JPS58155637A - ビ−ム照射装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の技術公費〕 本発明は物体空間に位置させたターゲットに荷電粒子ビ
ームを照射するため、放射源と、物体空間近くに位置し
たビーム・スプリッタを有するビーム変調装置とを具え
るビーム照射装置に関する。

〔従来技術〕

この種の装置は章国特許嬉専−４書１，８８６号から既
知であって、これには電子ビーム照射装置の一部分とし
てこの装置が述べられている。この装置ではビーム・ス
プリッタを照射すべきターゲット近くに配置して使用し
て、・ターゲットの数個の領域を、ターゲットを変位さ
せることなく、照射することが出来る。このことは形成
されるべきパターンの向きの精度を向上する。さらに、
ビーム・スプリッタの領域で大きな断ｆＩｔ有する電子
ビームを利用することによって、数個の基本的１ビーム
を同時に使用し、よって動作速度を達めることが出来る
。

上述の電子ビーム照射装置において単一走査ビームを使
用する場合には、これを広く応用するた・めには動作速
度が遅すぎるという欠点がある０層状ビームから得た基
本的ビームを使用する場合には、同等の１１敗のパター
ンのみを形成出来ること勿論であるが、これ【広く応用
する場合には１ＩＩｌｌｌ！がある。このようにして得
られた相互に絢−な基１・・本釣ビームでは実質的に同
等な製品を得るためには通常は不十分である。例えば全
電流量がより大きい幅広のビーム【用いることによって
、層状ビームの局所的電流密度分布に必要な均一性を与
えるように改良することはビーム・ス１リツ＃す捕獲さ
れたビーム粒子によって岸度に加熱してビーム・スプリ
ッタの負荷を増大し寿命を短かくし、さらにはソース−
カソード負荷を増大させる原因となる。さらに、このよ
うなビームでは、粒子の工率ルギー分布が大きく広がり
、電子ビーム照射、′・・装ｍめ精度の向上な図るため
には極めて不利である。

〔発明の概要〕

本発明の目的は上述した従来装置の有する欠点を回避す
るか少なくとも実質的に除去した荷電粒子ビーム照射装
置を提供することにある。

この目的の達成を図るため、本発明によれば、放射源近
くに配置した別のビーム・スプリッタと・、これら二つ
のビーム・スプリッタ闇に含まれ多ビーム端面′ａを具
える電極装置とを具えることを特徴とする。

本発明によるビーム照射装置においては、ビーム・スプ
リッタを放射源側に含ませ、幾何学的条・件をｌ！Ｉ！
択し及び光学的＃１Ｉ４１を行なうことによって断面及
び開−を遥定出来るような基本ビームを形成することが
出来る。このようにして、高い柔軟性を得るように基本
ビームの各々を個別的に操作することが出来る。その上
さらに、ビームを個別の基本ビームに分割するので、粒
子の相互作用効果を低減させることが出来、よって１ｉ
ＩＩＩＩの照射精度を高める。放射ビームは装置の放射
源側で基本ビームから成るマトリックスに分割されてい
るので、発生しているいずれの散乱をも容易に遮蔽する
ことが出来、よって加工片に対し有害な影響が生じない
ようにすることが出来る。

本発明の好適実施例においては、放射１近くに位置させ
たビームやスプリッタはグリッド構体を有し、このグリ
ッド構体のいずれかの個において一放射ビームの移動方
向にみて、好ましくは対称レンズ系を設けることが出来
る。幾何学的条件及び印加すべき電位を適訳することに
よって、グリッド構体の少なくとも大部分にわたり均一
な電界強度を確実に得ることが出来る。この部分の表面
は湾曲グリッド構体【用いることによって増大させるこ
とが出来る。グリッド構体及びこれにＳ緩する電極の電
位をＩｉＩ択することによって、荷電粒子の入射ビーム
を、マトリックス【形成しかつ互いに発散する１１１１
Ｉの基本ビームへと、分割するような発散レンズを形成
することが可能であり、網状アパーチャによる微小レン
ズ作用に基づいて、これら基本ビームの各々が選択され
るべき開口角をもったビームを構成する。

放射ビームの分割は主として電界効果によるものであっ
て網状構体のシャドウ効果による影響は備かで−あるの
で、網状構体の透過係数は高い０従って放射源の陰極か
ら供給されるほぼ全体の電流が有効的に使用され、よっ
てビーム相互作用による間１の発生は一層少なくなり、
網状構体が過度に高い熱負荷に晒されることはない。

