JPH0762240B2 - 電子ビーム蒸着用電子銃 - Google Patents
電子ビーム蒸着用電子銃Info
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Description
る。
子ビームを照射することにより、原材料物質を加熱、蒸
発させ、半導体基板等の基板表面に前記原材料物質の薄
膜を堆積させる電子ビーム蒸着が知られている。そし
て、前記電子ビーム源と、原材料物質を収容するるつぼ
とを備えた電子銃として、種々の構造のものが知られて
いる。
銃を真空処理室内に設置し、複数の原材料物質を同時に
蒸発させて、基板表面に蒸発物を堆積させることが行な
われている。
た複数の電子銃の夫々の電子ビーム偏向用磁場が、互い
に干渉し合って、各電子銃の電子ビームが、夫々のるつ
ぼの中心に照射されなくなったり、電子ビームに歪が生
じて、ビーム収束性が悪くなるという問題点が生じてい
た。
相互の距離を大きくする方法があったが、装置全体が大
型化したり、るつぼから蒸発する蒸気の方向分布が、い
わゆる余弦則に支配される為に薄膜の堆積速度、均一性
が損なわれるといった問題点があった。
平面環状の磁気回路で形成し、該環状磁気回路に沿って
複数のるつぼと電子ビーム源を配置した電子ビーム蒸着
用の電子銃を提案した(特開平1−149955)。
配置した電子銃は、装置の大型化や、蒸着分布が悪化す
るといった問題点を解決できるものであったが、各るつ
ぼに照射される電子ビームをスイープ(電子ビームの照
射される位置を移動すること)できない問題点があっ
た。
れる、融点が比較的低い温度で、昇華性でない金属等を
蒸着する場合には、必要とされない機能である。然し乍
ら、タングステン、モリブデン等の高融点金属や、石英
などに代表される絶縁物や、昇華性の物質を蒸着する場
合には、電子ビームをるつぼに収容された原材料物質の
一点のみでなく、広範囲に照射しなければ正常な蒸着が
行われないので、電子ビームスイープは必要な機能であ
る。
に、更に電子ビームをスイープさせる機能を付加して、
問題点の解決を図ったのである。
を偏向する為の磁場を平面環状の磁気回路により形成
し、該環状磁気回路に沿って、複数のるつぼと電子ビー
ム源を配置してなる電子ビーム蒸着用電子銃において、
前記環状磁気回路の外側に沿って、1個の環状ヨークと
2対以上のコイルで構成した、電子ビームをスイープさ
せる為の電磁コイルが設置してあることを特徴としてい
る。
ークにコイルを巻くようにしても良い。
スイープさせる為の電磁コイルにより磁界で、電子ビー
ムの、原材料物質に対する照射位置をスイープすること
ができる。
クに2対以上のコイルを巻装して構成してあり、各コイ
ルによって発生する磁力によって、電子ビームをスイー
プが行われ、また、これはすべての電子ビームに同時に
作用する。
冷ハースである。水冷ハース1は平面略方形としてあ
り、四隅部に永久磁石21、22、…24が埋設してあり、該
永久磁石21、22、…24で平面環状の磁気回路3が形成し
てある。そしてこの環状磁気回路3に沿うように、水冷
ハース1の各辺の中央上面に、るつぼ41、42、…44が設
けてあると共に、各るつぼの外側に電子ビーム源51、5
2、…54が設けてある。前記電子ビーム源51、52、…54
は、夫々フィラメント6と電極7で構成されている。第
2図において、8は水冷ハース1に対する冷却水の循環
路である。
つぼ付近には、夫々単発の電子銃と同様の偏向磁界を得
ることができる。換言すれば、各電子ビーム源から発し
た電子ビームを夫々のるつぼに偏向させる磁界は、互い
に干渉し合うことが無く、電子ビームの収束性が劣化す
ることもない。
路に電子ビーム偏向磁界を形成するのに適したものであ
る。また、永久磁石の作る磁界の影響が小さくなる外周
部にコイルの作る磁界が強く作用するので、スイープ効
率が良好なものとなる(例えば第8図のフィラメント63
の付近)。
構成部分であり、この発明では更に、前記水冷ハース1
の外周に、平面円形とした環状の電磁コイル9が設けて
ある。電磁コイル9は第3図に示したように、1個のヨ
ーク10で構成した環状ヨーク11に、4個のコイル121、1
22、…124を巻装して構成してあるもので、コイル121、
122、…124は対向するコイル同士で一対とされ、各対に
おけるコイルによる磁力線の方向が反対の方向となるよ
う構成してある。即ち、今、リード線131、132を介して
コイル121、123に電流を流すと、コイル121によって磁
力線141が発生する一方、コイル123によって磁力線143
