JPS62245619A - 電子ビ−ムアニ−ル装置 - Google Patents
電子ビ−ムアニ−ル装置Info
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- JPS62245619A JPS62245619A JP8933286A JP8933286A JPS62245619A JP S62245619 A JPS62245619 A JP S62245619A JP 8933286 A JP8933286 A JP 8933286A JP 8933286 A JP8933286 A JP 8933286A JP S62245619 A JPS62245619 A JP S62245619A
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- JP
- Japan
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- electron beam
- sample
- slit
- sets
- electrostatic deflection
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- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 title claims abstract description 40
- 238000000137 annealing Methods 0.000 title claims description 8
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 abstract description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 description 6
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
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Landscapes
- Recrystallisation Techniques (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、電子ビーム発生装置に関し特に、電子ビーム
を用いて、半導体、金属等の材料の表面層を熱処理する
電子ビームアニール装置に関す（従来の技術） 電子ビームを用いて５ＯＩ（Ｓｉｌｉｃｏｎ ｏｎ Ｉ
ｎ５ｕｌａｔｏｒ）膜を溶融・再結晶化法により形成す
る場合、点源の電子ビームを用いて大面積領域を処理す
る手段としては堀田他、第１７同面体素子・材料コンフ
ァランス（１９８５）ｐ１３１に記載されているように
、点源の電子ビームを面内に高速で走査し、溶融領域が
等測的に線状になるようにし、大面積領域を処理してい
た。
を用いて、半導体、金属等の材料の表面層を熱処理する
電子ビームアニール装置に関す（従来の技術） 電子ビームを用いて５ＯＩ（Ｓｉｌｉｃｏｎ ｏｎ Ｉ
ｎ５ｕｌａｔｏｒ）膜を溶融・再結晶化法により形成す
る場合、点源の電子ビームを用いて大面積領域を処理す
る手段としては堀田他、第１７同面体素子・材料コンフ
ァランス（１９８５）ｐ１３１に記載されているように
、点源の電子ビームを面内に高速で走査し、溶融領域が
等測的に線状になるようにし、大面積領域を処理してい
た。
（発明が解決しようとする問題点）
しかしながら、従来の方法では、点源の電子ビームを余
弦波、正弦波、三角波などの波形を用いて、一方向にの
み走査を行なっていたために、電子ビームの存在確率が
、該走査方向内で異なっており、従って試料を加熱処理
する場合、電子ビームが線状に走査されている領域内で
、温度が変化してしまう。例えば、正弦波を用いて点源
の電子ビームを走査すると線状化された領域の両端部の
温度が、中心部に比べて高くなり、線上領域の長さを、
数ｍｍとすると、各領域で均一にＳＯＩ膜を溶融するこ
とができないという欠点があった。
弦波、正弦波、三角波などの波形を用いて、一方向にの
み走査を行なっていたために、電子ビームの存在確率が
、該走査方向内で異なっており、従って試料を加熱処理
する場合、電子ビームが線状に走査されている領域内で
、温度が変化してしまう。例えば、正弦波を用いて点源
の電子ビームを走査すると線状化された領域の両端部の
温度が、中心部に比べて高くなり、線上領域の長さを、
数ｍｍとすると、各領域で均一にＳＯＩ膜を溶融するこ
とができないという欠点があった。
本発明の目的は、このような従来の問題点を解決し、点
源の電子ビームを用いても、大面積領域にわたり均一に
加熱・処理できる電子ビームアニール装置を提供するこ
とである。
源の電子ビームを用いても、大面積領域にわたり均一に
加熱・処理できる電子ビームアニール装置を提供するこ
とである。
（問題を解決するための手段）
本発明の電子ビームアニールはカソード、ウェネルト、
アノード、レンズコイル及び偏向コイルを有する電子ビ
ーム発生装置において、２組の静電偏向電極を２方向に