ビーム−陶器を第一ビーム・スプリッタからその後方好
適距喝例えばｌＱＯｓｍ＋たけ離れたところに位置させ
る場合には、これらビームはこれらがその領域でマトリ
ックスの偏向素子によって個別的に影響を愛けることが
出来るような鴫度に離間される。

本発明の他の好適実施例によれば、ビーム偏向器のＭＵ
　位にレンズ系を置き、このレンズ系によって基本ビー
ムの各々を元軸に平行に光軸に直交す・る向きのビーム
偏向器を経て向けるようにすることが出来る。好ましく
はこのレンズ系は放射皺個のビーム・スプリッタを物体
側のビームφスプリッタ上に結像させるレンズの部分を
形成することも出来る。さらにこの目的のためビーム錫
向−ノマトリックスの他方の側に好ましくは対称的な嬉
ニレンズ系を具えることが出来る◎ 本発明の実施に当っては、ビーム偏向器の各−に有孔プ
レートを備え、この有孔ル−Ｆにより基本ビーム【通過
させかつ、偏向器に対する電位・・を適切に選定するこ
とによって、結像レンズによって行なわれる基本ビーム
の主要通路に対する収束作用な補償するようにするのが
好適である。

また、物体側のビーム−スプリッタが発散レンズとして
作動するようにすることによって、それぞれの基本ビー
ムの交差点が少なくともはば放射源の像と一蚊するよう
になすことが出来る。既知の手段【使用して各基本ビー
ムに対し例えば米国特許第４．ＩＩＩ、４ｇｊ号明細書
に記載されているようなスポット整形（ａｐｏｚ−ｓｓ
ｈａｐｉｎｇ　）を行・なうことが出来る。その結果、
広い制限内で、各基本ビームは物体を個別的にかつ独立
して照射することが出来これに所望のパターンを与える
ことが出来る。

〔実施例の説明〕

第１図は本発明によるビーム照射装置の構成成分を示す
。これら構成成分は放射＃１、第一ビーム・スプリッタ
６、ビーム偏向装置ＩＩｔ８、第二ビー・ム・スプリッ
タ１０、縮小結像レンズ１１及びターゲラ）１４であっ
て、これら構成成分は光軸８上又はその回りに配置され
ている。図中放射源を以下物点と称する単一放射点１６
を有する単−放射源として示しているが、このようにす
ると描画′中すなわち像形成動作中ある像中の光学的物
点が光軸の方向にこれに対しシフトしてしまうかも知れ
ない。またこの放射源は、例えば、米国特許第４，２５
９，６７８号明細書に記載されているようにマ）　ＩＪ
ラックス状配列したｗ数の放射素子を具えていてもよい
。或いは又この放射−をトリツバ特許＃ｌ００ｇ８５８
１Ｓ号明細書に開示されているように構成してもよいが
、ミラー素子の各々が電圧制＃可能な放射−として作動
するように構成することも出来る。この種の多放射瀞で
は、第一ビーム・スプリッタ６がこの多放射瀞の一部分
を形成する。単−放射源の場合でも又ビーム分■が不十
分な多放射肺の場合でも、Ｉｌ別のビーム・スプリッタ
６によってビーム分■を行なう。このビーム・スプリッ
タは第１１図に一実施例を示スような網状構体１８を具
えている。図示の実施例に示す構体は、例えば、互いに
直交方向に向けた二本のワイヤ・グリッドから収ってい
て、これらワイヤ・グリッドを、例えば、厚さ１ｉｌＯ
μ−としたタングステン・ワイヤで形成しピッチを１０
０μ厘としている。これら陶ワイ、ヤ・グリッドを互い
に対向させて取り付けるか、互いに組み込れて取り付け
るかしてもよいが、例えば、ワイヤ・グリッドの帯電現
象に起因してビーム形状が悪くなるのを抑えるためには
、これらワイヤ・グリッドを互いにある距離だけ離して
、例えば、光軸に沿って焔ってグリッドのピッチに対応
する距離だけ離して取り付けるのが有利である。散乱を
抑えてビーム分離をはっきりと行うため、有利にもほぼ
同一の透過（ｔｒａｎｓｍｉｓｓｉｏｎ　）を有する帯
状材料から成るワイヤ・グリッドを用いることが出来る
。

