JPS6245110A - 帯電粒子パタ−ン発生器 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、帯電粒子ビームを発生及び制御するため放射
線源及び光学系を有する帯電粒子パターン発生器に関す
る。

電子ビームパターン発生器の形態におけるこの種の帯電
粒子パターン発生器は米国特許第４１５１！１２２号明
細書から既知である。この種のパターン発生器では集積
回路素子を作製するのに帯電粒子ビームを使用し、これ
を適当に装着された半導体財料のウェハに直接衝突させ
るか又は適当なマスクに衝突させるようにする。

実際上、パターン発生器内をビームが通過する際帯電粒
子のト目互クーロン反撥力に起因して生ずる擾乱効果を
伴わずに十分高い電流密度のビーム又は扇形状の成分ビ
ームを実現するのが難しいことは証明されている。これ
ら擾乱は比較的長いビーム軌道が使用された場合又は比
較的低い加速電圧が使用された場合一層顕著になり、統
計学的効果及び非統計学的効果に分けることができる。

統計学的効果の主な原因は、ビームにおける帯電粒子の
分布が一定ではなく、かつ、これら粒子が走査に及ぼし
合う力が粒子中で時間と共に統計学的変動を示すことで
ある。従ってこれらの力が軸方向を向いている限りこれ
によってビームの伝播方向における粒子の速度に変化が
生ずる。この効果はベルシュ（Ｂｏｅｒｓｃｈ）効果と
して既知である。これらの力の半径方向成分によりビー
ムにおける粒子の方向において十分な変化を生ずる。こ
の効果は軌道（トラジェクトリーＱｒａ、ｉ　ｅｃｔｏ
ｒｙ）　）効果と呼ばれる。次に非統計学的効果を説明
するために、電荷はビーム上で一ト筆と見做すことがで
きる。従ってこの効果の結果、一様なビーム拡がりが生
ずる。以下これを、空間電荷に起因するビーム拡がりと
称する。これに必要な結果は適当なレンズ作用によって
低減できる。

所定の帯電粒子パターン発生器におけるビームの形態及
び電流密度に寄与するすべての要因を最適化した（すべ
ての種類の制約を含む）場合には、この場合に要求され
るビームに対しては帯電粒子の相互反撥が、主に粒子軌
道の方向における統計学的変化によって生ずる周縁尖鋭
度（ペリフェラル・シャープネス）と、非統計学的ビー
ム拡がりによって生ずる像歪との双方に対する制約要因
であることを見出した。逆に、帯電粒子のビームによっ
て生ずる所定仕様の周縁尖鋭度に対し、この効果はビー
ムにおける電流強度を制限すると言うこともできる。統
計学的相互反撥の現象が理解される範囲で、ビームに及
ぼすその悪影響を低減するため、例えば、ビームに最大
利用可能横断面、短いビーム軌道等を許容することによ
りビームにおいて一層高い加速電圧、低電流密度の如き
適当な条件をビームに対して課する試行が行われた。

本発明の目的は、前記擾乱効果を大幅に低減するビーム
を形成することにより上記欠点を除去しかつ制約を回避
する帯電粒子パターン発生器を提供するにある。

本発明の帯電粒子パターン発生器は、帯電粒子パターン
発生器内で帯電粒子ビームが走行すべき軌道の少なくと
も大部分にわたり、軌道変位を低減する小さい直径を有
する帯電粒子ビームを形成するビーム選択手段を備えた
ことを特徴とする。

例えばビームパターン発生器における如く、この種の帯
電粒子パターン発生器においては、パターンを施すべき
対象物上に電荷キャリヤ像が投写される。この像は、例
えば、単一の丸いスポット、米国特許第３４９１２３６
号明細書に記載された如き可変寸法の長方形スポット、
円又は方形の１次元又は２次元的合成スポット等によっ
て形成できる。

かかる帯電粒子パターン発生器では、十分な像尖鋭度を
維持しながら最高可能全電流を最適化するのが普通であ
り、これは丸いビームの場合十分率さいスポット直径を
意味しかつ長方形ビームの場合良好な周縁尖鋭度を意味
する。

計算によって、ビーム直径に対するＴＤ効果の寄与を、
他のビームパラメータに依存する特定最大値以下の直径
を有するビームを使用することによって大幅に低減でき
ることを見出した。本発明の帯電粒子パターン発生器は
この条件を満足するビームを使用するから、比較的高い
電流密度においてさえ細いビームと共に作動させること
ができ、ビーム軌道に対する幾何学的構成及び加速電圧
の選択において遥かに大きい自由度が得られる。

