NL8502275A - In slanke deelbundels opgedeelde bundel geladen deeltjes. - Google Patents

Description

*>*—*' • * PHN 11.465 1 N.V. Philips' Gloeilampenfabrieken

In slanke deelbundels opgedeelde bundel geladen deeltjes.

De uitvinding heeft betrekking op een bestralingsapparaat met een bron en een optisch systeem voor opwekking en besturing van een geladen deeltjes bundel.

Een dergelijke bestralingsapparaat is, in de vorm van een 5 electronen bundel schrijfapparaat, bekend uit ÜS 4151422. In een dergelijk apparaat wordt een bundel geladen deeltjes gebruikt voor produktie van geïntegreerde schakelelementen, of wel door een directe bestraling van een daartoe ingerichte plak halfgeleidermateriaal of door bestraling van een daarbij aan te wenden masker.

10 In de praktijk blijkt het moeilijk te zijn een bundel of een waaier van bundels met een voldoend hoge stroomsterkte te realiseren die, zonder dat daarin bij het verloop van de bundel door het apparaat door onderlinge Coulomb afstoting van de geladen deeltjes veroorzaakte storende effecten optreden. Deze storingen worden ernstiger naarmate 15 met relatief lange bundelwegen of met relatief lage versnellingsspanningen wordt gewerkt en zijn te verdelen in statistische en niet statistische. De statistische effecten ontstaan hoofdzakelijk doordat de verdeling van geladen deeltjes in de bundel niet constant is en de kracht die deeltjes op elkaar uitoefenen met de tijd en over de 20 deeltjes statistische fluctuaties vertoont. Voor zover deze krachten axiaal gericht zijn resulteert dit in snelheidsveranderingen van de deeltjes in d voortplantingsrichting van de bundel. Dit effect staat bekend als het Boersch effect. De radiale component van deze krachten veroorzaakt een statistische fluctuerende richtingsverandering van de 25 deeltjes in de bundel. Dit effect wordt Trajectory Displacement genoemd. Voor het beschrijven van het tweede, niet statistische effect kan de lading als gelijkmatig over de bundel verdeeld gedacht worden.

Het gevolg van dit effect is derhalve ook een gelijkmatige bundelspreiding. Dit noemen we in het vervolg bundelspreiding door 30 ruimtelading. De noodzakelijke gevolgen hiervan kunnen door aangepaste lenswerking worden gereduceerd.

Als in een gegeven geladen deeltjes bundel apparaat alle

Ie ------,-- - PHN 11.465 2 i ï t factoren die een bijdrage leveren aan de vorm en stroomdichtheid van de bundel zijn geöptimaliseerd, waarbij allerhande beperkingen optreden, blijkt, dat voor de hier gewenste bundels de onderlinge afstoting van de geladen deeltjes de beperkende factor is voor zowel randonscherpte, 5 hoofdzakelijk veroorzaakt door de statistische richtingsverandering van de deeltjesbanen, als voor beeldvervorming, veroorzaakt door de niet statistische bundelspreiding. Omgekeerd kan ook worden gezegd, dat bij een gestelde eis aan de randonscherpte van de deeltjesbundel door dit effect de stroomsterkte in de bundel wordt beperkt. Voor zover het 10 verschijnsel van statistische onderlinge afstoting is onderkend, is getracht de nadelige gevolgen daarvan op de bundel te reduceren door te streven naar daartoe geëigende voorwaarden voor de bundels zoals bijvoorbeeld hogere versnellingsspanningen, lage stroomdichtheden in de bundels door het toelaten van bundels met een zo groot mogelijke 15 bruikbare dwarsafmeting, korte bundelwegen enz.

De uitvinding beoogt bovengenoemde bezwaren te ondervangen en beperkingen te voorkomen door het vormen van bundels waarin bovengenoemde storende effecten in hoge mate zijn gereduceerd.

Een in de aanhef genoemde bestralingsapparaat heeft 20 daartoe volgens de uitvinding tot kenmerk, dat bundelselectiemiddelen aanwezig zijn voor het vormen van een deeltjesbundel met althans over een substantieel gedeelte van een daardoor af te leggen bundelweg in het apparaat een statistische bundelspreiding reducerende kleine bundeldiameter.