網状構体のいずれかの側に、好亥しくは一個以上のブシ
ュから成る電極ｓＯ及び！２を設け、この電極の幾何形
状配置や綱状電極からの距離を調整し綱状電極１１面の
少なくとも中央部分を横切って・はば均一の電界強度【
形成するようになＴｏこれらワイヤ・グリッドの組み合
わせ体を凸状に構成することによって、これら電極！Ｏ
及びｓＳが生ずる電界の等電位向に対し良好に順応せし
めることが出来、従って又網状電極構体の相当広い部分
・【横切って均一な電界強度を得ることが出来る。

図示のビーム偏向装置はｌＩａ図に詳細に示すような［
６の偏向素子ｓ６から成るマトリックスを具えていて、
これら偏向素子はＸ方向偏向用の電と１饗−υ召〜宣鞠 極ｓ８　　　　　　　　　　　　　。これら電極を全て
光軸に直交する同一平向に取り付けてもよい番が、電界
の不均一性に基づき結像（又は措−）に欠陥が生ずるの
を防止するため、これら電極配列を光軸の方向に１ｉｌ
？ｌＩｋに配置することも出来る。このように構成すれ
ば、制御を行っている間二つの電極配列間のクロストー
クを低減出来るような小容量結合が得られる。これら電
極は基本ビームの各々に対し例えば０．６〜１．０閤の
横方向寸法を有する穴を形成すると共に例えば１−Ｉ閤
のピッチで備えられている。各電極配列の少なくとも一
個・・・の電極に一つの電位を与える必餐があるが、好
會しくは両電極に電位を与えることも出来る。この偏向
素子のマトリックスを、例えば、いわゆる厚膜法により
絶縁体（０ａｒｒｉθｒ）上に設けられた電極で構成す
ることも出来る。所望の穴を備えてい・て、例えば、厚
さ０．５鴎のム１．０．から成る中ヤリャの内側に電極
配列と、これに所望電位を与える導電トラックと【備え
る。この場合には、偏向素子は対称構造となるので、熱
負荷が加わった場合にも不所望変形【生ずるおそれ【低
減出来るという利点がある。この場合、複数の偏向素子
のマトリックスに隣接させて第十有孔プレー）８ｇ＆び
第二有孔プレート８４を設ける。ビーム通路に適用され
る場合にはこれら有“孔プレートを同等とし得ると共に
これらプレートを、例えば、第１＠に示す一方の網状構
体として形成する゛ことも出来る。

これら有孔プレートの孔（穴）の形状を矩形状以外の励
えば円形状又は六角形状とじてもよい。第二ビーム・ス
プリッタ１０の網状構体の方形の穴１００を基本ビーム
の局所断面と適合させるよう・になし、その面積を例え
ば０．６　Ｘ　Ｏ，５ｍ”となしピッチをＸ及びＹ方向
にｚｌｗとＴることが出来る。

これら穴を金属プレートに設けて一定の電位をアパーチ
ャ糸に与えることが出来るようにする。第一有孔プレー
ト８８の前位に第一レンズ４０を設け、第ニブレート８
４の後位に第二レンズ４８を配設する。尚、これらレン
ズを同等のレンズとし得る。−向素子のマトリックスを
横切る均一電界【使用して、これらレンズは第一有孔プ
レートの前−でビームを光軸に平行に向け、そして第二
有孔プレートの後側でビームを光軸に向けて収束さ１せ
る。この場合、第二有孔プレートの領域においては、基
本ビームの各歳は光軸に対し着しく微小な角度であるが
夫々異なる角度を取ることが出来る。尚、説明するまで
もなく、基本ビームの敵は・第−及び第二レンズ４０及
び４１間に配設出来る偏向装置の個ｔによって決まる。

