JPS60152619A - 電子ビ−ムにより材料の熱処理を行う装置 - Google Patents

電子ビ−ムにより材料の熱処理を行う装置

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Publication number
JPS60152619A
JPS60152619A JP747484A JP747484A JPS60152619A JP S60152619 A JPS60152619 A JP S60152619A JP 747484 A JP747484 A JP 747484A JP 747484 A JP747484 A JP 747484A JP S60152619 A JPS60152619 A JP S60152619A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
electron beam
deflection
current
deflecting
scanning speed
Prior art date
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Pending
Application number
JP747484A
Other languages
English (en)
Inventor
Hideki Kobayashi
英樹 小林
Seiichi Tsukamoto
塚本 清一
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
Nippon Electric Co Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by NEC Corp, Nippon Electric Co Ltd filed Critical NEC Corp
Priority to JP747484A priority Critical patent/JPS60152619A/ja
Publication of JPS60152619A publication Critical patent/JPS60152619A/ja
Pending legal-status Critical Current

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Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C21METALLURGY OF IRON
    • C21DMODIFYING THE PHYSICAL STRUCTURE OF FERROUS METALS; GENERAL DEVICES FOR HEAT TREATMENT OF FERROUS OR NON-FERROUS METALS OR ALLOYS; MAKING METAL MALLEABLE, e.g. BY DECARBURISATION OR TEMPERING
    • C21D1/00General methods or devices for heat treatment, e.g. annealing, hardening, quenching or tempering
    • C21D1/06Surface hardening
    • C21D1/09Surface hardening by direct application of electrical or wave energy; by particle radiation