25 Gebruikelijk wordt in bestralingsapparaten van de onderhavige soort, zoals bijvoorbeeld in bundelschrijfapparaten, een stralingsbeeld geprojecteerd op een te beschrijven object. Dit stralingsbeeld kan bijvoorbeeld worden gevormd door een enkelvoudige ronde spot, een rechthoekige spot met variabele afmetingen, zoals 30 beschreven in US 3491236, een één-, of twee-dimensionale verzameling van rondjes of rechthoekjes eet. In dergelijke apparaten wordt gebruikelijk geöptimaliseerd naar een zo hoog mogelijke totaal stroom onder behoud van een voldoende beeldscherpte, dus een voldoend kleine spotdiameter, bij ronde bundels en een goede randscherpte in het geval 35 van rechthoekige bundels.

Uit berekeningen is gebleken, dat de TD bijdrage aan de bundeldiameter sterk kan worden gereduceerd door te werken met bundels 8502275 PHN 11.465 3 .ί*Ι5!|] -► a l; ...Jk die een diameter hebben met een onder een van verdere bundelparameters afhankelijke, bepaalde maximale waarde. Doordat in een apparaat volgens de uitvinding wordt gewerkt met bundels die aan deze voorwaarde voldoen kan ook bij relatief hoge stroomdichtheden met slanke bundels worden 5 gewerkt en is een veel grotere vrijheid ontstaan in de keuze van versnellingsspanning en de geometrie ten aanzien van de bundelwegen.

In een voorkeursuitvoering wordt gewerkt met een samengestelde bundel waarvan deelbundels een zodanig kleine dwarsafmeting hebben dat daarin de TD invloed is gereduceerd en op een 10 zodanig grote onderlinge afstand verlopen, dat ook storende TD invloeden van deelbundels op elkaar zijn gereduceerd.

Het apparaat bevat daartoe bijvoorbeeld een matrix van emitterende elementen waardoor reeds vanaf de bundelemissie een bundelopdeling optreedt. In het bijzonder zijn de emitterende elementen 15 voor electronenbundels solid state emitters die in een één- of tweedimensionale verzameling, bijvoorbeeld een lineair array een orthogonale matrix of langs een of meerdere cirkelbogen zijn gegroepeerd. Van een dergelijk samengestelde verzameling emitters, die thermische emitters, veldemitters, plasma emitters of dergelijke emitters kunnen bevatten, 20 kunnen de afzonderlijke emitters individueel of groepsgewijs zowel in stroomsterkte als in startpotentiaal onafhankelijk van elkaar bestuurbaar zijn uitgevoerd. Dit kan zowel door nabij of in de bron op te stellen deeltjes optische inrichtingen als door per emitter of groep emitters te besturen electroden bijvoorbeeld bij de solid state emitters 25 worden gerealiseerd.

In een verdere voorkeursuitvoering wordt een verzameling voorwerpspunten, bijvoorbeeld de genoemde verzameling emitters afgebeeld in of nabij een lensvlak van een nabij een te bestralen object gelocaliseerde lens van het apparaat. In deze uitvoering kan dan 30 chromatische correctie van sferische aberratie worden toegepast.

Hiertoe wordt aan de verzameling emitters van de bron een daartoe geëigende potentiaalverdeling opgelegd. Zo kan bijvoorbeeld door een radiaal verlopende potentiaalverandering de gebruikelijk positieve sferische aberratie van de geladen deeltjes optiek worden 35 voorgecompenseerd. Doordat de sferische aberratie kan worden gereduceerd, kan met samengestelde bundels met een beduidend grotere gezamelijke openingshoek worden gewerkt. In een voorkeursuitvoering is *502275

_ J

♦ * PHN 11.465 4 de bundelopeningshoek ten aanzien van de gereduceerde sferische aberratie geöptimaliseerd. Bij bijvoorbeeld in een bundelschrijfapparaat waarbij de bundel voor een loodrechte aftasting zich in het hoofdvlak van de betreffende lens verplaatst, is de 5 chromatische compensatie van de sferische aberratie dynamisch aan de positie van de bundel in de lens doorgevoerd. Indien deze chromatische correctie, voor een goede aftasting, ontoelaatbaar grote snelheidsvariaties in de bundel introduceert kan daarvoor met een goeddeels achromatische afbuigveld bijvoorbeeld gevormd door een 10 combinatie van een magnetisch en een electrisch veld, met een chromatische afbuigfoutencompenserend lensdoublet of met een aangepaste gaaselectrode in de eindlens worden gecorrigeerd.

