JPH06105697B2 - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
- Publication number
- JPH06105697B2 JPH06105697B2 JP60227152A JP22715285A JPH06105697B2 JP H06105697 B2 JPH06105697 B2 JP H06105697B2 JP 60227152 A JP60227152 A JP 60227152A JP 22715285 A JP22715285 A JP 22715285A JP H06105697 B2 JPH06105697 B2 JP H06105697B2
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Description
【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、半導体装置製造工程のうちイオン注入工程に
係る。
係る。
従来の技術 半導体装置製造工程において不純物層形成のためにイオ
ン注入法が広く行なわれている。イオン注入工程として
は、多数のウェハをカルーセルの円周上に並べて回転さ
せ連続的に注入する方法がある。
ン注入法が広く行なわれている。イオン注入工程として
は、多数のウェハをカルーセルの円周上に並べて回転さ
せ連続的に注入する方法がある。
この方法では、第４図に概要図で示すように、カルーセ
ル１の回転によってウェハ２が移動する方向と垂直方向
のみにイオンビームを、スキャン装置３により、静電的
あるいは静磁的に偏向し、走査する。これによってウェ
ハ２面に均一に不純物を注入しようとするものである。
ル１の回転によってウェハ２が移動する方向と垂直方向
のみにイオンビームを、スキャン装置３により、静電的
あるいは静磁的に偏向し、走査する。これによってウェ
ハ２面に均一に不純物を注入しようとするものである。
発明が解決しようとする問題点 ところで、ウェハ２をカルーセル１の周囲に固定して回
転させてウェハの移動方向と垂直な方向にのみイオンビ
ームを走査する方式だと第５図に、過程ごとに示したよ
うに、イオンビームの当る角度が、ウェハ２の位置によ
り異なる。
転させてウェハの移動方向と垂直な方向にのみイオンビ
ームを走査する方式だと第５図に、過程ごとに示したよ
うに、イオンビームの当る角度が、ウェハ２の位置によ
り異なる。
このため、面チャネリングにより、注入イオンの不純物
プロファイルが異なり、シート抵抗及びFETを形成した
際のソースドレイン電流IDSS、しきい値電圧Vthなど特
性の面内均一性がよくないという問題点を有していた。
プロファイルが異なり、シート抵抗及びFETを形成した
際のソースドレイン電流IDSS、しきい値電圧Vthなど特
性の面内均一性がよくないという問題点を有していた。
第６図は従来のイオン注入の方式によるFETのIDSSのX,Y
の両長径方向での面内分布を示す。イオンビームをビー
ムスキャン方向（Ｙ方向）は比較的均一であるが、カル
ーセルの回転によるメカニカルスキャン方向（Ｘ方向）
には大きなばらつきがあり、ウェハ中央部が高く周辺部
が低いという結果がでている。
の両長径方向での面内分布を示す。イオンビームをビー
ムスキャン方向（Ｙ方向）は比較的均一であるが、カル
ーセルの回転によるメカニカルスキャン方向（Ｘ方向）
には大きなばらつきがあり、ウェハ中央部が高く周辺部
が低いという結果がでている。
このため歩留，品質の均一性が悪いという問題点を有し
ていた。そこで、本発明はウェハ面内の注入イオンのプ
ロファイルを均一化し、歩留，品質の均一性のすぐれた
半導体装置の製造方法を提供するものである。
ていた。そこで、本発明はウェハ面内の注入イオンのプ
ロファイルを均一化し、歩留，品質の均一性のすぐれた
半導体装置の製造方法を提供するものである。
問題点を解決するための手段 この目的を達成するため本発明では、イオン注入の際、
機械的にウェハが動かされている方向（メカニカルスキ
ャンの方向）と同一方向にもイオンビームを静電的ある
いは静磁的に走査するものである。
機械的にウェハが動かされている方向（メカニカルスキ
ャンの方向）と同一方向にもイオンビームを静電的ある
いは静磁的に走査するものである。
作 用 この方法によりイオン注入の際、機械的に半導体ウェハ
を動かすメカニカルスキャンと同方向にもビームスキャ
ンを加えることにより、ウェハ表面上のビームの角度が
ウェハの位置によらずランダムとなる。
を動かすメカニカルスキャンと同方向にもビームスキャ
ンを加えることにより、ウェハ表面上のビームの角度が
ウェハの位置によらずランダムとなる。
実施例 以下本発明の実施例について説明する。第１図に本発明
の実施例で用いた装置構成を概要図で示す。カルーセル
１の円周上に固定された半導体ウェハ２がカルーセル１
の回転によりＸ軸方向に移動する。イオン注入の際、イ