利用し得る空間は球１ｆｉＯ差を最大限どの慢度ま５、
で許容出来るかによって決まる。

第二ビーム・スプリッタ１０の構遺を第一ビー・・ム・
スプリッタの構造と同等とし得る。従って、コノ第二ビ
ーム・スプリッタには網状構体４４、第一電極４６及び
第二１１ｉ４８ｔ−設けることが出来る。これら電極の
幾何学的形状・配置及び電位を適当に蟲定することによ
って、４１１１粒子に対し１発散レンズ作用を及ぼすこ
とが出来る。第二ビーム・スプリッタの後位に配設した
レンズ１ｍを縮小結像レンズとして構成し、このレンズ
で、これら基本ビームに重大な影響を及ぼすことなく、
これら基本ビームを相互に与えられた崗きでターゲット
１４に投射させる。このターゲットの領域では、基本ビ
ームの方形断面積は例えばＩＸＩμ３であって、この断
面積をスポット整形によって縮減することが出来る。こ
のターゲットを字溝体基板とし得、この基板に基本ビー
ムによって［Ｉｇ！パターンを形成し得る。

或いは兄、このターゲットをマスクともし得、マスク・
プレート上に堆檜させた放射感応層を基本ビームで処理
し、後の工糧での現像に供せしめることが出来る。

第２図は本発明によるビーム照射装置を電子ビーム・リ
ソグラフインク装置の形で示した線図である。円筒容器
６０の内部は動作中は真空となっていて、その中に放射
＃４、第一ビーふ・スプリッタ６、ビーム端面鮪［８、
第二ビーム・スプリ・ツタ１０、ｉ像レンズ１８及びタ
ーゲット１４ｔ−配ｆＲさせている。この場合にはター
ゲットを字溝体材料のウェーハを以って構成しており、
このウェーハに集積回路を設けようとするものである。

このウェーハをテーブル６ｇ上に設け、このウエ−ハを
規定された方法でＸ及びＹ方向に１位させることが出来
るようになしている。この変位【行なわせるため、この
ビーム照射装置にｘ−Ｙ駆動機構６４と、Ｘ−Ｙ位相測
定装置ＩＳ・と、例えば光学式のＸ−Ｙ位置検出器Ｓ８
とを設ける。

読取１ｉ’１ｌｌ１６０は、例えば、措かれるべきパタ
ーンの図形を読取るための手段を具えていてこの装置か
ら導出した信号をメモリ６ｓへ供給してこれら信号を好
ましくはディジタル的に記憶するか、又はこれら信号を
直接処理するため制御ユニット６４にＩ［ｆｆ１Ｉ供給
する。この制御ユニットにおいては、これら信号を１向
装置の夫々の偏向素子の制御用のディジタル［１１１１
信号に変換する。この制御のため、これら制御信号をデ
ータ・バス６６を経てＤ／ムコンバータロ８に供給する
。各基本ビームに必要とする制＃周ｔＩＩ歇を１皿、と
じて、例えばツール・ユニット当り１μ／８の適度で書
込み【行なうことが出来る。

例えば、独立して１ｆＩＩＩ僑出来るｌｏＸＩＯ本の基
本ビームから成るマトリックスの場合には、ｌＩＩＩＩ
ＩＩＩｍｅ数は１００　Ｍ２であることを意味する。チ
ャン牟ル当りの動作をＸ方向及びＹ方向に対して０と１
との間で、例えば、）、基本ビームのステップで行なう
スポット整形【行なう場合には、実効書込）＃波数は一
層高くなる。その場合、単一ビーム【使用する場合には
、高い制画周波数が必要となること明らかである。この
ような高周波数及び使用されるべき局所電流密度によっ
て、例えばベルシエｔ　ｎｏｅｒｓｃｈ　）効果に起因
して、例えば、ターゲット−Ｅで照射されるべき最小寸
法精度又はターゲット上での境界の規定に制限が与えら
れることがある。ある通用された特定のシステムの場合
には、亀子ビームを用いる代わりにイオン・ビームを用
いることが出来る。イオンが１イオンである場合でも、
イオン当り相当多緻の工率ルギーが移送されるので、基
本ビーム当り相当少数の粒子を使用することが出来、従
ってｍａ密度も相当小さくし得る。イオン・ビームを用
いる他の利点はターゲット材料中への侵透深さを良好に
規制出来ることである。従って、放射感応層を所定の工
率ルギー【有するイオン・ビームに丁度連合するように
使用して不所値のイオンインプランテーシ冒ンを防ぐこ
とが出来る。池方、この階をイオン照射に適応させる場
合には、本発明による装置ｌを局所イオンインプランテ
ーションに対して首尾よく使用することが出来る。