設け、該２組の静電偏向電極に、それぞれ正弦波及び余
弦波を印加し、がっ、該２組の静電偏向電極を加熱処理
される試料との間に冷却されたスリットを設け、かつ、
該偏向コイルの電流を変化させるがまたは該２組の静電
偏向電極に印加した波形の電圧を変化させることを特長
としている。
アノード、レンズコイル及び偏向コイルを有する電子ビ
ーム発生装置において、２組の静電偏向電極を２方向に
設け、該２組の静電偏向電極に、それぞれ正弦波及び余
弦波を印加し、がっ、該２組の静電偏向電極を加熱処理
される試料との間に冷却されたスリットを設け、かつ、
該偏向コイルの電流を変化させるがまたは該２組の静電
偏向電極に印加した波形の電圧を変化させることを特長
としている。
（作用）
点源の電子ビームを２方向に配置された静電偏向電極に
、それぞれ、正弦波及び余弦波を印加することにより、
点源の電子ビームを円周運動させる。この時、電子ビー
ムの存在確率は各位置で同じであるため、試料に電子ビ
ームを照射しても均一に加熱される。この様な電子ビー
ムを用いて処理する場合、円周運動した電子ビームの一
部のみをスリットにより取り出し、弧の形状をした電子
ビームを、偏向コイルにより走査し、ある一定領域を加
熱処理しても良いし、または円状に走査された電子ビー
ムの走査振幅を変化させて、円心状に加熱処理しても良
い。以上の手段を用いることにより、大面積領域を一度
に、均一に処理できる。
、それぞれ、正弦波及び余弦波を印加することにより、
点源の電子ビームを円周運動させる。この時、電子ビー
ムの存在確率は各位置で同じであるため、試料に電子ビ
ームを照射しても均一に加熱される。この様な電子ビー
ムを用いて処理する場合、円周運動した電子ビームの一
部のみをスリットにより取り出し、弧の形状をした電子
ビームを、偏向コイルにより走査し、ある一定領域を加
熱処理しても良いし、または円状に走査された電子ビー
ムの走査振幅を変化させて、円心状に加熱処理しても良
い。以上の手段を用いることにより、大面積領域を一度
に、均一に処理できる。
（実施例）
第１図は、本発明の実施例に用いた電子ビームアニール
装置の構成図を示す。カソード１は点源の電子ビーム発
生用カソードであり、電子銃はウェネルト２及びアノー
ド３により形成されている。前記電子銃から取り出され
た点源の電子ビームは、レンズコイル４により試料上に
集束される。本アニール装置では、レンズコイル４と偏
向コイル７との間に、静電偏向電極５及び冷却されたス
リット６を配置した。この時、静電偏向電極５は、直交
する。
装置の構成図を示す。カソード１は点源の電子ビーム発
生用カソードであり、電子銃はウェネルト２及びアノー
ド３により形成されている。前記電子銃から取り出され
た点源の電子ビームは、レンズコイル４により試料上に
集束される。本アニール装置では、レンズコイル４と偏
向コイル７との間に、静電偏向電極５及び冷却されたス
リット６を配置した。この時、静電偏向電極５は、直交
する。
２方向に２組配置し、Ｙ軸には１５０Ｖの振幅で、ＩＭ
Ｈ２の正弦波をまた、Ｙ軸には１５０Ｖの振幅でＩＭＨ
２の余弦波をそれぞれ印加し、点源の電子ビームを、円
周上を走査させ、第２図（ａ）のように円状の軸跡を形
成した。この様な電子ビームは、スリット６により円状
のまま、あるいは、その一部のみを通過させた弧の形状
をした電子ビームとした。この時のビーム形状の一例を
第２図に示す。スリット６により、第２図（ｂ）のよう
に弧の形状に整形された電子ビームは、偏向コイル７に
より、試料８上を走査された。本方法を用いた場合、第
２図（ｂ）のように弧の形状に電子ビームを整形しても
、電子ビームの存在確率は各位置で同じであるため、加
熱処理された領域−は、均一に処理されていた。前記の
方法は、加熱処理領域を一方向に移動させる必要がある
場合に用いることができるが、特に、処理方向に問題が
ない場合には、次の様な方法を用いることもできる。
Ｈ２の正弦波をまた、Ｙ軸には１５０Ｖの振幅でＩＭＨ
２の余弦波をそれぞれ印加し、点源の電子ビームを、円
周上を走査させ、第２図（ａ）のように円状の軸跡を形
成した。この様な電子ビームは、スリット６により円状
のまま、あるいは、その一部のみを通過させた弧の形状
をした電子ビームとした。この時のビーム形状の一例を
第２図に示す。スリット６により、第２図（ｂ）のよう
に弧の形状に整形された電子ビームは、偏向コイル７に
より、試料８上を走査された。本方法を用いた場合、第
２図（ｂ）のように弧の形状に電子ビームを整形しても
、電子ビームの存在確率は各位置で同じであるため、加
熱処理された領域−は、均一に処理されていた。前記の
方法は、加熱処理領域を一方向に移動させる必要がある
場合に用いることができるが、特に、処理方向に問題が
ない場合には、次の様な方法を用いることもできる。
静電偏向電極５を通過した後の円状の電子ビームをその
まま、試料８上に照射し、円状に走査された電子ビーム
を静電偏向電極５に印加した電圧を変化させることによ
り、電子ビームを同心円状に移動させ、加熱処理するこ
ともできた。ただし、この場合広い領域を一度に処理す
る場合同心円の半径に応じて、該静電偏向電極５の電位
の変化率を調整するかあるいは、パワーを調整する必要
がある。