本発明の好適例では複数の成分ビームから成る複合ビー
ムを使用し、これら成分ビームはこれら成分ビームにお
けるＴＤ効果が低減されるような小さい横断面を有しか
つこれら成分ビームの軌道を十分１雌間して成分ビーム
のト目互干渉ＴＤ効果を低減するようにする。

この目的のため帯電粒子パターン発生器は、例えば、そ
の放出瞬時から分割ビームを発生する成分放射器のマト
リックスを具える。特に、成分ビームのための成分放射
器は固体（ソリッドステート）放射器とし、これを１次
元又は２次元アレイ、例えば、リニアアレイ、直交マト
リックス又は１個もしくは複数個の円弧に沿ったアレイ
の形態においてグループ化する。がかるアレイにおいて
熱電子放射器、フィールド放射器、プラズマ放射器等の
如き放射器とすることができる個々の放射器は、電流強
度及び起動電位の双方を個別に又はグループ分けして互
に独立に制御することができる。

これは放射線源の近くもしくは放射線源に配設した帯電
粒子光学装置によって行うことができ、また固体放射器
の場合には放射器当りもしくは放射器群当り別々に制御
される電極によって行うことができる。

他の実施例では対物点の集合体、例えば、前記放射器の
アレイがパターンを施すべき対象物の近くに配置した帯
電粒子パターン発生器のレンズの平面又はその近くに結
像する。この実施例では球面収差の色（クロマチック）
補正を適用できる。

この目的のため放射線源における放射器のアレイに適切
な電位分布を供給するようにする。従って、例えば、電
位の半径方向変化により帯電粒子の通常の正の球面収差
を光学的に予備補正することができる。球面収差を低減
できるから、著しく大きい集合開口角度を有する複合ビ
ームと共に作動させることができる。好適な実施例では
ビーム開口角度を低減された球面収差につき最適化する
。例えば、ビームを垂直走査のため関連するレンズの主
平面において変位するビームパターン発生器の場合には
、球面収差の色補正をレンズにおけるビーム位置上で動
的に行うことができる。この色補正により良好な走査の
ために許容できない大きい速度変化が導入される場合に
は、補正を、例えば、磁界及び電界の組合せによって形
成される著しいアクロマチイック偏向フィールド、クロ
マティック偏向補正レンズダブレット、又は最終レンズ
における適当に適合させた網状電極と共に行うようにす
ることができる。

次に図面につき本発明の詳細な説明する。

第１図はハウジング２に収納した電子ビーム又はイオン
ビームパターン発生器の一例を示し、本例では放射線源
４と、シェイピング−プランキング（ｓｈａｐｉｎｇ−
ｂｌａｎｋｉｎｇ）装置６と、集光レンズ系８と、中央
絞り１０と、縮小（レデューシング（ｒｅｄｕ−ｃｉｎ
ｇ））レンズ系１２と、複合レンズ系１４と、ビーム偏
向補正装置１６と、ビーム補正装置１８と、対象物担体
２０とを具え、この担体上にパターンを施すべき対象物
２２例えばシリコンウェハ又はマスクプレートを配置す
る。イオンビームパターン発生器の場合放射線源４は、
例えばイオン−質量選択エレメントを具える。ビーム補
正装置１８は、例えば、複合ビームに適合させかつ球面
収差補正電極を含む網状部（ボーズ）を具える。

本発明に関しては、異なる粒子の極性及び質堡−電荷比
を別にすれば、光学系の大部分はほぼ同一である。従っ
て簡単のため以下本発明の帯電粒子パターン発生器を主
に電子ビームパターン発生器として説明する。電子−放
射線源は固体（ソリッドステート）電子放射器又はフィ
ールド放射器によって構成するのが好適であり、マルチ
ビーム発生器に対しては個々の固体放射器又はフィール
ド放射器の集合体によって構成するのが好適である。放
射線源及び特に個々の放射器のアレイを制御するため放
射線源制御装置２４を設け、これを中央制御装置２５に
接続する。また中央制御装置２５にはシェイピング−プ
ランキング装置６用の制御装置２６と、中央絞り１０用
の制御装置２８と、走査装置であるビーム偏向補正装置
１６用の制御装置３０と、ビーム補正装置１８用の制御
装置３２と、対象物担体２０に対する調整装置３４及び
測定装置３６と、複合対物レンズ１４用の制御装置３８
と、縮小レンズ系１２用の制御装置４０と、集光レンズ
系８用の制御装置４２とを接続する。更に中央制御装置
２５には、データを記憶しかつターゲット関連データを
処理のために読出す記憶−読出装置４４を接続する。本
例パターン発生器の（重々の要素の構成及び機能を本発
明に関連する範囲内で以下に一層詳細に説明する。