Aan de hand van de tekening zullen in het navolgende enkele voorkeursuitvoeringen volgens de uitvinding nader worden 15 beschreven. In de tekening toont :

Figuur 1 een electronen bundelschrijfapparaat volgens de uitvinding,

Figuur 2 schematische voorstellingen van bundels geladen deeltjes, 20 Figuur 3 een grafiek waarin het TD effect en het Boersch effect als functie van de bundeldiameter zijn aangegeven, en

Figuur 4 een schematische voorstelling van een deeltjes optisch systeem volgens de uitvinding.

25 Van een electronen- of ionenbundel apparaat zijn in figuur 1, opgenomen in een huis 2, weergegeven een stralenbron 4, een shaping-blanking inrichting 6, een condensorlens systeem 8, een centraal diafragma 10, een reducerend lens systeem 12, een samengestelde objectieflens 14, een bundelafbuig-correctie inrichting 16, een 30 bundelcorrectie inrichting 18 en een objectdrager 20 met daarop een te bestralen object 22, bijvoorbeeld een te beschrijven siliciumschijf of een maskerplaat. In het geval van een ionenbundelschrijver bevat de inrichting 4 bijvoorbeeld ook een ionen massa selectie element. De bundelcorrectie inrichting 10 bevat bijvoorbeeld een aan een te 35 gebruiken samengestelde bundel aangepast gaas met electroden voor correctie van sferische aberratie.

Een groot gedeelte van het optisch systeem is verder S5Ö2 27 5 ?ΗΝ11.465 5 Φ. r althans voor zover relevant voor de uitvinding afgezien van aanpassingen aan de polariteit en de massa-ladings verhouding van de onderscheiden deeltjes substantieel gelijk. Om der wille van de eenvoud zal het apparaat verder dan ook hoofdzakelijk als electronen bundelschrijf 5 apparaat beschreven worden. De stralenbron wordt voor electronen bij voorkeur gevormd door een solid-state electronen emitter of velderaitter en voor een multi-beam apparaat door een verzameling van individuele solid-state emitters of veldemitters. Voor het besturen van de bestralingsbron en in het bijzonder de verzameling individuele emitters 10 is een stralingsbron besturingsinrichting 24 opgenomen die is aangesloten op een centrale stuurinrichting 25. Aan de centrale stuurinrichting zijn eveneens aangesloten een stuurinrichting 26 voor de shaping-blanking inrichting 6, een regelinrichting 28 voor het centrale diafragma 10, een stuurinrichting 30 voor de aftastinrichting 15 14, een regelinrichting 32 voor het correctie systeem 16, een instelinrichting 34 en een meetinrichting 36 voor de objectdrager 20 en stuurinrichtingen 38, 40 en 42 voor respectievelijk de objectieflens 14, het reducerende lens systeem 12 en het condensor lens systeem 8. Verder is aan de centrale stuurinrichting een geheugen-leesinrichting 44 20 aangesloten voor het opslaan van gegevens respectievelijk het uitlezen van, voor het bewerken van de trefplaat relevante gegevens. De uitvoering en functie van de onderscheiden elementen van het apparaat worden in het navolgende, voor zover van belang voor de uitvinding, nader beschreven.

25 Figuur 2 toont zeer schematisch een door een emitter 50 uitgezonden electronenbundel 51 met daarin aangegeven individuele electronen 52 die willekeurig over een volume van de bundel zijn verdeeld. Het volume van de bundel wordt daarbij bepaald door een cylinder 53 om een as 54 van de bundel. Binnen een manteloppervlak 56 30 van de cylinder bevinden zich alle beschouwde electronen.

Van bijvoorbeeld een centraal referentie electron 56 ondervinden alle electronen een afstotende kracht, gericht langs het verlengde van de verbindingslijn tussen het centrale electron en het beschouwde electron. Voor electronen 58 en 60 is een krachtvector met 35 62 respectievelijk 64 en een dwars op de as 54 gerichte component daarvan met 66 respectievelijk 68 aangegeven.