が発生するようにしてある。この結果として、第3図に
示す151の磁力線が発生する。コイル122、124の対に対
してリード線133、134を介して電流を流した場合も同様
である。
は、電子ビーム源51、52、…54から発射された電子ビー
ムは、前記磁気回路3による磁場によって、夫々第2図
中15のような軌跡を描いて、るつぼ41、42、…44の略中
央に照射する。ここで前記電磁コイル9を動作させる
と、コイル121、122、…124による磁界が作用するの
で、電子ビームの照射位置を変化させることができる。
に電流を流した時の磁力線141、143によって、電子ビー
ムの飛行空間には、151のような磁力線(X方向)を作
用させることができ、一方リード線133、134を介してコ
イル122、124に電流を流せば、前記磁力線151と直交す
る方向の磁力線(Y方向)を作用させることができる。
即ち、コイル121、122、…124における対毎に流す電流
の方向および大きさを調整することで、あらゆる方向成
分を持つ磁力線を作用させることが可能で、結局、電子
ビーム源51、52、…54から発射された電子ビームのるつ
ぼ41、42、…44における照射位置を自由に、かつ同時に
スイープさせることができる。
スイープに作用するか、具体的に説明する。
線を示す(電子ビーム偏向の為の、永久磁石21、22…24
による磁気回路3は設けていない。)。
ースの中央では8ガウス、るつぼ42、44の中心では10ガ
ウス、フィラメント62、64の中心では18ガウス、るつぼ
41、43の中心では9ガウス、フィラメント61、63の中心
では12ガウスの磁界の強さであった。
…24を配置して、電子ビーム偏向用の環状磁気回路3に
よる磁界を重畳した場合のビーム照射点の変位を考案す
る。
イル121、123により発生した磁界によって小さくなり、
その反対にるつぼ43付近では大きくなる。それによっ
て、るつぼ41に照射する電子ビームの軌道半径は大きく
なり、その反対にるつぼ43で小さくなる。従って、第10
図の矢印41′、43′に示す方向にビーム照射点が変位す
ることになる。
コイル121、123より発生した磁界の方向は直角となる。
そのため、るつぼ42、44に照射する電子ビームは、軌道
半径に変化は無いが、Y方向に力を受けることになる。
る力の方向と、るつぼに照射するときにかかる力の方向
は逆向きとなる(電子の飛行方向が反対方向だからであ
る)。ここで、フィラメント62、64の中心では18ガウ
ス、るつぼ42、44の中心では10ガウスと、X方向の磁界
の強さに差があるため、その差の分だけ、Y方向に力を
受けることになる。その力の方向は、第10図に示したよ
うに、るつぼ42付近では矢印42′方向に、るつぼ44付近
では矢印44′方向である。また、コイル122、124(互い
に逆方向に磁界が発生するように結線されている)は、
第8図を90゜回転した方向に磁界を発生する。なぜな
ら、各コイルは、4回回転対称となっているからであ
る。従って、コイル122、124による磁界の重畳によっ
て、電子ビームは、第10図中に示した矢印41″、42″、
43″、44″の方向に移動する。
ル122、124とが発生した夫々の磁界の方向と強さを変化
させ、また、夫々の磁界(偏向用磁界とスイープ用磁
界)の相互作用によって、電子ビームのスイープが自由
に操作できる。例えば、AC電流を各電磁コイルにかけれ
ば、電子ビームのスイープ操作が可能となる。
の強さを約200ガウスとしておき、それぞれ巻数200ター
ンのコイル121、123に3Aの電流を流した。すると、コイ
ル121、123に電流をかけないときの照射位置から、るつ
ぼ41、43では41′43′方向に約10mm移動し、一方、るつ
ぼ42、44では42′44′方向に約7mm移動した。
源51、52、…54が4個ずつとした、いわゆる4連のもの
について説明したが、この数に制限はなく、3連、5
連、若しくは6連以上等、同様のスイープが可能であ
る。
ークで構成した実施例である。
ーム源51、52、…54と対向させた弧状のヨーク161、16
2、…164で一つの環状ヨーク17を構成し、各ヨーク16
1、162、…164に、前記実施例と同様に、対向するヨー
ク毎で対をなすコイル181、182、…184を巻装して、ス
イープ用の電磁コイルを構成してある。
電子ビームの照射位置の移動は同じである。
される位置を、電子ビーム源と電子ビーム源の間とした
ものである。
磁界を発生させると、第6図に示した矢印のように、電
子ビームの照射位置が移動する。反対に、隣合う電磁コ
イルにより発生する磁界が互いに反発し合うようにする