まま、試料８上に照射し、円状に走査された電子ビーム
を静電偏向電極５に印加した電圧を変化させることによ
り、電子ビームを同心円状に移動させ、加熱処理するこ
ともできた。ただし、この場合広い領域を一度に処理す
る場合同心円の半径に応じて、該静電偏向電極５の電位
の変化率を調整するかあるいは、パワーを調整する必要
がある。
（発明の効果）
以上説明したように、本発明の電子ビームアニール装置
を用いることにより、大面積領域を一度に、しかも、均
一の温度で加熱処理することができる。
を用いることにより、大面積領域を一度に、しかも、均
一の温度で加熱処理することができる。
【図面の簡単な説明】
第１図は、本発明の一実施例の構成図をまた、第２図（
ａ）、 （ｂ）はビームの軸跡を示す。 １・・・カソード、 ２・・・ウェネルト３、
・・アノード ４・・・レンズコイル５・・・
静電偏向電極 ６・・・スリット７・・・偏向コイ
ル ８・・・試４斗 −第１図 二二：コロ＝コーー６．スリット 図 区トへ−７，偏向コイル ロ＝＝＝＝＝＝＝コ〜８．試料 第２図
ａ）、 （ｂ）はビームの軸跡を示す。 １・・・カソード、 ２・・・ウェネルト３、
・・アノード ４・・・レンズコイル５・・・
静電偏向電極 ６・・・スリット７・・・偏向コイ
ル ８・・・試４斗 −第１図 二二：コロ＝コーー６．スリット 図 区トへ−７，偏向コイル ロ＝＝＝＝＝＝＝コ〜８．試料 第２図
Claims (1)
- カソード、ウエネルト、アノード、レンズコイル及び偏
向コイルを有する電子ビーム発生装置において、２組の
静電偏向電極を２方向に設け、該２組の静電偏向電極に
、それぞれ正弦波及び余弦波を印加し、かつ、該２組の
静電偏向電極を加熱処理される試料との間に冷却された
スリットを設け、かつ、該偏向コイルの電流を変化させ
るかまたは該２組の静電偏向電極に印加した波形の電圧
を変化させることを特長とした電子ビームアニール装置
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8933286A JPS62245619A (ja) | 1986-04-17 | 1986-04-17 | 電子ビ−ムアニ−ル装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8933286A JPS62245619A (ja) | 1986-04-17 | 1986-04-17 | 電子ビ−ムアニ−ル装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62245619A true JPS62245619A (ja) | 1987-10-26 |
Family
ID=13967728
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8933286A Pending JPS62245619A (ja) | 1986-04-17 | 1986-04-17 | 電子ビ−ムアニ−ル装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62245619A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH031526A (ja) * | 1989-05-29 | 1991-01-08 | Toshiba Corp | 半導体単結晶層の製造方法 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5856316A (ja) * | 1981-09-30 | 1983-04-04 | Toshiba Corp | 半導体装置の製造方法 |
| JPS58115815A (ja) * | 1981-12-28 | 1983-07-09 | Fujitsu Ltd | 電子ビ−ムアニ−ル方法 |
| JPS58123717A (ja) * | 1982-01-18 | 1983-07-23 | Fujitsu Ltd | 半導体装置の製造方法 |
-
1986
- 1986-04-17 JP JP8933286A patent/JPS62245619A/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5856316A (ja) * | 1981-09-30 | 1983-04-04 | Toshiba Corp | 半導体装置の製造方法 |
| JPS58115815A (ja) * | 1981-12-28 | 1983-07-09 | Fujitsu Ltd | 電子ビ−ムアニ−ル方法 |
| JPS58123717A (ja) * | 1982-01-18 | 1983-07-23 | Fujitsu Ltd | 半導体装置の製造方法 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH031526A (ja) * | 1989-05-29 | 1991-01-08 | Toshiba Corp | 半導体単結晶層の製造方法 |
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