In een cylinder 69 van figuur 2b bevindt zich een gelijk 8502 27 3

__I

PHN 11.465 6 aantal electronen, de beide bundels vertegenwoordigen dus bij gelijke electronensnelheid een gelijke totale bundelstroomsterkte. Het is ook zonder explicite weergave duidelijk, dat'de loodrecht op de as gerichte componenten van de krachten vectoren hier veel geringer zullen zijn an 5 dat in sterke mate naarmate de onderlinge afstand van de electronen gemeten in de asrichting groter is dan de bundeldiameter. Het extreme geval waarin alle electronen zich als een trein op de as 54 bevinden is van elke invloed van TD gevrijwaard.

Figuur 3 toont een assenstelsel met horizontaal de straal 10 r van de bundel en vertikaal een maat voor de invloed van de genoemde statistische effecten. Een kromme A toont de invloed van de TD voor een bundel met constante stroomsterkte terwijl kromme B het Boersch effect weergeeft. In een gebied tussen waarden a en b voor de bundelstraal r is het TD effect relatief groot. Door van bundels waarvan 15 de straal binnen dat gebied valt, de straal te verkleinen tot een straal kleiner dan a' kan verlaging van het TD effect worden verkregen. Door te breken met de gedachte dat de Coulomb krachten met het slanker worden van de bundel steeds zullen toenemen, hetgeen tot nu toe als vuistregel gold, kan een grote winst worden behaald. Bij samengestelde bundels is 20 het gewenst er zorg voor te dragen, dat de onderlinge afstand van de deelbundels voldoende groot is om onderlinge beïnvloeding te voorkomen. Uit figuur 3 blijkt ook dat in dergelijke slanke bundels het Boersch effect, zie kromme B, niet verder toeneemt en er zullen dus door dit effect geen verdere beperkingen optreden.

25 Opdeling van een bundel geladen deeltjes kan in principe overal in het apparaat worden doorgevoerd. Een voorbeeld van een dergelijke bundelopdeelinrichting wordt bijvoorbeeld beschreven in EP 87196. Een voor toepassing van de uitvinding te verkiezen bundelopdeling is die waarbij de emitter een verzameling deelbundels 30 produceert doordat de emitter een verzameling individuele emitterende elementen bevat. Voor een electronenbundel apparaat zoals weergegeven in figuur 4 wordt de emitter bij voorkeur gevormd door een verzameling solid state emitters bijvoorbeeld zoals beschreven in Philips Journal of Research, Vol. 39, No. 3, 1984, pp 51-60 of door een verzameling 35 veldemitters bijvoorbeeld zoals beschreven in Journal Appl. Physics,

Vol. 47, No. 12, Dec. 1976, pp 5248 tot 5263.

Een dergelijke verzameling emitters bevat bijvoorbeeld 850227b PHN 11.465 7 een verzameling van enkele tientallen tot enkele duizenden individuele emitters bijvoorbeeld in een matrix van 50 x 50 emitters. Juist door de bouw van dit type emitters kan vrijwel willekeurig worden gekozen in zowel het aantal als in de onderlinge positionering van de emitters.

5 Een dergelijke samengestelde bundel kan overeenkomstig bijvoorbeeld een in US 4.151.422 beschreven apparaat worden gebruikt voor de productie van geïntegreerde schakelingen, als aftastende bundel in een aftastelectronen microscoop en in overeenkomstige bewerkings- of analyse apparaten. Het kan daarbij gunstig zijn bijvoorbeeld groepen van 10 deelbundels afzonderlijk te kunnen besturen waartoe die ter plaatse een daartoe voldoende grote onderlinge afstand van elkaar moeten hebben.

In het bijzonder in de objectieflens 14 zal de verzamelbundel relatief veel last van sferische aberratie kunnen ondervinden omdat de bundel daar relatief wijd is en men daar vaak, om 15 een loodrechte landing van de bundel te realiseren, een groot actief lensveld gebruikt. Door het aanleggen van daartoe aangepaste onderling verschillende startpotentialen aan individuele emitterelementen kan hier in hoge mate voor worden gecorrigeerd. Deze correctie kan geheel dynamisch aan de bundelgeometrie worden aangepast en verloopt bij een 20 vast geörienteerde bundel in de lens dan radiaal over de verzameling emitter elementen. Bij verplaatsing van de bundel over het lensvlak kan de potentiaal excursie van de emitterelementen deze radiale verplaatsing ook dynamisch of stapsgewijs volgen.

