method and apparatus for fast and local anneal of anti-ferromagnetic (AF) exchange-biased magnetic stacks |
| US8470092B2 (en) | 2003-10-23 | 2013-06-25 | International Business Machines Corporation | Method and apparatus for fast and local anneal of anti-ferromagnetic (AF) exchange-biased magnetic stacks |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH07118446B2 (ja) | 1995-12-18 |
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