第２図は放射器５０によって放出された電子ビーム５１
を口約に示し、このビームにおいては個々の電子５２は
ビームの容積全体にわたり不規則に分布している。ビー
ムの容積はビームの円筒部５３及び軸５４によって決ま
る。考察されるすべての電子は円筒面５６内に含まれる
。

例えば中央基準電子５８から、すべての電子は、中央基
準電子及び考察対象電子間を結ぶ直線の延長線に沿った
方向の反撥力を受ける。電子５８及び６０につき力のベ
クトルを６２及び６４でそれぞれ示し、その軸５４に直
角な成分を６６及び６８でそれぞれ示す。

第２図すの円筒部６９は等しい数の電子を含み、従って
同一電子速度に対し２つのビームは同一の合計ビーム電
流強度を示す。従って、軸に垂直な方向の力のベクトル
の成分が遥かに小さくなり、かつ軸方向において測定し
た電子の相互間隔がビームの直径より大きくなる程小さ
くなる。すべての電子が軸５４上に一列に配置されてい
るという極端な場合にはＴＤ効果は現われなくなる。

第３図は横軸にビームの半径をとりかつ縦軸に前記統計
学的効果の影響の目安をとった座標系を示す。曲線Ａは
一定電流強度でのビームに対するＴ’Ｄ効果を示し、一
方、曲線Ｂはベルシニ効果を示す。ビーム半径ｒにつき
値ａ及びｂの間の領域においてＴＤ効果は比較的大きい
。ビームの半径をこの領域内の値ａ′より小さい値に減
少させることによりＴＤ効果を低減できる。従来親指の
法則として知られた、ビームが細くなる程クーロン力が
増大するという着想を打ち破ることによってかなりの利
得を達成することができる。複合ビームの場合には、成
分ビーム相互間の距離を十分大きくして成分ビームが相
互に影響し合うのを防止するようにすることが所望され
る。第３図から明らかなように、かかる細いビームにお
いてはベルシュ効果（曲線Ｂ）はそれ以上増大せず、従
ってこの効果による制限を受けなくなる。

帯電粒子のビームの分割は、原理的に、パターン発生器
のすべての位置において行うことができる。かかるビー
ムのかかる分割はヨーロッパ特許第８７１９６号明細書
に記載されている。本発明の目的に好適なビーム分割で
は放射器がサブビームの集合体を発生するようにし、そ
の理由は放射器が個々の放射素子の集合体を具えるでい
るからである。第４図に示した電子ビームパターン発生
器に対しては放射器は、例えば、刊行物フィリップス・
ジャーナル・オブ・リサーチ（Ｐｈｉｌｉｐｓ　Ｊｏｕ
−ｒｎａｌ　　ｏｆ　　Ｒｅ５ｅａｒｃｈ）　　、　　
ＶｏＬ、　３９．　　　　Ｎｏ、　　３．　　１９８４
゜第５１〜６０頁に記載された固体放射器のアレイを以
て構成するか、又は、例えば、刊行物ジャーナル・アプ
ライド・フィジクス（Ｊｏｕｒｎａｌ　Ａｐｐｌ、Ｐｈ
１ｓｉｃｓ）。

Ｖｏｌ、　　４７．　Ｎｏ、　１２．　Ｄｅｃ、　　１
９７６、　　第５２４８〜５２６３頁に記載されたフィ
ールド放射器のアレイを以て構成すると好適である。

放射器のかかるアレイは、例えば、５０Ｘ５０放射器マ
）　ＩＪフックス形態に配置される数十乃至数千の個々
の放射器から成る集合体を具える。放射器の数及び相互
位置の双方を最終的に任意に選択できるというこ出は正
確には、放射器の構造がこの形式のものであることに起
因する。この形式の腹合ビームは、例えば、集積回路を
製造するための米国特許第４１５１４２２号明細書に記
載されたパターン発生器に従って、走査形電子顕微鏡及
び対応する処理又は分野装置において走査ビームとして
使用できる。従って、例えば、複数のサブビーム群を別
々に制御するのが有利であり、この目的のためには、こ
れらのサブビーム群は関連位置において互に十分離間す
る必要がある。