と、第7図に示した矢印のように、電子ビームの照射位
置が移動する。
に、スイープの為の磁力線を作用することが可能であ
り、前記実施例と同様に、電子ビームの照射位置を自由
に、かつ同時にスイープすることができる。
44を8個のるつぼ41〜48に代えた場合の、各るつぼにお
けるビームスイープの方向を示したものである。この場
合も全るつぼにおいて41′〜48′のような同時スイープ
が可能である。
した原材料物質に照射される電子ビームをスイープでき
るようにしたので、高融点金属、絶縁物、昇華性物質で
も多元電子ビーム蒸着が可能にできる効果がある。
1個の環状ヨークと2対以上のコイルで構成した電磁コ
イルでスイープさせるので、各ビームを同時にスイープ
させることができ、高融点金属、絶縁物、昇華性物質等
の多元電子ビーム蒸着を、失敗することなく、かつ確実
に行うことができる効果がある。
じく一部縦断面図、第3図は第1の実施例の電磁コイル
を説明する図、第4図はこの発明の第2の実施例の平面
図、第5図乃至第7図はこの発明の第3の実施例の平面
図、第8図および第9図は電磁コイルより発生する磁力
線を示す平面図、第10図は第9図の磁界の発生している
ときの電子ビームの照射位置の移動方向を示す平面図、
第11図は、第1の実施例でるつぼを8個とした場合のビ
ームスイープ方向を示す平面図である。 21、22、…24……永久磁石 3……磁気回路 41、42、…44……るつぼ 51、52、…56……電子ビーム源 6……フィラメント 9、91、92、…96……電磁コイル 10……ヨーク 11……環状ヨーク 121、122、…124、181、182、…184、201、202、…206
……コイル 161、162、…164……ヨーク
Claims (2)
- 【請求項1】電子ビームを偏向する為の磁場を平面環状
の磁気回路により形成し、該環状磁気回路に沿って複数
のるつぼと電子ビーム源を配置してなる電子ビーム蒸着
用電子銃において、前記環状磁気回路の外側に沿って1
個の環状ヨークと2対以上のコイルで構成した、電子ビ
ームをスイープさせる為の電磁コイルが設置してあるこ
とを特徴とした電子ビーム蒸着用電子銃 - 【請求項2】複数対のヨークで1個の環状ヨークを構成
し、各ヨークにコイルを巻いて構成した請求項1記載の
電子ビーム蒸着用電子銃
Priority Applications (4)
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EP19900114411 EP0411482A3 (en) | 1989-08-02 | 1990-07-27 | Electron gun arrangement for use in the electron beam evaporation process |
KR1019900011706A KR960005808B1 (ko) | 1989-08-02 | 1990-07-31 | 전자비임 증착용 전자총 |
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---|---|---|---|
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JPH0364457A JPH0364457A (ja) | 1991-03-19 |
JPH0762240B2 true JPH0762240B2 (ja) | 1995-07-05 |
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Family Applications (1)
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JP1200985A Expired - Fee Related JPH0762240B2 (ja) | 1989-08-02 | 1989-08-02 | 電子ビーム蒸着用電子銃 |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH01149955A (ja) * | 1987-12-07 | 1989-06-13 | Anelva Corp | 薄膜製造装置 |
-
1989
- 1989-08-02 JP JP1200985A patent/JPH0762240B2/ja not_active Expired - Fee Related
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