De sferische aberratie van de objectieflens kan ook 25 worden gereduceerd door toepassing van een daartoe ingericht gaas dat met daarbij behorende electroden in of nabij het lensvlak wordt aangebracht. Het eventuele verplaatsen van de bundel wordt dan bij voorkeur in maasstappen van het gaas doorgevoerd. Dit kan zich bijvoorbeeld voordoen bij apparaten voor productie van geïntegreerde 30 schakelelementen waarbij het gunstig is om, zonder verplaatsing van de te behandelen plak halfgeleider materiaal, een relatief groot oppervlak te kunnen beschrijven en men gaarne afwijkingen als gevolg van een scheve inval van de schrijvende bundel wil vermijden. Overeenkomstige overwegingen kunnen ook gelden voor bijvoorbeeld meetinrichtingen 35 waarbij met een bundel geladen deeltjes bijvoorbeeld weer een geïntegreerd schakelelement of chip na productie wordt gecontroleerd.

Ook daar zal het voordelig zijn een groot oppervlak tegelijk te kunnen SS v2 27 5 ___: PHN 11.465 8 controleren en kan een loodrechte bundelinval de betrouwbaarheid van de meting verhogen.

Een electronenoptische kolom voor een bestralingsapparaat bijvoorbeeld voor het in figuur 1 aangegeven apparaat is weergegeven in 5 figuur 4 en bevat een samengestelde bron 80 die bijvoorbeeld een lineair array 82 of een matrix 84 van individuele emitters 86 bevat. Elk van de emitters heeft bijvoorbeeld een actief oppervlak, dat is een oppervlak waar daadwerkelijk electronen emissie op kan treden van bijvoorbeeld 1

O

urn . De onderlinge afstand van de individuele emitters bedraagt 10 bijvoorbeeld ongeveer 10 ^,um en wordt, afgezien van technologische beperkingen, door de onderlinge trajectory displacement invloed bepaald. De onderlinge afstand van de elementair bundels in de objectieflens bedraagt bijvoorbeeld ongeveer 100 ^um.

De kolom is verder uitgerust met een condensorlens 15 systeem 8, een shaping systeem 88 met een eerste diafragma 90, een tweede diafragma 92 en een lensstelsel 94, een verkleinende lens 12 en een objectieflens 14 met een afbuiginrichting 96. In het shaping systeem 88 is een afbuiginrichting 98 opgenomen voor zowel de afbuiging voor de bundelshaping als voor blanking.

20 Bij een groot afbuig-lensveld van de objectieflens 14 en de afbuiginrichting 96 kan met een potentiaal excursie aan te leggen aan de verzameling individuele emitters 86 een chromatische correctie voor sferische aberratie worden toegepast. Een solid state emitter matrix kan daartoe met een bestuurbaar electroden systeem 99 zijn 25 uitgerust. De besturing voor het dynamisch geval kan worden vereenvoudigd door de potentiaal excursie bijvoorbeeld voor een van te voren vastgelegd aantal deelgebieden in het objectieflens veld aan te passen. Vooral het laatste kan ook worden gerealiseerd met een stelsel van voor de individuele emitters of groepen daarvan gemeenschappelijke 30 electroden. Bij beam-shaping, hetgeen vooral bij chip fabricage zeer gebruikelijk is en waartoe het shaping systeem 88 dient, kan verlies aan intensiteit door de daarbij optredende variatie in de bundeldiameter worden gecompenseerd door opvoeren van de stroomdichtheid in de resterende bundel. Hiertoe worden de emitters van de bron 35 qua stroomdichtheid aangepast. Bij gebruik van solid state emitters of veldemitters 'kan deze aanpassing ook met zeer hoge stuurfrequenties aan de bundeldiameter variatie worden aangepast Q R ft 9 ‘7 1 5 y fa a=» ύ PHN 11.465 9 waardoor een veel snellere sturing dan tot nu toe mogeljk was kan worden gerealiseerd. Een dergelijke helderheidssturing maakt tijdrovende . lenscorrectie voor de objectieflens voor de beam-shaping overbodig, laat een grotere range in de beam-shaping toe en resulteert in een 5 gereduceerde schrijftijd.