特に腹合対物レンズ１４では複合ビームは比較的大きい
範囲にわたり球面収差の影響を受けるおそれがあり、そ
の理由はその位置においてビームが比較的太いからであ
り、かつビームを確実に垂直に入射させるため大きい能
動レンズフィールドがしばしば使用されるからである。

これは適当に適合させた異なる起動電位を個々の放射器
に供給することによって大幅に補正できる。この補正は
完全に動的な態様においてビームの幾何学的形状に適合
させることができ、一定方向のビームの場合には個々の
放射器のアレイにわたり半径方向に補正が行われる。ビ
ームをレンズ面上で変位する場合、個々の放射器の電位
変化を、この半径方向変位に動的に又はステップ状に追
随させるようにすることができる。

また対物レンズの球面収差は、これを低減する目的で特
別に作製され、かつ関連する電極と共にレンズ面に又は
その近くに取付ける１個の網状部を使用することによっ
ても低減できる。その場合ビーム変位はメツシュの幅で
ステップ状に行うと好適である。これは、例えば、集積
回路素子を製造するためパターン発生器において生せし
めることができ、その場合、処理すべき半導体ウェハを
変位すること無く比較的大きい表面積にパターンを描く
ことができるように−すると有利であり、かつその場合
書込ビームの傾斜入射から生ずるずれを防止することが
所望される。同様な考察は、例えば、集積回路素子又は
製造後のチップを検査するため帯電粒子のビームを使用
する測定装置にも当てはまる。この場合にも同様に大き
い表面積を点検できるようにするのが有利であり、かつ
垂直入射ビームにより測定の信頼度を高めることができ
る。

第１図に示した帯電粒子パターン発生器用の電子−光学
的コラム（ｃｏｌｕｍｎ）の−例を第４図に示し、本例
は、例えば個々の放射器８６のリニアアレイ８２又はマ
）　ＩＪワックス４を設けた複合放射線源８０を具える
。各放射器は、例えば、能動表面、即ち実際に電子を放
出できる例えば１μｍ２の表面を有する。個々の放射器
相互間の間隔は約１０μｍであり、技術的制約とは別に
、相互の起動変位効果によって決まる。対物レンズにお
ける基本ビーム相互間の間隔は、例えば、約１０μｍと
する。

本例の電子−光学的コラムには更に集光レンズ系８と、
第１絞り９０、第２絞り９２及びレンズ系９４を有する
シェイピング装置８８と、縮小レンズ１２と、偏向装置
９６を有する対物レンズ１４とを設ける。シェイピング
装置８８にはピームシエイピンク及びブランキングの双
方の偏向のための偏向装置９８を設ける。

対物レンズ１４及び偏向装置９６が大きい偏向レンズフ
ィールド（磁界）を有する場合、球面収差に対する色補
正は変化する電位を個々の放射器８６の集合体に供給す
ることによって行うことができる。

この目的のため固体放射器マトリックスに制御可能な電
極系９９を設けることができる。動的な場合に対する制
御は電位変化を対物レンズフィールド（磁界）における
あらかじめ定めた一定数の成分領域に適合させることに
より簡単化できる。特に後者は個々の放射器又は放射器
群に対する一組の共通電極によって達成できる。特にチ
ップ製造に広く使用されかつシェイピング装置８８を使
用するビームシェイピングに対しビーム直径の変化に起
因する強度の喪失はビームの残りの部分における電流密
度を増大することによって補正できる。この目的のため
放射線源の放射器は電流密度に適合させるようにする。

固体放射器又はフィールド放射器を使用する場合この適
合は極めて高い制御周波数においてもビームの直径変化
に適合させることによって行うことができるので、従来
可能であった制御に比べ遥かに迅速な制御を達成できる
。

この（重の輝度制御によればビームシェイピング用対物
レンズにおいて時間を貧すレンズ補正が不要となり、広
い範囲でのビームシェイピングは可能のままであり、か
つパターン形成時間が短縮される。

対物レンズ１４及び対象物２２の間において、球面収差
に対する色補正の場合に起り得る如き、比較的大きいエ
ネルギー差を有する粒子を伴うビームにおいて起り得る
色偏向誤差を補正する電子−光学装置を使用できる。こ
れに関する一層詳細な説明はスリンガ−ランド（Ｓｌ　
ｉｎｇｅｒ　１ａｎｄ）他著の論文に記載されており、
この論文ではこれら装置はイオンビームパターン発生器
について説明されており、かつこの論文はマイクロサー
キット８４プロシーデイングズ・コンフエレンス（Ｍｉ
ｃｒｏｃｉｒｃｕｉｔ８４　Ｐｒｏｃｅｅｄｉｎｇｓ　
Ｃｏｎｆｅｒｅｎｃｅ）　、ケンブリッジ（Ｃａｍｂｒ
　ｉｄｇｅ）　、第３８１頁以降に掲載されている。