イオンを用いる場合粒子当りのエキルギー移送置が大き
いと、これら粒子が当たる装置部分の加熱量が増大する
。これがため、同時により小さな制御パルスでもってビ
ーム偏向を行うことが出来るように、変調器の領域で粒
子な減達し得るようにするのが有益である。特にスメッ
トｌＩ形【通用する場合には、工率ルギー移送置が大で
あることを考慮すると、例えば第二網状構体に対し熱負
荷及びイオン弱化（ｉｏｎ　ｐｕｌｖｅｒｉｚａｔｉｏ
ｎ　）に闘しての条件が一層１バなる。

またこの制御ユニット６４には制御装置１０を接続し、
この制御装置により例えばスメツト移動の際ビームの放
出を止めるように放射＃【パルス作動させる。このユニ
ット６４には第−及び第二、ビーム・スプリッタ用の給
電−７２及び７４を夫＆接続する。電８１０．８ｊ！１
，４０．４１．４６及び４８に対してはそれぞれの端子
を介して図示されていない普通の電源から所望の電位を
与える。

二枚の網状有孔プレー）ＪＩＢ及び８４を給電源テロに
接続し、レンズｌＩＡに対しては給電＃７８を用いる。

第２図には光軸に沿う唯一本のビーム８０を示している
。例えば、各々断向檀がＩＸＩμ−であってピッチを２
μ眉とした基本ビームを１０ＸＩＯのマトリックス状に
配置して成るビームを用いると、１０ＸｌＯμ箇　のフ
ィールドを四段階の偏向ステップで完全に照射すること
が出来る。このフィールドの後偏向を行なって次の２０
×２０μ−のフィールドを照射し、このように順′ｅＫ
照射を一層し行なう。主賛な偏向に基づく収差が大きく
なりすぎる場合には、ターゲットを移動させる。この移
動は、例えば、ｇｘｉ■３のフィールドを照射した後に
行なう。従って、ｌｏＸＩＯ本の基本ビームから成るビ
ーム・マトリックスを用いる場合には、ターゲット１４
を機械的に変位させることなく１００＠の方形領域の各
々に対し任意のパターンでｇ　Ｘ１ｉ−”の方＠餉域を
描画することか出来る。

第８図は本発明によるビーム照射装置の基本ビームのビ
ーム通路を示す線図である。放射ｆＩ４から放出され開
口角例えば０．５０のビー　ムから、例えば０．０５°
の開口角を有する基本ビーム９４憂ビーム・スプリッタ
６によって趨び出す。図中そのアパーチャ９ｓのみを示
す。好ましくは、この基本ビーム９４を偏向装置の嬉−
レンズ４０によって偏向させてこの基本ビームがビーム
偏向器に少なくともほぼ垂直に当るようにする。図には
二枚のＸ偏向電極８８と、二枚のＹ偏向電極ＳＯと、ビ
ーム偏向器のヤトリックスのあるビームｍｍ嵩子に光学
的に対応する、グリッド８１１及び８４の各々のアパー
チャ９６及び９８とを示しである。−万のグリッド、例
えば、グリッド８曇を省略してもよいが、通常はこのグ
リッドを補正レンズとして作用させてグリッド８ｚによ
る光学Ｏ差を補正させてもよい。第二レンズ４ｓはビー
ム【再びビーム照射装置の光軸２に向けて収束させる。

従って、基本ビームは第二ビーム・スプリッタｌＯを通
って通過する。このビーム・スプリッタの穴【１００で
示す。ビーム整形を行っているため、基本ビームの物点
はグリッドｌＯ上に位置する。縮小レンズとして示した
構成成分１ｇもまた偏向礪能を有していてよい。しかし
ながら、いずれの既知のタイプのビーム整形方法を使用
してもよい。

このビーム照射装置のレンズ作用′ｆｒ：１１整して複
数の基本ビームの交差点が放射姉のある一つの像と少な
くとも実質的に一致するようにする。所要に応じ、−酸
成分の電界強度を好適な値に選定することによって、こ
のビーム照射装置全体のレンズ効果を４にすることが出
来る。

第４図は本発明の他の実施例を示し、この実施例では二
個のレンズ４０及び４２を用いる代わりに既知の方法で
球ＩｔＩ収差の補正が出来るｉラー糸６１を用いている
。ミラー糸へ入射するビームと反射して尿ってきたビー
ムとの分離を磁界ｓ８によって既知の方法で行なう。好
ましくは放射澹の像をレンズ５４ｆ：用いてこの磁界の
中心部に結像ある。