Tussen de objectieflens 14 en een object 22 kan voor een bundel met deeltjes met onderling relatief grote energie verschillen, zoals die daar in het geval van chromatische compensatie voor sferische aberratie kunnen optreden, een electronen optische 10 inrichting 100 zijn opgenomen die chromatische deflectiefouten corrigeerd. Voor een verdere beschrijving kan worden verwezen naar een artikel van Slingerland e.a. waarin deze inrichtingen overigens voor een ionenbundelapparaat worden beschreven en dat is gepubliceerd in Microcircuit 84 Proceedings Conference, Cambrigde , p 381 e.v.

15 Hoewel de uitvinding in het voorafgaande nader is toegelicht aan slechts enkele uitvoeringsvormen is de toepassing ervan zeker niet daartoe beperkt. Enerzijds opent de uitvinding door de aard van de in feite aberratie vrije deelbundel een skala voor mogelijkheden voor a-priori compensatie van optische fouten in het deeltjes optisch 20 systeem door de mogelijkheid van een individuele beïnvloeding van elk van de individuele emitters, hier beschreven aan de hand van de sferische aberratie van in hoofdzaak de objectieflens. Ook is door de mogelijkheid van een zeer snelle sturing van de emitters, tot in de orde van grootte in de giga hertz range een zeer snelle bundel beïnvloeding 25 mogelijk zowel voor de gehele bundel als voor individuele deelbundels uit de bundel. Toepassingen van de uitvinding zullen dus vooral daar gevonden worden waar snelle sturing gewenst is, bijvoorbeeld chip fabricage, waar een bundel met een exact bepaald contour is gewenst, eveneens chip fabricage maar ook chip controle, aftast electronen of 30 ionen apparaten en oppervlakte analyse apparaten in het algemeen voor zover die werken met geladen deeltjes bundels. Anderzijds is de uitvinding daar van toepassing waar met een lage versnellingsspanning wordt gewerkt immers juist daar vormen de genoemde storende effecten een substantiële beperkende factor. Ook hierbij kan worden gedacht 35 aan analyse apparaten bijvoorbeeld oppervlakte structuur analyse met een hoog oplossend vermogen, hierbij kan ook gedacht worden aan het gebruik van een enkelvoudige zeer slanke bundel volgens de uitvinding.

8502275 PHN 11.465 10

Ook voor bijvoorbeeld beeldopname-inrichtingen zoals televisie opneembuizen met een hoogoplossend vermogen kan de uitvinding van veel nut zijn, door de afwezigheid van TD effecten en de daardoor te realiseren kleine aftastende bundelspot. Voor dit type buizen met een 5 relatief groot af te tasten target kan weer chromatische correctie worden toegepast evenals voor de ook hier gewenste vertikale landing van de bundel. Door de matrix van emitters op te delen in groepen die bijvoorbeeld onderling geometrisch zijn gescheiden kan een multibeam apparaat worden ontworpen waarin de uitvinding grote voordelen biedt.

85 0 2 27 5

Claims (23)

1. Bestralingsapparaat met een bron en een optisch systeem voor opwekking en besturing van een geladen deeltjes bundel met het kenmerk, dat bundelselectiemiddelen aanwezig zijn voor het vormen van een deeltjesbundel met althans voor een substantieel gedeelte van een 5 daardoor in het apparaat af te leggen bundelweg een trajectory displacement reducerende geringe bundeldiameter.

2. Bestralingsapparaat volgens conclusie 1, met het kenmerk, dat daarin een inrichting is opgenomen voor het vormen van een waaier van meerdere deelbundels waarbij elk van de deelbundels een de 10 trajectory displacement reducerende geringe bundeldiameter heeft.

3. Bestralingsapparaat volgens conclusie 1 of 2, met het kenmerk, dat de bundelselectiemiddelen zijn ingericht voor het vormen van een waaier deelbundels met een trajectory displacement reducerende geringe bundeldiameter welke deelbundels op zodanige onderlinge 15 afstanden verlopen dat ook onderlinge trajectory displacement beïnvloeding is gereduceerd.

4. Bestralingsapparaat volgens conclusie 2 of 3, met het kenmerk, dat de bron een lineair array of een matrix van individuele emitters voor het opwekken van een waaier van deelbundels bevat.