以上本発明を実施例についてだけ詳細に説明したが、本
発明はこれら実施例に限定されるものではない。一方、
本発明は、複合ビームが実際上収差を伴わないことに起
因して、個々の放射器の各々を個別に制御できることに
より、上には主に対物レンズの球面収差に基づいて説明
した帯電粒子パターン発生器における光学的誤差の侵先
的補正を全面的に可能ならしめるものである。更に、ギ
ガヘルツのオーダーでの放射器の極めて迅速な制御が可
能であることに起因して、ビーム全体及びその個々の成
分ビームの双方に対し極めて迅速なビーム制御が可能と
なる。従って本発明の用途は、例えば、チップ製造にお
いて迅速な制御が所望される場合、正確に決定された輪
郭を有するビームが所望される場合、並びに帯電粒子ビ
ームと共に作動するチップ検査走査−電子又はイオンパ
ターン発生器及び表面分析装置に特に好適である。また
本発明は、低加速電圧が使用される用途に好適であり、
その理由は精密に擾乱が実際上制限要因となるからであ
る。これに関連して本発明の用途には、例えば、高い解
像度で表面構造分析を行うための分析装置が考えられ、
また本発明による極めて細い単一ビームの使用も考えら
れる。更に、本発明は、ＴＤ効果が存在せず、その結果
率さい走査ビームスポットを形成できることにより、例
えば、高解像度テレビジョン撮像装置の如き撮像装置に
おいて使用するのに極めて有用である。走査すべき比較
的大きいターゲットを有するこの形式の電子管に対して
もビームの垂直入射に対して所望されるのと同様に色補
正を行うことができる。

放射器マ）　ＩＪソックス、例えば、互に幾何学的に分
離された放射器群に分けることによって、本発明による
顕著な利点の得られるマルチビーム装置を構成すること
ができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明による電子ビーム・パターン発生器をブ
ロックと共に示す路線図、 第２図は帯電粒子のビームを示す図、 第３図はＴＤ効果及びベルシュ効果をビーム直径の開数
として示す図、 第４図は本発明による帯電粒子光学系を示す路線図であ
る。 ２・・・ハウジング　　　　４・・・放射線源６・・・
シェイピング−ブランキング装置訃・・集光レンズ系　
　　ｌＯ・・・中央絞り１２・・・縮小レンズ系　　　
１４・・・複合対物レンズ１６・・・ビーム偏向補正装
置。 １８・・・ビーム補正装置　　２０・・・対象物担体２
２・・・対象物　　　　　　２４・・・放射線源制御装
置２５・・・中央制御装置 ２６・・・シェイピング−プランキング装置用制御装置
２８・・・中央絞り用制御装置 ３０・・・ビーム偏向補正装置用制御装置３２・・・ビ
ーム補正装置用制御装置 ３４・・・調整装置　　　　　３６・・・測定装置３８
・・・複合対物レンズ用制御装置 ４０・・・縮小レンズ系用制御装置 １１２・・・集光レンズ系用制御装置 ４１１・・記憶−読出装置　　５０・・・放射器５１・
・・電子ビーム　　　　５２・・・個々の電子ビーム５
３・・・電子ビームの円筒部 ５４・・・電子ビーｌ、の軸　　５６・・・円筒面５８
・・・中央基準電子　　　６０・・・電子８０・・・複
合放射線、原 ８２・・・放射器のリニアアレイ ８４・・放射器のマ）　ＩＪフック ス６・・・放射器　　　　　　８８・・・シェイピング
装置９０・・・第１絞り　　　　　９２・・・第２絞り
９６、９８・・・偏向装置　　　９９・・・制御可能な
電極系１００・・・電子−光学装置 ロ□ Ｎ