単一放出＠ｅ有する放射鰺及びこの放射澱からある距離
だけ離れた所に配跋させたビーム・スプリッタを用いる
場合には、有効的に使用されるべきビーム変調器の一部
分を横切る電流密度の均一性を、ビームをして走査させ
ることによってうまく活用出来る。その場合、使用する
走査周波数を十分高い周波数、例えば、書込制御中に生
ずる最大ｍｒｆｌ数よりも１００倍高い周波数とする必
要がある。例えば米国特許第８，７４！ｉ、１４１号明
細書に開示されているような直線澹の放射−を使用する
場合には、この放射−の縦方向に直交する方向に直線的
に一回走査することで十分である。

またビームが例えば四個の異なる位置を順次に占めるよ
うにすることによって、走査を行なってもよい。

上述においては、本発明を主としてイオン又番オ電子リ
ソグラフィ用の装置と関連させて説明した。

しかしながら、本発明はイオン・イン１ランチ−ジョン
とか、荷電粒子ビーム好ましくは電子ビームによってス
クリーン上に図形又は文字数字情報【表示させる表示装
置とか、例えば７アイリング用像情報を記録するマイク
ロフォーマットとかにも同様に使用して好適である。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明によるビーム照射装置の結像系を示す図
式的４１図、 ｇ　ｌａ図及び第１ｂ図はこの結惨糸の構成成分を示す
線図、 第２図は本発明による装置を電子ビーム・パターン書込
装置の形で示した線図１ 第８図はビーム【スメット状にするかような装置ｌｆ：
通るビーム通路を示す線図、 第４図は反射形マトリックスを具えるビーム変ａｉｌ　
ｙＭｔｔを不す線図である０ ２・・・光軸　　　　　　番・・・放射澹６・第一ビー
ム・スプリツタ ８・・・ビーム１向装置ｉｔ（電極装置）ｌＯ・・・第
二ビーム・スプリッタ １−８・・・縮小結像レンズ １４・・・ターゲラ）　　　１６・・・放射点１８．４
４・・・網状構体 ２０　、　ｉｌ　ｇ　、　＄　８　、８　Ｏ、４６、４
８−・・電極１６・・・偏向素子 δ２・・・第一有孔プレート（又はグリッド）８４・・
・第二有孔プレート（又はグリッド）４０・・・第一レ
ンズ　　４１１・・・第二レンズ６０・・・円筒容器　
　　５１−ｉツー系６ｊｌ・・・テーブル　　　６４・
・・Ｘ−Ｙ駆動機構５６　・Ｘ　−Ｙ位ｌ１１１ｍ定装
置 ６８・・・位置検出器　　６０・・・読゛取＊＊６２・
・・メモリ　　　　　６４・・・制御ユニ°ット６６・
・・データ・バス　６８・・・Ｄ／ムコシバ−タフ０・
・・制＃装置 ７ｇ、７４，７８．　　フ　８　・・・　給　電δ−８
０、、９０・・・ビーム ９ｇ、９６．９８・・・アパーチャ