5. Bestralingsapparaat volgens conclusie 2 of 3, met het kenmerk, dat het optisch systeem is uitgerust met een inrichting voor opdeling van een geladen deeltjes bundel in een waaier deelbundels.

6. Bestralingsapparaat volgens een der voorgaande conclusies, met het kenmerk, dat de geladen deeltjes ionen zijn.

7. Bestralingsapparaat volgens een der conclusies 1 tot 5, met het kenmerk, dat de geladen deeltjes electronen zijn.

8. Bestralingsapparaat volgens conclusie 7, met het kenmerk, dat de bron een enkele of een verzameling solid state electronen emitters bevat.

9. Bestralingsapparaat volgens conclusie 7, met het kenmerk, dat de bron een enkele of een verzameling veld emitters bevat.

10. Bestralingsapparaat volgens een der voorgaande conclusies, met het kenmerk, dat een deeltjes optische inrichting een verzameling deeltjes bronnen afbeeldt in of nabij een lens van een 35 objectieflens systeem van het deeltjes optisch systeem van het apparaat.

11. Bestralingsapparaat volgens conclusie 10, met het kenmerk, dat de objetieflens deel uit maakt van een shaped-beam Λ - V / ƒ "*i vJ* Λ i;. ^ ^ * ΡΗΝ 11.465 12 v ·*ν bundelschrijver.

12. Bestralingsapparaat volgens conclusie 10, met het kenmerk, dat de objectieflens deel uitmaakt van een aftastend geladen deeltjes bundel apparaat.

13. Bestralingsapparaat volgens conclusie 10, met het kenmerk, dat aan individuele emitters van een verzameling van emitters sferische aberratie van het optische systeem chromatisch compenserende potentialen aanlegbaar zijn.

14. Bestralingsapparaat volgens een der conclusies 10 tot 13, 10 met het kenmerk, dat in de objectieflens een de sferische aberratie corrigerend gaas met een stuurelectrode is opgenomen.

15. Bestralingsapparaat volgens conclusie 13 of 14, met het kenmerk, dat een maximaal toelaatbare openingshoek voor een te emitterende waaier van deelbundels is aangepast aan een voor sferische 15 aberratie gecorrigeerde objectieflens.

16. Bestralingsapparaat volgens conclusie 13, 14 of 15, met het kenmerk, dat de potentiaalverdeling van de individuele emitters van een verzameling emitters een aftastende beweging van de gezamenlijke bundel in het lenssysteem dynamisch volgt.

17. Bestralingsapparaat volgens conclusie 16, met het kenmerk, dat de dynamische correctie potentiaal de aftastende beweging van de bundel in het objectieflens systeem stapsgewijs volgt.

18. Bestralingsapparaat volgens conclusie 17 met het kenmerk, dat een stapgrootte voor het stapsgewijs volgen van een radiale 25 bundelbeweging in het objectieflens systeem aan maasafmetingen van het gaas is aangepast.

19. Bestralingsapparaat volgens een der conclusies 16, 17 of 18, met het kenmerk, dat een door een af te tasten bundel te bestrijken gebied van een trefplaat in oppervlakte uitgebreidheid aan de 30 sferische aberratie correctie is aangepast.

20. Bestralingsapparaat volgens een der conclusies 16, 17, 18 of 19, met het kenmerk, dat voor achromatische bundelaftasting een gecombineerd magnetisch-electrisch afbuigveld wordt gebruikt.

21. Bestralingsapparaat volgens een der conclusies 13, 14, 15 35 of 16, met het kenmerk, dat een chromatische afwijking van de bundel in de bundelaftastinrichting met een projectie doublet wordt gecompenseerd.

22. Bestralingsapparaat volgens een der voorgaande 3 £ * 7 7 £ ....... PHN 11.465 13 conclusies, met het kenmerk, dat daarin beam-shaping wordt toegepast en met een zodanig aan de beam-shaping aangepaste dynamische heiderheidsregeling is uitgerust, dat de invloed van niet statistisch bundelspreiding op de bundel constant blijft.

23. Bestralingsapparaat volgens conclusie 22, met het kenmerk, dat de deeltjesbron een verzameling solid state emitters bevat welke is uitgerust met een electrodensysteem voor de dynamische heiderheidsregeling. 8502275