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、帯電粒子ビームを発生及び制御するため放射線源及
   び光学系を有する帯電粒子パターン発生器において、帯
   電粒子パターン発生器内で帯電粒子ビームが走行すべき
   軌道の少なくとも大部分にわたり、軌道変位を低減する
   小さい直径を有する帯電粒子ビームを形成するビーム選
   択手段を備えたことを特徴とする帯電粒子パターン発生
   器。 ２、各成分ビームが軌道変位を低減する小さいビーム直
   径を有する複数の成分ビームから成る扇形状の成分ビー
   ムを形成する扇形状ビーム形成装置を備える特許請求の
   範囲第１項記載の帯電粒子パターン発生器。 ３、ビーム選択手段を、軌道変位を低減する小さい直径
   を有する成分ビームから成る扇形状の成分ビームを形成
   するよう構成配置し、成分ビームを相互軌道変位効果が
   低減されるような距離で互に離間する特許請求の範囲第
   １又は２項記載の帯電粒子パターン発生器。 ４、放射線源が、扇形状の成分ビームを発生する個々の
   放射器のリニアアレイ又はマトリックスを備える特許請
   求の範囲第２又は３項記載の帯電粒子パターン発生器。 ５、光学系が帯電粒子ビームを扇形状の成分ビームに分
   割する分割装置を具える特許請求の範囲第２又は３項記
   載の帯電粒子パターン発生器。 ６、帯電粒子がイオンである特許請求の範囲第１乃至５
   項中のいずれか一項記載の帯電粒子パターン発生器。 ７、帯電粒子が電子である特許請求の範囲第１乃至５項
   中のいずれか一項記載の帯電粒子パターン発生器。 ８、放射線源が単一の固体電子放射器又はその集合体を
   具える特許請求の範囲第７項記載の帯電粒子パターン発
   生器。 ９、放射線源が単一のフィールド放射器又はその集合体
   を具える特許請求の範囲第７項記載の帯電粒子パターン
   発生器。 １０、帯電粒子光学装置が帯電粒子パターン発生器の帯
   電粒子光学系の対物レンズ系のレンズにおいて又は該レ
   ンズの近くにおいて粒子の集合体を結像する特許請求の
   範囲第１乃至９項中のいずれか一項記載の帯電粒子パタ
   ーン発生器。 １１、対物レンズがシェイプド・ビームパターン発生器
   の一部を構成する特許請求の範囲第１０項記載の帯電粒
   子パターン発生器。 １２、対物レンズが走査ビームパターン発生器の一部を
   構成する特許請求の範囲第１０項記載の帯電粒子パター
   ン発生器。 １３、放射器の集合体の個々の放射器に電位を印加して
   前記光学系における球面収差に対する色補正を行うこと
   ができるよう構成した特許請求の範囲第１０項記載の帯
   電粒子パターン発生器。 １４、対物レンズが球面収差を補正するため制御電極と
   共に網状部を具える特許請求の範囲第１０項乃至１３項
   中のいずれか一項記載の帯電粒子パターン発生器。 １５、放射された扇形状の成分ビームに対する最大許容
   開口角度を球面収差につき補正された対物レンズに整合
   させる特許請求の範囲第１３又は１４項記載の帯電粒子
   パターン発生器。 １６、放射器の集合体の個々の放射器の電位分布がレン
   ズ系における集合ビームの走査運動に動的に追随する特
   許請求の範囲第１３、１４又は１５項記載の帯電粒子パ
   ターン発生器。 １７、動的補正電位が対物レンズ系におけるビームの走
   査運動に追随する特許請求の範囲第１６項記載の帯電粒
   子パターン発生器。 １８、対物レンズ系における半径方向ビーム運動のステ
   ップ状追随に対するステップの大きさを網状部のメッシ
   ュ寸法に整合させる特許請求の範囲第１７項記載の帯電
   粒子パターン発生器。 １９、走査ビームによって走査すべきターゲットの区域
   を、表面延長部において球面収差補正に整合させる特許
   請求の範囲第１６、１７又は１８項記載の帯電粒子パタ
   ーン発生器。 ２０、アクロマティックビーム走査に複合偏向電磁界を
   用いる特許請求の範囲第１６、１７、１８又は１９項記
   載の帯電粒子パターン発生器。 ２１、ビーム走査装置における色ビーム誤差をプロジェ
   クション・タブレットで補正する特許請求の範囲第１３
   、１４、１５又は１６項記載の帯電粒子パターン発生器
   。 ２２、ビーム・シェイピングをこのビーム・シェンピン
   グに整合した動的輝度制御と共に用いて、ビーム上への
   非定常ビーム拡がりの影響を一定に維持する特許請求の
   範囲第１乃至２１項中のいずれか一項記載の帯電粒子パ
   ターン発生器。 ２３、粒子源が固体放射器の集合体を具え、該集合体に
   動的輝度制御用の電極系を設ける特許請求の範囲第２２
   項記載の帯電粒子パターン発生器。