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 Ｌ　物体空間に位置させたターゲットに荷電粒子ビーム
   を照射するため、放射源と、物体空間近くに位置したビ
   ーム・スプリッタをｉするビーム変調装置とを具えるビ
   ーム照射装置において、鍍記放射源近くに配電した別の
   ビーム・スプリッタと、これら二つのビーム・スプリッ
   タ間に含まれ多ビーム偏向−を＾える電極装置とを具え
   ることを特徴とするビーム照射装置。 ｔ　　ｍ記放射＃傭の前記別のビーム・スプリッタは綱
   状構体を具え、蒙綱状構体のいずれかの憾に１Ｉｌｌｔ
   ｌｉ状構体の近くに発生されるべき電界な均一にするた
   めの電極アレイを配置して成ることを特徴とする特許請
   求の１１１１１記戦のビーム照射装置。 ＆　前記放射源側の前記別のビーム・スプリッタは互い
   に直交する方向に向けられた平行ワイヤから成る二つの
   糸【具え、これら系のワイヤに互いに異なる電位を与え
   ることが出来るようにして成ることを特徴とする特許請
   求の範囲ｌ又は２記載のビーム照射装置。 表　前記ビーム変調装置を前記放射源側の前記ビーム・
   スプリッタからある距離だけ離して配設し、この場合該
   距離をその領域において前記ビーム変調装置が各基本ビ
   ームに対し個別の、独立して５ｕｉｉｐ出来るビーム偏
   向器を具え得るような距離で前記基本ビームを互いに−
   して位置させるような距離として成ることを特徴とする
   特許請求の範ＦＨＪ１〜８のいずれか一つに記載のビー
   ム照射装置。 ＆　　Ｈｉｌ紀多ビーム偏向器のレンズ糸は前記基本ビ
   ームを該多ビーム偏向器に垂直に向けると某に該多ビー
   ム偏向器の後備で前記基本ビームを収東させて成ること
   【特許とする特許請求の範囲ｌＮ４のいずれか一つに記
   載のビーム照射装置。 亀　物体側のビーム・スプリッタと、像側の有孔プレー
   トとの間に基本ビーム′ｆｒ：透過し隣接するリング収
   電ｌ＃ニよって電界が与えられ得る有孔プレートを配置
   して成ることを特徴とする特許請求の範囲１−６のいず
   れか一つに記載のビーム闇討装置。 ｔ　多ビーム偏向器のいずれかの儂に網状構体を配置し
   、該網状構体は基本ビームｔａ過しかつ該網状構体に隣
   接するリング状電極によって電界を与えることが出来る
   ようにして成ることを特徴とする特許請求の範囲１〜フ
   のいずれか一つに記載のビーム照射装置。 ＩＬ　Ｘ方向に対する画数のビーム偏向素子と、Ｙ方向
   に対するＩＩ！１１［のビーム偏向素子とを、多ビーム
   −陶器の、互いにある距離だけ■れて位置しかつ光軸に
   対し直交する万一の夫々の平向に、夫々取り付けて成る
   ことを特徴とする特許請求の範囲１〜１のいずれか一つ
   に記載のビーム照射装置。 象　前記多ビーム鴫陶器を電気的に絶縁しているキャリ
   ヤプレートを以って構成し、該キャリヤプレートのいず
   れかの側に金１１ｍ部分の形ゆで偏向電極ｆ備え、該端
   向電極に対し前記キャリヤプレート上に備えられている
   導電性へトラックによって所望の制御電位を与えること
   が出来るようにして成ることを特徴とする特ＩＴｆｎ求
   の範囲１〜８のいずれか一つに記載のビーム照射装置。 １ａ　　前記放射源は、瞼体鵠のビーム・スプリッタと
   しても作用する！Ｍ数の放出素子のマトリックスを具え
   ることを特徴とする特許請求の範囲１〜９のいずれか一
   つに記載のビーム照射装置Ｉｔ。 ＩＬ　　前記多ビーム偏向器は町制＃ミラー電極のマト
   リックスを具えることを特徴とする特許−求の範囲８紀
   載のビーム照射装置。 ｌ龜　基本ビーム毎にスポット整形を行なうため荷電粒
   子用の可制御光学手段を具えることを特徴とする特許請
   求の範囲１〜１１のいずれか一つに記載のビーム闇討装
   置。 １１Ｌ　　形成されるべきパターンのＦＡ形を読取るた
   めの読取装置によってマイクロ回路を規定するパターン
   を形成するための電子リングラフイック装置として構成
   したことを特徴とする特許請求の範囲１〜１８のいずれ
   か一つに記載のビーム照射装置。 １４　　ターゲットにパターンを書込むためのイオン・
   リソグラフィツク装置として構成したこと【特徴とする
   特許請求の範囲１〜１ｍのいずれか一つに記載のビーム
   照射装置。 ｌＩＬ　　前記ビーム変調装置の前位にイオン串ビーム
   を減速する手段【設け、該ビーム変調装置の後位にイオ
   ン・ビームを再び加速する手段を設け、この場合基本ビ
   ーム相互間の関係が乱されないようになしであること【
   特徴とＴる特許請求の範囲１４記載のビーム照射ｆｉ　
   Ｉｌｌ　ｃｈｌｌＬ　　ビーム・スプリッタは、基本ビ
   ームの断自が六角形又は円形となるように、六角形の形
   轢を有していること【特徴とする特許請求の範囲１〜Ｉ
   ｌｌのいずれか一つに記載のビーム照射装置。