オンビームをＸ軸と垂直なＹ軸方向にＹ方向静電スキャ
ン装置３で走査するだけでなくＸ軸方向にもＸ方向静電
スキャン装置４で同時に走査するものである。このと
き、ビームを走査するX,Y方向の周波数は単純な整数比
とならないよう注意する必要がある。ビームをまんべん
なく広い範囲に走査させるためである。
の実施例で用いた装置構成を概要図で示す。カルーセル
１の円周上に固定された半導体ウェハ２がカルーセル１
の回転によりＸ軸方向に移動する。イオン注入の際、イ
オンビームをＸ軸と垂直なＹ軸方向にＹ方向静電スキャ
ン装置３で走査するだけでなくＸ軸方向にもＸ方向静電
スキャン装置４で同時に走査するものである。このと
き、ビームを走査するX,Y方向の周波数は単純な整数比
とならないよう注意する必要がある。ビームをまんべん
なく広い範囲に走査させるためである。
第２図は本発明実施例の過程を示すものであり、カルー
セル１の面上でのウェハ２が角度をもって送られても、
ウェハ２の面を均等にイオンビームで走査することが可
能である。
セル１の面上でのウェハ２が角度をもって送られても、
ウェハ２の面を均等にイオンビームで走査することが可
能である。
第３図は、本発明の実施例における注入によるFETのI
DSSの面内分布である。Ｘ方向、Ｙ方向の分布の差がな
くなり、均一性は大幅に向上し、歩留向上などの効果は
大なるものがある。その他しきい値電圧、シート抵抗、
ダイオード形成時の耐圧などの面内ばらつきが小さく、
それらにも大きな効果がある。
DSSの面内分布である。Ｘ方向、Ｙ方向の分布の差がな
くなり、均一性は大幅に向上し、歩留向上などの効果は
大なるものがある。その他しきい値電圧、シート抵抗、
ダイオード形成時の耐圧などの面内ばらつきが小さく、
それらにも大きな効果がある。
第１図は本発明の実施例に用いた装置の概要図、第２図
は本発明の方法におけるＸ方向ビーム角度の概略図、第
３図は本発明の方法におけるFETのIDSS分布図、第４図
は従来の装置の概略図、第５図は従来の方法におけるウ
ェハ位置とビーム角度の概略図、第６図は従来の方法に
おけるFETのIDSS分布図である。 １……カルーセル、２……半導体ウェハ、３……Ｙ方向
静電スキャン装置、４……Ｘ方向静電スキャン装置。
は本発明の方法におけるＸ方向ビーム角度の概略図、第
３図は本発明の方法におけるFETのIDSS分布図、第４図
は従来の装置の概略図、第５図は従来の方法におけるウ
ェハ位置とビーム角度の概略図、第６図は従来の方法に
おけるFETのIDSS分布図である。 １……カルーセル、２……半導体ウェハ、３……Ｙ方向
静電スキャン装置、４……Ｘ方向静電スキャン装置。
Claims (1)
- 【請求項１】半導体装置製造工程における不純物イオン
注入の際、半導体ウエハがイオン注入方向に対して角度
を変えてメカニカルスキャンされている場合に、少なく
とも前記メカニカルスキャンの変化方向にイオンビーム
スキャンを行う工程をそなえた半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60227152A JPH06105697B2 (ja) | 1985-10-11 | 1985-10-11 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60227152A JPH06105697B2 (ja) | 1985-10-11 | 1985-10-11 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6286713A JPS6286713A (ja) | 1987-04-21 |
| JPH06105697B2 true JPH06105697B2 (ja) | 1994-12-21 |
Family
ID=16856309
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60227152A Expired - Lifetime JPH06105697B2 (ja) | 1985-10-11 | 1985-10-11 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06105697B2 (ja) |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5341184A (en) * | 1976-09-28 | 1978-04-14 | Nec Corp | Ion injection device |
-
1985
- 1985-10-11 JP JP60227152A patent/JPH06105697B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6286713A (ja) | 1987-04-21 |
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