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Thermal Sciences (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Recrystallisation Techniques (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 この発明は電子ビーム、特に断面が長手方向がIllあ
るいはαオーダーの脚状の電子ビームを走査して誘電体
、牛導体、金属体などの材料の表面層全熱処理(硬化、
結晶化、アニール等)する電子ビーム装置に関するもの
でおる。
線状断面の電子ビームを用いて半導体をアニールする電
子ビーム装置の例について述べれば、長さ数閣の均一分
布の線状ビームを材料上で走査することにより幅数間の
帯状部分音−回走査で処理でき、処理の速度や均一性の
点て点状断面の電子ビームを用いるよりも有利でおる。
しかしながら線状断面の電子ビームを用いる場合は比較
的大きなビーム電流が必狭となることなどにより電子ビ
ーム通路中での電子ビームの断面寸法は一般に大きく(
太く)なり、これt走査するビーム偏向系の電界または
磁界による偏向収差が大きくなる傾向となる。そして材
料上の無偏向位置(中央)での電子ビームに対し偏向位
置(周辺部V)での電子ビームは少しぼけ気味となりビ
ーム電流静置が下がり処理が不光分となることがある。
こうなると材料の中央部と周辺部とでアニールの程度が
不均一になる。
このような場合に均一なアニールを行わせる一つの方法
として偏向角(材料上の電子ビーム照射位置)によりビ
ーム集束系の電子レンズ作用全変化させることが考えら
れるが、レンズ作用の調整だけでに偏向収it相殺でき
ないとか磁気レンズのとき電子ビーム断面の線方向の回
転が生ずるなどで充分な均一性が実現し難いこともある
本発明はこれらの欠点會除去するため、電子ビームの偏
向中心を設定する機構とその偏向中心に対する電子ビー
ム偏向角が増すとビーム走査速度を減らすようにした機
構全般けたもので、以下図面について詳細に説明する。
第1図は半尋体りエーハlの表面t−組状断面の電子ビ
ーム2で走査してアニールする例を示す。
ビーム偏向系は偏向コイル3を用い偏向中心4の軌道を
通る電子ビームを図のX方向に偏向する。
図のY方向に偏向する偏向コイルは別に設ける(図示せ
ず)。電子ビーム2をX方向に偏向走査した電子ビーム
照射跡5が帯状にアニールされる。
m2図の波形図で示す基準鋸歯状波電流21を第1図の
偏向コイル3に流すとウェーハl上での電子ビーム2の
走査速度はt’i #を一定ないし偏向角の大きな周辺
部でやや増大する。そこで第3図1alの補正用正弦波
状電#t、tHL形31を重畳し、同図1blの合成#
L32の偏向コイル電流を用いるとX方向の偏向中心3
3でこの電流の変化率、従って走査速度が最大となり1
周辺s34.35に近づくほど電流変化率(はぼ走査速
度に比例)が小さくなる。
本発明の一実施例ではこの波形32の電fXvI−第1
図の偏向コイル3に流し、X方向の偏向角の増大と共に
走査速度を小さくしている。第2図、第3図ではX方向
偏向コイル電流01kX方向偏向中心としているが、を
子ビーム系軸対称性の不完全さなどを補うため適当なオ
フセット電流を流せるようにしておく。これは−紋型子
回路の直流レベル調整技術で容易に実現できる。第1図
のウェーハ1上でY方向偏向コイルへ一定電流を流して
帯状域6をアニールするときはY方向の偏向中心からY
方向への電子ビーム偏同角に応じて走査速度會下けるた
め、第2図の波形22のように勾配をゆるやかにした基
準鋸館状波を用い、以下同様にして補正用波形との合成
波を作ってX方向偏向コイル30を泥波形とする。
X方向の偏向中心に対応するY方向偏向コイルオフセッ
ト電流もX方向同様1Illjikできるようにしてお
く。
なお、偏向コイル3に合成波電流を流すのは一般の電気
回路技術で容易に実施できるのは熱論であるが、補正用
波形の電流あるいは電圧を偏向コイル3とは別の補正用
偏向コイルまたは静電偏向電極に供給するように構成し
てもよい。第1図の実施例では電子ビーム2t−図の左
方から右方へ走査するときにクエーハlのアニールを行
い、帰りは充分短い時間(帰庫期間)に電子ビーム2を
元の位置に戻すようにして帰線期間のアニール効果は無
視できるようにしている。m2図、第3図の波形図で2
3.24.36がその帰線期間を示す。
次はY方向へ少しずらして同様な処理を行vh、 )@
次りエーハlの所袂域全面を処理して行く。
偏向コイル電流波形や偏向用1に磁界を鋸歯状波と補正
用波形との合成により形成するのでなく、コンピュータ
で指令a杉を作りそれにより所費の電流波形を偏向コイ
ルに与えるなどの磯簿を用いてもよい。これらの偏向補
正に電子レンズ作用の補正等を併用してもよい仁と社勿
論でおる。
5− 以上の実施例で説明したように偏向中心に対する電子ビ
ーム偏向角の増加と共に電子ビームの走査速度を減少さ
せるようにした本発明の装置では、線状断面の電子ビー
ムを用いた場合の偏向収差(はけ)の発生にもかかわら
ず偏向角の大きな周辺部での熱処理程度の低下現象をな
くすことができるので、比較的大きな表面積の材料を能
率よくかつ均一に熱処理可能となハ多大な実用的効果が
得られる。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明装置の一実施例における被処理材料(半
導体クエーハ)付近の斜視図、第2図と第3自[al 
、 (b)は偏向コイル電流の波形例である。 l・・・・・・半専体りエーハ% 2・・・・・・電子
ビーム、3・・・・・・偏向コイル、5・・・・・・電
子ビーム照射跡、21゜22・・・・・・基準鋸歯状波
電流波形、31・・・・・・補正用正弦波状電流成形、
32・・・・・・偏口コイル電流波形(合成波)。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 電子ビームの偏向中心を設足する機構とその偏向中心に
    対する電子ビーム偏向角の増大と共に電子ビームの走査
    速度を減少させる機構を備えていることを特徴とする、
    電子ビームにより材料の熱処理を行う装置。
JP747484A 1984-01-19 1984-01-19 電子ビ−ムにより材料の熱処理を行う装置 Pending JPS60152619A (ja)

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JP747484A JPS60152619A (ja) 1984-01-19 1984-01-19 電子ビ−ムにより材料の熱処理を行う装置

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JP747484A JPS60152619A (ja) 1984-01-19 1984-01-19 電子ビ−ムにより材料の熱処理を行う装置

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JPS60152619A true JPS60152619A (ja) 1985-08-10

Family

ID=11666777

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Application Number Title Priority Date Filing Date
JP747484A Pending JPS60152619A (ja) 1984-01-19 1984-01-19 電子ビ−ムにより材料の熱処理を行う装置

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JP (1) JPS60152619A (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003003310A (ja) * 2001-06-22 2003-01-08 Sumitomo Rubber Ind Ltd 袖付手袋

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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